JP6968693B2 - Processing equipment - Google Patents

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本発明は、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）の上面に複数のデバイスが第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する加工装置に関する。 In the present invention, a workpiece in which a plurality of devices are arranged on the upper surface of a DAF (Die Atch Film) with a gap extending in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction. The present invention relates to a processing device that divides a DAF according to an individual device.

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are partitioned by a scheduled division line and formed on the surface is divided into individual devices and used for electric devices such as mobile phones and personal computers.

一般的に、デバイスの裏面には、配線フレームにボンディングするためのＤＡＦと称されるボンド層が配設される。ＤＡＦは、ウエーハを個々のデバイスに分割する前にウエーハの裏面に配設され、ウエーハと共に個々のデバイスに対応して分割される。 Generally, a bond layer called DAF for bonding to a wiring frame is arranged on the back surface of the device. The DAF is disposed on the back surface of the wafer before dividing the wafer into individual devices, and together with the wafer is divided corresponding to the individual device.

ところで、ウエーハの分割予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、ウエーハの表面に保護部材を配設して裏面を研削し、分割溝をウエーハの裏面に表出させてウエーハを個々のデバイスに分割する技術（例えば、特許文献１を参照。）、及びウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する内部にレーザー光線の集光点を位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成し、その後、外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する技術（例えば、特許文献２を参照。）においては、上記した一般的な方法のように、ウエーハを個々のデバイスに分割する前にウエーハの裏面にＤＡＦを配設し、ウエーハと共にＤＡＦを分割することができない。よって、このような場合は、個々のデバイスに分割された後のウエーハの裏面に対してＤＡＦを配設し、ウエーハを分割した際に形成される隙間に沿ってレーザー光線を照射して個々のデバイスに対応してＤＡＦを切断している（例えば、特許文献３を参照。）。 By the way, a groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device is formed on the planned division line of the wafer, a protective member is arranged on the front surface of the wafer, the back surface is ground, and the division groove is exposed on the back surface of the wafer. A technique for dividing a wafer into individual devices (see, for example, Patent Document 1), and a condensing point of a laser beam is positioned and irradiated from the back surface of the wafer to the inside corresponding to the planned division line, along the planned division line. In the technique of forming a modified layer and then applying an external force to divide the wafer into individual devices (see, for example, Patent Document 2), the wafers are individually divided as in the general method described above. The DAF is placed on the back surface of the wafer before it is divided into the devices of the device, and the DAF cannot be divided together with the wafer. Therefore, in such a case, the DAF is arranged on the back surface of the wafer after being divided into individual devices, and the laser beam is irradiated along the gap formed when the wafer is divided to be applied to the individual devices. The DAF is cut corresponding to (see, for example, Patent Document 3).

特開２０１１−１１３４４６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-11346 特開２００２−１９２３７０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-192370 特開２００２−１１８０８１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-118801

特許文献３に記載された技術によれば、個々のデバイスに分割した後にＤＡＦを裏面に配設したウエーハを、個々のデバイスに対応して分割することができる。しかし、個々のデバイスに分割した後のウエーハをＤＡＦの上面に配設した場合、分割予定ラインに沿って分割された分割溝からなる隙間が蛇行した状態で個々のデバイスがＤＡＦに保持されることになる。したがって、個々のデバイスに対応してＤＡＦを正確に分割するためには、蛇行する隙間を撮像手段（カメラ）で撮像して、全ての隙間における切断すべき中心位置を示す座標を検出して記録し、その記録した座標情報に基づいてレーザー光線の照射位置を制御してＤＡＦを切断することになる。しかし、蛇行する隙間の全ての座標情報を取得するためには、相応の時間が必要となることから、加工装置の保持手段にウエーハを保持してから実際にレーザー加工を施すまでに相当な時間が掛かり、生産性が悪いという問題がある。 According to the technique described in Patent Document 3, a wafer in which a DAF is arranged on the back surface after being divided into individual devices can be divided according to each device. However, when the wafer after being divided into individual devices is arranged on the upper surface of the DAF, the individual devices are held in the DAF in a state where the gap consisting of the divided grooves divided along the planned division line meanders. become. Therefore, in order to accurately divide the DAF for each device, the meandering gap is imaged by an imaging means (camera), and the coordinates indicating the center position to be cut in all the gaps are detected and recorded. Then, the irradiation position of the laser beam is controlled based on the recorded coordinate information to cut the DAF. However, since it takes a considerable amount of time to acquire all the coordinate information of the meandering gap, it takes a considerable amount of time from holding the wafer to the holding means of the machining apparatus to actually performing laser machining. There is a problem that productivity is poor.

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを効率よく分割することができる加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is a gap in which a plurality of devices extend in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction on the upper surface of the DAF. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus capable of efficiently dividing a DAF according to an individual device for an workpiece arranged with the above.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び該第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する加工装置であって、被加工物を保持する第一の保持手段と、該第一の保持手段に隣接して配設され被加工物を保持する第二の保持手段と、該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に相対的に補正送りする補正送り手段と、該第一の保持手段に保持された被加工物を撮像する第一の撮像手段と、該第二の保持手段に保持された被加工物を撮像する第二の撮像手段と、該第一の保持手段に保持された被加工物を該第一の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第一の座標記録手段と、該第二の保持手段に保持された被加工物を該第二の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第二の座標記録手段と、を備え、該第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第一の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第二の座標記録手段を作動して該第二の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録し、該第二の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第一の座標記録手段を作動して該第一の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録する制御手段と、から少なくとも構成される加工装置が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a plurality of devices have a gap extending in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction on the upper surface of the DAF. A processing device that divides the DAF into the arranged workpieces corresponding to individual devices, and is disposed adjacent to the first holding means for holding the workpiece and the first holding means. A second holding means for holding the workpiece, a laser beam irradiating means provided with a concentrator for irradiating the workpiece held by the first holding means with a laser beam. , The first holding means, the processing feeding means for processing and feeding the concentrator relative to the second holding means in the X-axis direction, the first holding means, and the second holding means. A correction feed means that corrects and feeds the concentrator relative to the holding means in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction, and a first image of the workpiece held by the first holding means. The imaging means, the second imaging means for imaging the workpiece held by the second holding means, and the workpiece held by the first holding means are imaged by the first imaging means. As a result, the gap extending in the first direction is positioned and detected in the X-axis direction, and the meandering in the Y-axis direction at the X-coordinate in the X-axis direction is recorded as the correction value of the Y-coordinate, and the second direction. A first coordinate recording means that positions and detects a gap extending in the X-axis direction and records a meandering in the Y-axis direction at the X coordinate in the X axis direction as a correction value of the Y coordinate, and the second holding means. By imaging the workpiece held on the The meandering is recorded as a correction value of the Y coordinate, the gap extending in the second direction is positioned and detected in the X axis direction, and the meandering in the Y axis direction at the X coordinate in the X axis direction is the correction value of the Y coordinate. The workpiece held in the first holding means is irradiated with a laser beam while referring to the correction value recorded in the first coordinate recording means. The workpiece held by the second holding means by operating the second coordinate recording means while cutting the DAF of the gap extending in the first direction and the second direction. The correction value of the gap extending in the first direction and the correction value of the gap extending in the second direction are recorded, and the correction value recorded in the second coordinate recording means is referred to. The workpiece held by the second holding means is irradiated with a laser beam and spreads in the first direction and the second direction. While cutting the DAF of the existing gap, the first coordinate recording means is activated to correct the gap extending in the first direction of the workpiece held by the first holding means. A processing device comprising at least a control means for recording the value and the correction value of the gap extending in the second direction is provided.

さらに、好ましくは、該加工送り手段は、該第一の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第一のＸ軸送り手段と、該第二の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第二のＸ軸送り手段と、から構成され、該補正送り手段は、該第一の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第一のＹ軸送り手段と、該第二の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第二のＹ軸送り手段と、から構成される。 Further, preferably, the machining feed means includes a first X-axis feed means for machining and feeding the first holding means in the X-axis direction, and a second machining feed for the second holding means in the X-axis direction. The correction feeding means is composed of the X-axis feeding means, the correction feeding means, the first Y-axis feeding means for correcting and feeding the first holding means in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction, and the second Y-axis feeding means. It is composed of a second Y-axis feeding means for correcting and feeding the holding means in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.

本発明の加工装置によれば、第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら第一の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、第二の座標記録手段を作動して第二の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録し、さらに、第二の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、第一の座標記録手段を作動して第一の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録する制御手段と、から少なくとも構成されることにより、第一の保持手段に保持された被加工物の隙間からＤＡＦにレーザー光線を照射している最中に、第二の保持手段に保持された被加工物の隙間を検出することで補正値を記録することが可能になり、さらに、第二の保持手段に保持された被加工物の隙間からＤＡＦにレーザー光線を照射している最中に、第一の保持手段に保持された被加工物の隙間を検出することで補正値を記録することが可能になり第二の保持手段に保持された被加工物を加工した後、直ぐに第一の保持手段に保持された被加工物に対する加工を実施することができる。その結果、実質的に隙間を検出する時間が無くなり、被加工物を加工する加工装置の生産性が向上する。 According to the processing apparatus of the present invention, the workpiece held by the first holding means is irradiated with a laser beam while referring to the correction value recorded in the first coordinate recording means, and the first direction and the first. While cutting the DAF of the gap extending in two directions, the second coordinate recording means is activated to extend in the first direction of the workpiece held by the second holding means. The correction value of the gap and the correction value of the gap extending in the second direction are recorded, and further, the correction value recorded in the second coordinate recording means is referred to and held by the second holding means. While the workpiece is irradiated with a laser beam to cut the DAF of the gap extending in the first direction and the second direction, the first coordinate recording means is operated and the first holding means is activated. By at least being composed of a control means for recording the correction value of the gap extending in the first direction and the correction value of the gap extending in the second direction held in the workpiece. While irradiating the DAF with a laser beam from the gap of the workpiece held by the first holding means, the correction value is recorded by detecting the gap of the workpiece held by the second holding means. Further, the gap of the workpiece held by the first holding means while the DAF is being irradiated with the laser beam from the gap of the workpiece held by the second holding means. It becomes possible to record the correction value by detecting, and after processing the workpiece held by the second holding means, immediately carry out the processing on the workpiece held by the first holding means. be able to. As a result, the time for detecting the gap is substantially eliminated, and the productivity of the processing apparatus for processing the workpiece is improved.

本実施形態に係る加工装置の全体斜視図である。It is an overall perspective view of the processing apparatus which concerns on this embodiment. 図１に示す加工装置の要部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the main part of the processing apparatus shown in FIG. 図１に示す加工装置のレーザー光線照射手段の光学系の概略を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the optical system of the laser beam irradiation means of the processing apparatus shown in FIG. 図１に示す加工装置のカセット載置機構の斜視図である。It is a perspective view of the cassette mounting mechanism of the processing apparatus shown in FIG. 図１に示す加工装置の第一、第二の仮置手段の斜視図である。It is a perspective view of the 1st and 2nd temporary placement means of the processing apparatus shown in FIG. 図１に示す加工装置の第一、第二の搬送手段の斜視図である。It is a perspective view of the 1st and 2nd transport means of the processing apparatus shown in FIG. 図１に示す加工装置の第一、第二の搬入手段の斜視図である。It is a perspective view of the 1st and 2nd carrying-in means of the processing apparatus shown in FIG. 図１に示す加工装置において、半導体ウエーハを第一のカセットから引き出す位置に第一の搬送手段を位置付けた状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state in which the first transport means is positioned at a position where the semiconductor wafer is pulled out from the first cassette in the processing apparatus shown in FIG. 1. 図１に示す加工装置において、半導体ウエーハを第一の仮置手段上に搬送し仮置きした状態を示す図である。In the processing apparatus shown in FIG. 1, it is a figure which shows the state which carried the semiconductor wafer on the first temporary place means and put it temporarily. 図１に示す加工装置において、第一の仮置手段上に仮置きされた半導体ウエーハを第一の搬入手段で保持した状態を示す図である。In the processing apparatus shown in FIG. 1, it is a figure which shows the state which held the semiconductor wafer temporarily placed on the first temporary place means by the first carry-in means. 図１に示す加工装置において、半導体ウエーハを第一の搬入手段により、チャックテーブル上に搬入した状態を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a state in which a semiconductor wafer is carried onto a chuck table by the first carrying-in means in the processing apparatus shown in FIG. 1. 図１に示す加工装置において、第一のレーザー加工装置と第二のレーザー加工装置とが協働してレーザー加工を実施する状態を示す図である。In the processing apparatus shown in FIG. 1, it is a figure which shows the state which performs the laser processing in cooperation with the 1st laser processing apparatus and the 2nd laser processing apparatus. 図１に示す加工装置において、補正値記録手段に記録される半導体ウエーハの蛇行、及び補正値を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the meandering of the semiconductor wafer recorded in the correction value recording means, and the correction value in the processing apparatus shown in FIG. 1.

以下、本発明の一実施形態に係る加工装置について添付図面を参照して、詳細に説明する。 Hereinafter, the processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

図１には、本発明による加工装置１の全体斜視図が示されている。図１に示す加工装置１は、静止基台２と、第一のレーザー加工装置１Ａと、第二のレーザー加工装置１Ｂと、レーザー光線照射ユニット４と、を備えている。 FIG. 1 shows an overall perspective view of the processing apparatus 1 according to the present invention. The processing device 1 shown in FIG. 1 includes a stationary base 2, a first laser processing device 1A, a second laser processing device 1B, and a laser beam irradiation unit 4.

第一のレーザー加工装置１Ａは、図中矢印Ｘで示すＸ軸方向に移動可能に配設された第一の保持手段３Ａと、第一のカセットテーブル７Ａと、第一の仮置手段８Ａと、第一の搬送手段９Ａと、第一の搬入手段１０Ａとを備えている。 The first laser processing apparatus 1A includes a first holding means 3A movably arranged in the X-axis direction indicated by an arrow X in the figure, a first cassette table 7A, and a first temporary placing means 8A. The first transport means 9A and the first carry-in means 10A are provided.

また、第二のレーザー加工装置１Ｂは、Ｘ軸方向に移動可能に配設された第二の保持手段３Ｂと、第二のカセットテーブル７Ｂと、第二の仮置手段８Ｂと、第二の搬送手段９Ｂと、第二の搬入手段１０Ｂとを備えている。第二の保持手段３Ｂは、レーザー光線照射ユニット４を挟み、第一の保持手段３Ａと隣接するように配設される。 Further, the second laser processing apparatus 1B includes a second holding means 3B movably arranged in the X-axis direction, a second cassette table 7B, a second temporary placing means 8B, and a second. The transport means 9B and the second carry-in means 10B are provided. The second holding means 3B is arranged so as to sandwich the laser beam irradiation unit 4 and to be adjacent to the first holding means 3A.

図１に示す本実施形態の加工装置１の構造を詳細に説明するため、図１に示す第一のカセットテーブル７Ａ、第二のカセットテーブル７Ｂ、第一の仮置手段８Ａ、第二の仮置手段８Ｂ、第一の搬送手段９Ａ、第二の搬送手段９Ｂ、第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂを静止基台２上から取り外した状態の加工装置１を図２に示す。 In order to explain the structure of the processing apparatus 1 of the present embodiment shown in FIG. 1 in detail, the first cassette table 7A, the second cassette table 7B, the first temporary placement means 8A, and the second temporary placement means 8A shown in FIG. FIG. 2 shows a processing device 1 in a state where the placing means 8B, the first transporting means 9A, the second transporting means 9B, the first carrying-in means 10A, and the second carrying-in means 10B are removed from the stationary base 2. show.

図２に示すように、第一のレーザー加工装置１Ａは、静止基台２の略中央に配設されるレーザー光線照射ユニット４の手前側の領域に設置されている。第一の保持手段３Ａは、Ｘ軸方向に移動可能に配設された一対の案内レール上に摺動可能に配設された移動基台３１Ａと、Ｘ軸方向と直交する矢印Ｙで示すＹ軸方向に移動可能に配設された滑動ブロック３２Ａと、滑動ブロック３２Ａ上に円筒部材３３Ａによって支持されたカバーテーブル３４Ａと、被加工物を保持する第一のチャックテーブル３５Ａを備えている。この第一のチャックテーブル３５Ａは、多孔質材料から形成された吸着チャック３６Ａを備えており、吸着チャック３６Ａの上面である保持面上で図示しない吸引手段を作動することによって被加工物を保持する。このように構成された第一のチャックテーブル３５Ａは、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転することが可能である。なお、第一のチャックテーブル３５Ａには、被加工物を保護テープＴを介して支持する環状のフレームＦを固定するためのクランプが配設されている。 As shown in FIG. 2, the first laser processing apparatus 1A is installed in a region on the front side of the laser beam irradiation unit 4 arranged substantially in the center of the stationary base 2. The first holding means 3A is a moving base 31A slidably arranged on a pair of guide rails movably arranged in the X-axis direction, and Y indicated by an arrow Y orthogonal to the X-axis direction. It includes a sliding block 32A movably arranged in the axial direction, a cover table 34A supported by a cylindrical member 33A on the sliding block 32A, and a first chuck table 35A for holding a workpiece. The first chuck table 35A includes a suction chuck 36A formed of a porous material, and holds a workpiece by operating a suction means (not shown) on a holding surface which is an upper surface of the suction chuck 36A. .. The first chuck table 35A configured in this way can be rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The first chuck table 35A is provided with a clamp for fixing the annular frame F that supports the workpiece via the protective tape T.

移動基台３１Ａは、下面に上記一対の案内レールと嵌合する一対の被案内溝が設けられているとともに、上面にＹ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レールが設けられている。このように構成された移動基台３１Ａは、被案内溝が一対の案内レールに嵌合することにより、一対の案内レールに沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の第一のレーザー加工装置１Ａは、移動基台３１Ａを一対の案内レールに沿ってＸ軸方向に加工送りする加工送り手段としての第一のＸ軸送り手段６１Ａを備えている。第一のＸ軸送り手段６１Ａは、静止基台２上の一対の案内レールの間に平行に配設された例えば雄ネジロッド６１１Ａと、雄ネジロッド６１１Ａを回転駆動する駆動源としてのパルスモータ６１２Ａを含んでいる。なお、雄ネジロッド６１１Ａは、移動基台３１Ａの中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。したがって、パルスモータ６１２Ａによって雄ネジロッド６１１Ａを正転、および逆転駆動することにより、移動基台３１Ａは案内レールに沿ってＸ軸方向に移動させられる。なお、図示の第一のＸ軸送り手段６１Ａを、雄ネジロッド６１１Ａ、及びパルスモータ６１２Ａから形成される例を示したが、これに限定されず、周知のリニアモータ等の構成によって実現してもよい。 The moving base 31A is provided with a pair of guided grooves fitted to the pair of guide rails on the lower surface thereof, and a pair of guide rails formed parallel to the Y-axis direction on the upper surface thereof. There is. The moving base 31A configured in this way is configured to be movable in the X-axis direction along the pair of guide rails by fitting the guided grooves into the pair of guide rails. The first laser machining apparatus 1A shown in the figure includes a first X-axis feeding means 61A as a machining feeding means for machining and feeding the moving base 31A along a pair of guide rails in the X-axis direction. The first X-axis feeding means 61A includes, for example, a male screw rod 611A arranged in parallel between a pair of guide rails on the stationary base 2, and a pulse motor 612A as a drive source for rotationally driving the male screw rod 611A. Includes. The male screw rod 611A is screwed into a through female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided so as to project from the lower surface of the central portion of the moving base 31A. Therefore, by driving the male screw rod 611A in the forward and reverse directions by the pulse motor 612A, the moving base 31A is moved in the X-axis direction along the guide rail. Although an example in which the first X-axis feed means 61A shown in the figure is formed of a male screw rod 611A and a pulse motor 612A is shown, the present invention is not limited to this, and even if it is realized by a configuration of a well-known linear motor or the like. good.

図示の第一の保持手段３Ａには、上記した第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出するためのＸ軸方向位置検出手段が設けられている（図示は省略する。）。当該Ｘ軸方向位置検出手段は、例えば、１μｍ毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そしてこの制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出する。なお、第一のＸ軸送り手段６１Ａの駆動源としてパルスモータを用いた場合には、パルスモータの駆動信号を出力する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出することもできる。また、上記Ｘ軸送り手段６１Ａの駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段に送り、該制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出することもできる。 The illustrated first holding means 3A is provided with an X-axis direction position detecting means for detecting the X-axis direction position of the first chuck table 35A described above (not shown). The X-axis direction position detecting means sends, for example, a pulse signal of one pulse every 1 μm to a control means described later. Then, this control means detects the position in the X-axis direction of the first chuck table 35A by counting the input pulse signal. When a pulse motor is used as the drive source of the first X-axis feed means 61A, the X of the first chuck table 35A is counted by counting the drive pulse of the control means that outputs the drive signal of the pulse motor. It is also possible to detect the axial position. When a servomotor is used as the drive source of the X-axis feed means 61A, a pulse signal output by the rotary encoder that detects the rotation speed of the servomotor is sent to the control means, and the pulse signal input by the control means is sent. It is also possible to detect the position of the first chuck table 35A in the X-axis direction by counting.

上記滑動ブロック３２Ａの下面には、上記移動基台３１Ａの上面に設けられた一対の案内レールと嵌合する一対の被案内溝が設けられており、この被案内溝を移動基台３１Ａ上においてＹ軸方向に配設された一対の案内レールに嵌合することにより、Ｙ軸方向に移動可能に構成される。図示の第一の保持手段３Ａは、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする補正送り手段として第一のＹ軸送り手段６２Ａを備えている。第一のＹ軸送り手段６２Ａは、上記Ｙ軸方向に配設された一対の案内レールの間に平行に配設された雄ネジロッド６２１Ａと、雄ネジロッド６２１Ａを回転駆動する駆動源としてのパルスモータ６２２Ａを含んでいる。雄ネジロッド６２１Ａは、滑動ブロック３２Ａに設けられた貫通雌ネジ穴に螺合されている。したがって、パルスモータ６２２Ａによって雄ネジロッド６２１Ａを正転および逆転駆動することにより、滑動ブロック３２Ａは、案内レールに沿ってＹ軸方向に移動させられる。 On the lower surface of the sliding block 32A, a pair of guided grooves that fit with the pair of guide rails provided on the upper surface of the moving base 31A are provided, and the guided grooves are provided on the moving base 31A. By fitting into a pair of guide rails arranged in the Y-axis direction, the rails are configured to be movable in the Y-axis direction. The first holding means 3A shown in the figure includes a first Y-axis feeding means 62A as a correction feeding means for correcting feeding in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction. The first Y-axis feeding means 62A includes a male screw rod 621A arranged in parallel between the pair of guide rails arranged in the Y-axis direction and a pulse motor as a drive source for rotationally driving the male screw rod 621A. 622A is included. The male screw rod 621A is screwed into a through female screw hole provided in the sliding block 32A. Therefore, by driving the male screw rod 621A in the forward rotation and the reverse rotation by the pulse motor 622A, the sliding block 32A is moved in the Y-axis direction along the guide rail.

図示の第一の保持手段３Ａには、Ｘ軸方向と同様に、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向位置を検出するためのＹ軸方向位置検出手段が設けられている（図示は省略する。）。当該Ｙ軸方向位置検出手段は、例えば、１μｍ毎に１パルスのパルス信号を上記制御手段に送る。そして制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のＹ軸方向位置を検出する。なお、第一のＹ軸送り手段６２Ａの駆動源としてパルスモータ６２２Ａを用いた場合には、パルスモータ６２２Ａの駆動信号を出力する該制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向位置を検出することができる。また、第一のＹ軸送り手段３５Ａの駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向位置を検出することもできる。 The first holding means 3A in the figure is provided with a Y-axis direction position detecting means for detecting the Y-axis direction position of the first chuck table 35A as in the X-axis direction (not shown). .). The Y-axis direction position detecting means sends, for example, a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means. Then, the control means detects the position in the Y-axis direction of the chuck table 36 by counting the input pulse signal. When the pulse motor 622A is used as the drive source of the first Y-axis feed means 62A, the drive pulse of the control means that outputs the drive signal of the pulse motor 622A is counted to count the drive pulse of the first chuck table. The position in the Y-axis direction of 35A can be detected. When a servomotor is used as the drive source of the first Y-axis feed means 35A, the pulse signal output by the rotary encoder that detects the rotation speed of the servomotor is sent to the control means, and the pulse input by the control means. By counting the signals, the position of the first chuck table 35A in the Y-axis direction can also be detected.

さらに、図２に示すように、本実施形態の加工装置１においては、静止基台２の上面に配置されたレーザー光線照射ユニット４を挟んで、第一のレーザー加工装置１Ａの反対側の領域に、第二のレーザー加工装置１Ｂが備えられている。 Further, as shown in FIG. 2, in the processing apparatus 1 of the present embodiment, the laser beam irradiation unit 4 arranged on the upper surface of the stationary base 2 is sandwiched between the processing apparatus 1 and the region opposite to the first laser processing apparatus 1A. , A second laser processing device 1B is provided.

第二のレーザー加工装置１Ｂの一部を構成する第二の保持手段３Ｂは、上記した第一の保持手段３Ａと同様に、被加工物を保持する第二のチャックテーブル３５Ｂと、第二のチャックテーブル３５ＢをＸ軸方向に加工送りする加工送り手段としての第二のＸ軸送り手段６１Ｂと、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に補正送りする補正送り手段としての第二のＹ軸送り手段６２Ｂとを有している。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂにおける移動基台３１Ｂ、滑動ブロック３２Ｂ、円筒部材３３Ｂ、カバーテーブル３４Ｂ、第二のチャックテーブル３５Ｂ、吸着チャック３６Ｂ、第二のＸ軸送り手段６１Ｂを構成する雄ネジロッド６１１Ｂ、パルスモータ６１２Ｂ、第二のＹ軸送り手段６２Ｂを構成する雄ネジロッド６２１Ｂ、及びパルスモータ６２２Ｂは、第一のレーザー加工装置１Ａの移動基台３１Ａ、滑動ブロック３２Ａ、円筒部材３３Ａ、カバーテーブル３４Ａ、第一のチャックテーブル３５Ａ、吸着チャック３６Ａ、第一のＸ軸送り手段６１Ａを構成する雄ネジロッド６１１Ａ、パルスモータ６１２Ａ、第一のＹ軸送り手段６２Ａを構成する雄ネジロッド６２１Ａ、パルスモータ６２２Ａと同様の作用を奏するものであることから、詳細な説明については省略する。 The second holding means 3B constituting a part of the second laser processing apparatus 1B includes a second chuck table 35B for holding the workpiece and a second chuck table 35B, similarly to the first holding means 3A described above. A second X-axis feed means 61B as a machining feed means for machining and feeding the chuck table 35B in the X-axis direction, and a second Y-axis feed means as a correction feed means for correcting feed in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction. It has means 62B. The male constituting the moving base 31B, the sliding block 32B, the cylindrical member 33B, the cover table 34B, the second chuck table 35B, the suction chuck 36B, and the second X-axis feeding means 61B in the second laser processing apparatus 1B. The screw rod 611B, the pulse motor 612B, the male screw rod 621B constituting the second Y-axis feed means 62B, and the pulse motor 622B include a moving base 31A, a sliding block 32A, a cylindrical member 33A, and a cover of the first laser processing apparatus 1A. Table 34A, first chuck table 35A, suction chuck 36A, male screw rod 611A constituting the first X-axis feeding means 61A, pulse motor 612A, male screw rod 621A constituting the first Y-axis feeding means 62A, pulse motor. Since it has the same effect as 622A, detailed description thereof will be omitted.

上記レーザー光線照射ユニット４は、上記静止基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１に支持されたケーシング４２を備えており、ケーシング４２は、上記第一の保持手段３Ａ側、第二の保持手段３Ｂ側のそれぞれに水平に延出する延出部４２Ａ、４２Ｂを備え、平面視で略Ｔ字形状である。ケーシング４２には、後述するレーザー光線照射手段５の光学系が収納されている。レーザー光線照射手段５を収納している延出部４２Ａ、４２Ｂの下面には、レーザー光線照射手段５の一部を構成する第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂと、レーザー加工すべき加工領域を検出するための第一の撮像手段６Ａ、及び第二の撮像手段６Ｂとが配設されている。なお、第一の撮像手段６Ａ、第二の撮像手段６Ｂは、被加工物を照らす照明手段と、照明手段によって照らされた領域を捕える光学系と、該光学系によって捕えられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備えている（いずれも図示は省略する。）。 The laser beam irradiation unit 4 includes a support member 41 arranged on the stationary base 2 and a casing 42 supported by the support member 41, and the casing 42 is on the side of the first holding means 3A. , The second holding means 3B side is provided with extending portions 42A and 42B extending horizontally, respectively, and has a substantially T-shape in a plan view. The casing 42 houses the optical system of the laser beam irradiating means 5, which will be described later. On the lower surfaces of the extending portions 42A and 42B accommodating the laser beam irradiating means 5, a first concentrator 51A and a second concentrator 51B constituting a part of the laser beam irradiating means 5 and laser processing are performed. A first image pickup means 6A and a second image pickup means 6B for detecting a processing area to be processed are arranged. The first image pickup means 6A and the second image pickup means 6B take an image of the illumination means for illuminating the workpiece, the optical system for capturing the area illuminated by the illumination means, and the image captured by the optical system. It is equipped with an image pickup device (CCD) and the like (all of which are not shown).

ケーシング４２に収納されたレーザー光線照射手段５の光学系の概略について、図３を参照しながら説明する。レーザー光線照射手段５は、レーザー光線発振手段５２、アッテネータ５３、光路切換用の移動ミラー５４、反射ミラー５５、分岐後の光路上に配置される第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂ等を備えている。移動ミラー５４は、図示しない駆動手段によりその位置が制御され、実線で示す位置から、点線で示す位置（移動ミラー５４’で示す。）に切り替えることができる。 The outline of the optical system of the laser beam irradiating means 5 housed in the casing 42 will be described with reference to FIG. The laser beam irradiating means 5 includes a laser beam oscillating means 52, an attenuator 53, a moving mirror 54 for switching an optical path, a reflection mirror 55, a first concentrator 51A arranged on the optical path after branching, and a second concentrator. It is equipped with 51B and the like. The position of the moving mirror 54 is controlled by a driving means (not shown), and the position indicated by the solid line can be switched to the position indicated by the dotted line (indicated by the moving mirror 54').

レーザー光線発振手段５２は、図示しないレーザー光線発振器と繰り返し周波数設定手段から構成され、例えば、波長が３５５ｎｍ、繰り返し周波数が５０ｋＨｚに設定されたレーザー光線ＬＢを発振する。レーザー発振手段５２にて発振されたレーザー光線ＬＢは、アッテネータ５３によって所望の出力に調整される。アッテネータ５３によって出力が調整されたレーザー光線ＬＢは、移動ミラー５４が実線で示す位置にある場合は、そのまま直進し、レーザー光線ＬＢ１が第一の集光器５１Ａに導かれる。また、移動ミラー５４が、点線で示す移動ミラー５４’の位置にある場合は、移動ミラー５４’によって反射されたレーザー光線ＬＢ２が反射ミラー５５側に導かれ、反射ミラー５５で反射されて第二の集光器５１Ｂに導かれる。レーザー光線ＬＢ１、及びＬＢ２は、それぞれの光路の終端に設けられた第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂに入射され、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂに備えられた図示しない集光レンズにより、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂ上に保持される被加工物に集光される。 The laser beam oscillating means 52 includes a laser beam oscillator (not shown) and a repeating frequency setting means, and oscillates a laser beam LB having a wavelength set to 355 nm and a repeating frequency set to 50 kHz, for example. The laser beam LB oscillated by the laser oscillating means 52 is adjusted to a desired output by the attenuator 53. When the moving mirror 54 is in the position indicated by the solid line, the laser beam LB whose output is adjusted by the attenuator 53 goes straight as it is, and the laser beam LB1 is guided to the first condenser 51A. When the moving mirror 54 is located at the position of the moving mirror 54'shown by the dotted line, the laser beam LB2 reflected by the moving mirror 54'is guided to the reflection mirror 55 side and reflected by the reflection mirror 55 to be second. It is guided to the condenser 51B. The laser beams LB1 and LB2 are incident on the first light collector 51A and the second light collector 51B provided at the end of each optical path, and the first light collector 51A and the second light collector 51A and the second light collector 51B. A condenser lens (not shown) provided in the vessel 51B concentrates light on the workpiece held on the first holding means 3A and the second holding means 3B.

図１に戻り説明を続けると、上記静止基台２上には、複数の被加工物（半導体ウエーハＷ１）を収容する第一のカセット７０Ａが載置される第一のカセット載置機構７Ａと、複数の被加工物（半導体ウエーハＷ２）を収容する第二のカセット７０Ｂが載置される第二のカセット載置機構７Ｂと、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂから取り出した被加工物を一時的に載置する第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂと、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂから被加工物を取り出し、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂに被加工物を収容するための第一の搬送手段９Ａ、及び第二の搬送手段９Ｂと、第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂ上に仮置きされた被加工物を第一のチャックテーブル３５Ａ、及び第二のチャックテーブル３５Ｂの上面に搬入し、加工後の被加工物を、上記第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂ上に載置するための第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂと、が備えられている。本実施形態では、第一のカセット７０Ａに、ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された半導体ウエーハＷ１が複数収容され、第二のカセット７０Ｂにも、上記半導体ウエーハＷ１と同様の構成を備えた半導体ウエーハＷ２が複数収容されている。 Returning to FIG. 1 and continuing the description, the first cassette mounting mechanism 7A on which the first cassette 70A accommodating a plurality of workpieces (semiconductor wafers W1) is mounted is on the stationary base 2. , The second cassette mounting mechanism 7B on which the second cassette 70B accommodating a plurality of workpieces (semiconductor wafer W2) is mounted, the first cassette 70A, and the cover taken out from the second cassette 70B. The work piece is taken out from the first temporary placement means 8A and the second temporary placement means 8B, the first cassette 70A, and the second cassette 70B on which the work piece is temporarily placed, and the first cassette is used. On the first transport means 9A and the second transport means 9B for accommodating the workpiece in the 70A and the second cassette 70B, the first temporary placement means 8A, and the second temporary placement means 8B. The work piece temporarily placed in the above is carried onto the upper surfaces of the first chuck table 35A and the second chuck table 35B, and the work piece after processing is carried into the first temporary placement means 8A and the second. A first carrying-in means 10A for mounting on the temporary placing means 8B and a second carrying-in means 10B are provided. In the present embodiment, a plurality of devices are arranged on the upper surface of the DAF in the first cassette 70A with a gap extending in the first direction and a second direction orthogonal to the first direction. A plurality of semiconductor wafers W1 are housed, and a plurality of semiconductor wafers W2 having the same configuration as the semiconductor wafer W1 are also housed in the second cassette 70B.

以下に、静止基台２上に配設される上記した第一のカセット載置機構７Ａ、第二のカセット載置機構７Ｂ、第一の仮置手段８Ａ、第二の仮置手段８Ｂ、第一の搬送手段９Ａ、第二の搬送手段９Ｂ、第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂの作動について、より具体的に説明する。 Below, the first cassette mounting mechanism 7A, the second cassette mounting mechanism 7B, the first temporary mounting means 8A, the second temporary mounting means 8B, and the second are arranged on the stationary base 2. The operation of one transport means 9A, a second transport means 9B, a first carry-in means 10A, and a second carry-in means 10B will be described more specifically.

図１、図４に示す第一のカセット載置機構７Ａ、第二のカセット載置機構７Ｂは、上記第一のチャックテーブル３５Ａ、及び第二のチャックテーブル３５Ｂに対して被加工物を着脱する着脱領域のＸ軸方向に隣接して設けられており、図示しない昇降手段により昇降させられる第一のカセットテーブル７１Ａ、及び第二のカセットテーブル７１Ｂの上に複数の被加工物を収容する第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂが載置される。 The first cassette mounting mechanism 7A and the second cassette mounting mechanism 7B shown in FIGS. 1 and 4 attach and detach the workpiece to and from the first chuck table 35A and the second chuck table 35B. A first cassette table 71A, which is provided adjacent to the attachment / detachment region in the X-axis direction and is moved up and down by an elevating means (not shown), and a first cassette table 71B for accommodating a plurality of workpieces on the first cassette table 71B. The cassette 70A and the second cassette 70B are mounted.

第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂについて、図１、図５を参照して説明する。第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂは、上記第一のカセット載置機構７Ａ、及び第二のカセット載置機構７ＢのＸ軸方向に隣接して設けられるものであり、第一のチャックテーブル３５Ａ、及び第二のチャックテーブル３５Ｂに対して被加工物を着脱する着脱領域の直上に配設される。この第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂは、断面Ｌ字状で長尺に形成された支持レール８３Ａ、８３Ａ、８３Ｂ、及び８３Ｂと、支持レール８３Ａ、８３Ａ、８３Ｂ、及び８３Ｂの端部を支持し、かつ支持レール８３Ａ、及び８３Ａ、並びに、８３Ｂ、及び８３Ｂの間隔を狭めたり広げたりすることができるようにＹ軸方向に移動可能に構成された支持レール移動手段８２Ａ、及び８２Ｂを備えている。当該支持レール８３Ａ、及び８３Ａ、並びに８３Ｂ、及び８３Ｂにより形成される間隔は、狭めたときに、被加工物を、保護テープＴを介して支持する環状のフレームＦの外径を保持することができる寸法とし、広げたときには、両者の間隔がフレームＦの外径よりも広くなる寸法に設定される。 The first temporary placement means 8A and the second temporary placement means 8B will be described with reference to FIGS. 1 and 5. The first temporary placement means 8A and the second temporary placement means 8B are provided adjacent to the first cassette mounting mechanism 7A and the second cassette mounting mechanism 7B in the X-axis direction. , Is arranged directly above the attachment / detachment region for attaching / detaching the workpiece to / from the first chuck table 35A and the second chuck table 35B. The first temporary placement means 8A and the second temporary placement means 8B include support rails 83A, 83A, 83B, and 83B formed in a long shape with an L-shaped cross section, and support rails 83A, 83A, 83B, and the support rails 83A, 83A, 83B. A support rail moving means configured to support the ends of the and 83B and to be movable in the Y-axis direction so that the distance between the support rails 83A and 83A and the 83B and 83B can be narrowed or widened. It includes 82A and 82B. The spacing formed by the support rails 83A, 83A, and 83B, and 83B can retain the outer diameter of the annular frame F that supports the workpiece via the protective tape T when narrowed. When the size is widened, the distance between the two is set to be wider than the outer diameter of the frame F.

上記第一の搬送手段９Ａ、及び第二の搬送手段９Ｂについて、図１、６を参照して説明する。第一の搬送手段９Ａ、及び第二の搬送手段９Ｂは、第一の搬送アーム９１Ａ、及び第二の搬送アーム９１Ｂと、第一の搬送アーム９１Ａ、及び第二の搬送アーム９１Ｂの先端部で、第一のカセット載置機構７Ａ、及び第二のカセット載置機構７Ｂが配設された方向に設けられ、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂに収容された被加工物を支持するフレームＦを把持するための第一の把持部材９２Ａ、及び第二の把持部材９２Ｂと、第一の搬送アーム９１Ａ、及び第二の搬送アーム９１ＢをＸ軸方向に沿って移動可能に支持する第一の搬送アーム移動手段９３Ａ、及び第二の搬送アーム移動手段９３Ｂと、を備えている。該第一の把持部材９２Ａ、及び第二の把持部材９２Ｂは、図示しないエアシリンダから供給されるエア圧力により駆動され該フレームＦを把持するように構成されている。 The first transport means 9A and the second transport means 9B will be described with reference to FIGS. 1 and 6. The first transport means 9A and the second transport means 9B are at the tips of the first transport arm 91A, the second transport arm 91B, the first transport arm 91A, and the second transport arm 91B. , The first cassette mounting mechanism 7A and the second cassette mounting mechanism 7B are provided in the direction in which they are arranged to support the workpiece housed in the first cassette 70A and the second cassette 70B. The first gripping member 92A and the second gripping member 92B for gripping the frame F, the first transport arm 91A, and the second transport arm 91B are movably supported along the X-axis direction. A first transport arm moving means 93A and a second transport arm moving means 93B are provided. The first gripping member 92A and the second gripping member 92B are configured to grip the frame F by being driven by an air pressure supplied from an air cylinder (not shown).

第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂについて、図１、図７を参照して説明する。第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂは、被加工物である半導体ウエーハＷ１、Ｗ２を支持するフレームＦを上方から吸引保持するための吸引パッド１１Ａ、及び１１Ｂを先端下面側に備えた第一の搬入アーム１２Ａ、及び第二の搬入アーム１２Ｂと、第一の搬入アーム１２Ａ、及び第二の搬入アーム１２Ｂを昇降させる第一の作動ロッド１３Ａ、及び第二の作動ロッド１３Ｂと、第一の作動ロッド１３Ａ、及び第二の作動ロッド１３Ｂを昇降させる第一の昇降手段１４Ａ、及び第二の昇降手段１４Ｂとから構成されている。第一の昇降手段１４Ａ、及び第二の昇降手段１４Ｂは、例えば、エアピストン等から構成される。第一の搬入アーム１２Ａには、吸引パッド１１Ａが４つ、第二の搬入アーム１２Ｂにも吸引パッド１１Ｂが４つ備えられており、吸引パッド１１Ａ、及び１１Ｂは、それぞれ図示しないコイルばね等により下方に押圧すべく付勢されると共に、図示しない吸引手段に連結されたバキューム分配器にフレキシブルパイプ等で連通されている。 The first carrying-in means 10A and the second carrying-in means 10B will be described with reference to FIGS. 1 and 7. The first carrying-in means 10A and the second carrying-in means 10B have suction pads 11A and 11B for sucking and holding the frame F supporting the semiconductor wafers W1 and W2, which are workpieces, from above on the lower surface side of the tip. The first carry-in arm 12A and the second carry-in arm 12B, the first carry-in arm 12A, the first actuating rod 13A for raising and lowering the second carry-in arm 12B, and the second actuating rod 13B are provided. , A first elevating means 14A for elevating and lowering a first actuating rod 13A and a second actuating rod 13B, and a second elevating means 14B. The first elevating means 14A and the second elevating means 14B are composed of, for example, an air piston or the like. The first carry-in arm 12A is provided with four suction pads 11A, and the second carry-in arm 12B is also provided with four suction pads 11B. The suction pads 11A and 11B are each provided by a coil spring or the like (not shown). It is urged to press downward and is communicated with a vacuum distributor connected to a suction means (not shown) by a flexible pipe or the like.

本実施形態の加工装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、第一のレーザー加工装置１Ａの具体的な作用について以下に説明する。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂの具体的な作用については、第一のレーザー加工装置１Ａと同様の作用を奏するものであるため、その詳細な説明は省略する。 The processing apparatus 1 of the present embodiment has substantially the same configuration as described above, and the specific operation of the first laser processing apparatus 1A will be described below. As for the specific operation of the second laser processing apparatus 1B, since it has the same operation as that of the first laser processing apparatus 1A, detailed description thereof will be omitted.

図１、８に示すように、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向に隣接して、第一のカセット載置機構７Ａが配設されている。第一のチャックテーブル３５Ａに対して被加工物を着脱する位置である着脱領域の直上には、第一の仮置手段８Ａが配設されている。また、第一のチャックテーブル３５Ａの着脱領域、すなわち第一の仮置手段８Ａの側方には、第一の搬出手段９Ａが配設され、さらに第一のチャックテーブル３５Ａを挟んで、第一の搬出手段９Ａと対向する位置に、第一の搬入手段１０Ａが配設されている。 As shown in FIGS. 1 and 8, the first cassette mounting mechanism 7A is arranged adjacent to the first chuck table 35A in the X-axis direction. The first temporary placement means 8A is arranged directly above the attachment / detachment region, which is a position where the workpiece is attached / detached to / from the first chuck table 35A. Further, a first carrying-out means 9A is disposed on the side of the first attachment / detachment area of the first chuck table 35A, that is, the first temporary placing means 8A, and the first chuck table 35A is sandwiched between the first carrying-out means 9A. The first carrying-in means 10A is arranged at a position facing the carrying-out means 9A.

ここで、第一のカセット７０Ａから、被加工物である半導体ウエーハＷ１を第一の保持手段３Ａに対して搬出、搬入する工程について説明する。まず、図８に示すように、第一の仮置手段８Ａは、支持レール移動手段８２Ａを作動させることにより、二つの支持レール８３Ａを、第一のカセット７０Ａに収容されている半導体ウエーハＷ１を支持するフレームＦの外径幅に合わせて狭めた状態とする。次いで、第一のカセットテーブル７１Ａを適宜昇降させて、取り出される半導体ウエーハＷ１の高さ位置を調整し、把持部材９２Ａの高さ位置に一致させる。 Here, a step of carrying in and out the semiconductor wafer W1 which is a workpiece from the first cassette 70A to the first holding means 3A will be described. First, as shown in FIG. 8, the first temporary placement means 8A operates the support rail moving means 82A to form two support rails 83A and a semiconductor wafer W1 housed in the first cassette 70A. It is in a state of being narrowed according to the outer diameter width of the frame F to be supported. Next, the first cassette table 71A is appropriately raised and lowered to adjust the height position of the semiconductor wafer W1 to be taken out so as to match the height position of the gripping member 92A.

第一のカセット７０Ａに収容された半導体ウエーハＷ１の高さ位置を、把持部材９２Ａの高さ位置に一致させた後、搬送アーム９１Ａを第一のカセット７０Ａ側に移動させて、第一のカセット７０Ａに収納されている半導体ウエーハＷ１の環状フレームＦに把持部材９２Ａを係合させる（図６も併せて参照。）。そして、図示しないエアシリンダにより供給されるエア圧によって、把持部材９２Ａが駆動されて半導体ウエーハＷ１を保持している環状フレームＦを把持する。環状フレームＦを把持したならば、搬送アーム移動手段９３Ａを作動して搬送アーム９１Ａを第一のカセット載置機構７Ａから引き出し、図９に示すように半導体ウエーハＷ１を第一の仮置機構８Ａの支持レール８３Ａ、８３Ａ上に搬送し、把持部材９２Ａの把持状態を解除して、半導体ウエーハＷ１を二つの支持レール８３Ａ上に仮置きする（搬送工程）。 After matching the height position of the semiconductor wafer W1 housed in the first cassette 70A with the height position of the gripping member 92A, the transfer arm 91A is moved to the first cassette 70A side to move the first cassette. The gripping member 92A is engaged with the annular frame F of the semiconductor wafer W1 housed in the 70A (see also FIG. 6). Then, the gripping member 92A is driven by the air pressure supplied by an air cylinder (not shown) to grip the annular frame F holding the semiconductor wafer W1. After grasping the annular frame F, the transport arm moving means 93A is operated to pull out the transport arm 91A from the first cassette mounting mechanism 7A, and the semiconductor wafer W1 is pulled out from the first temporary mounting mechanism 8A as shown in FIG. The semiconductor wafer W1 is temporarily placed on the two support rails 83A by transporting the semiconductor wafers W1 on the support rails 83A and 83A, releasing the gripping state of the gripping member 92A (conveyance step).

第一の仮置手段８Ａの二つの支持レール８３Ａ上に半導体ウエーハＷ１を仮置きしたならば、図１０に示すように（説明の都合上、図１０では搬送アーム９１Ａを省略している。）、第一の搬入手段１０Ａの昇降手段１４Ａを作動して、作動ロッド１３Ａを下降させる。作動ロッド１３Ａの上端には先端部に吸引パッド１１Ａが配設された搬入アーム１２Ａが連結されており、作動ロッド１３Ａの下降により、搬入アーム１２Ａの先端部に設けられている吸引パッド１１Ａが、第一の仮置手段８Ａ上に仮置きされている半導体ウエーハＷ１を支持する環状フレームＦに当接する。吸引パッド１１Ａは、上記したように、図示しないコイルスプリングにより下方に向けて付勢されており、環状フレームＦに当接することにより搬入アーム１２Ａに対して上方に若干相対移動する。そして、吸引パッド１１Ａが環状フレームＦに当接することにより作動ロッド１３Ａの下降が停止させられると共に、吸引パッド１１Ａに連結された図示しないバキューム分配器を介して負圧が供給され、吸引パッド１１ＡにフレームＦを介して半導体ウエーハＷ１が吸引固定される。 If the semiconductor wafer W1 is temporarily placed on the two support rails 83A of the first temporary placement means 8A, as shown in FIG. 10 (for convenience of explanation, the transfer arm 91A is omitted in FIG. 10). , The elevating means 14A of the first carrying-in means 10A is operated to lower the operating rod 13A. A carry-in arm 12A having a suction pad 11A arranged at the tip thereof is connected to the upper end of the actuating rod 13A, and when the actuating rod 13A is lowered, the suction pad 11A provided at the tip end portion of the carry-in arm 12A is connected. It abuts on the annular frame F that supports the semiconductor wafer W1 temporarily placed on the first temporary placement means 8A. As described above, the suction pad 11A is urged downward by a coil spring (not shown), and by abutting on the annular frame F, the suction pad 11A moves slightly upward with respect to the carry-in arm 12A. Then, the suction pad 11A comes into contact with the annular frame F to stop the descent of the operating rod 13A, and a negative pressure is supplied to the suction pad 11A via a vacuum distributor (not shown) connected to the suction pad 11A. The semiconductor wafer W1 is suction-fixed via the frame F.

吸引パッド１１Ａに対して半導体ウエーハＷ１が吸引固定されたならば、図１１に示すように、第一の仮置手段８Ａの移動手段８２Ａを作動させて、二つの支持レール８３Ａの間隔を環状フレームＦの外径幅よりも広げる。そして、作動ロッド１３Ａをさらに下降させて、着脱領域に位置付けられている第一のチャックテーブル３５Ａの上面に吸引パッド１１Ａに保持された半導体ウエーハＷ１を載置し、吸引パッド１１Ａに供給していた負圧の供給を遮断すると共に、作動ロッド１３Ａを図９に示す待機位置まで上昇させる。このようにして半導体ウエーハＷ１を第一のチャックテーブル３５Ａ上に載置したならば、図示しない吸引手段を作動することにより、第一のチャックテーブル３５Ａの上面に保護テープＴを介して半導体ウエーハＷを吸引保持する。そして、第一のチャックテーブル３５Ａの上面に半導体ウエーハＷ１を吸引保持したならば、クランプを作動して、第一のチャックテーブル３５Ａに対して環状フレームＦを固定する（搬入工程）。 When the semiconductor wafer W1 is suction-fixed to the suction pad 11A, as shown in FIG. 11, the moving means 82A of the first temporary placement means 8A is operated to make the distance between the two support rails 83A an annular frame. Widen than the outer diameter width of F. Then, the operating rod 13A was further lowered, and the semiconductor wafer W1 held by the suction pad 11A was placed on the upper surface of the first chuck table 35A positioned in the attachment / detachment region and supplied to the suction pad 11A. The supply of negative pressure is cut off, and the operating rod 13A is raised to the standby position shown in FIG. When the semiconductor wafer W1 is placed on the first chuck table 35A in this way, the semiconductor wafer W is placed on the upper surface of the first chuck table 35A via the protective tape T by operating a suction means (not shown). Suction and hold. Then, when the semiconductor wafer W1 is sucked and held on the upper surface of the first chuck table 35A, the clamp is operated to fix the annular frame F to the first chuck table 35A (carrying step).

ここまで、第一のレーザー加工装置１Ａの搬送工程、搬入工程について説明したが、上記したように、第二のレーザー加工装置１Ｂは第一のレーザー加工装置１Ａと同様の構成を備えており、第二のレーザー加工装置１Ｂの搬送、搬入工程も、第一のレーザー加工装置１Ａと同様に実施されるものであるため、その説明については、省略する。 Up to this point, the transfer process and the carry-in process of the first laser processing device 1A have been described, but as described above, the second laser processing device 1B has the same configuration as the first laser processing device 1A. Since the transfer and carry-in steps of the second laser processing device 1B are also carried out in the same manner as the first laser processing device 1A, the description thereof will be omitted.

次に、図１２、図１３を参照しながら、第一のレーザー加工装置１Ａ、及び第二のレーザー加工装置１Ｂが協働することによって、被加工物（半導体ウエーハＷ１、Ｗ２）上の個々のデバイス１００に対応してＤＡＦを分割する構成について説明する。 Next, with reference to FIGS. 12 and 13, the first laser processing apparatus 1A and the second laser processing apparatus 1B cooperate with each other to individually perform the individual on the workpiece (semiconductor wafers W1 and W2). A configuration for dividing the DAF corresponding to the device 100 will be described.

第一のレーザー加工装置１Ａの搬送工程、搬入工程が完了し、第一のチャックテーブル３５Ａに半導体ウエーハＷ１を固定したならば、第一の保持手段３Ａを構成する第一のＸ軸送り手段６１Ａを作動して、第一のチャックテーブル３５Ａをレーザー光線照射手段５の第一の集光器５１Ａ、及び第一の撮像手段６Ａが上方に配設された加工領域に移動させる。図１２に示すように、制御装置２０は、制御手段２１、及び補正値記録手段２２を備え、第一のレーザー加工装置１Ａ，及び第二のレーザー加工装置１Ｂを制御する。制御手段２１は、レーザー光線照射手段５、及び第一のＸ軸送り手段６１Ａ、第一のＹ軸送り手段６２Ａ、第二のＸ軸送り手段６１Ｂ、及び第二のＹ軸送り手段６２Ｂの作動を制御する。補正値記録手段２２は、第一の座標記録手段２２Ａと、第二の座標記録手段２２Ｂを備える。そして、制御手段２１は、第一の座標記録手段２２Ａ、及び第二の座標記録手段２２Ｂに記録された補正値を参照してＤＡＦを分割するように構成されている。 When the transfer process and the carry-in process of the first laser processing apparatus 1A are completed and the semiconductor wafer W1 is fixed to the first chuck table 35A, the first X-axis feed means 61A constituting the first holding means 3A Is operated to move the first chuck table 35A to the processing region where the first condenser 51A of the laser beam irradiating means 5 and the first imaging means 6A are arranged above. As shown in FIG. 12, the control device 20 includes a control means 21 and a correction value recording means 22 to control the first laser processing device 1A and the second laser processing device 1B. The control means 21 operates the laser beam irradiating means 5, the first X-axis feeding means 61A, the first Y-axis feeding means 62A, the second X-axis feeding means 61B, and the second Y-axis feeding means 62B. Control. The correction value recording means 22 includes a first coordinate recording means 22A and a second coordinate recording means 22B. The control means 21 is configured to divide the DAF with reference to the correction values recorded in the first coordinate recording means 22A and the second coordinate recording means 22B.

第一の座標記録手段２２Ａ、及び第二の座標記録手段２２Ｂの作用についてより具体的に説明する。 The operation of the first coordinate recording means 22A and the second coordinate recording means 22B will be described more specifically.

図１３は、補正値記録手段２２に記憶される半導体ウエーハＷ１、Ｗ２の補正値について説明するための概念図である。半導体ウエーハＷ１、Ｗ２に形成されたデバイス１００は、予め個々に分割されており、デバイス１００の間には、隙間１１０が形成されている。ＤＡＦの上面に半導体ウエーハＷ１、Ｗ２が配設されていることから、図１３の右上方に半導体ウエーハＷ１、Ｗ２の一部を拡大して示すように、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線（拡大部分において一点鎖線Ｌ１〜Ｌ４で示す。）が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行している。また、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２においても、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０と同様に第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０も蛇行している。この半導体ウエーハＷ１、Ｗ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する全ての隙間１１０の中心を結ぶ線を、Ｘ軸方向に位置付けて検出することにより、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。この補正値は、半導体ウエーハＷ１、Ｗ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行しないと想定した場合の設計上の隙間の中心線の座標位置に対するずれ量である。 FIG. 13 is a conceptual diagram for explaining the correction values of the semiconductor wafers W1 and W2 stored in the correction value recording means 22. The devices 100 formed in the semiconductor wafers W1 and W2 are individually divided in advance, and a gap 110 is formed between the devices 100. Since the semiconductor wafers W1 and W2 are arranged on the upper surface of the DAF, a gap extending in the first direction D1 is shown by enlarging a part of the semiconductor wafers W1 and W2 on the upper right side of FIG. The line connecting the centers of 110 (indicated by the alternate long and short dash line L1 to L4 in the enlarged portion) meanders in the X coordinate (X1 to Xn) in the X axis direction with respect to the Y axis direction. Further, also in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1, the gap 110 extending in the second direction D2 is meandering as well as the gap 110 extending in the first direction D1. By positioning and detecting the line connecting the centers of all the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 on the semiconductor wafers W1 and W2 in the X-axis direction, the line in the X-axis direction is detected. The meandering in the Y-axis direction at the X coordinates (X1 to Xn) is calculated as the correction value of the Y coordinates (Y1 to Ym). This correction value is such that the line connecting the centers of the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 on the semiconductor wafers W1 and W2 is Y at the X coordinates (X1 to Xn) in the X axis direction. It is the amount of deviation from the coordinate position of the center line of the design gap when it is assumed that it does not meander in the axial direction.

半導体ウエーハＷ１には、図１３に示すように、半導体ウエーハＷ１の方向を規定するためのノッチＮが形成されており、ノッチＮを基準として、第一の方向Ｄ１と、第一の方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２が規定される。第一のチャックテーブル３５Ａに保持された半導体ウエーハＷ１は、第一のＸ軸移動手段６１Ａにより第一の撮像手段６Ａの下方に移動させられた後、第一のチャックテーブル３５Ａを適宜回転させることにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０をＸ軸方向に位置付ける。そして、第一の撮像手段６Ａによって半導体ウエーハＷ１を撮像することにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０を検出する。 As shown in FIG. 13, a notch N for defining the direction of the semiconductor wafer W1 is formed in the semiconductor wafer W1, and the first direction D1 and the first direction D1 are formed with the notch N as a reference. The orthogonal direction D2 is defined. The semiconductor wafer W1 held on the first chuck table 35A is moved below the first image pickup means 6A by the first X-axis moving means 61A, and then the first chuck table 35A is appropriately rotated. Therefore, the gap 110 extending in the first direction D1 is positioned in the X-axis direction. Then, the semiconductor wafer W1 is imaged by the first image pickup means 6A to detect the gap 110 extending in the first direction D1.

第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０のＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として算出したならば、第一のチャックテーブル３５Ａを図中矢印Ｒで示す方向に９０度回転し、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０をＸ軸方向に位置付ける。そして、第一の撮像手段６Ａにより第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０を検出し、第一の方向Ｄ１と同様に、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）におけるＹ軸方向の蛇行を、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０に関するＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。このようにして、半導体ウエーハＷ１について、第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の全てについてのＹ軸方向における補正値を算出する。これら補正値は、半導体ウエーハＷ１に関する補正値として、第一の座標記録手段２２Ａを構成するメモリに記録される。 If the meandering of the gap 110 extending in the first direction D1 in the Y-axis direction is calculated as the correction value of the Y coordinate, the first chuck table 35A is rotated 90 degrees in the direction indicated by the arrow R in the figure, and the first chuck table 35A is rotated 90 degrees. The gap 110 extending in the second direction D2 orthogonal to the one direction D1 is positioned in the X-axis direction. Then, the first imaging means 6A detects the gap 110 extending in the second direction D2, and similarly to the first direction D1, meandering in the Y-axis direction at the X coordinates (X1 to Xn) in the X-axis direction. Is calculated as a correction value of the Y coordinates (Y1 to Ym) with respect to the gap 110 extending in the second direction D2. In this way, for the semiconductor wafer W1, the correction values in the Y-axis direction for all the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 are calculated. These correction values are recorded in the memory constituting the first coordinate recording means 22A as correction values for the semiconductor wafer W1.

半導体ウエーハＷ１について検出された補正値が、第一の座標記録手段２２Ａに記録されたならば、個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割するレーザー加工を実施する。なお、一般的なレーザー加工においては、レーザー光線の照射を実施する前に、半導体ウエーハＷ１のレーザー加工すべき位置と、レーザー光線照射手段５の第一の集光器５１Ａとの位置合わせをすべくアライメント工程を遂行するが、本実施形態では、半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在している隙間１１０の蛇行を検出し、補正値として第一の座標記録手段２２Ａに記録していることから、ここでは、アライメント工程は省略することができる。 If the correction value detected for the semiconductor wafer W1 is recorded in the first coordinate recording means 22A, laser machining for dividing the DAF corresponding to each device is performed. In general laser processing, before irradiating the laser beam, the position to be laser-processed on the semiconductor wafer W1 is aligned with the first condenser 51A of the laser beam irradiating means 5. The process is performed, but in the present embodiment, the meandering of the gap 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 of the semiconductor wafer W1 is detected, and the first coordinate recording means is used as a correction value. Since it is recorded at 22A, the alignment step can be omitted here.

以上のようにして、第一のチャックテーブル３５Ａ上に保持された半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在している隙間１１０の蛇行を検出し、その補正値を第一の座標記録手段２２Ａに記録したならば、第一のＸ軸移動手段６１Ａ、及び第一のＹ軸移動手段６２Ａを作動して、半導体ウエーハＷ１のＸ軸方向に延在する所定の隙間１１０の一端を第一の集光器５１Ａの直下に位置付ける。ここで、第一のチャックテーブル３５Ａ上に保持された半導体ウエーハＷ１に対してレーザー加工を実施すべく、図３に示すレーザー光線照射手段５の光学系において、光路切換用の移動ミラー５４を実線で示す位置に設定する。これにより、レーザー光線発振手段５２において発振されたレーザー光線ＬＢ１が第一の集光器５１Ａ側に導かれる。 As described above, the meandering of the gap 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 of the semiconductor wafer W1 held on the first chuck table 35A is detected, and the correction value thereof is detected. Is recorded in the first coordinate recording means 22A, the first X-axis moving means 61A and the first Y-axis moving means 62A are operated to extend the semiconductor wafer W1 in the X-axis direction. One end of the gap 110 is positioned directly below the first condenser 51A. Here, in order to perform laser processing on the semiconductor wafer W1 held on the first chuck table 35A, in the optical system of the laser beam irradiating means 5 shown in FIG. 3, the moving mirror 54 for optical path switching is shown by a solid line. Set to the indicated position. As a result, the laser beam LB1 oscillated by the laser beam oscillating means 52 is guided to the first condenser 51A side.

第一の集光器５１Ａに導かれたレーザー光線ＬＢ１は、第一の集光器５１Ａの図示しない集光レンズによって集光され、レーザー光線ＬＢ１の集光スポットは、半導体ウエーハＷ１の裏面に配設されたＤＡＦに合わせられる。次いで、制御手段２１の作用により、第一の集光器５１ＡからＤＡＦを分割する波長のレーザー光線ＬＢ１を照射しつつ、第一のＸ軸送り手段６１Ａを作動して第一のチャックテーブル３５Ａを図１２におけるＸ軸方向に所定の速度で移動させる。このとき、制御手段２１は、現在加工している隙間１１０の蛇行状態を補正値として記録している第一の座標記録手段２２Ａを参照する。そして、第一のチャックテーブル３５ＡをＸ軸方向に移動させつつ、レーザー光線ＬＢ１の照射位置が、レーザー加工中の隙間１１０の中心を通るように、補正送り手段として機能する第一のＹ軸送り手段６２Ａに対して制御信号を出力し、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向のＹ座標位置を補正する補正送りを実施する。 The laser beam LB1 guided to the first condenser 51A is focused by a condenser lens (not shown) of the first condenser 51A, and the focusing spot of the laser beam LB1 is arranged on the back surface of the semiconductor wafer W1. It can be adjusted to the DAF. Next, by the action of the control means 21, the first X-axis feeding means 61A is operated while irradiating the laser beam LB1 having a wavelength that divides the DAF from the first condenser 51A, and the first chuck table 35A is shown. 12 is moved in the X-axis direction at a predetermined speed. At this time, the control means 21 refers to the first coordinate recording means 22A that records the meandering state of the gap 110 currently being machined as a correction value. Then, while moving the first chuck table 35A in the X-axis direction, the first Y-axis feeding means that functions as a correction feeding means so that the irradiation position of the laser beam LB1 passes through the center of the gap 110 during laser processing. A control signal is output to 62A, and a correction feed for correcting the Y coordinate position in the Y-axis direction of the first chuck table 35A is performed.

第一のチャックテーブル３５ＡのＹ座標位置を補正する補正送りを実施しながら、レーザー光線照射手段５によってレーザー光線ＬＢ１を照射し、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０の他端が第一の集光器５１Ａの直下位置に達したならば、レーザー光線ＬＢ１の照射を停止するとともに、第一のチャックテーブル３５Ａの移動を停止する。この結果、半導体ウエーハＷ１の裏面に配節されたＤＡＦが、レーザー光線ＬＢ１が照射された隙間１１０の中心に沿って分割される。一つの隙間１１０に対してこのようなレーザー加工を実施したならば、第一のＹ軸送り手段６２Ａにより第一のチャックテーブル３５ＡをＹ軸方向に対して割り出し送りし、隣接する未加工の隙間１１０に対して、さらに第一の方向Ｄ１に沿ったレーザー加工を実施する。このような加工を第一の方向Ｄ１に沿って繰り返すことにより、半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１における全ての隙間１１０に対してレーザー加工を実施する。第一の方向Ｄ１における全ての隙間１１０に対してレーザー加工を実施したならば、第一のチャックテーブル３５Ａを９０度回転させて、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０を、Ｘ軸方向に位置付ける。そして、第二の方向Ｄ２に延在する全ての隙間１１０に対して、上記した第一の方向Ｄ１において実施したレーザー加工と同様の加工を実施する。これにより、すべての隙間１１０に対するレーザー加工が実施され、半導体ウエーハＷ１の裏面に配設されたＤＡＦが、個々のデバイス１００に対応して分割される（第一のレーザー加工工程）。 While performing correction feed to correct the Y coordinate position of the first chuck table 35A, the laser beam LB1 is irradiated by the laser beam irradiating means 5, and the other end of the gap 110 extending in the first direction D1 is the first collection. When the position directly below the optical device 51A is reached, the irradiation of the laser beam LB1 is stopped and the movement of the first chuck table 35A is stopped. As a result, the DAF arranged on the back surface of the semiconductor wafer W1 is divided along the center of the gap 110 irradiated with the laser beam LB1. If such laser machining is performed on one gap 110, the first chuck table 35A is indexed and fed in the Y-axis direction by the first Y-axis feeding means 62A, and the adjacent unmachined gap is fed. Laser machining is further performed on the 110 along the first direction D1. By repeating such processing along the first direction D1, laser processing is performed on all the gaps 110 in the first direction D1 of the semiconductor wafer W1. If laser machining is performed on all the gaps 110 in the first direction D1, the first chuck table 35A is rotated 90 degrees, and the gaps 110 extending in the second direction D2 are formed in the X-axis direction. Positioned in. Then, the same processing as the laser processing performed in the first direction D1 described above is performed on all the gaps 110 extending in the second direction D2. As a result, laser processing is performed on all the gaps 110, and the DAF disposed on the back surface of the semiconductor wafer W1 is divided according to the individual device 100 (first laser processing step).

上記した第一のレーザー加工工程は、例えば、以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：３．０Ｗ
加工送り速度 ：２５０ｍｍ／秒 The above-mentioned first laser processing step can be carried out under the following processing conditions, for example.
Wavelength of laser beam: 355 nm
Repeat frequency: 50kHz
Average output: 3.0W
Machining feed rate: 250 mm / sec

上記した第一のレーザー加工工程、すなわち、第一の座標記録手段２２Ａに記録された補正値を参照しながら、第一の保持手段３Ａに保持された半導体ウエーハＷ１にレーザー光線ＬＢ１を照射して第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０のＤＡＦを切断する加工を実施している最中に、第二の座標記録手段２２Ｂを作動して、第二の保持手段３Ｂに保持される半導体ウエーハＷ２の第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０に関する補正値と、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０に関する補正値を記録する。より具体的には、まず、第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて、上記した第一のレーザー加工装置１Ａにおいて実施した搬送、搬入工程と同様の工程を実施する。これにより、半導体ウエーハＷ２が保持された第二のチャックテーブル３５Ｂが第二のレーザー加工装置１Ｂにおける第二の撮像手段６Ｂの下方に位置付けられる。半導体ウエーハＷ２には、半導体ウエーハＷ１と同様に、半導体ウエーハＷ２の方向を規定するためのノッチＮが形成されており、ノッチＮを基準として、半導体ウエーハＷ２上における第一の方向Ｄ１と、第一の方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２が規定される。第二のチャックテーブル３５Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２が第二の撮像手段６Ｂの下方に移動させられた後、第二のチャックテーブル３５Ｂを適宜回転させることにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０がＸ軸方向に位置付けられる。そして、第二の撮像手段６Ｂによって半導体ウエーハＷ２を撮像することにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０を検出する。 The semiconductor wafer W1 held in the first holding means 3A is irradiated with the laser beam LB1 while referring to the first laser processing step described above, that is, the correction value recorded in the first coordinate recording means 22A. While the processing for cutting the DAF of the gap 110 extending in the one direction D1 and the second direction D2 is being carried out, the second coordinate recording means 22B is operated to operate the second holding means 3B. The correction value for the gap 110 extending in the first direction D1 and the correction value for the gap 110 extending in the second direction D2 are recorded. More specifically, first, in the second laser processing device 1B, the same steps as the transfer and carry-in steps carried out in the first laser processing device 1A described above are carried out. As a result, the second chuck table 35B on which the semiconductor wafer W2 is held is positioned below the second image pickup means 6B in the second laser processing apparatus 1B. Similar to the semiconductor wafer W1, the semiconductor wafer W2 is formed with a notch N for defining the direction of the semiconductor wafer W2, and the first direction D1 and the first direction D1 on the semiconductor wafer W2 are formed with the notch N as a reference. A direction D2 orthogonal to one direction D1 is defined. After the semiconductor wafer W2 held by the second chuck table 35B is moved below the second imaging means 6B, the second chuck table 35B is appropriately rotated to extend in the first direction D1. The gap 110 is positioned in the X-axis direction. Then, the semiconductor wafer W2 is imaged by the second image pickup means 6B to detect the gap 110 extending in the first direction D1.

半導体ウエーハＷ２に形成されたデバイスは、予め個々に分割された後、裏面側にＤＡＦが配設されていることから、図１３の右上方に半導体ウエーハＷ２の一部を拡大して示すように、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線（拡大部分において一点鎖線Ｌ１〜Ｌ４で示す。）が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行している。これは、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２についても同様であり、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０も蛇行している。この半導体ウエーハＷ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する全ての隙間１１０を、Ｘ軸方向に位置付けて検出することにより、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）における隙間１１０のＹ軸方向の蛇行をＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。この補正値は、半導体ウエーハＷ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行しないと想定した場合の設計上の隙間の中心線の座標に対する補正値として検出することができる。 Since the devices formed on the semiconductor wafer W2 are individually divided in advance and then the DAF is arranged on the back surface side, a part of the semiconductor wafer W2 is enlarged and shown in the upper right of FIG. , The line connecting the center of the gap 110 extending in the first direction D1 (indicated by the alternate long and short dash line L1 to L4 in the enlarged portion) is the X coordinate (X1 to Xn) in the X-axis direction with respect to the Y-axis direction. It is meandering. This also applies to the second direction D2 orthogonal to the first direction D1, and the gap 110 extending in the second direction D2 also meanders. By positioning and detecting all the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 on the semiconductor wafer W2 in the X-axis direction, the X coordinates (X1 to Xn) in the X-axis direction are detected. The meandering of the gap 110 in the Y-axis direction is calculated as a correction value of the Y coordinates (Y1 to Ym). This correction value is such that the line connecting the centers of the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 on the semiconductor wafer W2 is in the Y-axis direction at the X coordinates (X1 to Xn) in the X-axis direction. It can be detected as a correction value for the coordinates of the center line of the design gap when it is assumed that it does not meander.

半導体ウエーハＷ２の第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０のＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として算出したならば、第二のチャックテーブル３５Ｂを図中矢印Ｒで示す方向に９０度回転し、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０をＸ軸方向に位置付ける。そして、第二の撮像手段６Ｂにより第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０を検出し、第一の方向Ｄ１と同様に、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）におけるＹ軸方向の蛇行を第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０に関するＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。このようにして、半導体ウエーハＷ２の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在するすべての隙間１１０についてのＹ軸方向における補正値を算出したならば、第二の座標記録手段２２Ｂを構成するメモリに記録される。 If the meandering in the Y-axis direction of the gap 110 extending in the first direction D1 of the semiconductor wafer W2 is calculated as the correction value of the Y coordinate, the second chuck table 35B is 90 degrees in the direction indicated by the arrow R in the figure. The gap 110 that rotates and extends in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1 is positioned in the X-axis direction. Then, the second imaging means 6B detects the gap 110 extending in the second direction D2, and similarly to the first direction D1, meandering in the Y-axis direction at the X coordinates (X1 to Xn) in the X-axis direction. Is calculated as a correction value of the Y coordinates (Y1 to Ym) with respect to the gap 110 extending in the second direction D2. In this way, if the correction values in the Y-axis direction for all the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 of the semiconductor wafer W2 are calculated, the second coordinate recording means 22B It is recorded in the memory that composes.

上記したように、第一の保持手段３Ａに保持された半導体ウエーハＷ１にレーザー光線ＬＢ１を照射して第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０のＤＡＦを切断している最中に、第二の保持手段３Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２における隙間１１０の蛇行を検出し、レーザー加工時に必要となるＹ座標の補正値が第二の座標記録手段２２Ｂを構成するメモリに記録される。これにより、第一のレーザー加工工程が完了した後、直ぐに第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて、半導体ウエーハＷ２に対するレーザー加工（第二のレーザー加工工程）を開始することができる。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂにおけるレーザー加工が実施される際には、図３に示すレーザー光線照射手段５において、移動ミラー５４が点線で示す位置（移動ミラー５４’で示す。）に移動させられる。これにより、第二の座標記録手段２２Ｂに記録されたＹ座標の補正値を参照しながら、第二の保持手段３Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２にレーザー光線ＬＢ２を照射することが可能になり、第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の中央を通る線上でＤＡＦを切断することができる。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて半導体ウエーハＷ２を、個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する第二のレーザー加工工程は、上記した第一のレーザー加工工程と同様の手順により実施されるものであるため、ここでは、その詳細については省略する。 As described above, the semiconductor wafer W1 held by the first holding means 3A is irradiated with the laser beam LB1 to cut the DAF of the gap 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2. During the process, the meandering of the gap 110 in the semiconductor wafer W2 held by the second holding means 3B is detected, and the correction value of the Y coordinate required for laser processing is stored in the memory constituting the second coordinate recording means 22B. Recorded. Thereby, immediately after the first laser processing step is completed, the laser processing (second laser processing step) for the semiconductor wafer W2 can be started in the second laser processing apparatus 1B. When the laser processing in the second laser processing apparatus 1B is performed, the moving mirror 54 is moved to the position indicated by the dotted line (indicated by the moving mirror 54') in the laser beam irradiating means 5 shown in FIG. Be done. This makes it possible to irradiate the semiconductor wafer W2 held in the second holding means 3B with the laser beam LB2 while referring to the correction value of the Y coordinate recorded in the second coordinate recording means 22B. The DAF can be cut on a line passing through the center of the gap 110 extending in one direction D1 and the second direction D2. The second laser machining step of dividing the semiconductor wafer W2 into the DAF corresponding to each device in the second laser machining apparatus 1B is carried out by the same procedure as the first laser machining step described above. Since it is a thing, the details will be omitted here.

第一のレーザー加工装置１Ａにおいて、半導体ウエーハＷ１の個々のデバイスに対応してＤＡＦが分割され、次いで、第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて半導体ウエーハＷ２に対する第二のレーザー加工工程が開始されたならば、上記した第一のレーザー加工装置１Ａの搬送、搬入工程の逆動作を行うことにより、加工済みの半導体ウエーハＷ１が第一のカセット７０Ａの所定の位置に収容される。それに続き、第一のカセット７０Ａに収容されている他の未加工の半導体ウエーハＷ１に対して加工を行うべく、上記した搬送、搬入工程を実施する。そして、上記した第二のレーザー加工工程を実施している最中に、新たな半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在するすべての隙間１１０についてＹ座標の補正値を算出し、これら補正値を、半導体ウエーハＷ１に関する補正値として、第一の座標記録手段２２Ａを構成するメモリに記録する。これにより、第二のレーザー加工装置１Ｂによって第二のレーザー加工工程が実施され、半導体ウエーハＷ２に対するレーザー加工が完了したならば、直ぐに第一のレーザー加工装置１Ａにおいて、新たな半導体ウエーハＷ１に対するレーザー加工が実施される。 If the DAF is divided corresponding to the individual devices of the semiconductor wafer W1 in the first laser machining apparatus 1A, and then the second laser machining step for the semiconductor wafer W2 is started in the second laser machining apparatus 1B. For example, by performing the reverse operation of the transfer and carry-in steps of the first laser processing apparatus 1A described above, the processed semiconductor wafer W1 is accommodated in a predetermined position of the first cassette 70A. Subsequently, the above-mentioned transport and carry-in steps are carried out in order to process the other raw semiconductor wafer W1 housed in the first cassette 70A. Then, during the second laser processing step described above, the Y coordinate is corrected for all the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 of the new semiconductor wafer W1. The values are calculated, and these correction values are recorded in the memory constituting the first coordinate recording means 22A as the correction values for the semiconductor wafer W1. As a result, when the second laser processing step is carried out by the second laser processing apparatus 1B and the laser processing on the semiconductor wafer W2 is completed, the laser on the new semiconductor wafer W1 is immediately performed by the first laser processing apparatus 1A. Processing is carried out.

上記した実施形態によれば、第一のレーザー加工装置１Ａ、及び第二のレーザー加工装置１Ｂのいずれか一方のレーザー加工装置においてレーザー加工が実施されている最中に、他方のレーザー加工装置において、未加工の新たな半導体ウエーハの第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在するすべての隙間１１０についてのＹ軸方向における補正値が算出され、この補正値を第一の座標記録手段２２Ａ、第二の座標記録手段２２Ｂを構成するメモリに記録することができる。これにより、いずれか一方のレーザー加工装置によるレーザー加工が完了した後に、他方のレーザー加工装置におけるレーザー加工をすぐに開始することができ、生産効率が極めて良好である。 According to the above-described embodiment, while laser machining is being performed in one of the laser machining devices 1A and the second laser machining device 1B, the other laser machining device , The correction value in the Y-axis direction for all the gaps 110 extending in the first direction D1 and the second direction D2 of the new raw semiconductor wafer is calculated, and this correction value is recorded in the first coordinate. It can be recorded in the memory constituting the means 22A and the second coordinate recording means 22B. As a result, after the laser processing by one of the laser processing devices is completed, the laser processing in the other laser processing device can be started immediately, and the production efficiency is extremely good.

上記した実施形態の加工装置１においては、レーザー光線照射手段５に備えられた１つのレーザー光線発振手段５２によって発振されるレーザー光線ＬＢを、移動ミラー５４の移動により第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂのいずれかに分岐してレーザー光線ＬＢ１、ＬＢ２を照射するように構成されていることから、高額なレーザー光線発振手段５２を複数備えることなく、連続的にレーザー加工の実施が可能な、生産効率の高い加工装置を提供することができる。 In the processing apparatus 1 of the above-described embodiment, the laser beam LB oscillated by one laser beam oscillating means 52 provided in the laser beam irradiating means 5 is transferred to the first concentrator 51A and the second concentrator 51A by moving the moving mirror 54. Since it is configured to branch to any of the condensers 51B and irradiate the laser beams LB1 and LB2, it is possible to continuously perform laser processing without providing a plurality of expensive laser beam oscillating means 52. , It is possible to provide a processing apparatus with high production efficiency.

本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる範囲で種々の変形例が提供される。例えば、上記した実施形態では、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂに対して第一の集光器５１Ａ、第二の集光器５１ＢをＸ軸方向に相対的に加工送りする加工送り手段として、第一のＸ軸送り手段６１Ａ、第二のＸ軸送り手段６１Ｂを配設したが、これに限定されず、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂ側に、加工送り手段を配設し、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂに対して、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂを加工送りするように構成してもよい。これと同様に、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂに対して第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１ＢをＸ軸方向に直交するＹ軸方向に相対的に補正送りする補正送り手段を、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂ側に配設することもできる。 According to the present invention, various modifications are provided within the scope of the technical scope of the present invention, not limited to the above-described embodiment. For example, in the above-described embodiment, the first concentrator 51A and the second concentrator 51B are machined and fed relative to the first holding means 3A and the second holding means 3B in the X-axis direction. The first X-axis feeding means 61A and the second X-axis feeding means 61B are arranged as the processing feeding means, but the present invention is not limited to this, and the first concentrator 51A and the second concentrator are the second concentrator. A processing feeding means is arranged on the 51B side, and the first concentrator 51A and the second concentrator 51B are processed and fed to the first holding means 3A and the second holding means 3B. It may be configured as follows. Similarly, the first light collector 51A and the second light collector 51B are relative to the first holding means 3A and the second holding means 3B in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction. The correction feed means for performing correction feed can also be arranged on the side of the first light collector 51A and the second light collector 51B.

また、上記実施形態に係る加工装置１に配設されたレーザー光線照射手段５では、出力を調整するためのアッテネータ５３を、移動ミラー５４の上流側に配設したが、これに限定されず、例えば、移動ミラー５４で反射せずに直進した後のレーザー光線ＬＢ１の光路上、及び移動ミラー５４’にて反射した後のレーザー光線ＬＢ２の光路上のそれぞれに、アッテネータを配設し、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂに導かれるレーザー光線ＬＢ１、及びＬＢ２を、異なる出力になるように調整することもできる。これにより、第一の保持手段３Ａに保持された半導体ウエーハＷ１と、第二の保持手段３Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２とに対して、異なるレーザー加工条件による加工を施すことも可能である。 Further, in the laser beam irradiating means 5 arranged in the processing apparatus 1 according to the above embodiment, the attenuator 53 for adjusting the output is arranged on the upstream side of the moving mirror 54, but the present invention is not limited to this, for example. Attenuators are arranged on the optical path of the laser beam LB1 after traveling straight without being reflected by the moving mirror 54 and on the optical path of the laser beam LB2 after being reflected by the moving mirror 54', respectively, and the first focusing is performed. The laser beams LB1 and LB2 guided to the device 51A and the second light collector 51B can also be adjusted to have different outputs. Thereby, it is possible to process the semiconductor wafer W1 held by the first holding means 3A and the semiconductor wafer W2 held by the second holding means 3B under different laser processing conditions.

１：加工装置
１Ａ：第一のレーザー加工装置
１Ｂ：第二のレーザー加工装置
２：静止基台
３Ａ：第一の保持手段
３Ｂ：第二の保持手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
７Ａ：第一のカセットテーブル
７Ｂ：第二のカセットテーブル
８Ａ：第一の仮置手段
８Ｂ：第二の仮置手段
９Ａ：第一の搬送手段
９Ｂ：第二の搬送手段
１０Ａ：第一の搬入手段
１０Ｂ：第二の搬入手段
２０：制御装置
２１：制御手段
２２：補正値記録手段
２２Ａ：第一の座標記録手段
２２Ｂ：第二の座標記録手段
３１Ａ、３１Ｂ：移動基台
３２Ａ、３２Ｂ：滑動ブロック
３３Ａ、３３Ｂ：円筒部材
３４Ａ、３４Ｂ：カバーテーブル
３５Ａ：第一のチャックテーブル
３５Ｂ：第二のチャックテーブル
３６Ａ、３６Ｂ：吸着チャック
５１Ａ：第一の集光器
５１Ｂ：第二の集光器
５２：レーザー光線発振手段
５４、５４’：移動ミラー
６１Ａ：第一のＸ軸送り手段
６１Ｂ：第二のＸ軸送り手段
６２Ａ：第一のＹ軸送り手段
６２Ｂ：第二のＹ軸送り手段
７０Ａ：第一のカセット
７０Ｂ：第二のカセット
１００：デバイス
１１０：隙間
Ｗ１、Ｗ２：半導体ウエーハ 1: Processing device 1A: First laser processing device 1B: Second laser processing device 2: Stationary base 3A: First holding means 3B: Second holding means 4: Laser beam irradiation unit 5: Laser beam irradiation means 7A : First cassette table 7B: Second cassette table 8A: First temporary placement means 8B: Second temporary placement means 9A: First transport means 9B: Second transport means 10A: First carry-in means 10B: Second carry-in means 20: Control device 21: Control means 22: Correction value recording means 22A: First coordinate recording means 22B: Second coordinate recording means 31A, 31B: Moving base 32A, 32B: Sliding block 33A, 33B: Cylindrical member 34A, 34B: Cover table 35A: First chuck table 35B: Second chuck table 36A, 36B: Suction chuck 51A: First concentrator 51B: Second concentrator 52: Laser beam oscillating means 54, 54': Moving mirror 61A: First X-axis feeding means 61B: Second X-axis feeding means 62A: First Y-axis feeding means 62B: Second Y-axis feeding means 70A: First Cassette 70B: Second cassette 100: Device 110: Gap W1, W2: Semiconductor waiver

Claims (2)

ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び該第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する加工装置であって、
被加工物を保持する第一の保持手段と、該第一の保持手段に隣接して配設され被加工物を保持する第二の保持手段と、
該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、
該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、
該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に相対的に補正送りする補正送り手段と、
該第一の保持手段に保持された被加工物を撮像する第一の撮像手段と、
該第二の保持手段に保持された被加工物を撮像する第二の撮像手段と、
該第一の保持手段に保持された被加工物を該第一の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第一の座標記録手段と、
該第二の保持手段に保持された被加工物を該第二の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第二の座標記録手段と、
を備え、
該第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第一の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第二の座標記録手段を作動して該第二の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録し、該第二の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第一の座標記録手段を作動して該第一の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録する制御手段と、
から少なくとも構成される加工装置。 A work piece in which a plurality of devices are arranged on the upper surface of the DAF with a gap extending in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction corresponds to each device. A processing device that divides the DAF.
A first holding means for holding the work piece, a second holding means arranged adjacent to the first holding means and holding the work piece, and the like.
A laser beam irradiating means provided with a concentrator for irradiating the workpiece held by the first holding means and the second holding means with a laser beam.
A processing feed means for processing and feeding the concentrator relative to the first holding means and the second holding means in the X-axis direction.
A correction feed means for correcting and feeding the concentrator relative to the first holding means and the second holding means in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.
The first imaging means for imaging the workpiece held by the first holding means, and
A second imaging means for imaging the workpiece held by the second holding means, and
By imaging the workpiece held by the first holding means by the first imaging means, the gap extending in the first direction is positioned and detected in the X-axis direction, and X in the X-axis direction is detected. The meandering in the Y-axis direction in the coordinates is recorded as the correction value of the Y-coordinate, and the gap extending in the second direction is positioned and detected in the X-axis direction, and the meandering in the X-axis direction in the X-axis direction is detected. As the first coordinate recording means to record as the correction value of the Y coordinate,
By imaging the workpiece held by the second holding means by the second imaging means, the gap extending in the first direction is positioned and detected in the X-axis direction, and X in the X-axis direction is detected. The meandering in the Y-axis direction in the coordinates is recorded as the correction value of the Y-coordinate, and the gap extending in the second direction is positioned and detected in the X-axis direction, and the meandering in the X-axis direction in the X-axis direction is detected. As a second coordinate recording means for recording the Y coordinate as a correction value,
Equipped with
While referring to the correction value recorded in the first coordinate recording means, the workpiece held by the first holding means is irradiated with a laser beam and extends in the first direction and the second direction. While cutting the DAF of the gap, the second coordinate recording means is activated to obtain the correction value of the gap extending in the first direction of the workpiece held by the second holding means. , The correction value of the gap extending in the second direction is recorded, and the laser beam is applied to the workpiece held by the second holding means while referring to the correction value recorded by the second coordinate recording means. While cutting the DAF of the gap extending in the first direction and the second direction by irradiating the first coordinate recording means, the first coordinate recording means is activated and held by the first holding means. A control means for recording the correction value of the gap extending in the first direction of the workpiece and the correction value of the gap extending in the second direction.
Processing equipment composed of at least. 該加工送り手段は、
該第一の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第一のＸ軸送り手段と、該第二の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第二のＸ軸送り手段と、から構成され、
該補正送り手段は、
該第一の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第一のＹ軸送り手段と、
該第二の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第二のＹ軸送り手段と、
から構成される請求項１に記載の加工装置。 The processing feed means is
It is composed of a first X-axis feed means that processes and feeds the first holding means in the X-axis direction, and a second X-axis feed means that processes and feeds the second holding means in the X-axis direction.
The correction feeding means is
A first Y-axis feeding means for correcting and feeding the first holding means in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction,
A second Y-axis feeding means that corrects and feeds the second holding means in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction, and
The processing apparatus according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4478053B2 (en) * 2005-03-29 2010-06-09 株式会社ディスコ Semiconductor wafer processing method
JP2010064125A (en) * 2008-09-12 2010-03-25 Disco Abrasive Syst Ltd Laser beam machining apparatus
CN103959452A (en) * 2011-11-16 2014-07-30 应用材料公司 Laser scribing systems, apparatus and methods
JP6084111B2 (en) * 2013-05-09 2017-02-22 株式会社ディスコ Laser processing method
JP2017064743A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社ディスコ Laser processing device

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