JP6952606B2 - 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１５年４月２１日に提出された欧州出願第１５１６４３６２．４号、２０１５年５月２２日に提出された欧州出願第１５１６９０２３．７号、２０１５年１０月３０日に提出された欧州出願第１５１９２２９７．８号、及び２０１５年１２月１８日に提出された欧州出願第１５２０１０３０．２号の優先権を主張するものであり、これらは参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置とは、基板上に所望のパターンを適用するように構成された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用され得る。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）から基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）層にパターンを投影してもよい。

[0004] パターンを基板上に投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成されることのできるフィーチャの最小寸法を決定する。（例えば１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用し得る）従来のリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するためには、４乃至２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置が用いられ得る。

[0005] 基板上にパターンを投影するために用いられる放射ビームは、その基板に相当な量の熱を送出して、基板の局所的な加熱を引き起こすであろう。この加熱によって引き起こされる基板の局所的な膨張は、投影されるパターンが既に基板上に存在しているパターンの上に重なる精度を低減させる。

[0006] 上記で特定された課題又は従来技術に関連した何らかの他の課題に対処するリソグラフィ装置を提供するのが望ましいであろう。

[0007] 本発明の第１の態様によれば、パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成するように構成された投影システムを備えるリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は基板を冷却する冷却装置をさらに備えており、冷却装置は基板テーブルの上方に露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、冷却要素は基板テーブル上に保持された基板から熱を除去するように構成されている。

[0008] 冷却要素は、基板テーブル上に保持された基板と熱的に連通していてもよい。

[0009] 冷却要素によってもたらされる冷却は、露光エリアに近接した基板エリアにおける加熱を局所的に抑制する。そのエリアにおける加熱は基板テーブルのバール上での基板のスリップにつながる基板の膨張を引き起こすおそれがあり、するとパターンが基板上に投影される精度が低下するので、これは有利である。

[00010] 冷却要素は、露光エリアを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。

[00011] 冷却要素は、露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。

[00012] 冷却要素は、リソグラフィ装置のスキャン方向と略一致する方向で露光エリアから離れていてもよい。

[00013] 冷却要素は、露光エリアの両側に設けられた一対の冷却要素の一方であってもよい。

[00014] 冷却要素は、本体と、本体の最下面に設けられた開放空洞とを備えていてもよく、その空洞にガスを送出するように構成されたガス送出導管をさらに備える。ガス導管は、冷却要素の空洞内の圧力を制御することを可能にする。

[00015] 空洞は、基板の上面と併せて、ガス送出導管によって送出されたガスを受容する容積を形成するように構成されていてもよい。

[00016] リソグラフィ装置の非スキャン方向における冷却要素の空洞の範囲は、リソグラフィ装置の非スキャン方向における露光エリアの最大長以上であってもよい。

[00017] 空洞は、使用中の基板の上面から１ｍｍ未満の蓋部を有していてもよい。

[00018] 空洞蓋部は基板テーブルの平面と略平行であってもよい。

[00019] 空洞に送出されるガスの圧力と、空洞蓋部と基板表面との間隔との組み合わせは、基板の適応係数が基板から冷却要素本体への熱の伝達に有意な影響を有さないようなものであり得る。

[00020] 空洞蓋部は傾いていてもよく、蓋部はリソグラフィ装置のスキャン方向を横切って延びる軸を中心として傾斜している。

[00021] 冷却要素は、ガス送出導管に接続されたチャンバを含む本体を備えていてもよく、チャンバの床には開口が設けられている。

[00022] チャンバの床の開口は穴のアレイを備えていてもよい。

[00023] チャンバの床は多孔質材料から形成されてもよく、開口は多孔質材料の気孔であってもよい。

[00024] 冷却要素は、引込位置から展開位置へと移動可能な少なくとも１つのシャッタをさらに備えていてもよく、シャッタを引込位置から展開位置へと移動させると冷却要素の床のいくつかの開口が閉鎖される。

[00025] 少なくとも１つのシャッタは、シャッタが引込位置にあるときにはいずれの開口もシャッタによって閉鎖されないように構成されていてもよい。

[00026] 少なくとも１つのシャッタは、引込位置と展開位置との間の中間位置へと移動可能であってもよい。

[00027] 冷却要素は、チャンバの両側に設けられた追加的なチャンバを備えていてもよく、これらの追加的なチャンバは異なる１つ又は複数のガス送出導管に接続されている。

[00028] リソグラフィ装置は、チャンバへのガスの送出を制御するように構成された１つのバルブと、追加的なチャンバへのガスの送出を別個に制御するように構成された１つ以上のバルブとをさらに備えていてもよい。

[00029] 冷却要素の本体は、３ｍｍ以下の厚さを有していてもよい。

[00030] 冷却要素の本体は、露光エリアの縁部から３ｍｍ以下のところに配置されてもよい。

[00031] 冷却要素の本体は、リソグラフィ装置のスキャン方向で５ｍｍ未満の寸法をとる最下面を有していてもよい。

[00032] 冷却要素の本体は、放射ビームの方に向いた傾斜内面を有していてもよい。

[00033] 冷却要素は、冷却要素から熱を除去するように構成された除熱システムを含んでいてもよい。

[00034] 除熱システムは流体冷却システムであってもよい。

[00035] 除熱システムはペルチェ式クーラであってもよい。ペルチェ式クーラは、流体冷却システムと空洞との間に配置されてもよい。

[00036] 流体冷却システムは、ガスを冷却するように構成され冷却要素から遠隔に配置されているクーラと、冷却要素を冷却するために冷却されたガスを冷却要素に送出するように構成された入口導管と、冷却要素からガスを除去するように構成された出口導管とを備えていてもよい。

[00037] 入口導管及び出口はいずれも、冷却要素の移動に適応する可撓部を含んでいてもよい。

[00038] 入口導管には温度センサが設けられてもよく、出口導管には温度センサが設けられてもよい。

[00039] 装置は、１０リットル／分を上回る流量でガスを提供するように構成されたガス源をさらに備えていてもよい。

[00040] 装置は、２リットル／分未満の流量でガスを提供するように構成されたガス源をさらに備えていてもよい。

[00041] 除熱システムはクーラに接続されたヒートパイプを備えていてもよい。

[00042] ヒートパイプは、垂直方向よりも水平方向に大きい断面形状を有していてもよい。

[00043] ヒートパイプは、冷却要素の移動に適応する可撓部を含んでいてもよい。

[00044] ヒートパイプは、マイクロヒートパイプであってもよい。

[00045] 流体冷却システムは、ポンプと、コンデンサと、アキュムレータとを備える２相冷却システムであってもよい。

[00046] ２相冷却システムは、冷却要素に設けられた温度センサをさらに備えていてもよい。

[00047] 流体冷却システムは熱交換器に設けられた狭窄部を含んでいてもよく、狭窄部は、冷却要素を冷却するために用いられるガスを冷却するように構成されている。

[00048] 冷却要素にはヒータが設けられていてもよい。

[00049] 流体冷却システムと空洞との間にはペルチェ式クーラが配置されてもよい。

[00050] リソグラフィ装置は、２００パスカル以上の圧力でガスを送出するように構成されたガス供給をさらに備えていてもよい。ガス供給は１００ｋＰａ以上の圧力でガスを送出するように構成されていてもよい。ガス供給は約５００ｋＰａ又はそれよりも高い圧力でガスを送出するように構成されていてもよい。除熱にはどんな圧力でも適しているが、ガス圧を高めることによってガス密度が高められ、より高いガス密度では熱をより効率的に除去することができる。

[00051] 冷却要素は使用中の基板から２０ミクロン以上の間隔を有するように構成されていてもよい。

[00052] 冷却要素は使用中の基板から２００ミクロン以下の間隔を有するように構成されていてもよい。

[00053] 冷却要素は、冷却要素の下から外向きのガス流を提供するように構成されていてもよく、このガス流は冷却要素と基板との接触が発生するのを防止又は阻止するクッションとして作用する。

[00054] 冷却要素は、予期せぬ動きが検出された場合に冷却要素を基板から遠ざけるべく引っ張るように構成された引込機構を含むサポートに設けられてもよい。

[00055] 冷却要素は、液体の液滴を基板上に導くように配置されたノズルのアレイを備えていてもよい。

[00056] 冷却要素は、使用中の基板から５０ミクロン以上の間隔を有するように構成されていてもよい。

[00057] 冷却要素は、使用中の基板から１ミリメータ以上の間隔を有するように構成されていてもよい。

[00058] リソグラフィ装置の非スキャン方向における冷却要素のノズルのアレイの範囲は、リソグラフィ装置の非スキャン方向における露光エリアの最大長と等しいか又はそれより大きくてもよい。

[00059] ノズルのアレイは、冷却要素の底面全体にノズルが一様に分配されている二次元アレイであってもよい。

[00060] ノズルは、液体液滴におよそ数十ミクロン又はそれよりも小さい直径を与えるように構成されていてもよい。

[00061] 本発明の第２の態様によれば、パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成することと、冷却装置を用いて基板を冷却することと、を備えるリソグラフィ方法が提供され、冷却装置は基板テーブルの上方に露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、この冷却要素が基板から熱を除去するように作用する。

[00062] 冷却要素は、基板テーブル上に保持された基板と熱的に連通していてもよい。

[00063] 冷却要素は、露光エリアを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。

[00064] 冷却要素は、露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。

[00065] 冷却要素は、本体と、本体の最下面に設けられた開放空洞であって基板の上面と併せて容積を形成する開放空洞と、その容積にガスを送出するように構成されたガス送出導管とを備えていてもよい。

[00066] 空洞は、基板の上面から１ｍｍ未満の蓋部を有していてもよい。

[00067] 冷却要素は、ガス送出導管に接続されたチャンバを含む本体を備えていてもよく、チャンバの床には開口が設けられている。

[00068] ガスは２００パスカル以上の圧力で容積へと送出されてもよい。ガスは１００ｋＰａ以上の圧力で容積へと送出されてもよい。ガスは約５００ｋＰａ又はそれよりも高い圧力で容積へと送出されてもよい。

[00069] 冷却要素は基板から２０ミクロン以上離れていてもよい。

[00070] 冷却要素は基板から２００ミクロン以下離れていてもよい。

[00071] 冷却要素は、液体の液滴を基板上に導くノズルのアレイを備えていてもよい。

[00072] 冷却要素は基板から５０ミクロン以上離れていてもよい。

[00073] 冷却要素は基板から１ｍｍ以上離れていてもよい。

[00074] リソグラフィ装置の非スキャン方向における冷却要素のノズルのアレイの範囲は、リソグラフィ装置の非スキャン方向における露光エリアの最大長と等しいか又はそれより大きくてもよい。

[00075] ノズルのアレイは、基板上に液体液滴の一様な分配をもたらすように配置されていてもよい。

[00076] 液体は水であってもよい。

[00077] 本発明の第３の態様によれば、基板テーブル上に保持された基板上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムを備えるリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、基板が基板テーブル上に設置される前に基板の温度を基板テーブルの温度を上回る温度に調整するように構成された基板温度調整ユニットをさらに備えている。

[00078] すると、基板は基板テーブル上に設置されるときに基板テーブルの温度まで冷え、それによって基板に応力が導入されるので、これは有利である。基板に導入される応力は、基板の外縁部を基板の中心に向かって内側に引き寄せる傾向がある。基板が放射ビームを用いてパターニングされるとき、基板は加熱され、基板の外縁部を基板の中心から外側に遠ざかるように押す傾向がある応力が導入される。既に基板の冷却の際に導入された応力は、基板の加熱によって引き起こされる応力を少なくとも部分的に打ち消し、それによって基板が経験する累積応力が低減される。

[00079] 基板温度調整ユニットは、基板の温度を、基板テーブルの温度を最大で約０．５℃上回る温度に調整するように構成されていてもよい。

[00080] 本発明の第４の態様によれば、リソグラフィ装置における基板の露光に先立ってその基板を調節する方法が提供され、この方法は、温度調整ユニットを用いて基板の温度をリソグラフィ装置の基板テーブルの温度を上回る温度に調整することと、基板を基板テーブルに移載することと、基板を基板テーブルに圧着するクランプを作動させることと、基板を基板テーブルの温度まで冷却し、それによって基板への応力を誘発することと、を備える。

[00081] 本発明の第５の態様によれば、パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成するように構成された投影システムを備えるスキャン型リソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は基板を加熱する加熱装置をさらに備えており、加熱装置は、リソグラフィ装置の非スキャン方向における露光エリアの両端部に配置された基板エリアを加熱するように構成された第１及び第２の加熱要素を備えている。

[00082] 加熱装置は、非スキャン方向における露光エリアの端部での基板の歪曲を防止又は低減するので、有利である。これは、リソグラフィ装置のオーバーレイ精度が改善されることを可能にする。

[00083] 第１及び第２の加熱要素は、基板テーブルの上方に配置されてもよく、且つ、リソグラフィ装置の非スキャン方向における露光エリアの両端部に配置されてもよい。

[00084] 第１及び第２の加熱要素は、非スキャン方向で露光エリアに隣接していてもよい。

[00085] 第１及び第２の加熱要素は、非スキャン方向で露光エリアに重なり合うエリアを加熱するように構成されていてもよい。

[00086] 第１及び第２の加熱要素は、熱を受けるエリアが加熱要素の設置面積を超えて広がるように、いくらかの外向きのダイバージェンスを有する熱を放出するように構成されていてもよい。

[00087] 第１及び第２の加熱要素は、露光エリアのスキャン方向の寸法に概ね一致するスキャン方向の寸法を有するエリアを加熱するように構成されていてもよい。

[00088] 第１及び第２の加熱要素は、各々が、露光エリアの非スキャン方向の寸法よりも小さい非スキャン方向の寸法を有するエリアを加熱するように構成されていてもよい。

[00089] 第１及び第２の加熱要素は、露光エリアの非スキャン方向の寸法の半分よりも小さい非スキャン方向の寸法を有するエリアを加熱するように構成されていてもよい。

[00090] 加熱エリアは、スキャン方向において露光エリアの寸法よりも大きい寸法を有していてもよい。加熱エリアにおける加熱は均一である必要はない。

[00091] 加熱要素は各々がＬＥＤのアレイを備えていてもよい。

[00092] ＬＥＤは赤外放射を放出するように構成されていてもよい。

[00093] ＬＥＤのうち少なくともいくつかは、基板に入射する前にパターニングされた放射ビームと重なるように発散する放射ビームを放出するように構成されていてもよい。

[00094] 第１及び第２の加熱要素は、リソグラフィ装置の非スキャン方向における露光エリアの両端部に配置された基板エリアを加熱するレーザビームを提供するように構成された１つ以上のレーザを備えていてもよい。

[00095] １つ以上のレーザ及び関連する光学部品は、レーザビームが、基板に入射する前に、リソグラフィ装置の投影システムのハウジングの床に配置された開口を通出するように構成されていてもよい。

[00096] １つ以上のレーザは、リソグラフィ装置の投影システムのハウジングの外部に配置されていてもよい。

[00097] 投影システムのハウジングには、レーザビームが投影システムのハウジング内に通入することを可能にする窓が設けられていてもよい。

[00098] スキャン型リソグラフィ装置は、投影システムのハウジング内のアクチュエータに取り付けられたミラーをさらに備えていてもよく、これらのミラーは、レーザビームの方向を変更し、それによって、レーザビームによって加熱される基板エリアを異なる位置に移動するように動作可能である。

[00099] スキャン型リソグラフィ装置は、基板テーブルの上方に配置され、且つ、リソグラフィ装置のスキャン方向において露光エリアの一方側に配置された冷却要素をさらに備えていてもよい。

[000100] スキャン型リソグラフィ装置は、基板テーブルの上方に配置され、且つ、リソグラフィ装置のスキャン方向において露光エリアの反対側に配置された追加的な冷却要素をさらに備えていてもよい。

[000101] 本発明の第６の態様によれば、スキャン型リソグラフィ装置を用いて基板を露光する方法が提供され、この方法は、パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成することと、リソグラフィ装置の非スキャン方向において露光エリアの両端部に位置する基板上のエリアを加熱装置を用いて加熱することと、パターニングされた放射ビームを用いて基板のターゲット部分を露光させるべく、基板を露光エリア及び加熱されるエリアに対してスキャン移動で移動させることと、を備える。後続の露光される部分は露光された部分にスキャン方向で隣接していてもよい。

[000102] 次に露光されるターゲット部分は、露光されたターゲット部分に非スキャン方向で隣接していなくてもよく、少なくとも１つの介在するターゲット部分によって、露光されたターゲット部分から非スキャン方向で離れていてもよい。

[000103] この方法は、リソグラフィ装置のスキャン方向において露光エリアの少なくとも一方側に隣接して配置された基板上のエリアを冷却装置を用いて冷却することをさらに備えていてもよい。

[000104] 次に本発明の実施形態を、単なる例として、添付の概略的な図面を参照して説明する。

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置及び放射源を備えるリソグラフィシステムを概略的に示す。 リソグラフィ装置の放射源を概略的に図示する。 リソグラフィ装置の冷却装置を一方側から見た断面で概略的に図示する。 リソグラフィ装置の冷却装置を下から見た断面で概略的に図示する。 冷却装置をより詳細に、概略的に図示する。 冷却装置の代替的な一実施形態を概略的に図示する。 本発明の実施形態に対する適応係数の影響を説明するグラフである。 代替的な除熱システムを備えた本発明の一実施形態を概略的に図示する。 さらなる代替的な除熱システムを備えた本発明の一実施形態を概略的に図示する。 さらなる代替的な除熱システムを備えた本発明の一実施形態を概略的に図示する。 本発明の一実施形態の一部を形成し得るさらなる代替的な除熱システムを概略的に図示する。 本発明の一実施形態による冷却要素を断面で概略的に図示する。 本発明の一実施形態による冷却要素を断面で概略的に図示する。 図１１の実施形態を下から見たところを概略的に図示する。 本発明の代替的な一実施形態による冷却要素を断面で概略的に図示する。 本発明の代替的な一実施形態による冷却要素を断面で概略的に図示する。 図１３の実施形態を下から見たところを概略的に図示する。 図１３の実施形態を下から見たところを概略的に図示する。 本発明の代替的な一実施形態による冷却要素を断面で概略的に図示する。 図１５の実施形態の冷却要素を備えた冷却装置を下から見たところを概略的に図示する。 本発明の代替的な一実施形態によるリソグラフィ装置の冷却装置を概略的に図示する。 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の加熱装置を概略的に図示する。 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の加熱装置を概略的に図示する。 図１８に示される加熱装置の効果を概略的に図示する。 本発明の代替的な一実施形態によるリソグラフィ装置の加熱装置を概略的に図示する。 本発明のさらなる代替的な一実施形態によるリソグラフィ装置の加熱装置を概略的に図示する。 図１８乃至２１に図示される実施形態を用いた基板のスキャン露光を概略的に図示する。

[000105] 図１は、本発明の一実施形態による冷却装置を含むリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極紫外（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成されたサポート構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴと、を備える。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調整するように構成されている。投影システムは、放射ビームＢ（今やマスクＭＡによってパターニングされている）を基板Ｗ上に投影するように構成されている。基板Ｗは先に形成されたパターンを含んでいてもよい。その場合、リソグラフィ装置は、パターニングされた放射ビームＢを先に基板Ｗ上に形成されたパターンと整列させる。

[000106] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳはすべて、外部環境から隔離され得るように構築及び配置されていてもよい。放射源ＳＯにおいては大気圧を下回る圧力のガス（例えば水素）が提供されてもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳにおいては真空が提供されてもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳにおいては大気圧を大きく下回る圧力の少量のガス（例えば水素）が提供されてもよい。

[000107] 図１に示される放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と称され得る種類のものである。例えばＣＯ２レーザであり得るレーザ１は、レーザビーム２を介して、エネルギを、燃料放出器３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料に付与するように配置される。以下の説明においてはスズを参照するが、任意の適当な燃料が使用されてもよい。燃料は、例えば液体の形態であってもよく、例えば金属又は合金であってもよい。燃料放出器３は、例えば液滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って導くように構成されたノズルを備えていてもよい。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズに入射する。スズへのレーザエネルギの付与は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を発生させる。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマのイオンの脱励起及び再結合の間にプラズマ７から放出される。

[000108] ＥＵＶ放射は、近垂直入射放射コレクタ５（より一般的に垂直入射放射コレクタと称されることもある）によって収集され集束される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなど所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層構造を有していてもよい。コレクタ５は、楕円の形状を有していてもよく、２つの楕円焦点を有する。第１の焦点はプラズマ形成領域４にあってもよく、第２の焦点は、後述するように、中間焦点６にあってもよい。

[000109] レーザ１は放射源ＳＯから離れていてもよい。その場合、レーザビーム２は、例えば適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビーム送出システム（図示しない）及び／又は他の光学部品の助けを借りて、レーザ１から放射源ＳＯへと渡されてもよい。レーザ１及び放射源ＳＯは、併せて放射システムと見なされ得る。

[000110] コレクタ５によって反射された放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは点６で集束されてプラズマ形成領域４の画像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが集束される点６は、中間焦点と称されてもよい。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源の内包構造９の開口８に又はその付近に位置するように配置される。

[000111] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調整するように構成された照明システムＩＬ内に進入する。照明システムＩＬは、ファセット視野ミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでいてもよい。ファセット視野ミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は、所望の断面形状及び所望の角度分布を有する放射ビームＢを、併せて提供する。放射ビームＢは照明システムＩＬを通過し、サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは放射ビームＢを反射しパターニングする。照明システムＩＬは、ファセット視野ミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又は代えて、他のミラー又はデバイスを含んでいてもよい。

[000112] パターニングデバイスＭＡからの反射に続き、パターニングされた放射ビームＢは投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗに放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラーを備える。投影システムＰＳはある縮小率を放射ビームに適用してもよく、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを有する画像を形成する。例えば、４という縮小率が適用されてもよい。図１の投影システムＰＳは２つのミラーを有しているが、投影システムは任意の数のミラー（例えば６つのミラー）を含んでいてもよい。

[000113] 基板Ｗの上方には冷却装置４０が配置されている。冷却装置４０は、放射ビームＢの付近において、基板の局所的な冷却を提供する。冷却装置４０は以下で詳細に説明される。基板Ｗを加熱するように構成された基板温度調整ユニットＡＵも図１に図示されている。温度調整ユニットＡＵは以下で詳細に説明される。リソグラフィ装置ＬＡはさらに、以下で説明される加熱装置（図示しない）を備えていてもよい。

[000114] 図２は、図１に示す放射源に代わる構成を有するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源ＳＯを示す。放射源ＳＯは、燃料をプラズマ形成領域４へと送出するように構成された燃料放出器３を含む。燃料は例えばスズであってもよいが、任意の適当な燃料が用いられ得る。プリパルスレーザ１６が、燃料に入射するプリパルスレーザビーム１７を放出する。プリパルスレーザビーム１７は燃料を予熱するように作用し、それによって、寸法及び／又は形状などといった燃料の性状を変化させる。主レーザ１８は、プリパルスレーザビーム１７の後で燃料に入射する主レーザビーム１９を放出する。主レーザビームはエネルギを燃料に送出し、それによって燃料をＥＵＶ放射放出プラズマ７に変換する。

[000115] 放射コレクタ２０は所謂斜入射型コレクタであってもよく、ＥＵＶ放射を収集するとともにそのＥＵＶ放射を中間焦点と称されることもある点６で集束させるように構成されている。したがって、放射放出プラズマ７の画像は中間焦点６で形成される。放射源ＳＯの筐体構造２１は、中間焦点６又はその近くに開口２２を含む。ＥＵＶ放射はその開口２２を通って（例えば図１に概略的に示される形態の）リソグラフィ装置の照明システムに至る。

[000116] 放射コレクタ２０は、（例えば概略的に図示されるように）複数の斜入射型リフレクタ２３，２４，及び２５を有する入れ子式コレクタであってもよい。斜入射型リフレクタ２３，２４，及び２５は、光軸Ｏを中心として軸対称に配設されてもよい。説明した放射コレクタ２０は単に一例としてのみ示されるものであって、他の放射コレクタが用いられてもよい。

[000117] プラズマ形成領域４と放射コレクタ２０との間には、汚染トラップ２６が配置される。汚染トラップ２６は、例えば回転フォイルトラップであってもよいし、又は任意の他の適当な形態の汚染トラップであってもよい。いくつかの実施形態においては、汚染トラップ２６は省略されてもよい。

[000118] 放射源ＳＯの筐体２１は、プリパルスレーザビーム１７が通過してプラズマ形成領域４へと至ることのできる窓２７と、主レーザビーム１９が通過してプラズマ形成領域へと至ることのできる窓２８とを含む。汚染トラップ２６の開口を通して主レーザビーム１９をプラズマ形成領域４に導くために、ミラー２９が用いられる。

[000119] 図１及び２に示される放射源ＳＯは、図示されていないコンポーネントを含んでいてもよい。例えば、放射源には分光フィルタが設けられていてもよい。分光フィルタは、ＥＵＶ放射については実質的に透過性であってもよいが、赤外放射など他の波長の放射については実質的に遮断性であってもよい。

[000120] 図３は、本発明の一実施形態による冷却装置４０を概略的に図示する。図３ａは冷却装置４０の下から見た概略図であり、図３ｂは冷却装置の一方側から見た断面の概略図である。図３ａ及び図３ｂにはリソグラフィ装置によって投影された放射ビームＢが示されている。放射ビームは基板Ｗ上の露光エリアＥを照明し、この露光エリアは（図３ｂに図示されるように）放射ビームによって露光されている。図３にはデカルト座標が示されており、リソグラフィ装置に従来用いられている表記が用いられている。すなわち、Ｙ方向は露光の際の基板Ｗのスキャン移動の方向であり、Ｘ方向はＹ方向に対して横向きで基板の平面内にあり、Ｚ方向は放射ビームＢの光軸と概ね一致する。

[000121] 冷却装置４０は、第１の冷却要素４２及び第２の冷却要素４４を備えている。図３に図示されるように、第１及び第２の冷却要素は同じ全体構成を有し得る。冷却要素４２，４４は、スキャン方向（すなわちＹ方向）において放射ビームＢの両側に位置している。冷却要素４２，４４は露光エリアＥ（すなわち放射ビームＢが入射するエリア）に隣接している。この文脈において、「隣接」という用語は、露光エリアＥの縁部から１ｃｍ未満を意味するものとして解釈され得る。冷却要素４２，４４は、露光エリアＥの縁部から０．５ｃｍ未満のところにあってもよいし、露光エリアの縁部から約０．１ｃｍのところにあってもよい。各冷却要素４２，４４は、露光エリアＥを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。各冷却要素４２，４４は、露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。

[000122] 冷却要素４２，４４は、冷却要素の下にあるエリアにおいて基板Ｗの局所的な冷却を提供する。したがって、基板が正のＹ方向（図３では左から右）に移動している基板のスキャン露光の際には、第１の冷却要素４２が基板のうち放射ビームＢによって露光されようとしている部分を冷却し、第２の冷却要素４４が基板のうち放射ビームＢによって露光されたばかりの部分を冷却する。スキャン露光が基板を負のＹ方向（図３では右から左）に移動させるのであれば、第２の冷却要素４４が基板のうち放射ビームＢによって露光されようとしている部分の冷却を提供し、第１の冷却要素４２が基板のうち放射ビームによって露光されたばかりの部分の冷却を提供する。

[000123] 各冷却要素４２，４４は、基板から熱を受け取り、その熱を、例えば冷却流体（例えば水）を用いて、他の箇所に伝達するように構成されている。この文脈において、「冷却流体」とは、流体が特定の温度を有さなければならないことを示唆しようとするものではなく、流体が冷却要素４２，４４から熱を運び去ることを示すものである。各冷却要素４２，４４は本体４６，４７を備えており、その本体には蓋部６０，６１を有する空洞４８，４９が形成されている。空洞４８，４９は冷却要素本体４６，４７の最下面に形成されており、使用中の基板Ｗの上方に位置する。各冷却要素４２，４４はさらに、冷却要素本体４６，４７の最下面にガスを送出するように構成されたガス送出導管５０乃至５３を備えている。ガス送出導管５０乃至５３を出たガスは空洞４８，４９に通入し、これらの空洞を満たす。ガスは外向きにも進み、冷却要素本体４６，４７の下から周囲環境へと出て行く。

[000124] ガスは、基板Ｗから冷却要素本体４６，４７に有意な量の熱を輸送するのに十分な高さの圧力で送出される。ガスの圧力は、ガスが基板Ｗに損傷を引き起こさない程度に十分に低く維持されてもよい。また、ガスの圧力は、基板テーブルＷＴ上のバールの上で基板Ｗがスリップするのに十分な強さの接線力を発生させない（例えば約１０ｍＮよりも大きい接線力を発生させない）程度に十分に低く維持されてもよい。ガスの圧力は、基板が基板テーブルＷＴのバールによって支持されている箇所において基板Ｗの有意な変形が発生しない程度に十分に低く維持されてもよい。基板は、基板テーブルＷＴのバールによって支持されない、例えば１乃至３ｍｍの外縁部を有していてもよい。ガスの圧力は、その外縁部における基板の下方への変形がリソグラフィ装置によって補償可能な量（例えば１０ｎｍ未満の変形）に限定される程度に十分に低くてもよい。空洞４８，４９内のガスの圧力は、例えば１００パスカルより大きくてもよい。空洞４８，４９内のガスの圧力は、例えば２００パスカルより大きくてもよい。空洞内のガスの圧力は、例えば最大で約１０００パスカルであってもよく、最大で約２０００パスカルであってもよく、最大で約５０００パスカルであってもよい。空洞内のガスの圧力は、例えば１００ｋＰａ以上であってもよい。空洞内のガスの圧力は、例えば約５００ｋＰａ又はそれよりも高くてもよい。空洞４８，４９内のガスの圧力は、本体４６，４７の最下面と基板Ｗとの間のギャップに影響されるであろう（ギャップを増大させると高い圧力を維持するのがより困難になるであろう）。本文書の他の箇所に説明されているように、この間隔は例えば約２０ミクロン又はそれよりも大きくてもよく、約５０ミクロン又はそれよりも大きくてもよい。この間隔は約２００ミクロン又はそれよりも小さくてもよい。

[000125] 基板Ｗから冷却要素本体４６，４７への熱の輸送を容易にするのに加え、ガスは、冷却要素本体と基板Ｗとの接触が発生することを防止又は阻止するクッションとしても作用し得る。一実施形態においては、冷却要素本体４６，４７の最下面と基板Ｗとの間隔は、２０ミクロンより大きくてもよく、例えば５０ミクロン以上であってもよい。間隔が小さすぎると、冷却要素本体４６，４７が基板Ｗと接触するリスクが高い。これはリソグラフィ装置を損傷させ得るため、望ましくない。接触のリスクを合理的なレベルまで低減させるには、２０ミクロンの間隔で十分であろう。接触のリスクを実質的に無くすには、５０ミクロンの間隔で十分であろう。間隔は、例えば最大で１００ミクロンであってもよく、例えば最大で２００ミクロンであってもよい。２００ミクロンよりも大きい間隔は、冷却要素本体４６，４７の下からあまりに多くのガスが漏出することを可能にし得るため、望ましくないであろう。

[000126] 図４は第２の冷却要素４４をより詳細に図示している。冷却要素本体４７には空洞４９が見られ、ガス送出導管５２，５３も見られる。図４に矢印で示されているように、ガス送出導管５２，５３によって送出されたガスは、空洞４９に流入するとともに、冷却要素本体４７の下から流出する。ガスは、曲線によって概略的に図示されているガス供給から提供される。ガスは、例えば水素であってもよい。代替的には、任意の他の適当なガスが用いられてもよい（例えばヘリウム又は窒素といった別の不活性ガス）。

[000127] 第２の冷却要素４４は、２つの部分に分かれて提供された伝熱システムを含む。第１の部分はペルチェ式クーラ５５であり、これは冷却要素本体４７のうち空洞４９の上方に位置する一部と熱接触している。ペルチェ式クーラ５５と第２の冷却要素本体４７との熱接触は、熱電素子５６のアレイによってもたらされる。熱電素子５６は既知の手法で電気的に直列に接続されていてもよい。伝熱システムの第２の部分は、ペルチェ式クーラ５５と熱接触する冷却流体システム５７である。冷却流体システム５７は除熱システムの一例である。冷却流体システム５７は１つ（又は複数）の導管を備えており、冷却流体はそれを通って圧送される。冷却流体は例えば水（又は何らかの他の適当な流体）であってもよい。冷却流体は、システム５７の本体から熱を受け取り、その熱を第２の冷却要素４４から運び去る。ペルチェ式クーラの低温側（すなわち熱電素子５６の遠位端）は、例えば約−１８℃乃至２℃の温度を有していてもよい。ペルチェ式クーラの低温側は、例えば約−５０℃又は−１００℃の低い温度を有していてもよい。

[000128] ガス送出導管５０乃至５３から導入されるガスの温度は、ガス送出導管の壁の温度、例えば約２２℃に適応されてもよい。ガスは、空洞内にあるときには、基板及びペルチェ式クーラ５５の温度に適応するであろう。したがって、ガスは例えば約２２℃（基板Ｗの温度）乃至約−５０℃の温度を有し得る。一般に、ガスは最低で例えば約−１００℃の温度を有し得る。一般に、ガスは最高で例えば約１００℃の温度を有し得る。

[000129] 一実施形態においては、冷却要素本体４７の空洞４９のＸ方向範囲は、リソグラフィ装置の放射ビームＢによって形成される露光エリアＥのＸ方向の最大範囲と一致していてもよい。これは例えば２６ｍｍであってもよい。したがって、空洞４９は約２６ｍｍのＸ方向範囲を有し得る。露光エリアＥのＸ方向範囲と等しいＸ方向範囲を有する空洞４９を提供することによって、空洞４９は、（基板Ｗのスキャンの進行方向に応じて）放射ビームによって露光されようとしている基板エリア又は放射ビームによって露光されたばかりの基板エリアの全体に冷却を提供することができる。後続の露光される部分は露光された部分にスキャン方向で隣接していてもよい。

[000130] 空洞４９のＸ方向範囲は、放射ビームＢによって形成される露光エリアＥのＸ方向の最大範囲よりも大きくてもよい。したがって、空洞４９は約２６ｍｍ又はそれよりも大きいＸ方向範囲を有し得る。もっとも、空洞４９のＸ方向範囲が露光エリアＥを有意に超えて広がっている場合には、空洞は、露光中のターゲット部分を冷却するのに加えて、基板Ｗ上でターゲット部分に隣接する部分を冷却するであろう。これは部分的に冷却される隣接ターゲット部分の歪曲を引き起こすかもしれない。この歪曲によって引き起こされ得るオーバーレイ精度の潜在的な低下は、蛇行スキャンを用いて基板を露光することによって回避され得る。蛇行スキャンにおいては、次に露光されるターゲット部分は、露光されたターゲット部分に非スキャン方向で隣接しておらず、（例えば図２０を参照して後述するように）少なくとも１つの介在するターゲット部分によって、露光されたターゲット部分から非スキャン方向で離れている。

[000131] 一実施形態においては、第２の冷却要素本体４７は、例えばＹ方向に約１ｃｍ乃至約３ｃｍ（例えば約２ｃｍ）の幅を有していてもよい。第２の冷却要素本体４７は、例えば約２ｍｍ乃至約７ｍｍの高さ（Ｚ方向の大きさ）を有していてもよい。

[000132] 第２の冷却要素は、露光エリアＥを二等分する線から（例えば露光エリアの中心から）３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。第２の冷却要素は、露光エリアＥの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。露光エリアに送出された放射による基板の加熱は、露光エリアの縁部からの距離の関数として低下する。露光エリアの縁部から約２ｃｍを超えると、基板の加熱は無視できるほど僅かになるであろう。したがって、露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却することは、基板温度の低減をもたらすであろう（それによって基板の歪曲が低減される）。これを有意に超えて広がるエリアを冷却することは、ほとんど利益をもたらさない（また、より多量のガスが必要とされるであろうから、実現するのはより困難であろう）。

[000133] 本発明の実施形態は、従来技術では予期されなかった手法で基板Ｗの局所的な冷却を提供する。本発明の実施形態は、基板の局所的な加熱が基板テーブルのバールの上での基板の有意なスリップが起こる程度まで発生することを防止し得る。基板Ｗからの除熱の向上（及びひいてはバールスリップの回避）は、基板に送出されるエネルギのドーズが従来送出されていたドーズと比較して増大されるときに特に重要であり得る。例えば、投影されるパターンの解像度（例えばハーフピッチ）を例えば７ナノメートルまで向上させることは、（１５ナノメートルの解像度について用いられる放射ドーズと比較して）基板に送出される放射ドーズの増大を必要とし得る。

[000134] 各空洞４８，４９の蓋部６０，６１と基板表面との間隔は、空洞内の圧力と共に、基板Ｗから冷却要素本体４６，４７への熱の伝達が基板の表面（実用においては基板上に提供されたレジストの表面であろう）の適応係数に有意に影響されないように選択され得る。空洞蓋部６０，６１の高さ及び組み合わせて用いられるガス圧が、適応係数が伝熱に有意な影響を有するようなものであった場合には、冷却要素４２，４４によって提供される冷却は、基板Ｗ上のレジストの性状に応じて変わるであろう。この性状は不明であり得る。すると冷却要素４２，４４によって提供される冷却も不明となるであろうから、これは望ましくない。その結果、基板Ｗの温度を所望の精度で制御すること、又は基板に印加される熱負荷を所望の精度で制御することが可能でなくなるかもしれない。

[000135] 材料の適応係数がその材料の表面から別の主体への熱の伝達に影響を有する程度は、材料の表面とその主体との間隔と、熱交換を媒介し得るガスの圧力とに依存する。間隔が十分に小さくガス圧が十分に低ければ、適応係数は伝熱に有意な影響を有するであろう。これは、所与のガス分子が、材料の表面に入射するとともにそこから反射されるとき、その材料の温度に即座に適応しないからである。一般的には、ガス分子の約３０％が材料の温度に適応するであろう。しかしながら、これは異なる材料については適応係数に従って変化するであろう。主体が材料の表面に十分に接近しており、且つガス圧が十分に低ければ、ガス分子が材料の表面に入射し、次いで何ら他の相互作用なしに（すなわち再び材料表面に入射することなく、且つ他のガス分子と衝突することなしに）主体に入射する有意な可能性がある。そのような状況においては、発生する伝熱は、材料表面の適応係数に依存するであろう。ガスの圧力を高くすると、ガス分子が主体に入射する前にガス分子間でより多くの相互作用が引き起こされ、その結果、材料表面の付近のガス分子は材料表面の温度により適応しやすくなる。同様に、主体を材料表面からもっと遠ざけるように移動させることも、ガス分子が主体に入射する前に起こる分子間相互作用の回数を増大させるであろう。これもやはり、分子が主体に入射する前に材料表面の温度に適応することを保証するのに役立つ。このように、適応係数の影響は、ガス圧が高まるにつれて、及び材料表面と主体との間隔が増大するにつれて、減少する。圧力及び間隔が（共に）十分に大きければ、適応係数は伝熱に有意な影響を有さないであろう。これは（図６との関連で以下で説明されるように）標準圧力レジームと称され得る。

[000136] ここでは、基板表面と空洞４８，４９の蓋部６０，６１との間隔は、空洞内のガスの圧力ともども、適応係数が伝熱に有意な影響を有さない程度のものであり得る。すなわち、冷却要素４２，４４は標準圧力レジームで動作する。ガスを約１０００パスカルの圧力とし、基板Ｗ（すなわちレジスト上面）と空洞蓋部６０との間隔を０．５ｍｍとすることで、レジストの適応係数がレジストから冷却要素４２への熱の伝達に有意な影響を有さないことが保証される。別の一例においては、基板Ｗと空洞蓋部６０との間隔を１ｍｍとし、ガスを５００パスカルの圧力とすることでも、レジストの適応係数がレジストから冷却要素４２への熱の伝達に有意な影響を有さないことが保証される。別の一例においては、基板Ｗと空洞蓋部６０との間隔を２ｍｍとし、ガスを２５０パスカルの圧力とすることでも、レジストの適応係数がレジストから冷却要素４２への熱の伝達に有意な影響を有さないことが保証される。

[000137] 図６は、２表面間でのガスによる熱伝達率がそれらの表面間の距離の関数として異なるガス圧でどのように変化するかを説明するグラフである。２組の曲線が示されており、うち１組は実線を有しており、１組は破線を有している。実線は、表面のうち一方が０．３という適応係数を有するときの熱伝達率を示す。破線は、表面のうち一方が０．６という適応係数を有するときの熱伝達率を示す。最も下の曲線は１０パスカルのガス圧を、最も上の曲線は１０００パスカルのガス圧を表し、ガス圧はこれらの２つの圧力値の間で高くなる。矢印は、０．５ｍｍという表面間の間隔及び１０００パスカルのガス圧で生じるであろう熱伝達率（約３００Ｗ／ｍ^２Ｋ）を示す。見て取れるように、この間隔及び圧力では、０．３という適応係数（実線）と０．６という適応係数（破線）との間での切り替えは、熱伝達率に有意な影響を有さない（例えば熱伝達率を１０％未満、例えば５％未満だけ変化させる）。表面間の間隔が（例えば０．１ｍｍまで）減少するにつれて、適応係数は熱伝達率に有意な影響を有するものと見受けられる。グラフからわかるように、より低いガス圧（例えば５００パスカル）については、間隔がより大きいと（例えば１ｍｍ）、適応係数によって有意に影響されない熱伝達率が同様にもたらされ得る。

[000138] 水素ガスが１０００パスカルの圧力で提供されレジスト表面と空洞蓋部６０との間隔が約０．５ｍｍである一実施形態においては、レジスト表面と空洞蓋部６０との間の伝熱適応係数は約３００Ｗ／ｍ^２Ｋである。

[000139] 基板Ｗから冷却要素４４へと伝達される熱の量は、適応係数と、基板と冷却要素との温度差とに依存する。基板Ｗ及び基板テーブルＷＴは一般に約２２℃の温度を有する。冷却要素４４は、例えば、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの温度を約２０℃乃至４０℃下回る温度に保持される。一例として、冷却要素４４は、例えば−１８℃乃至２℃の温度に保持され得る。これは約６０００乃至１２０００Ｗ／ｍ^２Ｋの冷却を提供する。冷却要素４４によってもたらされる被冷却エリアは、一実施形態においては２６ｍｍ×１０ｍｍの寸法をとり得る。そのような事例では、第２の冷却要素４４は約１．５乃至３Ｗを基板から除去するであろう。第１及び第２の冷却要素は併せて約３乃至６Ｗを基板から除去するであろう。

[000140] ペルチェ式クーラ５５は、冷却要素本体４７の底部から液体冷却システムへと熱を伝達する。液体冷却システム５７は冷却要素から遠隔の伝熱システムへと熱を運び去る。

[000141] 空洞４８，４９はＸＹ平面内にある蓋部を有するものとして図示されているが、一実施形態においては、蓋部はＸ方向を中心として傾斜していてもよい。そのような一実施形態の例が図５に示されている。この実施形態の、図４の実施形態に対応する詳細（例えばペルチェ式クーラ）は、簡略化のため省略されている。図５の実施形態において、空洞蓋部６０は、一端では約０．５ｍｍの高さを有し、他端のゼロ高さ（又はゼロに近い高さ）に向けて下降している。傾いた空洞蓋部６０を有する一実施形態においては、適応係数は、蓋部高さが低くなるにつれてより有意になるであろう。したがって、適応係数は、図５に図示される実施形態によってもたらされる伝熱に有意な影響を有するであろう。上記で説明した不利は生じるが、傾いた空洞蓋部６０の利点は、蓋部と基板表面とのギャップの縮小が、より効率的な熱の伝達が行われることを可能にするということである。傾いた蓋部を有する空洞は、例えば、基板Ｗ間の適応係数の予想される変動が十分に小さく、冷却が十分に制御可能である場合に用いられ得る。逆に、異なる基板Ｗでの適応係数の有意な変動が予期される場合には、空洞蓋部６０が傾いていない図４に示される実施形態が好適であろう。

[000142] 汚染分子は基板Ｗ上のレジストの表面を定期的に離れ、投影システムＰＳ（図１を参照）内の光学部品の潜在的な汚染の有意なソースとなる。投影システムＰＳ内への汚染の侵入を防止又は低減するために、投影システムから基板Ｗに向かうガス流が提供されてもよい。冷却要素４２，４４は、汚染を投影システム内に押し上げそうなガスのジェットを発生させないように構成されていてもよい。換言すれば、冷却要素４２，４４は、Ｚ方向で下向きに進み投影システムＰＳから出て行くガス流に打ち勝つ程度に十分に強いＺ方向で上向きに進むガスのジェットを発生させないように構成されていてもよい。冷却要素４２，４４の最下面と基板Ｗとの間のギャップが狭いと（例えば２０ミクロン乃至２００ミクロン）、投影システムＰＳ内に汚染を運びかねないガスのジェットが発生されるのが防止され得る。

[000143] 冷却要素４２，４４と基板との間のギャップを維持し、特に冷却要素と基板との接触が発生するのを防止するのが望ましいであろう。一実施形態においては、冷却要素本体４６，４７の下からの外向きのガス流が、冷却要素と基板との接触が発生するのを防止又は阻止するクッションを提供し得る。このガスのクッションは、ガスベアリングフットとも称され得る。

[000144] 代替的な配置では、冷却要素４２，４４は、リソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳに取り付けられてもよい。冷却要素は、冷却要素を基板テーブルＷＴの上方の所望の高さに移動させる機構を含むサポートによって保持され得る。サポートは、予期せぬ動きが検出された場合に冷却要素を基板から遠ざけるべく引っ張るように構成された引込機構を含んでいてもよい。この機構は、リソグラフィ装置において予期せぬ動きが発生した場合（例えば小さい地震の発生時）にトリガされる、より全体的な安全機構の一部を形成していてもよい。引込機構は、冷却要素が基板テーブルＷＴに設けられたセンサを通り越す前に冷却要素を持ち上げるためにも用いられ得る。

[000145] 基板の表面（実用においては基板上に提供されたレジストの表面）は、高さのバリエーションが１ミクロン未満であるようなものである。冷却要素４２，４４と基板との間のギャップは、２０ミクロン以上、例えば５０ミクロン以上であってもよい。その結果、冷却要素４２，４４を上下に移動させて基板Ｗのトポロジーに適応させる機構が不要となる。

[000146] 基板のスキャン露光にあたっては、基板Ｗ上の所与のターゲット部分（例えばダイ）の露光と次のターゲット部分（例えばダイ）の露光との間で有意な時間が経過する。この時間の間、放射ビームＢは基板Ｗに入射せず、したがって放射ビームによる基板の加熱は起こらない。この時間の間、加熱は起こらないが、ペルチェ式クーラ５５及び流体冷却システム５７は動作し続ける。ペルチェ式クーラ５５の応答速度は十分に速くはないかもしれないため、露光と露光の間にペルチェ式クーラ５５をオフにしようとすることは望ましくない。また、ペルチェ式クーラをオン・オフさせることは、ペルチェ式クーラの寿命を縮めるおそれがある。ターゲット部分間で移動しているときには空洞４８，４９へのガスの供給をオフにし、ターゲット部分が露光されるときにはガスの供給をオンにするために、バルブが使用されてもよい。バルブは約５ミリ秒よりも短い時定数で動作してもよい。

[000147] 冷却要素４２，４４はそれぞれペルチェ式クーラ５５及び流体冷却システム５７を備えているが、冷却要素から熱を除去するためには任意の適当な除熱システムが用いられ得る。例えば、ペルチェ式クーラなしに、より低い温度の流体を用いる流体冷却システムが用いられてもよい。例えば、水の代わりに、０℃を下回っても液状のままであるグリコールなどの流体が用いられてもよい。

[000148] 代替的な除熱システムが図７に概略的に図示されている。図７には、空洞４８を有する冷却要素４４が示されている。空洞にはガス送出導管９７によってガスが送出される。空洞４８内のガスの圧力は、（他の実施形態の場合と同様に）ガス送出導管９７を介して送出されるガスの圧力を制御することによって制御され得る。冷却要素４４は、例えば、ペルチェ式クーラ及び流体冷却システムを備えない点を除き、上記で説明した冷却要素と同一の構成を有していてもよい。その代わりに、冷却要素４４からの除熱は、窒素ガス（又は他の適当なガス）を冷却要素に／から圧送することによって実施される。ガスは、冷却要素４４に送出されるときは冷たく（すなわち冷却要素よりも冷たく）てもよく、したがって冷却要素から熱を受け取る。

[000149] ガスは、ガス源９４から第１の入口導管部１０２ａを介して熱交換器９８へと送出される。ガスは熱交換器９８によって予冷され、それから第２の入口導管部１０２ｂを介してペルチェ式クーラ１００に伝わる。ガスはペルチェ式クーラ１００によって冷却され、その後第３の入口導管１０２ｃ及び第４の入口導管部１０２ｄを介して冷却要素４４へと進む。

[000150] ガスは冷却要素４４から熱を受け取り、その後、加熱されたガスは冷却要素を出て、第１の出口導管部１０４ａに沿って伝わる。加熱されたガスは、第２の出口導管部１０４ｂを通って熱交換器９８へと進む。ガスはその後、熱交換器から第３の出口導管部１０４ｃに沿って外部の位置に進む。このようにして熱は冷却要素４４から除去されるとともに冷却要素から運び去られる。

[000151] ガスは、例えば、ガス源９４によって１０リットル／分を上回る流量で提供されてもよい。ガスは、例えば、２０リットル／分以上（例えば最大で５０リットル／分）の流量で提供されてもよい。ガスは、冷却要素４４に進入する前に、ペルチェ式クーラ１００によって例えば−３０℃の温度まで冷却されてもよい。ガスは、冷却要素４４内で数度加熱され（例えば５℃未満だけ加熱され）、冷却要素を離れるときには例えば−２６℃の温度を有していてもよい。このガスの温度の上昇は、冷却要素４４からの熱の除去と対応している。ガスは出口導管１０４を通って熱交換器へと進み、そこでガス源９４からのガスと熱を交換される。ガス源９４からのガスは−２６℃よりもかなり高い温度を有していてもよく、したがって出口ガスによって冷却される。出口ガスは相応してガス源からのガスによって温められる。

[000152] 高流量の（すなわち１０リットル／分を上回る）ガス流は、冷却要素４４における温度勾配を有利に制限する。冷却要素における温度勾配は、例えば１℃未満に制限され得る。

[000153] ペルチェ式クーラ１００と熱交換器９８とは遠隔して配置されており、且つリソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳ（図１を参照）の下には配置されていない。ペルチェ式クーラ１００及び熱交換器９８はリソグラフィ装置ＬＡ内で固定的な位置をとり得る。ペルチェ式クーラ１００は、リソグラフィ装置の真空エリア内に配置されてもよく、又はリソグラフィ装置の非真空エリア内に配置されてもよい。同様に、熱交換器９８は、リソグラフィ装置の真空エリアに配置されてもよく、又はリソグラフィ装置の非真空エリアに配置されてもよい。

[000154] ペルチェ式クーラは、例えば冷却要素４４から０．５ｍ以上離れて配置されてもよい。ペルチェ式クーラ１００を冷却要素４４から離して設けることの利点は、ペルチェ式クーラを収容するためにより多くの空間が利用可能になるということである（冷却要素４４を収容可能な投影システムＰＳの下の空間は非常に限られている）。したがって、より大きなペルチェ式クーラ１００が用いられ得る。ペルチェ式クーラ１００は、例えば２段階又は３段階（又はそれ以上）のペルチェ式クーラであってもよい。これは、（例えば図４に図示されるような）冷却要素４４に配置された小型のペルチェ式クーラを用いて可能であるよりも大きな温度の低下が達成されることを可能にする。

[000155] 冷却要素４４は（本文書の他の箇所に説明されているように）ｚ方向に移動可能であってもよい。ペルチェ式クーラ１００及び熱交換器９８は固定されていてもよい（すなわち可動性でなくてもよい）。第４の入口導管部１０２ｄは、ペルチェ式クーラ１００に対する冷却要素４４の移動を可能にするべく、可撓性である。破線１０７は、入口導管の非可撓部１０２ｃが入口導管の可撓部１０２ｄに接続する地点を概略的に図示している。同じ理由で、第１の出口導管部１０４ａも可撓性である。破線１０７は、出口導管の可撓部１０４ａが出口導管の非可撓部１０４ｂに接続する地点を概略的に図示している。

[000156] 入口導管１２０ｄには、例えば冷却要素４４の付近に、温度センサ１１０が設けられる。出口導管１０４には、例えば冷却要素４４の付近に、温度センサ１１２が設けられる。これらの温度センサ１１０，１１２は、冷却要素４４に進入するガスの温度及び冷却要素を離れるガスの温度を監視するために用いられ得る。これは同様に、冷却要素４４によって基板Ｗから除去される熱の量の計算も可能にし、ひいては基板の温度の表示を提供し得る。基板Ｗに適用される冷却の量を調節するべく、フィードバック及び／又はフィードフォワード補正を用いて、冷却要素４４に送出されるガスの温度を調整し、及び／又はガスの流量を調整してもよい。

[000157] 図示される実施形態はペルチェ式クーラ１００を用いているが、任意の適当なクーラが用いられてもよい。例えば、ジュールトムソンクーラが用いられてもよいし、又は液体窒素冷却が用いられてもよい。

[000158] 遠隔に配置されたクーラ１００（例えばペルチェ式クーラ）が用いられるので、入口導管１０２によって送出されるガスは、ペルチェ式クーラが冷却要素４４に配置された場合に可能であると思われるよりも低い温度まで冷却されることができる。これは冷却要素４４の温度と基板ＷＴの温度との間の差がより大きくなることを可能にする。そして、冷却要素４４についてより高い設計自由度をもたらし、例えば冷却要素がより小さな設置面積を有することが可能となる。より小さな設置面積を有する冷却要素を提供することは、空洞４８内でガスによって基板に印加される力を増大させることなく、空洞４８内でより高い圧力のガスが用いられることを可能にする。そして、標準圧力レジーム又は標準圧力レジームの近くでの動作が可能となる（圧力レジームは図６との関連で上記で説明されている）。これは、冷却要素４４によって提供される冷却を、基板Ｗ上のレジストの適応係数により依存しないものとし、冷却要素が異なるレジストを有する基板に対してより一定の性能を提供するようにする。

[000159] 図４の実施形態に勝る、図７に図示される実施形態の追加的な利点は、基板の上方のコンポーネントに水が提供されないということであり、それによって、水が基板上に漏出することが回避されるとともに、水の圧送により引き起こされ得る振動も回避される。

[000160] さらなる利点は、図４の実施形態ではペルチェの高温側が存在することで必要となる相当な量の放熱が回避されるということである。図７に図示される実施形態の環境への冷熱負荷は非常に限られ得る（例えば５０ｍＷ未満）。これもまた、冷却要素４４へと送出されるガスの温度、冷却要素を離れる際のガスの温度を測定すること、及びガスの流量を測定することによって、基板から除去されている熱を容易に測定することを可能にする。

[000161] また、冷却要素４４に必要なコンポーネントがより少なくなり、それによって、冷却要素の設計が簡略化されるとともに、リソグラフィ装置ＬＡの動作中に故障し得る要素の数が減少する。

[000162] 図７の実施形態、又は本発明の他の実施形態においては、冷却要素４４はヒータ１１４を含んでいてもよく、このヒータは冷却要素４４によって提供される冷却を所望の時間にわたって効果的に取り消すために用いられ得る。ヒータ１１４は、例えば冷却要素４４を用いた冷却を提供するのが望ましくないとき（例えば冷却要素がリソグラフィ装置のセンサの上方を通過している場合）に用いられてもよい。冷却要素の動作を中断する代わりにヒータを用いて冷却要素４４の効果を取り消すことは、冷却要素４４の動作の中断によって引き起こされ得る問題を回避する。例えば、図７に図示される実施形態において冷却要素４４へ／からのガスの流れを停止することは、入口導管１０２及び出口導管１０４内のガスの温度を変化させるであろう。こうしたガス温度の変化の結果、冷却要素４４は、動作を再開すると、ガスの温度が安定するまで、前とは異なる温度に基板を冷却するであろう。

[000163] 冷却要素４４のための冷却システムのさらなる代替的な実施形態は、図７に図示されたものに対応する構成を有するが、使用するガス源９４からのガス流が有意に小さい。例えば、ガス流は５リットル／分未満であってもよいし、約２リットル／分又はそれより少なくてもよい。ガスは冷却要素４４に供給され、より低速で冷却要素４４から除去されるので、冷却要素を離れるときのガスの温度は（上記で説明したようにより高速で供給されるときのガスの温度と比較して）より高い。例えば、ガスは、約４℃の温度上昇を経験する代わりに、約５０℃の温度上昇を経験し得る。冷却要素４４への進入時のガスの温度は約−３０℃であってもよく、冷却要素を離れる際の温度は例えば約２２℃であり得る。冷却要素を離れる際のガスの温度は、冷却されている基板の所望の温度に対応していてもよい。このようにして冷却要素４４により小さなガス流を提供することは、基板から除去されることを要する熱の量に等しい冷熱負荷を供給するので、有利である。

[000164] さらなる代替的な冷却システムが図８に概略的に図示されている。図７に図示された実施形態と同じように、冷却要素４４は、空洞４８と、その空洞にガスを送出するように構成されたガス送出導管９７とを含む。この冷却システムにおいては、ヒートパイプ１２０が、一端では冷却要素４４に接続されており、他端ではペルチェ式クーラ１００又は他のクーラに接続されている。ヒートパイプは不撓部１２０ａ及び可撓部１２０ｂを備えていてもよい。可撓部１２０ｂが不撓部１２０ａに接続されている箇所は、破線１２２によって概略的に示されている。ヒートパイプの可撓部１２０ｂは、ペルチェ式クーラ１００に対する冷却要素４４のいくらかの移動を可能にする。

[000165] ヒートパイプは、例えば垂直方向（すなわちｚ方向）よりも水平方向（すなわちｘ−ｙ平面内）に大きい断面形状を有していてもよい。ヒートパイプ１２０が垂直方向よりも水平方向に大きいことの利点は、ヒートパイプが投影システムＰＳの下により容易に収容されることが可能になるということである（投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間は非常に限られている）。一実施形態においては、ヒートパイプの不撓部１２０ａは垂直方向でヒートパイプの可撓部１２０ｂよりも大きくてもよい。

[000166] ヒートパイプは例えばマイクロヒートパイプであってもよく、すなわち、芯が不要であるように毛細管作用によって流体を伝達するべく作用する鋭い縁部で構成されていてもよい。

[000167] 図７との関連で上記で説明した実施形態と同じように、ペルチェ式クーラ１００はクーラの一例に過ぎず、任意の他の形態のクーラが用いられてもよい。クーラはリソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳ（図１を参照）から遠隔して、例えば投影システムから０．５メートル以上離れて配置されてもよい。

[000168] 図８の実施形態の他の利点は、図７との関連で上記で説明したものと概ね一致している。遠隔に配置されたペルチェ式クーラ１００は、冷却要素４４がより低い温度まで冷却されることを可能にする。これは冷却要素がより小さな設置面積を有することを可能にし、空洞４８においてより高い圧力のガスを許容する。基板の上方のコンポーネントには水が提供されない。ペルチェ式クーラの高温側は、冷却中の基板の付近には配置されない。冷却要素４４に必要なコンポーネントがより少なくなり、それによって冷却要素の設計が簡略化される。

[000169] 冷却システムのさらなる代替的な実施形態が図９に概略的に図示されている。これは冷却材が冷却材ループ１４２を巡って圧送される２相冷却システム１４０を備えている。冷却材は、液体の形態から蒸気の形態への蒸発を介して冷却要素４４から熱を除去する。２相冷却システムは、ポンプ１４４と、プリヒータ１４６と、コンデンサ１４８とを備えている。冷却システムはさらに、温度センサ１５０と、加圧された冷却流体を貯蔵するとともにループ１４２に送出される冷却材の圧力を調整するアキュムレータ１５２とを備えている。

[000170] 動作時には、液体の形態の冷却材が、ポンプ１４４によって圧送されてプリヒータ１４６を通過する。これにより冷却材の温度は所望の温度に設定される。冷却材はその後、冷却要素４４に進入し、冷却要素中を巡る。冷却材は、冷却要素４４から熱を受け取って、蒸気の形態に蒸発させる。これにより冷却要素４４から熱が除去される。冷却材流体は（例えば水又は何らかの他の冷却材を使用する熱交換器を用いて）冷却材から熱を除去するコンデンサ１４８へと伝わる。冷却材は、コンデンサ１４８内を進みながら液体の形態に凝縮する。今や液体の形態となった凝縮された冷却材は、次いでポンプ１４４に伝わり、そこから再び圧送されてループ１４２を巡る。

[000171] ループ１４２内での冷却材の状態は、ループの線の形態によって概略的に示されている。実線は、冷却材が液体の形態であることを示す。破線は、冷却材が少なくとも部分的に蒸気の形態であることを示す。

[000172] 冷却要素４４の温度は温度センサ１５０によって測定される。アキュムレータ１５２は、温度センサ１５０によって測定された温度に応じてループ１４２内の冷却材の圧力を調整するように制御される。したがって、測定された温度が高すぎる場合には、冷却材が冷却要素４４からもっと熱を除去するように、ループ１４２内の冷却材の圧力が高められる。同様に、温度センサ１５０によって測定された温度が低すぎる場合には、冷却材によって冷却要素４４から除去される熱の量を減少させるために、アキュムレータ１５２を用いて冷却材の圧力が低減される。

[000173] ２相冷却を提供するであろう任意の適当な冷却材が用いられ得る。例えば、冷却材は、ＣＯ２、Ｒ１３４ａ、又はＲ１２３４ｚｅであってもよい。

[000174] 図９に図示される実施形態の利点は、冷却要素４４に提供される冷却の量に対して迅速な調整を適用するために追加的なヒータが必要とされないということである（調整はアキュムレータ１５２を介して得られる）。

[000175] 図９の実施形態の他の利点は、図７及び８の実施形態に関連して上記で説明したものと概ね一致している。２相冷却システム１４０は、冷却要素４４がより低い温度まで冷却されることを可能にする。これは冷却要素がより小さな設置面積を有することを可能にし、小さな設置面積は空洞４８内により高い圧力のガスを許容する。ペルチェ式クーラの高温側を基板の付近に有することが回避される。冷却要素４４に必要なコンポーネントがより少なくなり、それによって冷却要素の設計が簡略化される。

[000176] 図１０はクーラ１５８を概略的に図示しており、このクーラは、図７及び８に図示したペルチェ式クーラ１００に代えて、冷却されたガスを冷却要素４４に送出するために用いられ得る。クーラ１５８は、ガス流の流速を増大させる狭窄部１６２を含む。狭窄部はガスを膨張させ、その結果、ガスの質量流量は変わらないが体積流量は増大し、それによってガスの温度が下げられる。

[000177] クーラ１５８の入口導管１６０を通って進むガスは、室温程度（例えば２２℃）であってもよい。ガスは、ガス流の流速を増大させるように作用する狭窄部１６２を通過し、それによってガスの温度が下げられる。狭窄部１６２の内部におけるガス速度はガスが狭窄部に進入する前よりも有意に速いため、ガス温度は有意に低く、例えば約２℃であり得る。狭窄部は第１の熱交換器１６４の内部に配置されている。狭窄部１６２の内部におけるガスの温度が低いため、ガスは第１の熱交換器１６４から熱を吸収する。熱交換器の温度は、例えば約１２℃であってもよい。

[000178] 狭窄部１６２を離れるとすぐに、ガスは、狭窄部よりも大きな直径（例えば第１のガス導管１６０と同一の直径）を有する第２のガス導管１６６に進入する。したがって、ガスは遅いガス速度へと減速する。ガスは、熱交換器１６４から熱を受け取っているので、ここでは当初の温度よりも高い温度を有する。ガスは、例えば約３２℃の温度を有し得る。

[000179] ガスは第２のガス導管１６６に沿って第２の熱交換器１６８へと進み、そこでガスから熱が除去されて水（又は導管１７０によって送出される何らかの他の流体）に伝達される。これはガスを、例えば約２２℃の温度まで冷却し得る。ガスはその後、第３のガス導管１７２に沿って進み、戻って熱交換器１６４を通る。これはガスを有意な温度分、例えば数℃冷却する。例えば約１２℃の温度を有し得る冷却されたガスは、次いで第４のガス導管１７４を介して送出される。第４のガス導管１７４は冷却要素４４に接続されていてもよい。

[000180] 代替的な構成においては、第１の熱交換器１６４は冷却要素であってもよい。

[000181] 狭窄部１６２の直径は、速い流速をもたらすように調整され得る。速度が音速であるときには、約９℃の温度降下が達成され得る。長さが１０ｃｍ、断面が５×０．５ｍｍ、上流圧が１８０ｍｂａｒ、下流圧が２０ｍｂａｒの扁平チューブでは、１００ｍｂａｒリットル／秒の水素流量で、最後の１センチメートルでは約１０００ｍ／ｓ、及び最初の９センチメートルではおおよそ３００ｍ／ｓのガス速度が達成されるであろう。

[000182] 図１０に図示された実施形態の利点は、図７乃至９に関連して上記で説明した利点と概ね一致している。この実施形態は、冷却要素４４がより低い温度まで冷却されることを可能にする。これは冷却要素がより小さな設置面積を有することを可能にし、小さな設置面積は空洞４８内により高い圧力のガスを許容する。ペルチェ式クーラの高温側を基板の付近に有することが回避される。冷却要素４４に必要なコンポーネントがより少なくなり、それによって冷却要素の設計が簡略化される。

[000183] 本発明の一実施形態による冷却要素２０２の断面が図１１に概略的に図示されている。冷却要素２０２はリソグラフィ装置の冷却装置４０（図１を参照）の一部を形成し得る。図１１にデカルト座標によって示されているように、断面は（Ｙ方向の断面を示していた先の各図とは対照的に）Ｘ方向に沿っている。冷却要素２０２は、他の実施形態との関連で上記で説明したフィーチャを含んでいてもよい。簡潔にするため、これらはこの実施形態の説明には含まれていない。したがって、例えば、この実施形態はペルチェ式クーラなどの除熱システム及び流体冷却システムを含み得る。同様に、例えば、この実施形態は引込機構を含んでいてもよい。上記で説明したガスの圧力及び冷却要素２０２と基板との間隔に関する考慮点は、この実施形態に関して（及び他の実施形態に関して）も当てはまり得る。

[000184] 冷却要素２０２は、バルブ２０８を介してガスを受け取るガス送出導管２０６に接続された本体２０４を備えている。本体２０４内のチャンバ２１０はガス送出導管２０６からガスを受け取る。本体２０４は、チャンバ２１０の最下面を形成する床２１２を有する。床２１２には穴２１４が設けられており、ガスはこれらを通ってチャンバ２１０から流れる。冷却要素２０２は基板Ｗの上方に配置され、穴２１４を通出したガスは、（矢印によって概略的に図示されるように）冷却要素の下から流出するまで冷却要素２０２と気体Ｗとの間の空間を満たす。ガスは基板Ｗよりも低い温度を有する。ガスは、基板Ｗから（基板よりも低い温度を有する）冷却要素２０２への熱の伝達を促進する。このように、ガスは基板を冷却するように作用する。冷却ガスとも称され得るガスは、例えば水素（又は不活性ガス）であってもよい。冷却ガス（及び冷却要素２０２）について用いられ得る適切な温度は、他の実施形態との関連で本文書の他の箇所に述べられている。

[000185] 穴２１４は床２１２全体に分配されていてもよい。穴２１４は、例えば直径が少なくとも１０ミクロンの寸法をとり得る。穴２１４は、例えば直径が最大で５０ミクロンの寸法をとり得る。穴２１４は二次元アレイとして提供されてもよい。隣接する穴２１４の間には少なくとも１００ミクロンの間隔が設けられてもよい。隣接する穴２１４の間には最大で１ｍｍの間隔が設けられてもよい。Ｘ方向における隣接する穴の間の間隔は、Ｙ方向における隣接する穴の間の間隔とは異なっていてもよい。穴２１４は、例えばレーザ穴あけを用いて形成され得る。図１１Ａには９個の穴（及び図１１Ｂには４５個の穴）が図示されているが、これは概略図に過ぎず、任意の適当な数の穴が用いられ得る。

[000186] 冷却要素２０２はさらに、シャッタ２１６を備えている。シャッタ２１６はＸ方向（非スキャン方向）に移動可能であり、チャンバ２１０の床２１２の穴２１４のうちいくつかを閉鎖するように作用する。図１１Ａにおいては、シャッタ２１６は、床２１２の穴２１４を閉鎖しない第１の位置にある。この位置は引込位置とも称され得る。図１１Ｂにおいては、シャッタ２１６は、チャンバ２１０の床２１２の穴２１４のうちいくつかを閉鎖する位置に移動されている。この位置は展開位置とも称され得る。図１１Ａと図１１Ｂとの比較からわかるように、冷却ガスが入射する基板エリアのＸ方向の大きさは、シャッタ２１６が引込位置から展開位置に移動されると縮小される。これは、図１２との関連で以下で述べられる理由により、有利である。

[000187] 図１２は、冷却要素２０２を下から見たところを概略的に図示する。やはり図１２に図示されているのは、リソグラフィ装置ＬＡの放射ビームＢ（図１を参照）によって照明される露光エリアＥである。冷却要素２０２の本体２０４は、冷却要素の床２１２を包囲する外周部を形成する。床２１２には穴２１４が設けられており、冷却要素２０２の動作の際にはこれらの穴からガスが流出する。冷却要素を下から見たときには冷却要素２０２のシャッタ２１６は見えないであろうが、ここでは、本発明の理解を容易にするために図示されている。シャッタは引込位置２１６ａ（破線で図示されている）から展開位置２１６ｂ（点線で図示されている）へと移動可能である。

[000188] リソグラフィ装置ＬＡ（図１を参照）の動作時、放射ビームＢによって照明される露光エリアＥのＸ方向（非スキャン方向）の寸法は、リソグラフィ装置のオペレータによって選択されてもよい。この選択は、基板Ｗ上でリソグラフィ装置によって露光されるダイの寸法によって決定され得る。露光エリアＥのＸ方向の最大の大きさは、例えば２６ｍｍであり得る（もっとも、他のＸ方向の最大の大きさが可能である）。図１２においてはＸ方向の最大の大きさはＸ_ｍａｘと標識されている。露光エリアＥのＸ方向の最小の大きさは、例えば１６．５ｍｍであり得る（もっとも、他の最小寸法が可能である）。図１２においては露光エリアの最小寸法はＸ_ｍｉｎと標識されている。露光エリアＥのＸ方向の大きさは、リソグラフィ装置ＬＡのイルミネータＩＬ（図１を参照）によって、例えばマスキングブレイド（図示しない）を用いて既知の手法で調整され得る。

[000189] 冷却要素２０２のシャッタ２１６は、冷却ガスが誘導されるエリアのＸ方向の大きさが調整されることを可能にし、したがってこのエリアの大きさは露光エリアＥのＸ方向の大きさと一致する。よって、露光エリアＥが最大寸法Ｘ_ｍａｘを有するときには、シャッタ２１６は引込位置２１６ａにある。その際、ガスを基板に送出する床２１２の穴のＸ方向の大きさは、Ｘ_ｍａｘと略一致する。露光エリアＥがＸ方向の最小寸法Ｘ_ｍｉｎを有するときには、シャッタ２１６は展開位置２１６ｂにある。その際、ガスを基板上に送出する床の穴のＸ方向の大きさは、Ｘ_ｍｉｎと略一致する。

[000190] 露光エリアＥは、Ｘ_ｍａｘとＸ_ｍｉｎとの間で他のＸ方向の大きさが可能である。したがって、シャッタ２１６は、引込位置と展開位置との間の中間位置へと展開され得る。このように、シャッタ２１６は、冷却要素２０２が、露光エリアＥのＸ方向の大きさと一致するＸ方向の大きさを有するエリアに冷却ガスを誘導するように位置決め可能である。冷却ガスが送出されるエリアのＸ方向の大きさを露光エリアＥのＸ方向の大きさと一致させることによって、この実施形態は、露光エリアのＸ方向縁部を超えて広がるエリアに冷却ガスを誘導することを回避する。もしも冷却ガスが露光エリアＥのＸ方向縁部を超えて広がるエリアに送出されると、それによって望ましくない基板の歪曲が引き起こされ得る。そして、リソグラフィ装置が基板上にパターンを投影することのできる精度が低減され得る。例えば、冷却ガスは、現在露光中のダイに隣接するダイの一部の冷却を引き起こし、それによって、その後その隣接するダイにパターンが投影されるときのオーバーレイ精度が低減し得る。この問題は本発明の実施形態によって回避される。なぜなら、冷却ガスが入射するエリアのＸ方向の大きさが露光エリアＥのＸ方向の大きさと一致するからである。

[000191] 本発明の図示された実施形態において、シャッタ２１６は、引込位置２１６ａにあるときには、冷却要素２０２の床２１２にある穴２１４のいずれをも閉鎖しない。しかしながら、必ずしもそうでなくてもよい。したがって、例えば、シャッタ２１６は、引込位置にあるとき、床２１２のいくつかの穴２１４を閉鎖してもよい。そうなるか否かは、シャッタ及び床の具体的な構成によるであろう。いずれにしても、シャッタを引込位置２１６ａから展開位置２１６ｂへと移動させると、冷却要素２０２の床２１２のいくつかの穴２１４が閉鎖される。

[000192] 代替的な配置では、床２１２に穴を設ける代わりに、床が多孔質材料から形成されてもよい。その場合には、その材料の気孔の網が、ガスが床２１２から流出することを可能にする。用いられ得る多孔質材料の例は、黒鉛（例えばオランダ国ヘルモントのＸｙｃａｒｂ Ｃｅｒａｍｉｃｓ社によって販売されている）及び焼結セラミックス（オランダ国ゲルダーマルセンのＧｉｍｅｘ社によって販売されている）である。多孔質材料の多孔性は、所望の場合には、多孔質材料の表面に溶媒と共にエポキシ層を適用することによって低下されてもよい。使用される溶媒の量は、層の所望の透過性が達成されるように選択され得る。

[000193] 穴２１４及び多孔質材料の気孔はいずれも、ガスが床２１２を通過することを可能にする開口の例と考えられ得る。シャッタ２１６は、開口が穴２１４であるのか多孔質材料の気孔であるのかに関わらず、同様の働きをする。したがって、シャッタ２１６を引込位置２１６ａから展開位置２１６ｂへと移動させると、冷却要素２０２の床２１２のいくつかの開口が閉鎖される。

[000194] 図１１及び１２には単一の冷却要素２０２のみが示されているが、この実施形態による冷却要素はリソグラフィ装置の露光エリアＥの両側に（例えば図３に図示される配置に対応する配置で）設けられてもよいことがわかるであろう。

[000195] 図示される実施形態は２つのシャッタを有しているが、他の数のシャッタが用いられてもよい。例えば、単一のシャッタが用いられてもよい。その場合には、シャッタの移動と併せて、冷却要素２０２のＸ方向のいくらかの移動が必要であろう。これにより、シャッタによって閉鎖されていない開口がＸ方向で露光エリアＥと整列したままであることが保証される。

[000196] さらなる一実施形態（図示しない）においては、冷却要素は、シャッタ２１６は存在しないが、概ね図１１及び１２に図示されているようなものであってもよい。したがって、冷却要素は開口が設けられた床を含んでいてもよく、その開口を通ってガスが基板上に送出される。開口は、例えば穴のアレイ又は多孔質材料の気孔であってもよい。

[000197] 図１３は、図１１及び１２に図示された実施形態と類似の機能性を提供するがこれを異なる手法で行う、本発明の代替的な一実施形態を概略的に図示する。図１３は、本発明の一実施形態による冷却要素３０２の概略断面図である。図１１と同様、断面は冷却要素のＸ方向に沿っている。冷却要素３０２は本体３０４を備え、その内部に３つのチャンバ３０６乃至３０８が設けられている。チャンバは壁３１０によって互いに分離されている。チャンバは外チャンバ３０６，３０８及び内チャンバ３０７とも称され得る。各チャンバは、異なるガス導管及び関連するバルブ（図１３には図示しない）に接続されている。本体３０４はチャンバ３０６乃至３０８の最下面を形成する床３１２を有する。床３１２には穴３１４が設けられており、ガスはこれらを通ってチャンバ３０６乃至３０８から流れることができる。冷却要素３０２は基板Ｗの上方に配置され、穴３１４を通出したガスは、（矢印によって概略的に図示されるように）冷却要素の下から流出するまで冷却要素３０２と気体Ｗとの間の空間を満たす。ガスは基板Ｗよりも低い温度を有するので、基板を冷却するように作用する。ガスは冷却ガスとも称され得る。冷却ガスについて用いられ得る適切な温度は、他の実施形態との関連で本文書の他の箇所に述べられている。他の実施形態との関連で述べられているフィーチャ及び考慮点は、この実施形態との関連でも用いられ得る。

[000198] 図１３Ａを参照すると、ガスがチャンバ３０６乃至３０８のすべてに送出されるように、ガス導管のすべてと接続されたバルブが開かれていてもよい。ガスは、チャンバ３０６乃至３０８のすべてに送出されているため、床３１２のＸ方向の大きさ全体にわたって分配された穴３１４を通出する。これは、リソグラフィ装置の露光エリアＥのＸ方向の最大の大きさＸ_ｍａｘと一致し得る（図１２の左側を参照）。

[000199] 図１３Ｂを参照すると、外チャンバ３０６，３０８に伝わるガス導管に接続されたバルブは閉じられており、内チャンバ３０７に伝わるガス導管に接続されたバルブは開いている。外チャンバ３０６，３０８にはガスが送出されていないので、これらの外チャンバの下に配置された床３１２の穴３１４を通るガス流は存在しない。ガスは、内チャンバ３０７の床３１２の穴３１４から流れ続ける。したがって、ガスが送出される基板エリアのＸ方向の大きさは、図１３Ｂでは、図１３Ａと比較すると縮小されている。壁３１０は、内チャンバ３０７からガスが送出されるＸ方向の大きさがリソグラフィ装置の露光エリアＥのＸ方向の最小の大きさＸ_ｍｉｎ（図１２の左側を参照）と一致するように位置決めされていてもよい。

[000200] 壁３１０は、床３１２から冷却ガスを受け取らないＸ方向の大きさ部分を最小化するために、薄くてもよい（例えば厚さ１ｍｍ未満）（床のうち、壁３１０の直下の部分は、壁によって冷却ガスを放出するのを阻止されてもよい）。

[000201] 図１３の冷却要素３０２は、図１１及び１２の冷却要素との関連で上記で説明したフィーチャを組み込んでいてもよい。例えば、穴３１４は図１１及び１２との関連で上記で説明した特性を有していてもよい。床３１２は多孔質材料から形成されてもよい。穴３１４及び多孔質材料の気孔は、冷却ガスが通流し得る開口の例である。

[000202] 図１４は、図１３に図示された形態の２つの冷却要素３０２，３０３を備えた冷却装置４０を上から見たところを断面で概略的に図示する。図１４は、冷却装置のガス導管及びリソグラフィ装置の露光エリアＥも概略的に図示している。図１３との関連で上記で説明したように、冷却要素３０２，３０３はそれぞれ、内チャンバ３０７と、第１の外チャンバ３０６と、第２の外チャンバ３０８とを備える。チャンバ３０６乃至３０８は壁３１０によって互いに分離されている。第１のバルブ３１６は、２つの部分３１８ａ，３１８ｂに分岐する第１のガス導管３１８に接続されている。ガス導管の枝管３１８ａ，３１８ｂはそれぞれ、第１の冷却要素３０２の第１の外チャンバ３０６と、第２の冷却要素３０３の第２の外チャンバ３０６とに接続されている。第２のバルブ３２０は、第２のガス導管３２２に接続されている。第２のガス導管３２２は２つの枝管３２２ａ，３２２ｂに分かれ、これらはそれぞれ、第１の冷却要素３０２の第２の外チャンバ３０８と、第２の冷却要素３０３の第２の外チャンバ３０８とに接続されている。第３のバルブ３２４は、第３のガス導管３２６に接続されている。第３のガス導管３２６は２つの枝管３２６ａ，３２６ｂに分かれ、これらはそれぞれ、第１の冷却要素３０２の内チャンバ３０７と、第２の冷却要素３０３の内チャンバ３０７とに接続されている。

[000203] 図１４Ａに概略的に図示されているように、バルブ３１６，３２０，３２４のすべてが開いているときには、ガスは冷却要素３０２，３０３のチャンバ３０６乃至３０８のすべてに送出される。その結果、冷却要素３０２，３０３によってガスが送出される基板のＸ方向の大きさは、リソグラフィ装置の露光エリアＥのＸ方向の最大の大きさＸ_ｍａｘと一致する。

[000204] 図１４Ｂにおいては、第１のバルブ３１６及び第３のバルブ３２０が閉じており、その結果、ガスは冷却要素３０２，３０３の外チャンバ３０６，３０８へは流れない。第３のバルブ３２４は開いており、したがってガスは冷却要素３０２，３０４の内チャンバ３０７に流れる。その結果、ガスは冷却要素３０２，３０３の外チャンバ３０６，３０８からは流出しないが、内チャンバ３０７からは流出する。したがって、冷却ガスは、リソグラフィ装置によって露光されている基板の、より小さいＸ方向の大きさにわたって送出される。冷却ガスが送出されるＸ方向の大きさは、リソグラフィ装置によって照明される露光エリアＥのＸ方向の大きさと一致し得る。これは例えばそのリソグラフィ装置の露光エリアＥのＸ方向の最小の大きさＸ_ｍｉｎであってもよい。

[000205] このように、第１のバルブ３１６及び第３のバルブ３２０を開閉することによって、冷却ガスが送出されるＸ方向の大きさは、最大値と最小値との間で切り替えられ得る。代替的な構成（図示しない）においては、例えば４つの導管に分かれる単一の導管を介して外チャンバ３０６，３０８の両方へのガス流を制御するために、単一のバルブが配置されていてもよい。

[000206] 図１１及び１２の実施形態と比較した図１３及び１４の実施形態の欠点は、冷却ガスが送出されるＸ方向の大きさが最小値と最大値との間の値に制御可能でないということである。したがって、リソグラフィ装置によって用いられる露光エリアＥが最小の大きさＸ_ｍｉｎと最大の大きさＸ_ｍａｘとの中間のＸ方向の大きさを有する場合、冷却要素３０２，３０３によって冷却ガスが送出される基板のＸ方向の大きさは、露光エリアＥと一致しないであろう。

[000207] 図１３及び１４の実施形態の利点は、冷却要素３０２，３０３からのガスの送出を制御する可動要素（すなわちバルブ３１６，３２０，３２４）が冷却要素自体から離れて配置されているということである。対照的に、図１１及び１２の実施形態において、シャッタ２１６は冷却要素３０２の内部に配置されている。図１からわかるように、冷却要素２０２，３０２，３０３は、リソグラフィ装置の投影システムＰＳの下且つリソグラフィ装置の基板テーブルＷＴの上方に配置される冷却装置４０の一部を形成する。これは比較的アクセスし難い箇所である。したがって、図１３及び１４の実施形態のバルブ３１６，３２０，３２４の保守及び修理は、図１１及び１２の実施形態のシャッタの保守及び修理よりも遥かに容易であろう。

[000208] 図１５は、本発明の代替的な一実施形態による冷却要素４０２を概略的に図示する。本発明の他の実施形態と同じく、冷却要素４０２は、リソグラフィ装置の動作の際に放射ビームＢによって照明される露光エリアＥに隣接する箇所で基板Ｗ上に冷却ガスを導くように構成されている。冷却要素４０２は、断面が図１５に概略的に図示されているとともに、下から見たところが図１６に概略的に図示されている。図１５は図１６に対して拡大されている。いくつかの他の実施形態と同じく、この実施形態は実用においてはガス送出導管を含むであろうが、図１５及び１６にはガス送出導管は図示されていない。他の実施形態との関連で述べられているフィーチャ及び考慮点は、この実施形態との関連でも用いられ得る。

[000209] 冷却要素４０２は、チャンバ４０６を設けられた本体４０４を備えている。チャンバ４０６は多孔質材料から形成された床４０８を有する（適当な多孔質材料は上記で説明されている）。本体４０４は基板Ｗの方を向いた最下面４１０を有する。最下面４１０の一部は多孔質材料の床４０８によって形成されている。実質的に平面状であり得る本体４０４の最下面４１０はギャップＧによって基板Ｗから分離されており、このギャップは例えば約８０ミクロンであってもよい。ギャップＧは、例えば２００ミクロン未満であってもよいし、例えば１００ミクロン未満であってもよい。ギャップＧは、例えば２０ミクロンより大きくてもよい。

[000210] 多孔質材料の床４０８を通って送出された冷却ガスは、本体４０４の最下面４１０と基板Ｗとの間のギャップＧを満たす。ギャップＧ内の冷却ガスは網掛けされたエリア４１２によって概略的に図示されている。冷却ガス４１２は、例えば水素（又は何らかの他のガス）であってもよい。冷却ガス４１２は、基板の温度よりも低い温度を有する。冷却ガス４１２は、基板Ｗからやはり基板の温度よりも低い温度を有する冷却要素本体４０４への熱の伝達を促進する。このように、冷却ガス４１２は基板Ｗを冷却するように作用する。

[000211] 図１５の冷却要素４０２はさらに、第１の冷却流体経路４１４及び第２の冷却流体経路４１６を備えている。冷却流体は冷却流体経路４１４，４１６を通って圧送され、それによって冷却要素４０２から熱を運び去る。冷却流体は、例えば窒素ガス（又は何らかの他のガス）であってもよく、例えば約−１００℃の温度まで冷却されてもよい。窒素ガスは、例えば大気圧を上回る圧力（例えば４バールより高く、例えば約８バール、例えば１２バール以下）に保持されてもよい。窒素（又は他のガス）は冷却要素４０２を０℃を下回る温度まで冷却するように作用する。窒素（又は他のガス）は冷却要素４０２を−５０℃を下回る温度まで冷却するように作用してもよいし、冷却要素を−７０℃を下回る温度（例えば約−１００℃）まで冷却するように作用してもよい。冷却要素４０２が０℃を下回る温度、例えば約−１００℃で保持されるので、チャンバ４０６内の冷却ガスもまたその温度まで冷却される。その結果、多孔性の床４０８を通って送出される冷却ガス４１２は、冷却要素４０２の温度と同じ温度を有する。

[000212] 冷却ガスは、冷却要素４０２と基板Ｗとの間に大気圧よりも大きい冷却ガス４１２の圧力をもたらすであろう流量で送出される。圧力は、例えば５００パスカルより大きくてもよく、例えば約７００パスカルであってもよい。圧力は、例えば１０００パスカル未満であってもよい。冷却ガス４１２は、例えば３００Ｗ／ｍ^２Ｋよりも高い熱伝達率を提供し得る。冷却ガス４１２は、例えば６００Ｗ／ｍ^２Ｋよりも低い熱伝達率を提供し得る。冷却ガス４１２は、例えば約４５０Ｗ／ｍ^２Ｋの熱伝達率を提供し得る。

[000213] 冷却要素４０２は露光エリアＥの縁部に隣接して配置されてもよい。この文脈において、「隣接」という用語は、露光エリアＥの縁部から１ｃｍ未満を意味するものとして解釈され得る。冷却要素４０２は、露光エリアＥの縁部から０．５ｃｍ未満のところにあってもよいし、露光エリアの縁部から約１ｍｍのところにあってもよい。冷却要素４０２は、露光エリアＥの縁部から１ｍｍ乃至１ｃｍの範囲内にあってもよい。冷却要素と露光エリアとの間隔が小さいほど、基板加熱によって引き起こされる基板の望ましくない歪曲が回避される程度は大きくなる。

[000214] 冷却要素４０２が可能な限り露光エリアＥに近接して位置するためには、冷却要素は、露光エリアＥから所望の距離にあるときには放射ビームＢと交差しないような形状を有していてもよい。よって、例えば、この実施形態の冷却要素には、放射ビームＢの方に向いた傾斜内面４１８が備えられている。傾斜面４１８は、例えば垂直面に対してある角度を成していてもよく、この角度は放射ビームＢが垂直面に対して成す角度に略一致する。この形状は、冷却要素４０２が放射ビームＢに突出する最内角部を有するのを回避する。本発明の他の実施形態による冷却要素についても対応する形状が用いられ得る。

[000215] 冷却要素４０２は（垂直方向で測定したとき）薄い。なぜなら、これによって、冷却要素が、放射ビームと交差することなしに放射ビームＢにより近接して位置決めされることが可能になるからである。したがって、例えば、冷却要素は、垂直方向（ｚ方向）で３ｍｍ以下の厚さを有し得る。冷却要素４０２の厚さは、例えば２ｍｍ以下であってもよい。冷却要素４０２は、冷却ガスを受容するチャンバ４０６のための空間を許容するとともに冷却流体経路４１４，４１６のための空間も許容する程度に十分に厚い。よって、冷却要素４０２の最小の厚さは、例えば約１ｍｍであってもよい。

[000216] 冷却要素４０２が露光エリアＥに近接しているほど、基板加熱によって引き起こされる基板の望ましくない歪曲が回避される程度は大きくなる。したがって、例えば、冷却要素４０２と露光エリアＥの縁部との間は３ｍｍ未満の間隔であるのが望ましいであろう。２ｍｍ以下の間隔は、さらに効果的な冷却を提供するので、好適であろう。１ｍｍ以下の間隔が最も好適であろうが、これを実用で実現するのは困難であろう。露光エリアＥの縁部の位置には、例えば約０．３ｍｍの公差があってもよい。冷却要素４０２が露光エリアＥに対して位置決めされ得る精度には、例えば約０．３ｍｍの公差があってもよい。上記で言及した値はこれを考慮に入れていてもよい。よって、上記で言及した値は、例えば＋／−０．６ｍｍの公差を有し得る。

[000217] 冷却要素４０２の最下面４１０は、例えばＹ方向で１ｍｍ乃至３ｍｍ（例えば１．５ｍｍ乃至２ｍｍ）の寸法をとってもよい。冷却要素４０２の最下面４１０は、例えばＹ方向で５ｍｍ未満の寸法をとってもよい。最下面４１０のＹ方向の長さは、冷却要素４０２と基板との間に位置する冷却ガス４１２のエリアを決定するので、基板Ｗに提供される冷却の量に有意な影響を有する。多孔質材料の床４０８は、例えば、Ｙ方向（スキャン方向）で測定して冷却要素４０２の内縁部から約０．５ｍｍ離れていてもよい。多孔質材料の床４０８は、例えば、０．３ｍｍ乃至０．７ｍｍ（例えば約０．５ｍｍ）のＹ方向の長さを有していてもよい。

[000218] 図１５の実施形態は、露光されるエリアＥに近接した箇所に冷却を提供することにより、放射ビームＢによって引きこされる加熱に起因して基板が膨張する傾向を抑え得る。そのような膨張は基板の縁部で特に問題となる。なぜなら、基板は縁部では基板テーブルＷＴによる抑制が弱くなりがちであるためである。この実施形態のさらなる利点は、基板テーブルＷＴのバールが備えなければならない剛性公差を緩め得るということである（バールの剛性の要求される精度は加熱に起因する基板の膨張と相関している）。

[000219] 図１６は、露光エリアＥの一方側の第１の冷却要素４０２と露光エリアの反対側の第２の冷却要素４０３とを下から見たところを図示している。これらの冷却要素は図１５に図示された種類のものである。一方の冷却要素４０２は基板のうちあるエリアをそのエリアが放射ビームＢによって露光される前に冷却し、他方の冷却要素４０３はそのエリアが露光された後で基板を冷却する。これは、スキャン露光の方向が入れ替わるときには入れ替わる。

[000220] 図１６からわかるように、多孔質材料から形成された床４０８のＸ方向の大きさは露光エリアＥのＸ方向と一致し得る。これは例えば、リソグラフィ装置が照明することのできる露光エリアのＸ方向の最大の大きさＸ_ｍａｘであってもよい。冷却要素４０２，４０３は、冷却ガスが通過して送出される床４０８のＸ方向の大きさを調整するように動作可能な１つ以上のシャッタ又はチャンバ又は他のコンポーネント（図示しない）を備えていてもよい。

[000221] 図１５及び１６に図示される実施形態は多孔質材料から形成された床４０８を有しているが、他の実施形態においては、床は非多孔質材料から形成されてもよく、その床には冷却ガスが床を通過して送出され得るように穴のアレイが設けられている。穴は、先行する実施形態に関連して上記で言及した特性を含み得る。穴及び気孔は、冷却ガスが通流し得る開口の例である。

[000222] 図２乃至４に図示されている本発明の実施形態は、空洞４８，４９を有する代わりに基板Ｗの方を向いた床を含むように変形されてもよい。床は略平面状であってもよく、例えば冷却要素の最下面と同一平面であってもよい。床は、開口を設けられていてもよい（例えば多孔質材料から形成されてもよいし、又は穴のアレイを設けられていてもよい）。床の上方にはチャンバが設けられていてもよく、そこからガスが床を通過して送出される。

[000223] 説明された本発明の実施形態は２つの冷却要素を備えているが、本発明の他の実施形態は他の数の冷却要素を備えていてもよい。例えば、単一の冷却要素が設けられてもよい。単一の冷却要素は、例えば露光エリアＥの一方側に沿って広がって（又は露光エリアの一方側に沿って広がる空洞を有して）いてもよい。その場合には、冷却要素は露光エリアＥを（露光の際のスキャン方向に応じて）露光の前又は露光の後に冷却するであろう。代替的には、単一の冷却要素が、例えば露光エリアＥの複数の側部の周囲に広がって（例えば露光エリアの複数の側部の周囲に広がる空洞又は開口を備えた床を有して）いてもよい。単一の冷却要素が、例えば露光エリアＥの周囲回りに広がって（例えば露光エリアの周囲回りに広がる空洞又は開口を備えた床を有して）いてもよい。

[000224] 代替的な一例においては、２つよりも多くの冷却要素が設けられていてもよい。例えば４つの冷却要素が設けられてもよく、露光エリアの各縁部に隣接して１つの冷却要素が提供される。

[000225] 図１７には本発明の代替的な一実施形態が概略的に図示されている。図１７の冷却装置７０は、一対の冷却要素７２，７４を備えている点で上記で説明した実施形態と類似しているが、この実施形態においては、基板Ｗから熱を除去するために、異なる冷却機構が用いられる。各冷却要素７２，７４にはノズルのアレイ７６，７８が設けられており、このアレイは液体の液滴を基板Ｗ上に導くように配置されている。液体の液滴は図１７においては円８０によって概略的に示されている。液体は水であってもよく、図１７の実施形態は水の液滴が使用される場合に関連して説明される。しかしながら、任意の他の適当な液体が用いられてもよい。水の液滴は基板Ｗから熱を受け取って基板の表面から蒸発する。水の液滴への熱の伝達及びその液滴の蒸発が基板Ｗの冷却をもたらす。基板Ｗの冷却されている領域からの液滴の蒸発は、その領域が放射ビームＢによって照明される前に完了し得る。

[000226] ノズルアレイ７６，７８は二次元アレイであってもよい。ノズルは、（例えば長方形の格子状の配置を有するノズルによって）例えば長方形のアレイとして提供されてもよい。各ノズルアレイ７６，７８は任意の適当な配置を有し得る。ノズルは各アレイ７６，７８の全体に均一に分配されていてもよい。ノズルは、基板Ｗ上に水の液滴の一様な分配をもたらすように配置されていてもよい。

[000227] 先に説明した実施形態の冷却要素４２，４４の位置決めに関して上記で述べられた考慮点は、この実施形態の冷却要素７０，７２の位置決めに関しても概ね当てはまる。したがって、例えば、冷却要素７２，７４は、スキャン方向（すなわちＹ方向）で放射ビームＢの両側に配置されている。冷却要素７２，７４は、露光エリアＥに隣接している。この文脈において、「隣接」という用語は、露光エリアＥの縁部から１ｃｍ未満を意味するものとして解釈され得る。冷却要素７２，７４は、露光エリアＥの縁部から０．５ｃｍ未満のところにあってもよいし、露光エリアの縁部から約０．１ｃｍのところにあってもよい。各冷却要素は、露光エリアＥを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。各冷却要素は、露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されていてもよい。

[000228] 上記で説明した理由により、Ｙ方向におけるノズルアレイの範囲は、Ｙ方向におけるリソグラフィ装置の露光エリアの最大長以上であってもよい。ノズルアレイは、例えば、Ｘ方向で約２６ｍｍ延びるエリアに水の液滴を送出するように構成されていてもよい。各ノズルアレイは、例えば、Ｙ方向で約５ｍｍ延びるエリアに水の液滴を送出するように構成されていてもよい。

[000229] 各冷却要素７２，７４の底面（これはノズル７６，７８の底面であるものと見なされ得る）の間隔は、上記で説明した実施形態におけるよりも有意に大きくてもよい。なぜなら、異なる考慮点が当てはまるためである。水の液体のうちいくらかの蒸発は、水の液滴がノズル７６，７８から基板Ｗへと進むときに発生する。しかし、水の液滴が基板Ｗに到達する前に完全に気化しなければ、その水の液滴はいくらかの基板の冷却をもたらすであろう。発生する水の液滴の蒸発の量は、水の液滴の飛行時間に依存するとともに、水の液滴の速度と、冷却要素７２，７４と基板Ｗとの間隔とに依存する。例えば、１ミリメータ以上（例えば最大で約５ｍｍ）の間隔が設けられると、問題となる量の水の液滴の蒸発は発生しないであろう（例えば基板Ｗへと進む際の蒸発は約５０％又はそれよりも少なくてもよく、１０％未満であってもよい）。例えば５０ミクロン以上の、より小さな間隔が設けられてもよい。上述したように、冷却要素７２，７４と基板Ｗとの接触のリスクを実質的に無くすには、５０ミクロンの間隔で十分であろう。

[000230] 所与の時間中に蒸発する水の液滴の割合は、水の液滴の半径に依存する。本発明の実施形態の水の液滴は、例えばおよそ数ミクロン又は数十ミクロンの直径を有し得る。一例として、水の液滴は、約２０ミクロンの直径を有していてもよい。その場合、水の液滴の半分が蒸発するのにかかる時間は、約５ミリ秒であろう。ノズル７６，７８は、約１０ｍ／秒の速度で水の液滴を基板の方に導いてもよい。ノズルと基板との間隔が５ｍｍであれば、水の液滴の約６％が、基板Ｗに到達する前に蒸発する。より少ない蒸発が望まれるか、又はより遅い液滴速度が望まれる場合には、冷却要素７２，７４と基板Ｗとの間隔は相応に小さくされてもよい。例えば、間隔を１００ミクロンに減少させると、液滴が同じ速度で約０．１％の蒸発をもって送出されることが可能になるであろう。

[000231] 各冷却要素７２，７４は、約１．５乃至３Ｗを基板から除去するように配置されてもよい。水の蒸発エネルギは２×１０^６Ｊ／ｋｇである。したがって、例えば基板から２Ｗを除去するためには、水の液滴は約１ｍｇ／ｓの流量で基板に送出され得る。

[000232] 図１７に関連して説明された実施形態は２つの冷却要素７２，７４を備えているが、本発明の他の実施形態は他の数の冷却要素を備えていてもよい。例えば、単一の冷却要素が設けられてもよい。単一の冷却要素は、例えば露光エリアＥの一方側に沿って広がるノズルアレイを有していてもよい。その場合には、冷却要素は露光エリアを（露光の際のスキャン方向に応じて）露光の前又は露光の後に冷却するであろう。代替的には、単一の冷却要素が、例えば露光エリアの複数の側部の周囲に広がって（例えば露光エリアの複数の側部の周囲に広がるノズルアレイを有して）いてもよい。単一の冷却要素が、例えば露光エリアの周囲回りに広がって（例えば露光エリアの周囲回りに広がるノズルアレイを有して）いてもよい。

[000233] 代替的な一例においては、２つよりも多くの冷却要素が設けられていてもよい。例えば４つの冷却要素が設けられてもよく、露光エリアの各縁部に隣接して１つの冷却要素が提供される。

[000234] 適切な場合には、先に説明した実施形態との関連で上述したバリエーションが、ここで説明した実施形態にも適用され得ることがわかるであろう。

[000235] 説明した実施形態は水の液滴を用いるが、基板から蒸発する任意の他の適当な液体が用いられてもよい。例えば、液体の形態となるように十分に高い圧力及び／又は十分に低い温度で保持されたＣＯ_２、Ｈ_２、又は不活性ガスがノズルアレイから吐出されてもよい。

[000236] 本発明の代替的な一実施形態は、加熱装置を備える。図１８乃至２２は、加熱装置の一実施形態を概略的に図示するとともに、その加熱装置がどのように用いられ得るのかを示している。図１８Ａは加熱装置２００の下から見た概略図であり、図１８Ｂは加熱装置の加熱要素２０２の一方側から見た概略図である。図１８Ｂにはリソグラフィ装置によって投影された放射ビームＢが示されており、図１８Ａには放射ビームによって照明された露光エリアＥが示されている。

[000237] 他の図示された実施形態と同じく、図１８乃至２２にはデカルト座標が示されており、リソグラフィ装置に従来用いられている表記が用いられている。すなわち、Ｙ方向は露光の際の基板Ｗのスキャン移動の方向であり、Ｘ方向はＹ方向に対して横向きで基板の平面内にあり、Ｚ方向は放射ビームＢの光軸と概ね一致する。

[000238] 加熱装置２００は第１の加熱要素５０２及び第２の加熱要素５０４を備える。図１８Ａに図示されるように、第１の加熱要素５０２及び第２の加熱要素５０４は同一の全体構成を有し得る。加熱要素５０２，５０４は、露光エリアＥの非スキャン方向の（すなわちＸ方向の）両端部に配置されている。加熱要素５０２，５０４は露光エリアＥに隣接していてもよい。この文脈において、「隣接」という用語は、露光エリアＥの縁部から１ｃｍ未満を意味するものとして解釈され得る。冷却要素５０２，５０４は、露光エリアＥの縁部から０．５ｃｍ未満のところにあってもよいし、露光エリアの縁部から約０．１ｃｍのところにあってもよい。

[000239] 各加熱要素５０２，５０４は、その加熱要素の直下にあるエリアにおいて、基板Ｗの局所的な加熱を提供する。各加熱要素５０２，５０４によって加熱されるエリアは、その加熱要素の直下に位置するエリアを超えて広がっていてもよい。加熱されるエリアは図１８Ａに点線５０６，５０８で概略的に図示されている。各加熱要素５０２，５０４は、赤外放射を放出するように構成されたＬＥＤのアレイ５１０，５１２を備えている。図示されるＬＥＤのアレイ５１０，５１２はそれぞれ１２個のＬＥＤを含んでいるが、任意の適当な数のＬＥＤが用いられ得る。

[000240] 図１８Ｂは、一方の加熱要素５０２を一方側から見たところを図示している。見てわかるように、ＬＥＤ５１０は赤外放射ビーム５１４を放出する。赤外放射ビーム５１４は発散し、したがって基板Ｗ上の、加熱要素５０２の設置面積を超えて広がるエリア５０６を照明する。図１８Ｂに概略的に図示されるように、赤外放射ビーム５１４のうち少なくとも１つは放射ビームＢの縁部と重なり得る。よって、加熱装置２００は露光エリアＥと重なるエリアを加熱し得る。

[000241] 概して、加熱要素５０２，５０４の発熱体は、基板上の熱を受けるエリア５０６，５０８が加熱要素の設置面積を超えて広がるように、いくらかの外向きのダイバージェンスをもって熱を放出するように構成されていてもよい。

[000242] 加熱要素５０２は、基板のうち放射ビームＢによって照明される露光エリアＥの縁部の（Ｘ方向における）すぐ外側の部分を加熱するように作用する局所的な加熱を基板Ｗへと送出する。その結果、基板Ｗの温度は、露光エリアＥの縁部において急速には下降せず、よりゆっくりと低下する。そのような温度降下によって引き起こされるであろう基板の歪曲が低減されるので、有利である。これは、リソグラフィ装置ＬＡによってパターンが基板Ｗ上に投影される精度の向上を可能にする（リソグラフィ装置のオーバーレイ精度の向上をもたらし得る）。

[000243] 図１９は、リソグラフィ装置の放射ビームＢによって露光される露光エリアＥを概略的に図示するとともに、さらに、加熱装置の加熱要素によって加熱されるエリア５０６，５０８を概略的に図示する。図１９に見られるように、加熱されるエリアの一方５０６は露光エリアのＸ方向の一方側で露光エリアＥと隣り合い、他方の加熱されるエリア５０８はＸ方向の反対側で露光エリアＥと隣り合う。上記で言及したように、加熱要素は、露光エリアＥのＸ方向の縁部に存在するであろう温度勾配が存在しない（又は低減される）ように基板を加熱する。その代わり、それらの温度勾配は、加熱されるエリア５０６，５０８の露光エリアＥから遠位の縁部へとＸ方向で外側に移動される。これらの縁部は放射ビームＢによって露光されていないので、これらの縁部における温度勾配の存在は、パターンが基板Ｗ上に投影される精度に有意な影響を有さない。

[000244] 一実施形態においては、加熱されるエリア５０６，５０８は露光エリアＥのＸ方向の縁部と重なっていてもよい。露光エリアＥははっきりとした縁部を有するものとして図示されているが、実用においては、放射ビームＢの強度照度がＸ方向で低下するにつれて不鮮明な縁部を有していてもよい。同様に、加熱されるエリア５０６，５０８ははっきりとした縁部を備えて図示されているが、赤外放射ビーム５１４によって提供される熱がＸ方向で漸進的に減少する不鮮明な縁部を有していてもよい。加熱要素５０２，５０４は、加熱されるエリア５０６，５０８のＸ方向の不鮮明な縁部が露光エリアＥの不鮮明な縁部と重なるように構成されていてもよい。したがって、放射ビームＢによって加熱されるエリアから加熱要素５０２，５０４によって加熱されるエリアへのＸ方向の漸進的な移行部が存在し得る。

[000245] 赤外放射はリソグラフィ用レジストにとって化学線ではないので、加熱要素５０２，５０４は（上述のように）赤外放射を放出するように構成されていてもよい。他の非化学線波長の放射が加熱要素５０２，５０４によって放出されてもよい。図示される実施形態は、基板Ｗに熱を送出する放射ビーム５１４を提供するためにＬＥＤ５１０，５１２を用いるが、基板上に熱を放出するためには任意の適当な形態の発熱体が用いられ得る。加熱エリアは、スキャン方向において露光エリアの寸法よりも大きい寸法を有していてもよい。加熱エリアにおける加熱は均一である必要はない。

[000246] 加熱装置５００は投影システムＰＳのハウジングに取り付けられてもよい。これは例えば、図１に概略的に図示される冷却装置４０の取り付けに概ね対応する手法で行われ得る。加熱が適用されるときの冷却エリアは、Ｘ方向により大きくてもよい。すなわち、Ｘ方向の幅いっぱいに、図１８のフィーチャ２０６＋Ｅ＋２０８まで広がっていてもよい。

[000247] 図２０及び２１は、図１８に図示される加熱装置の代わりに用いられ得る加熱装置の代替的な一実施形態を概略的に図示している。まず図２０を参照すると、加熱装置６００は第１のレーザ６０２及び第２のレーザ６０４を備えており、これらは基板Ｗに入射するレーザビームＬを出力するように構成されている。レーザビームＬは、リソグラフィ装置の放射ビームＢによって照明される露光エリアＥの両側のエリア６０６，６０８を照明する。照明されるエリア６０６，６０８は露光エリアＥと隣り合っていてもよい。レーザ６０２，６０４は加熱要素の例である。

[000248] レーザビームＬは、基板Ｗ上の、図１９に図示されるエリア５０６，６０８に概ね対応するエリア６０６，６０８を照明する。これらのエリアの形状及び寸法は光学部品６０３，６０５によって決定され得る。光学部品６０３，６０５は、レーザビームを基板Ｗ上に導くために用いられるミラーを含んでいてもよい。レーザビームＬは、例えば赤外レーザビームであってもよい。レーザビームＬは何らかの他の非化学線の波長を有していてもよい。レーザビームＬは、基板のうち放射ビームＢによって照明される露光エリアの縁部の（Ｘ方向における）すぐ外側の部分を加熱するように作用する局所的な加熱を基板Ｗへと送出する。その結果、基板Ｗの温度は、露光エリアＥの縁部において急速には下降せず、よりゆっくりと低下する。これは、そのような温度降下によって引き起こされるであろう基板の歪曲が低減されるという利点を提供する。そして、リソグラフィ装置ＬＡによってパターンが基板Ｗ上に投影される精度の向上をもたらす（リソグラフィ装置のオーバーレイ精度の向上をもたらし得る）。このことは、図１９に関連して上記でより詳細に説明されている。

[000249] レーザビームＬによって照明される基板Ｗ上のエリア６０６，６０８は、露光エリアＥのＸ方向の縁部と重なっていてもよい。露光エリアＥは、放射ビームＢの強度照度がＸ方向で低下する不鮮明な縁部を有していてもよい。同様に、レーザビームＬによって照明されるエリア６０６，６０８は、レーザビームの強度照度がＸ方向で低下する不鮮明な縁部を有していてもよい。レーザビームＬは、レーザビームによって照明されるエリア６０６，６０８のＸ方向の不鮮明な縁部が露光エリアＥの不鮮明な縁部と重なるように位置決めされてもよい。したがって、リソグラフィ装置の放射ビームＢによって加熱されるエリアＥからレーザビームＬによって加熱されるエリア６０６，６０８へのＸ方向の漸進的な移行部が存在し得る。

[000250] レーザビームＬは、投影システムのハウジングの床６１８の開口６１９を通って出て行く。開口６１９は主にリソグラフィ装置の放射ビームＢが投影システムのハウジングを出て基板Ｗに入射することを可能にするために設けられている。しかしながら、レーザビームＬも開口６１９を利用する。レーザビームＬは、例えば、図２０に概略的に図示されるように（例えばＸ方向で）互いに交差してもよい。

[000251] レーザ６０２，６０４は、リソグラフィ装置の投影システムＰＳのハウジング６１６（図１を参照）内に設けられてもよい。ハウジング内の環境は真空環境であってもよく、真空環境での使用に適したレーザ（例えば有意なアウトガスによって損なわれないレーザ）が選択され得る。代替的なアプローチにおいては、レーザは投影システムのハウジング６１８の外部に位置していてもよく、レーザビームは投影システムのハウジングの壁に設けられた１つ以上の窓を通過する。これは図２１に概略的に図示されている。

[000252] 図２１を参照すると加熱装置６００の一実施形態が図示されており、この加熱装置は、上記で図２０に関連して説明したものに対応する手法で動作するように構成されているが、レーザ６２０，６２２が投影システムのハウジング６１６の外部に配置されている。レーザ６２０，６２２は加熱要素の例であると考えられ得る。レーザ６２０，６２２は、ハウジング６１８から遠隔に配置されて、その遠隔位置から投影システムのハウジング６１６へと進むレーザビームＬを提供してもよい。投影システムのハウジング６１６には窓６２４が設けられている。窓６２４は、例えば石英又は何らかの他の適当な材料から形成されてもよく、レーザビームＬの波長において略透明である。投影システムのハウジング６１８内に配置されたミラー６２６，６２８は、レーザビームＬを受けて反射するように構成されている。ミラー６２６，６２８は、レーザビームＬを露光エリアＥの（Ｘ方向の）両側の基板Ｗ上に導くように配向されている。したがって、レーザビームＬは、露光エリアＥの両側の（例えば露光エリアと隣り合った）エリア６０６，６０８を照明する。照明されるエリア６０６，６０８の形状及び寸法は、レーザ６２０，６２２の下流に配置された光学部品６２１，６２３によって決定され得る。

[000253] ミラー６２６，６２８はマウンティング６３０，６３２によって保持される。マウンティングは、ミラー６２６，６２８の配向が固定されるように固定されていてもよい。代替的には、マウンティング６３０，６３２は、ミラー６２６，６２８の配向を調整するように構成されたアクチュエータを含んでいてもよい。アクチュエータはコントローラ（図示しない）によって制御されてもよい。アクチュエータが設けられる場合には、これらのアクチュエータは、レーザビームＬが基板Ｗに入射する位置を変更するように用いられてもよい。こうした位置調整は、例えば、Ｘ方向の大きさが縮小された露光エリアＥがリソグラフィ装置のオペレータによって選択される場合に用いられ得る。有利なことには、これは、レーザビームＬによって照明されるエリア６０６，６０８が露光エリアＥの縁部と隣り合うように連続することを保証し得る。

[000254] アクチュエータ上のミラーは任意の適当な箇所に設けられてもよく、基板Ｗ上の照明されるエリア６０６，６０８の位置を制御するために用いられ得る。

[000255] 図２０及び２１の実施形態は２つのレーザを有しているが、任意の適当な数のレーザが用いられてもよい。例えば、単一のレーザが用いられて単一のレーザビームがもたらされてもよく、この単一のレーザビームはその後（例えばビームスプリッタを用いて）２つのビームに分割され、第１のレーザビームが一方の基板エリア６０６を照明し得るとともに、他方のレーザビームが第２の基板エリア６０８を照明し得る。

[000256] 加熱装置５００，６００によって照明されるエリア５０６，５０８，６０６，６０８のＹ方向の範囲は、放射ビームＢによって照明される露光エリアＥのＹ方向の範囲に概ね一致していてもよい。これは、放射ビームＢによって熱が送出される手法に対応する手法で加熱装置が熱を露光エリアＥの両側で送出することを可能にするので、有利である。

[000257] 加熱装置５００，６００の加熱要素は、放射ビームＢが基板Ｗに入射しないときにはオフにされてもよい。これは例えば、ターゲット部分の露光の後及び次のターゲット部分の露光の前に基板Ｗが移動されているときに起こり得る。放射ビームＢが基板を加熱していないときに基板Ｗを加熱するために加熱装置５００，６００を用いて得られる利益はないから、これは有利である。

[000258] 図２２は、ターゲット部分Ｃのアレイに分割された基板Ｗを概略的に図示する。基板Ｗの従来のスキャン露光においては、基板のＸ方向で隣接するターゲット部分Ｃが連続して露光される蛇行経路（ｍｅａｎｄｅｒ ｐａｔｈ）が用いられる。本発明の一実施形態による加熱装置５００，６００が用いられるときには、Ｘ方向で隣接するターゲット部分が露光されない、異なる形態の蛇行経路が用いられ得る。代わりに、Ｘ方向で少なくとも１つの介在するターゲット部分によって分離されたターゲット部分が露光され得る。この例が図２２に概略的に図示されている。図２２において、矢印はターゲット部分のスキャン露光の方向を図示している。よって、ターゲット部分のうち標識されている行を参照すると、Ｃ１がスキャン露光によって＋Ｙ方向で露光され、次いでＣ３がスキャン露光によって−Ｙ方向で露光される。Ｃ２は、加熱装置５００，６００から熱を受け取っているので露光されず、したがっていくらかの局所的な歪曲を含み得る。次に、Ｃ５がスキャン露光によって＋Ｙ方向で露光され、その後Ｃ７がスキャン露光によって−Ｙ方向で露光される。Ｃ４及びＣ６は、加熱装置５００，６００から熱を受け取っているので露光されず、いくらかの局所的な歪曲を含み得る。

[000259] いったん図２２の矢印を含むターゲット部分のすべてが露光されると、他のターゲット部分が露光され得る。このアプローチは、加熱装置５００，６００によってターゲット部分に送出された熱がそれらのターゲット部分がリソグラフィ装置を用いて露光される前に散逸する時間を与えるので、有利である。

[000260] 加熱されるエリア５０６，５０８，６０６，６０８のＸ方向の範囲は、露光エリアＥのＸ方向の範囲よりも小さくてもよい。これは、所与の加熱要素が複数のターゲット部分を同時に加熱することを回避するので、有利である。図２２を参照すると、もしも加熱されるエリア５０６，５０８，６０６，６０８が露光エリアのＸ方向の範囲よりも大きく広がっていると、例えば、ターゲット部分Ｃ３がＣ１の露光の際に加熱されるであろうことがわかる。この加熱は、ターゲット部分Ｃ３の露光の際に存在し得るターゲット部分Ｃ３の望ましくない歪曲を引き起こすであろう。

[000261] 加熱される各エリア５０６，５０８，６０６，６０８のＸ方向の範囲は、露光エリアＥのＸ方向の範囲の半分よりも小さくてもよい。

[000262] 加熱装置５００，６００は、上記で説明した冷却装置４０と組み合わせて用いられてもよい。冷却装置４０と加熱装置５００，６００との併用は、冷却装置の効果が加熱装置の効果を相殺するであろうから、正味の利益をもたらさないものと予期されるかもしれない。しかし、そうではない。冷却装置４０及び加熱装置５００，６００は、異なる有益な効果を得るために、露光エリアＥに対して異なる位置に設けられ得る。したがって、例えば、加熱装置５００の加熱要素５０２，５０４は、露光エリアの縁部で生じる歪曲を低減させるために、露光エリアＥのＸ方向の両縁部に設けられ得る。縁部効果とも称され得るこの歪曲は、露光エリアＥのＹ方向の縁部では重要な問題ではない。なぜなら、露光エリアＥに対する基板Ｗのスキャン移動がＹ方向で基板Ｗに送出される放射を平均するので、縁部効果が生じないからである。よって、露光エリアＥのＹ方向の縁部に冷却装置４０を設けると、Ｙ方向の縁部で縁部効果を引き起こすことなく、上記で説明した有利な効果がもたらされるであろう。したがって、加熱装置５００は露光エリアＥのＸ方向の両縁部に設けられてもよく、冷却装置４０は露光エリアのＹ方向の少なくとも一方の縁部に設けられてもよい。加熱装置５００及び冷却装置４０は連結されて単一のユニットを形成してもよい。

[000263] 本文書において基板の表面を参照することは、基板上に提供されたレジストの表面を参照することと解釈されてもよい。

[000264] 上述したように、基板テーブルＷＴのバールの表面上で基板Ｗがスリップすることは、投影されるパターンが先に投影済みのパターンと整列される（一般にオーバーレイと称される）精度を低減させ得る。上記で説明した実施形態を用いると、バールの上で基板Ｗがスリップすることが減少又は防止され得る。追加的又は代替的には、バール上での基板Ｗのスリップは、その基板Ｗが設置される基板テーブルＷＴの温度を上回る温度まで基板を加熱することによって減少又は防止され得る。例えば、基板Ｗは、温度調整ユニットＡＵ（図１を参照）によって、基板テーブルＷＴの温度よりも約１００ｍＫ高い温度まで加熱されてもよい。温度調整ユニットＡＵは、所望の温度に保持された板を備えていてもよい。基板Ｗは、板の上に設置されると、板の温度まで加熱される。加熱された基板Ｗは次に基板テーブルＷＴ上に設置され、基板テーブルの一部を形成するクランプ（例えば静電クランプ）を用いて基板テーブルに圧着される。その後、基板は基板テーブルの温度まで冷え、それによって基板に応力が導入される。基板に導入される応力は、基板の外縁部を基板の中心に向かって内側に引き寄せる傾向がある。基板が放射ビームＢを用いてパターニングされるとき、この放射ビームは、基板を加熱するとともに、基板の外縁部を基板の中心から外側に遠ざかるように押す傾向がある応力を導入する。既に基板の冷却の際に導入された応力は、基板の加熱によって引き起こされる応力を少なくとも部分的に打ち消し、それによって基板が経験する累積応力が低減される。基板の外縁部の付近においては特にそうなる。累積応力の低減は、特に基板の外縁部の付近において、基板テーブルＷＴのバール上での基板Ｗのスリップを低減させ又は防止する。スリップは基板の外縁部の付近で最も起こりやすい（クランプは基板の外縁部では他の箇所におけるよりも少ない力を印加し得る）ので、これは有利である。

[000265] 上記の例においては温度調整ユニットＡＵは基板を１００ｍＫ加熱しているが、温度調整ユニットは基板を他の温度分加熱してもよい。例えば、温度調整ユニットは基板を最大で約０．５Ｋ加熱してもよい。

[000266] 本発明の実施形態の概略図においては、露光エリアＥは長方形として図示されている。これは説明を容易にするためであり、露光エリアＥは何らかの他の形状を有していてもよいことがわかるであろう。露光エリアＥは、例えばＸ方向に沿って何らかの曲面を含んでいてもよい（例えば概ねバナナに似た形状を有していてもよい）。

[000267] 一実施形態においては、本発明はマスク検査装置の一部を形成してもよい。マスク検査装置は、ＥＵＶ放射を用いてマスクを照明してもよく、撮像センサを用いてマスクから反射された放射を監視してもよい。撮像センサによって受信された画像は、マスクに欠陥が存在するか否かを判定するために用いられる。マスク検査装置は、ＥＵＶ放射源からＥＵＶ放射を受けてそれをマスクに向けられる放射ビームにするように構成された光学部品（例えばミラー）を含んでいてもよい。マスク検査装置はさらに、マスクから反射されたＥＵＶ放射を収集して撮像センサにおいてマスクの画像を形成するように構成された光学部品（例えばミラー）を含んでいてもよい。マスク検査装置は、撮像センサにおけるマスクの画像を分析するように、及びその分析からマスク上に何らかの欠陥が存在するかどうかを判定するように構成されたプロセッサを含んでいてもよい。プロセッサはさらに、検出されたマスク欠陥が、そのマスクがリソグラフィ装置によって用いられるときに基板上に投射された画像に許容できない欠陥を引き起こすかどうかを判定するように構成されていてもよい。

[000268] 一実施形態においては、本発明はメトロロジ（計測）装置の一部を形成してもよい。メトロロジ装置は、基板上に既に存在するパターンに対する基板上のレジストに形成された投影されたパターンのアライメントを測定するために用いられてもよい。この相対的アライメントの測定は、オーバーレイと称され得る。メトロロジ装置は、例えばリソグラフィ装置にすぐ隣接して位置していてもよく、基板（及びレジスト）が処理される前にオーバーレイを測定するために用いられてもよい。

[000269] 本文中では、リソグラフィ装置の文脈における本発明の実施形態を特に参照しているかもしれないが、本発明の実施形態は他の装置において用いられてもよい。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、あるいはウェーハ（若しくは他の基板）若しくはマスク（若しくは他のパターニングデバイス）を測定又は処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置は概してリソグラフィツールと称され得る。そのようなリソグラフィツールは、真空状態又は大気（非真空）状態を利用し得る。

[000270] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４乃至２０ｎｍの範囲内、例えば１３乃至１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含するものと考えられてもよい。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなど４乃至１０ｎｍの範囲内の波長を有していてもよい。

[000271] 図１及び２は放射源ＳＯをレーザ生成プラズマＬＰＰ源として図示しているが、ＥＵＶ放射を発生させるためには任意の適当な放射源が使用され得る。例えば、ＥＵＶ放出プラズマは、放電を利用して燃料（例えばスズ）をプラズマ状態に変換することによって生成されてもよい。この種の放射源は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と称され得る。放電は電源によって発生されてもよく、この電源は、放射源の一部を形成してもよいし、又は電気的接続を介して放射源ＳＯに接続された別個のエンティティであってもよい。

[000272] 本文中ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を特に参照しているかもしれないが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途も有し得ることが理解されるべきである。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネル表示器、液晶表示器（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含む。

[000273] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はこれらの任意の組み合わせにおいて実現され得る。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読出し及び実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令としても実現され得る。機械可読媒体は、機械（例えば演算装置）によって読出し可能な形で情報を記憶又は伝送する任意の機構を含んでいてもよい。例えば、機械可読媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学的、音響、又は他の形式の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含み得る。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は本明細書においては一定の動作を実行するものとして記載され得る。しかしながら、そのような記載は便宜上に過ぎず、そのような動作は実際には演算装置、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスから生じることが察知されるべきである。

[000274] 上記では本発明の具体的な実施形態を記載したが、本発明は記載されたものとは異なって実施され得ることがわかるであろう。上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。したがって、当業者には、記載された本発明の変更が、下記の特許請求の範囲及び条項を逸脱することなく行われ得ることがわかるであろう。
１．パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成するように構成された投影システムを備えるリソグラフィ装置であって、さらに前記基板を冷却する冷却装置を備えており、
前記冷却装置は、前記基板テーブルの上方に前記露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、
前記冷却要素は、前記基板テーブル上に保持された基板から熱を除去するように構成されている、リソグラフィ装置。
２．前記冷却要素は、前記露光エリアを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されている、条項１のリソグラフィ装置。
３．前記冷却要素は、前記露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されている、条項１又は２のリソグラフィ装置。
４．前記冷却要素は、前記リソグラフィ装置のスキャン方向と略一致する方向で前記露光エリアから離れている、条項１乃至３のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５．前記冷却要素は、前記露光エリアの両側に設けられた一対の冷却要素の一方である、条項４のリソグラフィ装置。
６．前記冷却要素は、本体と、前記本体の最下面に設けられた開放空洞と、を備え、前記空洞にガスを送出するように構成されたガス送出導管をさらに備える、条項１乃至５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
７．前記空洞は、前記基板の上面と併せて、前記ガス送出導管によって送出されたガスを受容する容積を形成するように構成されている、条項６のリソグラフィ装置。
８．前記リソグラフィ装置の非スキャン方向における前記冷却要素の空洞の前記範囲は、前記リソグラフィ装置の前記非スキャン方向における前記露光エリアの最大長以上である、条項６又は７のリソグラフィ装置。
９．前記空洞は、使用中の前記基板の前記上面から１ｍｍ未満の蓋部を有する、条項６乃至８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
１０．前記空洞の前記蓋部は、前記基板テーブルの平面と略平行である、条項６乃至９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
１１．前記空洞に送出される前記ガスの圧力と、前記空洞蓋部と前記基板表面との前記間隔と、の前記組み合わせは、前記基板の前記適応係数が前記基板から前記冷却要素本体への熱の伝達に有意な影響を有さないようなものである、条項９又は１０のリソグラフィ装置。
１２．前記空洞の前記蓋部は、傾いており、前記蓋部は、前記リソグラフィ装置のスキャン方向を横切って延びる軸を中心として傾斜している、条項６乃至９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
１３．前記冷却要素は、ガス送出導管に接続されたチャンバを含む本体を備え、前記チャンバの床には、開口が設けられている、条項１乃至５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
１４．前記チャンバの前記床の前記開口は、穴のアレイを備える、条項１３のリソグラフィ装置。
１５．前記チャンバの前記床は、多孔質材料から形成されており、前記開口は、前記多孔質材料の気孔である、条項１３のリソグラフィ装置。
１６．前記冷却要素は、引込位置から展開位置へと移動可能な少なくとも１つのシャッタをさらに備え、前記シャッタを前記引込位置から前記展開位置へと移動させると前記冷却要素の前記床のいくつかの開口が閉鎖される、条項１３乃至１５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
１７．前記少なくとも１つのシャッタは、前記シャッタが前記引込位置にあるときにはいずれの開口も前記シャッタによって閉鎖されないように構成されている、条項１６のリソグラフィ装置。
１８．前記少なくとも１つのシャッタは、前記引込位置と前記展開位置との間の中間位置へと移動可能である、条項１６又は１７のリソグラフィ装置。
１９．前記冷却要素は、前記チャンバの両側に設けられた追加的なチャンバを備え、
前記追加的なチャンバは、異なる１つ又は複数のガス送出導管に接続されている、条項１３乃至１５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
２０．前記チャンバへのガスの送出を制御するように構成された１つのバルブと、前記追加的なチャンバへのガスの送出を別個に制御するように構成された１つ以上のバルブと、をさらに備える、条項１９のリソグラフィ装置。
２１．前記冷却要素の前記本体は、３ｍｍ以下の厚さを有する、条項１３乃至２０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
２２．前記冷却要素の前記本体は、前記露光エリアの縁部から３ｍｍ以下のところに配置されている、条項１３乃至２１のいずれか一項のリソグラフィ装置。
２３．前記冷却要素の前記本体は、前記リソグラフィ装置のスキャン方向で５ｍｍ未満の寸法をとる最下面を有する、条項１３乃至２１のいずれか一項のリソグラフィ装置。
２４．前記冷却要素の前記本体は、前記放射ビームの方に向いた傾斜内面を有する、条項１３乃至２３のいずれか一項のリソグラフィ装置。
２５．前記冷却要素は、前記冷却要素から熱を除去するように構成された除熱システムを含む、条項１乃至２４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
２６．前記除熱システムは、流体冷却システムである、条項２５のリソグラフィ装置。
２７．前記除熱システムは、ペルチェ式クーラを含む、条項２５又は２６のリソグラフィ装置。
２８．前記流体冷却システムは、ガスを冷却するように構成され前記冷却要素から遠隔に配置されているクーラと、前記冷却要素を冷却するために前記冷却されたガスを前記冷却要素に送出するように構成された入口導管と、前記冷却要素から前記ガスを除去するように構成された出口導管と、を備える、条項２６のリソグラフィ装置。
２９．前記入口導管及び前記出口は、いずれも前記冷却要素の移動に適応する可撓部を含む、条項２８のリソグラフィ装置。
３０．前記入口導管に温度センサが設けられており、前記出口導管に温度センサが設けられている、条項２８又は２９のリソグラフィ装置。
３１．１０リットル／分を上回る流量で前記ガスを提供するように構成されたガス源をさらに備える、条項２８乃至３０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
３２．２リットル／分未満の流量で前記ガスを提供するように構成されたガス源をさらに備える、条項２８乃至３０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
３３．前記除熱システムは、クーラに接続されたヒートパイプを備える、条項２５のリソグラフィ装置。
３４．前記ヒートパイプは、前記垂直方向よりも水平方向に大きい断面形状を有する、条項３３のリソグラフィ装置。
３５．前記ヒートパイプは、前記冷却要素の移動に適応する可撓部を含む、条項３３又は３４のリソグラフィ装置。
３６．前記ヒートパイプは、マイクロヒートパイプである、条項３３乃至３５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
３７．前記流体冷却システムは、ポンプと、コンデンサと、アキュムレータと、を備える２相冷却システムである、条項２６のリソグラフィ装置。
３８．前記２相冷却システムは、前記冷却要素に設けられた温度センサをさらに備える、条項３７のリソグラフィ装置。
３９．前記流体冷却システムは、熱交換器に設けられた狭窄部を含み、前記狭窄部は、前記冷却要素を冷却するために用いられるガスを冷却するように構成されている、条項２６のリソグラフィ装置。
４０．前記冷却要素には、ヒータが設けられている、条項１乃至３９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４１．前記リソグラフィ装置は、２００パスカル以上の圧力でガスを前記冷却要素に送出するように構成されたガス供給をさらに備える、条項６乃至４０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４２．前記冷却要素は、使用中の前記基板から２０ミクロン以上の間隔を有するように構成されている、条項６乃至４１のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４３．前記冷却要素は、使用中の前記基板から２００ミクロン以下の間隔を有するように構成されている、条項６乃至４２のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４４．前記冷却要素は、前記冷却要素の下から、前記冷却要素と前記基板との接触が発生するのを防止又は阻止するクッションとして作用する外向きのガス流を提供するように構成されている、条項６乃至４３のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４５．前記冷却要素は、予期せぬ動きが検出された場合に前記冷却要素を前記基板から遠ざけるべく引っ張るように構成された引込機構を含むサポートに設けられている、条項６乃至４４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４６．前記冷却要素は、液体の液滴を前記基板上に導くように配置されたノズルのアレイを備えている、条項１乃至５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４７．前記冷却要素は、使用中の前記基板から５０ミクロン以上の間隔を有するように構成されている、条項４６のリソグラフィ装置。
４８．前記冷却要素は、使用中の前記基板から１ミリメータ以上の間隔を有するように構成されている、条項４６又は４７のリソグラフィ装置。
４９．前記リソグラフィ装置の非スキャン方向における前記冷却要素の前記ノズルのアレイの前記範囲は、前記リソグラフィ装置の前記非スキャン方向における前記露光エリアの最大長と等しいか又はそれより大きい、条項４６乃至４８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５０．前記ノズルのアレイは、前記冷却要素の底面全体に前記ノズルが一様に分配されている二次元アレイである、条項４６乃至４９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５１．前記ノズルは、液体液滴におよそ数十ミクロン又はそれよりも小さい直径を与えるように構成されている、条項４６乃至５０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５２．パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成することと、冷却装置を用いて前記基板を冷却することと、を備えるリソグラフィ方法であって、
前記冷却装置は、前記基板テーブルの上方に前記露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、
前記冷却要素は、前記基板から熱を除去するように作用する、リソグラフィ方法。
５３．前記冷却要素は、前記露光エリアを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されている、条項５２のリソグラフィ方法。
５４．前記冷却要素は、前記露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されている、条項５２又は５３のリソグラフィ方法。
５５．前記冷却要素は、本体と、前記本体の最下面に設けられた開放空洞であって前記基板の前記上面と併せて容積を形成する開放空洞と、前記容積にガスを送出するように構成されたガス送出導管と、を備える、条項５２乃至５４のいずれか一項のリソグラフィ方法。
５６．前記空洞は、前記基板の前記上面から１ｍｍ未満の蓋部を有する、条項５５のリソグラフィ方法。
５７．前記冷却要素は、ガス送出導管に接続されたチャンバを含む本体を備え、前記チャンバの床には、開口が設けられている、条項５２乃至５４のいずれか一項のリソグラフィ方法。
５８．前記ガスは、２００パスカル以上の圧力で前記容積へと送出される、条項５５乃至５７のいずれか一項のリソグラフィ方法。
５９．前記冷却要素は、前記基板から２０ミクロン以上離れている、条項５５乃至５８のいずれか一項のリソグラフィ方法。
６０．前記冷却要素は、前記基板から２００ミクロン以下離れている、条項５５乃至５９のいずれか一項のリソグラフィ方法。
６１．前記冷却要素は、液体の液滴を前記基板上に導くノズルのアレイを備えている、条項５２乃至５４のいずれか一項のリソグラフィ方法。
６２．前記冷却要素は、前記基板から５０ミクロン以上離れている、条項６０のリソグラフィ方法。
６３．前記冷却要素は、前記基板から１ｍｍ以上離れている、条項６０又は６１のリソグラフィ方法。
６４．前記リソグラフィ装置の非スキャン方向における前記冷却要素の前記ノズルのアレイの前記範囲は、前記リソグラフィ装置の前記非スキャン方向における前記露光エリアの最大長と等しいか又はそれより大きい、条項６１乃至６３のいずれか一項のリソグラフィ方法。
６５．前記ノズルのアレイは、前記基板上に液体液滴の一様な分配をもたらすように配置されている、条項６１乃至６４のいずれか一項のリソグラフィ方法。
６６．前記液体は、水である、条項６１乃至６５のいずれか一項のリソグラフィ方法。
６７．基板テーブル上に保持された基板上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムを備えるリソグラフィ装置であって、
前記基板が前記基板テーブル上に設置される前に前記基板の前記温度を前記基板テーブルの前記温度を上回る温度に調整するように構成された基板温度調整ユニットをさらに備える、リソグラフィ装置。
６８．前記基板温度調整ユニットは、前記基板の前記温度を、前記基板テーブルの前記温度を最大で約０．５℃上回る温度に調整するように構成されている、条項６７のリソグラフィ装置。
６９．リソグラフィ装置における基板の露光に先立って前記基板を調節する方法であって、
温度調整ユニットを用いて前記基板の前記温度を前記リソグラフィ装置の基板テーブルの前記温度を上回る温度に調整することと、
前記基板を前記基板テーブルに移載することと、
前記基板を前記基板テーブルに圧着するクランプを作動させることと、
前記基板を前記基板テーブルの前記温度まで冷却し、それによって前記基板への応力を誘発することと、
を備える、方法。
７０．パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成するように構成された投影システムを備えるスキャン型リソグラフィ装置であって、さらに前記基板を加熱する加熱装置を備えており、
前記加熱装置は、前記リソグラフィ装置の非スキャン方向における前記露光エリアの両端部に配置された基板エリアを加熱するように構成された第１及び第２の加熱要素を備えている、リソグラフィ装置。
７１．前記第１及び第２の加熱要素は、前記基板テーブルの上方に配置され、且つ、前記リソグラフィ装置の非スキャン方向における前記露光エリアの両端部に配置される、条項７０のスキャン型リソグラフィ装置。
７２．前記第１及び第２の加熱要素は、前記非スキャン方向で前記露光エリアに隣接している、条項７１のスキャン型リソグラフィ装置。
７３．前記第１及び第２の加熱要素は、熱を受けるエリアが前記加熱要素の前記設置面積を超えて広がるように、いくらかの外向きのダイバージェンスを有する熱を放出するように構成されている、条項７０乃至７２のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
７４．前記加熱要素は、ＬＥＤのアレイを備える、条項７０乃至７３のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
７５．前記ＬＥＤは、赤外放射を放出するように構成されている、条項７４のスキャン型リソグラフィ装置。
７６．前記ＬＥＤのうち少なくともいくつかは、前記基板に入射する前に前記パターニングされた放射ビームと重なるように発散する放射ビームを放出するように構成されている、条項７４又は７５のスキャン型リソグラフィ装置。
７７．前記第１及び第２の加熱要素は、前記リソグラフィ装置の前記非スキャン方向における前記露光エリアの両端部に配置された前記基板エリアを加熱するレーザビームを提供するように構成された１つ以上のレーザを備える、条項７０のスキャン型リソグラフィ装置。
７８．前記１つ以上のレーザ及び関連する光学部品は、前記レーザビームが、前記基板に入射する前に、前記リソグラフィ装置の投影システムのハウジングの床に配置された開口を通出するように構成されている、条項７７のスキャン型リソグラフィ装置。
７９．前記１つ以上のレーザは、前記リソグラフィ装置の投影システムのハウジングの外部に配置されている、条項７７又は７８のスキャン型リソグラフィ装置。
８０．投影システムのハウジングには、前記レーザビームが前記投影システムのハウジング内に通入することを可能にする窓が設けられている、条項７９のスキャン型リソグラフィ装置。
８１．前記投影システムのハウジング内のアクチュエータに取り付けられたミラーをさらに備え、前記ミラーは、前記レーザビームの方向を変更し、それによって、前記レーザビームによって加熱される前記基板エリアを異なる位置に移動するように動作可能である、条項７７乃至８０のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
８２．前記第１及び第２の加熱要素は、前記非スキャン方向で前記露光エリアに重なり合うエリアを加熱するように構成されている、条項７０乃至８１のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
８３．前記第１及び第２の加熱要素は、前記露光エリアの前記スキャン方向の寸法に概ね一致する前記スキャン方向の寸法を有するエリアを加熱するように構成されている、条項７０乃至８２のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
８４．第１及び第２の加熱要素は、各々が、前記露光エリアの非スキャン方向の前記寸法よりも小さい前記非スキャン方向の寸法を有するエリアを加熱するように構成されている、条項７０乃至８３のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
８５．前記第１及び第２の加熱要素は、前記露光エリアの非スキャン方向の前記寸法の半分よりも小さい前記非スキャン方向の寸法を有するエリアを加熱するように構成されている、条項８４のスキャン型リソグラフィ装置。
８６．前記スキャン型リソグラフィ装置は、前記基板テーブルの上方に配置され、且つ、前記リソグラフィ装置のスキャン方向において前記露光エリアの一方側に配置された冷却要素をさらに備える、条項７０乃至８５のいずれか一項のスキャン型リソグラフィ装置。
８７．前記スキャン型リソグラフィ装置は、前記基板テーブルの上方に配置され、且つ、前記リソグラフィ装置のスキャン方向において前記露光エリアの反対側に配置された追加的な冷却要素をさらに備える、条項８６のスキャン型リソグラフィ装置。
８８．スキャン型リソグラフィ装置を用いて基板を露光する方法であって、
パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成することと、
前記リソグラフィ装置の非スキャン方向において前記露光エリアの両端部に位置する前記基板上のエリアを、加熱装置を用いて加熱することと、
前記パターニングされた放射ビームを用いて前記基板のターゲット部分を露光させるべく、前記基板を前記露光エリア及び加熱されるエリアに対してスキャン移動で移動させることと、
を備える、方法。
８９．前記次に露光されるターゲット部分は、前記露光されたターゲット部分に前記非スキャン方向で隣接しておらず、少なくとも１つの介在するターゲット部分によって、前記露光されたターゲット部分から前記非スキャン方向で離れている、条項８８の方法。
９０．前記リソグラフィ装置のスキャン方向において前記露光エリアの少なくとも一方側に隣接して配置された前記基板上のエリアを、冷却装置を用いて冷却することをさらに備える、条項８８又は８９の方法。

Claims (12)

1. リソグラフィ装置の基板テーブル上に保持された基板を冷却する冷却装置であって、
   前記リソグラフィ装置は、パターニングされた放射ビームを投影して前記基板に露光エリアを形成するように構成された投影システムを備え、
   前記冷却装置は、前記基板テーブルの上方に前記露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、
   前記冷却要素は、前記基板テーブル上に保持された基板から熱を除去するように構成されており、
   前記冷却要素は、本体と、前記本体の最下面に設けられた開放空洞と、前記開放空洞にガスを送出するように構成されたガス送出導管と、を有する、冷却装置。
2. 前記冷却要素は、前記露光エリアを二等分する線から３ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されている、請求項１の冷却装置。
3. 前記冷却要素は、前記露光エリアの縁部から２ｃｍ以内にあるエリアを冷却するように構成されている、請求項１又は２の冷却装置。
4. 前記冷却要素は、前記リソグラフィ装置のスキャン方向と略一致する方向で前記露光エリアから離れている、請求項１〜３の何れか一項の冷却装置。
5. 前記冷却要素は、前記露光エリアの両側に設けられた一対の要素の一方であり、前記一対の要素の他方も前記冷却要素である、請求項４の冷却装置。
6. 前記開放空洞は、前記基板の上面と併せて、前記ガス送出導管によって送出されたガスを受容する容積を形成するように構成されている、請求項１〜５の何れか一項の冷却装置。
7. 前記開放空洞は、使用中の前記基板の前記上面から１ｍｍ未満の蓋部を有する、請求項６の冷却装置。
8. 前記開放空洞に送出される前記ガスの圧力と、前記蓋部と前記基板の前記上面との間隔と、の組み合わせは、前記基板の適応係数が前記基板から前記冷却要素本体への熱の伝達に有意な影響を有さないようなものである、請求項７の冷却装置。
9. 前記リソグラフィ装置の非スキャン方向における前記開放空洞の範囲は、前記リソグラフィ装置の前記非スキャン方向における前記露光エリアの最大長以上である、請求項１〜８の何れか一項の冷却装置。
10. 前記リソグラフィ装置は、２００パスカル以上の圧力でガスを前記冷却要素に送出するように構成されたガス供給をさらに備える、請求項１〜９の何れか一項の冷却装置。
11. パターニングされた放射ビームを投影して基板テーブル上に保持された基板に露光エリアを形成するように構成された投影システムと、前記基板を冷却する冷却装置と、を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記冷却装置は、前記基板テーブルの上方に前記露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、
    前記冷却要素は、前記基板テーブル上に保持された基板から熱を除去するように構成されており、
    前記冷却要素は、本体と、前記本体の最下面に設けられた開放空洞と、前記開放空洞にガスを送出するように構成されたガス送出導管と、を有する、リソグラフィ装置。
12. リソグラフィ装置の基板テーブル上に保持された基板を冷却する冷却装置を使用することを含む方法であって、
    前記リソグラフィ装置は、 パターニングされた放射ビームを投影して前記基板に露光エリアを形成するように作用する投影システムを備え、
    前記冷却装置は、前記基板テーブルの上方に前記露光エリアに隣接して配置された冷却要素を備え、
    前記冷却要素は、前記基板テーブル上に保持された基板から熱を除去するように作用し、
    前記冷却要素は、本体と、前記本体の最下面に設けられた開放空洞と、前記開放空洞にガスを送出するように構成されたガス送出導管と、を有する、方法。
    

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