CN112490167A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112490167A
CN112490167A CN202010805951.1A CN202010805951A CN112490167A CN 112490167 A CN112490167 A CN 112490167A CN 202010805951 A CN202010805951 A CN 202010805951A CN 112490167 A CN112490167 A CN 112490167A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
substrate
image data
region
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010805951.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112490167B (zh
Inventor
角间央章
沖田有史
犹原英司
增井达哉
出羽裕一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN112490167A publication Critical patent/CN112490167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112490167B publication Critical patent/CN112490167B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明提供一种提高对移动的喷嘴的位置检测精度的基板处理装置。基板处理装置具有用于拍摄喷嘴并输出喷嘴的图像数据的拍摄部，用于根据图像数据检测喷嘴的位置的位置检测部。位置检测部在停止区域中，通过使用基准图像数据对图像数据进行匹配处理，从而检测喷嘴的位置，在移动区域中，将在停止区域检测到的喷嘴的位置作为基准，通过在连续的图像数据之间进行循轨处理来检测喷嘴的位置。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本申请说明书所公开的技术涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在半导体设备等的制造工序中，通过向基板供给纯水、光刻胶液或蚀刻液等处理液，从而执行清洗处理或抗蚀剂涂敷处理等基板处理。
作为执行使用这些处理液的液处理的装置，会使用使基板旋转并从喷嘴向该基板的上表面喷出处理液的基板处理装置。
例如，专利文献1公开了一种检测技术，该技术检测是否从配置于处理位置的喷嘴喷出处理液或者喷嘴是否正常地配置于处理位置等。
专利文献1：日本特开2015-173148号公报
但是，现有技术难以检测移动的喷嘴的位置。这是因为，在现有技术中，将拍摄到的喷嘴的图像与喷嘴的基准图像进行匹配处理，但是，在喷嘴移动的情况下，喷嘴的形状和大小因位置而不同，导致上述匹配处理的精度下降。
发明内容
鉴于上述记载的问题而提出本申请说明书所公开的技术，其目的在于提供一种提高移动的喷嘴的位置检测精度的技术。
本申请说明书所公开的技术的第一方式具有：喷嘴，能够摆动并用于向基板喷出处理液；拍摄部，用于拍摄所述喷嘴并输出所述喷嘴的图像数据；位置检测部，用于根据所述图像数据检测所述喷嘴的位置，所述喷嘴的可摆动范围分别包括至少一个所述喷嘴停止的停止区域和至少一个所述喷嘴移动的移动区域。在所述停止区域中，所述位置检测部通过使用基准图像数据对所述图像数据进行匹配处理，从而检测所述喷嘴的位置；在所述移动区域中，所述位置检测部将在所述停止区域检测到的所述喷嘴的位置作为基准，通过在连续的所述图像数据之间进行循轨处理来检测所述喷嘴的位置。
本申请说明书所公开的技术的第二方式与第一方式相关联，其中，所述喷嘴的可摆动范围包括多个所述停止区域，根据各个所述停止区域设定所述基准图像数据。
本申请说明书所公开的技术的第三方式与第一或第二方式相关联，其中，所述位置检测部设定靶区域和判定区域，所述靶区域与所述喷嘴的位置相对应，所述判定区域位于所述靶区域的正下方，并且用于判定从所述喷嘴喷出的所述处理液是否喷出，与所述匹配处理和所述循轨处理联动地变更所述靶区域的大小和所述判定区域的大小。
本申请说明书所公开的技术的第四方式与第一至第三方式中的任一种方式相关联，其中，还具有：位置偏离检测部，通过比较由所述位置检测部检测到的所述喷嘴的位置与预先测量的所述喷嘴的基准位置，从而检测所述喷嘴的位置偏离。
本申请说明书所公开的技术的第五方式包括：拍摄能够摆动且用于向基板喷出处理液的喷嘴，并且，输出所述喷嘴的图像数据的工序；根据所述图像数据，检测所述喷嘴的位置的工序，所述喷嘴的可摆动范围分别包括至少一个所述喷嘴停止的停止区域和至少一个所述喷嘴移动的移动区域，检测所述喷嘴的位置的工序包括：在所述停止区域，使用基准图像数据对所述图像数据进行匹配处理，从而，检测所述喷嘴的位置的工序；在所述移动区域中，将在所述停止区域中检测到的所述喷嘴的位置作为基准，通过在连续的所述图像数据之间进行循轨处理来检测所述喷嘴的位置的工序。
根据本申请说明书所公开的技术的第一至第五方式，通过在停止区域进行匹配处理来检测处于停止中的喷嘴的位置，在移动区域，将检测到的喷嘴的位置作为基准进行循轨处理，从而能够检测正在移动的喷嘴的位置。
另外，通过下述所示详细说明及附图，本申请说明书所公开的技术的相关目的、特征、方式、优点将进一步清晰。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的例子的图。
图2是实施方式所涉及的清洗处理单元的俯视图。
图3是实施方式所涉及的清洗处理单元的剖视图。
图4是表示摄像头和喷嘴的位置关系的图。
图5是控制部的功能框图。
图6是示意地例示实际操作图5中例示的控制部时的硬件结构的图。
图7是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作的流程图。
图8是表示喷嘴的可摆动范围的例子的图。
图9是表示喷嘴的位置检测动作的流程图。
图10是用于说明模板匹配的图。
图11是表示与匹配窗对应的基准图像数据的例子的图。
图12是表示与匹配窗对应的基准图像数据的其他例子的图。
图13是用多个图案表示喷嘴移动时的位置偏离的例子的图。
图14是表示用于喷出判定的判定区域的例子的图。
图15是表示判定区域中的图像的例子的图。
图16是表示判定区域中的图像的例子的图。
如下，对附图标记进行说明：
1 清洗处理单元
9 控制部
10 腔室
11 侧壁
12 顶壁
13 底壁
14 FFU
15 隔板
18 排气通道
20 旋转卡盘
21 旋转台
21a 保持面
22 旋转电机
23 罩构件
24 旋转轴
25 凸缘构件
26 卡盘销
28 下表面处理液喷嘴
30、60、65 喷嘴
31 喷出头
32、62、67 喷嘴臂
33、63、68 喷嘴基台
40 处理杯
41 内杯
42 中杯
43 外杯
43a、52a 下端部
43b、47b、52b 上端部
43c、52c 折返部
44 底部
45 内壁部
46 外壁部
47 第一引导部
48 中壁部
49 废弃槽
50 内侧回收槽
51 外侧回收槽
52 第二引导部
53 处理液分离壁
70 摄像头
71 照明部
90 位置检测部
91 位置偏离检测部
92 命令发送部
94 喷出判定部
95 显示部
96 输入部
100 基板处理装置
102 分度器
103 主搬运机械手
201A、202A、302ROI
201、202 匹配窗
301 判定区域
332 电机
400 处理液
1102A、1102B 处理电路
1103 存储装置
具体实施方式
下面，参考附图说明实施方式。在下述实施方式中，为了说明技术列出了详细特征等，但是这些是示例而并不一定是用于实施实施方式的必要特征。
此外，附图是示意性的展示，为了便于说明，会在附图中适当地省略结构或简化结构。另外，不同的附图分别展示的结构等的大小和位置的相互关系未必是正确记载，可以适当变更。另外，在非剖视图的俯视图等附图中，为了容易理解实施方式的内容，有时会附上阴影。
另外，在下述说明中，对同样的结构部件赋予相同的标记进行图示，将其名称和功能也设置为相同。因此，为避免重复，会省略对其的详细说明。
另外，在下述说明中，如果记载了“具有”、“包括”或“有”某结构部件等，若无特别提示，其并不是排除其他结构部件的存在的排他性表达。
另外，在下述说明中，即便使用了“第一”或“第二”等序数词，这些术语也并非用于限定由这些序数词产生的顺序等，而是为了容易理解实施方式的内容才使用的。
另外，在下述说明中，即便使用了“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或者“背”等表示特定位置或方向的术语，这些术语也与实际实施时的位置或方向无关，而是为了容易理解实施方式的内容才使用的。
＜实施方式＞
下面，对本实施方式所涉及的基板处理装置及基板处理方法进行说明。
＜关于基板处理装置的结构＞
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理装置100的整体结构的例子的图。如图1所示例的那样，基板处理装置100是一种对处理对象即基板W进行逐张处理的单张式处理装置。此外，成为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置用基板、有机EL(场致发光：electroluminescence)显示装置等平板显示器(FPD：flat panel display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板或太阳能电池用基板等。
本实施方式所涉及的基板处理装置100在使用药液及纯水等冲洗液对圆形薄板状的硅基板即基板W进行清洗处理后进行干燥处理。
作为上述药液，例如可以使用氨与过氧化氢的混合液(SC1)、盐酸与过氧化氢的混合水溶液(SC2)或者DHF液(稀氢氟酸)等。
在下述说明中，将药液与冲洗液统称为“处理液”。此外，“处理液”不仅包括用于清洗处理的处理液，还包括用于成膜处理的光刻胶液等涂敷液、用于去除无用膜的药液或用于蚀刻的药液等。
基板处理装置100具有多个清洗处理单元1、分度器102、主搬运机械手103。
分度器102向装置内搬运从装置外接收的处理对象即基板W，并向装置外搬出完成基板处理(包括处理杯的升降、清洗处理和干燥处理)的已处理基板W。分度器102配置有多个载置部件(省略图示)并具有转送机械手(省略图示)。
作为载置部件，可以采用将基板W收纳于密闭空间的正面开口标准箱(FOUP：frontopening unified pod)、标准机械对接(SMIF：Standard Mechanical Inter Face)盒、或者将基板W暴露于空气中的开放式晶圆匣(OC：open cassette)。另外，转送机械手在载置部件与主搬运机械手103之间转送基板W。
清洗处理单元1对一张基板W进行液处理和干燥处理。本实施方式所涉及的基板处理装置100上设置有十二个清洗处理单元1。
具体而言，以包围主搬运机械手103的周围的方式设置四个塔部，所述四个塔部分别包括层叠在铅垂方向上的三个清洗处理单元1。
图1示意地示出了三层重叠的清洗处理单元1的一层。此外，基板处理装置100中的清洗处理单元1的数量并不限于十二个，可以适当变更。
主搬运机械手103设置在层叠有清洗处理单元1的四个塔部的中央。主搬运机械手103将从分度器102接收的处理对象基板W搬入各个清洗处理单元1。另外，主搬运机械手103从各个清洗处理单元1搬出处理完成的基板W交给分度器102。
下面，对装载于基板处理装置100的十二个清洗处理单元1中的一个进行说明，其他的清洗处理单元1除喷嘴的配置关系不同外，具有相同的结构。
图2是本实施方式所涉及的清洗处理单元1的俯视图。另外，图3是本实施方式所涉及的清洗处理单元1的剖视图。
图2表示旋转卡盘20未保持有基板W的状态，图3表示旋转卡盘20保持有基板W状态。
在腔室10内，清洗处理单元1具有将基板W保持为水平姿势(即，基板W的上表面的法线沿铅垂方向的姿势)的旋转卡盘20、用于向旋转卡盘20所保持的基板W的上表面供给处理液的三个喷嘴即喷嘴30、喷嘴60及喷嘴65、包围旋转卡盘20的周围的处理杯40、拍摄旋转卡盘20的上方空间的摄像头70。
另外，在腔室10内的处理杯40的周围，设置有上下分隔腔室10的内侧空间的隔板15。
腔室10具有沿铅垂方向包围四周的侧壁11、封闭侧壁11的上侧的顶壁12、封闭侧壁11的下侧的底壁13。由侧壁11、顶壁12和底壁13包围的空间成为基板W的处理空间。
另外，在腔室10的侧壁11的一部分上设置有搬入搬出口和闸板(均省略图示)，所述搬入搬出口用于主搬运机械手103相对于腔室10搬入搬出基板W，所述闸板开闭该搬入搬出口。
腔室10的顶壁12上安装有风机过滤机组(FFU)14，所述风机过滤机组14用于进一步净化设置有基板处理装置100的无尘室内的空气，并将其供给至腔室10内的处理空间。FFU14具有将无尘室内的空气纳入并向腔室10内送出的风机和过滤器(例如，highefficiency particulate air filter(HEPA)过滤器)。
FFU14在腔室10内的处理空间形成净化空气的下行气流。为了平均分散由FFU14供给的净化空气，可以将开设有多个出风孔的冲压板设置在顶壁12的正下方。
旋转卡盘20具有旋转台21、旋转电机22、罩构件23和旋转轴24。旋转台21呈圆板状，以水平姿势固定在沿铅垂方向延伸的旋转轴24的上端。旋转电机22设置在旋转台21的下方，使旋转轴24旋转。旋转电机22通过旋转轴24使旋转台21在水平面内旋转。罩构件23呈包围旋转电机22和旋转轴24的周围的筒状。
圆板状旋转台21的外径比旋转卡盘20所保持的圆形基板W的外径大一些。由此，旋转台21具有与应保持的基板W的整个下表面相对的保持面21a。
在旋转台21的保持面21a的周边部设置有多个(在本实施方式中为四个)卡盘销26。沿着与圆形基板W的外周圆的外径对应的圆周等间隔地配置多个卡盘销26。在本实施方式中，四个卡盘销26以90°间隔设置。
通过容置于旋转台21内的省略图示的连杆机构联动驱动多个卡盘销26。旋转卡盘20使多个卡盘销26分别与基板W的外周端相抵接来把持基板W，从而在该旋转台21的上方以接近保持面21a的水平姿势保持基板W(参见图3)。另外，旋转卡盘20使多个卡盘销26均与基板W的外周端分离，从而解除对基板W的把持。此外，保持基板W的方法并不限于本实施方式所示的使用卡盘销的方法，例如可以是真空吸附基板W的真空卡盘、或喷出气体利用伯努利原理吸引基板W的伯努利盘等。
覆盖旋转电机22的罩构件23的下端固定在腔室10的底壁13上，上端到达旋转台21的正下方。在罩构件23的上端部设置有凸缘构件25，所述凸缘构件25从罩构件23向外侧大致水平地凸出，进而向下方弯曲延伸。
在旋转卡盘20通过多个卡盘销26的把持保持基板W的状态下，旋转电机22使旋转轴24旋转，从而能够使基板W围绕旋转轴线CX旋转，所述旋转轴线CX是沿着通过基板W中心的铅垂方向的轴线。此外，旋转电机22的驱动由控制部9控制。
喷嘴30构成为在喷嘴臂32的前端安装有喷出头31。喷嘴臂32的基端侧与喷嘴基台33固定连接。通过设置在喷嘴基台33上的电机332(喷嘴移动部)，喷嘴基台33能够围绕沿铅垂方向的轴转动。
如图2中的箭头AR34所示，通过喷嘴基台33的转动，喷嘴30在旋转卡盘20上方的位置与比处理杯40更靠近外侧的待机位置之间沿水平方向圆弧状移动。通过喷嘴基台33的转动，喷嘴30在旋转台21的保持面21a的上方摆动。详细地说，喷嘴30在旋转台21的上方，在沿水平方向延伸的既定的处理区间PS1中移动(后述)。此外，使喷嘴30在处理区间PS1内移动等同于使前端的喷出头31在处理区间PS1内移动。
向喷嘴30供给多种处理液(至少包括纯水)，能够从喷出头31喷出多种处理液。此外，可以在喷嘴30的前端设置多个喷出头31，从所述多个喷出头31分别喷出相同或不同的处理液。喷嘴30(详细地说，喷出头31)在水平方向上圆弧状延伸的处理区间PS1中移动并喷出处理液。从喷嘴30喷出的处理液着落在旋转卡盘20所保持的基板W的上表面。
在本实施方式的清洗处理单元1中，不仅设置有述喷嘴30，还设置有两个喷嘴即喷嘴60和喷嘴65。本实施方式的喷嘴60和喷嘴65具有与上述喷嘴30相同的结构。
即，喷嘴60构成为在喷嘴臂62的前端安装有喷出头，如箭头AR64所示，通过与喷嘴臂62的基端侧相连接的喷嘴基台63，喷嘴60在旋转卡盘20的上方的处理位置与比处理杯40更靠近外侧的待机位置之间圆弧状移动。
同样地，喷嘴65构成为在喷嘴臂67的前端安装有喷出头，如箭头AR69所示，通过与喷嘴臂67的基端侧相连接的喷嘴基台68，喷嘴65在旋转卡盘20的上方的处理位置与比处理杯40更靠近外侧的待机位置之间圆弧状移动。
也向喷嘴60和喷嘴65供给至少包括纯水的多种处理液，在处理位置，向由旋转卡盘20保持的基板W的上表面喷出处理液。此外，喷嘴60和喷嘴65的至少一方可以是双流体喷嘴，该双流体喷嘴是指将纯水等清洗液与加压后的气体混合来生成液滴并向基板W喷射该液滴与气体的混合流体的喷嘴。另外，设置在清洗处理单元1的喷嘴的个数并不限于三个，是一个以上即可。
不必使喷嘴30、喷嘴60和喷嘴65均圆弧状移动。例如，可以通过设置直线驱动部来使喷嘴直线移动，也可以使喷嘴周向旋转。
以插通旋转轴24内侧的方式沿铅垂方向设置下表面处理液喷嘴28。下表面处理液喷嘴28的上端开口形成在与旋转卡盘20所保持的基板W的下表面中央相对的位置。也向下表面处理液喷嘴28供给多种处理液。从下表面处理液喷嘴28喷出的处理液着落在旋转卡盘20所保持的基板W的下表面。
包围旋转卡盘20的处理杯40具有能够相互独立升降的内杯41、中杯42和外杯43。内杯41包围旋转卡盘20的周围，呈相对于通过由旋转卡盘20所保持的基板W的中心的旋转轴线CX大致旋转对称的形状。该内杯41一体地具有下述构件：底部44，俯视时呈圆环状；圆筒状的内壁部45，从底部44的内周缘向上立起；圆筒状的外壁部46，从底部44的外周缘向上立起；第一引导部47，从内壁部45与外壁部46之间立起，上端部勾勒出流畅的圆弧状并向中心侧(接近旋转卡盘20所保持的基板W的旋转轴线CX的方向)斜上方延伸；圆筒状的中壁部48，从第一引导部47与外壁部46之间向上立起。
内壁部45形成这样的长度，即，在内杯41上升至最高的状态下，在罩构件23和凸缘构件25之间保持适当的间隙并容置于二者之间。中壁部48形成这样的长度，即，在内杯41与中杯42最接近的状态下，在中杯42的后述第二引导部52和处理液分离壁53之间保持适当的间隙并容置于二者之间。
第一引导部47具有勾勒出流畅的圆弧状并向中心侧(接近基板W的旋转轴线CX的方向)斜上方延伸的上端部47b。另外，将内壁部45与第一引导部47之间设置为用于收集并废弃已使用的处理液的废弃槽49。将第一引导部47与中壁部48之间设置为用于收集并回收已使用的处理液的圆环状的内侧回收槽50。并且，将中壁部48与外壁部46之间设置为用于收集并回收与内侧回收槽50种类不同的处理液的圆环状的外侧回收槽51。
废弃槽49上连接有省略图示的排气排液机构，所述排气排液机构用于排出收集于该废弃槽49的处理液并对废弃槽49内强制性地排气。排气排液机构例如沿废弃槽49的周向等间隔地设置为四个。另外，内侧回收槽50和外侧回收槽51上连接有回收机构(均省略图示)，所述回收机构用于将分别收集于内侧回收槽50和外侧回收槽51的处理液回收至设置于基板处理装置100外部的回收箱。
此外，内侧回收槽50和外侧回收槽51的底部相对于水平方向仅倾斜微小角度，在其最低位置连接回收机构。由此，能够顺利回收流入内侧回收槽50和外侧回收槽51的处理液。
中杯42包围旋转卡盘20的周围，呈相对于通过由旋转卡盘20所保持的基板W的中心的旋转轴线CX大致旋转对称的形状。该中杯42具有第二引导部52、与该第二引导部52相连接的圆筒状的处理液分离壁53。
第二引导部52位于内杯41的第一引导部47的外侧，具有：圆筒状下端部52a，与第一引导部47的下端部同轴；上端部52b，从下端部52a的上端勾勒出流畅的圆弧状并向中心侧(接近基板W的旋转轴线CX的方向)斜上方延伸；折返部52c，使上端部52b的前端部向下方折返而形成。在内杯41与中杯42最接近的状态下，下端部52a在第一引导部47与中壁部48之间保持适当的间隙并容置于内侧回收槽50内。另外，上端部52b设置为与内杯41的第一引导部47的上端部47b在上下方向上重叠，并在内杯41与中杯42最接近的状态下，相对于第一引导部47的上端部47b保持极微小的间隔地接近。在内杯41与中杯42最接近的状态下，折返部52c与第一引导部47的上端部47b的前端在水平方向重叠。
第二引导部52的上端部52b形成为越靠近下方壁厚越厚。处理液分离壁53呈从上端部52b的下端外周边部向下方延伸的圆筒状。在内杯41与中杯42最接近的状态下，处理液分离壁53在中壁部48和外杯43之间保持适当的间隙并容置于外侧回收槽51内。
外杯43呈相对于通过由旋转卡盘20所保持的基板W的中心的旋转轴线CX大致旋转对称的形状。外杯43在中杯42的第二引导部52的外侧包围旋转卡盘20。该外杯43起到第三引导部的作用。外杯43具有：圆筒状的下端部43a，与第二引导部52的下端部52a同轴；上端部43b，从下端部43a的上端勾勒出流畅的圆弧状并向中心侧(接近基板W的旋转轴线CX的方向)斜上方延伸；折返部43c，使上端部43b的前端部向下折返而形成。
在内杯41与外杯43最接近的状态下，下端部43a在中杯42的处理液分离壁53和内杯41的外壁部46之间保持适当的间隙并容置于外侧回收槽51内。上端部43b设置为与中杯42的第二引导部52在上下方向上重叠，且在中杯42与外杯43最接近的状态下，相对于第二引导部52的上端部52b保持极微小的间隔地接近。在中杯42与外杯43最接近的状态下，折返部43c与第二引导部52的折返部52c在水平方向上重叠。
内杯41、中杯42和外杯43能够相互独立地升降。即：内杯41、中杯42和外杯43各自分别设置有升降机构(省略图示)，并由此能够分别独立地升降。作为这样的升降机构，例如能够采用滚珠丝杠机构或气缸等公知的各种机构。
隔板15被设置为在处理杯40的周围对腔室10的内侧空间进行上下分隔。隔板15可以是包围处理杯40的一张板状构件，也可以是将多张板状构件拼接在一起的构件。另外，可以在隔板15上形成贯通厚度方向的贯通孔或切口，在本实施方式中，隔板15上形成有用于通过支撑轴的贯通孔，所述支撑轴用于支撑喷嘴30、喷嘴60和喷嘴65的喷嘴基台33、喷嘴基台63和喷嘴基台68。
隔板15的外周端与腔室10的侧壁11相连结。另外，隔板15的包围处理杯40的外缘部形成为具有比外杯43的外径更大的外径的圆形形状。由此，隔板15不会妨碍外杯43的升降。
另外，在作为腔室10的侧壁11的一部分且底壁13附近的位置上，设置有排气通道18。排气通道18与省略图示的排气机构连通连接。从FFU14供给的在腔室10内向下流动的净化空气中，在处理杯40和隔板15之间通过的空气从排气通道18排出至装置外。
图4是表示摄像头70和喷嘴30的位置关系的图。摄像头70设置在腔室10内且比隔板15(参见图3)更靠近上方的位置。另外，摄像头70例如具有作为一种固体拍摄元件的CCD(电荷耦合器件：Charge Coupled Device)、电子快门、透镜等光学***。
喷嘴30通过喷嘴基台33的驱动，在旋转卡盘20所保持的基板W的上方的处理区间PS1(图4的虚线位置)与比处理杯40更靠近外侧的待机位置(图4的实线位置)之间往复移动。
处理区间PS1是从喷嘴30向旋转卡盘20所保持的基板W的上表面喷出处理液并进行清洗处理的区间。在此，处理区间PS1是在第一端TE1和第二端TE2之间水平方向延伸的区间，所述第一端TE1位于旋转卡盘20所保持的基板W的一侧的边缘部附近，所述第二端TE2位于相反侧的边缘部附近。
待机位置是在喷嘴30不进行清洗处理时停止喷出处理液并待机的位置。在待机位置可以设置容置喷嘴30的喷出头31(参见图3)的待机舱。
摄像头70设置为其拍摄视野包括喷嘴30的前端，也就是说摄像头70设置在将喷出头31(参见图3)附近包括在内的位置上。
在本实施方式中，摄像头70能够拍摄包括喷嘴30的前端的拍摄区域。同样地，摄像头70能够拍摄包括喷嘴60和喷嘴65的前端的拍摄区域。
此外，当摄像头70设置在图2及图4所示的位置上时，关于喷嘴30及喷嘴60，因为是在摄像头70的拍摄视野内横向移动，所以，能够恰当地拍摄在各处理区间附近的运动，但是，关于喷嘴65，因为是在摄像头70的拍摄视野内沿进深方向移动，所以，可能无法恰当地拍摄在处理区间附近的移动量。在该情况下，可以在摄像头70之外设置拍摄喷嘴65的摄像头。
如图3所示，在腔室10内且在比隔板15更靠近上方的位置上设置有照明部71。若腔室10内为暗室，则控制部9可以控制照明部71以在摄像头70进行拍摄时照明部7照射出光。
图5是控制部9的功能框图。作为设置在基板处理装置100上的控制部9的硬件的结构与常规计算机相同。即，如后述那样，控制部9构成为具有CPU和存储部，所处CPU执行各种计算处理，所述存储部包括存储基础程序的读取专用存储器即只读存储器(ROM：read onlymemory)、存储各种信息的自由读取存储器即随机存储器(RAM：random access memory)及存储有控制用软件或数据等的磁盘等。控制部9的CPU执行规定的处理程序，从而，控制部9控制基板处理装置100的各个动作机构，执行基板处理装置100的处理。
图5所示位置检测部90、位置偏离检测部91、喷出判定部94和命令发送部92是通过控制部9的CPU执行规定的处理程序从而在控制部9内实现的功能处理部。
位置检测部90根据由摄像头70输入的图像数据来检测喷嘴30的位置。
位置偏离检测部91比较位置检测部90检测到的喷嘴30的位置与预先测量的喷嘴30的基准位置，从而检测喷嘴30的位置偏离。
喷出判定部94通过后述的判定区域中的图像解析来判定是否从喷嘴30吐出了处理液。
命令发送部92根据记述了用于处理基板W的各种条件的规程来输出命令(控制信息)，从而操作清洗处理单元1的各个部件。具体而言，命令发送部92向喷嘴30、喷嘴60和喷嘴65输出命令，操作内置于喷嘴基台33、喷嘴基台63和喷嘴基台68的驱动源(电机)。例如，若命令发送部92向喷嘴30发送向处理区间PS1的第一端TE1移动的命令，则喷嘴30从待机位置向第一端TE1移动。进而，若命令发送部92向喷嘴30发送向处理区间PS1的第二端TE2移动的命令，则喷嘴30从第一端TE1向第二端TE2移动。也可以根据命令发送部92的命令发送来执行处理液从喷嘴30的喷出。
另外，控制部9上连接有显示部95、输入部96和多个清洗处理单元1。显示部95根据来自控制部9的图像信号显示各种信息。输入部96由与控制部9连接的键盘及鼠标等输入设备构成，接受操作者对控制部9执行的输入操作。多个清洗处理单元1根据命令发送部92所发送的各种命令(控制信息)，操作各个清洗处理单元1中的各个部件。
图6是示意地例示实际操作图5所例示的控制部9时的硬件结构的图。
在图6中，作为用于实现图5中的位置检测部90、位置偏离检测部91和命令发送部92的硬件结构，示出了进行计算的处理电路1102A和能够存储信息的存储装置1103。
处理电路1102A例如是CPU等。存储装置1103例如是硬盘驱动器(HDD：Hard diskdrive)、RAM、ROM、闪存等存储器(存储介质)。
＜关于基板处理装置的动作＞
基板处理装置100中基板W的常规处理依次包括主搬运机械手103将从分度器102接收到的处理对象基板W搬入各个清洗处理单元1的工序、该清洗处理单元1对基板W执行基板处理的工序、以及主搬运机械手103从该清洗处理单元1搬出已处理的基板W并返还至分度器102的工序。
接着，参考图7对各个清洗处理单元1中典型的基板W的基板处理中的清洗处理和干燥处理的顺序进行说明。此外，图7是表示本实施方式所涉及的基板处理装置100的动作的流程图。
首先，向基板W的表面供给药液并执行规定的药液处理(步骤ST01)。随后，供给纯水进行纯水冲洗处理(步骤ST02)。
进而，通过使基板W高速旋转来甩掉纯水，由此干燥基板W(步骤ST03)。
当清洗处理单元1执行基板处理时，旋转卡盘20保持基板W，处理杯40执行升降动作。
当清洗处理单元1进行药液处理时，例如仅外杯43上升，在外杯43的上端部43b与中杯42的第二引导部52的上端部52b之间，形成包围由旋转卡盘20所保持的基板W的周围的开口。在该状态下，基板W与旋转卡盘20一起旋转，从喷嘴30和下表面处理液喷嘴28向基板W的上表面和下表面供给药液。所供给的药液通过基板W旋转所产生的离心力沿基板W的上表面和下表面流动，很快从基板W的外缘部向侧方飞溅。由此，进行基板W的药液处理。从旋转的基板W的外缘部飞溅的药液被杯43的上端部43b阻挡而沿外杯43的内表面流下，被回收至外侧回收槽51。
当清洗处理单元1执行纯水冲洗处理时，例如，内杯41、中杯42和外杯43全部上升，旋转卡盘20所保持的基板W的周围被内杯41的第一引导部47包围。在该状态下，基板W与旋转卡盘20一同旋转，从喷嘴30和下表面处理液喷嘴28向基板W的上表面和下表面供给纯水。所供给的纯水通过基板W旋转所产生的离心力沿基板W的上表面和下表面流动，很快从基板W的外缘部向侧方飞溅。由此，进行基板W的纯水冲洗处理。从旋转的基板W的外缘部飞溅的纯水沿着第一引导部47的内壁流下，并从废弃槽49排出。此外，如果以与药液不同的路径回收纯水，则可以使中杯42和外杯43上升，在中杯42的第二引导部52的上端部52b与内杯41的第一引导部47的上端部47b之间形成包围由旋转卡盘20所保持的基板W的周围的开口。
当清洗处理单元1执行甩掉干燥处理时，内杯41、中杯42和外杯43全部下降，内杯41的第一引导部47的上端部47b、中杯42的第二引导部52的上端部52b和外杯43的上端部43b均位于比旋转卡盘20所保持的基板W更靠近下方的位置。在该状态下，基板W与旋转卡盘20一起高速旋转，通过离心力甩掉附着于基板W的水滴，执行干燥处理。
＜关于位置检测＞
下面，参考图8、图9和图10对本实施方式所涉及的基板处理装置所执行的喷嘴的位置检测进行说明。本实施方式的喷嘴30能够如图4等所示例的那样移动，所以，以下，需要对移动喷嘴30进行位置检测。
图8是表示喷嘴30的可摆动范围的例子的图。此外，图8中的喷嘴30的可摆动范围不包括图4中的待机位置。另外，虽然图8是表示将摄像头70所拍摄到的喷嘴30的前端包括在内的拍摄区域的例子的图，但是，关于喷嘴60和喷嘴65，同样能够设定喷嘴的可摆动范围。
图8中的喷嘴30在处理杯40的上方配置有喷嘴臂32，安装于喷嘴臂32的前端的喷出头31朝向俯视时被处理杯40包围的基板W的上表面。
在这样的情况下，将喷嘴30通过在喷嘴基台33的驱动下引起的喷嘴臂32的转动从而能够摆动的范围设定为摆动范围。
此外，摆动范围主要设定为与基板W的上表面大致平行的方向上的范围，也可以设定为与基板W的上表面垂直的方向上的范围。
喷嘴30的摆动范围包括喷嘴30大致停止的区域即停止区域和喷嘴30移动的区域即移动区域。
图8中的停止区域是包括第一端TE1或第二端TE2的区域，是喷嘴30的移动速度低于移动区域中的喷嘴30的移动速度的区域。即，停止区域中的喷嘴30的移动速度可以是表示完全停止的状态的0，也可以是远小于移动区域中的移动速度的速度。
图8所示的例子中，停止区域分别表示为由第一端TE1及其附近(包括处理区间PS1的一部分)组成的匹配窗201、由第二端TE2及其附近(包括处理区间PS1的一部分)组成的匹配窗202。另外，图8所示的例子中，移动区域被表示为夹在匹配窗201和匹配窗202中间的区域。此外，停止区域并不限于设定为多个，例如，在喷嘴30绕周移动的情况下，停止区域可至少设定一个。另外，移动区域可以设定为多个。
在匹配窗201中，设定感兴趣区域(ROI：region of interest)201A，该感兴趣区域201A用于使用基准图像数据的匹配处理(模板匹配)。同样地，在匹配窗202，设定用于模板匹配的ROI202A。
下面，参考图9和图10，对本实施方式所涉及的基板处理装置所执行的喷嘴的位置检测动作进行说明。图9是表示喷嘴30的位置检测动作的流程图。另外，图10是用于说明模板匹配的图。
首先，位置检测部90利用摄像头70对整个摆动范围的喷嘴30的动作图像进行录像(步骤ST101)。另一方面，位置检测部90在各个停止区域，登录模板匹配用基准图像数据(模板)(步骤ST102)。其中，基准图像数据例如是停止区域中的安装于喷嘴30的前端的喷出头31的图像数据。
其次，如图10所例示的那样，位置检测部90针对所录制的动作图像的图像数据中的一个图像帧(动作开始时的图像帧)，在与第一端TE1及其附近对应的匹配窗201设定ROI201A，对与ROI201A重合的图像和基准图像数据进行模板匹配(步骤ST103)。其中，例如，与匹配窗201处的安装于喷嘴30的前端的喷出头31的尺寸配合地设定ROI201A。进行模板匹配时，使ROI201A移动，并搜索匹配窗201内部，搜索与ROI201A重合的图像和基准图像数据类似度高的部位。
并且，位置检测部90判断模板匹配是否成功(步骤ST104)。如果模板匹配成功，则根据所匹配的图像登录或更新喷嘴30的坐标位置(例如，XYZ轴坐标)(步骤ST105)。
另一方面，如果模板匹配没有成功，则在其他匹配窗(匹配窗202)，执行使用基准图像数据的模板匹配(步骤ST106)。并且，根据所匹配的图像登录或更新喷嘴30的坐标位置(例如，XYZ轴坐标)(步骤ST105)。
其中，匹配窗201(以及匹配窗202)设定为包括处理区间PS1的一部分，但是，即使在处理区间PS1中，只要是喷嘴30的移动速度足够小的阶段(或形状等相对于匹配窗中的基准图像数据没有明显变化的阶段)，就能够进行匹配处理。
另外，根据摄像头70拍摄喷嘴30的角度，包括第一端TE1(或第二端TE2)上的喷嘴30的前端的区域有时会被处理杯40遮蔽。在这样的情况下，如果是包括处理区间PS1的一部分的匹配窗201(以及匹配窗202)，则能够在匹配窗201(或匹配窗202)内对从第一端TE1(或第二端TE2)向处理区间PS1移动的状态下的喷嘴30进行匹配处理。
其次，位置检测部90在多个图像帧间进行循轨(tracking)处理(步骤ST107)。此时，以在之前的停止区域登录或更新的喷嘴30的坐标位置(即，匹配成功的ROI的位置)为基准，在随时间连续的图像帧间进行循轨处理。
根据循轨处理，能够在随时间连续的多个图像帧的每一个中得到喷嘴30的坐标位置(即，ROI的位置)。此外，作为循轨处理的方法，例如能够使用中值流跟踪算法。
在中值流跟踪算法中，首先，在初始图像帧的指定区域内，生成指定密度的跟踪对象点。然后，对各个跟踪对象点，通过卢卡斯-卡纳德追踪器(Lucas-Kanade Tracker)随时间跟踪下一个图像帧中的各个位置。进而，通过前向错误(Forward-Backward Error)，在上述跟踪中去除循轨错误大的跟踪对象点，使用剩余跟踪对象点求出前后图像帧中跟踪对象点的位置的变化量的中值(中央值)。并且，当该值小于指定值时，继续执行循轨处理。
并且，位置检测部90判断通过循轨处理得到的喷嘴30的坐标位置(即，ROI的位置)是否到达停止区域内(步骤ST108)。
如果喷嘴30的坐标位置到达停止区域内，则返回步骤ST103，以便针对获得该坐标位置的图像帧在对应的停止区域内进行模板匹配。
另一方面，如果喷嘴30的坐标位置没有到达停止区域内，则返回步骤ST107，以便在多个图像帧间进行循轨处理。
根据上述位置检测动作，即便是移动的喷嘴30，也能够通过在多个图像数据间执行循轨处理，来恰当地检测喷嘴30的位置。
另外，若连续执行循轨处理，会出现循轨误差累积而不能恰当地检测位置的情况，但是，根据上述位置检测动作，因为在停止区域进行了模板匹配，所以，能够重置因循轨处理累积的误差。由此，即便在通过循轨处理连续检测移动喷嘴30的位置的情况下，也能够抑制循轨误差的累积。
＜关于基准图像数据＞
各个匹配窗中的喷嘴30的图像因与摄像头70间的距离或角度等而不同。为此，优选，将用于与该图像进行比较的模板匹配用基准图像数据(即，各个匹配窗中的喷出头31的图像数据)分别与每个匹配窗对应地登录。
图11是表示与匹配窗201对应的基准图像数据的例子的图。另外，图12是表示与匹配窗202对应的其他基准图像数据的例子的图。
如图11及图12所例示的那样，各个基准图像数据中的喷出头31的形状因摄像头70的方向或与摄像头70间的距离等而不同。因此，通过对图11及图12所示的每个匹配窗使用不同的基准图像数据，从而能够高精度地进行模板匹配。
＜关于位置偏离检测＞
位置偏离检测部91使用如上所述地检测到的移动的喷嘴30的位置，能够检测该位置相对于基准位置的位置偏离。基准位置例如是根据规程等预先设定的喷嘴30的坐标位置。
图13是用多个图案表示喷嘴30移动时的位置偏离的例子的图。在图13中，纵轴表示高度方向上的从基准位置偏离的大小，横轴表示喷嘴的水平方向的移动距离。
在图13中，用多个图案(三个图案)示出了喷嘴30摆动时的位置的推移，例如，比较检测到的喷嘴30的位置和喷嘴30的基准位置，在检测到的喷嘴30的位置从基准位置偏离的大小为阈值以上，则能够检测为位置偏离。该阈值能够通过要求的喷嘴的位置精度来决定。
＜关于喷出判定＞
接着，参考图14、图15和图16，对判定是否从喷嘴喷出处理液的喷出判定进行说明。其中，图14是表示用于喷出判定的判定区域301的例子的图。
如图14所例示的那样，在进行喷出判定时，在ROI302的正下方追加判定区域301。此外，在图14中，判定区域301追加在匹配窗201中ROI302的正下方，判定区域301在其他停止区域及移动区域中也同样追加在ROI302的正下方。
另外，判定区域301的尺寸(长度及宽度)取决于ROI302的尺寸。即，与匹配处理和循轨处理联动，在配合喷出头31的尺寸来设定ROI302的尺寸的情况下，也配合喷出头31的尺寸来设定判定区域301的尺寸。
通过判定区域301中的图像解析进行喷出判定。图15和图16是表示判定区域301中的图像的例子的图。在图15和图16中，将水平方向设定为X方向，将铅垂方向(即，喷出处理液的方向)设定为Y方向。
如图15所例示的那样，如果没有喷出处理液，则判定区域301中不显示处理液的图像，而显示基板W或处理杯40等的图像。所以，判定区域301内没有产生明显亮度差的部分。
另一方面，如图16所例示的那样，如果喷出了处理液，则显示在判定区域301内的一部分具有高亮度的处理液400的图像。所以，判定区域301内的处理液400的液柱部分与其周边部分之间产生明显的亮度差。此外，存在当照明方向不同时处理液400的图像比周围亮度低的情况，即便在该情况下，判定区域301内的处理液400的液柱部分与其周边部分之间也产生明显的亮度差。
由此，如果判定区域301内的亮度差的大小超过阈值，则能够判定为喷出了处理液400。
其中，计算判定区域301内的亮度差时，针对沿着喷出处理液400的方向(流下方向)的每个像素列对亮度值进行积分，计算每个像素列的亮度差，从而，能够进一步强调处理液400的液柱部分与其周边部分之间的亮度差。因此，能够更高精度地进行喷出判定。
＜关于通过上述记载的实施方式产生的效果＞
接着，展示通过上述记载的实施方式产生的效果的例子。此外，在下述说明中，根据上述记载的实施方式所例示的具体的结构记载了该效果，但是，在产生同样效果的范围内，可以与本申请说明书所例示的其他具体结构相互置换。
根据上述记载的实施方式，基板处理装置具有喷嘴30、拍摄部、位置检测部90。其中，拍摄部例如是与摄像头70等相对应的部件。喷嘴30能够摆动。另外，喷嘴30向基板W喷出处理液。摄像头70拍摄喷嘴30。并且，摄像头70输出喷嘴30的图像数据。位置检测部90根据图像数据检测喷嘴30的位置。其中，喷嘴30的可摆动范围分别包括至少一个喷嘴30停止的停止区域、至少一个喷嘴30移动的移动区域。此外，停止区域例如是与匹配窗201和匹配窗202等相对应的区域。另外，移动区域例如是与处理区间PS1中的夹在两个匹配窗中间的区间相对应的区域。并且，位置检测部90在停止区域，使用基准图像数据对图像数据进行匹配处理，从而检测喷嘴30的位置。另外，位置检测部90在移动区域中、以停止区域中检测到的喷嘴30的位置为基准，在连续的图像数据间进行循轨处理，从而检测喷嘴30的位置。
另外，根据上述记载的实施方式，基板处理装置具有喷嘴30、摄像头70。另外，基板处理装置具有执行程序的处理电路1102A、存储所实行的程序的存储装置1103。并且，通过处理电路1102A执行程序来实现下述操作。
即，在停止区域，使用基准图像数据对图像数据进行匹配处理，从而，检测喷嘴30的位置。另外，在移动区域中，以停止区域中检测到的喷嘴30的位置为基准，在连续的图像数据间进行循轨处理，从而检测喷嘴30的位置。
根据这样的结构，在停止区域(匹配窗201及匹配窗202)中进行匹配处理来检测处于停止中的喷嘴30的位置，在移动区域(处理区间PS1)中以检测到的喷嘴30的位置为基准进行循轨处理，从而能够检测到正在移动的喷嘴30的位置。由此，能够不使用多个基准图像数据而检测移动中的喷嘴30的位置。另外，通过停止区域中的匹配处理，能够对成为循轨处理的基准的喷嘴30的位置进行检测，并且能够消除因循轨处理而产生的误差累积。
此外，如果在上述结构中适当追加本申请说明书所例示的其他结构，即，如果作为上述结构适当追加未提及的本申请说明书中的其他结构，也能够产生同样的效果。
另外，根据上述记载的实施方式，喷嘴30的可摆动范围包括匹配窗201和匹配窗202。并且，根据匹配窗201和匹配窗202的每一个来设定基准图像数据。根据这样的结构，通过各个停止区域(匹配窗201和匹配窗202)，与大小以及形状发生变化的喷嘴30的图像相对应地设定基准图像数据。为此，能够在各个停止区域恰当地进行匹配处理。
另外，根据上述记载的实施方式，位置检测部90设定与喷嘴30的位置对应的靶区域、以及位于靶区域的正下方且用于判定是否从喷嘴30喷出处理液400的判定区域301。其中，靶区域例如是对应于ROI302等的区域。并且，位置检测部90与匹配处理和循轨处理联动地变更ROI302的大小和判定区域301的大小。根据这样的结构，判定区域301的大小与循轨处理联动并与ROI302的大小一起变更，从而提高判定区域301的喷出判定的精度。
另外，根据上述记载的实施方式，基板处理装置具有位置偏离检测部91，所述位置偏离检测部91通过位置检测部90来比较检测到的喷嘴30的位置和预先测量的喷嘴30的基准位置，从而，检测喷嘴30的位置偏离。根据这样的结构，能够在位置检测部90检测到的喷嘴30的位置与喷嘴30的基准位置之差大于或等于阈值的情况下，检测为喷嘴30位置偏离。
＜关于上述记载的实施方式的变形例＞
在上述记载的实施方式中，记载了各个结构部件的材质、材料、尺寸、形状、相对配置关系或实施条件等，但是这些是全部方式中的一个例子，并不限定本申请说明书所记载的内容。
因此，在本申请说明书所公开的技术范围内可想到未例示的无数个变形例及同等部件。例如，包括变形至少一个结构部件的情况、追加情况或省略情况。
另外，上述记载的实施方式所记载的各个结构部件可以被设想为软件或固件，也可以被设想为与其对应的硬件，在这双方的概念中，各个结构部件被称作“部”或“处理电路”(circuitry)等。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，具有：
喷嘴，能够摆动且用于向基板喷出处理液；
拍摄部，用于拍摄所述喷嘴并输出所述喷嘴的图像数据；
位置检测部，用于根据所述图像数据检测所述喷嘴的位置，
所述喷嘴的可摆动范围分别包括至少一个所述喷嘴停止的停止区域和至少一个所述喷嘴移动的移动区域，
在所述停止区域中，所述位置检测部通过使用基准图像数据对所述图像数据进行匹配处理，从而检测所述喷嘴的位置，
在所述移动区域中，所述位置检测部将在所述停止区域检测到的所述喷嘴的位置作为基准，在连续的所述图像数据之间进行循轨处理来检测所述喷嘴的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述喷嘴的可摆动范围包括多个所述停止区域，
根据各个所述停止区域设定所述基准图像数据。
3.权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述位置检测部设定靶区域和判定区域，所述靶区域与所述喷嘴的位置相对应，所述判定区域位于所述靶区域的正下方并且用于判定从所述喷嘴喷出的所述处理液是否喷出，
与所述匹配处理和所述循轨处理联动地变更所述靶区域的大小和所述判定区域的大小。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还具有：
位置偏离检测部，通过比较由所述位置检测部检测到的所述喷嘴的位置与预先测量的所述喷嘴的基准位置，从而检测所述喷嘴的位置偏离。
5.一种基板处理方法，包括：
拍摄能够摆动且用于向基板喷出处理液的喷嘴，并且，输出所述喷嘴的图像数据的工序；
根据所述图像数据，检测所述喷嘴的位置的工序，
所述喷嘴的可摆动范围分别包括至少一个所述喷嘴停止的停止区域和至少一个所述喷嘴移动的移动区域，
检测所述喷嘴的位置的工序包括：
在所述停止区域，使用基准图像数据对所述图像数据进行匹配处理，从而检测所述喷嘴的位置的工序；
在所述移动区域中，将在所述停止区域中检测到的所述喷嘴的位置作为基准，在连续的所述图像数据之间进行循轨处理来检测所述喷嘴的位置的工序。
CN202010805951.1A 2019-09-12 2020-08-12 基板处理装置及基板处理方法 Active CN112490167B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-166274 2019-09-12
JP2019166274A JP7282640B2 (ja) 2019-09-12 2019-09-12 基板処理装置、および、基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112490167A true CN112490167A (zh) 2021-03-12
CN112490167B CN112490167B (zh) 2024-07-26

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113731751A (zh) * 2021-09-18 2021-12-03 浙江旗创科技集团有限公司 一种印刷版材涂胶实时监控***

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095764A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像認識装置および画像認識方法
US20150235368A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Displacement detection apparatus, substrate processing apparatus, displacement detection method and substrate processing method
JP2015173148A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2015173204A (ja) * 2014-03-12 2015-10-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20170116721A1 (en) * 2015-10-27 2017-04-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Displacement detecting apparatus, displacement detecting method and substrate processing apparatus
CN107764193A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 株式会社斯库林集团 位移检测装置、位移检测方法及基板处理装置
CN109716170A (zh) * 2016-09-28 2019-05-03 株式会社斯库林集团 检测方法及检测装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095764A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像認識装置および画像認識方法
US20150235368A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Displacement detection apparatus, substrate processing apparatus, displacement detection method and substrate processing method
JP2015173148A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2015173204A (ja) * 2014-03-12 2015-10-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20170116721A1 (en) * 2015-10-27 2017-04-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Displacement detecting apparatus, displacement detecting method and substrate processing apparatus
JP2017083257A (ja) * 2015-10-27 2017-05-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 変位検出装置および変位検出方法ならびに基板処理装置
CN107764193A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 株式会社斯库林集团 位移检测装置、位移检测方法及基板处理装置
CN109716170A (zh) * 2016-09-28 2019-05-03 株式会社斯库林集团 检测方法及检测装置
US20190259172A1 (en) * 2016-09-28 2019-08-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Detecting method and detecting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113731751A (zh) * 2021-09-18 2021-12-03 浙江旗创科技集团有限公司 一种印刷版材涂胶实时监控***

Also Published As

Publication number Publication date
KR102443011B1 (ko) 2022-09-14
KR20210031613A (ko) 2021-03-22
TW202111769A (zh) 2021-03-16
TWI749604B (zh) 2021-12-11
JP2021044440A (ja) 2021-03-18
JP7282640B2 (ja) 2023-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6423672B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6278759B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN112639391B (zh) 可动部位置检测方法、基板处理方法、基板处理装置以及基板处理***
JP6251086B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20210030447A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
CN112490167B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN112490167A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20230008800A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2021044467A (ja) 検知装置、および、検知方法
CN112509940B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2018046293A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI831236B (zh) 狀態檢測裝置以及狀態檢測方法
JP7248848B2 (ja) 可動部位置検出方法、基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
WO2024084853A1 (ja) 位置判定方法、および、位置判定装置
WO2023100690A1 (ja) 基板処理装置およびガード判定方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant