TWI598697B - 用於微影裝置的基板支撐件及微影裝置 - Google Patents

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Description

用於微影裝置的基板支撐件及微影裝置
本發明係關於一種微影裝置，及一種用於微影裝置之基板支撐件。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器裝置。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡像式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器裝置可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
含有投影光學件之腔室與含有晶圓台及支撐件之環境可由氣鎖機構分離，氣鎖機構防止來自晶圓台環境之污染物進入投影光學件腔室。氣流係自氣鎖機構發射至在下方之晶圓載物台上，此情形在晶圓載物台上誘發熱負荷。此熱負荷遍及晶圓載物台可並非總是恆定，且可取決於晶圓載物台之位置而改變。舉例而言，可看出，當氣鎖機構 處於感測器(例如，透射影像感測器(transmission image sensor)TIS板)上方時，熱負荷較高。
需要縮減由自晶圓載物台之元件(諸如，感測器及/或晶圓自身)上之氣鎖機構發射之氣體引起的熱負荷。
一第一實施例提供一種用於一裝置之基板支撐件，該裝置屬於將具有在EUV範圍內或更小之一波長之一輻射光束投影至一基板之一目標部分上的類型，該基板支撐件包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一支撐區塊，其用於支撐該基板台；至少一感測器單元；及一罩蓋板，其圍繞該基板台及該(該等)感測器單元而安置，使得該罩蓋板之頂部表面、該(該等)感測器單元之頂部表面及在安裝於該基板台上時之一基板之頂部表面皆實質上處於相同位階。本文中之EUV範圍意謂具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長的電磁輻射。
另一實施例提供一種微影裝置，該微影裝置包含：該第一態樣之基板支撐件；一投影系統，其位於一投影腔室內且經組態以將一EUV輻射光束投影至由該基板支撐件支撐之該基板之一目標部分上；一氣鎖機構，其用於禁止污染物進入該投影腔室，同時使來自該投影腔室之該EUV輻射光束透射。
另一實施例提供一種裝置，該裝置包含：一基板支撐件，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一支撐區塊，其經組態以支撐該基板台；至少一感測器單元；及一罩蓋板，其圍繞該基板台及該至少一感測器單元而安置，該罩蓋板經定位及組態以造成對該基板台上之一氣流之一增加阻力；一光學系統，其位於一腔室內；及 一氣鎖機構，其用於禁止污染物進入該腔室。
此處之微影裝置為用於一微影程序中之任何裝置，包括(例如)用於度量衡/檢測之裝置。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
2‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/高度離子化電漿
3‧‧‧近正入射收集器
20‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束/輻射光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件(圖2)/主雷射(圖3)
31‧‧‧主脈衝光束
32‧‧‧電漿產生位點
33‧‧‧光學元件
34‧‧‧極紫外線(EUV)輻射
35‧‧‧掠入射收集器
36‧‧‧碎屑截留器
37‧‧‧預脈衝雷射
38‧‧‧預脈衝雷射光束
100‧‧‧裝置
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧孔隙
223‧‧‧雷射
224‧‧‧雷射能量
226‧‧‧小滴產生器
228‧‧‧高頻小滴串流/燃料串流
230‧‧‧截留器
266‧‧‧同步移動
268‧‧‧同步移動
400‧‧‧晶圓
410‧‧‧晶圓台
420‧‧‧支撐區塊
430‧‧‧透射影像感測器(TIS)板
440‧‧‧動態氣鎖(DGL)
440'‧‧‧動態氣鎖(DGL)
445‧‧‧向下流/流型
445'‧‧‧向下流/流型
450‧‧‧罩蓋板
450'‧‧‧罩蓋板
455‧‧‧緣邊
460‧‧‧感測器
470‧‧‧調節導管
475‧‧‧氣體抽取通道
480‧‧‧儲存圍封體
485‧‧‧卸離式濾光器隔膜/隔膜及固持器
490‧‧‧電子銷釘
900‧‧‧冷卻盤碟
910‧‧‧帕耳帖冷卻器
920‧‧‧熱管
930‧‧‧發光二極體(LED)可切換加熱源/發光二極體(LED)加熱器件
940‧‧‧輻射
950‧‧‧快速切換薄膜加熱器/發光二極體(LED)可切換加熱源/薄膜加熱源
960‧‧‧絕緣材料/絕緣體
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF‧‧‧中間焦點/虛擬源點
IL‧‧‧照明系統/照明器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
O‧‧‧方向光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影透鏡系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/晶圓台
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同【實施方式】進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。參看隨附圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的具有反射投影光學件之微影裝置；圖2為圖1之裝置的更詳細視圖；及圖3示意性地描繪替代圖2所描繪之源配置的源配置；圖4a展示已知基板支撐配置之實例；圖4b說明在運用圖4a之基板支撐配置之情況下的氣流；圖5a及圖5b展示根據本發明之一實施例的基板支撐配置；圖6a及圖6b展示根據本發明之另外實施例的基板支撐配置；圖7a、圖7b及圖7c展示根據本發明之又另外實施例的基板支撐配置；圖8a、圖8b及圖8c展示根據本發明之又一實施例的基板支撐配置；及圖9a及圖9b展示根據本發明之又另外實施例的基板支撐配置。
本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時闡述之【實施方 式】變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之知識範圍內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地展示根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO 之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一***PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二***PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同 方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整 體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及 方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。系統IL及PS同樣地含於其自己的真空環境內。可藉由雷射產生LPP電漿源形成EUV輻射發射電漿2。源收集器模組SO之功能係自電漿2遞送EUV輻射光束20，使得其聚焦於虛擬源點中。虛擬源點通常被稱作中間焦點(intermediate focus,IF)，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之孔隙221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿2之影像。
自中間焦點IF處之孔隙221，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL在此實例中包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24。此等器件形成所謂「蠅眼(fly's eye)」照明器，該照明器經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構(光罩台)MT固持之圖案化器件MA處的光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。為了曝光基板W上之目標部分C， 在基板台WT上產生輻射脈衝，且光罩台MT執行同步移動266、268以經由照明隙縫而掃描圖案化器件MA上之圖案。
每一系統IL及PS配置於其自己的真空或近真空環境內，該環境係由相似於圍封結構220之圍封結構界定。通常，比所展示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面。舉例而言，除了圖2所展示之反射元件以外，在照明系統IL及/或投影系統PS中亦可存在一至六個額外反射元件。
在更詳細地考慮源收集器模組SO的情況下，包含雷射223之雷射能源經配置以將雷射能量224沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿2。可運用其他燃料材料(例如，Tb及Gd)來產生較高能量EUV輻射。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器3收集且聚焦於孔隙221上。電漿2及孔隙221分別位於收集器CO之第一焦點及第二焦點處。
儘管圖2所展示之收集器3為單一彎曲鏡面，但該收集器可採取其他形式。舉例而言，收集器可為具有兩個輻射收集表面之史瓦西(Schwarzschild)收集器。在一實施例中，收集器可為包含巢套於彼此內之複數個實質上圓柱形反射器之掠入射收集器。掠入射收集器可適合供DPP源中使用。
為了遞送燃料(其(例如)為液體錫)，在圍封體220內配置小滴產生器226，小滴產生器226經配置以發出高頻小滴串流228朝向電漿2之所要部位。在操作中，與小滴產生器226之操作同步地遞送雷射能量224，以遞送輻射脈衝以使每一燃料小滴變成電漿2。小滴之遞送頻率可為幾千赫茲，例如，50kHz。可在至少兩個脈衝中遞送雷射能量224以增強轉換效率：具有有限能量之預脈衝在其到達電漿部位之前遞送至小滴，以便使燃料材料汽化成小雲狀物；且接著，雷射能量 224之主脈衝遞送至所要部位處之雲狀物，以產生電漿2。可自同一雷射源或自不同雷射源遞送預脈衝及主脈衝。截留器230提供於圍封結構220之相對側上，以捕獲不管出於何種原因而未變成電漿之燃料。
在一替代組態(未說明)中，可藉由使放電之部分離子化電漿崩潰至光軸上(例如，經由捏縮效應)而產生EUV輻射。此源可被稱作放電產生電漿(DPP)源。可使用(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽以產生EUV輻射發射電漿。
圖3展示可代替圖2所說明之LPP源配置而使用的替代LPP源配置。主要差異為：主脈衝雷射光束係自中間焦點IF之方向引導至燃料小滴上，使得經收集EUV輻射為大體上在供接收主雷射脈衝之方向上發射的輻射。圖3展示發射主脈衝光束31之主雷射30，主脈衝光束31係經由至少一光學元件(諸如，透鏡或摺疊鏡面)33而遞送至電漿產生位點32。EUV輻射34係由諸如用於放電產生電漿(DPP)源中之收集器之掠入射收集器35收集。亦展示的是：碎屑截留器36，其可包含一或多個靜止箔片截留器及/或一旋轉箔片截留器；及預脈衝雷射37，其可操作以發射預脈衝雷射光束38。
熟習此項技術者應知道，可定義參考軸線X、Y及Z以用於量測及描述裝置、其各種組件及輻射光束20、21、26之幾何形狀及行為。在裝置之每一部件處，可定義X軸、Y軸及Z軸之局域參考座標系。Z軸在系統中之給定點處與方向光軸O大致地重合，且大體上垂直於圖案化器件(光罩)MA之平面且垂直於基板W之平面。在源收集器模組中，X軸與燃料串流228之方向大致地重合，而Y軸正交於燃料串流228之方向，從而自頁面指出，如圖2所指示。另一方面，在固持光罩MA之支撐結構MT附近，X軸大體上橫向於與Y軸對準之掃描方向。出於方便起見，在示意圖之圖2之此區域中，X軸自頁面指出，再次如所標記。此等指定在此項技術中係習知的，且將在本文中出於方便 起見而被採用。原則上，可選擇任何參考座標系以描述裝置及其行為。
對源收集器模組及微影裝置總體上之操作具決定性的眾多額外組件存在於典型裝置中，但此處未說明。此等組件包括用於縮減或減輕經圍封真空內之污染效應之配置，例如，以防止燃料材料之沈積物損害或削弱收集器3及其他光學件之效能。存在但未予以詳細地描述之其他特徵為在控制微影裝置之各種組件及子系統時涉及之所有感測器、控制器及致動器。
當使用雷射產生電漿(LPP)源或放電產生電漿(DPP)源時，可產生呈碎屑之形式的污染，諸如，快速離子及/或中性粒子(例如，Sn(錫))。此等碎屑可積聚於收集器3之反射表面上，從而造成該收集器損失反射率且藉此縮減該收集器之效率。由碎屑引起之污染亦可造成微影裝置之其他反射組件(例如，鏡面22、24、28、30或圖案化器件MA)隨著時間推移而損失反射率。微影裝置之產出率取決於入射於正被曝光之基板上之EUV輻射的強度。歸因於微影裝置之收集器或其他反射表面上之碎屑積聚而發生的任何反射率縮減可縮減微影裝置之產出率。
諸如動態氣鎖(Dynamic Gas Lock,DGL)之氣鎖機構為以其他方式分離之投影光學件(Projection Optics,PO)腔室環境(其為包含用於圖2中之投影系統PS之光學件的腔室)與晶圓載物台(Wafer Stage,WS)環境之間的共用開口。進一步被稱作DGL之氣鎖機構可具有中空本體，中空本體包括第一末端及第二末端，該本體實質上圍繞自第一末端至第二末端的EUV輻射光束之路徑而延伸。中空本體可與經組態以在該本體內產生氣流之氣流單元連通。在使用此氣流單元的情況下，可將氣流提供至中空本體，該氣流經由第一末端及第二末端兩者而射出中空本體，亦即，朝向PO腔室環境及WS環境兩者。結果，中空本體內 部之氣體提供於PO腔室環境與WS環境之間的氣體型障壁中。
投影系統可由反射光學件(例如，鏡面)組成，反射光學件具有在原子能階下受到控制之表面平坦度。此等光學件可容易地受到進入投影光學件腔室且污染該等光學件之表面的分子損害。因此，儘管PO腔室環境及晶圓載物台環境兩者可在操作期間處於極高真空位準(例如，在2Pa至15Pa之範圍內)，但可將投影光學件PO腔室維持於高於晶圓載物台環境之壓力以防止來自晶圓載物台之污染物(例如，來自抗蝕劑之除氣)進入投影光學件腔室。或者，可藉由將氣體注入至DGL中而防止污染物進入晶圓載物台環境。用於DGL中之氣體應使得其不會實質上吸收投影光束(例如，EUV)中之輻射，同時針對污染物具有實質上低擴散係數。可用於DGL中之此等氣體之實例包括氫、氬、氪及氦。
DGL對晶圓(及晶圓台--常常被稱作夾具)及任何相鄰感測器支撐件/板(諸如，透射影像感測器(TIS)板)兩者產生熱負荷，此取決於該兩者中哪一者定位於DGL開口下方。TIS板為感測器單元，其包含供透射影像感測系統中使用之一或多個感測器及標記，該一或多個感測器及標記用於相對於微影系統之投影透鏡系統PS及光罩MA之位置來準確地定位晶圓。此熱負荷之根本原因為氣體至表面上之衝擊，亦即，氣流單元朝向WS環境之上述氣流。由此氣體產生之絕對熱負荷取決於分別衝擊晶圓或TIS板之氣體之流率及溫度。此流率取決於朝向投影光學件側之流(通常為向上流)與朝向晶圓載物台側之流(通常為向下流)之間的DGL流之分佈。
圖1之***PW及晶圓台WT配置可包含由支撐區塊支撐之晶圓台，其中致動器位於支撐區塊下方以用於移動支撐區塊及晶圓台。在一實施例中，支撐區塊可包含具有反射塗層以使雷射光束反射以用於位置感測之玻璃區塊，通常被稱作鏡面區塊。「f因數(f-factor)」為自 DGL至晶圓載物台之流率相比於注入至DGL中之流率的比率。此f因數及(因此)投影光學件側與晶圓載物台側之間的流動分佈取決於由向下(WS側)流經歷之流阻，且因此取決於支撐區塊位置。
在圖4a中可看出，TIS板430及晶圓/晶圓夾具自支撐區塊表面突出。存在此情形可顯得較佳之數個原因。此設計導致較低流阻且因此導致自DGL向下之較高氣體流率，且因此導致較佳污染抑制。又，模組(感測器、電纜線，及管道)易於接取及維護。然而，因為TIS板及晶圓/晶圓夾具兩者自支撐區塊表面突出，且TIS板小於晶圓台，所以被向下引導之DGL流在TIS定位於DGL下方時相比於在晶圓定位於DGL下方時顯著地較大。此係因為該流在DGL位於TIS板上方時經歷較小流阻。此情形之結果為TIS板上之大熱負荷，其干擾對準及批量校正。
圖4a及圖4b說明此問題。圖4a展示已知EUV晶圓載物台配置之實例。其在晶圓台410上包含晶圓400，晶圓台410安裝於支撐區塊420上。在支撐區塊420上亦展示TIS板430。雖然此處出於說明起見而展示TIS感測器板，但本文中之概念無論如何不限於任何特定感測器類型，且可包括具有代替TIS板430中之一或兩者之不同感測器單元的配置。因此，此等感測器單元可耦接至支撐區塊420且可甚至整合於該支撐區塊中。
圖4b展示圖4a之配置(以通過AA之橫截面)，其中DGL 440位於晶圓400上方之第一位置(實線)中，且DGL 440'位於TIS板430上方之第二位置(虛線)中。箭頭445表示在DGL位於晶圓400上方時來自DGL之向下(WS側)流。箭頭445'表示在DGL位於TIS板430上方時來自DGL之向下(WS側)流。可看出，流型445不同於流型445'之流型。此情形在DGL 440位於晶圓400上方時相比於在DGL 440位於TIS板430上方時引起較大流阻。
當晶圓邊緣定位於DGL下方時出現相似情形。相比於晶圓之中心，晶圓邊緣處之流阻縮減，因此增加熱負荷。事實上，至晶圓載物台之質量流量及(因此)晶圓上之熱負荷係「晶粒」相依的，其在曝光期間導致動態非均一熱負荷。
圖5a及圖5b展示嘗試處理以上問題之夾盤配置。此配置係由圖1中之***PW及支撐結構MT表示。此情形展示罩蓋板450添加於支撐區塊420上之夾盤配置。罩蓋板450包含用於晶圓台410及TIS板430之開口。罩蓋板450之頂部表面可與TIS板430及晶圓400相齊，以便使支撐區塊總成之頂部表面平整。罩蓋板450係與支撐區塊420分離地形成，且由支撐區塊420支撐。圖5b所展示之箭頭說明典型DGL 440氣流。因此，本文中用於板450之術語「罩蓋」具有覆蓋晶圓載物台之部分以便環繞晶圓載物台元件(感測器、晶圓(在其存在時))的涵義。
罩蓋板450之添加會幫助等化在TIS位於DGL 440下方時及在晶圓(無論中心抑或邊緣)位於DGL 440下方時遭遇之流阻。藉由如下操作而進行此等化：相比於圖4b之配置，增加在TIS板430位於DGL 440下方時遭遇之流阻，從而遍及支撐區塊總成之整個頂部表面引起更均質之f因數。因此，TIS處之流減低，從而引起對TIS板430之較小熱負荷效應，此情形引起改良型對準準確度(因此有益於疊對)。
罩蓋板亦防止在DGL 440自晶圓400移動至TIS板430時DGL 440氣流直接地撞擊於支撐區塊420之頂部表面上以及晶圓台410及TIS板430之側壁上。此情形幫助防止各種動態邊緣效應且縮減朝向此等邊緣之熱轉移。
向下之更穩定流亦引起朝向投影光學件腔室之更穩定流，其使投影光學件腔室溫度穩定且可縮減污染(當發生流動改變時，自表面釋放污染物)。此外，該流可為更可預測的，從而導致改良型設計。
除了添加平坦罩蓋板以外，亦有可能將額外結構添加至罩蓋板 之頂部表面。此等結構可包含用以影響流動(例如，在熱適應係數方面)之表面微結構(粗糙度)。此等微結構可具有任何數目個不同形狀或尺寸。在一特定實例中，此表面微結構可包含帶槽表面。在一實例中，結構之高度可為1微米之數量級。在另一實例中，其可大約為氣體分子之平均自由路徑，亦即，高達幾毫米。或，其可為任何其他合適尺寸。圖6a展示具有罩蓋板450'之夾盤配置，罩蓋板450'具有此表面剖面。
亦有可能添加諸如圍繞TIS(或任何其他感測器)具有高度梯階或剖面之緣邊的巨型結構以在DGL位於TIS上方時進一步縮減f因數。此情形係可能的，此係因為：當DGL位於TIS上方時，污染不相關，且因此可安全地縮減f因數。針對當DGL位於任何感測器上方時為此狀況，且因此，任何感測器可受益於此緣邊。圖6b展示圍繞每一TIS板430具有緣邊455之夾盤配置。
罩蓋板之引入提供另外功能性之機會。圖7a至圖7c說明已提供此另外功能性之三個實例。
圖7a展示另外感測器460包含於罩蓋板450內之實例。此等感測器可包含校準感測器、溫度感測器、壓力感測器、熱通量感測器及/或污染感測器(「探查器(sniffer)」)。僅作為實例而提及此等感測器，且應瞭解，此清單並非詳盡。
圖7b展示罩蓋板450包含經配置以提供熱控制之調節元件(例如，一或多個調節導管470)的實例。此等調節導管可包含熱管或冷卻管。或者或另外，罩蓋板450可包含用以調整局域溫度之局域加熱器或(帕耳帖(Peltier))冷卻器。
圖7c展示罩蓋板450提供氣體抽取之實例。罩蓋板包含用於抽取氣體之氣體抽取通道475(箭頭指示在抽取期間之氣體方向)。可在板內抽取氣體，以便移除污染物(來自除氣及WS兩者)及粒子(來自晶圓 台)。亦可抽取氣體以移除熱且縮減罩蓋板450與晶圓400之間的任何溫度差。抽取氣體之另一原因可為在所要方向上調節氣流。
作為對氣體抽取之替代例，具有通道475之同一罩蓋板可用以吹風(亦即，箭頭可反轉)。此情形實施起來可較簡單，此係因為歸因於其低壓力而難以自晶圓台環境進行抽取。此吹風可緩衝支撐區塊總成表面中(例如，罩蓋板450與TIS板430/晶圓400之間)的間隙。
可通過罩蓋板450(例如，圍繞TIS板430或在別處)提供故意的氣流，以便減輕來自DGL 440之向下流之熱效應，同時不曝光晶圓。
為了在晶圓部位處濾出DUV(深紫外線)或其他帶外輻射(除了EUV以外之輻射)，提議在DGL總成上併入用於對DUV及/或帶外輻射進行濾光之濾光器元件，諸如，濾光器隔膜。此等隔膜極薄，且可潛在地受到機器中之通風動作(亦即，將空氣或另一類型之氣體引入至機器中以便使裝置達到大氣壓力之動作)損害。為了克服此問題，已提議卸離式隔膜。為了實施卸離式隔膜，應提供用於隔膜及隔膜固持器之儲存部位。
圖8a展示支撐區塊總成配置，其具有位於DGL 440處之此卸離式濾光器隔膜(具有固持器)485，及在罩蓋板450內用於濾光器隔膜485之儲存圍封體480。將隔膜485儲存於圍封體480內部會在晶圓載物台移動期間在通風狀態中屏蔽隔膜485，且因此在通風及其他維護動作期間以及在隔膜485夾持於其固持器中時保護隔膜485。圖8b展示正儲存於圍封體480內部之隔膜485之細節。
隔膜及固持器485可在正常操作期間在正儲存於固持器中之後(例如)藉由(電)磁體而附接至DGL 440。隔膜及固持器485可藉由使用與用於一些晶圓台上以輔助晶圓裝載/卸載之「電子銷釘」結構相似的「電子銷釘」結構而裝配於DGL上。此處使用電子銷釘或電子銷釘結構以表示用以輔助物件(例如)至及自物件台之裝載/卸載操作之提昇結 構。此提昇結構可包括諸如銷釘之一或多個狹長元件，其可在卸載期間自晶圓台或物件台之上部表面選擇性地延伸，藉此提昇晶圓或物件，且在其他時間縮回成與晶圓台之上部表面齊平或低於晶圓台之上部表面。
圖8c說明使用電子銷釘490將隔膜485附接至DGL 440之特定實例。在此實例中，提供三個電子銷釘(但不同數目係可能的)。電子銷釘490包含於環(「電子環」)內，與隔膜固持器之周邊保形。電子銷釘490延伸以推動隔膜485朝向DGL 440，以便部署隔膜485(例如，磁性地部署，使得DGL或隔膜固持器中之一者包含一個或若干(電)磁體以吸引DGL或隔膜固持器中之另一者)。
視情況，設想在罩蓋板中具有冗餘(例如，兩個或兩個以上)圍封體480，使得在發生故障之狀況下存在可用之備用隔膜485，且因此可推遲實體替換直至下一維護動作為止。
雖然以上實施例已將罩蓋板展示為與供支撐罩蓋板之支撐區塊分離，但應瞭解，罩蓋板及支撐區塊可為單一整體單元。
又，雖然來自DGL之向下流之熱效應為晶圓載物台上之熱負荷之主要分量中的一者，但可需要平衡其他熱負荷分量以沿著整個晶圓載物台達成較佳熱均一性。
圖9a及圖9b展示上文所展示之EUV晶圓載物台配置之另外實施例。其展示位於晶圓400上方之冷卻元件，諸如，冷卻盤碟900。冷卻盤碟900係藉由帕耳帖冷卻器910及熱管920而維持於低溫(冷卻盤碟900之冷卻可由替代構件執行)。亦展示用於提供局域化加熱之快速切換主動式加熱器件。在圖9a所展示之特定實例中，加熱器件包含發射輻射940之LED源930。然而，可使用其他器件，其限制條件為：其足夠快速地切換。舉例而言，可代替地使用MEMS器件。圖9b展示一替代加熱配置，其中使用快速切換薄膜加熱器950。絕緣材料960位於薄 膜加熱器950與冷卻盤碟900之間。
晶圓經受熱負荷，其引起晶圓變形。已展示出，此等熱負荷遍及晶圓並不均一，而實情為，順次區經受交替之較高熱負荷及較低熱負荷。此效應很大程度上受到掃描圖案以及熱負荷之接通及關斷驅使。結果為晶圓上之區之特性「棋盤」圖案，該等區在不同測定疊對圖之間交替。舉例而言，可看出，顯示大約+2奈米測定疊對之區與顯示大約-2奈米測定疊對之區交替。
圖9a及圖9b之配置藉由直接地調節晶圓溫度而非經由晶圓載物台進行此調節而縮減晶圓變形。冷卻盤碟900位於晶圓400上方，其維持於低溫(例如，小於攝氏10度，可能地小於攝氏5度)。因此，冷卻盤碟900將(恆定)負熱負荷賦予於晶圓上。此負熱負荷造成熱流遠離晶圓400且朝向冷卻盤碟900，從而自晶圓400移除能量。一種熱轉移機制為經由冷卻盤碟與晶圓表面之間的氣體介質之對流，其由DGL氣流引起。另一熱轉移機制為輻射。關於後者，應考慮冷卻盤碟900之發射率。向冷卻盤碟900提供高發射率塗層會增加熱轉移且因此增加負熱負荷之量值。然而，此意謂需要溫度感測器以調適盤碟之溫度，此係因為晶圓之發射率可針對不同經曝光層而變化。或者，低發射率塗層可用於冷卻盤碟900上。此情形幫助使組態針對晶圓層之變化發射率穩固。
此冷卻盤碟900幫助防止「第一晶圓效應」。此等效應為由可在第一量測-曝光循環期間在其餘及後續量測-曝光循環之後經歷之不同熱條件引起的效應。對於在第一量測-曝光循環之後的每一量測-曝光循環，相比於在第一循環期間經歷之熱，來自先前循環之殘餘熱可不同地影響晶圓溫度。此情形可在3乘τ大於曝光之間的時間時發生，熱時間常數τ表示使系統之步進回應達到其最終(漸進)值之1-1/e~63.2%所花費的時間。此意謂在第一層與其他層之間存在不同夾持行為之可 能性，從而引起疊對損失。冷卻盤碟縮減台上之淨能量，此情形無需夾具中之積極性冷卻(其可造成來自冷卻介質流之流動誘發性振動)，或甚至無需夾具中之主動式控制片段。
然而，負熱負荷之恆定(DC)行為及EUV曝光負荷之切換行為意謂當單獨地使用冷卻盤碟900時將存留棋盤圖案。此問題係由LED可切換加熱源930、950處理，LED可切換加熱源930、950在曝光熱負荷低或關斷時之時間期間提供晶圓之主動式快速切換且直接之加熱。應注意，作為對提供晶圓之直接加熱之替代例，LED切換熱源亦可經組態以提供冷卻盤碟900之局域加熱。為了補償此額外正熱負荷，相比於在不具有主動式加熱之情況下使用冷卻盤碟900時需要之負負荷，冷卻盤碟900應賦予較大負負荷。此情形係可(例如)藉由如下操作而進行：增加盤碟900之面積，從而將盤碟900維持於較低溫度，或增加DGL氣流(且因此增加盤碟900與晶圓400之間的氣體壓力)。在薄膜加熱源950之實例中，可使此負熱負荷大於在LED加熱源930之實例之情況下的負熱負荷，以補償絕緣體960之(相當小)效應。亦可出於對應效應起見而將可切換熱負荷施加至罩蓋板。
應選擇由LED加熱器件930發射之波長，使得在晶圓中吸收光。LED加熱器件930在圖9a中被描繪為位於冷卻盤碟900上方。在此實例中，冷卻盤碟900包含薄矽盤碟，其足夠地傳導以將盤碟表面熱連接至熱管920，同時允許輻射940傳遞通過。作為一替代例，可自不同角度提供輻射光束，諸如，自側提供輻射光束。另一替代例將為輻射係自夾盤上之源發射且自位於投影光學件盒上之鏡面反射。
冷卻盤碟900之實施例受益於結合罩蓋板450之實施，罩蓋板450具有調節導管470以用於罩蓋板450之冷卻(如圖7b所說明)。晶圓上方之冷卻盤碟900與支撐區塊420處之罩蓋板450之間的溫度差將熱流自罩蓋板450引入至冷卻盤碟900。若罩蓋板450未冷卻，則其將緩慢地 調適其溫度。此情形可潛在地經由輻射或藉由罩蓋板450之膨脹而在支撐區塊420中造成應力。
在其他實施例中，在不具有罩蓋板450之情況下提供冷卻盤碟900及主動式熱源930。
雖然已特定地結合LPP源而描述本文所揭示之概念，但其亦適用於其他類型之源，諸如，DPP源。儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本發明之各種實施例亦可由以下條項界定：
1.一種用於一裝置之基板支撐件，該裝置屬於將具有在EUV範圍內或更小之一波長之一輻射光束投影至一基板之一目標部分上的類型，該基板支撐件包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一支撐區塊，其用於支撐該基板台；至少一感測器單元；及 一罩蓋板，其圍繞該基板台及該(該等)感測器單元而安置，該罩蓋板經定位及組態以造成對該基板台上之一氣流之一增加阻力。
2.如條項1之基板支撐件，其經組態成使得該罩蓋板之頂部表面、該(該等)感測器單元之頂部表面及在安裝於該基板台上時之一基板之頂部表面皆實質上處於相同位階。
3.如條項1或2之基板支撐件，其中該至少一感測器單元中之一或多者係由該支撐區塊支撐。
4.如條項1或2之基板支撐件，其中該至少一感測器單元中之一或多者安裝於該罩蓋板內。
5.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板在其頂部表面中包含用於該基板台及該(該等)感測器單元之孔隙。
6.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板包含圍繞該(該等)感測器單元具有一凸起或梯狀剖面之一緣邊。
7.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該(該等)感測器單元包括定位感測器單元、對準感測器單元、校準感測器單元、溫度感測器單元、壓力感測器單元、熱通量感測器單元及/或污染感測器單元中之一或多者。
8.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板係與該支撐區塊分離且由該支撐區塊支撐。
9.如條項1至7中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板及該支撐區塊包含一單一整體單元。
10.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板包含調節元件。
11.如條項10之基板支撐件，其中該等調節元件包含用於攜載一熱交換流體之一或多個導管。
12.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板包含用於 在緊接地位於該罩蓋板上方之一區域與位於該罩蓋板內或下方之一或多個導管之間建立一氣流的構件。
13.如條項12之基板支撐件，其中該氣流可操作以將氣體吹過該罩蓋板與安裝於該基板台上之該基板之間的一間隙及/或該罩蓋板與任何感測器單元之間的一間隙，以便充當一緩衝器。
14.如條項12之基板支撐件，其中該氣流可操作以將氣體自緊接地位於該罩蓋板上方之該區域經由該罩蓋板與安裝於該基板台上之該基板之間的一間隙及/或該罩蓋板與任何感測器單元之間的一間隙而抽取至該一或多個導管中。
15.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板之該頂部表面包含一表面微結構。
16.如條項15之基板支撐件，其中該表面微結構包含一帶槽表面。
17.如前述條項中任一項之基板支撐件，其中該罩蓋板之該頂部表面包含一或多個巨型大小結構。
18.一種基板支撐配置，其包含：一如前述條項中任一項之基板支撐件；及一冷卻元件，其位於該基板支撐件上方且可操作以將一直接負熱負荷賦予於由該基板支撐件支撐之一基板上。
19.如條項18之基板支撐配置，其中該冷卻元件經定位成至少部分地限制該冷卻元件與基板表面之間的一氣體，該氣體充當用於自基板至冷卻元件之熱轉移之一介質。
20.如條項18或19之基板支撐配置，其中該冷卻元件包含一矽盤碟。
21.如條項18、19或20之基板支撐配置，其包含一或多個可切換加熱源，該一或多個可切換加熱源可操作以將一局域化可切換熱負荷 提供於由該基板支撐件支撐之一基板上。
22.如條項21之基板支撐配置，其中該加熱源位於該冷卻元件上方，使得由該加熱源發射之輻射透射通過該冷卻元件。
23.如條項21或22之基板支撐配置，其中該加熱源包含一發光二極體器件，該發光二極體器件可操作以發射一光束以用於局域地加熱該基板。
24.如條項21或22之基板支撐配置，其中該加熱源包含一微機電(MEMS)器件，該MEMS器件可操作以發射一光束以用於局域地加熱該基板。
25.如條項21之基板支撐配置，其中該加熱源包含一薄膜加熱器。
26.如條項21至25中任一項之基板支撐配置，其中該加熱源可操作以在具有在EUV範圍內或更小之一波長之該輻射光束不投影至該基板上時的時期期間局域地加熱該基板之部分。
27.一種用於一裝置之基板支撐配置，該裝置屬於將具有在EUV範圍內或更小之一波長之一輻射光束投影至一基板之一目標部分上的類型，該基板支撐配置包含：一基板支撐件，其經建構以固持一基板；一冷卻元件，其位於該基板支撐件上方且可操作以將一直接負熱負荷賦予於由該基板支撐件支撐之一基板上；及一或多個可切換加熱源，其可操作以將一局域化可切換熱負荷提供於由該基板支撐件支撐之一基板上。
28.如條項27之基板支撐配置，其中該冷卻元件經定位成限制該冷卻元件與基板表面之間的一氣體，該氣體充當用於自基板至冷卻元件之熱轉移之一介質。
29.如條項27或28之基板支撐配置，其中該冷卻元件包含一矽盤 碟。
30.如條項29之基板支撐配置，其中該加熱源位於該冷卻元件上方，使得由該加熱源發射之輻射透射通過該冷卻元件。
31.如條項27至30中任一項之基板支撐配置，其中該加熱源包含一發光二極體器件，該發光二極體器件可操作以發射一光束以用於局域地加熱該基板。
32.如條項27至30中任一項之基板支撐配置，其中該加熱源包含一微機電(MEMS)器件，該MEMS器件可操作以發射一光束以用於局域地加熱該基板。
33.如條項27、28或29之基板支撐配置，其中該加熱源包含一薄膜加熱器。
34.如條項27至33中任一項之基板支撐配置，其中該加熱源可操作以在具有在EUV範圍內或更小之一波長之該輻射光束不投影至該基板上時的時期期間局域地加熱該基板之部分。
35.一種微影裝置，其包含：一如條項1至17中任一項之基板支撐件，或一如條項18至34中任一項之基板支撐配置；一投影系統，其位於一投影腔室內且經組態以將一EUV輻射光束投影至由該基板支撐件支撐之一基板之一目標部分上；及一氣鎖機構，其用於禁止污染物進入該投影腔室，同時使來自該投影腔室之該EUV輻射光束透射。
36.如條項35之微影裝置，其中該氣鎖機構包含：一中空本體，其包括一第一末端及一第二末端，該本體實質上圍繞該EUV輻射光束之一路徑而自該第一末端延伸至該第二末端；及一氣流單元，其與該本體連通且經組態以在該本體內產生一氣流，該氣流禁止污染物進入該投影腔室，該氣體對於該EUV輻射之至 少一部分實質上透射。
37.如條項35或36之微影裝置，其中該氣鎖機構包含一濾光器元件，且該罩蓋板包含至少一圍封體以用於在該濾光器元件未被部署時儲存該濾光器元件。
38.如條項37之微影裝置，其中該圍封體包含可延伸銷釘以用於將該濾光器元件部署於該氣鎖機構上。
39.如條項37或38之微影裝置，其中該罩蓋板包含複數個濾光器元件圍封體。
40.如條項35至39中任一項之微影裝置，其中當該支撐件經定位成使得該罩蓋板直接地位於該氣鎖機構下方時，相比於當該支撐件位於相同位置中時在不具有一罩蓋板之情況下遭遇之流阻，該罩蓋板增加對自該氣鎖機構發射之氣體之流阻。
41.如條項35至40中任一項之微影裝置，其中對自該氣鎖機構發射之氣體之該流阻遍及該基板支撐件之該頂部表面實質上恆定，遠離該基板支撐件之周邊。
42.如條項35至41中任一項之微影裝置，其進一步包含：一輻射源，其經組態以產生一EUV輻射光束；一照明系統，其經組態以調節該輻射光束；及一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
400‧‧‧晶圓
420‧‧‧支撐區塊
430‧‧‧透射影像感測器(TIS)板
450'‧‧‧罩蓋板

Claims (22)

  1. 一種用於一裝置之基板支撐件(substrate support)，該裝置屬於將具有在EUV範圍內或更小之一波長之一輻射光束投影至一基板之一目標部分上的類型，該基板支撐件包含：一基板台(substrate table)，其經建構以固持(hold)一基板；一支撐區塊(support block)，其經組態以支撐該基板台；至少一感測器單元(sensor unit)；及一罩蓋板(cover plate)，其圍繞該基板台及該至少一感測器單元而安置，該罩蓋板經定位及組態以造成對該基板台上之一氣流之一增加阻力(resistance)。
  2. 如請求項1之基板支撐件，其中該罩蓋板包含圍繞該至少一感測器單元具有一凸起或梯狀剖面之一緣邊。
  3. 如請求項1之基板支撐件，其中該罩蓋板包含調節元件。
  4. 如請求項3之基板支撐件，其中該調節元件包含用於攜載一熱交換流體(heat exchange fluid)之一或多個導管。
  5. 如請求項1之基板支撐件，其中該罩蓋板包含經組態以在緊接地位於該罩蓋板上方之一區域與位於該罩蓋板內或下方之一或多個導管之間建立一氣流的一器件。
  6. 如請求項5之基板支撐件，其中該氣流可操作以將氣體吹過該罩蓋板與安裝於該基板台上之該基板之間的一間隙或該罩蓋板與該至少一感測器單元之間的一間隙，以作為(act as)一緩衝器。
  7. 如請求項5之基板支撐件，其中該氣流可操作以將氣體自緊接地位於該罩蓋板上方之該區域經由該罩蓋板與安裝於該基板台上之該基板之間的一間隙及/或該罩蓋板與該至少一感測器單元之間的一間隙而抽取至該一或多個導管中。
  8. 如請求項1之基板支撐件，其進一步包含：一冷卻元件，其位於該基板支撐件上方且可操作以將一直接負熱負荷賦予於由該基板支撐件支撐之該基板上。
  9. 如請求項8之基板支撐件，其中該冷卻元件經定位成至少部分地限制(partially confine)該冷卻元件與基板表面之間的一氣體，該氣體作為用於自基板至冷卻元件之熱轉移之一介質。
  10. 如請求項8之基板支撐件，其中該冷卻元件包含一矽盤碟(silicon disk)。
  11. 如請求項8之基板支撐件，其包含一或多個可切換加熱源，該一或多個可切換加熱源可操作以將一局域化可切換熱負荷(localized,switchable heat load)提供於該冷卻元件上。
  12. 如請求項8之基板支撐件，其包含一或多個可切換加熱源，該一或多個可切換加熱源可操作以將一局域化可切換熱負荷提供於由該基板支撐件支撐之該基板上。
  13. 如請求項12之基板支撐件，其中該加熱源位於該冷卻元件上方，使得由該加熱源發射之輻射透射通過該冷卻元件。
  14. 如請求項12之基板支撐件，其中該加熱源包含一微機電(MEMS)器件，該MEMS器件可操作以發射一光束以用於局域地加熱該基板。
  15. 如請求項12之基板支撐件，其中該加熱源可操作以在具有在EUV範圍內或更小之一波長之該輻射光束不投影至該基板上的期間局域地加熱該基板之部分。
  16. 一種用於一裝置之基板支撐配置，該裝置屬於將具有在EUV範圍內或更小之一波長之一輻射光束投影至一基板之一目標部分上的類型，該基板支撐配置包含：一基板支撐件，其經建構以固持一基板； 一冷卻元件(cooling element)，其位於該基板支撐件上方且可操作以將一直接負熱負荷(direct negative heat load)賦予(impart)於由該基板支撐件支撐之該基板上；及一或多個快速切換(fast-switching)加熱源，其位於該基板上且可操作以將一局域化(localized)快速切換熱負荷提供於由該基板支撐件支撐之該基板上。
  17. 如請求項16之基板支撐配置，其中該冷卻元件經定位成限制該冷卻元件與基板表面之間的一氣體，該氣體作為用於自基板至冷卻元件之熱轉移之一介質。
  18. 如請求項16之基板支撐配置，其中該一或多個快速切換加熱源可操作以在具有在EUV範圍內或更小之一波長之該輻射光束不投影至該基板上的期間局域地加熱該基板之部分。
  19. 如請求項16之基板支撐配置，其中該一或多個快速切換加熱源可操作以局域地加熱該冷卻元件之部分。
  20. 一種微影裝置，其包含：一基板支撐件，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一支撐區塊，其經組態以支撐該基板台；至少一感測器單元；及一罩蓋板，其圍繞該基板台及該至少一感測器單元而安置，該罩蓋板經定位及組態以造成對該基板台上之一氣流之一增加阻力；一光學系統，其位於一腔室內；及一氣鎖機構(gas lock mechanism)，其用於禁止污染物進入該腔室。
  21. 如請求項20之裝置，其中 該腔室內之該光學系統為一投影腔室內之一投影系統；該投影系統經組態以將一EUV輻射光束投影至由該基板支撐件支撐之該基板之一目標部分上；且其中該氣鎖機構經組態用於禁止污染物進入該投影腔室，同時使來自該投影腔室之該EUV輻射光束透射。
  22. 如請求項20之裝置，其中該氣鎖機構包含一濾光器元件，且該罩蓋板包含至少一圍封體以用於在該濾光器元件未被部署(deployed)時儲存該濾光器元件。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715039B (zh) 2014-06-03 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於補償一曝光誤差的方法、元件製造方法、基板台、微影裝置、控制系統、用於量測反射率的方法、及用於量測一極紫外線輻射劑量的方法
US10908496B2 (en) 2016-04-25 2021-02-02 Asml Netherlands B.V. Membrane for EUV lithography
NL2019362A (en) * 2016-09-02 2018-03-06 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus
WO2018065222A1 (en) 2016-10-07 2018-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
KR20200118436A (ko) * 2018-02-16 2020-10-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 가스 로크를 포함하는 장치
KR102511272B1 (ko) * 2018-02-23 2023-03-16 삼성전자주식회사 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법
EP4312078A1 (en) * 2022-07-29 2024-01-31 ASML Netherlands B.V. Contamination determination

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57169244A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
KR20010026371A (ko) * 1999-09-06 2001-04-06 윤종용 웨이퍼 냉각 수단을 구비하는 노광장치 및 이를 이용한 노광방법
US7037797B1 (en) * 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US6801301B2 (en) * 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP3984812B2 (ja) * 2001-10-12 2007-10-03 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4307130B2 (ja) * 2003-04-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005109158A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Canon Inc 冷却装置及び方法、それを有する露光装置、デバイスの製造方法
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006269942A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7502095B2 (en) * 2005-03-29 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI402628B (zh) * 2007-08-31 2013-07-21 Cymer Inc 控管極遠紫外線（ｅｕｖ）光微影裝置腔室間之氣體流動的系統
JP5339742B2 (ja) * 2008-03-04 2013-11-13 ウシオ電機株式会社 極端紫外光が出射する装置と極端紫外光が導入される装置との接続装置
NL2005741A (en) * 2009-12-23 2011-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
SG183434A1 (en) * 2010-03-12 2012-09-27 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5517766B2 (ja) * 2010-06-16 2014-06-11 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
NL2008250A (en) * 2011-03-08 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

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