JP6968967B1 - パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム - Google Patents
パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6968967B1 JP6968967B1 JP2020183263A JP2020183263A JP6968967B1 JP 6968967 B1 JP6968967 B1 JP 6968967B1 JP 2020183263 A JP2020183263 A JP 2020183263A JP 2020183263 A JP2020183263 A JP 2020183263A JP 6968967 B1 JP6968967 B1 JP 6968967B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arm circuit
- conductor
- circuit body
- wiring
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 10
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
- H05K1/0231—Capacitors or dielectric substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40265—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Description
図1は、パワー半導体装置100の断面図である。この断面図は、後述の図4に示すパワー半導体装置100の斜視図におけるX-X線の断面図である。
第1冷却器151、第2冷却器152の冷却フィンは、銅やアルミなど熱伝導性の高い材料で構成される。第1冷却器151、第2冷却器152は、冷却フィンや凹凸を形成することで表面積を増大させ、冷却性能を向上させることができる。
第1スイッチング素子101のゲート電極から制御信号配線124が導出される。第1スイッチング素子101の図示上面がエミッタ電極であり、図示下面がコレクタ電極である。第1スイッチング素子101のエミッタ電極は、図1では図示を省略したが、はんだ等の接合材101Dを介して、第1導体111に接合される。第1スイッチング素子101のコレクタ電極は、接合材101Dを介して、第2導体112に接合される。
パワー半導体装置100は、上アーム回路を構成する第1スイッチング素子101と、下アーム回路を構成する第2スイッチング素子102と、上アーム回路と下アーム回路との間に並列に配置される第1キャパシタ130を備える。正極配線121は上アーム回路に、負極配線122は下アーム回路に接続され、第1スイッチング素子101と第2スイッチング素子102の接続点は出力配線123に接続される。
第1スイッチング素子101および第4スイッチング素子104は、IGBTまたはMOSFETなどで構成されるパワー半導体素子である。第2スイッチング素子102および第3スイッチング素子103は、ダイオードである。
また、負極配線122は、図4に示すように、基板120の表面に導出され、正極配線121は、図5に示すように、基板120の裏面に導出される。
基板120には、第1上アーム回路体110U、第1下アーム回路体110Lがそれぞれ配置される貫通孔110UH、110LHが設けられ、さらに、第2上アーム回路体210Uと第2下アーム回路体210Lが配置される貫通孔210UH、210LHが設けられている。
図8は、電力変換装置300の斜視図である。
電力変換装置300は、第1の実施形態で述べたパワー半導体装置100を用いて、モータを駆動するインバータとして構成したものである。
第3キャパシタ310は、第1キャパシタ130、第2キャパシタ131よりも耐熱温度は低いが容量は大きい。第1キャパシタ130、第2キャパシタ131を上下アーム回路体に近接して配置し、その配線長を短くすることにより配線路の低インダクタンス化を図るとともに、第3キャパシタ310を並列接続して大容量化することによる直流電圧変動を抑制することができる。
パワー半導体装置100U、100V、100Wは、図3を参照して説明したパワー半導体装置100と同一の構成である。本実施形態では、直流配線、すなわち、正極配線121と負極配線122との間に、第3キャパシタ310が接続される。そして、パワー半導体装置100U、100V、100Wが正極配線121と負極配線122との間に並列に接続される。
電動システム600は、電力変換装置300、モータ400、ギア500よりなる。
電力変換装置300は、図8、図9を参照して説明した構成を備える。なお、第3キャパシタ310は必ずしも備えなくてもよい。電力変換装置300は、バッテリなどから供給される直流電力を交流電力に変換し、その出力配線123はモータ400の巻線に接続され、モータ400を駆動する。
ギア500は、モータ400の出力軸401に連結されて、出力軸401の回転数を変速する。電力変換装置300、モータ400、ギア500はビス等により締結されて一体的に構成される。
(1)上アーム回路を構成する第1スイッチング素子101を第1導体111および第2導体112により挟んで構成される第1上アーム回路体110Uと、下アーム回路を構成する第2スイッチング素子102を第3導体113および第4導体114により挟んで構成される第1下アーム回路体110Lとを備えたパワー半導体装置100において、パワー半導体装置100は、一方の面に、高電位側である第1導体111に接続される正極配線121と低電位側である第4導体114に接続される負極配線122とを設け、他方の面に、正極配線121および負極配線122と対向して、第2導体112および第3導体113に接続される出力配線123を設けた基板120と、第1上アーム回路体110Uおよび第1下アーム回路体110Lへ供給される直流電力を平滑化する第1キャパシタ130と、を備え、基板120は、第1上アーム回路体110Uと第1下アーム回路体110Lとの間に配置され、第1キャパシタ130は、第1上アーム回路体110Uと第1下アーム回路体110Lとの間に配置され、かつ基板120上の正極配線121および負極配線122に接続される。これにより、配線経路のインダクタンスを低減することができる。
Claims (8)
- 上アーム回路を構成する第1スイッチング素子を第1導体および第2導体により挟んで構成される第1上アーム回路体と、下アーム回路を構成する第2スイッチング素子を第3導体および第4導体により挟んで構成される第1下アーム回路体とを備えたパワー半導体装置において、
一方の面に、高電位側である前記第1導体に接続される正極配線と低電位側である前記第4導体に接続される負極配線とを設け、他方の面に、前記正極配線および前記負極配線と対向して、前記第2導体および前記第3導体に接続される出力配線を設けた基板と、
前記第1上アーム回路体および前記第1下アーム回路体へ供給される直流電力を平滑化する第1キャパシタと、を備え、
前記基板は、前記第1上アーム回路体と前記第1下アーム回路体との間に配置され、
前記第1キャパシタは、前記第1上アーム回路体と前記第1下アーム回路体との間に配置され、かつ前記基板上の前記正極配線および前記負極配線に接続されるパワー半導体装置。 - 請求項1に記載のパワー半導体装置において、
前記第1導体および前記第4導体の第1スイッチング素子および第2スイッチング素子と対向する面と反対の面には絶縁体を介して第1冷却器が設けられ、
前記第2導体および前記第3導体の第1スイッチング素子および第2スイッチング素子と対向する面と反対の面には絶縁体を介して第2冷却器が設けられたパワー半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載のパワー半導体装置において、
前記第1キャパシタの上面は、前記第1導体および前記第4導体の上面よりも低く設定されるパワー半導体装置。 - 請求項1に記載のパワー半導体装置において、
前記第1スイッチング素子と並列に接続される第3スイッチング素子を備える第2上アーム回路体と、前記第2スイッチング素子と並列に接続される第4スイッチング素子を備える第2下アーム回路体と、前記第2上アーム回路体および前記第2下アーム回路体へ供給される直流電力を平滑化する第2キャパシタと、を備え、
前記第2キャパシタは、前記第2上アーム回路体と前記第2下アーム回路体との間に配置され、かつ前記基板上の前記正極配線および前記負極配線に接続されるパワー半導体装置。 - 請求項4に記載のパワー半導体装置において、
前記第1上アーム回路体と前記第1下アーム回路体の配列および前記第2上アーム回路体と前記第2下アーム回路体の配列は互いに並列であり、
前記第1上アーム回路体を構成する前記第1スイッチング素子の制御信号配線および前記第2下アーム回路体を構成する前記第4スイッチング素子の制御信号配線は同一方向を向くパワー半導体装置。 - 請求項4に記載のパワー半導体装置を直流配線によって並列に複数個接続した電力変換装置。
- 請求項6に記載の電力変換装置において、
前記パワー半導体装置の各々に対応して前記直流配線に第3キャパシタを設けた電力変換装置。 - 請求項6または請求項7に記載の電力変換装置と、
前記電力変換装置から出力される交流電力を用いて駆動されるモータと、
前記モータの出力軸に連結されて、前記出力軸の回転数を変速するギアとを一体的に設けた電動システム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020183263A JP6968967B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム |
PCT/JP2021/034314 WO2022091633A1 (ja) | 2020-10-30 | 2021-09-17 | パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム |
US18/034,305 US20230395457A1 (en) | 2020-10-30 | 2021-09-17 | Power Semiconductor Device, Power Conversion Device, and Electric System |
DE112021004521.0T DE112021004521T5 (de) | 2020-10-30 | 2021-09-17 | Leistungshalbleitervorrichtung, leistungsumsetzungsvorrichtung und elektrisches system |
CN202180072655.8A CN116420304A (zh) | 2020-10-30 | 2021-09-17 | 功率半导体装置、功率转换装置和电动*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020183263A JP6968967B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6968967B1 true JP6968967B1 (ja) | 2021-11-24 |
JP2022073334A JP2022073334A (ja) | 2022-05-17 |
Family
ID=78605593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020183263A Active JP6968967B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230395457A1 (ja) |
JP (1) | JP6968967B1 (ja) |
CN (1) | CN116420304A (ja) |
DE (1) | DE112021004521T5 (ja) |
WO (1) | WO2022091633A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10304680A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Toyota Motor Corp | 電力変換装置 |
JP5169353B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-03-27 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
CN109194153A (zh) * | 2010-11-02 | 2019-01-11 | 三菱电机株式会社 | 电动式动力转向用电源模块及使用其的电动式动力转向驱动控制装置 |
WO2012073571A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
JP5704121B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2015-04-22 | トヨタ自動車株式会社 | スナバコンデンサが搭載された半導体モジュールの保護回路 |
-
2020
- 2020-10-30 JP JP2020183263A patent/JP6968967B1/ja active Active
-
2021
- 2021-09-17 US US18/034,305 patent/US20230395457A1/en active Pending
- 2021-09-17 DE DE112021004521.0T patent/DE112021004521T5/de active Pending
- 2021-09-17 WO PCT/JP2021/034314 patent/WO2022091633A1/ja active Application Filing
- 2021-09-17 CN CN202180072655.8A patent/CN116420304A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022091633A1 (ja) | 2022-05-05 |
US20230395457A1 (en) | 2023-12-07 |
DE112021004521T5 (de) | 2023-09-21 |
CN116420304A (zh) | 2023-07-11 |
JP2022073334A (ja) | 2022-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9307666B2 (en) | Electric circuit device, electric circuit module, and power converter | |
JP6508399B2 (ja) | 電子部品搭載用放熱基板 | |
JP3723869B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5830480B2 (ja) | 配線板およびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2010063355A (ja) | 電力変換装置 | |
JP6972432B1 (ja) | 半導体パッケージ、半導体装置および電力変換装置 | |
US11296054B2 (en) | Power converter module and method for production thereof | |
EP2808892B1 (en) | Inverter unit | |
JP6977682B2 (ja) | 回転電機ユニット | |
WO2020184053A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2020218014A1 (ja) | 電力変換装置 | |
JP3673776B2 (ja) | 半導体モジュール及び電力変換装置 | |
JP7410005B2 (ja) | モータと一緒に共有した冷却システムを有した高密度一体型電源制御アセンブリ | |
JP4064741B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9373560B2 (en) | Drive circuit device | |
JP6968967B1 (ja) | パワー半導体装置、電力変換装置、および電動システム | |
JP3972855B2 (ja) | インバータモジュール | |
JP6447914B2 (ja) | パワーモジュールの直流側配線基板及びその製造方法 | |
WO2023058381A1 (ja) | 電力変換装置 | |
WO2022107439A1 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP7428679B2 (ja) | パワー半導体装置および電力変換装置 | |
JP2004194382A (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
JP6511506B2 (ja) | 半導体モジュール及びこれを備えた電力変換装置 | |
JP2020021886A (ja) | 素子モジュール | |
JP2019102477A (ja) | 回路モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210709 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6968967 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |