JP7441706B2

JP7441706B2 - 基板処理方法

Info

Publication number: JP7441706B2
Application number: JP2020063472A
Authority: JP
Inventors: 知浩植村; 崇伊豆田; 信行宮路
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2020-03-31
Filing date: 2020-03-31
Publication date: 2024-03-01
Anticipated expiration: 2040-03-31
Also published as: JP2021163845A

Description

本願は、基板処理方法に関する。

従来から、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して回転させるスピンチャックと、基板の主面に処理液を吐出するノズルとを含む。ノズルは、回転中の基板の主面に向かって処理液を吐出する。これにより、処理液の種類に応じた処理が基板に対して行われる。例えば処理液としてエッチング液を採用すると、基板に対してエッチング処理を行うことができる。処理済みの基板は基板処理装置から搬出され、続けて、次の基板が基板処理装置に搬入される。以下、同様にして、基板が１枚ずつ順次に処理される。

特許文献１では、ノズルから高温の処理液が吐出される。高温の処理液は配管およびノズルを流れて基板へと吐出されるので、配管およびノズルも高温となる。しかしながら、基板の搬入前では、ノズルおよび配管は低温である。よって、１枚目の基板に対する処理を行うべく、処理液が低温の配管およびノズルを流れると、その間に処理液の温度は低下する。よって、初期的には、所望の温度よりも低い温度で基板の主面に処理液が供給される。つまり、１枚目の基板に対する処理液の温度が、２枚目以降の基板に対する処理液の温度よりも低くなる。これにより、基板に対する処理結果が基板間でばらついてしまう。

このような問題を解決すべく、特許文献１では、基板に処理液を供給する前に、基板とは異なる液受け部に処理液を供給するプリディスペンス処理を行っている。このプリディスペンス処理により、配管およびノズルを処理液で温めることができる。そして、プリディスペンス処理の後に基板に処理液を供給することにより、高温の処理液を基板に供給することができる。

特許文献１では、基板処理装置は処理液の温度を温度センサーで検出し、検出した温度が目標温度に到達するまでの時間を予測し、その予測時間に基づいて、プリディスペンス処理の終了時刻を決定している。これにより、目標温度で処理液を基板に供給でき、処理結果の基板間のばらつきを低減することができる。

特開２０１９－１６０９１０号公報

特許文献１の技術では、処理液の温度を温度センサーで測定し、その温度に基づいてプリディスペンス処理の終了時刻を決定しているので、温度センサーを必要とする。

また、特許文献１では、処理液の温度について考慮しているものの、処理液のその他のパラメータについては考慮していない。例えば、処理液の溶存酸素濃度も基板の処理結果に影響を与える。ノズルが処理液を吐出していないときには、処理液は配管中において静止しており、この処理液には酸素が混入する。よって、吐出の停止期間において、処理液の溶存酸素濃度は時間の経過とともに高くなる。したがって、ノズルから処理液を吐出しようとすると、初期的には、溶存酸素濃度の高い処理液が吐出される。これにより、１枚目の基板に対する処理結果が、２枚目以降の基板に対する処理結果と相違してしまう。

そこで、本願では、基板間の処理結果のばらつきを、より簡易に低減できる技術を提供することを目的とする。

基板処理方法の第１の態様は、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、ノズルからの処理液の吐出を停止してから吐出を再開するまでのアイドル時間を取得する取得工程と、前記アイドル時間とプリディスペンス時間との関係を示す関係情報を記憶部から取得し、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいてプリディスペンス時間を設定する設定工程と、前記設定工程で設定されたプリディスペンス時間で、前記ノズルから前記処理液を液受け部に吐出するプリディスペンス工程と、前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルから前記基板に前記処理液を吐出する処理工程とを備え、前記設定工程において、前記プリディスペンス工程の終了時の前記処理液の温度の基板間の差が規定値以下となるように、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいて前記プリディスペンス時間を設定する。

基板処理方法の第２の態様は、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、ノズルからの処理液の吐出を停止してから吐出を再開するまでのアイドル時間を取得する取得工程と、前記アイドル時間とプリディスペンス時間との関係を示す関係情報を記憶部から取得し、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいてプリディスペンス時間を設定する設定工程と、前記設定工程で設定されたプリディスペンス時間で、前記ノズルから前記処理液を液受け部に吐出するプリディスペンス工程と、前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルから前記基板に前記処理液を吐出する処理工程とを備え、前記設定工程において、前記プリディスペンス工程の終了時の前記処理液の溶存酸素濃度の基板間のばらつきが規定値以下となるように、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいて前記プリディスペンス時間を設定する。

基板処理方法の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記設定工程において、２枚目以降の基板についてのプリディスペンス時間を、１枚目の基板についてのプリディスペンス時間よりも短く設定する。

基板処理方法の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記記憶部には、複数の基板処理装置ごとの前記関係情報が記憶されている。

基板処理方法の第１の態様によれば、簡易にプリディスペンス時間を設定できる。

しかも、処理工程による処理結果の基板間のばらつきを低減できる。

基板処理方法の第２の態様によれば、処理工程による処理結果の基板間のばらつきを低減できる。

基板処理方法の第３の態様によれば、プリディスペンス時間を短くでき、処理液の消費を抑えることができる。

基板処理方法の第４の態様によれば、基板処理装置に対して適切な関係情報を用いることができる。

本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。基板保持部の構成の一例を概略的に示す平面図である。制御装置の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。処理液の温度プロファイルの一例を示すグラフである。基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。硫酸供給源と複数の基板処理装置との配管接続の一例を概略的に示す図である。処理液供給源、供給調整部および基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。処理レートの分布の一例を示す概念図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣのすべてを含む。

＜基板処理システムの概略構成＞
図１は、基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１で示されるように、基板処理システム１００は、例えば、基板の一例としての半導体基板（ウエハ）Ｗの表面に付着した有機系のゴミを除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。有機系のゴミとしては、例えば、基板Ｗの表面に不純物を注入するイオン注入処理等の後において基板Ｗの表面に残っている不要になったレジスト、あるいは基板Ｗの表面のうちの外周部の近傍に付着しているレジスト等に由来する有機系のゴミ等、が含まれる。

基板処理システム１００は、収容器としての複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構としてのロードポートＬＰと、基板Ｗを処理する複数（この実施の形態では、１２台）の処理ユニット１１０とを含む。具体的には、鉛直方向に積層された３台の処理ユニット１１０によって構成されたタワーＴＷが、平面的に４台配置されている。言い換えれば、平面的に配列された４台の処理ユニット１１０でそれぞれ構成されている３組の処理ユニット１１０が、鉛直方向に積層するように配置される。

基板処理システム１００は、さらに、例えば、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置３０とを含む。インデクサロボットＩＲは、例えば、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送することができる。センターロボットＣＲは、例えば、インデクサロボットＩＲと各処理ユニット１１０との間で基板Ｗを搬送することができる。制御装置３０は、例えば、基板処理システム１００に備えられた各部の動作およびバルブの開閉等を制御することができる。

ここでは、図１で示されるように、ロードポートＬＰと各処理ユニット１１０とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。ロードポートＬＰにおいて、複数枚の基板Ｗを収容する複数のキャリアＣは、平面視したときに水平な配列方向Ｄに沿って配列されている。ロードポートＬＰは、基板Ｗを搬入する搬入部として機能する。ここで、インデクサロボットＩＲは、例えば、キャリアＣから基板載置部ＰＡＳＳに複数枚の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができるとともに、基板載置部ＰＡＳＳからキャリアＣに複数枚の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができる。基板載置部ＰＡＳＳは、基板Ｗを載置する載置台を含む。

センターロボットＣＲは、例えば、基板載置部ＰＡＳＳから各処理ユニット１１０に複数枚の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができるとともに、各処理ユニット１１０から基板載置部ＰＡＳＳに複数枚の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができる。また、例えば、センターロボットＣＲは、必要に応じて複数の処理ユニット１１０の間において基板Ｗを搬送することができる。インデクサロボットＩＲ、基板載置部ＰＡＳＳおよびセンターロボットＣＲは、基板Ｗを搬入部（ロードポートＬＰ）から受け取り、処理ユニット１１０に受け渡す基板受渡部として機能する。

図１の例では、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状のハンドＨを有している。ここでは、インデクサロボットＩＲは２つのハンドＨを有する。２つのハンドＨは、互いに異なる高さに配置される。各ハンドＨは基板Ｗを水平な姿勢で支持することができる。インデクサロボットＩＲはハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。インデクサロボットＩＲは、受渡位置（図１でインデクサロボットＩＲが描かれている位置）を通る経路において配列方向Ｄに沿って移動する。受渡位置は、平面視したときにインデクサロボットＩＲと基板載置部ＰＡＳＳとが配列方向Ｄに直交する方向において対向する位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよび基板載置部ＰＡＳＳにそれぞれハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、インデクサロボットＩＲはハンドＨを移動させることにより、キャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作と、キャリアＣから基板Ｗを搬出する搬出動作とを行うことができる。また、例えば、インデクサロボットＩＲは受渡位置においてハンドＨを移動させることにより、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを搬入する搬入動作と、基板載置部ＰＡＳＳら基板Ｗを搬出する搬出動作とを行うことができる。

図１の例では、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと同様に、平面視Ｕ字状のハンドＨを有している。ここでは、センターロボットＣＲは２つのハンドＨを有する。２つのハンドＨは、互いに異なる高さに配置される。各ハンドＨは基板Ｗを水平な姿勢で支持することができる。センターロボットＣＲは各ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。センターロボットＣＲは、平面視したときに、複数台の処理ユニット１１０に取り囲まれている。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット１１０および基板載置部ＰＡＳＳのいずれかにハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、センターロボットＣＲはハンドＨを移動させることにより、各処理ユニット１１０に基板Ｗを搬入する搬入動作と、各処理ユニット１１０から基板Ｗを搬出する搬出動作とを行うことができる。また、例えば、センターロボットＣＲはハンドＨを移動させることにより、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを搬入する搬入動作と、基板載置部ＰＡＳＳら基板Ｗを搬出する搬出動作とを行うことができる。

未処理の基板ＷはキャリアＣからインデクサロボットＩＲによって取り出され、基板載置部ＰＡＳＳを経由してセンターロボットＣＲに受け渡される。センターロボットＣＲはこの未処理の基板Ｗを処理ユニット１１０に搬入する。処理ユニット１１０は基板Ｗに対して処理を行う。処理済みの基板ＷはセンターロボットＣＲによって処理ユニット１１０から取り出され、必要に応じて他の処理ユニット１１０を経由した上で、基板載置部ＰＡＳＳを介してインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する。以上により、基板Ｗに対する処理が行われる。

＜第１の実施の形態＞
図２は、処理ユニット１１０の一例である基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板Ｗは例えば半導体基板であって、円板形状を有する。

基板処理装置１０には供給調整部２０が接続される。供給調整部２０は基板処理装置１０に処理液を供給する。基板処理装置１０は、供給調整部２０からの処理液を基板Ｗの主面に供給して、当該処理液の種類に基づいた処理を基板Ｗに対して行う。基板処理装置１０および供給調整部２０は制御装置３０によって制御される。

基板処理装置１０は、チャンバー１１と、スピンチャック１２と、ノズル１３と、供給配管１４と、ノズル移動部１５と、液受け部１６とを含む。

チャンバー１１は箱形状を有する。チャンバー１１は、スピンチャック１２、ノズル１３、供給配管１４の一部、ノズル移動部１５および液受け部１６を収容する。スピンチャック１２は基板Ｗを保持して回転する。スピンチャック１２は「基板保持部」の一例に相当する。具体的には、スピンチャック１２は、チャンバー１１内で基板Ｗを水平姿勢で保持しながら、回転軸線Ａ１のまわりに基板Ｗを回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢をいう。回転軸線Ａ１は、スピンチャック１２によって保持された基板Ｗの中央部（より具体的には中心）を通り、鉛直方向に平行な軸である。

図２の例では、スピンチャック１２は、複数のチャック部材１２ａと、スピンベース１２ｂと、スピンモーター１２ｃとを含む。複数のチャック部材１２ａは基板Ｗの周縁を把持して基板Ｗを水平姿勢で保持する。スピンベース１２ｂは円板形状を有し、複数のチャック部材１２ａを支持する。スピンモーター１２ｃはスピンベース１２ｂを回転させることによって、複数のチャック部材１２ａに保持された基板Ｗを回転軸線Ａ１のまわりに回転させる。スピンモーター１２ｃは制御装置３０によって制御される。

ノズル１３は基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する。処理液は、例えばエッチング液等の薬液を含む。例えば、シリコン窒化膜が形成された基板に対してエッチング処理を実行する場合は、処理液は燐酸を含む。例えば、レジストの除去処理を実行する場合は、処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液（Sulfuric acid/Hydrogen Peroxide Mixture：ＳＰＭ）を含む。燐酸またはＳＰＭを含む処理液は、高温で使用される処理液の一例である。高温で使用される処理液の他の例としては、希釈アンモニア水（ｄＮＨ_４ＯＨ）、希釈過酸化水素水（ｄＨ_２Ｏ_２）、希フッ酸（ＤＨＦ）、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）などを挙げることができる。

供給配管１４はノズル１３に接続される。供給配管１４は、ノズル１３に処理液を供給する配管である。供給配管１４に供給される処理液の温度は、例えば、供給配管１４よりも上流に配置される循環配管（後述）において、室温（例えば２０～３０℃）よりも高い温度に維持されている。ノズル１３が規定温度の処理液を基板Ｗに供給することにより、基板Ｗに対して規定の処理レート（例えば、規定のエッチングレートまたは規定の対象物除去レート）で処理を行うことができる。換言すれば、規定温度は、基板Ｗに対して、規定時間内に規定の処理結果（例えば、規定のエッチング量または規定の対象物除去量）を達成できる温度を示す。規定温度は、燐酸を含む処理液では、例えば、１７５℃である。規定温度は、ＳＰＭを含む処理液では、例えば、１００℃以上である。なお、ＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との化学反応に伴って発熱する。よって、混合前の過酸化水素水および硫酸の温度は必ずしも規定温度で循環する必要はなく、それぞれが、より低い温度で循環してもよい。また、過酸化水素水および硫酸の両方を加熱して循環させる必要はない。以下では、処理液としてＳＰＭを採用し、硫酸を循環させる具体例について述べる。

供給調整部２０は可変の供給量で基板処理装置１０に処理液を供給する。換言すれば、供給調整部２０は、基板処理装置１０（具体的にはノズル１３）に供給する処理液の供給量を調整する。供給調整部２０はチャンバー１１の外部において、供給配管１４に介装される。なお、供給調整部２０は、チャンバー１１の内部において供給配管１４に介装されてもよい。供給調整部２０は、ノズル１３への処理液の供給量をゼロにして、ノズル１３への処理液の供給を停止し、ノズル１３への処理液の供給量をゼロより多くして、ノズル１３へ処理液を供給する。供給調整部２０は、ノズル１３へ供給する処理液の流量を調整することができる。

図２の例では、供給調整部２０は処理液としてＳＰＭを供給する。図２の例では、供給調整部２０は、混合部２１と、供給配管２２ａ，２２ｂと、流量計２３ａ，２３ｂと、流量調整バルブ２４ａ，２４ｂと、バルブ２５ａ，２５ｂとを含んでいる。混合部２１は供給配管１４，２２ａ，２２ｂに接続される。混合部２１には、供給配管２２ａを経由して過酸化水素水が供給されつつ、供給配管２２ｂを経由して硫酸が供給される。混合部２１は過酸化水素水および硫酸を混合し、その混合液（ＳＰＭ）を供給配管１４に供給する。

供給配管２２ａは過酸化水素水供給源４０ａにも接続されている。過酸化水素水供給源４０ａは供給配管２２ａの内部に過酸化水素水を供給する。流量計２３ａ、流量調整バルブ２４ａおよびバルブ２５ａは供給配管２２ａに介装されている。バルブ２５ａは開閉バルブであり、開状態と閉状態とに切り替え可能である。開状態とは、混合部２１に向かって供給配管２２ａ内を流れる過酸化水素水を通過させる状態のことである。閉状態とは、混合部２１への過酸化水素水の供給を停止する状態のことである。バルブ２５ａは制御装置３０によって制御される。

流量計２３ａは、混合部２１に供給される過酸化水素水の流量を検出し、その検出結果を示す信号を制御装置３０に出力する。流量調整バルブ２４ａは、混合部２１に供給される過酸化水素水の流量を調整する。バルブ２５ａが開くことにより、過酸化水素水が、流量調整バルブ２４ａの開度に対応する流量で供給配管２２ａから混合部２１に供給される。開度は、流量調整バルブ２４ａが開いている程度を示す。流量調整バルブ２４ａは制御装置３０によって制御される。具体的には、制御装置３０は、流量計２３ａによって検出された流量が目標範囲内となるように、流量調整バルブ２４ａを制御する。

供給配管２２ｂは硫酸供給源４０ｂにも接続されている。硫酸供給源４０ｂは供給配管２２ｂの内部に硫酸を供給する。硫酸供給源４０ｂは硫酸を加熱し、加熱後の硫酸を供給配管２２ｂの内部に供給する。流量計２３ｂ、流量調整バルブ２４ｂおよびバルブ２５ｂは供給配管２２ｂに介装されている。バルブ２５ｂは開閉バルブであり、開状態と閉状態とに切り替え可能である。開状態とは、混合部２１に向かって供給配管２２ｂ内を流れる硫酸を通過させる状態のことである。閉状態とは、混合部２１への硫酸の供給を停止する状態のことである。バルブ２５ｂは制御装置３０によって制御される。

流量計２３ｂは、混合部２１に供給される硫酸の流量を検出し、その検出結果を示す信号を制御装置３０に出力する。流量調整バルブ２４ｂは、混合部２１に供給される硫酸の流量を調整する。バルブ２５ｂが開くことにより、硫酸が、流量調整バルブ２４ｂの開度に対応する流量で供給配管２２ｂから混合部２１に供給される。開度は、流量調整バルブ２４ｂが開いている程度を示す。流量調整バルブ２４ｂは制御装置３０によって制御される。具体的には、制御装置３０は、流量計２３ｂによって検出された流量が目標範囲内となるように、流量調整バルブ２４ｂを制御する。

図２の例では、供給配管２２ｂの上流端は循環配管４２に接続されている。循環配管４２には高温の硫酸が流れて、硫酸供給源４０ｂ内を循環する。高温の硫酸が循環することにより、当該循環路における配管の温度を高温に維持することができ、配管の温度低下に伴う硫酸の温度低下を回避することができる。循環中の硫酸の温度は、高温の一定温度に維持される。

なお、図２の例では、硫酸は、流量計２３ｂ、流量調整バルブ２４ｂおよびバルブ２５ｂの一組に対して上流側において、循環配管４２内を循環する。しかしながら、これに限らず、循環位置は適宜に変更し得る。例えば、上流端が流量調整バルブ２４ｂとバルブ２５ｂとの間で供給配管２２ｂに接続され、下流端が循環配管４２に接続された第２の循環配管を設けてもよい。これにより、高温の硫酸が供給配管２２ｂの一部も経由して循環するので、当該供給配管２２ｂの一部内の処理液の温度も高温に維持できる。

バルブ２５ａ，２５ｂの両方が開くことにより、混合部２１に過酸化水素水および高温の硫酸が供給される。過酸化水素水は、流量調整バルブ２４ａの開度に応じた流量で混合部２１に供給され、硫酸は、流量調整バルブ２４ｂの開度に応じた流量で混合部２１に供給される。混合部２１は、供給配管２２ａからの過酸化水素水、および、供給配管２２ｂからの硫酸を混合し、その混合液（ＳＰＭ）を供給配管１４に供給する。この処理液は供給配管１４を経由してノズル１３の吐出口から吐出される。過酸化水素水および硫酸の混合に伴う反応熱によって、処理液の温度は規定温度（例えば、１００℃以上）以上に昇温する。

バルブ２５ａ，２５ｂの両方が閉じることにより、過酸化水素水および硫酸の混合部２１への供給が停止し、ノズル１３からの処理液の吐出が停止する。

図２の例では、サックバック配管２７が設けられている。サックバック配管２７の一端は供給配管１４に接続される。サックバック配管２７には、例えば、不図示のバルブが介装される。当該バルブは処理液の吐出を終了する際に開く。これにより、処理液をノズル１３から供給配管１４側に吸い込むサックバック処理が行われる。このようなサックバック処理を行うことにより、ノズル１３からの処理液の吐出停止時にぼた落ちが生じる可能性を低減することができる。ぼた落ちとは、処理液の塊がノズル１３の吐出口から落下することである。なお、サックバック処理は、必ずしもサックバック配管２７によって行われる必要はなく、例えばサックバック用のバルブが供給配管１４等に設けられてもよい。

次に、図２および図３を参照して、ノズル移動部１５、液受け部１６およびプリディスペンス処理について説明する。図３は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す平面図である。ノズル移動部１５はノズル１３を処理位置ＰＳ１と待機位置ＰＳ２との間で移動させる。処理位置ＰＳ１は、例えば、スピンチャック１２によって保持された基板Ｗよりも上方の位置を示す。図２および図３では、処理位置ＰＳ１に位置するノズル１３が二点鎖線で示されている。待機位置ＰＳ２は、例えば、スピンチャック１２およびカップ１７よりも外側の位置を示す。

図２および図３の例では、ノズル移動部１５は、アーム１５１と、支持部材１５２と、モーター１５３とを含む。アーム１５１は水平に延びており、その一端がノズル１３に連結され、他端が支持部材１５２に連結される。支持部材１５２は鉛直に延びている。モーター１５３は支持部材１５２を、鉛直方向に平行な回転軸線Ａ２のまわりに回動させる。これにより、ノズル移動部１５は処理位置ＰＳ１と待機位置ＰＳ２との間で、ノズル１３を水平に移動させることができる。

また、ノズル移動部１５は、ノズル１３を鉛直に移動させることもできる。鉛直の移動は、例えば、ボールねじ構造によって実現できる。ノズル移動部１５は制御装置３０によって制御される。

液受け部１６は平面視において、スピンチャック１２およびカップ１７よりも外側に位置する。具体的には、液受け部１６は、ノズル１３の待機位置ＰＳ２の下方に位置する。液受け部１６は、プリディスペンス処理において、ノズル１３によって吐出される処理液を受け止める。液受け部１６は、例えば、上方に開口した箱形状を有する。

プリディスペンス処理は、基板Ｗに処理液を供給する前に、液受け部１６に処理液を供給する処理を示す。具体的には、基板処理装置１０がプリディスペンス処理を実行するときに、ノズル移動部１５はノズル１３を待機位置ＰＳ２から下降させて、ノズル１３を液受け部１６まで移動させる。そして、ノズル１３は液受け部１６に向けて処理液を吐出する。

プリディスペンス処理の終了後にノズル１３が処理位置ＰＳ１まで移動し、回転中の基板Ｗの主面に対して処理液を吐出する。基板Ｗの主面に着液した処理液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの周縁側に流れ、当該周縁から外側に飛散する。このように処理液が基板Ｗの主面に作用することにより、処理液の種類に基づいた処理が基板Ｗに対して行われる。

図２の例では、基板処理装置１０にはカップ１７が設けられている。カップ１７は、スピンチャック１２を取り囲む筒形状を有し、チャンバー１１内に収容される。カップ１７は、回転中の基板Ｗの周縁から飛散した処理液を受け止める。

制御装置３０は基板処理装置１０および供給調整部２０を制御する。具体的には、制御装置３０は、スピンチャック１２、ノズル移動部１５、流量計２３ａ，２３ｂ、流量調整バルブ２４ａ，２４ｂおよびバルブ２５ａ，２５ｂと電気的に接続される。

図４は、基板処理システム１００の電気的な構成の一例を概略的に示す図である。制御装置３０は電子回路であって、例えば制御部３１および記憶部３２を有していてもよい。図４の例では、制御部３１と記憶部３２とはバス３３を介して相互に接続されている。制御部３１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶部３２は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）３２１および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））３２２を有していてもよい。非一時的な記憶媒体３２１には、例えば制御装置３０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。制御部３１がこのプログラムを実行することにより、制御装置３０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御装置３０が実行する処理の一部または全部が、論理回路等のハードウェアによって実行されてもよい。

なお、基板処理装置１０は、複数の処理液を切り替えて順次に基板Ｗに供給可能な構成を有していてもよい。例えば、基板処理装置１０は、それぞれの処理液に対応した複数のノズルを含んでいてもよい。

＜処理液の温度＞
上述のように、基板処理装置１０は高温の処理液を基板Ｗに供給することで、適切に基板Ｗを処理できる。しかしながら、ノズル１３から吐出される処理液の温度は変動する。なぜなら、ノズル１３からの処理液の吐出を停止すると、その停止期間（以下、アイドル時間とも呼ぶ）では、処理液は各配管（例えば供給配管１４）およびノズル１３内で静止して放熱し、処理液の温度が時間の経過とともに低下するからである。このアイドル時間においては、処理液の温度のみならず、ノズル１３および各配管の温度も処理液と同様に、時間の経過とともに低下する。

なお、図２に例示するように、循環配管４２が設けられる場合には、アイドル時間であっても、高温の処理液が循環配管４２内を循環するので、循環配管４２および循環配管４２内の処理液は高温に維持される。なお、第２の循環配管が設けられる場合、当該第２の循環配管およびその内部の処理液の温度も高温に維持される。

図２の例では、アイドル時間において、処理液は供給配管２２ｂ、混合部２１、供給配管１４およびノズル１３内で静止するので、この領域内の処理液の温度が低下する。

また、サックバック処理が行われる場合、吐出停止の際に処理液が上流側に吸い込まれるので、アイドル時間において、処理液はノズル１３内には存在しない場合もある。この場合、ノズル１３の温度の低下速度は比較的に高くなる。吸い込み量が多い場合には、供給配管１４のうち下流側の一部でも処理液が存在しなくなるので、当該一部での温度の低下速度も高くなる。

この状態でノズル１３からの処理液の吐出を再開すると、初期的には、低温の処理液が低温の供給配管１４およびノズル１３の内部を流れて、ノズル１３から吐出される。よって、ノズル１３から吐出される処理液の温度は初期的には低い。そして、硫酸供給源４０ｂ側から高温の処理液が各配管およびノズル１３を流れることにより、各配管およびノズル１３が徐々に温められる。逆に言えば、配管およびノズル１３が処理液から奪う熱量は徐々に低下する。よって、ノズル１３から吐出される処理液の温度は時間の経過とともに高まり、温度低下はいずれ解消される。

以上のように、アイドル時間の直後にノズル１３から吐出される処理液の温度は低い。このような低温の処理液を基板Ｗに供給すると、所定の処理レートで基板Ｗを処理することができない。

そこで、基板Ｗに処理液を供給する本処理の前にプリディスペンス処理を行う。このプリディスペンス処理では、処理液がノズル１３から液受け部１６に吐出される。プリディスペンス処理においてノズル１３から吐出される処理液の温度は、時間の経過とともに高まる。

そして、プリディスペンス処理の後に、基板Ｗに処理液を供給する（本処理）。具体的には、ノズル１３からの処理液の吐出を中断し、ノズル移動部１５がノズル１３を処理位置ＰＳ１に移動させた上で、ノズル１３が処理液を再び吐出する。これにより、高温の処理液を基板Ｗに供給することができる。

しかしながら、プリディスペンス処理の所要時間（以下、プリディスペンス時間と呼ぶ）が一定である場合、プリディスペンス処理の終了時における処理液の温度がばらつく場合がある。以下、図５を参照して、処理液の温度変化について述べる。

図５は、温度プロファイルの例を示すグラフである。ここでは、ロット単位で基板Ｗを処理する例について述べる。１ロットは例えば２５枚の基板Ｗによって構成される。１ロット内の複数の基板Ｗは順次に基板処理装置１０に搬送される。

基板処理装置１０は、センターロボットＣＲによって搬入された１枚の基板に対して、例えば、所定の前処理（例えば洗浄処理）を行い、その後、プリディスペンス処理および本処理をこの順に行い、その後、所定の後処理（例えばリンス処理および乾燥処理）を行う。処理済みの１枚の基板ＷがセンターロボットＣＲによって搬出された後、次の１枚の基板Ｗが基板処理装置１０に搬入される。以下、同様にして、基板処理装置１０は基板Ｗを１枚ずつ順次に処理する。そして、１ロット内の２５枚の基板Ｗの処理が終了すると、次のロットの基板Ｗが順次に基板処理装置１０に対して搬入される。

このような基板処理の流れにおいて、１ロット内での基板Ｗの処理間でのアイドル時間はさほど長くないのに対して、ロット間でのアイドル時間は長くなり得る。

図５は、前回のロットの最後の基板Ｗに対する基板処理から、ロット間のアイドル時間が経過した後に、次のロットに対する基板処理を実行したときの、処理液の温度の時間変化の一例を示している。図５では、ロット間のアイドル時間が異なる３つのグラフＧ１～Ｇ３が示されている。グラフＧ１は、ロット間のアイドル時間が５分であるときの温度プロファイルを示し、グラフＧ２は、ロット間のアイドル時間が３０分であるときの温度プロファイルを示し、グラフＧ３は、ロット間のアイドル時間が６０分であるときの温度プロファイルを示す。図５では、ロットのうち最初の３枚の基板Ｗに対する処理時の温度プロファイルを示している。

処理液の温度としては、供給配管１４のうち、サックバック配管２７との接続箇所よりも少し上流側の位置で、処理液の温度を測定した。当該位置では、アイドル時間であっても処理液が存在するので、適切に処理液の温度を測定できる。

まず、グラフＧ１を参照しつつ、基板Ｗに対する処理と、その処理に対応した処理液の温度変化の一例を説明する。基板処理装置１０には、ロットの１枚目の基板Ｗが搬入される。基板処理装置１０は、必要に応じて種々の前処理を基板Ｗに対して行う。この前処理では、処理液（ＳＰＭ）は各配管（例えば供給配管１４）内で静止しており、図５の例では、その温度は時間の経過によらず一定である。そして、種々の前処理が終了した時刻ｔ１において、１枚目の基板Ｗについてのプリディスペンス処理が実行される。具体的には、ノズル１３から液受け部１６へと処理液（ＳＰＭ）が吐出される。このプリディスペンス処理により、処理液の温度は開始温度Ｔ１から増加する。プリディスペンス時間は例えば５秒である。

プリディスペンス時間が経過すると、ノズル１３から液受け部１６への処理液の吐出が停止される。これにより、プリディスペンス処理が終了する。次に、ノズル１３が処理位置ＰＳ１に移動する。この移動時には、処理液の温度の増加速度は緩和する。続いて、ノズル１３から処理液が１枚目の基板Ｗに吐出される（本処理）。この処理液の吐出により処理液の温度が再び時間の経過とともに高まりつつ、いずれ飽和する。所定の処理時間が経過した時刻ｔ２において、１枚目の基板Ｗに対する本処理を終了すべく、ノズル１３からの処理液の吐出を停止し、ノズル１３が待機位置ＰＳ２へ移動する。本処理の処理時間は例えば３０秒である。本処理では、例えば、基板Ｗの主面のレジストをＳＰＭにより除去する。

ノズル１３からの処理液の吐出が停止すると、静止中の処理液、各配管およびノズル１３の温度は、放熱により、時間の経過とともに低下する。そして、１枚目の基板Ｗに対する種々の後処理（例えばリンス処理および乾燥処理など）が終了すると、１枚目の基板ＷがセンターロボットＣＲによって基板処理装置１０から搬出される。

続いて、２枚目の基板ＷがセンターロボットＣＲによって基板処理装置１０に搬入される。必要に応じて、当該基板Ｗに対する種々の前処理が行われた後に、時刻ｔ３にて、２枚目の基板Ｗについてのプリディスペンス処理が行われる。

ロット内のアイドル時間（例えば時刻ｔ２，ｔ３間の時間）は、ロット間のアイドル時間よりも短いので、２枚目の基板Ｗについてのプリディスペンス処理の開始時の開始温度Ｔ２は、開始温度Ｔ１よりも高い。このプリディスペンス処理より、処理液の温度が再び時間の経過とともに増加する。プリディスペンス時間が経過すると、処理液の吐出が中断されてノズル１３が処理位置ＰＳ１に移動し、処理液が２枚目の基板Ｗに供給される。これにより、処理液の温度はさらに増加し、いずれ飽和する。所定の処理時間が経過した時刻ｔ４において、２枚目の基板Ｗに対する本処理を終了すべく、ノズル１３からの処理液の吐出を停止し、ノズル１３が待機位置ＰＳ２へ再び移動する。

ノズル１３からの処理液の吐出が停止すると、静止中の処理液、各配管およびノズル１３の温度は再び時間の経過とともに低下する。そして、２枚目の基板Ｗに対する種々の後処理が終了すると、２枚目の基板ＷがセンターロボットＣＲによって基板処理装置１０から搬出され、３枚目の基板ＷがセンターロボットＣＲによって基板処理装置１０に搬入される。必要に応じて、３枚目の基板Ｗに対する種々の前処理が行われた後に、時刻ｔ５にて、３枚目の基板Ｗについてのプリディスペンス処理が行われる。以後、同様の処理が繰り返され、処理液の温度は同様の時間変化を繰り返す。図５の各グラフＧ１～Ｇ３では、３枚の基板の処理時における処理液の温度変化が示されている。

図５のグラフＧ１に示すように、２回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ４は１回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ３よりも高く、温度差ΔＴ１が生じている。これは、２回目のディスペンス処理の開始温度Ｔ２が１回目のプリディスペンス処理の開始温度Ｔ１よりも高いからである。この開始温度Ｔ１，Ｔ２の温度差は、その直前のアイドル時間の差によって生じる。具体的には、１回目のプリディスペンス処理の直前のアイドル時間は、ロット間のアイドル時間であるのに対して、２回目のプリディスペンス処理の直前のアイドル時間（時刻ｔ２，ｔ３間の時間）は、ロット内のアイドル時間である。ロット間のアイドル時間はロット内のアイドル時間よりも長いので、処理液の温度はロット間のアイドル時間においてより低下し、１回目のプリディスペンス処理の開始温度Ｔ１が、２回目のプリディスペンス処理の開始温度Ｔ２よりも低くなる。よって、開始温度Ｔ１，Ｔ２の間に温度差が生じる。ひいては、１回目および２回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ３，Ｔ４の間に、温度差ΔＴ１が生じる。

温度差ΔＴ１が生じると、１枚目の基板Ｗに対する本処理の処理結果と、２枚目の基板Ｗに対する本処理の処理結果との間に、温度差ΔＴ１に応じた差異が生じる。つまり、本処理の処理結果は１枚目の基板Ｗと２枚目の基板Ｗとの間でばらつく。

図５のグラフＧ１に示すように、３回目のプリディスペンス処理の終了温度は２回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ４と同程度である。よって、図５のグラフＧ１では、２枚目の基板Ｗと３枚目の基板Ｗとの間の処理結果のばらつきは小さくなる。

次に、ロット間のアイドル時間の長短の影響について、グラフＧ１～Ｇ３を参照して説明する。以下では、グラフＧ１～Ｇ３のそれぞれについてのパラメータを区別すべく、当該パラメータの符号にグラフの符号を付記して説明する。例えば、グラフＧ１についての開始温度Ｔ１を開始温度Ｔ１［Ｇ１］と呼ぶ。

ロット間のアイドル時間が長くなるほど、静止中の処理液、各配管およびノズル１３の温度は低下する。よって、１回目のプリディスペンス処理の開始温度Ｔ１は、ロット間のアイドル時間が長いほど低くなる。つまり、開始温度Ｔ１［Ｇ３］は開始温度Ｔ１［Ｇ２］よりも低く、開始温度Ｔ１［Ｇ２］は開始温度Ｔ１［Ｇ１］よりも低い。したがって、１回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ３も、ロット間のアイドル時間が長いほど低くなる。つまり、終了温度Ｔ３［Ｇ３］は終了温度Ｔ３［Ｇ２］よりも低く、終了温度Ｔ３［Ｇ２］は終了温度Ｔ３［Ｇ１］よりも低い。つまり、１枚目の基板Ｗに対する本処理は、ロット間のアイドル時間が長いほど、より低い処理液の温度で開始される。

そして、１枚目の基板Ｗに対する本処理の開始から所定の処理時間が経過した時刻ｔ２にて、本処理を終了すべく、ノズル１３からの処理液の吐出を停止し、ノズル１３が待機位置ＰＳ２に移動する。この処理液の吐出の停止により、静止中の処理液、各配管およびノズル１３の温度は時間の経過とともに低下する。

ところで、本処理後の処理液の温度の低下速度は周囲環境の温度に依存し、より具体的には、周囲環境の温度が低いほど高くなる。つまり、周囲環境の温度が低いほど、静止中の処理液の温度は高い速度で低下する。この周囲環境の温度も、アイドル時間が長いほど低い。例えば、グラフＧ３では、ロット間のアイドル時間が最も長いので、１枚目の基板Ｗに対する本処理後の周囲環境の温度も最も低くなる。よって、当該本処理後の処理液の温度は、グラフＧ３において、最も低下する。つまり、２回目のプリディスペンス処理の開始温度Ｔ２は、グラフＧ３において、最も低い。要するに、開始温度Ｔ２［Ｇ３］は開始温度Ｔ２［Ｇ２］よりも低く、開始温度Ｔ２［Ｇ２］は開始温度Ｔ２［Ｇ１］よりも低い。

したがって、２回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ４も、ロット間のアイドル時間が長いほど低くなる。つまり、終了温度Ｔ４［Ｇ３］は終了温度Ｔ４［Ｇ２］よりも低く、終了温度Ｔ４［Ｇ２］は終了温度Ｔ４［Ｇ１］よりも低い。

一方で、ロット内のアイドル時間はロット間のアイドル時間よりも短いので、開始温度Ｔ２は開始温度Ｔ１までは低下しない。つまり、開始温度Ｔ２［Ｇ１］は開始温度Ｔ２［Ｇ１］よりも高く、開始温度Ｔ２［Ｇ２］は開始温度Ｔ１［Ｇ２］よりも高く、開始温度Ｔ２［Ｇ３］は開始温度Ｔ１［Ｇ３］よりも高い。

したがって、各グラフＧ１～Ｇ３において、２回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ４は、１回目のプリディスペンス処理の終了温度Ｔ３よりも高くなり、終了温度Ｔ３，Ｔ４の間には温度差ΔＴ１が生じる。よって、グラフＧ１～Ｇ３の各々において、本処理の処理結果は１枚目および２枚目の基板Ｗの間でばらつく。

また、終了温度Ｔ３，Ｔ４の温度差ΔＴ１は、ロット間のアイドル時間が長いほど大きくなる。つまり、温度差ΔＴ１［Ｇ３］は温度差ΔＴ１［Ｇ２］よりも大きく、温度差ΔＴ１［Ｇ２］は温度差ΔＴ１［Ｇ１］よりも大きい。したがって、本処理の処理結果の１枚目および２枚目の基板Ｗの間のばらつきは、ロット間のアイドル時間が長いほど大きくなる。

ただし、ロット内で処理される基板Ｗの枚数が多くなるほど、周囲環境が十分に温められてその温度が安定するので、プリディスペンス処理の開始温度は一定値に近づき、ひいては、プリディスペンス処理の終了温度も一定値に近づく。図５の例では、各グラフＧ１～Ｇ３において、温度差ΔＴ２は温度差ΔＴ１よりも低減している。よって、枚数が多くなると、基板Ｗに対する本処理の処理結果のばらつきは低減する。

逆に言えば、周囲環境を十分に温めることにより、温度差ΔＴ１，ΔＴ２を小さくすることができる。そこで、制御部３１は、ロット間のアイドル時間が長いほど、少なくとも１回目のプリディスペンス時間を長く設定する。これにより、１回目のプリディスペンス処理において、周囲環境をより高い温度まで昇温することができ、温度差ΔＴ１，ΔＴ２を小さくすることができる。以下、プリディスペンス時間の設定方法について詳述する。

＜アイドル時間とプリディスペンス時間との関係＞
第１の実施の形態では、温度差ΔＴ１，ΔＴ２の両方が規定値以下となるように、アイドル時間とプリディスペンス時間との関係を示す関係情報を記憶部３２に記憶しておく。表１および表２は、当該関係情報の一例を示す表である。

表１は、アイドル時間およびプリディスペンス時間の各々を順次に異ならせたときの温度差ΔＴ１を示す表である。表１は例えば実験またはシミュレーションにより得ることができる。表１において、アイドル時間が時間ｔａ１であり、プリディスペンス時間が時間ｔｐ１であるときの温度差ΔＴ１が温度差ΔＴ１１である。

既述のように、温度差ΔＴ１は、アイドル時間が長いほど大きくなるので、ΔＴ１１＜ΔＴ１４＜ΔＴ１７，ΔＴ１２＜ΔＴ１５＜ΔＴ１８，ΔＴ１３＜ΔＴ１６＜ΔＴ１９が成立する。

一方で、プリディスペンス時間が長くなるほど、プリディスペンス処理において、各配管、ノズル１３および周囲環境がより温められる。よって、温度差ΔＴ１は小さくなる。つまり、ΔＴ１１＞ΔＴ１２＞ΔＴ１３，ΔＴ１４＞ΔＴ１５＞ΔＴ１６，ΔＴ１７＞ΔＴ１８＞ΔＴ１９が成立する。

表２は、アイドル時間とプリディスペンス時間とを順次に異ならせたときの温度差ΔＴ２を示す表である。表２も例えば実験またはシミュレーションにより得ることができる。表２において、アイドル時間が時間ｔａ１であり、プリディスペンス時間が時間ｔｐ１であるときの温度差ΔＴ２が温度差ΔＴ２１である。

アイドル時間およびプリディスペンス時間に変化がなければ、温度差ΔＴ２は温度差ΔＴ１よりも小さい。よって、ΔＴ１ｎ（ｎは１～９）＞ΔＴ２ｎが成立する。また、温度差ΔＴ２も、アイドル時間が長いほど大きくなるので、ΔＴ２１＜ΔＴ２４＜ΔＴ２７，ΔＴ２２＜ΔＴ２５＜ΔＴ２８，ΔＴ２３＜ΔＴ２６＜ΔＴ２９が成立する。また、温度差ΔＴ２も、プリディスペンス時間が長いほど小さくなるので、ΔＴ２１＞ΔＴ２２＞ΔＴ２３，ΔＴ２４＞ΔＴ２５＞ΔＴ２６，ΔＴ２７＞ΔＴ２８＞ΔＴ２９が成立する。

＜プリディスペンス時間の設定＞
制御部３１はプリディスペンス時間を設定する。具体的には、制御部３１は、ロット間のアイドル時間を示すアイドル情報を取得し、当該アイドル時間と、記憶部３２の関係情報とに基づいてプリディスペンス時間を設定する。

アイドル情報は例えば次のようにして取得される。例えば、上流側の装置から制御部３１へとアイドル情報が通知されてもよい。あるいは、作業員が不図示の入力デバイスにアイドル情報を入力し、当該入力デバイスがアイドル情報を制御部３１に出力してもよい。あるいは、制御部３１はタイマー回路を有して、ロット間のアイドル時間を測定してもよい。

制御部３１は、温度差ΔＴ１が規定値以下となるように、取得したロット間のアイドル時間、および、記憶部３２に記憶された関係情報に基づいて、プリディスペンス時間を設定する。例えば、アイドル時間が時間ｔａ２であり、温度差ΔＴ１５が規定値よりも大きく、温度差ΔＴ１６が規定値以下であれば、制御部３１はプリディスペンス時間を時間ｔｐ３に設定する。

温度差ΔＴ２は温度差ΔＴ１よりも小さいので、プリディスペンス時間を時間ｔｐ３に決定すれば、温度差ΔＴ２も規定値以下とすることができる。

しかしながら、プリディスペンス処理で吐出される処理液は基板Ｗの処理に寄与しないので、プリディスペンス時間は短い方が好ましい。そこで、２回目以降のプリディスペンス時間を１回目のプリディスペンス時間よりも短く設定してもよい。より具体的な一例として、ロット間のアイドル時間が時間ｔａ２であり、１回目のプリディスペンス時間が時間ｔｐ３に設定された場合について述べる。このとき、温度差ΔＴ２５が規定値以下であれば、制御部３１は２回目以降のプリディスペンス時間を、１回目のプリディスペンス時間の時間ｔｐ３よりも短い時間ｔｐ２に設定してもよい。これにより、処理液の消費を抑えることができる。

同様に、制御部３１は、３回目以降のプリディスペンス時間を２回目のプリディスペンス時間よりも短く設定してもよい。例えば、制御部３１は３回目以降のプリディスペンス時間を予め最小値（例えば時間ｔｐ１）に設定してもよい。

＜基板処理の流れ＞
図６は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。ここでは、ロット単位で順次に基板Ｗを処理する例について述べる。まず、制御部３１は、ロット間のアイドル時間を示すアイドル情報を取得する（ステップＳ１：取得工程）。

次に、制御部３１は、取得したアイドル情報と、記憶部３２に記憶された関係情報に基づいて、プリディスペンス時間を設定する（ステップＳ２：設定工程）。

次に、センターロボットＣＲから基板Ｗが基板処理装置１０に搬入される（ステップＳ３）。次に、必要に応じて、基板処理装置１０は基板Ｗに対して前処理（例えば洗浄処理）を行う（ステップＳ４）。

次に、基板処理装置１０は、設定されたプリディスペンス時間でプリディスペンス処理を行う（ステップＳ５：プリディスペンス工程）。これにより、各基板Ｗに対して適切なプリディスペンス時間でプリディスペンス処理を行うことができる。次に、基板処理装置１０は基板Ｗに対して本処理（ＳＰＭ処理）を行う（ステップＳ６：処理工程）。適切なプリディスペンス時間でプリディスペンス処理が行われているので、本処理の初期から適切な温度で処理液が基板Ｗに供給される。

次に、必要に応じて、基板処理装置１０は基板Ｗに対して後処理（例えばリンス処理および乾燥処理）を行う（ステップＳ７）。次に、センターロボットＣＲは処理済みの基板Ｗを基板処理装置１０から搬出する（ステップＳ８）。

次に、制御部３１は、すべての基板Ｗの処理が終了したか否かを判断する（ステップＳ９）。未だすべての基板Ｗに対する処理が終了していないときには、次の未処理の基板ＷについてステップＳ３が実行される。すべての基板Ｗの処理が終了しているときには、処理を終了する。

以上のように、第１の実施の形態によれば、適切なプリディスペンス時間でプリディスペンス処理を行うことができる。よって、本処理による処理結果の基板Ｗの間のばらつきを低減することができる。

しかも、第１の実施の形態によれば、アイドル情報と関係情報との照合という簡易な処理により、プリディスペンス時間を適切に設定することができる。

また、上述の例では、関係情報には、複数のアイドル時間の各々および複数のプリディスペンス時間の各々に対応した温度差の情報が含まれている。温度差についての規定値は、例えば、基板Ｗの種類または処理液の各成分濃度等によっても変化し得るところ、この規定値が変化したとしても、温度差がその規定値以下となる際のプリディスペンス時間を、アイドル情報および関係情報に基づいて設定することができる。具体的な動作の一例として、制御部３１は、温度差の規定値を示す規定値情報を取得する。制御部３１はこの規定値情報を、例えば、上流側の装置から通知されてもよく、あるいは、入力デバイスから入力されてもよい。制御部３１は、温度差が規定値以下となるように、アイドル情報および関係情報に基づいて、プリディスペンス時間を決定する。

なお、関係情報は、複数のアイドル時間、および、当該アイドル時間に対応したプリディスペンス時間のみを含む表を採用してもよい。具体的な一例として、以下の表３を１回目のプリディスペンス時間についての関係情報として採用してもよい。

表３は、複数のアイドル時間と、温度差ΔＴ１が規定値以下となるプリディスペンス時間との対応関係を示している。例えばアイドル時間が時間ｔａ３であるときには、プリディスペンス時間を時間ｔｐ３に設定することで、温度差ΔＴ１を規定値以下にすることができる。なお、規定値が複数ある場合には、規定値ごとに表３を記憶部３２に記憶してもよい。この場合、制御部３１は複数の表３の一つを規定値情報に基づいて選択し、選択された表３とアイドル情報とに基づいてプリディスペンス時間を設定してもよい。

また、上述の例では、プリディスペンス時間を時間ｔｐ１～ｔｐ３のいずれかに決定しているものの、必ずしもこれに限らない。制御部３１は、各表に対する補間処理（例えば線形補間）を行って、プリディスペンス時間をより細かく設定してもよい。

また、上述の例では、関係情報は、最初の２回のプリディスペンス時間を設定すべく、２つの表（表１および表２）を含んでいる。しかしながら、関係情報に含まれる表の個数は必ずしも２つに限らない。最初のＮ枚の基板Ｗにおける処理液の温度変化を測定し、表１および表２と同様な（Ｎ－１）個の関係情報を記憶部３２に記憶しておいてもよい。この場合、制御部３１は温度差が規定値以下となるように、アイドル情報および関係情報に基づいて、１回目から（Ｎ－１）回目までのプリディスペンス時間を個別に設定してもよい。表３についても同様である。

＜複数の基板処理部＞
過酸化水素水供給源４０ａおよび硫酸供給源４０ｂの各々は複数の基板処理装置１０（処理ユニット１１０）に対して処理液を供給してもよい。図７は、硫酸供給源４０ｂと複数の基板処理装置１０との配管接続の一例を概略的に示す図である。図７に示すように、基板処理システム１００は、各タワーＴＷ（図１参照）において、処理ユニット１１０（基板処理装置１０）ごとに、供給配管１４と供給調整部２０とを含んでいる。供給調整部２０は、タワーＴＷに対応する流体ボックス１２０（図１参照）に収容される。各供給配管１４の一部はチャンバー１１に収容され、各供給配管１４の他の一部は流体ボックス１２０に収容される。

また、硫酸供給源４０ｂは、タンク４１と、循環配管４２と、ポンプ４３と、フィルター４４と、温度調整器４５とを含む。タンク４１とポンプ４３とフィルター４４と温度調整器４５とは、処理液キャビネット１３０（図１参照）に収容される。循環配管４２の一部は処理液キャビネット１３０に収容され、循環配管４２の他の一部は流体ボックス１２０に収容される。

循環配管４２は、タンク４１から下流に延びる上流配管４２ａと、上流配管４２ａから分岐した複数の個別配管４２ｂと、各個別配管４２ｂからタンク４１まで下流に延びる下流配管４２ｃとを含む。

上流配管４２ａの上流端はタンク４１に接続されている。下流配管４２ｃの下流端はタンク４１に接続されている。上流配管４２ａの上流端は循環配管４２の上流端に相当し、下流配管４２ｃの下流端は循環配管４２の下流端に相当する。各個別配管４２ｂは、上流配管４２ａの下流端から下流配管４２ｃの上流端に延びている。

複数の個別配管４２ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。１つのタワーＴＷに含まれる３つの基板処理装置１０に対応する３つの供給配管２２ｂは、１つの個別配管４２ｂに接続されている。

ポンプ４３はタンク４１内の処理液を循環配管４２に送る。フィルター４４は、循環配管４２を流れる処理液から異物を除去する。温度調整器４５は、タンク４１内の処理液の温度を調整する。温度調整器４５は、例えば、処理液を加熱するヒーターである。ポンプ４３および温度調整器４５は制御装置３０によって制御される。

ポンプ４３、フィルター４４および温度調整器４５は、上流配管４２ａに介装されている。タンク４１内の処理液は、ポンプ４３によって上流配管４２ａに送られ、上流配管４２ａから複数の個別配管４２ｂに流れる。個別配管４２ｂ内の処理液は、下流配管４２ｃに流れ、下流配管４２ｃからタンク４１に戻る。タンク４１内の処理液は、所定温度（例えば４０℃）になるように温度調整器４５によって加熱されて上流配管４２ａに送り込まれる。したがって、循環配管４２を循環する処理液の温度は、所定温度に維持される。そして、循環配管４２内で所定温度に維持されている処理液が、供給配管２２ｂに供給される。

このような配管構造において、処理液キャビネット１３０と各流体ボックス１２０との間の距離は互いに相違するので、個別配管４２ｂの長さも互いに相違する。よって、各個別配管４２ｂ内の処理液の温度もばらつき得る。また、各供給配管２２ｂまたは各供給配管１４の長さも相違し得るので、ノズル１３から吐出される処理液の温度は、基板処理装置１０ごとに相違し得る。

そこで、記憶部３２に記憶される関係情報は、基板処理装置１０（処理ユニット１１０）ごとに作成されても構わない。つまり、記憶部３２には、複数の基板処理装置１０に対応した複数の関係情報が記憶されてもよい。このような関係情報は、対応する基板処理装置１０を用いた実験またはシミュレーションによって予め設定され得る。

制御部３１は、基板Ｗをどの基板処理装置１０で処理するのかを示す装置情報を取得する。例えば、制御部３１はこの装置情報を、上流側の装置から通知されてもよく、入力デバイスから入力されてもよい。あるいは、制御部３１は、基板Ｗをどの基板処理装置１０で処理するのかを決定してもよい。制御部３１は、処理対象となる基板処理装置１０に対応する関係情報を記憶部３２から読み出し、当該関係情報を用いて、プリディスペンス時間を設定する。

これによれば、基板処理装置１０に対応した関係情報を適切に用いてプリディスペンス時間を設定することができる。よって、処理結果の基板Ｗの間のばらつきを、基板処理装置１０ごとに、より適切に低減することができる。

＜アイドル時間の他の例＞
上述の例では、制御部３１はロット間のアイドル時間に応じてプリディスペンス時間を設定している。しかしながら、アイドル時間は必ずしもロット間のアイドル時間に限らない。

例えば、アイドル時間の他の具体的な一例として、作業員が基板処理装置１０の動作を停止させることもある。例えば、作業員が規定のスケジュールにしたがって基板処理装置１０の電源を遮断して、基板処理装置１０の動作を中断し、所定時間の経過後に、作業員が再び基板処理装置１０の電源を投入して、基板処理装置１０の動作を再開させることもある。この電源遮断によるアイドル時間も、１ロット内の基板Ｗの処理間で生じるアイドル時間に比べて長い。また、スケジュールは適宜に変更されるので、電源遮断によるアイドル時間も変動する。

そこで、制御部３１は当該アイドル時間を取得し、そのアイドル時間と、記憶部３２の関係情報（例えば表１および表２）に基づいて、プリディスペンス時間を設定してもよい。具体的には、制御部３１は、当該アイドル時間の直後の１ロットにおける各基板についてのプリディスペンス時間を、上述のように設定する。

また、アイドル時間の他の具体的な一例として、基板処理装置１０の異常等により、基板処理装置１０が動作を中断する場合もある。そして、異常が解消すると、基板処理装置１０は動作を再開する。このような異常によるアイドル時間も、ロット内の基板Ｗの処理間で生じるアイドル時間に比べて長い。また、異常が解消できる時間は、その異常の種類または程度によって相違するので、この異常によるアイドル時間も変動する。

制御部３１は当該アイドル時間を取得する。異常によるアイドル時間は予めに決まっていないので、制御部３１はタイマー回路により、当該アイドル時間を測定するとよい。制御部３１は、そのアイドル時間と、記憶部３２の関係情報（例えば表１および表２）に基づいて、プリディスペンス時間を設定してもよい。具体的には、制御部３１は、１ロットのうち残りの各基板（言い換えれば、再開後の各基板）についてのプリディスペンス時間を、上述のように設定する。

＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態にかかる基板処理装置１０は、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１０と同様である。ただし、第２の実施の形態では、処理液中の溶存酸素濃度を調整する。図８は、処理液供給源４０および供給調整部２０の構成の一例を概略的に示す図である。供給調整部２０は、処理液供給源４０からの処理液を基板処理装置１０に供給する。処理液供給源４０は、処理液を循環させる循環系５１と、処理液の溶存酸素濃度を調整する濃度変更部５７とを含む。処理液は、例えば、アルカリ性の薬液を含む。より具体的には、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などの有機アルカリ、または、希釈アンモニア水（ｄＮＨ_４ＯＨ）などのエッチング液を採用できる。

循環系５１は、処理液を貯留するタンク５２と、タンク５２内の処理液を循環させる環状の循環路を形成する循環配管５３とを含む。循環系５１は、さらに、タンク５２内の処理液を循環配管５３に送るポンプ５４と、循環路を流れる処理液からパーティクルなどの異物を除去するフィルター５６とを含む。循環系５１は、これらに加えて、処理液の加熱または冷却によってタンク５２内の処理液の温度を変更する温度調整器５５を含んでいてもよい。

循環配管５３の上流端および下流端は、タンク５２に接続されている。供給配管１４の上流端は、循環配管５３に接続されており、供給配管１４の下流端は、ノズル１３に接続されている。ポンプ５４、温度調整器５５、およびフィルター５６は、循環配管５３に介装されている。温度調整器５５は、室温（例えば２０～３０℃）よりも高い温度で液体を加熱するヒーターであってもよいし、室温よりも低い温度で液体を冷却するクーラーであってもよいし、加熱および冷却の両方の機能を有していてもよい。

ポンプ５４は、常時、タンク５２内の処理液を循環配管５３内に送る。処理液は、タンク５２から循環配管５３の上流端に送られ、循環配管５３の下流端からタンク５２に戻る。これにより、タンク５２内の処理液が循環路を循環する。処理液が循環路を循環している間に、処理液の温度が温度調整器５５によって調整される。これにより、タンク５２内の処理液は、一定の温度に維持される。

供給配管１４には、供給調整部２０のバルブ２５が介装される。バルブ２５は制御装置３０によって制御される。バルブ２５が開くことにより、循環配管５３内を流れる処理液の一部が、供給配管１４を介してノズル１３に供給される。なお、供給調整部２０は、第１の実施の形態と同様に、流量計および流量調整バルブを含んでいてもよい。

濃度変更部５７は、タンク５２内にガスを供給することによりタンク５２内の処理液にガスを溶け込ませるガス供給配管５８を含む。濃度変更部５７は、さらに、不活性ガスをガス供給配管５８に供給する供給配管５９と、供給配管５９からガス供給配管５８に不活性ガスが流れる開状態と不活性ガスが供給配管５９でせき止められる閉状態との間で開閉するバルブ６０と、供給配管５９からガス供給配管５８に供給される不活性ガスの流量を変更する流量調整バルブ６１とを含む。

ガス供給配管５８は、タンク５２内の処理液中に配置されたガス吐出口５８ｐを含むバブリング配管である。バルブ６０が開くことにより、窒素ガスなどの不活性ガスが、流量調整バルブ６１の開度に対応する流量でガス吐出口５８ｐから吐出される。これにより、タンク５２内の処理液中に多数の気泡が形成され、不活性ガスがタンク５２内の処理液に溶け込む。このとき、溶存酸素が処理液から排出され、処理液の溶存酸素濃度が低下する。タンク５２内の処理液の溶存酸素濃度は、ガス吐出口５８ｐから吐出される窒素ガスの流量を変更することにより変更される。バルブ６０および流量調整バルブ６１は制御装置３０によって制御される。

濃度変更部５７は、不活性ガス用の供給配管５９等に加えて、クリーンエアーなどの酸素を含む酸素含有ガスをガス供給配管５８に供給する供給配管６２と、供給配管６２からガス供給配管５８に酸素含有ガスが流れる開状態と酸素含有ガスが供給配管６２でせき止められる閉状態との間で開閉するバルブ６３と、供給配管６２からガス供給配管５８に供給される酸素含有ガスの流量を変更する流量調整バルブ６４とを含んでいてもよい。

バルブ６３が開くことにより、酸素含有ガスの一例である空気が、流量調整バルブ６４の開度に対応する流量でガス吐出口５８ｐから吐出される。これにより、タンク５２内の処理液中に多数の気泡が形成され、空気がタンク５２内の処理液に溶け込む。空気は、その体積の約２１％が酸素であるのに対し、窒素ガスは、酸素を含まないもしくは極微量しか酸素を含まない。したがって、タンク５２内に空気を供給しない場合に比べて、短時間でタンク５２内の処理液の溶存酸素濃度を上昇させることができる。例えば処理液の溶存酸素濃度が設定値よりも低くなりすぎた場合は、タンク５２内の処理液に意図的に空気を溶け込ませてもよい。バルブ６３および流量調整バルブ６４は制御装置３０によって制御される。

濃度変更部５７は、さらに、処理液の溶存酸素濃度を測定する酸素濃度計６５を含んでいてもよい。図８は、酸素濃度計６５が測定配管６６に介装されている例を示している。酸素濃度計６５は、循環配管５３に介装されていてもよい。測定配管６６の上流端は、フィルター５６に接続されており、測定配管６６の下流端は、タンク５２に接続されている。測定配管６６の上流端は、循環配管５３に接続されていてもよい。循環配管５３内の処理液の一部は、測定配管６６に流れ込み、タンク５２に戻る。酸素濃度計６５は、測定配管６６内に流入した処理液の溶存酸素濃度を測定する。流量調整バルブ６１および流量調整バルブ６４の少なくとも一つの開度は、酸素濃度計６５の測定値に応じて変更される。具体的には、酸素濃度計６５は、測定値を示す信号を制御装置３０に出力し、制御装置３０は測定値が目標範囲内となるように、流量調整バルブ６１，６４の少なくともいずれか一方を制御する。

＜溶存酸素濃度と処理レート＞
図９は、基板Ｗの上面に処理液を供給してエッチング対象膜をエッチングしたときの処理レートの分布を示す概念図である。ここでは、処理レートはエッチングレートを示す。図９は、基板Ｗの上面の中心と基板Ｗの上面の周縁に位置する２点とを通る直線上における基板Ｗの上面のエッチングレート（単位時間あたりのエッチング量）の分布を示している。エッチングレートは、エッチング速度に相当する。

図９の例では、２つのグラフＧ４，Ｇ５が示されている。グラフＧ４における処理液の溶存酸素濃度は、グラフＧ５における処理液の溶存酸素濃度よりも高い。図９に示すように、溶存酸素濃度が低いほど、基板Ｗの中央部のエッチングレートと、その他の領域のエッチングレートとの差が大きくなる。

処理液の溶存酸素濃度がばらつくと、基板Ｗのエッチングレートの分布が互いに相違し、所望の分布で基板Ｗをエッチングできない。エッチングレートの分布を示す指標としては、例えば、エッチングレートの最大値と最小値との差（以下、ギャップと呼ぶ）を採用することができる。当該ギャップの基板Ｗの間の差（以下、ギャップ差と呼ぶ）Δｇが大きいことは、エッチングレート分布の基板Ｗの間のばらつきが大きいことを示す。

＜アイドル時間＞
ところで、ノズル１３からの処理液の吐出を停止しているアイドル時間において、処理液は、溶存酸素濃度が調整されるタンク５２を介した循環路を循環しているので、循環路における処理液の溶存酸素濃度は低い値に維持される。

一方で、供給配管１４およびノズル１３内の処理液はアイドル時間において静止する。供給配管１４内で静止中の処理液は空気に触れるので、空気中の酸素が処理液に混入する。これにより、処理液の溶存酸素濃度は時間の経過とともに高まってしまう。よって、アイドル時間が長いほど、処理液の溶存酸素濃度は高くなる。

また、アイドル時間において、濃度変更部５７が動作を停止している場合には、タンク５２および循環配管５３内の処理液の溶存酸素濃度も、アイドル時間の経過とともに高くなる。

＜プリディスペンス処理＞
第２の実施の形態でも、処理液を基板Ｗに供給する本処理の前にプリディスペンス処理が行われる。ロット間のアイドル時間が経過した後のプリディスペンス処理において、ノズル１３から液受け部１６に処理液が吐出されるので、供給配管１４内の溶存酸素濃度の高い処理液が液受け部１６に吐出される。

そして、プリディスペンス処理において、ノズル１３から吐出される処理液の溶存酸素濃度は時間の経過とともに低下する。例えばプリディスペンス時間として、それぞれ、Ｘ秒、２Ｘ秒、４Ｘ秒に設定したときの、プリディスペンス処理の終了時の処理液の溶存酸素濃度は、それぞれ、Ｙｐｐｂ、Ｙ／２ｐｐｂ、Ｙ／４ｐｐｂであった。なお、ここで、Ｘは任意の時間（単位は秒）であり、Ｙは任意の溶存酸素量（単位はｐｐｂ）である。

また、ロット間のアイドル時間が長いほど、静止中の処理液の溶存酸素濃度が高まるので、同じプリディスペンス時間であれば、ロット間のアイドル時間が長いほど、静止中の処理液の溶存酸素濃度は高くなる。

よって、プリディスペンス時間が一定であれば、プリディスペンス処理の終了時における処理液の溶存酸素濃度はロット間のアイドル時間が長いほど高くなる。処理液の吐出時間が長くなるほど、溶存酸素濃度が低下するので、１回目のプリディスペンス処理の終了時の溶存酸素濃度が２回目のプリディスペンス処理の終了時の溶存酸素濃度よりも高くなり得る。したがって、エッチング分布（ギャップ差）の基板Ｗの間のばらつきが大きくなる。

そこで、第２の実施の形態でも、制御部３１は、ロット間のアイドル時間が長いほど、少なくとも１回目のプリディスペンス時間を長く設定する。以下、プリディスペンス時間の設定方法について詳述する。

＜アイドル時間とプリディスペンス時間との関係＞
第２の実施の形態では、ギャップ差Δｇが規定値以下となるように、言い換えれば、基板Ｗに対するエッチング分布のばらつきが規定範囲内となるように、アイドル時間とプリディスペンス時間との関係を示す関係情報を記憶部３２に記憶しておく。表４は、当該関係情報の一例を示す表である。

表４は、アイドル時間およびプリディスペンス時間の各々を順次に異ならせたときの、１枚目の基板Ｗのギャップと、２枚目の基板Ｗのギャップとのギャップ差Δｇを示す表である。表４は例えば実験またはシミュレーションにより得ることができる。表４において、アイドル時間が時間ｔａ１であり、プリディスペンス時間が時間ｔｐ１であるときのギャップ差Δｇはギャップ差Δｇ１１である。

既述のように、ギャップ差Δｇは、アイドル時間が長いほど大きくなるので、Δｇ１１＜Δｇ１４＜Δｇ１７，Δｇ１２＜Δｇ１５＜Δｇ１８，Δｇ１３＜Δｇ１６＜Δｇ１９が成立する。

一方で、プリディスペンス時間が長くなるほど、プリディスペンス処理において、溶存酸素濃度が低下する。よって、ギャップ差Δｇは小さくなる。つまり、Δｇ１１＞Δｇ１２＞Δｇ１３，Δｇ１４＞Δｇ１５＞Δｇ１６，Δｇ１７＞Δｇ１８＞Δｇ１９が成立する。

＜プリディスペンス時間＞
制御部３１は第１の実施の形態と同様に、アイドル情報を取得し、記憶部３２に記憶された関係情報と、当該アイドル情報とに基づいて、プリディスペンス時間を決定する。具体的には、制御部３１は、ギャップ差Δｇが規定値以下となるように、取得したロット間のアイドル時間、および、記憶部３２に記憶された関係情報に基づいて、プリディスペンス時間を設定する。例えば、アイドル時間が時間ｔａ２であり、ギャップ差Δｇ１５が規定値よりも大きく、ギャップ差Δｇ１６が規定値以下であれば、制御部３１はプリディスペンス時間を時間ｔｐ３に設定する。

これにより、基板処理装置１０は、適切なプリディスペンス時間でプリディスペンス処理を行うことができ、本処理の初期から適切な溶存酸素濃度で処理液を基板Ｗに供給することができる。したがって、処理結果の基板Ｗの間のばらつき（ギャップ差Δｇ）を低減することができる。

なお、第２の実施の形態でも、２回目以降のプリディスペンス時間を１回目のプリディスペンス時間よりも短く設定してもよい。また、基板処理装置１０ごとに関係情報を記憶部３２に記憶し、基板Ｗが処理される基板処理装置１０に対応した関係情報を用いてプリディスペンス時間を設定してもよい。

以上のように、基板処理装置および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この基板処理装置および基板処理方法がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

１３ノズル
３２記憶部
Ｓ１取得工程（ステップ）
Ｓ２設定工程（ステップ）
Ｓ３プリディスペンス工程（ステップ）
Ｓ４処理工程（ステップ）

Claims

基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、
ノズルからの処理液の吐出を停止してから吐出を再開するまでのアイドル時間を取得する取得工程と、
前記アイドル時間とプリディスペンス時間との関係を示す関係情報を記憶部から取得し、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいてプリディスペンス時間を設定する設定工程と、
前記設定工程で設定されたプリディスペンス時間で、前記ノズルから前記処理液を液受け部に吐出するプリディスペンス工程と、
前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルから前記基板に前記処理液を吐出する処理工程と
を備え、
前記設定工程において、前記プリディスペンス工程の終了時の前記処理液の温度の基板間の差が規定値以下となるように、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいて前記プリディスペンス時間を設定する、基板処理方法。
基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、
ノズルからの処理液の吐出を停止してから吐出を再開するまでのアイドル時間を取得する取得工程と、
前記アイドル時間とプリディスペンス時間との関係を示す関係情報を記憶部から取得し、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいてプリディスペンス時間を設定する設定工程と、
前記設定工程で設定されたプリディスペンス時間で、前記ノズルから前記処理液を液受け部に吐出するプリディスペンス工程と、
前記プリディスペンス工程の後に、前記ノズルから前記基板に前記処理液を吐出する処理工程と
を備え、
前記設定工程において、前記プリディスペンス工程の終了時の前記処理液の溶存酸素濃度の基板間のばらつきが規定値以下となるように、前記アイドル時間および前記関係情報に基づいて前記プリディスペンス時間を設定する、基板処理方法。
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記設定工程において、２枚目以降の基板についてのプリディスペンス時間を、１枚目の基板についてのプリディスペンス時間よりも短く設定する、基板処理方法。
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記記憶部には、複数の基板処理装置ごとの前記関係情報が記憶されている、基板処理方法。