JP6932597B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
第4の態様に係る基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させる基板回転部と、前記基板回転部により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給するノズルと、前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、前記撮像部の撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出部と、複数の前記基板について前記処理液による処理を行った際の前記検出部の検出結果を基に、装置各部の経年変化を予測する予測部と、を備え、前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む。
第13の態様に係る基板処理方法は、基板を水平に保持して回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給する供給工程と、前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像工程と、前記撮像工程における撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出工程と、複数の前記基板について前記処理液による処理を行った際の前記検出工程による複数の検出結果を基に、装置各部の経年変化を予測する予測工程と、を有し、前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む。
図1は、本発明に係る基板処理装置100の全体構成を示す図である。この基板処理装置100は、半導体用途の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置であり、円形のシリコンの基板Wに薬液および純水を用いた液処理を行ってから乾燥処理を行う。薬液としては、典型的にはSC1液(アンモニア水、過酸化水素水、水の混合液)、SC2液(塩酸、過酸化水素水、水の混合液)、DHF液(希フッ酸)などが用いられる。本明細書では、薬液と純水とを総称して「処理液」とする。なお、洗浄処理のみならず、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、エッチングのための薬液(例えば、フッ酸)なども本発明の「処理液」に含まれる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
9 制御部
30,60,65 上面処理液ノズル
70 撮像部
71 照明部
80 撮像領域
81〜83 対象領域
91 画像取得部
92 検出部
93 報知部
94 記憶部
95 調整部
96 予測部
100 基板処理装置
ST1〜ST6,ST201〜ST206,ST211〜ST216 ステップ
t1〜t3,T1〜T3 時刻
W 基板
Claims (18)
- 基板を水平に保持して回転させる基板回転部と、
前記基板回転部により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給するノズルと、
前記ノズルを前記基板の前記被処理面の上方で揺動させるノズル基台と、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部の撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出部と、
複数の前記基板について前記処理液による処理を行った際の前記検出部の検出結果に基づいて、前記複数の対象領域の前記処理終了時点の差異が低減するように、前記ノズルの揺動幅、前記ノズルの揺動速度、および、前記ノズルからの前記処理液の吐出流量の少なくともいずれか一つを含む基板処理の条件を調整する調整部と、
を備え、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む、基板処理装置。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転部と、
前記基板回転部により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給するノズルと、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部の撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出部と、
を備え、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含み、
前記検出部は、前記輝度値の微分値と閾値との大小関係を比較し、その比較結果を基に前記処理終了時点を検出し、
前記微分値が前記閾値より大きくなった後に前記閾値よりも小さくなった状態又は前記微分値が前記閾値より小さくなった後に前記閾値よりも大きくなった状態で、前記微分値の変動幅が特定の範囲内に収まっている場合に、前記検出部は前記変動幅が前記範囲内に収まった時点を前記処理終了時点として検出する、基板処理装置。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転部と、
前記基板回転部により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給するノズルと、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部の撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出部と、
前記ノズルによる前記処理液の供給を停止した時点で前記検出部が前記複数の対象領域のそれぞれの前記処理終了時点を検出していない場合に、警告を報知する報知部と、
を備え、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む、基板処理装置。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転部と、
前記基板回転部により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給するノズルと、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部の撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出部と、
複数の前記基板について前記処理液による処理を行った際の前記検出部の検出結果を基に、装置各部の経年変化を予測する予測部と、
を備え、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む、基板処理装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記検出部は、前記基板が1回転するのに要する以上の時間幅で平均化された前記複数の対象領域のそれぞれについての平均輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの前記処理終了時点を検出する、基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記撮像部は前記時間幅で複数の撮像画像を取得し、
前記平均輝度値とは、前記複数の撮像画像における前記複数の対象領域のそれぞれについての前記輝度値の平均値である、基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記撮像部は前記時間幅を露光時間として1つの撮像画像を取得し、
前記平均輝度値とは、前記1つの撮像画像における前記複数の対象領域のそれぞれについての前記輝度値である、基板処理装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記検出部が前記複数の対象領域のそれぞれの前記処理終了時点を検出した時点で、前記ノズルによる前記処理液の供給を停止する、基板処理装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記処理液はエッチング液である、基板処理装置。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転工程と、
ノズルを揺動させつつ、前記基板回転工程により回転する前記基板の被処理面に前記ノズルから処理液を供給する供給工程と、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程における撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出工程と、
複数の前記基板について前記処理液による処理を行った際の前記検出工程による複数の検出結果に基づいて、前記複数の対象領域の前記処理終了時点の差異が低減するように、前記ノズルの揺動幅、前記ノズルの揺動速度、および、前記ノズルからの前記処理液の吐出流量の少なくともいずれか一つを含む基板処理の条件を調整する調整工程と、
を有し、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む、基板処理方法。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給する供給工程と、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程における撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出工程と、
を有し、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含み、
前記検出工程では、前記輝度値の微分値と閾値との大小関係を比較し、その比較結果を基に前記処理終了時点を検出し、
前記微分値が前記閾値より大きくなった後に前記閾値よりも小さくなった状態又は前記微分値が前記閾値より小さくなった後に前記閾値よりも大きくなった状態で、前記微分値の変動幅が特定の範囲内に収まっている場合に、前記検出工程では前記変動幅が前記範囲内に収まった時点を前記処理終了時点として検出する、基板処理方法。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給する供給工程と、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程における撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出工程と、
前記供給工程を停止した時点で前記検出工程によって前記複数の対象領域のそれぞれの前記処理終了時点が検出されていない場合に、警告を報知する報知工程と、
を有し、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む、基板処理方法。 - 基板を水平に保持して回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給する供給工程と、
前記基板に前記処理液が供給されたときに前記被処理面の液膜が形成される複数の対象領域を含む撮像領域を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程における撮像結果を参照し、前記複数の対象領域のそれぞれについての輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの処理終了時点を検出する検出工程と、
複数の前記基板について前記処理液による処理を行った際の前記検出工程による複数の検出結果を基に、装置各部の経年変化を予測する予測工程と、
を有し、
前記撮像領域は、前記複数の対象領域として、少なくとも前記被処理面の中央側の領域と外周側の領域とを含む、基板処理方法。 - 請求項10〜13のいずれか1項に記載の基板処理方法であって、
前記検出工程では、前記基板が1回転するのに要する以上の時間幅で平均化された前記複数の対象領域のそれぞれについての平均輝度値の変化を基に、前記複数の対象領域のそれぞれの前記処理終了時点を検出する、基板処理方法。 - 請求項14に記載の基板処理方法であって、
前記撮像工程では前記時間幅で複数の撮像画像を取得し、
前記平均輝度値とは、前記複数の撮像画像における前記複数の対象領域のそれぞれについての前記輝度値の平均値である、基板処理方法。 - 請求項14に記載の基板処理方法であって、
前記撮像工程では前記時間幅を露光時間として1つの撮像画像を取得し、
前記平均輝度値とは、前記1つの撮像画像における前記複数の対象領域のそれぞれについての前記輝度値である、基板処理方法。 - 請求項10〜16のいずれか1項に記載の基板処理方法であって、
前記検出工程で前記複数の対象領域のそれぞれの前記処理終了時点を検出した時点で、前記供給工程を停止する、基板処理方法。 - 請求項10〜17のいずれか1項に記載の基板処理方法であって、
前記処理液はエッチング液である、基板処理方法。
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