JP6904125B2 - Resin composition - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、本発明は、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。 The present invention relates to resin compositions. Furthermore, the present invention relates to a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained by using the resin composition.

近年、電子機器の小型化、高性能化が進んでいる。これに伴い、半導体パッケージ基板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められている。また、スマートフォン、タブレット型デバイスの普及に伴って、薄型化の要求が強まっている。そこで、コア材を薄型化したり、コアレス構造を採用したりした、薄型パッケージ基板が求められている。このような薄型パッケージ基板を実現するために、絶縁層には、薄くても高い絶縁性が求められる。 In recent years, electronic devices have become smaller and more sophisticated. Along with this, in the semiconductor package substrate, the build-up layer is multi-layered, and there is a demand for finer wiring and higher density. In addition, with the spread of smartphones and tablet devices, there is an increasing demand for thinner devices. Therefore, there is a demand for a thin package substrate in which the core material is made thinner or a coreless structure is adopted. In order to realize such a thin package substrate, the insulating layer is required to have high insulating properties even if it is thin.

一方、絶縁層は、その着色のためカーボンブラックを含むことが求められる場合がある。例えば、特許文献１では、スミア抑制成分としてカーボンブラックを含む樹脂組成物が開示されている。また、特許文献２では、ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂を含む樹脂組成物が開示されている。 On the other hand, the insulating layer may be required to contain carbon black for its coloring. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing carbon black as a smear-suppressing component. Further, Patent Document 2 discloses a resin composition containing a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower.

特開２０１４−００５４６４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-005464 特開２０１４−０９５０４７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-095047

本発明者らは、絶縁層のガラス転移温度を高めて耐熱性を向上させるために、無機充填材を樹脂組成物に配合することを試みた。また、本発明者らは、樹脂組成物の溶融粘度を適切な値に調整して樹脂シートのラミネート性を改善するために、ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂を樹脂組成物に配合することを試みた。そして、本発明者らは、これら無機充填材及び高分子樹脂を組み合わせて含む樹脂組成物において、物性バランスを向上させるべく検討を行った。 The present inventors have attempted to add an inorganic filler to the resin composition in order to raise the glass transition temperature of the insulating layer and improve the heat resistance. Further, the present inventors have added a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or less to the resin composition in order to adjust the melt viscosity of the resin composition to an appropriate value and improve the laminateability of the resin sheet. I tried to do it. Then, the present inventors have studied in order to improve the physical property balance in the resin composition containing these inorganic fillers and polymer resins in combination.

この検討において、本発明者らは、このような樹脂組成物をカーボンブラックによる着色用途に用いる場合、カーボンブラックの凝集が生じることがありえることを見い出した。本発明者らの検討によれば、前記のようなカーボンブラックの凝集は、カーボンブラックと無機充填材及び高分子樹脂との間で相溶性が異なることによって生じていると考えられる。 In this study, the present inventors have found that when such a resin composition is used for coloring with carbon black, agglomeration of carbon black may occur. According to the studies by the present inventors, it is considered that the above-mentioned aggregation of carbon black is caused by the difference in compatibility between the carbon black and the inorganic filler and the polymer resin.

カーボンブラックの凝集が生じると、絶縁層の発色が凝集の影響を受けて、所望の色調が得られないことがある。また、カーボンブラックの凝集により、視認できる程度の大きい凝集塊としてカーボンブラック欠点が生じると、樹脂組成物の品質に問題が無くても、商品価値を低く評価されることがある。 When carbon black agglomerates, the color development of the insulating layer is affected by the agglutination, and a desired color tone may not be obtained. Further, if carbon black defects occur as large visible agglomerates due to agglomeration of carbon black, the commercial value may be evaluated low even if there is no problem in the quality of the resin composition.

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物；前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を有する樹脂シート；前記の樹脂組成物の硬化物によって形成された絶縁層を含む回路基板；並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含む半導体チップパッケージ；を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of the above problems, and is a resin composition capable of suppressing aggregation of carbon black while being well-balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature; the above resin composition. Provided are a resin sheet having a resin composition layer containing a substance; a circuit substrate containing an insulating layer formed by a cured product of the resin composition; and a semiconductor chip package containing the cured product of the resin composition. The purpose is.

本発明者らは、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）ＤＢＰ吸収量が所定値以下であるカーボンブラック、及び、（Ｄ）ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂を組み合わせて含む樹脂組成物が、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記の通りである。 The present inventors have diligently studied to solve the above-mentioned problems. As a result, (A) epoxy resin, (B) inorganic filler, (C) carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less, and (D) a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or less are combined. The present invention has been completed by finding that the resin composition containing the resin composition can solve the above-mentioned problems.
That is, the present invention is as follows.

〔１〕 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）ＤＢＰ吸収量が１３０ｃｍ３／１００ｇ以下であるカーボンブラック、及び、（Ｄ）ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂を含む、樹脂組成物。
〔２〕 （Ｂ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、３０質量％以上９５質量％以下である、〔１〕に記載の樹脂組成物。
〔３〕 （Ｂ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、７５質量％以上９５質量％以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の樹脂組成物。
〔４〕 （Ａ）成分が、（Ａ−１）窒素含有エポキシ樹脂又は縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含む、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔５〕 （Ｄ）成分が、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、及びポリアクリル構造からなる群より選択される１種類以上の構造を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔６〕 （Ｄ）成分が、（Ａ）成分と反応できる官能基を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔７〕 （Ｄ）成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群より選択される１種類以上の官能基を有する、〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔８〕 （Ｄ）成分の数平均分子量が、４０００以上１０００００以下である、〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔９〕 （Ｄ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、０．２質量％以上２０質量％以下である、〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔１０〕 （Ｃ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、０．１質量％以上３質量％以下である、〔１〕〜〔９〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔１１〕 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、〔１〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
〔１２〕 半導体封止用の樹脂組成物である、〔１〕〜〔１１〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔１３〕 支持体と、該支持体上に設けられた〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
〔１４〕 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、〔１３〕に記載の樹脂シート。
〔１５〕 〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
〔１６〕 〔１５〕に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
〔１７〕 半導体チップと、前記半導体チップを封止する〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。 [1] (A) an epoxy resin, (B) a mineral filler, (C) DBP absorption amount is less 130 cm 3/100 g carbon black, and, (D) a glass transition temperature of 30 ° C. or less of the polymeric resin Including, resin composition.
[2] The resin composition according to [1], wherein the amount of the component (B) is 30% by mass or more and 95% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the amount of the component (B) is 75% by mass or more and 95% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (A) contains (A-1) a nitrogen-containing epoxy resin or an epoxy resin having a condensed ring structure.
[5] The component (D) is selected from the group consisting of a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polyacrylic structure in the molecule. The resin composition according to any one of [1] to [4], which has one or more types of structures.
[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the component (D) has a functional group capable of reacting with the component (A).
[7] The component (D) has one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group, [1] to [ 6] The resin composition according to any one of the above items.
[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the number average molecular weight of the component (D) is 4000 or more and 100,000 or less.
[9] Any one of [1] to [8], wherein the amount of the component (D) is 0.2% by mass or more and 20% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. The resin composition according to.
[10] Any one of [1] to [9], wherein the amount of the component (C) is 0.1% by mass or more and 3% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. The resin composition according to.
[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[12] The resin composition according to any one of [1] to [11], which is a resin composition for encapsulating a semiconductor.
[13] A resin sheet having a support and a resin composition layer containing the resin composition according to any one of [1] to [12] provided on the support.
[14] The resin sheet according to [13], which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[15] A circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12].
[16] A semiconductor chip package including the circuit board according to [15] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.
[17] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [12] that seals the semiconductor chip.

本発明によれば、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物；前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を有する樹脂シート；前記の樹脂組成物の硬化物によって形成された絶縁層を含む回路基板；並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含む半導体チップパッケージ；を提供できる。 According to the present invention, a resin composition capable of suppressing aggregation of carbon black while being well-balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature; a resin having a resin composition layer containing the above resin composition. A sheet; a circuit board including an insulating layer formed by a cured product of the resin composition; and a semiconductor chip package containing a cured product of the resin composition can be provided.

図１は、本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージの一例としてのＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰを模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a Fan-out type WLP as an example of the semiconductor chip package according to the second embodiment of the present invention.

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples listed below, and may be arbitrarily modified and implemented without departing from the scope of claims of the present invention and the equivalent scope thereof.

［１．樹脂組成物の概要］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）ＤＢＰ吸収量が所定値以下であるカーボンブラック、及び、（Ｄ）ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂を含む。以下の説明において、（Ｃ）成分としての「ＤＢＰ吸収量が所定値以下であるカーボンブラック」を、「（Ｃ）カーボンブラック」ということがある。また、以下の説明において、（Ｄ）成分としての「ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂」を、「（Ｄ）高分子樹脂」ということがある。 [1. Outline of resin composition]
The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, (C) carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less, and (D) a high glass transition temperature of 30 ° C. or less. Contains molecular resin. In the following description, "carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less" as the component (C) may be referred to as "(C) carbon black". Further, in the following description, the "polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or less" as the component (D) may be referred to as "(D) polymer resin".

前記の（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）カーボンブラック及び（Ｄ）高分子樹脂を組み合わせて含むことにより、樹脂組成物は、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できるという、本発明の所望の効果を得ることができる。このような樹脂組成物の硬化物は、その優れた特性を活かして、半導体チップパッケージの絶縁層及び封止材として好ましく用いることができる。 By containing the above-mentioned (A) epoxy resin, (B) inorganic filler, (C) carbon black and (D) polymer resin in combination, the resin composition has a color development, a minimum melt viscosity, a glass transition temperature and the like. It is possible to obtain the desired effect of the present invention, that is, the aggregation of carbon black can be suppressed while the characteristics are well-balanced. A cured product of such a resin composition can be preferably used as an insulating layer and a sealing material for a semiconductor chip package by taking advantage of its excellent properties.

また、前記の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）カーボンブラック及び（Ｄ）高分子樹脂に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、（Ｅ）硬化剤、（Ｆ）硬化促進剤、（Ｇ）熱可塑性樹脂、（Ｈ）難燃剤、等が挙げられる。 Further, the resin composition may further contain any component in combination with (A) epoxy resin, (B) inorganic filler, (C) carbon black and (D) polymer resin. Examples of the optional component include (E) curing agent, (F) curing accelerator, (G) thermoplastic resin, (H) flame retardant, and the like.

［２．（Ａ）エポキシ樹脂］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）成分として、エポキシ樹脂を含む。（Ａ）エポキシ樹脂は、通常、当該分子中にエポキシ基を有する。（Ａ）エポキシ樹脂の１分子当たりのエポキシ基の数は、通常１個以上であり、好ましくは２個以上である。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。 [2. (A) Epoxy resin]
The resin composition of the present invention contains an epoxy resin as the component (A). The epoxy resin (A) usually has an epoxy group in the molecule. The number of epoxy groups per molecule of the epoxy resin (A) is usually 1 or more, preferably 2 or more. From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50% by mass with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the epoxy resin (A). % Or more, more preferably 60% by mass or more, and particularly preferably 70% by mass or more.

（Ａ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、及びパーフルオロアルキル型エポキシ樹脂等のフッ素含有エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；ナフトール型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサン型エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；リン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。（Ａ）エポキシ樹脂は１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the epoxy resin include fluorine-containing epoxy resins such as bixilenol type epoxy resin; bisphenol AF type epoxy resin and perfluoroalkyl type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; bisphenol S. Type epoxy resin; bisphenol AF type epoxy resin; dicyclopentadiene type epoxy resin; trisphenol type epoxy resin; naphthol novolac type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; naphthalene type epoxy resin; naphthol Type epoxy resin; Anthracene type epoxy resin; Glycidylamine type epoxy resin; Glycidyl ester type epoxy resin; Cresol novolac type epoxy resin; Biphenyl type epoxy resin; Linear aliphatic epoxy resin; Epoxy resin having a butadiene structure; Oil ring type epoxy Resin; heterocyclic epoxy resin; spiro-ring-containing epoxy resin; cyclohexane-type epoxy resin; cyclohexanedimethanol-type epoxy resin; naphthylene ether-type epoxy resin; trimethylol-type epoxy resin; tetraphenylethane-type epoxy resin; phosphorus-containing epoxy resin And so on. (A) One type of epoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.

（Ａ）エポキシ樹脂は、（Ａ−１）窒素含有エポキシ樹脂又は縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。（Ａ−１）成分としては、窒素含有エポキシ樹脂のみを用いてもよく、縮合環構造を有するエポキシ樹脂のみを用いてもよく、窒素含有エポキシ樹脂及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）エポキシ樹脂が（Ａ−１）成分を含むことにより、本発明の所望の効果を顕著に発揮でき、特に、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができる。このようにガラス転移温度を高めることができる作用は、（Ａ−１）成分と（Ｄ）高分子樹脂とを組み合わせた場合に顕著である。さらに、（Ａ−１）成分により、通常は、樹脂組成物の硬化物のシェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性を良好にできる。 The epoxy resin (A) preferably contains (A-1) a nitrogen-containing epoxy resin or an epoxy resin having a condensed ring structure. As the component (A-1), only the nitrogen-containing epoxy resin may be used, or only the epoxy resin having a condensed ring structure may be used, and the nitrogen-containing epoxy resin and the epoxy resin having a condensed ring structure may be used in combination. You may. When the epoxy resin (A) contains the component (A-1), the desired effect of the present invention can be remarkably exhibited, and in particular, the glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be effectively increased. The effect of increasing the glass transition temperature in this way is remarkable when the component (A-1) and the polymer resin (D) are combined. Further, the component (A-1) can usually improve the shear strength, breaking bending strain, and crackability of the cured product of the resin composition.

窒素含有エポキシ樹脂は、分子中に窒素原子を含有するエポキシ樹脂である。好ましい窒素含有エポキシ樹脂としては、例えば、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。 The nitrogen-containing epoxy resin is an epoxy resin containing a nitrogen atom in its molecule. Preferred nitrogen-containing epoxy resins include, for example, glycidylamine type epoxy resins and aminophenol type epoxy resins.

窒素含有エポキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９５０Ｓ」、「ＥＰ−３９５０Ｌ」、「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＧＡＮ」、「ＧＯＴ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；住友化学社製「ＥＬＭ−１００」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；等が挙げられる。これらは１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the nitrogen-containing epoxy resin include "630" and "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "EP-3950S", "EP-3950L" and "EP-3980S" manufactured by ADEKA. (Glysidylamine type epoxy resin); "GAN", "GOT" (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; "ELM-100" (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd .; etc. Be done. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

縮合環構造を有するエポキシ樹脂は、分子中に縮合環構造を有するエポキシ樹脂である。縮合環構造を有する好ましいエポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂がより好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂が更に好ましい。 The epoxy resin having a condensed ring structure is an epoxy resin having a condensed ring structure in the molecule. Preferred epoxy resins having a fused ring structure include, for example, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin. Be done. Among them, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin are more preferable, and naphthalene type epoxy resin and naphthol type epoxy resin are further preferable.

縮合環構造を有するエポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００Ｌ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱化学社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；等が挙げられる。これらは１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the epoxy resin having a fused ring structure include "HP4032" and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene type 4) manufactured by DIC. Functional epoxy resin); DIC's "HP-7200H", "HP-7200", "HP-7200L" (dicyclopentadiene type epoxy resin); DIC's "EXA7311", "EXA7311-G3", " EXA7311-G4 "," EXA7311-G4S "," HP6000 "(naphthylene ether type epoxy resin);" NC7000L "(naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC;" ESN475V "(naphthol type) manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd. Epoxy resin); "ESN485" (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; "YX8800" (anthracene type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; "PG-100", "PG-100" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd. Examples thereof include "CG-500" (fluorene type epoxy resin); "YL7800" (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; and "YX8800" (anthracen type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

（Ａ−１）成分として窒素含有エポキシ樹脂と縮合環構造を有するエポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、「窒素含有エポキシ樹脂：縮合環構造を有するエポキシ樹脂」の質量比は、好ましくは１：０．１〜１：１０、より好ましくは１：０．３〜１：５、更に好ましくは１：０．６〜１：２．５である。窒素含有エポキシ樹脂と縮合環構造を有するエポキシ樹脂との量比をこのような範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を効果的に高めることができる。 When a nitrogen-containing epoxy resin and an epoxy resin having a condensed ring structure are used in combination as the component (A-1), the amount ratio thereof is preferably within a predetermined range. Specifically, the mass ratio of "nitrogen-containing epoxy resin: epoxy resin having a condensed ring structure" is preferably 1: 0.1 to 1:10, more preferably 1: 0.3 to 1: 5, and further. It is preferably 1: 0.6 to 1: 2.5. By setting the amount ratio of the nitrogen-containing epoxy resin to the epoxy resin having a condensed ring structure in such a range, the heat resistance of the cured product of the resin composition can be effectively enhanced.

樹脂組成物中の（Ａ−１）成分の量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは０．８質量％以上、特に好ましくは１．０質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、特に好ましくは５質量％以下である。（Ａ−１）成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物のシェア強度、破断曲げひずみ、及び、耐割れ性を改善できる。 The amount of the component (A-1) in the resin composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, and particularly preferably 0.8% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is 1.0% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less. When the amount of the component (A-1) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Further, usually, the shear strength of the cured product of the resin composition, the breaking bending strain, and the crack resistance can be improved.

（Ａ）エポキシ樹脂は、（Ａ−１）成分に組み合わせて、（Ａ−１）成分以外の（Ａ−２）２５℃で液状のエポキシ樹脂を更に含むことが好ましい。この（Ａ−２）成分には、２５℃で液状の窒素含有エポキシ樹脂、及び、２５℃で液状の縮合環構造を有するエポキシ樹脂は含めない。（Ａ−１）成分に組み合わせて（Ａ−２）成分を用いることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。 It is preferable that the epoxy resin (A) further contains an epoxy resin (A-2) liquid at 25 ° C. other than the component (A-1) in combination with the component (A-1). The component (A-2) does not include a nitrogen-containing epoxy resin that is liquid at 25 ° C. and an epoxy resin that has a condensed ring structure that is liquid at 25 ° C. By using the component (A-2) in combination with the component (A-1), the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

（Ａ−２）成分としての２５℃で液状のエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有することが好ましい。また、（Ａ−２）成分としての２５℃で液状のエポキシ樹脂は、分子中に芳香環を有する芳香族系のエポキシ樹脂が好ましい。ここで、用語「芳香環」には、単環の芳香環だけでなく、多環の芳香族環及び芳香族複素環をも含む。 The epoxy resin liquid at 25 ° C. as the component (A-2) preferably has two or more epoxy groups in one molecule. The epoxy resin liquid at 25 ° C. as the component (A-2) is preferably an aromatic epoxy resin having an aromatic ring in the molecule. Here, the term "aromatic ring" includes not only a monocyclic aromatic ring but also a polycyclic aromatic ring and an aromatic heterocycle.

（Ａ−２）成分としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がさらに好ましい。 The components (A-2) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, and cyclohexane. Examples thereof include type epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, aliphatic epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure. Among them, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AF type epoxy resin are preferable, and bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are more preferable, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. ..

（Ａ−２）成分の具体例としては、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱化学社製の「ＪＥＲ８０６」、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱化学社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）；三菱化学社製「ＹＸ７４００」（柔軟脂肪族骨格を有するエポキシ樹脂）；が挙げられる。これらは１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the component (A-2) include "828US" and "jER828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "JER806" and "jER807" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. ); "JER152" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (phenol novolac type epoxy resin); "ZX1059" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd. (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin); "Selokiside 2021P" (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by Daicel Co., Ltd .; "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. , 4-Glysidylcyclohexane); "YX7400" (epoxy resin having a flexible aliphatic skeleton) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

（Ａ）エポキシ樹脂が（Ａ−１）成分と（Ａ−２）成分とを組み合わせて含む場合、それらの量比は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、「（Ａ−１）成分：（Ａ−２）成分」の質量比は、好ましくは１：０．１〜１：１０、より好ましくは１：０．１〜１：８、更に好ましくは１：０．１〜１：６である。（Ａ−１）成分と（Ａ−２）成分との質量比をこのような範囲とすることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。また、通常は、樹脂組成物の硬化物のシェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性を良好にできる。 When the epoxy resin (A) contains the component (A-1) and the component (A-2) in combination, the amount ratio thereof is preferably within a predetermined range. Specifically, the mass ratio of "component (A-1): component (A-2)" is preferably 1: 0.1 to 1:10, more preferably 1: 0.1 to 1: 8. More preferably, it is 1: 0.1 to 1: 6. By setting the mass ratio of the component (A-1) to the component (A-2) in such a range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. In addition, usually, the shear strength, breaking bending strain, and crackability of the cured product of the resin composition can be improved.

（Ａ）エポキシ樹脂が（Ａ−２）成分を含む場合、（Ａ−２）成分の量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは６質量％以下である。（Ａ−２）成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の耐割れ性を改善することができる。 When the epoxy resin (A) contains the component (A-2), the amount of the component (A-2) is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. Is 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, still more preferably 6% by mass or less. When the amount of the component (A-2) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Further, usually, the crack resistance of the cured product of the resin composition can be improved.

（Ａ）エポキシ樹脂は、（Ａ−１）成分及び（Ａ−２）成分に組み合わせて、これら（Ａ−１）成分及び（Ａ−２）成分以外の（Ａ−３）任意のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。このような（Ａ−３）成分としては、２０℃で固体状のエポキシ樹脂が好ましい。この２０℃で固体状のエポキシ樹脂は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有することが好ましい。さらに、（Ａ−３）成分は、分子中に芳香環を有する芳香族系のエポキシ樹脂が好ましい。 The (A) epoxy resin can be combined with the components (A-1) and (A-2) to form any epoxy resin (A-3) other than the components (A-1) and (A-2). It may be included. As such a component (A-3), an epoxy resin solid at 20 ° C. is preferable. The epoxy resin solid at 20 ° C. preferably has three or more epoxy groups in one molecule. Further, the component (A-3) is preferably an aromatic epoxy resin having an aromatic ring in the molecule.

好ましい（Ａ−３）成分としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。 Preferred (A-3) components include, for example, cresol novolac type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin. .. Of these, the biphenyl type epoxy resin is preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention.

（Ａ−３）成分の具体例としては、ＤＩＣ社製の「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｌ」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）；等が挙げられる。これらは１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the component (A-3) include "N-690" (cresol novolac type epoxy resin) and "N-695" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC; "EPPN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. -502H "(Trisphenol type epoxy resin)," YX4000HK "(Bixylenel type epoxy resin)," YL7760 "(Bisphenol AF type epoxy resin)," NC3000L "(Biphenyl type epoxy resin);" jER1010 "manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (Solid bisphenol A type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), "157S70" (bisphenol novolac type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin); etc. .. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

（Ａ）エポキシ樹脂が（Ａ−３）成分を含む場合、（Ａ−３）成分の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは６質量％以下である。（Ａ−３）成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の機械強度及び絶縁信頼性を良好にできる。 When the epoxy resin (A) contains the component (A-3), the amount of the component (A-3) is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, still more preferably 6% by mass or less. When the amount of the component (A-3) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Further, usually, the mechanical strength and insulation reliability of the cured product of the resin composition can be improved.

上述した（Ａ−１）成分〜（Ａ−３）成分を含む（Ａ）エポキシ樹脂全体の量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、特に好ましくは３質量％以上であり、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下である。（Ａ）エポキシ樹脂の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。 The total amount of the epoxy resin (A) containing the above-mentioned components (A-1) to (A-3) is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is preferably 1% by mass or more, particularly preferably 3% by mass or more, preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and more preferably 15% by mass or less. When the amount of the epoxy resin (A) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、硬化物を絶縁層として使用する際、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、（Ａ）成分のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。 The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. Within this range, the crosslink density of the cured product of the resin composition becomes sufficient, and when the cured product is used as the insulating layer, an insulating layer having a small surface roughness can be provided. The epoxy equivalent of the component (A) can be measured according to JIS K7236, and is the mass of the resin containing 1 equivalent of the epoxy group.

（Ａ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、液状エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。 The weight average molecular weight of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and even more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the liquid epoxy resin is a polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

（Ａ）エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは４０００未満、より好ましくは３５００以下、さらに好ましくは３０００以下である。下限は、好ましくは５００以上、より好ましくは１０００以上、さらに好ましくは１５００以上である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The number average molecular weight of the epoxy resin (A) is preferably less than 4000, more preferably 3500 or less, still more preferably 3000 or less. The lower limit is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, and even more preferably 1500 or more. The number average molecular weight (Mn) is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured using a gel permeation chromatography method.

［３．（Ｂ）無機充填材］
本発明の樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、無機充填材を含む。（Ｂ）無機充填材を用いることにより、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができる。さらに、（Ｂ）無機充填材を用いることにより、通常は、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を小さくできるので、反りの抑制が可能である。さらに、（Ｂ）無機充填材により、通常は、樹脂組成物の硬化物の絶縁性能及び封止性能を向上させることができる。 [3. (B) Inorganic filler]
The resin composition of the present invention contains an inorganic filler as the component (B). By using the (B) inorganic filler, the heat resistance of the resin composition can be improved. Furthermore, by using the (B) inorganic filler, the coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin composition can usually be reduced, so that warpage can be suppressed. Further, the inorganic filler (B) can usually improve the insulating performance and the sealing performance of the cured product of the resin composition.

無機充填材の材料としては、通常、無機材料を用い、好ましくは無機化合物を用いる。（Ｂ）無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、シリカが特に好適である。シリカとしては、球形シリカが好ましい。また、（Ｂ）無機充填材は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 As the material of the inorganic filler, an inorganic material is usually used, and an inorganic compound is preferably used. Examples of the material of the inorganic filler (B) include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, and water. Aluminum oxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide , Zirconium oxide, barium titanate, barium titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium tungstate phosphate and the like. Among these, silica is particularly preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. As the silica, spherical silica is preferable. Further, (B) the inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.

通常、（Ｂ）無機充填材は、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。（Ｂ）無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上であり、また、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２．２μｍ以下、特に好ましくは２μｍ以下である。（Ｂ）無機充填材の平均粒径が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、更に通常は、表面粗度の低い絶縁層を得ることができる。 Usually, (B) the inorganic filler is contained in the resin composition in the form of particles. The average particle size of the inorganic filler (B) is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, still more preferably 0.1 μm or more, and preferably 5 μm or less, more preferably 2.5 μm. Hereinafter, it is more preferably 2.2 μm or less, and particularly preferably 2 μm or less. When the average particle size of the inorganic filler (B) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and an insulating layer having a low surface roughness can be usually obtained.

（Ｂ）無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により、測定できる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、（Ｂ）無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布からメディアン径として平均粒径を測定できる。測定サンプルは、（Ｂ）無機充填材を超音波により水等の溶剤中に分散させたものを好ましく使用できる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。 (B) The average particle size of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of (B) the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device, and the average particle size can be measured as the median diameter from the particle size distribution. As the measurement sample, (B) an inorganic filler dispersed in a solvent such as water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device, "LA-500" manufactured by HORIBA, Ltd. or the like can be used.

前記のような（Ｂ）無機充填材としては、例えば、アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；電気化学工業社製「ＵＦＰ−３０」；トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」；アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ６」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」；等が挙げられる。 Examples of the (B) inorganic filler as described above include "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Admatex Co., Ltd .; "UFP-30" manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd .; Tokuyama Corporation. "Silfil NSS-3N", "Silfil NSS-4N", "Silfil NSS-5N"; Admatex "SC2500SQ", "SO-C6", "SO-C4", "SO-C2", "SO" -C1 "; and the like.

（Ｂ）無機充填材は、適切な表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理されることにより、（Ｂ）無機充填材の耐湿性及び分散性を高めることができる。表面処理剤としては、例えば、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。 The inorganic filler (B) is preferably surface-treated with an appropriate surface treatment agent. By surface treatment, (B) the moisture resistance and dispersibility of the inorganic filler can be enhanced. Examples of the surface treatment agent include fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, silane-based coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, and titanates. Examples include system coupling agents.

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ２２」（ジメチルジメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。また、表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組合わせて用いてもよい。 Commercially available surface treatment agents include, for example, "KBM22" (dimethyldimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane), "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silane), "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-4803" (long-chain epoxy type) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silane coupling agent) and the like. Further, the surface treatment agent may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物中の（Ｂ）無機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、更に好ましくは７５質量％以上であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。（Ｂ）無機充填材の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。また、通常は、（Ｂ）無機充填材の量が、前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を低くでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、樹脂組成物の機械的強度、特に伸びを良好にできる。 The amount of the (B) inorganic filler in the resin composition is preferably 30% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, still more preferably 75% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. The above is preferably 95% by mass or less, more preferably 93% by mass or less, and further preferably 90% by mass or less. (B) When the amount of the inorganic filler is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Further, usually, when the amount of the (B) inorganic filler is not less than the lower limit of the above range, the coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin composition can be lowered, and it is not more than the upper limit of the above range. Thereby, the mechanical strength of the resin composition, particularly the elongation can be improved.

［４．（Ｃ）カーボンブラック］
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、ＤＢＰ吸収量が所定値以下であるカーボンブラックを含む。（Ｃ）カーボンブラックの具体的なＤＢＰ吸収量は、通常１３０ｃｍ３／１００ｇ以下、好ましくは１００ｃｍ３／１００ｇ以下、特に好ましくは８０ｃｍ３／１００ｇ以下である。このようにＤＢＰ吸収量が小さい（Ｃ）カーボンブラックは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材及び（Ｄ）高分子樹脂と組み合わせた場合に、当該（Ｃ）カーボンブラックの凝集を抑制できる。また、このような（Ｃ）カーボンブラックを含む樹脂組成物及びその硬化物の特性（樹脂組成物の最低溶融粘度、樹脂組成物の硬化物の発色及びガラス転移温度、等）は、他のカーボンブラックを（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材及び（Ｄ）高分子樹脂と組み合わせて得られる樹脂組成物の特性と同程度以上に優れる。したがって、（Ｃ）カーボンブラックを用いることにより、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物が実現できる。（Ｂ）無機充填材及び（Ｄ）高分子樹脂を含む樹脂組成物では一般にカーボンブラックが凝集し易い傾向があることに鑑みれば、前記の作用は、当業者にとって意外なものである。（Ｃ）カーボンブラックのＤＢＰ吸収量の下限は、特段の制限は無く、例えば、１０ｃｍ３／１００ｇ以上、２０ｃｍ３／１００ｇ以上、４０ｃｍ３／１００ｇ以上としてもよい。 [4. (C) Carbon black]
The resin composition of the present invention contains carbon black having a DBP absorption amount of a predetermined value or less as the component (C). (C) Specific DBP absorption of carbon black is usually 130 cm 3/100 g or less, preferably 100 cm 3/100 g or less, particularly preferably not more than 80 cm 3/100 g. As described above, (C) carbon black having a small amount of DBP absorption suppresses aggregation of (C) carbon black when combined with (A) epoxy resin, (B) inorganic filler and (D) polymer resin. it can. Further, the characteristics of the resin composition containing (C) carbon black and the cured product thereof (minimum melt viscosity of the resin composition, color development of the cured product of the resin composition, glass transition temperature, etc.) are determined by other carbons. It is as excellent as or better than the characteristics of the resin composition obtained by combining black with (A) epoxy resin, (B) inorganic filler and (D) polymer resin. Therefore, by using (C) carbon black, it is possible to realize a resin composition capable of suppressing the aggregation of carbon black while being well-balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature. The above action is surprising to those skilled in the art in view of the fact that carbon black generally tends to aggregate in a resin composition containing an inorganic filler (B) and a polymer resin (D). (C) the lower limit of the DBP absorption of carbon black is no particular restriction is not, for example, 10 cm 3/100 g or more, 20 cm 3/100 g or more, may be 40 cm 3/100 g or more.

（Ｃ）カーボンブラックのＤＢＰ吸収量は、ＪＩＳ Ｋ ６２１７−４：２０１７に規定された方法で測定できる。ＤＢＰ吸収量は、カーボンブラックの表面にある官能基の種類及び量、並びにカーボンブラックの比表面積等の要素に影響を受ける物性値であり、このＤＢＰ吸収量が、（Ｂ）無機充填材及び（Ｄ）高分子樹脂と混合した（Ｃ）カーボンブラックの分散性に相関があることは、従来は知られていなかった。 (C) The amount of DBP absorbed by carbon black can be measured by the method specified in JIS K 6217-4: 2017. The amount of DBP absorbed is a physical property value that is affected by factors such as the type and amount of functional groups on the surface of carbon black and the specific surface area of carbon black, and the amount of DBP absorbed is determined by (B) the inorganic filler and (B). D) It has not been conventionally known that there is a correlation with the dispersibility of (C) carbon black mixed with a polymer resin.

（Ｃ）カーボンブラックの平均粒径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは１５ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。一般に、平均粒径が小さいカーボンブラックは凝集を生じ易い傾向があるが、本発明の樹脂組成物では、通常、（Ｃ）カーボンブラックが小さくても凝集を抑制できる。よって、本発明の効果を有効に活用する観点では、（Ｃ）カーボンブラックとして前記のように平均粒径が小さいものを用いることが好ましい。また、前記のように平均粒径の小さい（Ｃ）カーボンブラックを用いることにより、樹脂組成物の硬化物の色の調整を容易に行うことができる。 The average particle size of (C) carbon black is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, particularly preferably 15 nm or more, preferably 300 nm or less, more preferably 100 nm or less, and particularly preferably 50 nm or less. In general, carbon black having a small average particle size tends to cause aggregation, but in the resin composition of the present invention, aggregation can be suppressed even if (C) carbon black is small. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the effects of the present invention, it is preferable to use (C) carbon black having a small average particle size as described above. Further, by using (C) carbon black having a small average particle size as described above, the color of the cured product of the resin composition can be easily adjusted.

前記の（Ｃ）カーボンブラックの平均粒径は、複数の（Ｃ）カーボンブラックが集まった二次粒子の平均粒径ではなく、個別の（Ｃ）カーボンブラックの一次粒子の平均粒径を表す。この（Ｃ）カーボンブラックの平均粒径は、（Ｃ）カーボンブラックを電子顕微鏡で観察して、その算術平均径として求めることができる。 The average particle size of the (C) carbon black is not the average particle size of the secondary particles in which a plurality of (C) carbon blacks are gathered, but represents the average particle size of the primary particles of the individual (C) carbon blacks. The average particle size of the (C) carbon black can be obtained as the arithmetic mean diameter of the (C) carbon black by observing it with an electron microscope.

（Ｃ）カーボンブラックのｐＨは、好ましくは１．０以上、より好ましくは２．０以上、特に好ましくは３．０以上であり、好ましくは７．０以下、より好ましくは６．０以下、特に好ましくは４．０以下である。このような範囲のｐＨを有する（Ｃ）カーボンブラックを用いることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、特に（Ｃ）カーボンブラックの凝集を効果的に抑制できる。 The pH of (C) carbon black is preferably 1.0 or more, more preferably 2.0 or more, particularly preferably 3.0 or more, preferably 7.0 or less, more preferably 6.0 or less, particularly. It is preferably 4.0 or less. By using (C) carbon black having a pH in such a range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and in particular, aggregation of (C) carbon black can be effectively suppressed.

（Ｃ）カーボンブラックのｐＨは、ＪＩＳ Ｋ ５１０１−１７−２：２００４に規定された方法で測定できる。 (C) The pH of carbon black can be measured by the method specified in JIS K 5101-17-2: 2004.

（Ｃ）カーボンブラックは、市販のカーボンブラックをそのまま用いてもよく、ＤＢＰ吸収量等の物性値が所定の範囲に収まるように複数の市販品を適切に混合して用いてもよい。カーボンブラックの市販品は、例えば、三菱化学社、東海カーボン社、旭カーボン社、新日化カーボン社、日本ピグメント社、トーヨーカラー社、御国色素社から入手できる。 As the carbon black (C), a commercially available carbon black may be used as it is, or a plurality of commercially available products may be appropriately mixed and used so that the physical property values such as the amount of absorbed DBP are within a predetermined range. Commercially available carbon black products can be obtained from, for example, Mitsubishi Chemical Corporation, Tokai Carbon Co., Ltd., Asahi Carbon Co., Ltd., Shin Nikka Carbon Co., Ltd., Nippon Pigment Co., Ltd., Toyo Color Co., Ltd., and Mikuni Color Co., Ltd.

樹脂組成物中の（Ｃ）カーボンブラックの量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．１５質量％以上、特に好ましくは０．２質量％以上であり、好ましくは３質量％以下、より好ましくは２．５質量％以下、特に好ましくは２質量％以下である。（Ｃ）カーボンブラックの量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。特に、（Ｃ）カーボンブラックの量が前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂組成物の硬化物を適切に着色でき、（Ｃ）カーボンブラックの量が前記範囲の上限値以下であることにより、（Ｃ）カーボンブラックの凝集を特に効果的に抑制できる。 The amount of (C) carbon black in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.15% by mass or more, and particularly preferably 0.15% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is 0.2% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 2.5% by mass or less, and particularly preferably 2% by mass or less. When the amount of (C) carbon black is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. In particular, when the amount of (C) carbon black is at least the lower limit of the above range, the cured product of the resin composition can be appropriately colored, and the amount of (C) carbon black is at least the upper limit of the above range. Therefore, the aggregation of (C) carbon black can be suppressed particularly effectively.

［５．（Ｄ）高分子樹脂］
本発明の樹脂組成物は、（Ｄ）成分として、ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂を含む。（Ｄ）成分を用いることにより、樹脂組成物の最低溶融粘度を低くできる。そのため、通常は、樹脂組成物層を備える樹脂シートのラミネート性を向上させることができる。詳細には、（Ｄ）高分子樹脂のガラス転移温度は、通常３０℃以下、好ましくは２０℃以下、更に好ましくは１０℃以下である。ガラス転移温度の下限値は、特に限定されないが、例えば−３０℃以上でありうる。また、（Ｄ）高分子樹脂を用いることにより、通常は、樹脂組成物の硬化物の弾性率を低くできるので、この硬化物で形成された封止層及び絶縁層のピール強度を向上させられる。また、（Ｄ）高分子樹脂は、通常、２５℃〜２２０℃の広い温度領域において線熱膨張係数が変化し難いので、樹脂組成物の硬化物の寸法安定性を高めることができる。 [5. (D) Polymer resin]
The resin composition of the present invention contains, as the component (D), a polymer resin having a glass transition temperature of 30 ° C. or lower. By using the component (D), the minimum melt viscosity of the resin composition can be lowered. Therefore, it is usually possible to improve the laminateability of the resin sheet provided with the resin composition layer. Specifically, the glass transition temperature of the polymer resin (D) is usually 30 ° C. or lower, preferably 20 ° C. or lower, and more preferably 10 ° C. or lower. The lower limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but may be, for example, −30 ° C. or higher. Further, by using the polymer resin (D), the elastic modulus of the cured product of the resin composition can usually be lowered, so that the peel strength of the sealing layer and the insulating layer formed of the cured product can be improved. .. Further, since the (D) polymer resin usually has a coefficient of linear thermal expansion that does not easily change in a wide temperature range of 25 ° C. to 220 ° C., the dimensional stability of the cured product of the resin composition can be improved.

（Ｄ）高分子樹脂としては、その分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、及びポリアクリル構造からなる群より選択される１種類以上の構造を有する化合物が好ましい。このような構造を有する（Ｄ）高分子樹脂を用いることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。また、このような構造を有する（Ｄ）高分子樹脂は、通常、柔軟性に優れるので、樹脂組成物の最低溶融粘度を効果的に下げることができる。さらに、このような構造を有する（Ｄ）高分子樹脂と組み合わせた場合に、一般にカーボンブラックは凝集し易い傾向があったが、上述した（Ｃ）カーボンブラックは凝集を生じ難い。よって、（Ｃ）カーボンブラックの凝集を効果的に抑制できるという効果を活用する観点から、（Ｄ）高分子樹脂としては、その分子内に前記の構造を有する化合物が好ましい。中でも、上述した効果を更に効果的に発揮する観点では、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造及びポリアクリル構造が好ましく、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造がより好ましく、ポリブタジエン構造及びポリカーボネート構造が特に好ましい。 The polymer resin (D) is selected from the group consisting of a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polyacrylic structure in the molecule. Compounds having one or more types of structures are preferred. By using the polymer resin (D) having such a structure, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Further, since the polymer resin (D) having such a structure is usually excellent in flexibility, the minimum melt viscosity of the resin composition can be effectively lowered. Further, when combined with the (D) polymer resin having such a structure, the carbon black generally tends to agglomerate, but the above-mentioned (C) carbon black is less likely to agglomerate. Therefore, from the viewpoint of utilizing the effect of (C) being able to effectively suppress the aggregation of carbon black, the (D) polymer resin is preferably a compound having the above-mentioned structure in its molecule. Among them, from the viewpoint of more effectively exerting the above-mentioned effects, polybutadiene structure, polysiloxane structure, polyisoprene structure, polyisobutylene structure, polycarbonate structure and polyacrylic structure are preferable, and polybutadiene structure, polyisoprene structure and polycarbonate structure are preferable. More preferably, a polybutadiene structure and a polycarbonate structure are particularly preferable.

ポリブタジエン構造には、ブタジエンを重合して形成される構造だけでなく、当該構造に水素添加して形成される構造も含む。また、ブタジエン構造は、その一部のみが水素添加されていてもよく、その全てが水素添加されていてもよい。さらに、ポリブタジエン構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリブタジエン構造を分子内に有する樹脂を、以下「ブタジエン樹脂」ということがある。ブタジエン樹脂としては、２５℃で液状であるか、または、ガラス転移温度が２５℃以下であるブタジエン樹脂が好ましい。 The polybutadiene structure includes not only a structure formed by polymerizing butadiene but also a structure formed by hydrogenating the structure. Further, only a part of the butadiene structure may be hydrogenated, or all of the butadiene structure may be hydrogenated. Further, the polybutadiene structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polybutadiene structure in the molecule may be hereinafter referred to as "butadiene resin". As the butadiene resin, a butadiene resin which is liquid at 25 ° C. or has a glass transition temperature of 25 ° C. or lower is preferable.

ポリシロキサン構造は、シロキサン結合を含む構造であり、例えばシリコーンゴムに含まれる。ポリシロキサン構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリシロキサン構造を分子内に有する樹脂を、以下「シロキサン樹脂」ということがある。 The polysiloxane structure is a structure containing a siloxane bond, and is contained in, for example, silicone rubber. The polysiloxane structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polysiloxane structure in the molecule may be hereinafter referred to as "siloxane resin".

ポリアルキレン構造は、所定の炭素原子数を有することが好ましい。ポリアルキレン構造の具体的な炭素原子数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、特に好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは６以下である。また、ポリアルキレン構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリアルキレン構造を分子内に有する樹脂を、以下「アルキレン樹脂」ということがある。 The polyalkylene structure preferably has a predetermined number of carbon atoms. The specific number of carbon atoms of the polyalkylene structure is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, particularly preferably 5 or more, preferably 15 or less, more preferably 10 or less, and particularly preferably 6 or less. Further, the polyalkylene structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polyalkylene structure in the molecule may be hereinafter referred to as "alkylene resin".

ポリアルキレンオキシ構造は、所定の炭素原子数を有することが好ましい。ポリアルキレンオキシ構造の具体的な炭素原子数は、好ましくは２以上、好ましくは３以上、より好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは６以下である。ポリアルキレンオキシ構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリアルキレンオキシ構造を分子内に有する樹脂を、以下「アルキレンオキシ樹脂」ということがある。 The polyalkyleneoxy structure preferably has a predetermined number of carbon atoms. The specific number of carbon atoms of the polyalkyleneoxy structure is preferably 2 or more, preferably 3 or more, more preferably 5 or more, preferably 15 or less, more preferably 10 or less, and particularly preferably 6 or less. The polyalkyleneoxy structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polyalkyleneoxy structure in the molecule may be hereinafter referred to as "alkyleneoxy resin".

ポリイソプレン構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリイソプレン構造を分子内に有する樹脂を、以下「イソプレン樹脂」ということがある。 The polyisoprene structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polyisoprene structure in the molecule may be hereinafter referred to as "isoprene resin".

ポリイソブチレン構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリイソブチレン構造を分子内に有する樹脂を、以下「イソブチレン樹脂」ということがある。 The polyisobutylene structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polyisobutylene structure in the molecule may be hereinafter referred to as "isobutylene resin".

ポリカーボネート構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリカーボネート構造を分子内に有する樹脂を、以下「カーボネート樹脂」ということがある。カーボネート樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましい。 The polycarbonate structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polycarbonate structure in the molecule may be hereinafter referred to as "carbonate resin". As the carbonate resin, a carbonate resin having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower is preferable.

ポリアクリル構造は、アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を含む化合物（アクリレート、メタクリレート等）が前記アクリロイル基又はメタクリロイル基で重合して形成される構造である。ポリアクリル構造は、（Ｄ）高分子樹脂の分子において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリアクリル構造を分子内に有する樹脂を、以下「アクリル樹脂」ということがある。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましい。 The polyacrylic structure is a structure formed by polymerizing a compound (acrylate, methacrylate, etc.) containing at least one of an acryloyl group and a methacryloyl group with the acryloyl group or the methacryloyl group. The polyacrylic structure may be contained in the main chain or the side chain in the molecule of the polymer resin (D). A resin having a polyacrylic structure in the molecule may be hereinafter referred to as "acrylic resin". As the acrylic resin, an acrylic resin having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower is preferable.

（Ｄ）高分子樹脂は、（Ａ）エポキシ樹脂と反応できる官能基を有することが好ましい。この官能基には、加熱によって現れる反応基も含める。（Ｄ）高分子樹脂が前記の官能基を有することにより、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を向上させることができる。 The polymer resin (D) preferably has a functional group capable of reacting with the epoxy resin (A). This functional group also includes reactive groups that appear upon heating. When the polymer resin (D) has the above-mentioned functional groups, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be improved.

前記の官能基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基、ウレタン基などが挙げられる。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、前記の官能基としては、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群より選択される１種類以上の官能基が好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。 Examples of the functional group include a hydroxy group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. Among them, from the viewpoint of remarkably obtaining the effect of the present invention, the functional group is one or more selected from the group consisting of a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. The functional group of is preferable, and the phenolic hydroxyl group is particularly preferable.

（Ｄ）高分子樹脂は、イミド構造を有することが好ましい。イミド構造を有することにより、（Ｄ）高分子樹脂の耐熱性を効果的に高めることができる。 The polymer resin (D) preferably has an imide structure. By having an imide structure, the heat resistance of the polymer resin (D) can be effectively enhanced.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい例としては、ブタジエン樹脂が挙げられる。ブタジエン樹脂の好ましい例としては、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂、ウレタン基含有ブタジエン樹脂が挙げられる。中でも、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂が更に好ましい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂等が挙げられる。また、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂としては、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂等が挙げられる。 A preferred example of the polymer resin (D) is a butadiene resin. Preferred examples of butadiene resin are hydride polybutadiene skeleton-containing resin, hydroxy group-containing butadiene resin, phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin, carboxy group-containing butadiene resin, acid anhydride group-containing butadiene resin, epoxy group-containing butadiene resin, and isocyanate group. Examples thereof include a butadiene resin containing butadiene resin and a butadiene resin containing a urethane group. Of these, a phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin is more preferable. Here, the "hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin" means a resin in which at least a part of the polybutadiene skeleton is hydrogenated, and the polybutadiene skeleton does not necessarily have to be a completely hydrogenated resin. Examples of the hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin include a hydrogenated polybutadiene skeleton-containing epoxy resin. Examples of the phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin include resins having a polybutadiene structure and having a phenolic hydroxyl group.

ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化合物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、等が挙げられる。 Specific examples of the butadiene resin include "Ricon 657" (polybutadiene containing an epoxy group), "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", and "Ricon 131MA10" manufactured by Clay Valley. "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", "Ricon 184MA6" (polybutadiene containing acid anhydride group), "JP-100", "JP-200" (epoxidized polybutadiene), "GQ-1000" (made by Nippon Soda Co., Ltd.) Polybutadiene with hydroxyl groups and carboxyl groups), "G-1000", "G-2000", "G-3000" (polybutadiene with hydroxyl groups at both ends), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" ( Hydroxyl-terminated polybutadiene at both ends), "PB3600", "PB4700" (polybutadiene skeleton epoxy compound), "Epofriend A1005", "Epofriend A1010", "Epofriend A1020" (styrene, butadiene, and styrene block) manufactured by Daicel. (Epoxy compound of copolymer), “FCA-061L” (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy compound) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, “R-45EPT” (polybutadiene skeleton epoxy compound), and the like.

また、好ましいブタジエン樹脂の例としては、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）も挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 Further, as an example of a preferable butadiene resin, a linear polyimide using a hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride as raw materials (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-37083, International Publication No. 2008/153208). ) Is also mentioned. The content of the polybutadiene structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, the description of JP-A-2006-37083 and International Publication No. 2008/153208 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい別の例としては、シロキサン樹脂が挙げられる。シロキサン樹脂の具体例としては、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。 Another preferable example of the polymer resin (D) is a siloxane resin. Specific examples of the siloxane resin include "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA", "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shinetsu Silicone Co., Ltd., amine group-terminated polysiloxane, and linear polyimides made from tetrabasic acid anhydride. International Publication No. 2010/053185) and the like can be mentioned.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、アルキレン樹脂及びアルキレンオキシ樹脂が挙げられる。アルキレン樹脂及びアルキレンオキシ樹脂の具体例としては、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、三菱化学社製の「ＹＸ−７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）、ＤＩＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製の「ＥＸＡ−４８５０−１５０」、「ＥＸＡ−４８１６」、「ＥＸＡ−４８２２」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−４０００」、「ＥＰ−４００３」、「ＥＰ−４０１０」、「ＥＰ−４０１１」、新日本理化社製の「ＢＥＯ−６０Ｅ」、「ＢＰＯ−２０Ｅ」、三菱化学社製の「ＹＬ７１７５」、「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。 Yet another preferred example of the (D) polymer resin is an alkylene resin and an alkyleneoxy resin. Specific examples of the alkylene resin and the alkyleneoxy resin include "PTXG-1000" and "PTXG-1800" manufactured by Asahi Kasei Fibers Co., Ltd. and "YX-7180" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (resins containing an alkylene structure having an ether bond). ), "EXA-4850-150", "EXA-4816", "EXA-4822" manufactured by DIC Corporation, "EP-4000", "EP-4003", "EP-4010", "EP-4010" manufactured by ADEKA. Examples include "EP-4011", "BEO-60E" and "BPO-20E" manufactured by Shin Nihon Rika Co., Ltd., "YL7175" and "YL7410" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、イソプレン樹脂が挙げられる。イソプレン樹脂の具体例としては、クラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ−６１３」等が挙げられる。 Yet another preferred example of the polymer resin (D) is an isoprene resin. Specific examples of the isoprene resin include "KL-610" and "KL-613" manufactured by Kuraray.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、イソブチレン樹脂が挙げられる。イソブチレン樹脂の具体例としては、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。 Yet another preferred example of the (D) polymer resin is isobutylene resin. Specific examples of the isobutylene resin include "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and "SIBSTAR-042D" (styrene-isobutylene block copolymer) manufactured by Kaneka.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、カーボネート樹脂が挙げられる。カーボネート樹脂の好ましい例としては、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂、ウレタン基含有カーボネート樹脂等が挙げられる。 As yet another preferable example of the polymer resin (D), a carbonate resin can be mentioned. Preferred examples of the carbonate resin are a hydroxy group-containing carbonate resin, a phenolic hydroxyl group-containing carbonate resin, a carboxy group-containing carbonate resin, an acid anhydride group-containing carbonate resin, an epoxy group-containing carbonate resin, an isocyanate group-containing carbonate resin, and a urethane group-containing. Examples include carbonate resin.

カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。 Specific examples of the carbonate resin include "T6002" and "T6001" (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, and "C-1090", "C-2090" and "C-3090" (polycarbonate diol) manufactured by Kuraray. And so on.

また、好ましいカーボネート樹脂の例としては、ヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドも挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 Further, as an example of a preferable carbonate resin, a linear polyimide made from a hydroxyl group-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride can be mentioned. The content of the polycarbonate structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, the description of International Publication No. 2016/129541 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、アクリル樹脂が挙げられる。アクリル樹脂の好ましい例としては、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂、ウレタン基含有アクリル樹脂等が挙げられる。 As yet another preferable example of the polymer resin (D), an acrylic resin can be mentioned. Preferred examples of the acrylic resin are a hydroxy group-containing acrylic resin, a phenolic hydroxyl group-containing acrylic resin, a carboxy group-containing acrylic resin, an acid anhydride group-containing acrylic resin, an epoxy group-containing acrylic resin, an isocyanate group-containing acrylic resin, and a urethane group-containing resin. Examples include acrylic resin.

アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３」、「ＳＧ−７００ＡＳ」、「ＳＧ−２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５〜３４ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量４０万〜９０万、Ｔｇ−３０℃〜５℃）、「ＳＧ−８０Ｈ」、「ＳＧ−８０Ｈ−３」、「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１〜１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万〜８５万、Ｔｇ１１℃〜１２℃）、「ＳＧ−６００ＴＥＡ」、「ＳＧ−７９０」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万〜１２０万、Ｔｇ−３７℃〜−３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ−１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。 Specific examples of the acrylic resin include Teisan resins "SG-70L", "SG-708-6", "WS-023", "SG-700AS", and "SG-280TEA" (carboxy group) manufactured by Nagase ChemteX Corporation. Containing acrylic acid ester copolymer resin, acid value 5 to 34 mgKOH / g, weight average molecular weight 400,000 to 900,000, Tg-30 ° C to 5 ° C), "SG-80H", "SG-80H-3", " "SG-P3" (epoxide group-containing acrylic ester copolymer resin, epoxy equivalent 4761 to 14285 g / eq, weight average molecular weight 350,000 to 850,000, Tg 11 ° C to 12 ° C), "SG-600TEA", "SG-790" (Hydroxy group-containing acrylic ester copolymer resin, hydroxyl value 20-40 mgKOH / g, weight average molecular weight 500,000-1.2 million, Tg-37 ° C--32 ° C), "ME-2000" manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. , "W-116.3" (carboxy group-containing acrylic acid ester copolymer resin), "W-197C" (hydroxyl group-containing acrylic acid ester copolymer resin), "KG-25", "KG-3000" ( Epoxide group-containing acrylic acid ester copolymer resin) and the like.

（Ｄ）高分子樹脂の好ましい更に別の例としては、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム社製）；スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）；パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）；等が挙げられる。ポリアミド微粒子としては、ナイロン等の脂肪族ポリアミド、ポリアミドイミド等の柔軟な骨格を有するものを用いることができる。ポリアミド微粒子の具体例を挙げると、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ ２０７０（ダイセルヒュルス社製）；ＳＰ５００（東レ社製）；等が挙げられる。 Still more preferable examples of the polymer resin (D) include acrylic rubber particles, polyamide fine particles, silicone particles and the like. Specific examples of the acrylic rubber particles include fine particles of a resin that is insoluble and insoluble in an organic solvent by subjecting a resin exhibiting rubber elasticity such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber, and acrylic rubber to a chemical cross-linking treatment. Specific examples of acrylic rubber particles include XER-91 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.); Staphyroid AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.); Pararoid EXL2655, EXL2602 (manufactured by Kureha). (Manufactured by Chemical Industry Co., Ltd.); As the polyamide fine particles, aliphatic polyamides such as nylon and those having a flexible skeleton such as polyamide-imide can be used. Specific examples of the polyamide fine particles include VESTOSINT 2070 (manufactured by Daicel Huls); SP500 (manufactured by Toray Industries, Inc.); and the like.

（Ｄ）高分子樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 The polymer resin (D) may be used alone or in combination of two or more.

（Ｄ）高分子樹脂は、優れた柔軟性を発揮する観点から、高分子量であることが好ましい。（Ｄ）高分子樹脂の具体的な数平均分子量Ｍｎは、好ましくは４０００以上、より好ましくは４５００以上、更に好ましくは５０００以上、特に好ましくは５５００以上であり、好ましくは１０００００以下、より好ましくは９５０００以下、特に好ましくは９００００以下である。（Ｄ）高分子樹脂の数平均分子量Ｍｎが前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。（Ｄ）高分子樹脂の数平均分子量Ｍｎは、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The polymer resin (D) preferably has a high molecular weight from the viewpoint of exhibiting excellent flexibility. The specific number average molecular weight Mn of the polymer resin (D) is preferably 4000 or more, more preferably 4500 or more, further preferably 5000 or more, particularly preferably 5500 or more, preferably 100,000 or less, and more preferably 95,000. Below, it is particularly preferably 90,000 or less. When the number average molecular weight Mn of the polymer resin (D) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. (D) The number average molecular weight Mn of the polymer resin is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured by using GPC (gel permeation chromatography).

（Ｄ）高分子樹脂が官能基を有する場合、（Ｄ）高分子樹脂の官能基当量は、好ましくは１００以上、より好ましくは２００以上、更に好ましくは１０００以上、特に好ましくは２５００以上であり、好ましくは５００００以下、より好ましくは３００００以下、更に好ましくは１００００以下、特に好ましくは５０００以下である。官能基当量は、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。また、例えば、水酸基当量はＪＩＳ Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。 When the polymer resin (D) has a functional group, the functional group equivalent of the polymer resin (D) is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, still more preferably 1000 or more, and particularly preferably 2500 or more. It is preferably 50,000 or less, more preferably 30,000 or less, still more preferably 10,000 or less, and particularly preferably 5,000 or less. The functional group equivalent is the number of grams of the resin containing 1 gram equivalent of the functional group. For example, the epoxy group equivalent can be measured according to JIS K7236. Further, for example, the hydroxyl group equivalent can be calculated by dividing the molecular weight of KOH by the hydroxyl value measured according to JIS K1557-1.

樹脂組成物中の（Ｄ）高分子樹脂の量は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．２質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、特に好ましくは０．４質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。（Ｄ）高分子樹脂の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。特に、（Ｄ）高分子樹脂の量が、前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂組成物の最低溶融粘度を効果的に低くでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を高くして耐熱性を向上させることができる。 The amount of the polymer resin (D) in the resin composition is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, particularly preferably 0.3% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is 0.4% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. When the amount of the polymer resin (D) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. In particular, when the amount of the polymer resin (D) is not less than the lower limit of the above range, the minimum melt viscosity of the resin composition can be effectively lowered, and when it is not more than the upper limit of the above range. The heat resistance can be improved by increasing the glass transition temperature of the cured product of the resin composition.

［６．（Ｅ）硬化剤］
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｅ）硬化剤を含んでいてもよい。（Ｅ）硬化剤は、通常、（Ａ）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。（Ｅ）硬化剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組合わせて用いてもよい。 [6. (E) Hardener]
The resin composition may contain (E) a curing agent as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. The curing agent (E) usually has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition. (E) As the curing agent, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

（Ｅ）成分としての硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（Ｅ）硬化剤としては、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤が好ましく、フェノール系硬化剤及び活性エステル系硬化剤がより好ましい。 Examples of the curing agent as the component (E) include an active ester-based curing agent, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, and a carbodiimide-based curing agent. Among them, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, as the (E) curing agent, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent and a cyanate ester-based curing agent are preferable, and a phenol-based curing agent is preferable. Agents and active ester-based curing agents are more preferred.

活性エステル系硬化剤としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。 As the active ester-based curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester-based curing agent, two or more ester groups having high reactive activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds are contained in one molecule. The compound having is preferable. The active ester-based curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. ..

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。 Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyromellitic acid and the like.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-. Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenol, trihydroxybenzophenol, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglusin, Examples thereof include benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compounds, and phenol novolac. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two phenol molecules with one dicyclopentadiene molecule.

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。 Preferred specific examples of the active ester-based curing agent include an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and a benzoyl product of phenol novolac. Examples include active ester compounds containing. Of these, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structure composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）；等が挙げられる。 Commercially available products of active ester-based curing agents include, for example, "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", and "HPC-" as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. "8000H-65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC); "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; "DC808" as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac. (Made by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.); "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester-based curing agent which is an acetylated product of phenol novolac. ); Examples of the active ester-based curing agent which is a benzoylated product of phenol novolac include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。 As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」；日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」；新日鉄住金社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」；ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」；群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。 Specific examples of the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810", and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kayaku Co., Ltd .; "NHN" and "CBN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "GPH"; "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495V", "SN375", "SN395" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation; "TD-" manufactured by DIC Corporation. 2090, "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500", "HPC-9500", "KA-1160", "KA-" 1163 "," KA-1165 ";" GDP-6115L "," GDP-6115H "manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd. and the like can be mentioned.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。 Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd., "Pd" and "FA" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。 Examples of the cyanate ester-based curing agent include bisphenol A disicianate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis (2,6-dimethylphenylcyanate), and 4,4. '-Etilidene diphenyl disianate, hexafluorobisphenol A disyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether; Examples thereof include polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac, cresol novolac, and the like; prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined. Specific examples of the cyanate ester-based curing agent include "PT30" and "PT60" (both are phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), "BA230", and "BA230S75" (part of bisphenol A disocyanate) manufactured by Lonza Japan. Alternatively, a prepolymer in which all of the triazine is converted into a trimer) and the like can be mentioned.

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。 Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

樹脂組成物が（Ｅ）硬化剤を含む場合、（Ｅ）硬化剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、特に好ましくは２．０質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。（Ｅ）成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。 When the resin composition contains (E) a curing agent, the amount of the (E) curing agent is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1.% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is 0% by mass or more, particularly preferably 2.0% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. When the amount of the component (E) is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained.

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数を１とした場合、（Ｅ）硬化剤の活性基数は、好ましくは０．１０以上、より好ましくは０．１５以上、更に好ましくは０．２０以上であり、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、更に好ましくは１．０以下である。ここで、「（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する（Ａ）エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「（Ｂ）硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する（Ｅ）硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基数を１とした場合の（Ｅ）硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、更に通常は、樹脂組成物層の硬化物の耐熱性がより向上する。 When the number of epoxy groups of the (A) epoxy resin is 1, the number of active groups of the (E) curing agent is preferably 0.10 or more, more preferably 0.15 or more, still more preferably 0.20 or more, and is preferable. Is 2 or less, more preferably 1.5 or less, still more preferably 1.0 or less. Here, the "(A) number of epoxy groups of the epoxy resin" is a total value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. The "(B) number of active groups of the curing agent" is a total value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (E) curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. When the number of active groups of the (E) curing agent is in the above range when the number of epoxy groups of the (A) epoxy resin is 1, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and more usually, the resin composition. The heat resistance of the cured product of the material layer is further improved.

［７．（Ｆ）硬化促進剤］
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｆ）硬化促進剤を含んでいてもよい。（Ｆ）硬化促進剤を用いることにより、樹脂組成物を硬化させる際に硬化を促進できる。 [7. (F) Curing accelerator]
The resin composition may contain (F) a curing accelerator in addition to the above-mentioned components as an arbitrary component. By using the (F) curing accelerator, curing can be accelerated when the resin composition is cured.

（Ｆ）成分としての硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましい。中でも、本発明の効果を顕著に発揮する観点では、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化促進剤が特に好ましい。硬化促進剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the curing accelerator as the component (F) include a phosphorus-based curing accelerator, an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a guanidine-based curing accelerator, a metal-based curing accelerator, and the like. Curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are preferable. Among them, from the viewpoint of remarkably exerting the effect of the present invention, an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, and a metal-based curing accelerator are preferable, and an imidazole-based curing accelerator is particularly preferable. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。中でも、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。 Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like. Of these, triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられる。中でも、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。 Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, and 1,8-diazabicyclo. (5, 4, 0) -Undesen and the like can be mentioned. Of these, 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。中でも、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecyl imidazole, 2-heptadecyl imidazole, 1,2-dimethyl imidazole, 2-ethyl-4-methyl imidazole, 2-phenyl imidazole, 2-. Phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecyl imidazolium trimerite, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimerite, 2,4-diamino-6 -[2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2, 4-Diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')] -ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')] -Ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline and other imidazole compounds, imidazole compounds and epoxy resins Adduct body can be mentioned. Of these, 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」；四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」；等が挙げられる。 As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and examples thereof include "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "1B2PZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation; and the like.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。中でも、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。 Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, and the like. Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide and the like can be mentioned. Of these, dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferable.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organic metal complex include an organic cobalt complex such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, an organic copper complex such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Examples thereof include organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate and the like.

樹脂組成物が（Ｆ）硬化促進剤を含む場合、（Ｆ）硬化促進剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０３質量％以上、特に好ましくは０．０５質量％以上であり、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１．５質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。 When the resin composition contains (F) a curing accelerator, the amount of the (F) curing accelerator is based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. It is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.03% by mass or more, particularly preferably 0.05% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 1.5% by mass or less, and particularly preferably. Is 1% by mass or less.

［８．（Ｇ）熱可塑性樹脂］
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｇ）熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。 [8. (G) Thermoplastic resin]
The resin composition may contain (G) a thermoplastic resin as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components.

（Ｇ）成分としての熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソプレン樹脂、イソブチレン樹脂、カーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。 Examples of the thermoplastic resin as the component (G) include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, butadiene resin, siloxane resin, alkylene resin, alkyleneoxy resin, isoprene resin, isobutylene resin, carbonate resin, acrylic resin, and polyimide. Examples thereof include resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyphenylene ether resins, polyether ether ketone resins, and polyester resins.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。 Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetphenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantan skeleton, and terpen Examples thereof include a phenoxy resin having one or more kinds of skeletons selected from the group consisting of a skeleton and a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.

フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）；三菱化学社製の「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）；三菱化学社製の「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」；三菱化学社製の「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１ＢＨ３０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。 Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (both are bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins); "YX8100" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin); "YX6954" (bisphenol acetophenone skeleton-containing phenoxy resin); "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd .; "YX6954BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. Examples thereof include "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7891BH30" and "YL7482".

（Ｇ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは８，０００以上、より好ましくは１０，０００以上、特に好ましくは２０，０００以上であり、好ましくは７０，０００以下、より好ましくは６０，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。（Ｇ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、ＧＰＣを使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The weight average molecular weight Mw of the (G) thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, and particularly preferably 20,000 or more, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. It is preferably 70,000 or less, more preferably 60,000 or less, and particularly preferably 50,000 or less. (G) The weight average molecular weight Mw of the thermoplastic resin is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured using GPC.

樹脂組成物が（Ｇ）熱可塑性樹脂を含む場合、樹脂組成物における（Ｇ）熱可塑性樹脂の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下である。 When the resin composition contains (G) thermoplastic resin, the amount of (G) thermoplastic resin in the resin composition is 100 mass by mass of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. % By 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, still more preferably 0.3% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less. , More preferably 5% by mass or less.

［９．（Ｈ）難燃剤］
樹脂組成物は、任意の成分として、上述した成分以外に（Ｈ）難燃剤を含んでいてもよい。 [9. (H) Flame Retardant]
The resin composition may contain (H) a flame retardant in addition to the above-mentioned components as an arbitrary component.

（Ｈ）難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種類単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。 Examples of the flame retardant (H) include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. One type of flame retardant may be used alone, or two or more types may be used in combination.

（Ｈ）難燃剤の具体例としては、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。難燃剤としては加水分解しにくいものが好ましく、例えば、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド等が好ましい。 Specific examples of the (H) flame retardant include "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd. and "PX-200" manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. As the flame retardant, one that is hard to hydrolyze is preferable, and for example, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and the like are preferable.

樹脂組成物が（Ｈ）難燃剤を含有する場合、（Ｈ）難燃剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下である。 When the resin composition contains (H) flame retardant, the amount of (H) flame retardant is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. .1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, still more preferably 5% by mass or less.

［１０．（Ｉ）任意の添加剤］
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として更に添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物；バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤；などが挙げられる。これらの添加剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 [10. (I) Any additive]
The resin composition may further contain an additive as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. Examples of such additives include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; and resin additives such as binders, thickeners, defoamers, leveling agents, and adhesion-imparting agents; And so on. These additives may be used alone or in combination of two or more.

［１１．樹脂組成物の製造方法］
樹脂組成物は、例えば、配合成分を、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。 [11. Method for manufacturing resin composition]
The resin composition can be produced, for example, by a method of stirring the compounding components using a stirring device such as a rotary mixer.

［１２．樹脂組成物の特性］
上述した樹脂組成物によれば、最低溶融粘度を低くできる。そのため、樹脂組成物を用いた樹脂シートのラミネート性を良好にできる。（Ｂ）無機充填材によれば樹脂組成物の硬化物の絶縁性能及び封止性能を向上させることができるが、一般に、（Ｂ）無機充填材を含む組成物は溶融粘度が高くなり、ラミネート性が損なわれる傾向がある。これに対し、上述した樹脂組成物では、（Ｄ）高分子樹脂を用いたことにより、（Ｂ）無機充填材を用いながらも溶融粘度を低くできるので、良好なラミネート性を達成できる。樹脂組成物の具体的な最低溶融粘度は、好ましくは３００００ｐｏｉｓｅ以下、より好ましくは２００００ｐｏｉｓｅ以下、更に好ましくは１２０００ｐｏｉｓｅ以下である。樹脂組成物の最低溶融粘度の下限は、特段の制限は無いが、例えば１００ｐｏｉｓｅ以上でありうる。樹脂組成物の最低溶融粘度は、実施例に記載の方法によって測定できる。 [12. Characteristics of resin composition]
According to the resin composition described above, the minimum melt viscosity can be lowered. Therefore, the laminating property of the resin sheet using the resin composition can be improved. According to (B) the inorganic filler, the insulating performance and the sealing performance of the cured product of the resin composition can be improved, but in general, the composition containing the (B) inorganic filler has a high melt viscosity and is laminated. Sex tends to be impaired. On the other hand, in the resin composition described above, by using the polymer resin (D), the melt viscosity can be lowered while using the inorganic filler (B), so that good laminating property can be achieved. The specific minimum melt viscosity of the resin composition is preferably 30,000 poise or less, more preferably 20,000 poise or less, still more preferably 12,000 poise or less. The lower limit of the minimum melt viscosity of the resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 100 poise or more. The minimum melt viscosity of the resin composition can be measured by the method described in Examples.

上述した樹脂組成物によれば、ガラス転移温度が高い硬化物を得られる。そのため、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を良好にできるので、耐熱性に優れた絶縁層及び封止層を得ることができる。例えば、樹脂組成物を実施例に記載の条件で熱硬化させて得た硬化物の具体的なガラス転移温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１４５℃以上、特に好ましくは１５０℃以上である。樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度の上限は、特段の制限は無いが、例えば３００℃以下でありうる。樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、実施例に記載の方法によって測定できる。 According to the resin composition described above, a cured product having a high glass transition temperature can be obtained. Therefore, the heat resistance of the cured product of the resin composition can be improved, so that an insulating layer and a sealing layer having excellent heat resistance can be obtained. For example, the specific glass transition temperature of the cured product obtained by thermally curing the resin composition under the conditions described in Examples is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 145 ° C. or higher, and particularly preferably 150 ° C. or higher. is there. The upper limit of the glass transition temperature of the cured product of the resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 300 ° C. or lower. The glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be measured by the method described in Examples.

上述した樹脂組成物によれば、カーボンブラックが着色剤として機能するので、当該カーボンブラックを用いる用途に応じた適切な発色が得られる。通常、カーボンブラックが黒色顔料として機能するので、樹脂組成物の硬化物の色を、黒色又はそれに近い色にすることができる。例えば、実施例に記載の方法で樹脂組成物の硬化物によって絶縁層を形成した場合に、黒色の絶縁層が得られる。具体的には、前記の絶縁層のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における座標Ｌ＊と、白色標準板としての酸化アルミニウム製白色板のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における座標Ｌ＊との差ΔＬ＊は、好ましくは−１００以上であり、好ましくは−４０以下、より好ましくは−５０以下、特に好ましくは−６０以下である。さらに、前記の絶縁層のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における座標ｂ＊と、白色標準板としての酸化アルミニウム製白色板のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における座標ｂ＊との差Δｂ＊は、好ましくは−２０以上、より好ましくは−１５以上、特に好ましくは−１０以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、特に好ましくは１０以下である。 According to the resin composition described above, since carbon black functions as a colorant, appropriate color development can be obtained according to the application in which the carbon black is used. Since carbon black usually functions as a black pigment, the color of the cured product of the resin composition can be black or a color close to it. For example, when the insulating layer is formed by the cured product of the resin composition by the method described in Examples, a black insulating layer is obtained. Specifically, the coordinates L * in the L * a * b * color system of the insulating layer, and the coordinates L * in the L * a * b * color system of the aluminum oxide white plate as a white standard plate The difference ΔL * is preferably -100 or more, preferably -40 or less, more preferably -50 or less, and particularly preferably -60 or less. Further, the difference Δb between the coordinates b * in the L * a * b * color system of the insulating layer and the coordinates b * in the L * a * b * color system of the aluminum oxide white plate as the white standard plate. * Is preferably −20 or more, more preferably -15 or more, particularly preferably -10 or more, preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and particularly preferably 10 or less.

上述した樹脂組成物は、カーボンブラックの凝集を抑制できる。従来、（Ｂ）無機充填材及び（Ｄ）高分子樹脂を含む樹脂組成物においては一般にカーボンブラックは凝集を生じ易かったので、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の優れた特性とカーボンブラックの凝集抑制との両方を達成することは、困難であった。これに対し、上述した樹脂組成物によれば、（Ｂ）無機充填材及び（Ｄ）高分子樹脂と組み合わせた場合であっても（Ｃ）カーボンブラックの凝集の抑制が可能である。したがって、前記のように発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、（Ｃ）カーボンブラックの凝集による欠点の発生を抑制することができる。具体的には、樹脂組成物層を形成した場合に、最大長１００μｍを超える（Ｃ）カーボンブラックの凝集物の発生頻度を減らすことが可能である。 The above-mentioned resin composition can suppress the aggregation of carbon black. Conventionally, in a resin composition containing (B) an inorganic filler and (D) a polymer resin, carbon black is generally prone to agglomeration. Therefore, carbon black has excellent properties such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature. It was difficult to achieve both the suppression of aggregation and the suppression of aggregation. On the other hand, according to the above-mentioned resin composition, it is possible to suppress the aggregation of (C) carbon black even when it is combined with (B) an inorganic filler and (D) a polymer resin. Therefore, while the characteristics such as color development, minimum melt viscosity, and glass transition temperature are well-balanced as described above, it is possible to suppress the occurrence of defects due to the aggregation of (C) carbon black. Specifically, when the resin composition layer is formed, it is possible to reduce the frequency of occurrence of agglomerates of (C) carbon black having a maximum length of more than 100 μm.

上述した樹脂組成物の硬化物は、通常、優れた絶縁性能を有する。（Ｂ）無機充填材によって優れた絶縁性能が得られることに加え、カーボンブラックの凝集を抑制できるので、カーボンブラックの凝集物による絶縁性の低下を抑制できる。また、カーボンブラックの凝集物の発生を抑制できるので、薄い絶縁層の材料として樹脂組成物を用いることが可能である。 The cured product of the above-mentioned resin composition usually has excellent insulating performance. (B) In addition to obtaining excellent insulating performance by the inorganic filler, the agglomeration of carbon black can be suppressed, so that the deterioration of the insulating property due to the agglomerates of carbon black can be suppressed. Further, since the generation of carbon black agglomerates can be suppressed, it is possible to use a resin composition as a material for a thin insulating layer.

上述した樹脂組成物の硬化物は、通常、優れた封止性能を有する。（Ｂ）無機充填材によって優れた封止性能が得られることに加え、カーボンブラックの凝集を抑制できるので、カーボンブラックの凝集物を起点としたクラックの発生を抑制でき、クラックによる封止性の低下を抑制できる。 The cured product of the above-mentioned resin composition usually has excellent sealing performance. (B) In addition to obtaining excellent sealing performance by the inorganic filler, the aggregation of carbon black can be suppressed, so that the generation of cracks starting from the agglomerates of carbon black can be suppressed, and the sealing property due to cracks can be suppressed. The decrease can be suppressed.

［１３．樹脂組成物の用途］
上述した利点を活用して、前記の樹脂組成物の硬化物により、封止層及び絶縁層を形成することができる。よって、この樹脂組成物は、半導体封止用又は絶縁層用の樹脂組成物として用いることができる。 [13. Uses of resin composition]
Taking advantage of the above-mentioned advantages, the sealing layer and the insulating layer can be formed by the cured product of the resin composition. Therefore, this resin composition can be used as a resin composition for semiconductor encapsulation or an insulating layer.

例えば、前記の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、及び、回路基板（プリント配線板を含む。）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として、好適に使用することができる。 For example, the resin composition is used to insulate a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package) and a circuit board (including a printed wiring board). It can be suitably used as a resin composition for forming a layer (resin composition for an insulating layer of a circuit board).

また、例えば、前記の樹脂組成物は、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップの封止用樹脂組成物）として、好適に使用することができる。 Further, for example, the resin composition can be suitably used as a resin composition for encapsulating a semiconductor chip (resin composition for encapsulating a semiconductor chip).

前記の樹脂組成物の硬化物で形成された封止層又は絶縁層を適用できる半導体チップパッケージとしては、例えば、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰが挙げられる。 Examples of the semiconductor chip package to which the sealing layer or the insulating layer formed of the cured product of the resin composition can be applied include FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, and Fan-out type WLP (Wafer). Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), Fan-in type PLP, and the like.

また、前記の樹脂組成物は、アンダーフィル材として用いてもよく、例えば、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）の材料として用いてもよい。 Further, the resin composition may be used as an underfill material, and may be used, for example, as a material for MUF (Molding Under Filling) used after connecting a semiconductor chip to a substrate.

さらに、前記の樹脂組成物は、樹脂シート、プリプレグ等のシート状積層材料、ソルダーレジスト、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、樹脂組成物が用いられる広範な用途に使用できる。 Further, the resin composition can be used in a wide range of applications in which the resin composition is used, such as a sheet-like laminated material such as a resin sheet and a prepreg, a solder resist, a die bonding material, a hole filling resin, and a component filling resin.

［１４．樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。 [14. Resin sheet]
The resin sheet of the present invention has a support and a resin composition layer provided on the support. The resin composition layer is a layer containing the resin composition of the present invention, and is usually formed of the resin composition.

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下、又は、４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上、等でありうる。 From the viewpoint of thinning, the thickness of the resin composition layer is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less, 80 μm or less, 60 μm or less, 50 μm or less, or 40 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, and may be, for example, 1 μm or more, 5 μm or more, 10 μm or more, and the like.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a paper pattern, and a film made of a plastic material and a metal leaf are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル；ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）；ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」と略称することがある。）等のアクリルポリマー；環状ポリオレフィン；トリアセチルセルロース（以下「ＴＡＣ」と略称することがある。）；ポリエーテルサルファイド（以下「ＰＥＳ」と略称することがある。）；ポリエーテルケトン；ポリイミド；等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material may be, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter, may be abbreviated as "PET") or polyethylene naphthalate (hereinafter, abbreviated as "PEN"). Polyethylene such as (.); Polyethylene (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"); Acrylic polymer such as polymethylmethacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"); Cyclic polyolefin; Triacetylcellulose (hereinafter referred to as "PMMA"). "TAC" may be abbreviated.); Polyether sulfide (hereinafter, may be abbreviated as "PES"); Polyether ketone; Polyethylene; and the like. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。 When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. Of these, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. You may use it.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電抑制処理等の処理が施されていてもよい。 The surface of the support to be joined to the resin composition layer may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, or a charge suppression treatment.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤としてのリンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」；等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be joined with the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used for the release layer of the support with the release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin. .. Examples of commercially available release agents include "SK-1", "AL-5", "AL-7"; and the like manufactured by Lintec Corporation as alkyd resin-based mold release agents. Examples of the support with a release layer include "Lumirror T60" manufactured by Toray Industries, Inc., "Purex" manufactured by Teijin Ltd., and "Unipee" manufactured by Unitika Ltd.

支持体の厚みとしては、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. When a support with a release layer is used, the thickness of the entire support with a release layer is preferably in the above range.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。 For the resin sheet, for example, a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent is prepared, the resin varnish is applied onto a support using a coating device such as a die coater, and the resin composition layer is further dried. Can be produced by forming the above.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶剤；等を挙げることができる。有機溶剤は、１種類単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; acetate solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; cellosolve and butyl carbitol and the like. Carbitol solvent; aromatic hydrocarbon solvent such as toluene and xylene; amide solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように行う。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be carried out by a known method such as heating or blowing hot air. Drying is carried out so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it depends on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent is used, the resin composition is obtained by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 to 10 minutes. A material layer can be formed.

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制できる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートが使用可能となる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。 The resin sheet may include any layer other than the support and the resin composition layer, if necessary. For example, in the resin sheet, a protective film similar to the support may be provided on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. The protective film can prevent dust and the like from adhering to the surface of the resin composition layer and scratches. When the resin sheet has a protective film, the resin sheet can be used by peeling off the protective film. The resin sheet can be rolled up and stored.

樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。 The resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer in the manufacture of a semiconductor chip package (resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package). For example, the resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board (resin sheet for an insulating layer of a circuit board), and an interlayer insulating layer in which a conductor layer is formed by plating is formed on the resin sheet. Therefore, it can be more preferably used (for an interlayer insulating layer of a circuit board that forms a conductor layer by plating). Examples of packages using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

また、樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または、半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができる。適用可能な半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等が挙げられる。 Further, the resin sheet can be suitably used for encapsulating a semiconductor chip (resin sheet for encapsulating a semiconductor chip) or for forming wiring on a semiconductor chip (resin sheet for forming a semiconductor chip wiring). .. Examples of applicable semiconductor chip packages include Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), Fan-in type PLP and the like.

また、樹脂シートは、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦの材料に用いてもよい。 Further, the resin sheet may be used as a material for MUF used after connecting the semiconductor chip to the substrate.

さらに、樹脂シートは、高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途に使用できる。例えば、樹脂シートは、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。 In addition, the resin sheet can be used in a wide range of other applications where high insulation reliability is required. For example, the resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed wiring board.

［１５．回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。この回路基板は、例えば、下記の工程（１）及び工程（２）を含む製造方法によって、製造できる。
（１）基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。 [15. Circuit board]
The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the resin composition of the present invention. This circuit board can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (1) and (2).
(1) A step of forming a resin composition layer on a base material.
(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

工程（１）では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」）が挙げられる。 In step (1), a base material is prepared. Examples of the base material include a glass epoxy substrate, a metal substrate (stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC), etc.), a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a heat-curable polyphenylene ether substrate, and the like. Further, the base material may have a metal layer such as copper foil on the surface as a part of the base material. For example, a base material having a peelable first metal layer and a second metal layer on both surfaces may be used. When such a base material is used, a conductor layer as a wiring layer that can function as a circuit wiring is usually formed on a surface of the second metal layer opposite to the first metal layer. Examples of the base material having such a metal layer include an ultrathin copper foil "Micro Tin" with a carrier copper foil manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.).

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属であってもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種類以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が更に好ましい。 Further, a conductor layer may be formed on one or both surfaces of the base material. In the following description, a member including a base material and a conductor layer formed on the surface of the base material may be referred to as a “base material with a wiring layer”. As the conductor material contained in the conductor layer, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Materials containing the above metals can be mentioned. As the conductor material, a single metal may be used, or an alloy may be used. Examples of the alloy include alloys of two or more kinds of metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy and copper-titanium alloy). Among them, from the viewpoint of versatility, cost, ease of patterning, etc. of conductor layer formation, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and nickel-chromium alloy, copper -Nickyl alloy, copper-titanium alloy; is preferable. Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal; and nickel-chromium alloy; are more preferable, and copper single metal is further preferable.

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン形成されていてもよい。この際、導体層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。 The conductor layer may be patterned, for example, to function as a wiring layer. At this time, the line (circuit width) / space (width between circuits) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less, and further. It is preferably 5/5 μm or less, more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5 / 0.5 μm or more. The pitch does not have to be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

導体層の厚みは、回路基板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、特に好ましくは１５〜２０μｍである。また、絶縁層の形成後に絶縁層を研磨又は研削し、導体層を露出させて導体層の層間接続を行う場合、層間接続を行う導体層と、層間接続を行わない導体層とは、厚みが異なっていることが好ましい。各導体層のうち、最も厚い導体層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは２μｍ以上１００μｍ以下である。導体層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。また、層間接続される導体層は、凸型となっていてもよい。 The thickness of the conductor layer depends on the design of the circuit board, but is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, still more preferably 10 to 20 μm, and particularly preferably 15 to 20 μm. Further, when the insulating layer is polished or ground after the insulating layer is formed to expose the conductor layer and the conductor layer is interconnected, the thickness of the conductor layer to be interconnected and the conductor layer not to be interconnected are thick. It is preferable that they are different. The thickness of the thickest conductor layer (conductive pillar) among the conductor layers is preferably 2 μm or more and 100 μm or less, although it depends on the desired wiring board design. The thickness of the conductor layer can be adjusted by repeating the above-mentioned pattern formation. Further, the conductor layer connected between layers may be convex.

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、製造できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去してもよい。 The conductor layer is, for example, a step of laminating a dry film (photosensitive resist film) on a substrate, exposing and developing the dry film under predetermined conditions using a photomask to form a pattern, and pattern drying. It can be produced by a method including a step of obtaining a film, a step of forming a conductor layer by a plating method such as an electrolytic plating method using the developed pattern dry film as a plating mask, and a step of peeling off the pattern dry film. As the dry film, a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used, and for example, a dry film formed of a resin such as a novolak resin or an acrylic resin can be used. The laminating conditions of the base material and the dry film may be the same as the laminating conditions of the base material and the resin sheet described later. The peeling of the dry film can be carried out using, for example, an alkaline stripping solution such as a sodium hydroxide solution. If necessary, unnecessary wiring patterns may be removed by etching or the like.

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。 After preparing the base material, a resin composition layer is formed on the base material. When the conductor layer is formed on the surface of the base material, it is preferable that the resin composition layer is formed so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

樹脂組成物層の形成は、通常、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 The formation of the resin composition layer is usually performed by laminating a resin sheet and a base material. This lamination can be performed, for example, by removing the protective film of the resin sheet and then heat-pressing the resin sheet to the base material from the support side to attach the resin composition layer to the base material. Examples of the member for heat-pressing the resin sheet to the base material (hereinafter, may be referred to as “heat-bonding member”) include a heated metal plate (SUS end plate and the like) or a metal roll (SUS roll). .. It is preferable not to press the heat-bonded member directly onto the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the base material.

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。 Lamination of the base material and the resin sheet may be carried out by, for example, a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the heat crimping temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 160 ° C., more preferably 80 ° C. to 140 ° C. The heat crimping pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa. The heat crimping time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions at a pressure of 13 hPa or less.

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After laminating, the laminated resin sheet may be smoothed by pressing the heat-bonded member from the support side under normal pressure (under atmospheric pressure), for example. The press conditions for the smoothing treatment can be the same as the heat-bonding conditions for the above-mentioned lamination. The laminating and smoothing treatments may be continuously performed using a vacuum laminator.

基材上に樹脂組成物層を形成した後、工程（２）で、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜２００℃の範囲）、硬化時間は通常５分間〜１２０分間の範囲（好ましくは１０分間〜１００分間、より好ましくは１５分間〜９０分間）である。 After forming the resin composition layer on the base material, the resin composition layer is thermally cured in the step (2) to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer differ depending on the type of the resin composition and the like, but the curing temperature is usually in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in the range of 150 ° C. to 220 ° C., more preferably 170 ° C. to 200 ° C.). The temperature range) and the curing time are usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。 Before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be subjected to a preheat treatment in which the resin composition layer is heated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower). May be preheated for usually 5 minutes or longer (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

以上のようにして、絶縁層を有する回路基板を製造できる。また、回路基板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
回路基板の製造方法は、例えば、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。 As described above, a circuit board having an insulating layer can be manufactured. Further, the method for manufacturing the circuit board may further include an arbitrary step.
The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step of peeling off a support of a resin sheet. The support may be peeled off before the thermosetting of the resin composition layer, or may be peeled off after the thermosetting of the resin composition layer.

回路基板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。 The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step of polishing the surface of the insulating layer after forming the insulating layer. The polishing method is not particularly limited. For example, the surface of the insulating layer can be polished using a surface grinding machine.

回路基板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程（３）を含んでいてもよい。この工程（３）では、通常、絶縁層の一側に設けらえた導体層（例えば、基材表面に形成された導体層）を、前記導体層の他側にまで導通させる。この工程（３）は、絶縁層にビアホールを形成し、さらにビアホールが形成された位置を含む絶縁層上の適切な位置に導体層を形成して、層間接続を行うことを含んでいてもよい。また、工程（３）は、絶縁層を研磨又は研削し、絶縁層の一側に形成された導体層を露出させて、層間接続を行うことを含んでいてもよい。 The method for manufacturing a circuit board may include, for example, the step (3) of connecting the conductor layers between layers. In this step (3), the conductor layer provided on one side of the insulating layer (for example, the conductor layer formed on the surface of the base material) is usually conducted to the other side of the conductor layer. This step (3) may include forming a via hole in the insulating layer, further forming a conductor layer at an appropriate position on the insulating layer including the position where the via hole is formed, and performing interlayer connection. .. Further, the step (3) may include polishing or grinding the insulating layer, exposing the conductor layer formed on one side of the insulating layer, and performing interlayer connection.

ビアホールを用いて層間接続を行う場合、例えば、配線層付基材上に形成された絶縁層にビアホールを形成した後、絶縁層の基材とは反対側に導体層を形成して、層間接続を行う。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。このレーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の任意の光源を用いた適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。例えば、樹脂シートの支持体側にレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して、基材表面の導体層を露出させるビアホールを形成してもよい。 When interlayer connection is performed using via holes, for example, after forming via holes in an insulating layer formed on a base material with a wiring layer, a conductor layer is formed on the side opposite to the base material of the insulating layer to perform interlayer connection. I do. Examples of the method for forming the via hole include laser irradiation, etching, and mechanical drilling. Above all, laser irradiation is preferable. This laser irradiation can be performed using an appropriate laser processing machine using an arbitrary light source such as a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an excimer laser. For example, the support side of the resin sheet may be irradiated with a laser to form a via hole that penetrates the support and the insulating layer to expose the conductor layer on the surface of the base material.

レーザー照射は、選択されたレーザー加工機に応じた適切な工程により実施できる。ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形又は略円形である。ビアホールの形状とは、ビアホールの延在方向でみたときの開口の輪郭の形状をいう。 Laser irradiation can be carried out by an appropriate process according to the selected laser processing machine. The shape of the via hole is not particularly limited, but is generally circular or substantially circular. The shape of the via hole refers to the shape of the contour of the opening when viewed in the extending direction of the via hole.

ビアホール形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。 After forming the via hole, it is preferable to perform a step of removing smear in the via hole. This process is sometimes referred to as the desmear process. For example, when the conductor layer is formed on the insulating layer by a plating step, the via holes may be subjected to a wet desmear treatment. Further, when the conductor layer is formed on the insulating layer by a sputtering step, a dry desmear step such as a plasma treatment step may be performed. Further, the insulating layer may be roughened by the desmear step.

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。 Further, the insulating layer may be roughened before the conductor layer is formed on the insulating layer. According to this roughening treatment, the surface of the insulating layer including the inside of the via hole is usually roughened. As the roughening treatment, either a dry type or a wet type roughening treatment may be performed. Examples of the dry roughening treatment include plasma treatment and the like. Further, as an example of the wet roughening treatment, a method of performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid can be mentioned in this order.

粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さＲａは、好ましくは３５０ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上であり、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さＲａは、非接触型表面粗さ計を用いて測定できる。 The surface roughness Ra of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 350 nm or more, more preferably 400 nm or more, further preferably 450 nm or more, preferably 700 nm or less, more preferably 650 nm or less, still more preferably 600 nm or less. Is. The surface roughness Ra can be measured using a non-contact type surface roughness meter.

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成する。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を２層以上含む複層構造を有していてもよい。 After forming the via hole, a conductor layer is formed on the insulating layer. By forming the conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the base material are made conductive, and the interlayer connection is performed. Examples of the method for forming the conductor layer include a plating method, a sputtering method, a vapor deposition method, and the like, and the plating method is particularly preferable. In a preferred embodiment, the surface of the insulating layer is plated by an appropriate method such as a semi-additive method, a full additive method, or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Further, when the support in the resin sheet is a metal foil, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by the subtractive method. The material of the conductor layer to be formed may be a single metal or an alloy. Further, the conductor layer may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure including two or more layers of different types of materials.

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んで、フィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。 Here, an example of an embodiment in which the conductor layer is formed on the insulating layer will be described in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer is formed on the formed plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern. An electrolytic plating layer is formed by electrolytic plating on the exposed plating seed layer. At that time, along with the formation of the electrolytic plating layer, the via holes may be embedded by electrolytic plating to form a filled via. After forming the electroplating layer, the mask pattern is removed. After that, the unnecessary plating seed layer can be removed by a treatment such as etching to form a conductor layer having a desired wiring pattern. When forming the conductor layer, the dry film used for forming the mask pattern is the same as the above-mentioned dry film.

導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また、導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。 The conductor layer may include not only linear wiring but also, for example, an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted. Further, the conductor layer may be composed of only the electrode pads.

また、導体層は、めっきシード層の形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことによって形成してもよい。 Further, the conductor layer may be formed by forming an electrolytic plating layer and a filled via without using a mask pattern after forming the plating seed layer, and then performing patterning by etching.

絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行う場合、例えば、配線層付基材上に形成された絶縁層を研磨又は研削して、基材上に形成された導体層を、絶縁層の基材とは反対側に露出させる。絶縁層の研磨方法及び研削方法としては、基材表面の導体層を露出させることができる任意の方法を用いることができる。中でも、研磨又は研削によって、絶縁層の層平面に対して平行な研磨面又は切削面が得られる方法が好ましい。例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法、等が挙げられる。また、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行う場合、ビアホールを用いて層間接続を行う場合と同じく、スミア除去工程、粗化処理を行う工程、絶縁層上に導体層を形成する工程を行ってもよい。また、基材表面の全ての導体層を露出させる必要はなく、その一部を露出させてもよい。 When interlayer connection is performed by polishing or grinding the insulating layer, for example, the insulating layer formed on the base material with a wiring layer is polished or ground, and the conductor layer formed on the base material is used as the base material of the insulating layer. Expose to the opposite side. As a method for polishing and grinding the insulating layer, any method capable of exposing the conductor layer on the surface of the base material can be used. Above all, a method in which a polished surface or a cut surface parallel to the layer plane of the insulating layer can be obtained by polishing or grinding is preferable. For example, a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing apparatus, a mechanical polishing method such as a buff, a surface grinding method by rotating a grindstone, and the like can be mentioned. Further, when the interlayer connection is performed by polishing or grinding the insulating layer, the smear removal step, the roughening treatment step, and the conductor layer forming step on the insulating layer are performed in the same manner as in the case of the interlayer connection using the via hole. You may. Further, it is not necessary to expose all the conductor layers on the surface of the base material, and a part thereof may be exposed.

回路基板の製造方法は、例えば、基材を除去する工程（４）を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有する回路基板が得られる。この工程（４）は、例えば、剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。以下、好適な例を説明する。第一金属層及び第二金属層を有する基材の前記第二金属層の表面に、導体層を形成する。さらに、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、第二金属層上に樹脂組成物層を形成し、熱硬化させて、絶縁層を得る。その後、必要に応じて層間接続を行った後で、基材の第二金属層以外の部分を剥離する。そして、第二金属層を、例えば塩化銅水溶液などのエッチング液でエッチングして、除去する。これにより、基材の除去が行われる。この際、必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で、基材の除去を行ってもよい。 The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step (4) of removing a base material. By removing the base material, a circuit board having an insulating layer and a conductor layer embedded in the insulating layer can be obtained. This step (4) can be performed, for example, when a base material having a peelable first metal layer and a second metal layer is used. A suitable example will be described below. A conductor layer is formed on the surface of the second metal layer of the base material having the first metal layer and the second metal layer. Further, a resin composition layer is formed on the second metal layer so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer, and the resin composition layer is thermally cured to obtain an insulating layer. Then, after making interlayer connections as necessary, the portion of the base material other than the second metal layer is peeled off. Then, the second metal layer is removed by etching with an etching solution such as an aqueous solution of copper chloride. As a result, the base material is removed. At this time, if necessary, the base material may be removed with the conductor layer protected by the protective film.

他の実施形態において、回路基板は、プリプレグを用いて製造することができる。プリプレグは、例えばホットメルト法、ソルベント法等の方法により、シート状繊維基材に樹脂組成物を含浸させたものである。シート状繊維基材としては、例えば、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等が挙げられる。また、薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、特に好ましくは６００μｍ以下であり、また、好ましくは１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上である。このプリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲でありうる。このようなプリプレグを用いた回路基板の製造方法は、基本的に、樹脂シートを用いる場合と同様である。 In other embodiments, the circuit board can be manufactured using a prepreg. The prepreg is a sheet-like fiber base material impregnated with a resin composition by a method such as a hot melt method or a solvent method. Examples of the sheet-like fiber base material include glass cloth, aramid non-woven fabric, liquid crystal polymer non-woven fabric and the like. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-shaped fiber base material is preferably 900 μm or less, more preferably 800 μm or less, further preferably 700 μm or less, particularly preferably 600 μm or less, and preferably 1 μm or more. It is 1.5 μm or more and 2 μm or more. The thickness of this prepreg can be in the same range as the resin composition layer in the resin sheet described above. The method of manufacturing a circuit board using such a prepreg is basically the same as that of using a resin sheet.

［１６．半導体チップパッケージ］
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述した回路基板と、この回路基板に搭載された半導体チップとを含む。この半導体チップパッケージは、回路基板に半導体チップを接合することにより、製造できる。 [16. Semiconductor chip package]
The semiconductor chip package according to the first embodiment of the present invention includes the circuit board described above and the semiconductor chip mounted on the circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by joining a semiconductor chip to a circuit board.

回路基板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極と回路基板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップと回路基板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。 As the bonding condition between the circuit board and the semiconductor chip, any condition can be adopted in which the terminal electrode of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board can be connected by a conductor. For example, the conditions used in flip-chip mounting of semiconductor chips can be adopted. Further, for example, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded to each other via an insulating adhesive.

接合方法の例としては、半導体チップを回路基板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は通常１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）である。 An example of the joining method is a method of crimping a semiconductor chip to a circuit board. As the crimping conditions, the crimping temperature is usually in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in the range of 130 ° C. to 200 ° C., more preferably in the range of 140 ° C. to 180 ° C.), and the crimping time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. (Preferably 5 to 30 seconds).

また、接合方法の他の例としては、半導体チップを回路基板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、１２０℃〜３００℃の範囲としてもよい。 Further, as another example of the joining method, there is a method of reflowing a semiconductor chip onto a circuit board for joining. The reflow condition may be in the range of 120 ° C. to 300 ° C.

半導体チップを回路基板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。 After joining the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As the mold underfill material, the above-mentioned resin composition may be used, or the above-mentioned resin sheet may be used.

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰが挙げられる。 The semiconductor chip package according to the second embodiment of the present invention includes a semiconductor chip and a cured product of the resin composition that seals the semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, the cured product of the resin composition usually functions as a sealing layer. Examples of the semiconductor chip package according to the second embodiment include a fan-out type WLP.

図１は、本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージの一例としてのＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰを模式的に示す断面図である。Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰとしての半導体チップパッケージ１００は、例えば、図１に示すように、半導体チップ１１０；半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０；半導体チップ１１０の封止層１２０とは反対側の面に設けられた、絶縁層としての再配線形成層１３０；導体層としての再配線層１４０；ソルダーレジスト層１５０；及び、バンプ１６０を備える。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a Fan-out type WLP as an example of the semiconductor chip package according to the second embodiment of the present invention. The semiconductor chip package 100 as a Fan-out type WLP is, for example, as shown in FIG. 1, a semiconductor chip 110; a sealing layer 120 formed so as to cover the periphery of the semiconductor chip 110; a sealing layer of the semiconductor chip 110. A rewiring forming layer 130 as an insulating layer; a rewiring layer 140 as a conductor layer; a solder resist layer 150; and a bump 160 provided on the surface opposite to the 120 are provided.

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。以下、この製造方法について詳細に説明する。 The manufacturing method of such a semiconductor chip package is
(A) Step of laminating a temporary fixing film on a base material,
(B) A process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporary fixing film,
(C) A step of forming a sealing layer on a semiconductor chip,
(D) Step of peeling the base material and the temporary fixing film from the semiconductor chip,
(E) A step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface from which the base material and the temporary fixing film of the semiconductor chip have been peeled off.
(F) A step of forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring forming layer, and
(G) A step of forming a solder resist layer on the rewiring layer,
including. Further, the method for manufacturing the above-mentioned semiconductor chip package is as follows.
(H) A step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and individualizing them may be included. Hereinafter, this manufacturing method will be described in detail.

（工程（Ａ））
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムとの積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。 (Step (A))
The step (A) is a step of laminating a temporary fixing film on the base material. The laminating conditions of the base material and the temporary fixing film can be the same as the laminating conditions of the base material and the resin sheet in the method for manufacturing a circuit board.

基材としては、例えば、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ−４基板等の、ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板；などが挙げられる。 As the base material, for example, silicon wafer; glass wafer; glass substrate; metal substrate such as copper, titanium, stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC); FR-4 substrate or the like, the glass fiber is impregnated with epoxy resin or the like. Examples thereof include a thermosetting substrate; a substrate made of a bismaleimide triazine resin such as a BT resin; and the like.

仮固定フィルムは、半導体チップから剥離でき、且つ、半導体チップを仮固定することができる任意の材料を用いうる。市販品としては、日東電工社製「リヴァアルファ」等が挙げられる。 As the temporary fixing film, any material that can be peeled off from the semiconductor chip and that can temporarily fix the semiconductor chip can be used. Examples of commercially available products include "Riva Alpha" manufactured by Nitto Denko Corporation.

（工程（Ｂ））
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。 (Step (B))
The step (B) is a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film. Temporary fixing of the semiconductor chip can be performed using, for example, a device such as a flip chip bonder or a die bonder. The layout and the number of arrangements of the semiconductor chips can be appropriately set according to the shape and size of the temporary fixing film, the number of the target semiconductor packages to be produced, and the like. For example, semiconductor chips may be arranged and temporarily fixed in a matrix having a plurality of rows and a plurality of columns.

（工程（Ｃ））
工程（Ｃ）は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。 (Step (C))
The step (C) is a step of forming a sealing layer on the semiconductor chip. The sealing layer is formed by the cured product of the resin composition described above. The sealing layer is usually formed by a method including a step of forming a resin composition layer on a semiconductor chip and a step of thermosetting the resin composition layer to form a sealing layer.

半導体チップ上への樹脂組成物層の形成は、通常、上述した樹脂シートを用いて行う。具体的には、樹脂シートの樹脂組成物層と半導体チップとを積層することによって、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する。上述した樹脂組成物は、通常は最低溶融粘度が低いので、前記の積層により、半導体チップの良好な封止が可能である。 The formation of the resin composition layer on the semiconductor chip is usually performed using the above-mentioned resin sheet. Specifically, the resin composition layer of the resin sheet and the semiconductor chip are laminated to form the resin composition layer on the semiconductor chip. Since the above-mentioned resin composition usually has a low minimum melt viscosity, the above-mentioned lamination enables good sealing of the semiconductor chip.

半導体チップと樹脂シートの積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより、半導体チップに樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する加熱圧着部材としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 Lamination of the semiconductor chip and the resin sheet is performed, for example, by removing the protective film of the resin sheet and then heat-pressing the resin sheet to the semiconductor chip from the support side to attach the resin composition layer to the semiconductor chip. Can be done. Examples of the heat-bonding member for heat-bonding the resin sheet to the semiconductor chip include a heated metal plate (SUS end plate and the like) or a metal roll (SUS roll). It is preferable not to press the heat-bonded member directly onto the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the semiconductor chip.

また、半導体チップと樹脂シートの積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における基材と樹脂シートとの積層条件と同様でありうる。 Further, the semiconductor chip and the resin sheet may be laminated by, for example, a vacuum laminating method after removing the protective film of the resin sheet. The laminating conditions in the vacuum laminating method can be the same as the laminating conditions for the base material and the resin sheet in the method for manufacturing a circuit board.

樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に剥離してもよく、半導体チップと樹脂シートとを積層した後且つ樹脂組成物層を熱硬化する前に剥離してもよく、半導体チップと樹脂シートとを積層し樹脂組成物層を熱硬化した後に剥離してもよい。 The support of the resin sheet may be peeled off before laminating the resin sheet on the semiconductor chip, or may be peeled off after laminating the semiconductor chip and the resin sheet and before thermosetting the resin composition layer. , The semiconductor chip and the resin sheet may be laminated and the resin composition layer may be thermoset and then peeled off.

また、半導体チップ上への樹脂組成物層の形成は、上述した樹脂組成物を用いて行ってもよい。具体的には、樹脂組成物を半導体チップ上に塗布することによって行ってもよい。樹脂組成物の塗布条件としては、樹脂シートの製造方法において樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様でありうる。 Further, the resin composition layer may be formed on the semiconductor chip by using the above-mentioned resin composition. Specifically, it may be carried out by applying the resin composition on the semiconductor chip. The coating conditions for the resin composition may be the same as the coating conditions for forming the resin composition layer in the method for producing the resin sheet.

半導体チップ上に樹脂組成物層を形成した後で、この樹脂組成物層を熱硬化させて、半導体チップを覆う封止層を得る。これにより、樹脂組成物の硬化物による半導体チップの封止が行われる。樹脂組成物層の熱硬化条件は、回路基板の製造方法における樹脂組成物層の熱硬化条件と同じ条件を採用してもよい。さらに、樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。この予備加熱処理の処理条件は、回路基板の製造方法における予備加熱処理と同じ条件を採用してもよい。 After forming the resin composition layer on the semiconductor chip, the resin composition layer is thermosetting to obtain a sealing layer covering the semiconductor chip. As a result, the semiconductor chip is sealed with the cured product of the resin composition. As the thermosetting condition of the resin composition layer, the same conditions as the thermosetting condition of the resin composition layer in the method for manufacturing the circuit board may be adopted. Further, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be subjected to a preheat treatment in which the resin composition layer is heated at a temperature lower than the curing temperature. The treatment conditions for this preheat treatment may be the same as those for the preheat treatment in the method for manufacturing a circuit board.

（工程（Ｄ））
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。 (Step (D))
The step (D) is a step of peeling the base material and the temporary fixing film from the semiconductor chip. As the peeling method, it is desirable to adopt an appropriate method according to the material of the temporary fixing film. Examples of the peeling method include a method of heating, foaming or expanding the temporary fixing film to peel it off. Further, as a peeling method, for example, a method of irradiating the temporary fixing film with ultraviolet rays through a base material to reduce the adhesive force of the temporary fixing film and peeling the film can be mentioned.

仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、紫外線を照射して仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。 In the method of heating, foaming or expanding the temporary fixing film to peel it off, the heating conditions are usually 100 ° C. to 250 ° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. Further, in the method for peeling by reducing the adhesive strength of the temporary fixing film by ultraviolet irradiation, irradiation amount of ultraviolet rays is usually, 10mJ / cm 2 ~1000mJ / cm 2.

（工程（Ｅ））
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。 (Step (E))
The step (E) is a step of forming a rewiring forming layer as an insulating layer on the surface from which the base material and the temporary fixing film of the semiconductor chip have been peeled off.

再配線形成層の材料は、再配線形成層の形成時に絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、この熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。 As the material of the rewiring cambium, any material having an insulating property at the time of forming the rewiring cambium can be used. Of these, photosensitive resins and thermosetting resins are preferable from the viewpoint of ease of manufacturing semiconductor chip packages. Moreover, you may use the resin composition of this invention as this thermosetting resin.

再配線形成層を形成した後、半導体チップと再配線層とを層間接続するために、再配線形成層にビアホールを形成してもよい。 After forming the rewiring cambium, via holes may be formed in the rewiring cambium in order to interconnect the semiconductor chip and the rewiring layer between layers.

再配線形成層の材料が感光性樹脂である場合のビアホールの形成方法では、通常、再配線形成層の表面に、マスクパターンを通して活性エネルギー線を照射して、照射部の再配線形成層を光硬化させる。活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、感光性樹脂に応じて適切に設定できる。露光方法としては、例えば、マスクパターンを再配線形成層に密着させて露光する接触露光法、マスクパターンを再配線形成層に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法、などが挙げられる。 In the method of forming a via hole when the material of the rewiring cambium is a photosensitive resin, the surface of the rewiring cambium is usually irradiated with active energy rays through a mask pattern to illuminate the rewiring cambium of the irradiated portion. Let it cure. Examples of the active energy ray include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, X-rays and the like, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately set according to the photosensitive resin. Examples of the exposure method include a contact exposure method in which the mask pattern is brought into close contact with the rewiring cambium and exposed, and a non-contact exposure method in which the mask pattern is exposed using parallel rays without being brought into close contact with the rewiring cambium. Can be mentioned.

再配線形成層を光硬化させた後で、再配線形成層を現像し、未露光部を除去して、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。 After the rewiring cambium is photocured, the rewiring cambium is developed to remove unexposed areas to form via holes. The development may be either wet development or dry development. Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, and the like, and the paddle method is preferable from the viewpoint of resolution.

再配線形成層の材料が熱硬化性樹脂である場合のビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、レーザー照射が好ましい。レーザー照射は、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の光源を用いる適切なレーザー加工機を用いて行うことができる。 Examples of the method for forming the via hole when the material of the rewiring cambium is a thermosetting resin include laser irradiation, etching, and mechanical drilling. Above all, laser irradiation is preferable. Laser irradiation can be performed using an appropriate laser processing machine that uses a light source such as a carbon dioxide gas laser, a UV-YAG laser, or an excimer laser.

ビアホールの形状は、特に限定されないが、一般的には円形又は略円形とされる。ビアホールのトップ径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、好ましくは３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。ここで、ビアホールのトップ径とは、再配線形成層の表面でのビアホールの開口の直径をいう。 The shape of the via hole is not particularly limited, but is generally circular or substantially circular. The top diameter of the via hole is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, further preferably 20 μm or less, preferably 3 μm or more, preferably 10 μm or more, and more preferably 15 μm or more. Here, the top diameter of the via hole means the diameter of the opening of the via hole on the surface of the rewiring cambium.

（工程（Ｆ））
工程（Ｆ）は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線形成層上に再配線層を形成する方法は、回路基板の製造方法における絶縁層上への導体層の形成方法と同様でありうる。また、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、再配線層及び再配線形成層を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。 (Step (F))
The step (F) is a step of forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring forming layer. The method of forming the rewiring layer on the rewiring forming layer can be the same as the method of forming the conductor layer on the insulating layer in the method of manufacturing a circuit board. Further, the steps (E) and (F) may be repeated, and the rewiring layer and the rewiring forming layer may be alternately stacked (build-up).

（工程（Ｇ））
工程（Ｇ）は、再配線上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、ソルダーレジスト層の形成時に絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。 (Process (G))
The step (G) is a step of forming a solder resist layer on the rewiring. As the material of the solder resist layer, any material having an insulating property at the time of forming the solder resist layer can be used. Of these, photosensitive resins and thermosetting resins are preferable from the viewpoint of ease of manufacturing semiconductor chip packages. Moreover, you may use the resin composition of this invention as a thermosetting resin.

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなどの方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は、工程（Ｅ）と同様に行うことができる。 Further, in the step (G), bumping may be performed to form bumps, if necessary. The bumping process can be performed by a method such as a solder ball or solder plating. Further, the formation of the via hole in the bumping process can be performed in the same manner as in the step (E).

（工程（Ｈ））
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に、工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。 (Step (H))
The method for manufacturing a semiconductor chip package may include a step (H) in addition to the steps (A) to (G). The step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them into individual pieces. The method for dicing the semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

本発明の第三実施形態に係る半導体チップパッケージは、例えば図１に一例を示すような半導体チップパッケージ１００において、再配線形成層１３０又はソルダーレジスト層１５０を、本発明の樹脂組成物の硬化物で形成した半導体チップパッケージである。 In the semiconductor chip package according to the third embodiment of the present invention, for example, in the semiconductor chip package 100 as shown in FIG. 1, the rewiring forming layer 130 or the solder resist layer 150 is used as a cured product of the resin composition of the present invention. It is a semiconductor chip package formed in.

［１７．半導体装置］
上述した半導体チップパッケージが実装される半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。 [17. Semiconductor device]
Examples of the semiconductor device on which the above-mentioned semiconductor chip package is mounted include electric products (for example, computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, televisions, etc.) and vehicles (for example, TVs). , Motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.).

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" representing quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. Further, the operations described below were performed in an environment of normal temperature and pressure unless otherwise specified.

［合成例１］
反応容器に、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製「Ｇ−３０００」、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、芳香族炭化水素系混合溶剤（出光石油化学社製「イプゾール１５０」）４０ｇと、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製「ＩＰＤＩ」、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し、約３時間反応を行った。 [Synthesis Example 1]
In a reaction vessel, 69 g of bifunctional hydroxy group-terminated polybutadiene (“G-3000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., number average molecular weight = 3000, hydroxy group equivalent = 1800 g / eq.) And an aromatic hydrocarbon mixed solvent (Idemitsu Petrochemical) 40 g of "Ipsol 150" manufactured by Chemical Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were added, mixed and uniformly dissolved. When the temperature became uniform, the temperature was raised to 50 ° C., and 8 g of isophorone diisocyanate (“IPDI” manufactured by Evonik Degussa Japan Co., Ltd., isocyanate group equivalent = 113 g / eq.) Was added with further stirring, and the reaction was carried out for about 3 hours.

次いで、得られた反応物を室温まで冷却した。冷却した反応物に、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ−１１６０」、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇとを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲによって２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマーＡ（フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂：不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＡの数平均分子量は５５００、ガラス転移温度は−５℃であった。 The resulting reaction was then cooled to room temperature. To the cooled reaction product, 23 g of cresol novolak resin (“KA-1160” manufactured by DIC, hydroxyl group equivalent = 117 g / eq.) And 60 g of ethyldiglycol acetate (manufactured by Daicel) were added, and the mixture was stirred at 80 ° C. The temperature was raised to about 4 hours. The disappearance of the 2250 cm-1 NCO peak was confirmed by FT-IR. Confirmation of the disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the temperature of the reaction product was lowered to room temperature. Then, the reaction product was filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain an elastomer A having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin: 50% by mass of a non-volatile component). The number average molecular weight of elastomer A was 5500, and the glass transition temperature was −5 ° C.

［合成例２］
撹拌装置、温度計及びコンデンサーを取り付けられたフラスコに、溶剤として、エチルジグリコールアセテート３６８．４１ｇ及び芳香族系溶剤（エクソンモービル社製「ソルベッソ１５０」）３６８．４１ｇを仕込んだ。さらに、前記のフラスコに、ジフェニルメタンジイソシアネート１００．１ｇ（０．４モル）と、ポリカーボネートジオール（クラレ社製「Ｃ−２０１５Ｎ」、数平均分子量：約２０００、水酸基当量＝１０００ｇ／ｅｑ．、不揮発成分：１００％）４００ｇ（０．２モル）とを仕込んで、７０℃で４時間反応を行った。 [Synthesis Example 2]
A flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser was charged with 368.41 g of ethyldiglycol acetate and 368.41 g of an aromatic solvent (“Solbesso 150” manufactured by ExxonMobil) as a solvent. Further, in the flask, 100.1 g (0.4 mol) of diphenylmethane diisocyanate and a polycarbonate diol (“C-2015N” manufactured by Kuraray Co., Ltd., number average molecular weight: about 2000, hydroxyl group equivalent = 1000 g / eq., Non-volatile component: 100%) 400 g (0.2 mol) was charged, and the reaction was carried out at 70 ° C. for 4 hours.

ついで、前記のフラスコに、更にノニルフェノールノボラック樹脂（水酸基当量＝２２９．４ｇ／ｅｑ、平均４．２７官能、平均計算分子量９７９．５ｇ／モル）１９５．９ｇ（０．２モル）と、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート４１．０ｇ（０．１モル）とを仕込んで、２時間かけて１５０℃に昇温し、１２時間反応させた。ＦＴ−ＩＲによって２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、１００メッシュの濾布で濾過して、カーボネート構造を有するエラストマーＢ（不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＢの数平均分子量は６１００、ガラス転移温度は５℃であった。 Then, in the flask, 195.9 g (0.2 mol) of nonylphenol novolak resin (hydroxyl equivalent = 229.4 g / eq, average 4.27 functionality, average calculated molecular weight 979.5 g / mol) and ethylene glycol bis 41.0 g (0.1 mol) of anhydrotrimeritate was charged, the temperature was raised to 150 ° C. over 2 hours, and the reaction was carried out for 12 hours. The disappearance of the 2250 cm-1 NCO peak was confirmed by FT-IR. Confirmation of the disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the temperature of the reaction product was lowered to room temperature. Then, it was filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain an elastomer B (nonvolatile component 50% by mass) having a carbonate structure. The number average molecular weight of elastomer B was 6100, and the glass transition temperature was 5 ° C.

［実施例１］
２５℃で、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ．）２５部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（住友化学社製「ＥＬＭ−１００」、エポキシ当量１０７ｇ／ｅｑ．）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９ｇ／ｅｑ．）２０部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」、数平均分子量６７００）３部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）３８０部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３ｇ／ｅｑ．の不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）７．７部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量約１２５ｇ／ｅｑ．、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）８．３部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のシクロヘキサノン：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の１：１溶液）１６．６部、難燃剤（三光社製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）５部、カーボンブラックＡ（ＤＢＰ吸収量１２０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝６．５、平均粒径２０ｎｍ）１．５部、硬化促進剤（四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）０．３部、メチルエチルケトン２５部、及び、シクロヘキサノン２５部を混合し、高速回転ミキサーを用いて均一に分散させて、混合物を得た。この混合物を、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス１を調製した。 [Example 1]
25 parts of liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq.) At 25 ° C. , 5 parts of glycidylamine type epoxy resin ("ELM-100" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 107 g / eq.), 20 parts of biphenyl type epoxy resin ("NC3000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 269 g / eq.) , 3 parts of amphoteric polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co., number average molecular weight 6700), spherical silica surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) (average). Particle size 0.5 μm, 380 parts of Admatex “SO-C2”), active ester compound (DIC “HPC-8000-65T”, active group equivalent of about 223 g / eq., 65% by mass of non-volatile component toluene Solution) 7.7 parts, triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (DIC's "LA-7054", hydroxyl group equivalent about 125 g / eq., MEK solution with 60% non-volatile component) 8.3 parts, phenoxy resin (Mitsubishi) Chemicals "YX7553BH30", 30% by mass of non-volatile component cyclohexanone: 1: 1 solution of methyl ethyl ketone (MEK)) 16.6 parts, flame retardant (Sanko "HCA-HQ", 10- (2,5-dihydroxy) phenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphatonin phenanthrene-10-oxide, average particle diameter 2 [mu] m) 5 parts carbon black A (DBP absorption 120cm 3 /100g,pH=6.5, average Particle size 20 nm) 1.5 parts, curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole) 0.3 parts, methyl ethyl ketone 25 parts, and cyclohexanone 25 parts are mixed at high speed. The mixture was uniformly dispersed using a rotary mixer to obtain a mixture. This mixture was filtered through a cartridge filter (“SHP050” manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish 1.

なお、前記の両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）は、２５℃程度の室温で液状の樹脂であり、したがって、そのガラス転移温度は３０℃以下である。 The amphipathic polyether block copolymer (“Fortegra 100” manufactured by Dow Chemical Co.) is a resin that is liquid at room temperature of about 25 ° C., and therefore its glass transition temperature is 30 ° C. or lower.

［実施例２］
カーボンブラックＡの量を、１．５部から１．０部に変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂ワニス２を調製した。 [Example 2]
The amount of carbon black A was changed from 1.5 parts to 1.0 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 1 was carried out to prepare the resin varnish 2.

［実施例３］
２５℃で、液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（住友化学社製「ＥＬＭ−１００」、エポキシ当量１０７ｇ／ｅｑ．）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量１５１ｇ／ｅｑ．）７部、合成例１で調製したエラストマーＡ（不揮発成分５０質量％）を１６部、フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）３１０部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３ｇ／ｅｑ．、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）７．７部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量約１２５ｇ／ｅｑ．、不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液）２５部、カーボンブラックＡ（ＤＢＰ吸収量１２０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝６．５、平均粒径２０ｎｍ）４部、硬化促進剤（四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）０．５部、及び、メチルエチルケトン２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散させて、混合物を得た。この混合物を、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス３を調製した。 [Example 3]
At 25 ° C, 10 parts of liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture (mass ratio) of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 169 g / eq), 5 parts of glycidylamine type epoxy resin ("ELM-100" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 107 g / eq.), 7 parts of naphthalene type epoxy resin ("HP4032SS" manufactured by DIC, epoxy equivalent 151 g / eq.), Synthesis example 16 parts of the epoxy A (non-volatile component 50% by mass) prepared in 1 was surface-treated with a phenylaminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), and spherical silica (average particle size 0.5 μm, Admatex Co., Ltd.) "SO-C2" manufactured by 310 parts, active ester compound ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC, active group equivalent of about 223 g / eq., Toluene solution of 65% by mass of non-volatile component), 7.7 parts, triazine skeleton containing phenol novolac type curing agent (manufactured by DIC "LA-7054", hydroxyl equivalent weight of about 125 g / eq., non-volatile components of 60% MEK solution) 25 parts of carbon black a (DBP absorption 120cm 3 / 100g, pH = 6 . 5. Mix 4 parts (average particle size 20 nm), 0.5 part of curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole), and 20 parts of methyl ethyl ketone, and use a high-speed rotary mixer. The mixture was uniformly dispersed to obtain a mixture. This mixture was filtered through a cartridge filter (“SHP050” manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish 3.

［実施例４］
カーボンブラックＡの量を、４部から２部に変更した。また、メチルエチルケトンの量を、２０部から２５部に変更した。以上の事項以外は、実施例３と同じ操作を行って、樹脂ワニス４を調製した。 [Example 4]
The amount of carbon black A was changed from 4 parts to 2 parts. Moreover, the amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 3 was carried out to prepare the resin varnish 4.

［実施例５］
カーボンブラックＡ １．５部の代わりに、カーボンブラックＢ（ＤＢＰ吸収量７０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝３．５、平均粒径２０ｎｍ）４部を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂ワニス５を調製した。 [Example 5]
Instead of carbon black A 1.5 parts of carbon black B were used (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle size 20 nm) 4 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 1 was carried out to prepare the resin varnish 5.

［実施例６］
カーボンブラックＡ ４部の代わりに、カーボンブラックＢ（ＤＢＰ吸収量７０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝３．５、平均粒径２０ｎｍ）２．５部を用いた。また、メチルエチルケトンの量を、２０部から２５部に変更した。以上の事項以外は、実施例３と同じ操作を行って、樹脂ワニス６を調製した。 [Example 6]
Instead of carbon black A 4 parts of carbon black B were used (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle diameter 20 nm) 2.5 parts. Moreover, the amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 3 was carried out to prepare the resin varnish 6.

［実施例７］
合成例１で調製したエラストマーＡ（不揮発成分５０質量％）１６部の代わりに、合成例２で調製したエラストマーＢ（不揮発分５０質量％）１６部を用いた。また、カーボンブラックＡの量を、４部から２部に変更した。さらに、メチルエチルケトンの量を、２０部から２５部に変更した。以上の事項以外は、実施例３と同じ操作を行って、樹脂ワニス７を調製した。 [Example 7]
Instead of 16 parts of elastomer A (50% by mass of non-volatile component) prepared in Synthesis Example 1, 16 parts of elastomer B (50% by mass of non-volatile component) prepared in Synthesis Example 2 was used. In addition, the amount of carbon black A was changed from 4 parts to 2 parts. Furthermore, the amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 3 was carried out to prepare the resin varnish 7.

［実施例８］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」）の量を、２５部から２２部に変更した。また、カーボンブラックＡ １．５部の代わりに、カーボンブラックＢ（ＤＢＰ吸収量７０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝３．５、平均粒径２０ｎｍ）４部を用いた。さらに、樹脂ワニスの材料として、更にゴム弾性エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７４００」、エポキシ当量４１０ｇ／ｅｑ．）３部を添加した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂ワニス８を調製した。 [Example 8]
The amount of liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was changed from 25 parts to 22 parts. In place of the carbon black A 1.5 parts of carbon black B were used (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle size 20 nm) 4 parts. Further, as a material for the resin varnish, 3 parts of a rubber elastic epoxy resin (“YX7400” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 410 g / eq.) Was further added. Except for the above items, the same operation as in Example 1 was carried out to prepare a resin varnish 8.

［比較例１］
活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」）を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、不揮発分６０％）の量を、８．３部から１６．６部に変更した。さらに、カーボンブラックＡ １．５部の代わりに、カーボンブラックＣ（ＤＢＰ吸収量１４０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝８、平均粒径２０ｎｍ）１．５部を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂ワニス９を調製した。 [Comparative Example 1]
No active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Corporation) was used. Further, the amount of the triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, non-volatile content 60%) was changed from 8.3 parts to 16.6 parts. Further, instead of the carbon black A 1.5 parts were used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 1.5 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 1 was carried out to prepare a resin varnish 9.

［比較例２］
活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」）を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、不揮発分６０％）の量を、２５部から３３．３部に変更した。さらに、カーボンブラックＡ ４部の代わりに、カーボンブラックＣ（ＤＢＰ吸収量１４０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝８、平均粒径２０ｎｍ）４部を用いた。また、メチルエチルケトンの量を、２０部から２５部に変更した。以上の事項以外は、実施例３と同じ操作を行って、樹脂ワニス１０を調製した。 [Comparative Example 2]
No active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Corporation) was used. Further, the amount of the triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, non-volatile content 60%) was changed from 25 parts to 33.3 parts. Further, instead of the carbon black A 4 parts, was used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 4 parts. Moreover, the amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 3 was carried out to prepare the resin varnish 10.

［比較例３］
活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ）を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、不揮発分６０％）の量を、８．３部から１６．６部に変更した。さらに、カーボンブラックＡ １．５部の代わりに、カーボンブラックＣ（ＤＢＰ吸収量１４０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝８、平均粒径２０ｎｍ）０．６部を用いた。また、硬化促進剤（四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」）の量を、０．３部から０．７部に変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂ワニス１１を調製した。 [Comparative Example 3]
No active ester compound (DIC's "HPC-8000-65T) was used. Also, the amount of triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (DIC's" LA-7054 ", non-volatile content 60%) was 8 Changed from .3 to 16.6. Further, instead of the carbon black A 1.5 parts were used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 0.6 parts. In addition, the amount of the curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was changed from 0.3 part to 0.7 part. Except for the above items, the same operation as in Example 1 was carried out to prepare the resin varnish 11.

［比較例４］
活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」）を使用しなかった。また、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、不揮発分６０％）の量を、２５部から３３．３部に変更した。さらに、カーボンブラックＡ ４部の代わりに、カーボンブラックＣ（ＤＢＰ吸収量１４０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝８、平均粒径２０ｎｍ）１．３部を用いた。また、メチルエチルケトンの量を、２０部から２５部に変更した。以上の事項以外は、実施例３と同じ操作を行って、樹脂ワニス１２を調製した。 [Comparative Example 4]
No active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Corporation) was used. Further, the amount of the triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC Corporation, non-volatile content 60%) was changed from 25 parts to 33.3 parts. Further, instead of the carbon black A 4 parts, was used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 1.3 parts. Moreover, the amount of methyl ethyl ketone was changed from 20 parts to 25 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 3 was carried out to prepare the resin varnish 12.

［比較例５］
カーボンブラックＡ １．５部の代わりに、カーボンブラックＣ（ＤＢＰ吸収量１４０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝８、平均粒径２０ｎｍ）１．５部を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、樹脂ワニス１３を調製した。 [Comparative Example 5]
Instead of carbon black A 1.5 parts were used carbon black C a (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm) 1.5 parts. Except for the above items, the same operation as in Example 1 was carried out to prepare the resin varnish 13.

［樹脂組成物層のカーボンブラック欠点の評価］
表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが５０μｍとなるように均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて、幅３０ｃｍ、長さ３０ｃｍの樹脂シートを得た。 [Evaluation of carbon black defects in the resin composition layer]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a mold release treatment on its surface was prepared as a support. The resin varnish prepared in Examples and Comparative Examples was uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 50 μm, and the temperature was 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.). ) For 5 minutes to obtain a resin sheet having a width of 30 cm and a length of 30 cm.

光源を当てながら、デジタルマイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＨ−Ｚ２０Ｒ」）を用いて、樹脂シートを支持体側から観察して、カーボンブラックの凝集物の有無を調べた。凝集物の最大長が１００μｍを超える凝集物がある場合を「×」と判定し、ない場合を「○」と判定した。 The resin sheet was observed from the support side using a digital microscope (“VH-Z20R” manufactured by KEYENCE CORPORATION) while shining a light source, and the presence or absence of carbon black agglomerates was examined. The case where the maximum length of the agglomerates exceeded 100 μm was judged as “x”, and the case where there was no agglomerates was judged as “◯”.

［絶縁層のΔＬ＊及びΔｂ＊の測定］
表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるように均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて、樹脂シートを得た。 [Measurement of ΔL * and Δb * of the insulating layer]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a mold release treatment on its surface was prepared as a support. The resin varnish prepared in Examples and Comparative Examples was uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 100 μm, and the temperature was 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.). ) For 5 minutes to obtain a resin sheet.

この樹脂シートと銅張積層板とを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、樹脂シートの樹脂組成物層が銅張積層板の両面に接するように、ラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後、３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａで圧着させることにより、行った。ラミネートの後、支持体を除去した。その後、１００℃で３０分、その後１８０℃で３０分の硬化条件で加熱して、樹脂組成物層を硬化させて、絶縁層を形成した。 Using a batch type vacuum pressure laminator (“MVLP-500” manufactured by Meiki Co., Ltd.), the resin sheet and the copper-clad laminate are brought into contact with both sides of the copper-clad laminate so that the resin composition layer of the resin sheet is in contact with both sides of the copper-clad laminate. , Laminated. Lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then crimping at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. After laminating, the support was removed. Then, the resin composition layer was cured by heating at 100 ° C. for 30 minutes and then at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer.

得られた絶縁層のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における座標Ｌ＊及びｂ＊と、白色標準板のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における座標Ｌ＊及びｂ＊との差ΔＬ＊及びΔｂ＊を、色差計（コニカミノルタジャパン社製「ＣＲ−１０」）を用いて、測定した。白色標準板としては、酸化アルミニウム製白色板を用いた。 Between the obtained insulating layer L * a * b * coordinates in color system L * and b *, the difference [Delta] L * and the coordinates L * and b * in the L * a * b * color system of the white standard plate Δb * was measured using a color difference meter (“CR-10” manufactured by Konica Minolta Japan Co., Ltd.). As the white standard plate, a white plate made of aluminum oxide was used.

［樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度の測定］
表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるように均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて、樹脂シートを得た。 [Measurement of glass transition temperature of cured product of resin composition]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) having a mold release treatment on its surface was prepared as a support. The resin varnish prepared in Examples and Comparative Examples was uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 100 μm, and the temperature was 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.). ) For 5 minutes to obtain a resin sheet.

樹脂シートを１８０℃で９０分間オーブンで加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させて、樹脂組成物の硬化物層を得た。硬化物層から支持体を剥がし、硬化物層を切断して、幅約５ｍｍ、長さ約１５ｍｍの試験片を得た。この試験片について、熱機器分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０」）を使用して、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定を行った。そして、２回目の測定において、ガラス転移温度Ｔｇ（℃）を算出した。 The resin sheet was heated in an oven at 180 ° C. for 90 minutes to heat-cure the resin composition layer to obtain a cured product layer of the resin composition. The support was peeled off from the cured product layer, and the cured product layer was cut to obtain a test piece having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm. This test piece was subjected to thermomechanical analysis by a tensile weight method using a thermal instrumental analyzer (“Thermo Plus TMA8310” manufactured by Rigaku Corporation). Specifically, after the test piece was attached to the thermomechanical analyzer, measurements were carried out twice in succession under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. Then, in the second measurement, the glass transition temperature Tg (° C.) was calculated.

［樹脂組成物の最低溶融粘度の測定］
表面に離型処理を施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を、支持体として用意した。この支持体の離型面に、実施例及び比較例で調製した樹脂ワニスを、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるように均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて、樹脂シートを得た。 [Measurement of minimum melt viscosity of resin composition]
A polyethylene terephthalate film (“PET501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm) whose surface was subjected to a mold release treatment was prepared as a support. The resin varnish prepared in Examples and Comparative Examples was uniformly applied to the release surface of this support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 100 μm, and the temperature was 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.). ) For 5 minutes to obtain a resin sheet.

支持体を剥離した後、樹脂組成物層を金型で圧縮することにより、測定用ペレット（直径１８ｍｍ、１．２ｇ〜１．３ｇ）を作製した。その後、この測定用ペレットについて、動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム社製「Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００」）を用いて、最低溶融粘度の測定を行った。具体的には、測定用ペレット１ｇについて、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用して、開始温度６０℃から２００℃までの温度範囲で昇温して動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度（ｐｏｉｓｅ）を算出した。測定条件は、昇温速度５℃／分、測定温度間隔２．５℃、振動数１Ｈｚ、ひずみ１ｄｅｇとした。 After peeling off the support, the resin composition layer was compressed with a mold to prepare measurement pellets (diameter 18 mm, 1.2 g to 1.3 g). Then, the minimum melt viscosity of the measurement pellets was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (“Rheosol-G3000” manufactured by UBM). Specifically, for 1 g of pellets for measurement, a parallel plate having a diameter of 18 mm was used to raise the temperature in a temperature range of 60 ° C. to 200 ° C. to measure the dynamic viscoelasticity, and the minimum melt viscosity ( Poise) was calculated. The measurement conditions were a heating rate of 5 ° C./min, a measurement temperature interval of 2.5 ° C., a frequency of 1 Hz, and a strain of 1 deg.

［結果］
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、各成分の量は、不揮発成分の質量部を表す。また、下記の表において、略称の意味は、下記の通りである。
ＺＸ１０５９：液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ．）。
ＥＬＭ−１００：グリシジルアミン型エポキシ樹脂（住友化学社製「ＥＬＭ−１００」、エポキシ当量１０７ｇ／ｅｑ．）。
ＨＰ４０３２ＳＳ：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量１５１ｇ／ｅｑ．）。
ＹＸ７４００：ゴム弾性エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７４００」、エポキシ当量４１０ｇ／ｅｑ．）。
ＮＣ３０００Ｌ：ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２６９ｇ／ｅｑ．）。
ＳＯ−Ｃ２：フェニルアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」）。
ＣＢ−Ａ：カーボンブラックＡ（ＤＢＰ吸収量１２０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝６．５、平均粒径２０ｎｍ）。
ＣＢ−Ｂ：カーボンブラックＢ（ＤＢＰ吸収量７０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝３．５、平均粒径２０ｎｍ）。
ＣＢ−Ｃ：カーボンブラックＣ（ＤＢＰ吸収量１４０ｃｍ３／１００ｇ、ｐＨ＝８、平均粒径２０ｎｍ）。
エラストマーＡ：合成例１で製造したブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマー（不揮発分５０質量％、数平均分子量５５００、ガラス転移温度−５℃）。
エラストマーＢ：合成例２で製造したカーボネート構造を有するエラストマー（不揮発分５０質量％、数平均分子量６１００、ガラス転移温度５℃）。
ｆｏｒｔｅｇｒａ１００：２０℃で液状の両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」、数平均分子量６７００）。
ＨＰＣ−８０００：活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３ｇ／ｅｑ．の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）。
ＬＡ−７０５４：トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量約１２５ｇ／ｅｑ．、不揮発分６０％のメチルエチルケトン溶液）。
１Ｂ２ＰＺ：硬化促進剤（四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）。
ＹＸ７５５３ＢＨ３０：フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発分３０質量％のシクロヘキサノン：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の１：１溶液）。
ＨＣＡ−ＨＱ：難燃剤（三光社製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）。
ＣＢ欠点：カーボンブラック欠点。 [result]
The results of the above-mentioned Examples and Comparative Examples are shown in the table below. In the table below, the amount of each component represents the mass part of the non-volatile component. In the table below, the meanings of the abbreviations are as follows.
ZX1059: Liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, 1: 1 mixture (mass ratio) of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 169 g / eq.).
ELM-100: Glycidylamine type epoxy resin (“ELM-100” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent 107 g / eq.).
HP4032SS: Naphthalene type epoxy resin (“HP4032SS” manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent 151 g / eq.).
YX7400: Rubber elastic epoxy resin (“YX7400” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 410 g / eq.).
NC3000L: Biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 269 g / eq.).
SO-C2: Spherical silica surface-treated with a phenylaminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle size 0.5 μm, “SO-C2” manufactured by Admatex Co., Ltd.).
CB-A: Carbon black A (DBP absorption 120cm 3 /100g,pH=6.5, average particle size 20 nm).
CB-B: Carbon black B (DBP absorption 70cm 3 /100g,pH=3.5, average particle size 20 nm).
CB-C: Carbon Black C (DBP absorption 140cm 3 / 100g, pH = 8 , average particle size 20 nm).
Elastomer A: Elastomer having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group produced in Synthesis Example 1 (nonvolatile content 50% by mass, number average molecular weight 5500, glass transition temperature −5 ° C.).
Elastomer B: The elastomer having a carbonate structure produced in Synthesis Example 2 (nonvolatile content 50% by mass, number average molecular weight 6100, glass transition temperature 5 ° C.).
Fortegra100: An amphipathic polyether block copolymer liquid at 20 ° C. (“Fortegra100” manufactured by Dow Chemical Co., number average molecular weight 6700).
HPC-8000: Active ester compound (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Corporation, a toluene solution having an active group equivalent of about 223 g / eq. And a non-volatile content of 65% by mass).
LA-7054: Triazine skeleton-containing phenol novolac-based curing agent ("LA-7054" manufactured by DIC Corporation, hydroxyl group equivalent of about 125 g / eq., Methyl ethyl ketone solution having a non-volatile content of 60%).
1B2PZ: Curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, 1-benzyl-2-phenylimidazole).
YX7553BH30: Phenoxy resin (“YX7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, cyclohexanone with a non-volatile content of 30% by mass: a 1: 1 solution of methyl ethyl ketone (MEK)).
HCA-HQ: Flame Retardant ("HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd., 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle size 2 μm).
CB defect: Carbon black defect.

Figure 0006904125
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Figure 0006904125
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［検討］
表１及び表２から分かるように、所定の範囲のＤＢＰ吸収量を有する（Ｃ）カーボンブラックを用いた実施例では、（Ｃ）カーボンブラック以外のカーボンブラックを用いた比較例と同程度又はより優れた発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度を得ることができ、更にはカーボンブラックの凝集による欠点の発生を抑制できた。この結果から、本発明により、発色、最低溶融粘度及びガラス転移温度等の特性においてバランスがとれていながら、カーボンブラックの凝集を抑制できる樹脂組成物を実現できることが確認された。 [Consideration]
As can be seen from Tables 1 and 2, the example using (C) carbon black having a predetermined range of DBP absorption amount is similar to or more than the comparative example using carbon black other than (C) carbon black. Excellent color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature could be obtained, and the occurrence of defects due to aggregation of carbon black could be suppressed. From this result, it was confirmed that the present invention can realize a resin composition capable of suppressing the aggregation of carbon black while being well-balanced in characteristics such as color development, minimum melt viscosity and glass transition temperature.

また、本発明者らは、上述した実施例１〜８の実験を、カーボンブラックの凝集物が生じるまで繰り返し行った。その結果、カーボンブラックＡを用いた実施例１〜４及び７よりも、カーボンブラックＢを用いた実施例５、６及び８の方が、カーボンブラックの凝集物が生じるまでに行う実験回数が多かった。この結果は、カーボンブラックＡを用いるよりも、カーボンブラックＢを用いる方が、カーボンブラックの凝集を効果的に抑制して、凝集物の発生頻度をより低くできることを表す。 In addition, the present inventors repeated the above-mentioned experiments of Examples 1 to 8 until carbon black aggregates were formed. As a result, in Examples 5, 6 and 8 using carbon black B, the number of experiments performed before carbon black aggregates were formed was larger than in Examples 1 to 4 and 7 using carbon black A. It was. This result indicates that the use of carbon black B can effectively suppress the agglomeration of carbon black and the frequency of occurrence of agglomerates can be lowered more than the use of carbon black A.

１００ 半導体チップパッケージ
１１０ 半導体チップ
１２０ 封止層
１３０ 再配線形成層
１４０ 再配線層
１５０ ソルダーレジスト層
１６０ バンプ 100 Semiconductor chip package 110 Semiconductor chip 120 Encapsulation layer 130 Rewiring cambium 140 Rewiring layer 150 Solder resist layer 160 Bump

Claims (16)

（Ａ）エポキシ樹脂（（Ｄ）成分を除く）、（Ｂ）無機充填材（（Ｃ）成分を除く）、（Ｃ）ＤＢＰ吸収量が１３０ｃｍ３／１００ｇ以下であるカーボンブラック、（Ｄ）ガラス転移温度が３０℃以下の高分子樹脂（ただし、シリコーンを除く。）、及び、活性エステル系硬化剤を含む、樹脂組成物であって、
（Ｄ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、０．２質量％以上２０質量％以下である、樹脂組成物。 (Excluding component (D)) (A) epoxy resin, (B) (excluding component (C)) inorganic filler, (C) DBP absorption amount is 130 cm 3/100 g or less of carbon black, (D) Glass A resin composition containing a polymer resin having a transition temperature of 30 ° C. or lower (excluding silicone) and an active ester-based curing agent.
A resin composition in which the amount of the component (D) is 0.2% by mass or more and 20% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. （Ｂ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、３０質量％以上９５質量％以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, wherein the amount of the component (B) is 30% by mass or more and 95% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. （Ｂ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、７５質量％以上９５質量％以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the amount of the component (B) is 75% by mass or more and 95% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. （Ａ）成分が、（Ａ−１）窒素含有エポキシ樹脂又は縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the component (A) contains (A-1) a nitrogen-containing epoxy resin or an epoxy resin having a condensed ring structure. （Ｄ）成分が、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、ポリカーボネート構造、及びポリアクリル構造からなる群より選択される１種類以上の構造を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The component (D) has one or more structures in the molecule selected from the group consisting of a polybutadiene structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polyacrylic structure. The resin composition according to any one of claims 1 to 4. （Ｄ）成分が、（Ａ）成分と反応できる官能基を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the component (D) has a functional group capable of reacting with the component (A). （Ｄ）成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群より選択される１種類以上の官能基を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 Any of claims 1 to 6, wherein the component (D) has one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. The resin composition according to item 1. （Ｄ）成分の数平均分子量が、４０００以上１０００００以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the number average molecular weight of the component (D) is 4000 or more and 100,000 or less. （Ｃ）成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、０．１質量％以上３質量％以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the amount of the component (C) is 0.1% by mass or more and 3% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. Stuff. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 9, which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package. 半導体封止用の樹脂組成物である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 10, which is a resin composition for encapsulating a semiconductor. 支持体と、該支持体上に設けられた請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。 A resin sheet having a support and a resin composition layer containing the resin composition according to any one of claims 1 to 11 provided on the support. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項１２に記載の樹脂シート。 The resin sheet according to claim 12, which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。 A circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 11. 請求項１４に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package including the circuit board according to claim 14 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 半導体チップと、前記半導体チップを封止する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物とを含む、半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip and a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 11 for encapsulating the semiconductor chip.
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