JP6981168B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、多層基板1の実装面に薄膜2を形成する。多層基板1の実装面に半導体チップ3を実装する。
図5は、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。溝9の断面構造は実施の形態1と同様であるが、溝9の幅を最初の切り返し15aより外側で広げている。即ち、封止領域から外側に向かう途中で溝9の幅が広くなる。このように樹脂7の通り道の断面積を広げるとベルヌーイの法則から樹脂7の流れる速度を落とせる。従って、実施の形態1よりも短い距離で樹脂7を留めることができる。このため、溝9に必要な基板長を短くでき、基板コストを削減することができる。また、樹脂7の選定と条件設定の自由度が増える。
図6は、実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。図7は図6のI−IIに沿った断面図である。導電パターン10のソルダレジスト11から露出した部分に溝9が形成されている。これにより、多層基板1を下金型4と上金型5で挟んだ際にソルダレジスト11が潰れても溝9の幅が狭くなるのを防ぐことができる。従って、実施の形態2のように溝9の幅を狭くした場合でも設計値の溝幅を維持することができる。また、ソルダレジスト11の潰れ量を考慮する必要がないため、型締め圧力の自由度が増える。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
Claims (3)
- 多層基板の実装面に薄膜を形成する工程と、
前記多層基板の前記実装面に半導体チップを実装する工程と、
前記多層基板を下金型と上金型で挟んで前記半導体チップを樹脂で封止する工程とを備え、
前記薄膜は、前記樹脂で封止される封止領域から前記多層基板の外側まで延びる溝を有し、
前記樹脂で封止する際に、前記多層基板の外周部において前記薄膜の上面と前記上金型が接し、前記溝をエアベントとして用い、
前記溝は切り返しを有し、
前記切り返しよりも外側の前記溝の幅が、前記切り返しよりも前記封止領域側の前記溝の幅に対して広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 1つの前記半導体チップに対して前記溝を複数形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜は、導電パターンと、前記導電パターンを覆うソルダレジストとを有し、
前記導電パターンの前記ソルダレジストから露出した部分に前記溝が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
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