JP6974252B2 - 電磁波検出装置および情報取得システム - Google Patents

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Description

本発明は、電磁波検出装置および情報取得システムに関するものである。
DMD(Digital Micro mirror Device:デジタルマイクロミラーデバイス)のような、画素毎に入射する電磁波の進行方向を切替える素子を備える装置が知られている。例えば、DMD表面に物体の像をいったん一次結像させ、そのDMD表面に一次結像した像をさらにレンズを通してCCD表面に二次結像させる装置が知られている(特許文献1参照)。
特許3507865号公報
このような装置において、良好な結像特性の確保は有益である。
従って、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされた本開示の目的は、良好な結像特性の確保にある。
上述した諸課題を解決すべく、第1の観点による電磁波検出装置は、
基準面に沿って複数の画素が配置され、前記基準面に入射した電磁波を前記画素毎に特定の方向へ進行させる第1の進行部と、
第1の方向から入射する電磁波を第2の方向へ進行させ且つ第3の方向へ進行する電磁波を第4の方向へ進行させる第1の面と、前記第2の方向へ進行した電磁波を分離して前記第3の方向および第5の方向へ進行させる第2の面と、前記第4の方向へ進行した電磁波を射出する第3の面と、前記第5の方向へ進行した電磁波を前記基準面へ射出し且つ前記基準面から再入射した電磁波を第6の方向へ進行させる第4の面と、前記第6の方向へ進行した電磁波を第7の方向へ進行させる第5の面と、前記第7の方向へ進行した電磁波を射出する第6の面と、を含む第2の進行部と、
前記第3の面から射出された電磁波を検出する第1の検出部と、
前記第6の面から射出された電磁波を検出する第2の検出部と、を備える。
また、第2の観点による情報取得システムは、
基準面に沿って複数の画素が配置され、前記基準面に入射した電磁波を前記画素毎に特定の方向へ進行させる第1の進行部と、第1の方向から入射する電磁波を第2の方向へ進行させ且つ第3の方向へ進行する電磁波を第4の方向へ進行させる第1の面と、前記第2の方向へ進行した電磁波を分離して前記第3の方向および第5の方向へ進行させる第2の面と、前記第4の方向へ進行した電磁波を射出する第3の面と、前記第5の方向へ進行した電磁波を前記基準面へ射出し且つ前記基準面から再入射した電磁波を第6の方向へ進行させる第4の面と、前記第6の方向へ進行した電磁波を第7の方向へ進行させる第5の面と、前記第7の方向へ進行した電磁波を射出する第6の面と、を含む第2の進行部と、
前記第3の面から射出された電磁波を検出する第1の検出部と、前記第6の面から射出された電磁波を検出する第2の検出部と、を有する電磁波検出装置と、
前記第1の検出部および前記第2の検出部による電磁波の検出結果に基づいて、周囲に関する情報を取得する制御部と、を備える。
上述したように本開示の解決手段を装置、およびシステムとして説明してきたが、本開示は、これらを含む態様としても実現し得るものであり、また、これらに実質的に相当する方法、プログラム、プログラムを記録した記憶媒体としても実現し得るものであり、本開示の範囲にはこれらも包含されるものと理解されたい。
上記のように構成された本開示によれば、良好な結像性能を確保し得る。
第1の実施形態に係る電磁波検出装置を含む情報取得システムの概略構成を示す構成図である。 図1の電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 図1の放射部、第2の検出部、および制御部が構成する測距センサによる測距の原理を説明するための電磁波の放射の時期と検出の時期を示すタイミングチャートである。 第2の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第2の実施形態に係る電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。 第3の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第4の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第4の実施形態に係る電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。 第5の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第6の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第6の実施形態に係る電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。 第7の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第8の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第8の実施形態に係る電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。 第1の実施形態に係る電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。
以下、本発明を適用した電磁波検出装置の実施形態について、図面を参照して説明する。入射する電磁波を結像させる一次結像光学系、および一次結像光学系を透過した電磁波を分離する分離面を有する電磁波検出装置は、分離した電磁波を別々に検出し得る。このような電磁波検出装置においては、一次結像光学系の像側に分離面を配置する必要があるため、一次結像光学系のバックフォーカスを長くする必要がある。しかし、バックフォーカスを長くすると、一次結像光学系の設計の制約により、結像性能、明るさ、および画角などの結像特性が悪くなるため、バックフォーカス長を短くすることが望まれる。バックフォーカス長を短縮させるために、一次結像光学系の主軸と分離面とのなす角度を90°に近づけることが考えられる。しかし、当該角度を90°に近づけると、分離面において反射させた電磁波を検出する検出部と一次結像光学系との干渉を生じ得、実際の製造が困難となり得る。そこで、本発明を適用した電磁波検出装置は、一次結像光学系を透過した電磁波を分離面に進行させ、且つ分離面の分離により進行する電磁波を検出部に進行させる面を設けることにより、バックフォーカス長を短縮させ得る。バックフォーカス長の短縮化により、一次結像光学系の、結像性能、明るさ、および画角などの良好な結像特性が確保され得る。
図1に示すように、本開示の第1の実施形態に係る電磁波検出装置10を含む情報取得システム11は、電磁波検出装置10、放射部12、走査部13、および制御部14を含んで構成されている。
以後の図において、各機能ブロックを結ぶ破線は、制御信号または通信される情報の流れを示す。破線が示す通信は有線通信であってもよいし、無線通信であってもよい。また、各機能ブロックから突出する実線は、ビーム状の電磁波を示す。
図2に示すように、電磁波検出装置10は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部17、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。
第1の結像部15は、例えば、レンズおよびミラーの少なくとも一方を含む。第1の結像部15は、電磁波検出装置10において第1の方向d1から入射する、被写体となる対象obの電磁波の像を、第2の進行部17の第1の面s1に進行させて、第1の面s1より離れた位置で結像させる。例えば、第1の方向d1は、第1の結像部15の主軸と平行であって、物体面から第1の結像部15に向かう方向かつ第1の結像部15から像面に向かう方向を含む。
第1の進行部16は、第2の進行部17の第1の面s1に入射して第4の面s4から射出する電磁波の経路上に設けられている。さらに、第1の進行部16は、第1の結像部15から所定の距離だけ離れた対象obの一次結像位置または当該一次結像位置近傍に、設けられていてよい。
第1の実施形態においては、第1の進行部16は、当該一次結像位置に設けられている。第1の進行部16は、第1の結像部15および第2の進行部17を通過した電磁波が入射する基準面ssを有している。基準面ssは、2次元状に沿って配置される複数の画素pxによって構成されている。基準面ssは、後述する第1の状態および第2の状態の少なくともいずれかにおいて、電磁波に、例えば、反射および透過などの作用を生じさせる面である。第1の進行部16は、第1の結像部15による対象obの電磁波の像を基準面ssに結像させてよい。基準面ssは、第4の面s4から射出された電磁波の進行軸に垂直であってよい。
第1の進行部16は、基準面ssに入射する電磁波を、特定の方向に進行させる。第1の進行部16は、特定の方向として第1の選択方向ds1に進行させる第1の状態と、別の特定の方向として第2の選択方向ds2に進行させる第2の状態とに、画素px毎に切替可能である。第1の実施形態において、第1の状態は、基準面ssに入射する電磁波を、第1の方向d1に反射する第1の反射状態を含む。また、第2の状態は、基準面ssに入射する電磁波を、第2の方向d2に反射する第2の反射状態を含む。
第1の実施形態において、第1の進行部16は、さらに具体的には、画素px毎に電磁波を反射する反射面を含んでよい。第1の進行部16は、画素px毎の反射面の向きを変更することにより、第1の反射状態および第2の反射状態を画素px毎に切替えてよい。
第1の実施形態において、第1の進行部16は、例えばDMD(Digital Micro mirror Device:デジタルマイクロミラーデバイス)を含んでよい。DMDは、基準面ssを構成する微小な反射面を駆動することにより、画素px毎に当該反射面を基準面ssに対して+12°および−12°のいずれかの傾斜状態に切替可能である。なお、基準面ssは、DMDにおける微小な反射面を載置する基板の板面に平行であってよい。
第1の進行部16は、後述する制御部14の制御に基づいて、第1の状態および第2の状態を、画素px毎に切替えてよい。例えば、第1の進行部16は、同時に、一部の画素pxを第1の状態に切替えることにより当該画素pxに入射する電磁波を第1の選択方向ds1に進行させ得、別の一部の画素pxを第2の状態に切替えることにより当該画素pxに入射する電磁波を第2の選択方向ds2に進行させ得る。
第2の進行部17は、第1の結像部15および第1の進行部16の間に設けられている。第2の進行部17は、第1の結像部15から進行した電磁波を分離して、第1の検出部19および第1の進行部16に向けて射出する。第2の進行部17は、第1の進行部16に進行方向を変えられた電磁波を第2の検出部20に向けて射出する。第2の進行部17の詳細な構造を以下に説明する。
第2の進行部17は、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s5、および第6の面s6を少なくとも有する。
第1の面s1は、第1の方向d1から第2の進行部17に入射する電磁波を第2の方向d2に進行させる。第1の面s1は、第1の方向d1から第1の面s1に入射する電磁波の進行軸に対して垂直であってよい。前述のように、第1の方向d1は第1の結像部15の主軸と平行なので、第1の結像部15の主軸と第1の面s1とが垂直、言い換えると第1の結像部15の主面と第1の面s1とが平行であってよい。第1の面s1は、第1の方向d1から入射する電磁波を透過、または屈折させて第2の方向d2に進行させてよい。
第1の面s1は、後述するように、第2の面s2から第3の方向d3へ進行する電磁波を第4の方向d4へ進行させる。第1の面s1は、第2の面s2から第3の方向d3に進行した電磁波を内部反射して第4の方向d4に進行させてよい。第1の面s1は、第2の面s2から第3の方向d3に進行した電磁波を内部全反射して第4の方向d4に進行させてもよい。第2の面s2から第3の方向d3に進行した電磁波の第1の面s1への入射角は臨界角以上であってよい。
第2の面s2は、第1の面s1から第2の方向d2に進行する電磁波を分離して第3の方向d3および第5の方向d5に進行させる。第2の面s2は、第2の方向d2へ進行した電磁波のうち特定の波長の電磁波を第3の方向d3に進行させ、他の波長の電磁波を第5の方向d5に進行させてよい。第2の面s2は、第2の方向d2へ進行した電磁波のうち特定の波長の電磁波を反射して第3の方向d3に進行させ、他の波長の電磁波を透過または屈折させ第5の方向d5に進行させてよい。第2の面s2は、第2の方向d2へ進行した電磁波のうち特定の波長の電磁波を全反射して第3の方向d3に進行させ、他の波長の電磁波を透過または屈折させ第5の方向d5に進行させてよい。第2の方向d2へ進行した電磁波の第2の面s2への入射角は臨界角未満であってよい。
第3の面s3は、第1の面s1から第4の方向d4に進行した電磁波を、第2の進行部17から射出する。第3の面s3は、第1の面s1から第4の方向d4に進行した電磁波の進行軸に対して垂直、すなわち第4の方向d4に垂直であってよい。
第4の面s4は、第2の面s2から第5の方向d5に進行した電磁波を、第1の進行部16の基準面ssに射出する。また、第4の面s4は、第1の進行部16の基準面ssから再入射した電磁波を第6の方向d6に進行させる。第4の面s4は、第2の面s2から第5の方向d5に進行した電磁波の進行軸に対して垂直、すなわち第5の方向d5に垂直であってよい。第4の面s4は、第1の進行部16の基準面ssに対して平行であってよい。第4の面s4は、基準面ssから再入射する電磁波を透過または屈折させて第6の方向d6に進行させてよい。
第5の面s5は、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を第7の方向d7に進行させる。第5の面s5は、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を内部反射して第7の方向d7に進行させてよい。第5の面s5は、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させてもよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s5への入射角は臨界角以上であってよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s5への入射角は、第1の面s1から第2の方向d2に進行した電磁波の第2の面s2への入射角と異なっていてよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s5への入射角は、第1の面s1から第2の方向d2に進行した電磁波の第2の面s2への入射角より大きくてよい。第5の面s5は、第2の面s2と平行であってよい。
第6の面s6は、第5の面s5から第7の方向d7に進行した電磁波を射出する。第6の面s6は、第5の面s5から第7の方向d7に進行した電磁波の進行軸に対して垂直、すなわち第7の方向d7に垂直であってよい。
以下に、第1の実施形態における第1の面s1から第6の面s6について、第2の進行部17の構成の詳細とともに説明する。
第1の実施形態において、第2の進行部17は、第1のプリズム21、第2のプリズム22、および第1の中間層23を有する。
第1のプリズム21は、第1の面s1、第2の面s2、および第3の面s3を別々の異なる表面として有してよい。第1のプリズム21は、例えば、三角プリズムを含み、第1の面s1、第2の面s2、および第3の面s3は、互いに交差してよい。
第1のプリズム21は、第1の方向d1から第1の面s1に入射する電磁波の進行軸と第1の面s1とが垂直となるように、配置されていてよい。また、第1のプリズム21は、第1の方向d1から第1の面s1を透過または屈折して第1のプリズム21内を進行する第2の方向d2に第2の面s2が位置するように、配置されていてよい。また、第1のプリズム21は、第2の面s2において反射した電磁波が進行する第3の方向d3に第1の面s1が位置するように、配置されていてよい。また、第1のプリズム21は、第2の面s2から第3の方向d3に進行して第1の面s1において反射した電磁波が進行する第4の方向d4に第3の面s3が位置するように、配置されていてよい。
第2のプリズム22は、少なくとも第4の面s4、第5の面s5、および第6の面s6を別々の異なる表面として有してよい。第2のプリズム22では、例えば、矩形のプリズムを含み、第4の面s4および第5の面s5と、第6の面s6とは、交差してよい。
第2のプリズム22は、第5の面s5が第1のプリズム21の第2の面s2に平行且つ対向するように、配置されていてよい。また、第2のプリズム22は、第1のプリズム21の第2の面s2を透過して第5の面s5を介して第2のプリズム22内部を進行する電磁波の進行方向に第4の面s4が位置するように配置されていてよい。また、第2のプリズム22は、第5の面s5における第6の方向d6からの電磁波の入射角に等しい反射角である第7の方向d7に第6の面s6が位置するように配置されていてよい。
第1の中間層23は、第1のプリズム21および第2のプリズム22の間に配置されていてよい。さらに、第1の中間層23は、第1のプリズム21の第2の面s2に接しており、第1のプリズム21との境界面に沿って第2の面s2を含んでよい。また、第1の中間層23は、第2のプリズム22の第5の面s5に接しており、第2のプリズム22との境界面に沿って第5の面s5を含んでよい。第1の中間層23は、例えば、第2の面s2に付着されて有する、可視光反射コーティング、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、および偏向素子を含む。
第1の中間層23の屈折率は、第2のプリズム22の屈折率より小さくてよい。したがって、第2のプリズム22の内部を進行し臨界角以上の入射角で入射する電磁波は、第5の面s5において内部全反射する。それゆえ、第5の面s5は、第2のプリズム22の内部を第5の方向d5を進行軸として進行する電磁波を内部反射する。第6の方向d6からの電磁波の入射角が臨界角以上である構成においては、第5の面s5は、第6の方向d6に内部進行する電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させる。
第2の結像部18は、第2の進行部17から第7の方向d7に進行して第6の面s6から射出する電磁波の経路上に、設けられていてよい。また、第2の結像部18は、主面が第6の面s6と平行になるように、設けられていてよい。
第2の結像部18は、例えば、レンズおよびミラーの少なくとも一方を含む。第2の結像部18は、第1の進行部16の基準面ssにおいて一次結像し且つ第2の進行部17を介して第6の面s6から射出された電磁波としての対象obの像を、第2の検出部20に進行させて、結像させてよい。
第1の検出部19は、第3の面s3から射出された電磁波を検出する。第3の面s3から射出された電磁波を検出するために、第1の検出部19は、第2の進行部17から第4の方向d4に進行する電磁波の経路上に、設けられていてよい。さらに、第1の検出部19は、第2の進行部17から第4の方向d4における第1の結像部15による対象obの結像位置または当該結像位置近傍に、設けられていてよい。
したがって、第1の検出部19の検出面に、第2の面s2、第1の面s1、および第3の面s3を介して到達する対象obの電磁波の像は、結像してよい。また、したがって、第3の方向d3に進行した電磁波の第2の面s2から第1の検出部19までの進行経路の長さと、第5の方向d5に進行した電磁波の第2の面s2から基準面ssまでの進行経路の長さとの差は、所定値以下であってよく、さらには同一であってよい。
第1の検出部19は、検出面が第3の面s3と平行となるように配置されていてよい。前述のように、第3の面s3は、第4の方向d4に進行して射出する電磁波の進行軸に垂直であり得、第1の検出部19の検出面は、第3の面s3から射出される電磁波の進行軸と垂直であってよい。
第1の実施形態において、第1の検出部19は、パッシブセンサを含む。第1の実施形態において、第1の検出部19は、さらに具体的には、素子アレイを含む。例えば、第1の検出部19は、イメージセンサまたはイメージングアレイなどの撮像素子を含み、検出面において結像した電磁波による像を撮像して、撮像した対象obに相当する画像情報を生成してよい。
なお、第1の実施形態において、第1の検出部19は、さらに具体的には可視光の像を撮像してよい。第1の検出部19は、生成した画像情報を信号として制御部14に送信してよい。
なお、第1の検出部19は、赤外線、紫外線、および電波の像など、可視光以外の像を撮像してもよい。また、第1の検出部19は、測距センサを含んでいてもよい。この構成において、電磁波検出装置10は、第1の検出部19により画像状の距離情報を取得し得る。また、第1の検出部19は、測距センサまたはサーモセンサなどを含んでいてもよい。この構成において、電磁波検出装置10は、第1の検出部19により画像状の温度情報を取得し得る。
第2の検出部20は、第6の面s6から射出され、第2の結像部18を経由した電磁波を検出する。第6の面s6から射出された電磁波を検出するために、第2の検出部20は、第2の進行部17から第7の方向d7に進行して第6の面s6から射出した後に第2の結像部18を経由して進行する電磁波の経路上に配置されていてよい。第2の検出部20は、第1の進行部16の基準面ssに形成される電磁波の像の、第2の結像部18による二次結像位置または二次結像位置近傍に配置されていてよい。
第2の検出部20は、検出面が第6の面s6と平行となるように配置されていてよい。前述のように、第6の面s6は、第6の方向d6に進行して射出する電磁波の進行軸に垂直であり得、第2の検出部20の検出面は、第6の面s6から射出される電磁波の進行軸と垂直であってよい。また、第2の検出部20は、検出面が第2の結像部18の主面と平行であってよい。
第1の実施形態において、第2の検出部20は、放射部12から対象obに向けて放射された電磁波の当該対象obからの反射波を検出するアクティブセンサであってよい。なお、第1の実施形態において、第2の検出部20は、放射部12から放射され且つ走査部13により反射されることにより対象obに向けて放射された電磁波の当該対象obからの反射波を検出してよい。後述するように、放射部12から放射される電磁波は赤外線、可視光線、紫外線、および電波の少なくともいずれかであり得、第2の検出部20は、第1の検出部19とは異種または同種のセンサであり、異種または同種の電磁波を検出する。
第1の実施形態において、第2の検出部20は、さらに具体的には、測距センサを構成する素子を含む。例えば、第2の検出部20は、APD(Avalanche PhotoDiode)、PD(PhotoDiode)、SPAD(Single Photon Avalanche Diode)、ミリ波センサ、サブミリ波センサ、および測距イメージセンサなどの単一の素子を含む。また、第2の検出部20は、APDアレイ、PDアレイ、MPPC(Multi Photon Pixel Counter)、測距イメージングアレイ、および測距イメージセンサなどの素子アレイを含むものであってもよい。
第1の実施形態において、第2の検出部20は、被写体からの反射波を検出したことを示す検出情報を信号として制御部14に送信する。第2の検出部20は、さらに具体的には、赤外線の帯域の電磁波を検出する赤外線センサである。
なお、第2の検出部20は、上述した測距センサを構成する単一の素子である構成において、電磁波を検出できればよく、検出面において結像される必要はない。それゆえ、第2の検出部20は、第2の結像部18による結像位置である二次結像位置または二次結像位置近傍に必ずしも設けられなくてもよい。すなわち、この構成において、第2の検出部20は、すべての画角からの電磁波が検出面上に入射可能な位置であれば、第2の進行部17の第6の面s6から射出された後に第2の結像部18を経由して進行する電磁波の経路上のどこに配置されてもよい。
図1において、放射部12は、例えば、赤外線、可視光線、紫外線、および電波の少なくともいずれかを放射してよい。第1の実施形態において、放射部12は、赤外線を放射する。放射部12は、放射する電磁波を、対象obに向けて、直接または走査部13を介して間接的に、放射してよい。第1の実施形態においては、放射部12は、放射する電磁波を、対象obに向けて、走査部13を介して間接的に放射してよい。
第1の実施形態においては、放射部12は、幅の細い、例えば0.5°のビーム状の電磁波を放射してよい。また、第1の実施形態において、放射部12は電磁波をパルス状に放射してよい。例えば、放射部12は、例えば、LED(Light Emitting Diode)およびLD(Laser Diode)などを含む。放射部12は、後述する制御部14の制御に基づいて、電磁波の放射および停止を切替えてよい。
走査部13は、例えば、電磁波を反射する反射面を有し、放射部12から放射された電磁波を、向きを変えながら反射することにより、対象obに照射される電磁波の放射位置を変更してよい。すなわち、走査部13は、放射部12から放射される電磁波を用いて、対象obを走査してよい。したがって、第1の実施形態において、第2の検出部20は、走査部13と協同して、走査型の測距センサを構成してよい。なお、走査部13は、一次元方向または二次元方向に対象obを走査してよい。第1の実施形態においては、走査部13は、二次元方向に対象obを走査する。
走査部13は、放射部12から放射されて反射した電磁波の照射領域の少なくとも一部が、電磁波検出装置10における電磁波の検出範囲に含まれるように、構成されていてよい。したがって、走査部13を介して対象obに照射される電磁波の少なくとも一部は、電磁波検出装置10において検出され得る。
なお、第1の実施形態において、走査部13は、放射部12から放射され且つ走査部13に反射した電磁波の照射領域の少なくとも一部が、第2の検出部20における検出範囲に含まれるように、構成されている。したがって、第1の実施形態において、走査部13を介して対象obに放射される電磁波の少なくとも一部は、第2の検出部20により検出され得る。
走査部13は、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラー、ポリゴンミラー、およびガルバノミラーなどを含む。第1の実施形態においては、走査部13は、MEMSミラーを含む。
走査部13は、後述する制御部14の制御に基づいて、電磁波を反射する向きを変えてよい。また、走査部13は、例えばエンコーダなどの角度センサを有してもよく、角度センサが検出する角度を、電磁波を反射する方向情報として、制御部14に通知してもよい。このような構成において、制御部14は、走査部13から取得する方向情報に基づいて、放射位置を算出し得る。また、制御部14は、走査部13に電磁波を反射する向きを変えさせるために入力する駆動信号に基づいて照射位置を算出し得る。
制御部14は、1以上のプロセッサおよびメモリを含む。プロセッサは、特定のプログラムを読み込ませて特定の機能を実行する汎用のプロセッサ、および特定の処理に特化した専用のプロセッサの少なくともいずれかを含んでよい。専用のプロセッサは、特定用途向けIC(ASIC;Application Specific Integrated Circuit)を含んでよい。プロセッサは、プログラマブルロジックデバイス(PLD;Programmable Logic Device)を含んでよい。PLDは、FPGA(Field−Programmable Gate Array)を含んでよい。制御部14は、1つまたは複数のプロセッサが協働するSoC(System−on−a−Chip)、およびSiP(System In a Package)の少なくともいずれかを含んでよい。
制御部14は、第1の検出部19および第2の検出部20がそれぞれ検出した電磁波の検出結果に基づいて、電磁波検出装置10の周囲に関する情報を取得してよい。周囲に関する情報は、例えば画像情報、距離情報、および温度情報などである。第1の実施形態において、制御部14は、前述のように、第1の検出部19が画像として検出した電磁波を画像情報として取得する。また、第1の実施形態において、制御部14は、第2の検出部20が検出する検出情報に基づいて、以下に説明するように、ToF(Time−of−Flight)方式により、放射部12に放射される放射位置の距離情報を取得する。
図3に示すように、制御部14は、放射部12に電磁波放射信号を入力することにより、放射部12にパルス状の電磁波を放射する(“電磁波放射信号”欄参照)。放射部12は、入力された当該電磁波放射信号に基づいて電磁波を照射する(“放射部放射量”欄参照)。放射部12が放射し且つ走査部13が反射して任意の放射領域に照射された電磁波は、当該放射領域において反射する。制御部14は、当該放射領域の反射波の第1の結像部15による第1の進行部16における結像領域の中の少なくとも一部の画素pxを第1の状態に切替え、他の画素pxを第2の状態に切替える。そして、第2の検出部20は、当該放射領域において反射された電磁波を検出するとき(“電磁波検出量”欄参照)、前述のように、検出情報を制御部14に通知する。
制御部14は、例えば、時間計測LSI(Large Scale Integrated circuit)を有しており、放射部12に電磁波を放射させた時期T1から、検出情報を取得(“検出情報取得”欄参照)した時期T2までの時間ΔTを計測する。制御部14は、当該時間ΔTに、光速を乗算し、且つ2で除算することにより、放射位置までの距離を算出する。なお、制御部14は、上述のように、走査部13から取得する方向情報、または自身が走査部13に出力する駆動信号に基づいて、放射位置を算出する。制御部14は、放射位置を変えながら、各放射位置までの距離を算出することにより、画像状の距離情報を作成する。
なお、第1の実施形態において、情報取得システム11は、上述のように、電磁波を放射して、返ってくるまでの時間を直接測定するDirect ToFにより距離情報を作成する構成である。しかし、情報取得システム11は、このような構成に限られない。例えば、情報取得システム11は、電磁波を一定の周期で放射し、放射された電磁波と返ってきた電磁波との位相差から、返ってくるまでの時間を間接的に測定するFlash ToFにより距離情報を作成してもよい。また、情報取得システム11は、他のToF方式、例えば、Phased ToFにより距離情報を作成してもよい。
以上のような構成の第1の実施形態の電磁波検出装置10は、第1の方向d1から入射する電磁波を第2の方向d2へ進行させ且つ第3の方向d3へ進行する電磁波を第4の方向d4へ進行させる第1の面s1と、第2の方向d2へ進行した電磁波を分離して第3の方向d3および第5の方向d5へ進行させる第2の面s2と、第4の方向d4へ進行した電磁波を射出する第3の面s3とを有する第2の進行部17と、第3の面s3から射出された電磁波を検出する第1の検出部19とを備える。このような構成により、電磁波検出装置10では、分離面として機能する第2の面s2から、第1の検出部19を第3の方向d3と異なる方向に第1の検出部19を配置し得る。したがって、電磁波検出装置10は、第2の方向d2と第2の面s2とのなす角度を90°に近づけたとしても、第1の結像部15および第1の検出部19の干渉を回避し得るので、第1の結像部15のバックフォーカス長を短縮させ得る。この結果、電磁波検出装置10は、第1の結像部15の設計上の制約が回避され、第1の結像部15の良好な結像特性を確保させ得る。なお、このような構成および効果は、後述する、第2の実施形態から第8の実施形態の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
また、第1の実施形態の電磁波検出装置10では、第2の進行部17が、第5の方向d5に進行した電磁波を基準面ssへ射出し且つ基準面ssから再入射した電磁波を第6の方向d6に進行させる第4の面s4と、当該第6の方向d6へ進行した電磁波を第7の方向d7に進行させる第5の面s5とを有する。このような構成により、電磁波検出装置10は、基準面ssが特定の方向に進行させた電磁波を、さらに別の方向に進行させるので、第1の結像部15と干渉させることなく、第2の結像部18を配置し得る。また、このような構成により、電磁波検出装置10は、第1の結像部15から第1の進行部16への電磁波の経路外に第2の結像部18を配置可能であるため、第1の結像部15から基準面ssまでの距離、ならびに基準面ssから第2の結像部18までの電磁波の進行経路における距離を短縮化し得る。それゆえ、電磁波検出装置10は、基準面ssにおいて一次結像して進行方向を変えた電磁波を、進行しながら大きく広がる前に第2の結像部18に入射させ得る。したがって、電磁波検出装置10は、第2の結像部18を小型化してもケラレの発生を防ぎ得る。その結果、電磁波検出装置10は、全体を大型化すること無く、第2の結像部18に二次結像させた像の電磁波の強度を均質化させ得る。なお、このような構成および効果は、後述する、第2の実施形態から第8の実施形態の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
また、第1の実施形態の電磁波検出装置10は、第1の結像部15から入射した電磁波を第3の方向d3および第5の方向d5に進行するように分離する。このような構成により、電磁波検出装置10は、第1の結像部15の主軸を、第3の方向d3に進行させた電磁波の進行軸、および第5の方向d5に進行させた電磁波の進行軸に合わせることが可能となる。したがって、電磁波検出装置10は、第1の検出部19および第2の検出部20の座標系のズレを低減し得る。なお、このような構成および効果は、後述する、第2の実施形態から第8の実施形態の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
また、第1の実施形態の情報取得システム11では、制御部14が、第1の検出部19および第2の検出部20それぞれにより検出された電磁波に基づいて、電磁波検出装置10の周囲に関する情報を取得する。このような構成により、情報取得システム11は、検出した電磁波に基づく有益な情報を提供し得る。なお、このような構成および効果は、後述する、第2の実施形態から第8の実施形態の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
次に、本開示の第2の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第2の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第2の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図4に示すように、第2の実施形態に係る電磁波検出装置100は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部170、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第2の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置100以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第2の実施形態における第2の進行部170以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第2の実施形態において、第2の進行部170は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s5、および第6の面s6を少なくとも有する。第2の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第2の実施形態において、第5の面s50と接する対象以外の第5の面s50の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第2の実施形態において、第2の進行部170は、第1のプリズム21、第2のプリズム220、第1の中間層230、および第2の中間層240を有する。第1のプリズム21の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第2のプリズム220そのものの構造、第1のプリズム21に対する配置、および機能は、第1の実施形態と同じである。
第1の中間層230は、第1の実施形態と同じく、第1のプリズム21および第2のプリズム220の間に配置されていてよい。さらに、第1の中間層230は、第1の実施形態と同じく、第1のプリズム21の第2の面s2に接しており、第1のプリズム21との境界面に沿って第2の面s2を含んでよい。第1の中間層230は、第1の実施形態と同じく、例えば、第2の面s2に付着されて有する、可視光反射コーティング、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、および偏向素子を含む。
第2の中間層240は、第2のプリズム220の第5の面s50および第1の中間層230の間に配置されていてよい。第2の中間層240は、第2のプリズム220の第5の面s50に接しており、第2のプリズム220との境界面に沿って第5の面s50を含んでよい。また、第2の中間層240は、第1の中間層230における第1のプリズム21との接触面の反対側の面に接していてよい。
第2の中間層240は、屈折率が第2のプリズム220の屈折率より小さくてよく、例えば、真空、または第2のプリズム220より屈折率の小さな気体、液体、もしくは固体の少なくともいずれかを含む。したがって、第2のプリズム220の内部を進行し臨界角以上の入射角で入射する電磁波は、第5の面s50において内部全反射する。それゆえ、第5の面s50は、第2のプリズム220の内部を第6の方向d6を進行軸として進行する電磁波を内部反射する。第6の方向d6からの電磁波の入射角が臨界角以上である構成においては、第5の面s50は、第6の方向d6に内部進行する電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させる。なお、第2の中間層240が、気体または液体である構成においては、図5に示すように、第1の中間層230および第2のプリズム220の第5の面s50の外縁にスペーサ250を設け、内部に気体または液体を充填することにより、第2の中間層240を形成してよい。第2の実施形態において、第2の中間層240は、例えば、空気層またはプリズムを含んでよい。
以上のような構成の第2の実施形態の電磁波検出装置100では、第5の面s50は、第2の中間層240と第2のプリズム220との境界面を含む。このような構成により、電磁波検出装置100では、第2の面s2に入射する電磁波を分離する機能を第1の中間層230に生じさせ、第6の方向d6に進行した電磁波を第7の方向d7に進行させる作用を第2の中間層240に生じさせる構成を適用し得る。したがって、電磁波検出装置100では、第1の中間層230として採用する材質の選択の自由度を向上させ得る。
次に、本開示の第3の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第3の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第3の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態または第2の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図6に示すように、第3の実施形態に係る電磁波検出装置101は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部171、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第3の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置101以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第3の実施形態における第2の進行部171以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第3の実施形態において、第2の進行部171は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s51、および第6の面s6を少なくとも有する。第3の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第3の実施形態において、第5の面s51と接する対象以外の第5の面s51の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第3の実施形態において、第2の進行部171は、第1のプリズム21、第2のプリズム221、第3のプリズム261、および第1の中間層231を有する。第1のプリズム21の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第2のプリズム221そのものの構造、第1のプリズム21に対する配置、および機能は、第1の実施形態と同じである。
第3のプリズム261は、第1の中間層231および第2のプリズム221の間に配置されていてよい。第3のプリズム261は、屈折率が第2のプリズム221より小さくてよい。したがって、第2のプリズム221の内部を進行し臨界角以上の入射角で入射する電磁波は、第5の面s51において内部全反射する。それゆえ、第5の面s51は、第2のプリズム221の内部を第6の方向d6を進行軸として進行する電磁波を内部反射する。第6の方向d6からの電磁波の入射角が臨界角以上である構成においては、第5の面s51は、第6の方向d6に内部進行する電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させる。
第3のプリズム261は、板状であってよく、一方の板面が第1の中間層231に接してよい。第3のプリズム261の他方の板面は、第2のプリズム221の第5の面s51に接しており、第2のプリズム221との境界面に沿って第5の面s51を含んでよい。
第1の中間層231は、第1の実施形態と異なり、第1のプリズム21および第3のプリズム261の間に配置されていてよい。さらに、第1の中間層231は、第1の実施形態と同じく、第1のプリズム21の第2の面s2に接しており、第1のプリズム21との境界面に沿って第2の面s2を含んでよい。第1の中間層231は、第1の実施形態と同じく、例えば、第2の面s2に付着されて有する、可視光反射コーティング、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、および偏向素子を含む。
以上のような構成の第3の実施形態の電磁波検出装置101では、第2の進行部171は、第3のプリズム261を有し、第3のプリズム261は第1のプリズム21との間に第1の中間層231を配置させ、かつ第5の面s51が第2のプリズム221および第3のプリズム261との境界面を含む。第1の検出部19の第1のプリズム21への干渉を防ぐためには、第2の面s2を第1の結像部15に近づけて配置することが好ましい。また、第2の結像部18の小型化のためには、第5の面s51、第4の面s4、基準面ss、第4の面s4、第5の面s51、および第6の面s6の順に進行する電磁波の進行経路を短縮することが好ましく、第5の面s51を第1の進行部16の基準面ssに近づけて配置することが好ましい。したがって、上述のような構成により、電磁波検出装置101では、第2の面s2および第5の面s51を離間させ得るので、第2の面s2を第1の結像部15側に近づけながら、第5の面s51を基準面ssに近づけ得る。この結果、電磁波検出装置101は、第1の検出部19の第1のプリズム21への干渉を防ぎながら、第2の結像部18を小型化し得る。なお、このような構成および効果は、後述する、第4の実施形態から第8の実施形態実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
次に、本開示の第4の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第4の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第4の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態、第2の実施形態、または第3の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図7に示すように、第4の実施形態に係る電磁波検出装置102は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部172、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第4の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置102以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第4の実施形態における第2の進行部172以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第4の実施形態において、第2の進行部172は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s50、および第6の面s6を少なくとも有する。第4の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第4の実施形態において、第5の面s50と接する対象以外の第5の面s50の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第4の実施形態において、第2の進行部172は、例えば、内部全反射プリズムを含み、第1のプリズム21、第2のプリズム220、第3のプリズム262、第1の中間層231、および第2の中間層242を有する。第1のプリズム21および第1の中間層231の構成および機能は、第3の実施形態と同じである。第2のプリズム220の構成および機能は、第2の実施形態と同じである。第3のプリズム262そのものの構造、第1のプリズム21に対する配置、および機能は、第1の実施形態と同じである。したがって、第1の中間層231は、第1のプリズム21および第2の中間層242の間に配置されていてよい。さらに、第1の中間層231は、第1のプリズム21との境界面に沿って第2の面s2を含んでよい。
第2の中間層242は、第2のプリズム220および第3のプリズム262の間に配置されていてよい。第2の中間層242は、第2の実施形態と同じく、第2のプリズム220の第5の面s50に接しており、第2のプリズム220との境界面に沿って第5の面s50を含んでよい。また、第2の中間層242は、第3のプリズム262における第1の中間層231と接する板面の反対側の面に接していてよい。
第2の中間層242は、第2の実施形態と同じく、屈折率が第2のプリズム220の屈折率より小さく、例えば、真空、または第2のプリズム220より屈折率の小さな気体、液体、もしくは固体の少なくともいずれかを含む。したがって、第2のプリズム220の内部を進行し臨界角以上の入射角で入射する電磁波は、第5の面s50において内部全反射する。それゆえ、第5の面s50は、第2のプリズム220の内部を第6の方向d6を進行軸として進行する電磁波を内部反射する。第6の方向d6からの電磁波の入射角が臨界角以上である構成においては、第5の面s50は、第6の方向d6に内部進行する電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させる。なお、第2の中間層242が、気体または液体である構成においては、図8に示すように、第3のプリズム262および第2のプリズム220の第5の面s50の外縁にスペーサ250を設け、内部に気体または液体を充填することにより、第2の中間層242を形成してよい。第4の実施形態において、第2の中間層242は、例えば、空気層またはプリズムを含んでよい。
次に、本開示の第5の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第5の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第5の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態、または第4の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図9に示すように、第5の実施形態に係る電磁波検出装置103は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部173、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第5の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置103以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第5の実施形態における第2の進行部173以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第5の実施形態において、第2の進行部173は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s53、および第6の面s6を少なくとも有する。第5の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第5の面s53は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を第7の方向d7に進行させてよい。第5の面s53は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を内部反射して第7の方向d7に進行させてよい。第5の面s53は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させてよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s53への入射角は、第1の実施形態と同じく、臨界角以上であってよい。
第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s53への入射角は、第1の実施形態と異なり、第1の面s1から第2の方向d2に進行した電磁波の第2の面s2への入射角と同一であっても、異なっていてよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s53への入射角は、第1の実施形態と異なり、第1の面s1から第2の方向d2に進行した電磁波の第2の面s2への入射角より大きくても、小さくてもよい。第5の面s53は、第1の実施形態と異なり、第2の面s2と非平行であってよい。
第5の実施形態において、第2の進行部173は、第1のプリズム21、第2のプリズム223、第3のプリズム263、および第1の中間層231を有してよい。第1のプリズム21および第1の中間層231の構成および機能は、第3の実施形態と同じである。
第2のプリズム223は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4、第5の面s53、および第6の面s6を別々の異なる表面として有してよい。第2のプリズム223は、例えば三角プリズムを含み、第4の面s4、第5の面s5、および第6の面s6は、互いに交差してよい。
第2のプリズム223は、第1の実施形態と同じく、第5の面s53が第1のプリズム21の第2の面s2に対向するように、配置されている。また、第2のプリズム223は、第1の実施形態と同じく、第1のプリズム21の第2の面s2を透過して第5の面s53を介して第2のプリズム223内部を進行する電磁波の進行方向に第4の面s4が位置するように配置されている。また、第2のプリズム223は、第1の実施形態と同じく、第5の面s53における第6の方向d6からの電磁波の入射角に等しい反射角である第7の方向d7に第6の面s6が位置するように配置されている。
また、第2のプリズム223は、第1の実施形態と異なり、第2の方向d2および第2の面s2のなす角度aよりも、第2の方向d2および第5の面s53のなす角度bが大きくなるように、配置されていてよい。
例えば、第2のプリズム223は、第4の面s4および第5の面s53の交線を軸に、第5の面s53を第1のプリズム21から離れる方向に回転させた形状、つまり、第5の面s53を第4の面s4に近づける方向に回転させた形状で、第1のプリズム21に対して配置されていてよい。
第3のプリズム263は、第3の実施形態と同じく、第1の中間層231および第2のプリズム223の間に配置されている。第3のプリズム263は、第3の実施形態と同じく、屈折率が第2のプリズム223より小さい。したがって、第2のプリズム223の内部を進行し臨界角以上の入射角で入射する電磁波は、第3の実施形態と同じく、第5の面s53において内部全反射する。それゆえ、第5の面s53は、第3の実施形態と同じく、第2のプリズム223の内部を第6の方向d6を進行軸として進行する電磁波を内部反射する。第6の方向d6からの電磁波の入射角が臨界角以上である構成においては、第5の面s53は、第3の実施形態と同じく、第6の方向d6に内部進行する電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させる。
第5の実施形態において、第3のプリズム263は、第3の実施形態と異なり、例えば、互いに傾斜した表面を有するプリズムを含む。第3のプリズム263の一表面が、第3の実施形態に類似して、第1の中間層231に接してよい。第3のプリズム263の他の一表面は、第3の実施形態に類似して、第2のプリズム223の第5の面s53に接しており、第2のプリズム223との境界面に沿って第5の面s53を含んでよい。
以上のような構成の第5の実施形態の電磁波検出装置103では、第2の方向d2へ進行した電磁波の第2の面s2への入射角より、第4の面s4を介して基準面ssから再入射した電磁波の第5の面s53への入射角が小さい。このような構成により、電磁波検出装置103は、第4の面s4および第5の面s53の交線を軸に、第5の面s53を第1のプリズム21から離れる方向に回転させた形状、つまり、第5の面s53を第4の面s4に近づける方向に回転させた形状で、第2のプリズム223を第1のプリズム21に対して配置させ得る。したがって、電磁波検出装置103は、第2の面s2における第3の面s3との辺側に配置される第1の進行部16の基準面ssおよび第5の面s53との間隔を短縮し得る。この結果、電磁波検出装置103は、第5の面s53、第4の面s4、基準面ss、第4の面s4、第5の面s53、および第6の面s6の順に進行する電磁波の進行経路を短縮し得るので、第2の結像部18を、さらに小型化し得る。なお、このような構成および効果は、後述する第6の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
次に、本開示の第6の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第6の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第6の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、または第5の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図10に示すように、第6の実施形態に係る電磁波検出装置104は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部174、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第6の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置104以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第6の実施形態における第2の進行部174以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第6の実施形態において、第2の進行部174は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s54、および第6の面s6を少なくとも有する。第6の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第6の実施形態において、第5の面s54と接する対象以外の第5の面s54の構成および機能は、第5の実施形態と同じである。
第6の実施形態において、第2の進行部174は、内部全反射プリズムを含み、第1のプリズム21、第2のプリズム224、第3のプリズム264、第1の中間層231、および第2の中間層242を有する。第1のプリズム21および第1の中間層231の構成および機能は、第3の実施形態と同じである。第2のプリズム224および第3のプリズム264そのものの構造、第1のプリズム21に対する配置、および機能は、第5の実施形態と同じである。したがって、第1の中間層231は、第1のプリズム21および第2の中間層242の間に配置されている。さらに、第1の中間層231は、第1のプリズム21との境界面に沿って第2の面s2を含んでよい。
第6の実施形態において、第2の中間層242の構成および機能は、第4の実施形態と同じである。したがって、第2の中間層242は、第4の実施形態と同じく、屈折率が第2のプリズム224の屈折率より小さく、例えば、真空、または第2のプリズム224より屈折率の小さな気体、液体、もしくは固体の少なくともいずれかを含む。なお、第2の中間層242が、気体または液体である構成においては、図11に示すように、第3のプリズム264および第2のプリズム224の第5の面s54の外縁にスペーサ250を設け、内部に気体または液体を充填することにより、第2の中間層242を形成してよい。第6の実施形態において、第2の中間層242は、例えば、空気層またはプリズムを含んでよい。
次に、本開示の第7の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第7の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第7の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、第5の実施形態、または第6の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図12に示すように、第7の実施形態に係る電磁波検出装置105は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部175、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第7の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置105以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第7の実施形態における第2の進行部175以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第7の実施形態において、第2の進行部175は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s55、および第6の面s6を少なくとも有する。第7の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第5の面s55は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を第7の方向d7に進行させてよい。第5の面s55は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を内部反射して第7の方向d7に進行させてよい。第5の面s55は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波を内部全反射して第7の方向d7に進行させてよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s55への入射角は、第1の実施形態と同じく、臨界角以上であってよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s55への入射角は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1から第2の方向d2に進行した電磁波の第2の面s2への入射角と異なっていてよい。第4の面s4から第6の方向d6に進行した電磁波の第5の面s55への入射角は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1から第2の方向d2に進行した電磁波の第2の面s2への入射角より大きくてよい。
第5の面s55は、第1の実施形態と異なり、第2の面s2と非平行であってよい。
第7の実施形態において、第2の進行部175は、第1のプリズム21、第2のプリズム225、第3のプリズム265、および第1の中間層231を有する。第1のプリズム21および第1の中間層231の構成および機能は、第3の実施形態と同じである。第3のプリズム265の機能は、第5の実施形態に類似している。
第2のプリズム225は、第1の実施形態と同じく、第4の面s4、第5の面s55、および第6の面s6を別々の異なる表面として有してよい。第2のプリズム225は、例えば三角プリズムを含み、第4の面s4、第5の面s55、および第6の面s6は、互いに交差してよい。
第2のプリズム225は、第1の実施形態と同じく、第5の面s55が第1のプリズム21の第2の面s2に対向するように、配置されていてよい。また、第2のプリズム225は、第1の実施形態と同じく、第1のプリズム21の第2の面s2を透過して第5の面s55を介して第2のプリズム225内部を進行する電磁波の進行方向に第4の面s4が位置するように配置されていてよい。また、第2のプリズム225は、第1の実施形態と同じく、第5の面s55における第6の方向d6からの電磁波の入射角に等しい反射角である第7の方向d7に第6の面s6が位置するように配置されていてよい。
また、第2のプリズム225は、第1の実施形態と異なり、第2の方向d2および第2の面s2のなす角度aよりも、第2の方向d2および第5の面s55のなす角度bが小さくなるように、配置されていてよい。
例えば、第2のプリズム225は、第5の面s55および第6の面s6の交線を軸に、第5の面s55を第1のプリズム21から離れる方向に回転させた形状、つまり、第5の面s55を第6の面s6に近づける方向に回転させた形状で、第1のプリズム21に対して配置されていてよい。
以上のような構成の第7の実施形態の電磁波検出装置105では、第2のプリズム225は、第5の面s55および第6の面s6の交線を軸に、第5の面s55を第1のプリズム21から離れる方向に回転させた形状、つまり、第5の面s55を第6の面s6に近づける方向に回転させた形状で、第1のプリズム21に対して配置されている。このような構成により、電磁波検出装置105は、基準面ssから第4の面s4に再入射して進行する電磁波の進行軸である第6の方向d6と第5の面s55のなす角度をより縮小し得る。したがって、電磁波検出装置105は、第6の方向d6に進行する電磁波の第5の面s55における入射角を拡大させるので、第6の方向d6に進行しながら放射する電磁波の束の中で、第5の面s55を透過せずに反射する成分を増大させ得る。この結果、電磁波検出装置105は、第2の検出部20に入射する電磁波の成分が多いので、検出感度を向上し得る。なお、このような構成および効果は、後述する第8の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
次に、本開示の第8の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第8の実施形態では、第2の進行部の構成が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第6の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、第5の実施形態、第6の実施形態、または第7の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図13に示すように、第8の実施形態に係る電磁波検出装置106は、第1の結像部15、第1の進行部16、第2の進行部176、第2の結像部18、第1の検出部19、および第2の検出部20を有している。なお、第8の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置106以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第8の実施形態における第2の進行部176以外の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。
第8の実施形態において、第2の進行部176は、第1の実施形態と同じく、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、第5の面s56、および第6の面s6を少なくとも有する。第8の実施形態において、第1の面s1、第2の面s2、第3の面s3、第4の面s4、および第6の面s6の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。第8の実施形態において、第5の面s56と接する対象以外の第5の面s56の構成および機能は、第7の実施形態と同じである。
第8の実施形態において、第2の進行部176は、内部全反射プリズムを含み、第1のプリズム21、第2のプリズム226、第3のプリズム266、第1の中間層231、および第2の中間層242を有する。第1のプリズム21および第1の中間層231の構成および機能は、第3の実施形態と同じである。第2のプリズム226および第3のプリズム266そのものの構造、第1のプリズム21に対する配置、および機能は、第7の実施形態と同じである。したがって、第1の中間層231は、第1のプリズム21および第2の中間層242の間に配置されていてよい。さらに、第1の中間層231は、第1のプリズム21との境界面に沿って第2の面s2を含んでよい。
第8の実施形態において、第2の中間層242の構成および機能は、第4の実施形態と同じである。したがって、第2の中間層242は、第4の実施形態と同じく、屈折率が第2のプリズム226の屈折率より小さく、例えば、真空、または第2のプリズム226より屈折率の小さな気体、液体、もしくは固体の少なくともいずれかである。なお、第2の中間層242が、気体または液体である構成においては、図14に示すように、第3のプリズム266および第2のプリズム226の第5の面s56の外縁にスペーサ250を設け、内部に気体または液体を充填することにより、第2の中間層242を形成してよい。第8の実施形態において、第2の中間層242は、例えば、空気層またはプリズムを含んでよい。
本発明を諸図面および実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形および修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形および修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。
例えば、第1の実施形態から第8の実施形態において、放射部12、走査部13、および制御部14が、電磁波検出装置10、100、101、102、103、104、105、106とともに情報取得システム11を構成しているが、電磁波検出装置10、100、101、102、103、104、105、106は、これらの少なくとも1つを含んで構成されてよい。
また、第1の実施形態から第8の実施形態において、第1の進行部16は、基準面ssに入射する電磁波の進行方向を第1の選択方向ds1および第2の選択方向ds2の2方向に切替可能であるが、2方向のいずれかへの切替えでなく、3以上の方向に切替可能であってよい。
また、第1の実施形態から第8の実施形態の第1の進行部16において、第1の状態および第2の状態は、基準面ssに入射する電磁波を、それぞれ、第1の選択方向ds1に反射する第1の反射状態、および第2の選択方向ds2に反射する第2の反射状態であるが、他の態様であってもよい。
例えば、図15に示すように、第2の状態が、基準面ssに入射する電磁波を、透過させて第2の選択方向ds2に進行させる透過状態であってもよい。第1の進行部167は、さらに具体的には、画素px毎に電磁波を第1の選択方向ds1に反射する反射面を有するシャッタを含んでいてもよい。このような構成の第1の進行部167においては、画素px毎のシャッタを開閉することにより、第1の状態としての反射状態および第2の状態としての透過状態を画素px毎に切替え得る。
このような構成の第1の進行部167として、例えば、開閉可能な複数のシャッタがアレイ状に配列されたMEMSシャッタを含む進行部が挙げられる。また、第1の進行部167として、電磁波を反射する反射状態と電磁波を透過する透過状態とを液晶配向に応じて切替え可能な液晶シャッタを含む進行部が挙げられる。このような構成の第1の進行部167においては、画素px毎の液晶配向を切替えることにより、第1の状態としての反射状態および第2の状態としての透過状態を画素px毎に切替え得る。
また、第1の実施形態から第8の実施形態において、情報取得システム11は、放射部12から放射されるビーム状の電磁波を走査部13に走査させることにより、第2の検出部20を走査部13と協同させて走査型のアクティブセンサとして機能させる構成を有する。しかし、情報取得システム11は、このような構成に限られない。例えば、放射状の電磁波を放射可能な複数の放射源を有する放射部12において、放射時期をずらしながら各放射源から電磁波を放射させるフェイズドスキャン方式により、走査部13を備えることなく、走査型のアクティブセンサとして機能させる構成でも、第1の実施形態から第8の実施形態と類似の効果が得られる。また、例えば、情報取得システム11は、走査部13を備えず、放射部12から放射状の電磁波を放射させ、走査なしで情報を取得する構成でも、第1の実施形態から第8の実施形態と類似の効果が得られる。
また、第1の実施形態から第8の実施形態において、情報取得システム11は、第1の検出部19がパッシブセンサであり、第2の検出部20がアクティブセンサである構成を有する。しかし、情報取得システム11は、このような構成に限られない。例えば、情報取得システム11において、第1の検出部19および第2の検出部20が共にアクティブセンサである構成でも、パッシブセンサである構成でも第1の実施形態から第8の実施形態と類似の効果が得られる。第1の検出部19および第2の検出部20が共にアクティブセンサである構成において、対象obに電磁波を放射する放射部12は異なっていても、同一であってもよい。さらに、異なる放射部12は、それぞれ異種または同種の電磁波を放射してよい。
10、100、101、102、103、104、105、106 電磁波検出装置
11 情報取得システム
12 放射部
13 走査部
14 制御部
15 第1の結像部
16、167 第1の進行部
17、170、171、172、173、174、175、176 第2の進行部
18 第2の結像部
19 第1の検出部
20 第2の検出部
21 第1のプリズム
22、220、221、223、224、225、226 第2のプリズム
23、230、231 第1の中間層
240、242 第2の中間層
250 スペーサ
261、262、263、264、265、266 第3のプリズム
d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7 第1の方向、第2の方向、第3の方向、第4の方向、第5の方向、第6の方向、第7の方向
ds1、ds2 第1の選択方向、第2の選択方向
ob 対象
px 画素
s1、s2、s3、s4、s6 第1の面、第2の面、第3の面、第4の面、第6の面
s5、s50、s51、s53、s54、s55、s56 第5の面
ss 基準面

Claims (75)

  1. 基準面に沿って複数の画素が配置され、前記基準面に入射した電磁波を前記画素毎に特定の方向へ進行させる第1の進行部と、
    第1の方向から入射する電磁波を第2の方向へ進行させ且つ第3の方向へ進行する電磁波を第4の方向へ進行させる第1の面と、前記第2の方向へ進行した電磁波を分離して前記第3の方向および第5の方向へ進行させる第2の面と、前記第4の方向へ進行した電磁波を射出する第3の面と、前記第5の方向へ進行した電磁波を前記基準面へ射出し且つ前記基準面から再入射した電磁波を第6の方向へ進行させる第4の面と、前記第6の方向へ進行した電磁波を第7の方向へ進行させる第5の面と、前記第7の方向へ進行した電磁波を射出する第6の面と、を含む第2の進行部と、
    前記第3の面から射出された電磁波を検出する第1の検出部と、
    前記第6の面から射出された電磁波を検出する第2の検出部と、を備える
    電磁波検出装置。
  2. 請求項1に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の方向から前記第1の面へ入射する電磁波の進行軸と前記第1の面とは、垂直である
    電磁波検出装置。
  3. 請求項1または2に記載の電磁波検出装置において、
    前記第3の面と前記第1の検出部の検出面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第3の面から射出された電磁波の進行軸と前記第1の検出部の検出面とは、垂直である
    電磁波検出装置。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第4の方向へ進行した電磁波の進行軸と前記第3の面とは、垂直である
    電磁波検出装置。
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第6の面から射出された電磁波の進行軸と前記第2の検出部の検出面とは、垂直である
    電磁波検出装置。
  7. 請求項1から6のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第5の方向へ進行した電磁波の進行軸と前記第4の面とは、垂直である
    電磁波検出装置。
  8. 請求項1から7のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第4の面から射出された電磁波の進行軸と前記基準面とは、垂直である
    電磁波検出装置。
  9. 請求項1から8のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第4の面と前記基準面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  10. 請求項1から9のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第7の方向へ進行した電磁波の進行軸と前記第6の面とは垂直である
    電磁波検出装置。
  11. 請求項1から10のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第6の面と前記第2の検出部の検出面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  12. 請求項1から11のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の方向から入射する電磁波を結像して前記第1の面へ進行させる第1の結像部を、さらに備える
    電磁波検出装置。
  13. 請求項12に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の結像部の主面と前記第1の面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  14. 請求項12または13に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の結像部は、電磁波の像を前記基準面に結像させる
    電磁波検出装置。
  15. 請求項12から14のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の結像部は、前記第2の面を介して前記第1の検出部の検出面に結像する
    電磁波検出装置。
  16. 請求項1から15のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第6の面から射出された電磁波を結像して前記第2の検出部へ進行させる第2の結像部を、さらに備える
    電磁波検出装置。
  17. 請求項16に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の結像部の主面と前記第2の検出部の検出面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  18. 請求項16または17に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の結像部の主面と前記第6の面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  19. 請求項16から18のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の結像部は、電磁波の像を前記第2の検出部の検出面に結像させる
    電磁波検出装置。
  20. 請求項1から19のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第3の方向へ進行した電磁波の前記第2の面から前記第1の検出部までの進行経路の長さと、前記第5の方向へ進行した電磁波の前記第2の面から前記基準面までの進行経路の長さとの差は、所定値以下である
    電磁波検出装置。
  21. 請求項1から20のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第3の方向へ進行した電磁波の前記第2の面から前記第1の検出部までの進行経路の長さと、前記第5の方向へ進行した電磁波の前記第2の面から前記基準面までの進行経路の長さとは、同一である
    電磁波検出装置。
  22. 請求項1から21のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の面は、前記第1の方向から入射する電磁波を透過しまたは屈折させて前記第2の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  23. 請求項1から22のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の面は、前記第3の方向へ進行する電磁波を内部反射して前記第4の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  24. 請求項1から23のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の面は、前記第3の方向へ進行する電磁波を内部全反射して前記第4の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  25. 請求項1から24のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第3の方向へ進行する電磁波の前記第1の面への入射角は、臨界角以上である
    電磁波検出装置。
  26. 請求項1から25のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の面は、前記第2の方向へ進行した電磁波のうち特定の波長の電磁波を前記第3の方向へ進行させ、他の波長の電磁波を前記第5の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  27. 請求項1から23のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の面は、前記第2の方向へ進行した電磁波のうち特定の波長の電磁波を反射して前記第3の方向へ進行させ、他の波長の電磁波を透過しまたは屈折させて前記第5の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  28. 請求項1から27のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の面は、前記第2の方向へ進行した電磁波のうち特定の波長の電磁波を全反射して前記第3の方向へ進行させ、他の波長の電磁波を透過しまたは屈折させて前記第5の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  29. 請求項1から28のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の方向へ進行した電磁波の前記第2の面への入射角は、臨界角未満である
    電磁波検出装置。
  30. 請求項1から29のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第4の面は、前記基準面から再入射する電磁波を透過しまたは屈折させて前記第6の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  31. 請求項1から30のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第5の面は、前記第6の方向へ進行した電磁波を内部反射して前記第7の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  32. 請求項1から31のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第5の面は、前記第6の方向へ進行した電磁波を内部全反射して前記第7の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
  33. 請求項1から32のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第6の方向へ進行した電磁波の前記第5の面への入射角は、臨界角以上である
    電磁波検出装置。
  34. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の面と前記第5の面とは、非平行である
    電磁波検出装置。
  35. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の方向へ進行した電磁波の前記第2の面への入射角と、前記第4の面から再入射した電磁波の前記第5の面への入射角とは、異なる
    電磁波検出装置。
  36. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の方向へ進行した電磁波の前記第2の面への入射角より、前記第4の面から再入射した電磁波の前記第5の面への入射角の方が大きい
    電磁波検出装置。
  37. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の方向へ進行した電磁波の前記第2の面への入射角より、前記第4の面から再入射した電磁波の前記第5の面への入射角の方が小さい
    電磁波検出装置。
  38. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の面と前記第5の面とは、平行である
    電磁波検出装置。
  39. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の方向へ進行した電磁波の前記第2の面への入射角と、前記第4の面から再入射した電磁波の前記第5の面への入射角とは、同一である
    電磁波検出装置。
  40. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の進行部は、第1のプリズム、第2のプリズム、および第1の中間層を含み、
    前記第1の中間層は、前記第1のプリズムと前記第2のプリズムとの間に配置され、前記第1のプリズムとの境界面に沿って前記第2の面を含み、
    前記第1の面は、前記第1のプリズムにおける表面を含み、
    前記第3の面は、前記第1のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含み、
    前記第4の面は、前記第2のプリズムにおける表面を含み、
    前記第5の面は、前記第1の中間層と前記第2のプリズムとの境界面を含み、
    前記第6の面は、前記第2のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含む
    電磁波検出装置。
  41. 請求項40に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の中間層の屈折率よりも前記第2のプリズムの屈折率の方が大きい
    電磁波検出装置。
  42. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の進行部は、第1のプリズム、第2のプリズム、第3のプリズム、および第1の中間層を含み、
    前記第1の中間層は、前記第1のプリズムおよび前記第3のプリズムの間に配置され、前記第1のプリズムとの境界面に沿って前記第2の面を含み、
    前記第3のプリズムは、前記第1の中間層と前記第2のプリズムとの間に配置され、
    前記第1の面は、前記第1のプリズムにおける表面を含み、
    前記第3の面は、前記第1のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含み、
    前記第4の面は、前記第2のプリズムにおける表面を含み、
    前記第5の面は、前記第2のプリズムと前記第3のプリズムとの境界面を含み、
    前記第6の面は、前記第2のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含む
    電磁波検出装置。
  43. 請求項42に記載の電磁波検出装置において、
    前記第3のプリズムの屈折率より前記第2のプリズムの屈折率の方が大きい
    電磁波検出装置。
  44. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の進行部は、第1のプリズム、第2のプリズム、第1の中間層、および第2の中間層を含み、
    前記第1の中間層は、前記第1のプリズムと前記第2の中間層との間に配置され、前記第1のプリズムとの境界面に沿って前記第2の面を含み、
    前記第2の中間層は、前記第1の中間層と前記第2のプリズムとの間に配置され、
    前記第1の面は、前記第1のプリズムにおける表面を含み、
    前記第3の面は、前記第1のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含み、
    前記第4の面は、前記第2のプリズムにおける表面を含み、
    前記第5の面は、前記第2の中間層と前記第2のプリズムとの境界面を含み、
    前記第6の面は、前記第2のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含む
    電磁波検出装置。
  45. 請求項44に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の中間層の屈折率よりも前記第2のプリズムの屈折率の方が大きい
    電磁波検出装置。
  46. 請求項1から33のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の進行部は、第1のプリズム、第2のプリズム、第3のプリズム、第1の中間層、および第2の中間層を含み、
    前記第1の中間層は、前記第1のプリズムと前記第2の中間層との間に配置され、前記第1のプリズムとの境界面に沿って前記第2の面を含み、
    前記第2の中間層は、前記第2のプリズムと前記第3のプリズムとの間に配置され、
    前記第1の面は、前記第1のプリズムにおける表面を含み、
    前記第3の面は、前記第1のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含み、
    前記第4の面は、前記第2のプリズムにおける表面を含み、
    前記第5の面は、前記第2の中間層と前記第3のプリズムとの境界面を含み、
    前記第6の面は、前記第2のプリズムにおける前記表面とは異なる表面を含む
    電磁波検出装置。
  47. 請求項46に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の中間層の屈折率より前記第2のプリズムの屈折率の方が大きい
    電磁波検出装置。
  48. 請求項46または47に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の中間層は、真空、気体、液体および固体の少なくともいずれかを含む
    電磁波検出装置。
  49. 請求項46から48のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の中間層は、空気層を含む
    電磁波検出装置。
  50. 請求項46から49のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の進行部は、内部全反射プリズムを含む
    電磁波検出装置。
  51. 請求項46から48のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の中間層は、プリズムを含む
    電磁波検出装置。
  52. 請求項1から51のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、前記基準面に入射した電磁波を前記第1の方向へ反射する第1の反射状態と、前記第1の方向とは異なる方向へ反射する第2の反射状態とに、前記画素毎に切替える
    電磁波検出装置。
  53. 請求項52に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、電磁波を反射する反射面を前記画素毎に含み、前記反射面の向きを前記画素毎に変更することにより、前記第1の反射状態と前記第2の反射状態とを切替える
    電磁波検出装置。
  54. 請求項52または53に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、デジタルマイクロミラーデバイスを含む
    電磁波検出装置。
  55. 請求項1から51のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、前記基準面に入射した電磁波を、透過する透過状態と、前記第4の面に進行するように反射する反射状態とに、切替える
    電磁波検出装置。
  56. 請求項55に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、電磁波を反射する反射面を含むシャッタを前記画素毎に含み、前記シャッタを前記画素毎に開閉することにより前記反射状態と前記透過状態とに、切替える
    電磁波検出装置。
  57. 請求項56に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、前記シャッタがアレイ状に配列されたMEMSシャッタを含む
    電磁波検出装置。
  58. 請求項1から51のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の進行部は、電磁波を反射する反射状態および透過する透過状態を液晶配向に応じて前記画素毎に切替え可能な液晶シャッタを含む
    電磁波検出装置。
  59. 請求項1から58のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部は、測距センサ、イメージセンサ、およびサーモセンサの少なくともいずれかを含む
    電磁波検出装置。
  60. 請求項1から59のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部および前記第2の検出部は、同種または異種のセンサを含む
    電磁波検出装置。
  61. 請求項1から60のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部は、赤外線、可視光線、紫外線、および電波の少なくともいずれかを検出する
    電磁波検出装置。
  62. 請求項1から61のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部および前記第2の検出部は、同種または異種の電磁波を検出する
    電磁波検出装置。
  63. 請求項1から62のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第2の面は、可視光反射コーティング、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、および偏向素子の少なくともいずれかを含む
    電磁波検出装置。
  64. 請求項1から63のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部および前記第2の検出部はそれぞれ、放射部から対象に向けて放射された電磁波の前記対象からの反射波を検出するアクティブセンサ、またはパッシブセンサを含む
    電磁波検出装置。
  65. 請求項1から64のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部および前記第2の検出部はそれぞれ、異なる放射部、または同一の放射部から対象に向けて放射された電磁波の前記対象からの反射波を検出するアクティブセンサを含む
    電磁波検出装置。
  66. 請求項65に記載の電磁波検出装置において、
    前記異なる放射部はそれぞれ、異種または同種の電磁波を放射する
    電磁波検出装置。
  67. 請求項64から66のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記放射部を、さらに備える
    電磁波検出装置。
  68. 請求項64から67のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記放射部は、赤外線、可視光線、紫外線、および電波のいずれかを放射する
    電磁波検出装置。
  69. 請求項64から68のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記放射部は、フェイズドスキャン方式により電磁波を走査する
    電磁波検出装置。
  70. 請求項64から68のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記放射部から放射される電磁波を用いて走査する走査部を、さらに備える
    電磁波検出装置。
  71. 請求項70に記載の電磁波検出装置において、
    前記走査部は、電磁波を反射する反射面を備え、前記放射部から放射される電磁波を、前記反射面の向きを変更しながら前記反射面により反射することで走査する
    電磁波検出装置。
  72. 請求項70または71に記載の電磁波検出装置において、
    前記走査部は、MEMSミラー、ポリゴンミラー、およびガルバノミラーのいずれかを含む
    電磁波検出装置。
  73. 請求項1から72のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部および前記第2の検出部による電磁波の検出結果に基づいて、周囲に関する情報を取得する制御部を、さらに備える
    電磁波検出装置。
  74. 請求項73に記載の電磁波検出装置において、
    前記制御部は、前記周囲に関する情報として、画像情報、距離情報、および温度情報の少なくともいずれかを取得する
    電磁波検出装置。
  75. 請求項1から73のいずれか1項に記載の電磁波検出装置と、
    前記第1の検出部および前記第2の検出部による電磁波の検出結果に基づいて、周囲に関する情報を取得する制御部と、を備える
    情報取得システム。
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