JP7066975B2 - Resin composition, resin sheet, circuit board and semiconductor chip package - Google Patents

Resin composition, resin sheet, circuit board and semiconductor chip package Download PDF

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本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。 The present invention relates to a resin composition. Further, the present invention relates to a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained by using the resin composition.

近年、スマートフォン、タブレット型ＰＣといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体パッケージ用絶縁材料（絶縁層）も更なる高機能化が求められている。 In recent years, the demand for small high-performance electronic devices such as smartphones and tablet PCs has been increasing, and along with this, the insulating material (insulation layer) for semiconductor packages used in these small electronic devices is also required to have higher functionality. Has been done.

例えば、ウエハレベルチップサイズパッケージ、又は埋め込み型の配線層を備える配線板に使用される絶縁層は、絶縁層を形成する際に発生する反りの抑制及び導体層との高密着が求められる。 For example, an insulating layer used for a wafer level chip size package or a wiring board provided with an embedded wiring layer is required to suppress warpage generated when forming the insulating layer and to have high adhesion to a conductor layer.

特許文献１には、低弾性率の熱硬化性樹脂組成物として、特定の線状変性ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が開示されている。 Patent Document 1 discloses a thermosetting resin composition containing a specific linearly modified polyimide resin and a thermosetting resin as a thermosetting resin composition having a low elastic modulus.

特開２００６－３７０８３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-37083

しかしながら、特許文献１に記載されている材料は、他の樹脂との相溶性の観点から樹脂組成物の設計が限定された。また、樹脂組成物の設計によっては、作業性において必ずしも十分な性能を示しきれない場合があった。ここで作業性とは、樹脂組成物が時間の経過により均一な形状となることから、樹脂組成物を均一な形状に整える必要がなくなり、その後の作業が簡便になることを示す性質である。 However, the design of the resin composition of the material described in Patent Document 1 is limited from the viewpoint of compatibility with other resins. Further, depending on the design of the resin composition, it may not always be possible to show sufficient performance in terms of workability. Here, the workability is a property indicating that since the resin composition becomes a uniform shape with the passage of time, it is not necessary to arrange the resin composition into a uniform shape, and the subsequent work becomes simple.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに作業性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。 The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to obtain a cured product having a low storage elastic modulus, dielectric loss tangent, relative permittivity, and linear thermal expansion coefficient (CTE), and further improve workability. An excellent resin composition; an object of the present invention is to provide a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained by using the resin composition.

本発明者らは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び（Ｄ）無機充填材を含有させることで、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに、作業性に優れる樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have (A) an epoxy resin, (B) a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, and a polyisobutylene structure in the molecule. And by containing a polymer compound having one or more structures selected from the polycarbonate structure, (C) a fluorine atom-containing alkoxysilane compound, and (D) an inorganic filler, the storage elasticity, dielectric positivity, and specific dielectric It has been found that a cured product having a low rate and a low linear thermal expansion coefficient (CTE) can be obtained, and a resin composition having excellent workability can be obtained, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、
（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び
（Ｄ）無機充填材、を含有する樹脂組成物。
［２］ （Ｂ）成分が、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選ばれる少なくとも１種の構造を含有する高分子化合物である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ｄ）成分の平均粒子径が、０．５μｍ以上２０μｍ以下である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｄ）成分が、シリカ又はアルミナである、［１］～［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上２質量％以下である、［１］～［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％以上２５質量％以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をＢ１とした場合、（Ａ１／Ｂ１）×１００が、３０以上２５０以下である、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９０質量％以下である、［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］ さらに、（Ｅ）硬化剤を含有する、［１］～［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ （Ｅ）成分が、フェノール系硬化剤である、［９］に記載の樹脂組成物。
［１１］ チキソトロピー指数が、１以下である、［１］～［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ 樹脂組成物を１８０℃９０分で熱硬化させた際の３０℃～１５０℃における線熱膨張係数が、３ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下である、［１］～［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］～［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１５］ 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、［１４］に記載の樹脂シート。
［１６］ ［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１７］ ［１６］に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１８］ 封止層及び半導体チップを含む半導体チップパッケージであって、封止層が［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物である、半導体チップパッケージ。 That is, the present invention includes the following contents.
[1] (A) Epoxy resin,
(B) One or more structures selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in a molecule. Polymer compound,
A resin composition containing (C) a fluorine atom-containing alkoxysilane compound and (D) an inorganic filler.
[2] The resin composition according to [1], wherein the component (B) is a polymer compound containing at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polyisoprene structure, and a polycarbonate structure.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the average particle size of the component (D) is 0.5 μm or more and 20 μm or less.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (D) is silica or alumina.
[5] Any of [1] to [4], wherein the content of the component (C) is 0.1% by mass or more and 2% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. The resin composition according to.
[6] The content of the component (B) is 3% by mass or more and 25% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, according to any one of [1] to [5]. Resin composition.
[7] The content of the component (A) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass is A1, and the content of the component (B) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein (A1 / B1) × 100 is 30 or more and 250 or less when the amount is B1.
[8] The content of the component (D) is 70% by mass or more and 90% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, according to any one of [1] to [7]. Resin composition.
[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], further containing (E) a curing agent.
[10] The resin composition according to [9], wherein the component (E) is a phenolic curing agent.
[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], wherein the thixotropy index is 1 or less.
[12] The description according to any one of [1] to [11], wherein the linear thermal expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. when the resin composition is thermally cured at 180 ° C. for 90 minutes is 3 ppm or more and 50 ppm or less. Resin composition.
[13] The resin composition according to any one of [1] to [12], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[14] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer provided on the support and containing the resin composition according to any one of [1] to [13].
[15] The resin sheet according to [14], which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[16] A circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [13].
[17] A semiconductor chip package including the circuit board according to [16] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.
[18] A semiconductor chip package including a sealing layer and a semiconductor chip, wherein the sealing layer is a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [13].

本発明によれば、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができ、さらに、作業性に優れる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。 According to the present invention, a cured product having a low storage elastic modulus, dielectric loss tangent, relative permittivity, and linear thermal expansion coefficient (CTE) can be obtained, and a resin composition having excellent workability; It is possible to provide a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package obtained by using the resin sheet.

図１は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the semiconductor chip package (Fan-out type WLP) of the present invention.

以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。 Hereinafter, the resin composition, the resin sheet, the circuit board, and the semiconductor chip package of the present invention will be described in detail.

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び（Ｄ）無機充填材を含有する。 [Resin composition]
The resin composition of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisobutylene structure, and polyisobutylene in a molecule. It contains a polymer compound having one or more structures selected from the structure and a polycarbonate structure, (C) a fluorine atom-containing alkoxysilane compound, and (D) an inorganic filler.

（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分を樹脂組成物に含有させることで、作業性に優れた樹脂組成物を得ることができる。また、その樹脂組成物から、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い硬化物を得ることができる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）硬化剤、（Ｆ）硬化促進剤、及び（Ｇ）難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。 By incorporating the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) into the resin composition, a resin composition having excellent workability can be obtained. Further, from the resin composition, a cured product having a low storage elastic modulus, dielectric loss tangent, relative permittivity, and linear thermal expansion coefficient (CTE) can be obtained. The resin composition may further contain (E) a curing agent, (F) a curing accelerator, and (G) a flame retardant, if necessary. Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in detail.

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ａ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。 <(A) Epoxy resin>
The resin composition contains (A) an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, and naphthol novolac type epoxy resin. Phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type Epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having a butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, bird Examples thereof include a methylol type epoxy resin and a tetraphenylethane type epoxy resin. The epoxy resin may be used alone or in combination of two or more. The component (A) is preferably one or more selected from bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin.

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。 The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Further, the epoxy resin preferably has an aromatic structure, and when two or more kinds of epoxy resins are used, it is more preferable that at least one of them has an aromatic structure. When the non-volatile component of the epoxy resin is 100% by mass, at least 50% by mass or more is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, one molecule has two or more epoxy groups, and a liquid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter referred to as “liquid epoxy resin”) and one molecule have three or more epoxy groups. It is preferable to contain a solid epoxy resin (hereinafter referred to as "solid epoxy resin") at a temperature of 20 ° C. By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as the epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility can be obtained. In addition, the breaking strength of the cured product of the resin composition is also improved. The aromatic structure is a chemical structure generally defined as an aromatic, and also includes a polycyclic aromatic and an aromatic heterocycle.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）、三菱化学社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and ester skeleton. An alicyclic epoxy resin, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and a glycidylamine type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AF are preferable. Type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D" and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, and "828US" and "jER828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. , "JER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin), "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin), "ZX1059" (bisphenol A) manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation. (Mixed product of type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin), "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., "Selokiside 2021P" (alicyclic epoxy having an ester skeleton) manufactured by Daicel Co., Ltd. Resin), "PB-3600" (epoxy resin having a butadiene structure), "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., "630LSD" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (liquid 1,4-glycidylcyclohexane). Glysidylamine type epoxy resin), "EP-3980S" (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by ADEKA, and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and naphthylene ether type epoxy resin. Anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the solid epoxy resin include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin), "HP-4700", "HP-4710" (naphthalen type tetrafunctional epoxy resin), and "N-690" manufactured by DIC. Cresol novolak type epoxy resin), "N-695" (cresol novolak type epoxy resin), "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin), "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311" , "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H" manufactured by Nippon Kayakusha ( Trisphenol type epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin), "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin), "ESN475V" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd. ( Naphthalene type epoxy resin), "ESN485" (naphthol novolac type epoxy resin), "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (bixilenol type epoxy resin), "YX8800" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. (Anthracene type epoxy resin), Osaka Gas Chemical Co., Ltd. "PG-100", "CG-500", Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin), "YL7800" (fluorene type epoxy resin) , "JER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１～１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）～ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３～１：１０の範囲がより好ましく、１：０．６～１：８の範囲がさらに好ましい。 When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the amount ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) thereof is in the range of 1: 0.1 to 1:15 in terms of mass ratio. preferable. By setting the amount ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin within such a range, i) when used in the form of a resin sheet, appropriate adhesiveness is obtained, and ii) when used in the form of a resin sheet. Sufficient flexibility can be obtained, handleability is improved, and iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii) above, the quantitative ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is in the range of 1: 0.3 to 1:10 in terms of mass ratio. Is more preferable, and the range of 1: 0.6 to 1: 8 is even more preferable.

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。 The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 1% by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability. , More preferably 2% by mass or more, still more preferably 5% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited as long as the effect of the present invention is exhibited, but is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０～５０００、より好ましくは５０～３０００、さらに好ましくは８０～２０００、さらにより好ましくは１１０～１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。 The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. Within this range, the crosslink density of the cured product becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. The epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236, and is the mass of the resin containing 1 equivalent of the epoxy group.

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。 The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and even more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは５０００未満、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下である。下限は、好ましくは１００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The number average molecular weight of the epoxy resin is preferably less than 5000, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less. The lower limit is preferably 100 or more, more preferably 300 or more, and even more preferably 500 or more. The number average molecular weight (Mn) is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

エポキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは２５℃を超え、より好ましくは３０℃以上、さらに好ましくは３５℃以上である。上限は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４００℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。 The glass transition temperature (Tg) of the epoxy resin is preferably more than 25 ° C, more preferably 30 ° C or higher, still more preferably 35 ° C or higher. The upper limit is preferably 500 ° C. or lower, more preferably 400 ° C. or lower, still more preferably 300 ° C. or lower.

＜（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物＞
樹脂組成物は、（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物を含有する。このような構造を有する高分子化合物を樹脂組成物に含有させることで樹脂組成物の作業性が向上し、さらには、当該樹脂組成物の硬化物の貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥが低くなる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。 <(B) One or more selected from polybutadiene structure, polysiloxane structure, poly (meth) acrylate structure, polyalkylene structure, polyalkyleneoxy structure, polyisoprene structure, polyisobutylene structure, and polycarbonate structure in the molecule. Polymer compound with structure>
The resin composition is selected from (B) a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule (B). Contains a polymer compound having one or more structures. By incorporating a polymer compound having such a structure into the resin composition, the workability of the resin composition is improved, and further, the storage elastic modulus, the dielectric loss tangent, and the relative permittivity of the cured product of the resin composition are improved. And CTE becomes low. In addition, "(meth) acrylate" refers to methacrylate and acrylate.

より具体的には、（Ｂ）成分は、ポリブタジエン及び水添ポリブタジエン等のポリブタジエン構造、シリコーンゴム等のポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造（炭素原子数２～１５のポリアルキレン構造が好ましく、炭素原子数３～１０のポリアルキレン構造がより好ましく、炭素原子数５～６のポリアルキレン構造がさらに好ましい）、ポリアルキレンオキシ構造（炭素原子数２～１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３～１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５～６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。）、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、またはポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１以上の構造を有することがより好ましい。 More specifically, the component (B) is a polybutadiene structure such as polybutadiene and hydrogenated polybutadiene, a polysiloxane structure such as silicone rubber, a poly (meth) acrylate structure, and a polyalkylene structure (polyalkylene having 2 to 15 carbon atoms). The structure is preferable, the polyalkylene structure having 3 to 10 carbon atoms is more preferable, the polyalkylene structure having 5 to 6 carbon atoms is more preferable, and the polyalkylene oxy structure (the polyalkylene oxy structure having 2 to 15 carbon atoms is more preferable). Preferably, a polyalkyleneoxy structure having 3 to 10 carbon atoms is more preferable, and a polyalkyleneoxy structure having 5 to 6 carbon atoms is even more preferable.), A polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure1 are selected. It is preferable to have a kind or two or more kinds of structures, and one or more kinds of structures selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, or a polycarbonate structure. It is preferable to have one or more structures selected from a polybutadiene structure, a polyisoprene structure, and a polycarbonate structure.

（Ｂ）成分は柔軟性を示すために高分子量であることが好ましく、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００～１,０００,０００、より好ましくは５,０００～９００,０００である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The component (B) is preferably a high molecular weight in order to exhibit flexibility, and the number average molecular weight (Mn) is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 900,000. be. The number average molecular weight (Mn) is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured using GPC (gel permeation chromatography).

（Ｂ）成分は柔軟性を示すために、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上の樹脂が好ましい。 The component (B) is preferably one or more resins selected from a resin having a glass transition temperature (Tg) of 25 ° C. or lower and a resin liquid at 25 ° C. in order to exhibit flexibility.

ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。ガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常－１５℃以上とし得る。また、２５℃で液状である樹脂としては、好ましくは２０℃以下で液状である樹脂、より好ましくは１５℃以下で液状である樹脂である。 The glass transition temperature of the resin having a glass transition temperature (Tg) of 25 ° C. or lower is preferably 20 ° C. or lower, more preferably 15 ° C. or lower. The lower limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but may be usually −15 ° C. or higher. The resin that is liquid at 25 ° C. is preferably a resin that is liquid at 20 ° C. or lower, and more preferably a resin that is liquid at 15 ° C. or lower.

（Ｂ）成分としては、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、（Ａ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（Ａ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。 The component (B) preferably has a functional group capable of reacting with the component (A) from the viewpoint of improving the mechanical strength of the cured product. The functional group that can react with the component (A) includes a functional group that appears by heating.

好適な一実施形態において、（Ａ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。 In one preferred embodiment, the functional group capable of reacting with the component (A) is selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. It is a functional group that is more than a species. Among them, as the functional group, a hydroxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group are preferable, and a hydroxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group and an epoxy group are more preferable, and phenol. Phenol is particularly preferred.

（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、ブタジエン樹脂である。ブタジエン樹脂としては２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましく、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂がさらに好ましい。水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂としては、例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂等が挙げられる。フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂としては、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂等が挙げられる。 A preferred embodiment of the component (B) is a butadiene resin. The butadiene resin is preferably a butadiene resin that is liquid at 25 ° C or has a glass transition temperature of 25 ° C or less, and is a hydride polybutadiene skeleton-containing resin, a hydroxy group-containing butadiene resin, a phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin, a carboxy group-containing butadiene resin, and acid anhydride. One or more resins selected from the group consisting of a substance-containing butadiene resin, an epoxy group-containing butadiene resin, an isocyanate group-containing butadiene resin, and a urethane group-containing butadiene resin are more preferable, and a phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin is further preferable. Examples of the hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin include a hydrogenated polybutadiene skeleton-containing epoxy resin. Examples of the phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin include resins having a polybutadiene structure and having a phenolic hydroxyl group.

ここで、「ブタジエン樹脂」とは、ポリブタジエン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。 Here, the "butadiene resin" refers to a resin containing a polybutadiene structure, and in these resins, the polybutadiene structure may be contained in the main chain or the side chain. The butadiene structure may be partially or wholly hydrogenated. Here, the "hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin" refers to a resin in which at least a part of the polybutadiene skeleton is hydrogenated, and the polybutadiene skeleton does not necessarily have to be a completely hydrogenated resin.

ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００～１００，０００、より好ましくは５,０００～５０，０００、より好ましくは７,５００～３０，０００、さらに好ましくは１０，０００～１５，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The number average molecular weight (Mn) of the butadiene resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000, more preferably 7,500 to 30,000, still more preferably 10,000 to. It is 15,000. Here, the number average molecular weight (Mn) of the resin is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured by using GPC (gel permeation chromatography).

ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００～１００００、より好ましくは２００～５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ Ｋ１５５７－１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。 When the butadiene resin has a functional group, the functional group equivalent is preferably 100 to 10000, more preferably 200 to 5000. The functional group equivalent is the number of grams of the resin containing 1 gram equivalent of the functional group. For example, the epoxy group equivalent can be measured according to JIS K7236. The hydroxyl group equivalent can be calculated by dividing the molecular weight of KOH by the hydroxyl value measured according to JIS K1557-1.

ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ－１００」、「ＪＰ－２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ－１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ－１０００」、「Ｇ－２０００」、「Ｇ－３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ－１０００」、「ＧＩ－２０００」、「ＧＩ－３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ－０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「Ｒ－４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。 Specific examples of the butadiene resin include "Ricon 657" (polybutadiene containing an epoxy group), "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", and "Ricon 131MA10" manufactured by Clay Valley. "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", "Ricon 184MA6" (polybutadiene containing acid anhydride group), "JP-100", "JP-200" (epoxidized polybutadiene), "GQ-1000" (made by Nippon Soda Co., Ltd.) Polybutadiene with hydroxyl group and carboxyl group introduced), "G-1000", "G-2000", "G-3000" (polybutadiene with double-ended hydroxyl group), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" ( Both-terminal hydroxyl hydrogenated polybutadiene), "PB3600", "PB4700" (polybutadiene skeleton epoxy resin), "Epofriend A1005", "Epofriend A1010", "Epofriend A1020" (styrene, butadiene, and styrene block) manufactured by Daisel. Epoxides of copolymers), "FCA-061L" (hydrided polybutadiene skeleton epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, "R-45EPT" (polybutadiene skeleton epoxy resin) and the like can be mentioned.

（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、イソプレン樹脂である。イソプレン樹脂の具体例としてはクラレ社製の「ＫＬ－６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。ここで、「イソプレン樹脂」とは、ポリイソプレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリイソプレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 A preferred embodiment of the component (B) is an isoprene resin. Specific examples of the isoprene resin include "KL-610" and "KL613" manufactured by Kuraray. Here, the "isoprene resin" refers to a resin containing a polyisoprene structure, and in these resins, the polyisoprene structure may be contained in the main chain or the side chain.

また、（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、カーボネート樹脂である。カーボネート樹脂としてはガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂及びウレタン基含有カーボネート樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂が好ましい。ここで、「カーボネート樹脂」とは、ポリカーボネート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリカーボネート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 Moreover, a preferable embodiment of the component (B) is a carbonate resin. The carbonate resin preferably has a glass transition temperature of 25 ° C. or lower, and is preferably a hydroxy group-containing carbonate resin, a phenolic hydroxyl group-containing carbonate resin, a carboxy group-containing carbonate resin, an acid anhydride group-containing carbonate resin, or an epoxy group-containing carbonate resin. One or more resins selected from the group consisting of isocyanate group-containing carbonate resins and urethane group-containing carbonate resins are preferred. Here, the "carbonate resin" refers to a resin containing a polycarbonate structure, and in these resins, the polycarbonate structure may be contained in the main chain or the side chain.

カーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、及び官能基当量はブタジエン樹脂と同様であり、好ましい範囲も同様である。 The number average molecular weight (Mn) and functional group equivalent of the carbonate resin are the same as those of the butadiene resin, and the preferable ranges are also the same.

カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。 Specific examples of the carbonate resin include "T6002" and "T6001" (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, and "C-1090", "C-2090" and "C-3090" (polycarbonate diol) manufactured by Kuraray. And so on.

またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のポリカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％～９５質量％、より好ましくは７５質量％～８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 Further, a linear polyimide made from a hydroxyl group-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride can also be used. The content of the polycarbonate structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. The details of the polyimide resin can be referred to in International Publication No. 2016/129541, which is incorporated herein by reference.

（Ｂ）成分の他の好適な一実施形態として、イミド構造を有する樹脂を使用することもできる。このような（Ｂ）成分として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％～９５質量％、より好ましくは７５質量％～８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６－３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 As another preferred embodiment of the component (B), a resin having an imide structure can also be used. As such a component (B), a linear polyimide using hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials (polyimide described in JP-A-2006-37083, International Publication No. 2008/153208). And so on. The content of the polybutadiene structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. For the details of the polyimide resin, the description of JP-A-2006-37083 and International Publication No. 2008/153208 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.

（Ｂ）成分の他の好適な一実施形態は、アクリル樹脂である。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂及びウレタン基含有アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「アクリル樹脂」とは、ポリ（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリ（メタ）アクリレート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 Another preferred embodiment of the component (B) is an acrylic resin. As the acrylic resin, an acrylic resin having a glass transition temperature (Tg) of 25 ° C. or lower is preferable, and a hydroxy group-containing acrylic resin, a phenolic hydroxyl group-containing acrylic resin, a carboxy group-containing acrylic resin, an acid anhydride group-containing acrylic resin, and an epoxy group One or more resins selected from the group consisting of a contained acrylic resin, an isocyanate group-containing acrylic resin, and a urethane group-containing acrylic resin are more preferable. Here, the "acrylic resin" refers to a resin containing a poly (meth) acrylate structure, and in these resins, the poly (meth) acrylate structure may be contained in the main chain or the side chain. good.

アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０，０００～１，０００，０００、より好ましくは３０，０００～９００，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The number average molecular weight (Mn) of the acrylic resin is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 30,000 to 900,000. Here, the number average molecular weight (Mn) of the resin is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured by using GPC (gel permeation chromatography).

アクリル樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１０００～５００００、より好ましくは２５００～３００００である。 When the acrylic resin has a functional group, the functional group equivalent is preferably 1000 to 50,000, more preferably 2500 to 30,000.

アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ－７０Ｌ」、「ＳＧ－７０８－６」、「ＷＳ－０２３」、「ＳＧ－７００ＡＳ」、「ＳＧ－２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５～３４ｍｇＫＯＨ/ｇ、重量平均分子量４０万～９０万、Ｔｇ－３０～５℃）、「ＳＧ－８０Ｈ」、「ＳＧ－８０Ｈ-３」、「ＳＧ－Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１～１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万～８５万、Ｔｇ１１～１２℃）、「ＳＧ－６００ＴＥＡ」、「ＳＧ－７９０」」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０～４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万～１２０万、Ｔｇ－３７～－３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ－２０００」、「Ｗ－１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ－１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ－２５」、「ＫＧ－３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。 Specific examples of the acrylic resin include Teisan resins "SG-70L", "SG-708-6", "WS-023", "SG-700AS", and "SG-280TEA" (carboxy group) manufactured by Nagase ChemteX Corporation. Containing acrylic acid ester copolymer resin, acid value 5 to 34 mgKOH / g, weight average molecular weight 400,000 to 900,000, Tg-30 to 5 ° C), "SG-80H", "SG-80H-3", "SG" -P3 "(epoxide group-containing acrylic acid ester copolymer resin, epoxy equivalent 4761 to 14285 g / eq, weight average molecular weight 350,000 to 850,000, Tg 11 to 12 ° C.)," SG-600TEA "," SG-790 "" (Hydroxy group-containing acrylic acid ester copolymer resin, hydroxyl value 20-40 mgKOH / g, weight average molecular weight 500,000-1.2 million, Tg-37--32 ° C), "ME-2000" manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., " W-116.3 "(carboxy group-containing acrylic acid ester copolymer resin)," W-197C "(hydroxyl group-containing acrylic acid ester copolymer resin)," KG-25 "," KG-3000 "(epoxide group) (Containing acrylic acid ester copolymer resin) and the like.

また、さらなる（Ｂ）成分の好適な一実施形態は、シロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソブチレン樹脂である。 Further, a preferred embodiment of the further component (B) is a siloxane resin, an alkylene resin, an alkyleneoxy resin, and an isobutylene resin.

シロキサン樹脂の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ－２００６」、「ＳＭＰ－２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ－５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。ここで、「シロキサン樹脂」とは、ポリシロキサン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリシロキサン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 Specific examples of the siloxane resin include "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA", "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shinetsu Silicone Co., Ltd., amine group-terminated polysiloxane, and linear polyimide made from tetrabasic acid anhydride (international). Publication No. 2010/053185) and the like can be mentioned. Here, the "siloxane resin" refers to a resin containing a polysiloxane structure, and in these resins, the polysiloxane structure may be contained in the main chain or the side chain.

アルキレン樹脂の具体例としては旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ－１０００」、「ＰＴＸＧ－１８００」、三菱化学社製の「ＹＸ－７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）等が挙げられる。ここで、「アルキレン樹脂」とは、ポリアルキレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリアルキレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 Specific examples of the alkylene resin include "PTXG-1000" and "PTXG-1800" manufactured by Asahi Kasei Fibers Corporation, "YX-7180" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (resin containing an alkylene structure having an ether bond), and the like. .. Here, the "alkylene resin" refers to a resin containing a polyalkylene structure, and in these resins, the polyalkylene structure may be contained in the main chain or the side chain.

アルキレンオキシ樹脂の具体例としてはＤＩＣ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製「ＥＸＡ－４８５０－１５０」、「ＥＸＡ－４８１６」、「ＥＸＡ－４８２２」、ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ－４０００」、「ＥＰ－４００３」、「ＥＰ－４０１０」、及び「ＥＰ－４０１１」、新日本理化社製「ＢＥＯ－６０Ｅ」、「ＢＰＯ－２０Ｅ」ならびに三菱化学社製「ＹＬ７１７５」、及び「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。ここで、「アルキレンオキシ樹脂」とは、ポリアルキレンオキシ構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリアルキレンオキシ構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 Specific examples of the alkyleneoxy resin include "EXA-4850-150", "EXA-4816", "EXA-4822" manufactured by DIC Corporation, "EP-4000", "EP-4003", and "EP-" manufactured by ADEKA. 4010 ”and“ EP-4011 ”,“ BEO-60E ”and“ BPO-20E ”manufactured by Shin Nihon Rika Co., Ltd., and “YL7175” and “YL7410” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Here, the "alkylene oxy resin" refers to a resin containing a polyalkylene oxy structure, and in these resins, the polyalkylene oxy structure may be contained in the main chain or the side chain.

イソブチレン樹脂の具体例としてはカネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ－０７３Ｔ」（スチレン－イソブチレン－スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ－０４２Ｄ」（スチレン－イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。ここで、「イソブチレン樹脂」とは、ポリイソブチレン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてポリイソブチレン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。 Specific examples of the isobutylene resin include "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and "SIBSTAR-042D" (styrene-isobutyrene block copolymer) manufactured by Kaneka Corporation. Here, the "isobutylene resin" refers to a resin containing a polyisobutylene structure, and in these resins, the polyisobutylene structure may be contained in the main chain or the side chain.

またさらなる（Ｂ）成分の好適な実施形態として、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的には、ＸＥＲ－９１（日本合成ゴム社製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）等が挙げられる。ポリアミド微粒子の具体例としては、ナイロンのような脂肪族ポリアミド、さらには、ポリアミドイミド等柔軟な骨格であればどのようなものでも良く、具体的には、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ ２０７０（ダイセルヒュルス社製）や、ＳＰ５００（東レ社製）等が挙げられる。 Further, as a preferable embodiment of the component (B), acrylic rubber particles, polyamide fine particles, silicone particles and the like can be mentioned. Specific examples of the acrylic rubber particles include fine particles of a resin that is insoluble and insoluble in an organic solvent by chemically cross-linking a resin exhibiting rubber elasticity such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber, and acrylic rubber. Specifically, XER-91 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.), Staphyroid AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (all manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.), Pararoid EXL2655, EXL2602 (manufactured by Kureha Chemical Industry Co., Ltd.). ) Etc. can be mentioned. Specific examples of the polyamide fine particles include aliphatic polyamides such as nylon, and any flexible skeleton such as polyamide-imide. Specifically, VESTOSINT 2070 (manufactured by Daicel Huls) and the like. , SP500 (manufactured by Toray Industries, Inc.) and the like.

樹脂組成物中の（Ｂ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは７質量％以上である。下限は、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２３質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。 The content of the component (B) in the resin composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of imparting flexibility. , More preferably 7% by mass or more. The lower limit is preferably 25% by mass or less, more preferably 23% by mass or less, still more preferably 20% by mass or less.

樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をＢ１とした場合、（Ａ１／Ｂ１）×１００が、好ましくは３０以上、より好ましくは４５以上、さらに好ましくは６０以上である。上限は、好ましくは２５０以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは８０以下である。（Ａ１／Ｂ１）×１００を斯かる範囲とすることにより、十分な架橋密度が形成され耐薬品性が得られるという効果を奏するようになる。 The content of the component (A) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass is A1, and the content of the component (B) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass is B1. , The value of (A1 / B1) × 100 is preferably 30 or more, more preferably 45 or more, and further preferably 60 or more. The upper limit is preferably 250 or less, more preferably 100 or less, still more preferably 80 or less. By setting (A1 / B1) × 100 in such a range, an effect that a sufficient crosslink density is formed and chemical resistance can be obtained can be obtained.

＜（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物＞
樹脂組成物は、（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物を含有する。本発明者らの鋭意研究の結果、（Ｃ）成分を含有させることにより、作業性に優れる樹脂組成物が得られ、その樹脂組成物を用いることにより、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥが低い硬化物が得られることを見出した。（Ｃ）成分は化学的に安定であることから、樹脂組成物のチキソトロピー指数が低下し、これにより、作業性に優れるようになると考えられる。また、チキソトロピー指数が低下することから、後述する（Ｄ）無機充填材をより多く含有させることができる。その結果、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥを低い硬化物を得ることができると考えられる。 <(C) Fluorine atom-containing alkoxysilane compound>
The resin composition contains (C) a fluorine atom-containing alkoxysilane compound. As a result of diligent research by the present inventors, a resin composition having excellent workability can be obtained by containing the component (C), and by using the resin composition, the storage elastic modulus, the dielectric loss tangent, and the relative permittivity can be obtained. , And a cured product with a low CTE was found. Since the component (C) is chemically stable, it is considered that the thixotropy index of the resin composition is lowered, which makes the workability excellent. Further, since the thixotropy index is lowered, a larger amount of the (D) inorganic filler described later can be contained. As a result, it is considered that a cured product having low dielectric loss tangent, relative permittivity, and CTE can be obtained.

（Ｃ）成分は、チキソトロピー指数を低くする観点から、（Ｃ）成分１分子中のフッ素原子数が１～１０が好ましく、フッ素原子数が１～５がより好ましく、フッ素原子数が１～３がさらに好ましい。 From the viewpoint of lowering the thixotropic index, the component (C) preferably has 1 to 10 fluorine atoms in one molecule of the (C) component, more preferably 1 to 5 fluorine atoms, and 1 to 3 fluorine atoms. Is even more preferable.

（Ｃ）成分は、チキソトロピー指数を低くする観点からフッ化アルキル基を有することが好ましく、フッ化アルキル基は、末端にフッ素原子を有することが好ましい。フッ化アルキル基は、炭素原子数１～２０のフッ化アルキル基が好ましく、炭素原子数１～１０のフッ化アルキル基がより好ましく、炭素原子数１～６のフッ化アルキル基がさらに好ましい。このようなフッ化アルキル基としては、例えば－ＣＦ３、－ＣＨ２ＣＦ３、－ＣＦ２ＣＦ３、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、－ＣＨ（ＣＦ３）２、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）２、－Ｃ（ＣＦ３）３等が挙げられ、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３が好ましい。 The component (C) preferably has an alkyl fluoride group from the viewpoint of lowering the thixotropy index, and the alkyl fluoride group preferably has a fluorine atom at the terminal. The alkyl fluoride group is preferably an alkyl fluoride group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl fluoride group having 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkyl fluoride group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of such an alkyl fluoride group include -CF 3 , -CH 2 CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 CF 3 , -CH (CF 3 ) 2 , and -CH 2 CH 2 CH 2 . CF 3 , -CH 2 CH (CF 3 ) 2 , -C (CF 3 ) 3 , and the like can be mentioned, with -CH 2 CH 2 CF 3 being preferred.

また、（Ｃ）成分は、反応性向上の観点から、（Ｃ）成分１分子中のアルコキシ基の数が１～５が好ましく、アルコキシ基の数が１～３がより好ましく、アルコキシ基の数が２～３がさらに好ましい。 Further, from the viewpoint of improving reactivity, the component (C) preferably has 1 to 5 alkoxy groups in one molecule of the (C) component, more preferably 1 to 3 alkoxy groups, and more preferably 1 to 3 alkoxy groups. 2 to 3 is more preferable.

（Ｃ）成分におけるアルコキシ基としては、反応性向上の観点から、炭素原子数１～２０のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数１～１０のアルコキシ基がより好ましく、炭素原子数１～６のアルコキシ基がさらに好ましい。このようなアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、及びデシルオキシ基が挙げられ、メトキシ基が好ましい。 As the alkoxy group in the component (C), an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms is more preferable, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms is preferable from the viewpoint of improving reactivity. The group is more preferred. Examples of such an alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, an isopropyloxy group, a butoxy group, an s-butoxy group, an isobutoxy group, a t-butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group and a heptyloxy group. Examples thereof include a group, an octyloxy group, a nonyloxy group, and a decyloxy group, and a methoxy group is preferable.

アルコキシ基は置換基を有していてもよい。置換基としては、特に制限はなく、例えば、ハロゲン原子、－ＯＨ、－Ｏ－Ｃ１－６アルキル基、－Ｎ（Ｃ１－６アルキル基）２、Ｃ１－６アルキル基、Ｃ６－１０アリール基、－ＮＨ２、－ＣＮ、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｃ１－６アルキル基、－ＣＯＯＨ、－Ｃ（Ｏ）Ｈ、－ＮＯ２等が挙げられる。 The alkoxy group may have a substituent. The substituent is not particularly limited, and is, for example, a halogen atom, -OH, -OC 1-6 alkyl group, -N (C 1-6 alkyl group) 2 , C 1-6 alkyl group, C 6- . Examples thereof include a 10 aryl group, -NH 2 , -CN, -C (O) OC 1-6 alkyl group, -COOH, -C (O) H, -NO 2 and the like.

ここで、「Ｃｐ－ｑ」（ｐ及びｑは正の整数であり、ｐ＜ｑを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｐ～ｑであることを表す。例えば、「Ｃ１－６アルキル基」という表現は、炭素原子数１～６のアルキル基を示す。 Here, the term "C p-q " (p and q are positive integers and satisfy p <q) is described immediately after this term in that the number of carbon atoms of the organic group is p to q. Represents that there is. For example, the expression "C 1-6 alkyl group" indicates an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。 The above-mentioned substituent may further have a substituent (hereinafter, may be referred to as a "secondary substituent"). Unless otherwise specified, the same as the above-mentioned substituent may be used as the secondary substituent.

（Ｃ）成分の分子量としては、相溶性向上という観点から、５０～２０００が好ましく、７５～１０００がより好ましく、１００～５００がさらに好ましい。 The molecular weight of the component (C) is preferably 50 to 2000, more preferably 75 to 1000, and even more preferably 100 to 500, from the viewpoint of improving compatibility.

これらの中でも、（Ｃ）成分としては、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有アルコキシシラン化合物等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ｃ）成分としては、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシランが好ましい。（Ｃ）成分は市販品を用いてもよく、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ－７１０３」、「オプツールＤＳＸ」等が挙げられる。 Among these, examples of the component (C) include 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, a perfluoro (poly) ether group-containing alkoxysilane compound, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, as the component (C), 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane is preferable. As the component (C), a commercially available product may be used, and examples thereof include "KBM-7103" and "Optur DSX" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

樹脂組成物中に含まれる（Ｃ）成分の態様は特に限定されないが、下記（ｉ）～（ｉｉｉ）の態様で樹脂組成物中に含有することが好ましく、（ｉ）又は（ｉｉｉ）の態様で樹脂組成物中に含有することがより好ましく、（ｉ）の態様で樹脂組成物中に含有することがさらに好ましい。即ち、（Ｃ）成分は、（Ｄ）成分の表面処理剤として樹脂組成物中に含有することが好ましい。
（ｉ）（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有
（ｉｉ）（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有
（ｉｉｉ）（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有しているとともに、（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有
「（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有」とは、（Ｄ）成分が（Ｃ）成分で表面処理されていることを表す。この場合、（Ｃ）成分は通常、（Ｄ）成分の表面にある。また、「（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有」とは、（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有していないことを表す。なお、（Ｃ）成分が（Ｄ）成分の表面処理剤として含有していない場合は、（Ｃ）成分は樹脂組成物中に遊離しており、絶縁層表面の低粗度化に有効である。 The embodiment of the component (C) contained in the resin composition is not particularly limited, but it is preferably contained in the resin composition in the following embodiments (i) to (iii), and the embodiment (i) or (iii) is preferable. It is more preferable to contain it in the resin composition, and it is further preferable to contain it in the resin composition in the embodiment (i). That is, the component (C) is preferably contained in the resin composition as a surface treatment agent for the component (D).
(I) The component (C) is contained as a surface treatment agent for the component (D). (Ii) The component (C) is contained alone in the resin composition. The component (iii) (C) is a surface treatment agent for the component (D). In addition to being contained, the component (C) alone is contained in the resin composition. "The component (C) is contained as a surface treatment agent for the component (D)" means that the component (D) is surface-treated with the component (C). Indicates that it has been done. In this case, the component (C) is usually on the surface of the component (D). Further, "containing the (C) component alone in the resin composition" means that the (C) component is not contained as a surface treatment agent for the (D) component. When the component (C) is not contained as the surface treatment agent for the component (D), the component (C) is liberated in the resin composition, which is effective for lowering the roughness of the surface of the insulating layer. ..

（Ｃ）成分の含有量は、（Ｃ）成分単独で樹脂組成物中に含有する場合、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上が好ましく、０．０１５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されないが、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下がさらに好ましい。斯かる範囲内とすることでチキソトロピー指数を低くすることが可能となる。 The content of the component (C) is preferably 0.01% by mass or more when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass when the component (C) is contained alone in the resin composition. 015% by mass or more is more preferable, and 0.1% by mass or more is further preferable. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 2% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less. Within such a range, the thixotropy index can be lowered.

（Ｃ）成分を（Ｄ）成分の表面処理剤として含有させる場合、（Ｃ）成分による表面処理の程度は、チキソトロピー指数を低くする観点から、（Ｄ）成分１００質量部に対して、０．２質量部～５質量部の（Ｃ）成分で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部～３質量部の（Ｃ）成分で表面処理されていることがより好ましく、０．５質量部～２．５質量部の（Ｃ）成分で表面処理されていることがさらに好ましい。 When the component (C) is contained as a surface treatment agent for the component (D), the degree of surface treatment with the component (C) is 0. The surface is preferably surface-treated with 2 parts by mass to 5 parts by mass of the component (C), more preferably 0.3 parts by mass to 3 parts by mass of the component (C), and 0.5 parts by mass. It is more preferable that the surface is treated with the component (C) of parts by mass to 2.5 parts by mass.

＜（Ｄ）無機充填材＞
樹脂組成物は、（Ｄ）無機充填材を含有する。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカ、アルミナが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <(D) Inorganic filler>
The resin composition contains (D) an inorganic filler. The material of the inorganic filler is not particularly limited, but for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, water. Aluminum oxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide , Zirconium oxide, barium titanate, barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium tungstate phosphate and the like. Of these, silica and alumina are particularly suitable. Further, as silica, spherical silica is preferable. The inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.

無機充填材の平均粒径は特に限定されないが、表面粗さの小さい絶縁層を得る観点や微細配線形成性向上の観点から、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは１．５μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、デンカ社製、「ＦＢ－３ＳＤＸ」、「ＦＢ－５ＳＤＸ」、「ＦＢ－７ＳＤＸ」、新日鐵住金マテリアルズ社製「ＳＰ６０－０５」、「ＳＰ６０－１０」、アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ４」、「ＳＯ－Ｃ２」、「ＳＯ－Ｃ５」等が挙げられる。 The average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 20 μm or less, more preferably 10 μm or less, still more preferably 2 μm or less, from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a small surface roughness and improving the fine wiring formability. be. The lower limit of the average particle size is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, still more preferably 1.5 μm or more. Commercially available products of inorganic fillers having such an average particle size include, for example, "FB-3SDX", "FB-5SDX", "FB-7SDX" manufactured by Denka Co., Ltd., and "FB-7SDX" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Materials Co., Ltd. Examples thereof include "SP60-05", "SP60-10", "SO-C4", "SO-C2" and "SO-C5" manufactured by Admatex.

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ－５００」等を使用することができる。 The average particle size of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating a particle size distribution of the inorganic filler on a volume basis using a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device and using the median diameter as the average particle size. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device, "LA-500" manufactured by HORIBA, Ltd. or the like can be used.

無機充填材は、表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、（Ｃ）成分、及び（Ｃ）成分以外の表面処理剤（以下、「他の表面処理剤」ということがある。）が挙げられる。無機充填材は、（Ｃ）成分で表面処理されていてもよく、他の表面処理剤で表面処理されていてもよい。チキソトロピー指数を低くする観点から、（Ｃ）成分で表面処理されていることが好ましい。 The inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent. Examples of the surface treatment agent include the component (C) and a surface treatment agent other than the component (C) (hereinafter, may be referred to as “another surface treatment agent”). The inorganic filler may be surface-treated with the component (C) or may be surface-treated with another surface treatment agent. From the viewpoint of lowering the thixotropy index, it is preferable that the surface is treated with the component (C).

他の表面処理剤としては、例えばアミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。このような他の表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ－９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。 Examples of other surface treatment agents include aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, titanate-based coupling agents and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of commercially available products of such other surface treatment agents include "KBM-403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. and "KBM-803" (3) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. -Mercaptpropyltrimethoxysilane), "KBE-903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ), "SZ-31" (hexamethyl disilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-4803" (long-chain epoxy) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Type silane coupling agent) and the like.

他の表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｃ）成分による表面処理の程度と同様であり、好ましい範囲も同様である。 The degree of surface treatment with other surface treatment agents is the same as the degree of surface treatment with component (C), and the preferred range is also the same.

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０５ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment with the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.05 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / m 2 or more, and 0.2 mg / m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the sheet form, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less is further preferable. preferable.

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、誘電正接、比誘電率、及びＣＴＥを低くする観点から、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは６５質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下である。（Ｄ）成分が（Ｃ）成分で表面処理されている場合、無機充填材の含有量は（Ｃ）成分を含めた含有量である。 The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 60% by mass or more, more preferably 65% by mass or more, still more preferably 70% by mass or more, from the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent, the relative permittivity, and the CTE. Is. The upper limit of the content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, still more preferably 85% by mass or less, from the viewpoint of the mechanical strength of the insulating layer. When the component (D) is surface-treated with the component (C), the content of the inorganic filler is the content including the component (C).

＜（Ｅ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ｅ）硬化剤を含有し得る。硬化剤としては、（Ａ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｅ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤であることが好ましい。 <(E) Curing agent>
The resin composition may contain (E) a curing agent. The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the resin such as the component (A), and for example, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, and cyanate. Examples include ester-based curing agents. The curing agent may be used alone or in combination of two or more. The component (E) is preferably one or more selected from a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, and a cyanate ester-based curing agent, and is preferably a phenol-based curing agent.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。 As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable. Among them, a triazine skeleton-containing phenol novolac curing agent is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion to the conductor layer.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」等が挙げられる。 Specific examples of the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and "NHN" and "CBN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "GPH", "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495V", "SN375", "SN395" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, "TD-" manufactured by DIC Corporation. 2090, "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500", "HPC-9500", "KA-1160", "KA-" "1163", "KA-1165", "GDP-6115L" manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., "GDP-6115H" and the like can be mentioned.

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 The active ester-based curing agent is not particularly limited, but generally contains an ester group having high reaction activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds in one molecule. A compound having two or more esters is preferably used. The active ester-based curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyromellitic acid and the like. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-. Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenol, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucin, Examples thereof include benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, and phenol novolac. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two phenol molecules with one dicyclopentadiene molecule.

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造を表す。 Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, and an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac are preferable. Of these, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structure composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。 Commercially available products of active ester-based curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", and "HPC-8000H-" as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. "65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC), "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure, and "DC808" (manufactured by DIC) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac. Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester-based curing agent which is an acetylated product of phenol novolac. Examples of the active ester-based curing agent which is a benzoyl compound of phenol novolac include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and the like.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」が挙げられる。 Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd., "Pd" and "FA" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。 Examples of the cyanate ester-based curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis (2,6-dimethylphenylcyanate), and 4,4. '-Echilidendiphenyl disyanate, hexafluorobisphenol A disyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether, phenol. Examples thereof include polyfunctional cyanate resins derived from novolak and cresol novolak, and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined. Specific examples of the cyanate ester-based curing agent include "PT30" and "PT60" (both are phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), "BA230", and "BA230S75" (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Lonza Japan. Alternatively, a prepolymer in which the whole is triazined to become a trimer) and the like can be mentioned.

樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。また、下限は特に制限はないが１質量％以上が好ましい。 When the resin composition contains the component (E), the content of the curing agent is preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. More preferably, it is 5% by mass or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 1% by mass or more.

＜（Ｆ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <(F) Curing accelerator>
The resin composition may contain (F) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, and the like, and phosphorus-based curing accelerators and amine-based curing agents. A curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, and a metal-based curing accelerator are preferable, and an amine-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, and a metal-based curing accelerator are more preferable. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。 Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。 Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, and 1,8-diazabicyclo. (5,4,0) -Undecene and the like are mentioned, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -Undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and the like. 2-Ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecyl Imidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline Examples thereof include imidazole compounds such as 2-phenylimidazolin and adducts of the imidazole compound and an epoxy resin, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。 As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and examples thereof include "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。 Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, and trimethylguanidine. Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylviguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -Allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide and the like can be mentioned, with dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene being preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organic metal complex include an organic cobalt complex such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, an organic copper complex such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Examples thereof include an organic zinc complex such as iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate and the like.

樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物の不揮発成分合計量を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０３質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。上限は、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１．５質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。 When the resin composition contains the component (F), the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0 when the total amount of the non-volatile components of the resin composition is 100% by mass. It is 0.03% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more. The upper limit is preferably 3% by mass or less, more preferably 1.5% by mass or less, still more preferably 1% by mass or less.

＜（Ｇ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（Ｇ）難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。 <(G) Flame Retardant>
The resin composition may contain (G) a flame retardant. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, a metal hydroxide and the like. The flame retardant may be used alone or in combination of two or more.

難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ－ＨＱ」等が挙げられる。 As the flame retardant, a commercially available product may be used, and examples thereof include "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd.

樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％～２０質量％、より好ましくは０．５質量％～１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％～１０質量％がさらに好ましい。 When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is preferably 0.5% by mass to 20% by mass, more preferably 0% when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. It is more preferably 5% by mass to 15% by mass, more preferably 0.5% by mass to 10% by mass.

＜（Ｈ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。 <(H) Arbitrary additive>
The resin composition may further contain other additives, if necessary, and such other additives include, for example, organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds. In addition, resin additives such as binders, thickeners, defoaming agents, leveling agents, adhesion-imparting agents, and colorants can be mentioned.

＜樹脂組成物の物性＞
樹脂組成物は、（Ｃ）成分を含有することから、チキソトロピー指数が低いという特性を示す。チキソトロピー指数としては、好ましくは１以下、より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下である。下限値は特に限定されないが、０．０１以上等とし得る。上記チキソトロピー指数は、後述する［チキソトロピー指数の測定］に記載の方法に従って測定することができる。 <Physical characteristics of resin composition>
Since the resin composition contains the component (C), it exhibits a characteristic of having a low thixotropy index. The thixotropy index is preferably 1 or less, more preferably 0.9 or less, still more preferably 0.8 or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.01 or more. The thixotropy index can be measured according to the method described in [Measurement of thixotropy index] described later.

樹脂組成物は、チキソトロピー指数が低いことから、時間の経過により均一な形状となり、その結果、厚みムラ等が解消され、均一な形状に整える必要がない、即ち作業性に優れるという特性を示す。例えば、カートリッジから樹脂組成物を吐出させても、樹脂組成物表面の凹凸が少ない状況となる。そのため、コンプレッションモールディング法による樹脂組成物層の形成を容易に行うことができる。作業性は、後述する［作業性の評価］に記載の方法に従って測定することができる。 Since the resin composition has a low thixotropy index, it becomes a uniform shape with the passage of time, and as a result, unevenness in thickness and the like are eliminated, and it is not necessary to arrange the resin composition into a uniform shape, that is, it exhibits excellent workability. For example, even if the resin composition is discharged from the cartridge, the surface of the resin composition is less uneven. Therefore, the resin composition layer can be easily formed by the compression molding method. Workability can be measured according to the method described in [Evaluation of workability] described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、比誘電率が低いという特性を示す。比誘電率としては、好ましくは６以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは４以下、３．５以下である。下限値は特に限定されないが、０．１以上等とし得る。上記比誘電率は、後述する［比誘電率、誘電正接の測定］に記載の方法に従って測定することができる。 The cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a characteristic of low relative permittivity. The relative permittivity is preferably 6 or less, more preferably 5 or less, still more preferably 4 or less, and 3.5 or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.1 or more. The relative permittivity can be measured according to the method described in [Measurement of Relative Permittivity and Dielectric Dissipation Factor] described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、誘電正接が低いという特性を示す。誘電正接としては、好ましくは０．１以下、より好ましくは０．００９以下、さらに好ましくは０．００８以下である。下限値は特に限定されないが、０．００１以上等とし得る。上記誘電正接は、後述する［比誘電率、誘電正接の測定］に記載の方法に従って測定することができる。 The cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a characteristic of low dielectric loss tangent. The dielectric loss tangent is preferably 0.1 or less, more preferably 0.009 or less, still more preferably 0.008 or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.001 or more. The dielectric loss tangent can be measured according to the method described in [Measurement of Relative Permittivity and Dissipation Factor] described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を含有することから、貯蔵弾性率が低いという特性を示す。即ち、反りが抑制された絶縁層をもたらす。貯蔵弾性率としては、好ましくは１０ＧＰａ以下、より好ましくは８ＧＰａ以下、さらに好ましくは５ＧＰａ以下である。下限値は特に限定されないが、０．１ＧＰａ以上等とし得る。上記貯蔵弾性率は、後述する［貯蔵弾性率の測定］に記載の方法に従って測定することができる。 The cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a characteristic of low storage elastic modulus because it contains the component (B) and the component (C). That is, it provides an insulating layer in which warpage is suppressed. The storage elastic modulus is preferably 10 GPa or less, more preferably 8 GPa or less, and further preferably 5 GPa or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.1 GPa or more. The storage elastic modulus can be measured according to the method described in [Measurement of storage elastic modulus] described later.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、３０℃～１５０℃での線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低いという特性を示す。上記線熱膨張係数としては、好ましくは５０ｐｐｍ以下、より好ましくは３０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは２０ｐｐｍ以下である。下限値は特に限定されないが、３ｐｐｍ以上等とし得る。上記線熱膨張係数は、後述する［線熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］に記載の方法に従って測定することができる。 The cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180 ° C. for 90 minutes exhibits a characteristic that the linear thermal expansion coefficient (CTE) at 30 ° C. to 150 ° C. is low. The coefficient of linear thermal expansion is preferably 50 ppm or less, more preferably 30 ppm or less, still more preferably 20 ppm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 3 ppm or more. The coefficient of linear thermal expansion can be measured according to the method described in [Measurement of coefficient of linear thermal expansion (CTE)] described later.

本発明の樹脂組成物は、作業性に優れるという特性を示すことから、例えば、インク等液状の態様で好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は、低弾性であることから反りの発生が抑制され、貯蔵弾性率、誘電正接、比誘電率、及び線熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い絶縁層をもたらすことができる。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。 Since the resin composition of the present invention exhibits the property of being excellent in workability, it can be suitably used in a liquid form such as ink. Further, since the cured product of the resin composition of the present invention has low elasticity, the occurrence of warpage is suppressed, and an insulating layer having a low storage elastic modulus, dielectric loss tangent, relative permittivity, and linear thermal expansion coefficient (CTE) is provided. Can bring. Therefore, the resin composition of the present invention forms an insulating layer of a resin composition (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package) for forming an insulating layer of a semiconductor chip package and a circuit board (including a printed wiring board). A resin composition (plating) for forming an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating, which can be suitably used as a resin composition (resin composition for an insulating layer of a circuit board). It can be more preferably used as a resin composition for an interlayer insulating layer of a circuit board that forms a conductor layer).
It is also suitable as a resin composition for encapsulating a semiconductor chip (resin composition for encapsulating a semiconductor chip) and a resin composition for forming wiring on a semiconductor chip (resin composition for forming a semiconductor chip wiring). Can be used.

［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。 [Resin sheet]
The resin sheet of the present invention includes a support and a resin composition layer provided on the support and formed of the resin composition of the present invention.

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。 From the viewpoint of thinning, the thickness of the resin composition layer is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less, 80 μm or less, 60 μm or less, 50 μm or less, or 40 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but may be usually 1 μm or more, 5 μm or more, 10 μm or more, and the like.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When a film made of a plastic material is used as a support, the plastic material may be, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as "PET") or polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN"). ) And other polyesters, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylics such as polymethylmethacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, triacetylcellulose (TAC), polyethersulfide (PES), polyethers. Examples thereof include ketones and polyimides. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。 When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, and the like, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. You may use it.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。 The support may be matted or corona-treated on the surface to be joined to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be joined to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used for the release layer of the support with the release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin. .. As the support with a release layer, a commercially available product may be used. For example, "SK-1" and "SK-1" manufactured by Lintec Corporation, which are PET films having a release layer containing an alkyd resin-based mold release agent as a main component. Examples include "AL-5", "AL-7", "Lumilar T60" manufactured by Toray Industries, "Purex" manufactured by Teijin Ltd., and "Unipee" manufactured by Unitika Ltd.

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. When a support with a release layer is used, the thickness of the entire support with a release layer is preferably in the above range.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター、コンプレッションモールド法等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。 For the resin sheet, for example, a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent is prepared, the resin varnish is applied onto a support using a die coater, a compression molding method, or the like, and the resin composition is further dried. It can be manufactured by forming a layer.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, cellosolve and butyl carbitol and the like. Examples thereof include carbitols, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％～６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be carried out by a known method such as heating or blowing hot air. The drying conditions are not particularly limited, but the resin composition layer is dried so that the content of the organic solvent is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it depends on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent is used, the resin composition is obtained by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 to 10 minutes. A layer can be formed.

樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。 In the resin sheet, a protective film similar to the support can be further laminated on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. By laminating the protective film, it is possible to prevent dust and the like from adhering to the surface of the resin composition layer and scratches. The resin sheet can be rolled up and stored. If the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。例えば、樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ－ＣＳＰ、ＭＩＳ－ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ－ＢＧＡパッケージが挙げられる。 The resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer in the manufacture of a semiconductor chip package (insulating resin sheet for a semiconductor chip package). For example, the resin sheet can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board (resin sheet for an insulating layer of a circuit board), and an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating is formed. Therefore, it can be more preferably used (for an interlayer insulating layer of a circuit board that forms a conductor layer by plating). Examples of packages using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

また樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ－ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ－ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。また、樹脂シートは高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。 Further, the resin sheet can be suitably used for encapsulating a semiconductor chip (resin sheet for encapsulating a semiconductor chip) or for forming wiring on a semiconductor chip (resin sheet for forming a semiconductor chip wiring), for example. It can be suitably used for Fan-out type WLP (Wafer Level Package), Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), Fan-in type PLP and the like. Further, it can also be suitably used as a MUF (Molding Under Filling) material or the like used after connecting a semiconductor chip to a substrate. In addition, the resin sheet can be suitably used for a wide range of other applications that require high insulation reliability, for example, for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed wiring board.

樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。 Instead of the resin sheet, a prepreg formed by impregnating a sheet-like fiber base material with the resin composition of the present invention may be used.

プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。 The sheet-shaped fiber base material used for the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as the base material for the prepreg such as glass cloth, aramid non-woven fabric, and liquid crystal polymer non-woven fabric can be used. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-shaped fiber base material is preferably 900 μm or less, more preferably 800 μm or less, still more preferably 700 μm or less, still more preferably 600 μm or less. The lower limit of the thickness of the sheet-shaped fiber base material is not particularly limited, but may be usually 1 μm or more, 1.5 μm or more, 2 μm or more, and the like.

プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。 The prepreg can be produced by a known method such as a hot melt method or a solvent method.

プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。 The thickness of the prepreg may be in the same range as the resin composition layer in the above-mentioned resin sheet.

［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。 [Circuit board]
The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the resin composition of the present invention.
The method for manufacturing the circuit board of the present invention is as follows.
(1) A step of preparing a base material with a wiring layer having a base material and a wiring layer provided on at least one surface of the base material.
(2) A step of laminating the resin sheet of the present invention on a base material with a wiring layer so that the wiring layer is embedded in the resin composition layer, and thermally curing the resin sheet to form an insulating layer.
(3) Includes a step of connecting the wiring layers between layers. Further, the method for manufacturing a circuit board may include (4) a step of removing the base material.

工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、配線層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。 The step (3) is not particularly limited as long as the wiring layers can be interconnected, but is a step of forming a via hole in the insulating layer to form the wiring layer, and a step of polishing or grinding the insulating layer to expose the wiring layer. It is preferable that the process is at least one of the above steps.

＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。通常、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第１金属層、第２金属層の順でそれぞれ有し、第２金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層が形成されている。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、第１金属層、第２金属層は有していなくてもよい。 <Process (1)>
The step (1) is a step of preparing a base material with a wiring layer having a base material and a wiring layer provided on at least one surface of the base material. Normally, the base material with a wiring layer has a first metal layer and a second metal layer, which are a part of the base material, on both sides of the base material in this order, which is opposite to the surface of the second metal layer on the base material side. A wiring layer is formed on the side surface. For details, a dry film (photosensitive resist film) is laminated on a substrate and exposed and developed under predetermined conditions using a photomask to form a pattern dry film. A wiring layer is formed by an electrolytic plating method using the developed pattern dry film as a plating mask, and then the pattern dry film is peeled off. The first metal layer and the second metal layer may not be provided.

基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、表面に剥離可能な第１金属層及び第２金属層（例えば、三井金属社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。 Examples of the substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate (stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC), etc.), a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a heat-curable polyphenylene ether substrate, and the like. A metal layer such as copper foil may be formed on the surface. Further, even if a metal layer such as a peelable first metal layer and a second metal layer (for example, an ultrathin copper foil with a carrier copper foil manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., trade name "Micro Tin") is formed on the surface. good.

ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。 The dry film is not particularly limited as long as it is a photosensitive dry film made of a photoresist composition, and for example, a dry film such as a novolak resin or an acrylic resin can be used. A commercially available product may be used as the dry film.

基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。 The laminating conditions of the base material and the dry film are the same as the conditions for laminating the resin sheet in the step (2) described later so as to be embedded in the wiring layer, and the preferable range is also the same.

ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。 After laminating the dry film on the substrate, exposure and development are performed under predetermined conditions using a photoresist to form a desired pattern on the dry film.

配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。 The line (circuit width) / space (width between circuits) ratio of the wiring layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less, and further preferably 5 /. It is 5 μm or less, more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5 / 0.5 μm or more. The pitch does not have to be the same throughout the wiring layer. The minimum pitch of the wiring layer may be 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。 After forming the pattern of the dry film, a wiring layer is formed and the dry film is peeled off. Here, the formation of the wiring layer can be carried out by a plating method using a dry film having a desired pattern formed as a plating mask.

配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。 The conductor material used for the wiring layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the wiring layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The wiring layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer may be, for example, an alloy of two or more metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper, etc.). Nickel alloys and copper-titanium alloys). Among them, from the viewpoint of versatility, cost, ease of patterning, etc. for forming the wiring layer, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy, copper, etc. A nickel alloy, a copper-titanium alloy alloy layer is preferable, a chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layer, or a nickel-chromium alloy alloy layer is more preferable, and a copper single metal layer is preferable. A metal layer is more preferred.

配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ～３５μｍ、より好ましくは５μｍ～３０μｍ、さらに好ましくは１０～２０μｍ、又は１５～２０μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは２μｍ以上１００μｍ以下である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。 The thickness of the wiring layer depends on the desired wiring board design, but is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, still more preferably 10 to 20 μm, or 15 to 20 μm. When the step of polishing or grinding the insulating layer to expose the wiring layer and connecting the wiring layers to each other in the step (3) is adopted, it is preferable that the thickness of the wiring to be interconnected and the thickness of the wiring not to be connected are different. .. The thickness of the wiring layer can be adjusted by repeating the above-mentioned pattern formation. The thickness of the thickest wiring layer (conductive pillar) among the wiring layers is preferably 2 μm or more and 100 μm or less, although it depends on the desired wiring board design. Further, the wiring connected between layers may be convex.

配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。 After forming the wiring layer, the dry film is peeled off. The peeling of the dry film can be carried out using, for example, an alkaline stripping solution such as a sodium hydroxide solution. If necessary, an unnecessary wiring pattern can be removed by etching or the like to form a desired wiring pattern. The pitch of the wiring layer to be formed is as described above.

＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層を、樹脂シートの樹脂組成物層に埋め込まれるように積層させ、樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化させ絶縁層を形成する。 <Process (2)>
Step (2) is a step of laminating the resin sheet of the present invention on a base material with a wiring layer so that the wiring layer is embedded in the resin composition layer, and thermally curing the resin sheet to form an insulating layer. For details, the wiring layer of the base material with a wiring layer obtained in the above-mentioned step (1) is laminated so as to be embedded in the resin composition layer of the resin sheet, and the resin composition layer of the resin sheet is thermally cured and insulated. Form a layer.

配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 The laminating of the wiring layer and the resin sheet can be performed, for example, by heat-pressing the resin sheet to the wiring layer from the support side after removing the protective film of the resin sheet. Examples of the member for heat-crimping the resin sheet to the wiring layer (hereinafter, also referred to as “heat-crimping member”) include a heated metal plate (SUS end plate or the like) or a metal roll (SUS roll). It is preferable not to press the heat-bonded member directly onto the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the wiring layer.

配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。 The wiring layer and the resin sheet may be laminated by a vacuum laminating method after removing the protective film of the resin sheet. In the vacuum laminating method, the heat crimping temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 160 ° C., more preferably 80 ° C. to 140 ° C., and the heat crimping pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. It is in the range of .29 MPa to 1.47 MPa, and the heat crimping time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions with a pressure of 13 hPa or less.

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After laminating, the laminated resin sheet may be smoothed by pressing under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, from the support side. The press conditions for the smoothing treatment can be the same as the heat-bonding conditions for the above-mentioned lamination. The laminating and smoothing treatment may be continuously performed using the above-mentioned commercially available vacuum laminator.

樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃～２４０℃の範囲、硬化時間は５分間～１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。 After laminating the resin composition layer on the base material with the wiring layer so that the wiring layer is embedded, the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. For example, the thermosetting conditions of the resin composition layer vary depending on the type of the resin composition and the like, but the curing temperature can be in the range of 120 ° C. to 240 ° C. and the curing time can be in the range of 5 minutes to 120 minutes. Before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature.

樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。 The support of the resin sheet may be peeled off after the resin sheet is laminated on the base material with a wiring layer and heat-cured, or the support may be peeled off before the resin sheet is laminated on the base material with a wiring layer. good. Further, the support may be peeled off before the roughening treatment step described later.

樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層表面を研磨してもよい。研磨方法は特に限定されず、公知の方法にて研磨すればよく、例えば平面研削盤を用いて絶縁層表面を研磨することができる。 After the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer, the surface of the insulating layer may be polished. The polishing method is not particularly limited, and polishing may be performed by a known method, and the surface of the insulating layer can be polished using, for example, a surface grinding machine.

＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。導体層は配線層ということがある。 <Process (3)>
The step (3) is a step of connecting the wiring layers to each other. The details are a step of forming a via hole in the insulating layer, forming a conductor layer, and connecting the wiring layers to each other. Alternatively, it is a step of polishing or grinding the insulating layer to expose the wiring layer and connecting the wiring layers to each other. The conductor layer may be called a wiring layer.

絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、樹脂シートの支持体の面側からレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して配線層を露出させるビアホールを形成する。 When a step of forming a via hole in the insulating layer, forming a conductor layer, and connecting the wiring layers to each other is adopted, the formation of the via hole is not particularly limited, and examples thereof include laser irradiation, etching, and mechanical drilling. It is preferably done by. This laser irradiation can be performed by using an arbitrary suitable laser processing machine that uses a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser, or the like as a light source. Specifically, laser irradiation is performed from the surface side of the support of the resin sheet to form a via hole that penetrates the support and the insulating layer and exposes the wiring layer.

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。 The conditions of laser irradiation are not particularly limited, and laser irradiation can be carried out by any suitable step according to a conventional method according to the selected means.

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。 The shape of the via hole, that is, the shape of the contour of the opening when viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (substantially circular).

ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。 After forming the via hole, a so-called desmear step, which is a smear removing step in the via hole, may be performed. When the conductor layer to be described later is formed by the plating step, the via hole may be subjected to, for example, a wet desmear treatment, and when the conductor layer is formed by the sputtering step, for example, a plasma treatment step may be performed. A dry plasma step may be performed. Further, the desmear step may also serve as a roughening treatment step.

導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。 Before forming the conductor layer, the via hole and the insulating layer may be roughened. For the roughening treatment, known procedures and conditions that are usually performed can be adopted. Examples of dry roughening treatment include plasma treatment, and examples of wet roughening treatment include swelling treatment with a swelling liquid, roughening treatment with an oxidizing agent, and neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order. Can be mentioned.

粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは３５０ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。 The surface roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 350 nm or more, more preferably 400 nm or more, still more preferably 450 nm or more. The upper limit is preferably 700 nm or less, more preferably 650 nm or less, still more preferably 600 nm or less. The surface roughness (Ra) can be measured using, for example, a non-contact type surface roughness meter.

ビアホールを形成後、導体層を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。このうち、セミアディティブ法が好ましい。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。 After forming the via hole, the conductor layer is formed. The conductor material constituting the conductor layer is not particularly limited, and the conductor layer can be formed by any conventionally known suitable method such as plating, sputtering, and thin film deposition, and is preferably formed by plating. In one preferred embodiment, the surface of the insulating layer can be plated by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Of these, the semi-additive method is preferable. Further, when the support in the resin sheet is a metal leaf, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by a conventionally known technique such as a subtractive method. The conductor layer may have a single-layer structure, a single metal layer made of different types of metals or alloys, or a multi-layer structure in which two or more alloy layers are laminated.

めっきにより形成する場合、詳細には絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んでフィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。 When formed by plating, specifically, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. An electrolytic plating layer is formed by electrolytic plating on the exposed plating seed layer. At that time, along with the formation of the electrolytic plating layer, the via hole may be embedded by electrolytic plating to form a filled via. After forming the electroplating layer, the mask pattern is removed. After that, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern. When forming the conductor layer, the dry film used for forming the mask pattern is the same as the above-mentioned dry film.

導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。 The conductor layer may include not only linear wiring but also, for example, an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted. Further, the conductor layer may be composed of only the electrode pads.

また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。 Further, the conductor layer may be formed by forming an electrolytic plating layer and a filled via without using a mask pattern after forming the plating seed layer, and then performing patterning by etching.

絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、全ての配線層を露出させる必要はなく、配線層の一部を露出させてもよい。 When the step of polishing or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer to connect the wiring layers to each other is adopted, the method of polishing or grinding the insulating layer is such that the wiring layer can be exposed and the polished or ground surface is used. As long as the surface is horizontal, a conventionally known polishing method or grinding method can be applied. For example, a chemical machine polishing method using a chemical machine polishing device, a machine polishing method such as a buff, or a surface grinding method by rotating a grindstone. And so on. Similar to the step of forming a via hole in the insulating layer, forming the conductor layer, and connecting the wiring layers to each other, a smear removing step and a roughening treatment step may be performed, or the conductor layer may be formed. Further, it is not necessary to expose all the wiring layers, and a part of the wiring layers may be exposed.

＜工程（４）＞
工程（４）は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。 <Process (4)>
The step (4) is a step of removing the base material and forming the circuit board of the present invention. The method for removing the base material is not particularly limited. In one preferred embodiment, the base material is peeled off from the circuit board at the interface between the first and second metal layers, and the second metal layer is removed by etching with, for example, an aqueous solution of copper chloride. If necessary, the substrate may be peeled off with the conductor layer protected by a protective film.

他の実施形態において、回路基板は、上述のプリプレグを用いて製造することができる。製造方法は基本的に樹脂シートを用いる場合と同様である。 In other embodiments, the circuit board can be manufactured using the prepreg described above. The manufacturing method is basically the same as when a resin sheet is used.

［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。 [Semiconductor chip package]
The first aspect of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package in which a semiconductor chip is mounted on the circuit board. A semiconductor chip package can be manufactured by joining a semiconductor chip to the circuit board.

半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。 As long as the terminal electrode of the semiconductor chip is connected to the circuit wiring of the circuit board by a conductor, the bonding conditions are not particularly limited, and known conditions used in flip chip mounting of the semiconductor chip may be used. Further, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded via an insulating adhesive.

好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃～２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃～１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間～６０秒間の範囲（好ましくは５秒間～３０秒間）とすることができる。 A preferred embodiment is to crimp a semiconductor chip to a circuit board. As the crimping conditions, for example, the crimping temperature is in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in the range of 130 ° C. to 200 ° C., more preferably in the range of 140 ° C. to 180 ° C.), and the crimping time is in the range of 1 second to 60 seconds. (Preferably 5 to 30 seconds).

また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃～３００℃の範囲とすることができる。 In addition, another preferred embodiment reflows and joins a semiconductor chip to a circuit board. The reflow condition can be, for example, in the range of 120 ° C to 300 ° C.

半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。 After joining the semiconductor chip to the circuit board, for example, the semiconductor chip can be filled with a mold underfill material to obtain a semiconductor chip package. The method of filling with the mold underfill material can be carried out by a known method. The resin composition or resin sheet of the present invention can also be used as a mold underfill material.

本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）である。図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。 A second aspect of the semiconductor chip package of the present invention is, for example, a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in FIG. 1 as an example. The semiconductor chip package (Fan-out type WLP) 100 as shown in FIG. 1 is a semiconductor chip package in which the sealing layer 120 is manufactured from the resin composition or resin sheet of the present invention. The semiconductor chip package 100 is rewired on the surface of the semiconductor chip 110, the sealing layer 120 formed so as to cover the periphery of the semiconductor chip 110, and the side opposite to the side covered by the sealing layer of the semiconductor chip 110. A layer (insulating layer) 130, a conductor layer (rewiring layer) 140, a solder resist layer 150, and a bump 160 are provided. The manufacturing method of such a semiconductor chip package is
(A) Step of laminating a temporary fixing film on a base material,
(B) A process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporary fixing film,
(C) A step of laminating the resin composition layer of the resin sheet of the present invention on a semiconductor chip, or applying the resin composition of the present invention on a semiconductor chip and thermosetting to form a sealing layer.
(D) Step of peeling the base material and the temporary fixing film from the semiconductor chip,
(E) A step of forming a rewiring forming layer (insulating layer) on the surface from which the base material and the temporary fixing film of the semiconductor chip have been peeled off.
It includes (F) a step of forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring forming layer (insulating layer), and (G) a step of forming a solder resist layer on the conductor layer. Further, the method for manufacturing a semiconductor chip package may include (H) a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them into individual pieces.

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。 <Process (A)>
The step (A) is a step of laminating a temporary fixing film on the base material. The laminating conditions of the base material and the temporary fixing film are the same as the laminating conditions of the wiring layer and the resin sheet in the step (2) in the method of manufacturing the circuit board, and the preferable range is also the same.

基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ－４基板等のガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板などが挙げられる。 The material used for the base material is not particularly limited. As the base material, silicon wafer; glass wafer; glass substrate; metal substrate such as copper, titanium, stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC); glass fiber such as FR-4 substrate is impregnated with epoxy resin and the like and heat-cured. Substrate; Examples thereof include a substrate made of a bismaleimidotriazine resin such as BT resin.

仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。 The material of the temporary fixing film is not particularly limited as long as it can be peeled off from the semiconductor chip in the step (D) described later and the semiconductor chip can be temporarily fixed. A commercially available product can be used as the temporary fixing film. Examples of commercially available products include Riva Alpha manufactured by Nitto Denko Corporation.

＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。 <Process (B)>
The step (B) is a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film. Temporary fixing of the semiconductor chip can be performed by using a known device such as a flip chip bonder or a die bonder. The layout and number of arrangements of the semiconductor chips can be appropriately set according to the shape and size of the temporary fixing film, the production number of the target semiconductor package, and the like. For example, a matrix having a plurality of rows and a plurality of columns. It can be arranged in a shape and temporarily fixed.

＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。 <Process (C)>
In step (C), the resin composition layer of the resin sheet of the present invention is laminated on a semiconductor chip, or the resin composition of the present invention is applied onto a semiconductor chip and thermoset to form a sealing layer. Is. In the step (C), it is preferable that the resin composition layer of the resin sheet is laminated on the semiconductor chip and thermally cured to form a sealing layer.

半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 The semiconductor chip and the resin sheet can be laminated by, for example, heat-pressing the resin sheet to the semiconductor chip from the support side after removing the protective film of the resin sheet. Examples of the member for heat-crimping the resin sheet to the semiconductor chip (hereinafter, also referred to as “heat-crimping member”) include a heated metal plate (SUS end plate or the like) or a metal roll (SUS roll). It is preferable not to press the heat-bonded member directly onto the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the semiconductor chip.

また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。 Further, the semiconductor chip and the resin sheet may be laminated by a vacuum laminating method after removing the protective film of the resin sheet. The laminating conditions in the vacuum laminating method are the same as the laminating conditions of the wiring layer and the resin sheet in the step (2) in the method of manufacturing the circuit board, and the preferable range is also the same.

樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。 The support of the resin sheet may be peeled off after the resin sheet is laminated on the semiconductor chip and heat-cured, or the support may be peeled off before the resin sheet is laminated on the semiconductor chip.

樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。 The coating conditions for the resin composition are the same as the coating conditions for forming the resin composition layer in the resin sheet of the present invention, and the preferable range is also the same.

＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。 <Process (D)>
The step (D) is a step of peeling the base material and the temporary fixing film from the semiconductor chip. The method of peeling can be appropriately changed depending on the material of the temporary fixing film, for example, a method of heating, foaming (or expanding) the temporary fixing film to peel it off, and irradiating ultraviolet rays from the base material side. Examples thereof include a method of reducing the adhesive strength of the temporary fixing film and peeling it off.

仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃～２５０℃で１秒間～９０秒間又は５分間～１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２～１０００ｍＪ／ｃｍ２である。 In the method of heating, foaming (or expanding) and peeling off the temporary fixing film, the heating conditions are usually 100 ° C. to 250 ° C. for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. Further, in the method of irradiating the substrate side with ultraviolet rays to reduce the adhesive force of the temporary fixing film and peeling it off, the irradiation amount of the ultraviolet rays is usually 10 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2 .

＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。 <Process (E)>
The step (E) is a step of forming a rewiring forming layer (insulating layer) on the surface from which the base material of the semiconductor chip and the temporary fixing film have been peeled off.

再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。 The material for forming the rewiring forming layer (insulating layer) is not particularly limited as long as it has insulating properties when the rewiring forming layer (insulating layer) is formed, and from the viewpoint of ease of manufacturing a semiconductor chip package, the material is not particularly limited. Photosensitive resin and thermosetting resin are preferable. As the thermosetting resin, a resin composition having the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of the present invention may be used.

再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。 After forming the rewiring forming layer (insulating layer), via holes may be formed in the rewiring forming layer (insulating layer) in order to interconnect the semiconductor chip and the conductor layer described later.

ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。 When the material for forming the rewiring cambium (insulating layer) is a photosensitive resin in forming the via hole, first, the surface of the rewiring cambium (insulating layer) is irradiated with active energy rays through a mask pattern and irradiated. The most wiring layer of the part is photo-cured.

活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。 Examples of the active energy ray include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, X-rays and the like, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays can be appropriately changed depending on the photosensitive resin. The exposure method includes a contact exposure method in which the mask pattern is exposed in close contact with the rewiring cambium (insulating layer) and an exposure method using parallel light rays without the mask pattern in close contact with the rewiring cambium (insulating layer). Any non-contact exposure method may be used.

次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。 Next, the rewiring forming layer (insulating layer) is developed and the unexposed portion is removed to form a via hole. Both wet development and dry development are suitable for development. A known developer can be used as the developer used in wet development.

現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。 Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, and the like, and the paddle method is preferable from the viewpoint of resolution.

再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。 When the material forming the rewiring forming layer (insulating layer) is a thermosetting resin, the formation of via holes is not particularly limited, and examples thereof include laser irradiation, etching, and mechanical drilling, which may be performed by laser irradiation. preferable. Laser irradiation can be performed using an arbitrary suitable laser processing machine that uses a carbon dioxide gas laser, a UV-YAG laser, an excimer laser, or the like as a light source.

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。 The conditions of laser irradiation are not particularly limited, and laser irradiation can be carried out by any suitable step according to a conventional method according to the selected means.

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。 The shape of the via hole, that is, the shape of the contour of the opening when viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (substantially circular). The top diameter of the via hole (diameter of the opening on the surface of the rewiring forming layer (insulating layer)) is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, still more preferably 20 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more, more preferably 15 μm or more, and further preferably 20 μm or more.

＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。 <Process (F)>
The step (F) is a step of forming a conductor layer (rewiring layer) on the rewiring forming layer (insulating layer). The method of forming the conductor layer on the rewiring forming layer (insulating layer) is the same as the method of forming the conductor layer after forming the via hole in the insulating layer in the step (3) in the method of manufacturing the circuit board, which is preferable. The range is similar. The steps (E) and (F) may be repeated, and the conductor layer (rewiring layer) and the rewiring forming layer (insulating layer) may be alternately stacked (build-up).

＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。 <Process (G)>
The step (G) is a step of forming a solder resist layer on the conductor layer.

ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。 The material for forming the solder resist layer is not particularly limited as long as it has an insulating property at the time of forming the solder resist layer, and a photosensitive resin or a thermosetting resin is preferable from the viewpoint of ease of manufacturing a semiconductor chip package. .. As the thermosetting resin, a resin composition having the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of the present invention may be used.

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。 Further, in the step (G), bumping may be performed to form bumps, if necessary. The bumping process can be performed by a known method such as solder balls and solder plating. Further, the formation of the via hole in the bumping process can be performed in the same manner as in the step (E).

＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）～（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。 <Process (H)>
The method for manufacturing a semiconductor chip package may include a step (H) in addition to the steps (A) to (G). The step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and individualizing them.

半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。 The method for dicing a semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited, and a known method can be used.

本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。 A third aspect of the semiconductor chip package of the present invention is, for example, a rewiring forming layer (insulating layer) 130 and a solder resist layer 150 in a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in FIG. 1 as an example. A semiconductor chip package manufactured from the resin composition or resin sheet of the present invention.

［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。 [Semiconductor device]
Semiconductor devices to which the semiconductor chip package of the present invention is mounted include electric products (for example, computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical devices, televisions, etc.) and vehicles (for example). For example, various semiconductor devices used in motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.) can be mentioned.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the following description, "parts" and "%" representing quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

［合成例１：合成例１の（Ｂ）成分の合成］
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（Ｇ－３０００、日本曹達社製、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製、ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにクレゾールノボラック樹脂（ＫＡ－１１６０、ＤＩＣ社製、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ－ＩＲより２２５０ｃｍ－１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成例１の（Ｂ）成分（不揮発分５０質量％）を得た。数平均分子量は５５００であった。 [Synthesis Example 1: Synthesis of component (B) of Synthesis Example 1]
In a reaction vessel, 69 g of bifunctional hydroxy group-terminated polybutadiene (G-3000, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., number average molecular weight = 3000, hydroxy group equivalent = 1800 g / eq.) And Ipsol 150 (aromatic hydrocarbon mixed solvent: Idemitsu). 40 g (manufactured by Petrochemical Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When the temperature became uniform, the temperature was raised to 50 ° C., and 8 g of isophorone diisocyanate (IPDI, isocyanate group equivalent = 113 g / eq.) Manufactured by Evonik Degussa Japan Co., Ltd. was added while further stirring, and the reaction was carried out for about 3 hours. Next, the reaction product was cooled to room temperature, and then 23 g of a cresol novolak resin (KA-1160, manufactured by DIC, hydroxyl group equivalent = 117 g / eq.) And 60 g of ethyl diglycol acetate (manufactured by Daicel) were added thereto. Then, the temperature was raised to 80 ° C. with stirring, and the reaction was carried out for about 4 hours. The disappearance of the NCO peak of 2250 cm -1 was confirmed from FT-IR. Confirmation of the disappearance of the NCO peak is regarded as the end point of the reaction, the reaction product is cooled to room temperature, filtered through a 100-mesh filter cloth, and has a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group. 50% by mass) was obtained. The number average molecular weight was 5500.

［合成例２：合成例２の（Ｂ）成分の合成］
撹拌装置、温度計及びコンデンサーをつけたフラスコに、溶剤としてエチルジグリコールアセテートを２９２．０９ｇ、ソルベッソ１５０（芳香族系溶剤、エクソンモービル社製）を２９２．０９ｇ仕込み、ジフェニルメタンジイソシアネートを１００．１ｇ（０．４モル）とポリイソプレンジオール（水酸基価４６．６ＫＯＨ－ｍｇ／ｇ、分子量２５００）５００．０ｇ（０．２モル）を仕込んで７０℃で４時間反応を行った。ついでノニルフェノールノボラック樹脂（水酸基当量２２９．４ｇ／ｅｑ、平均４．２７官能、平均計算分子量９７９．５ｇ／モル）１９５．９ｇ（０．２モル）とエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート４１．０ｇ（０．１モル）とを仕込んで、２時間かけて１５０℃に昇温し、１２時間反応させることで、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成例２の（Ｂ）成分（不揮発分５５．２質量％）を得た。 [Synthesis Example 2: Synthesis of component (B) of Synthesis Example 2]
In a flask equipped with a stirrer, a thermometer and a condenser, 292.09 g of ethyldiglycolacetate and 292.09 g of Solbesso 150 (aromatic solvent, manufactured by Exxon Mobile) were charged as solvents, and 100.1 g of diphenylmethane diisocyanate (diphenylmethane diisocyanate). 0.4 mol) and 500.0 g (0.2 mol) of polyisoprene diol (hydroxyl value 46.6 KOH-mg / g, molecular weight 2500) were charged and reacted at 70 ° C. for 4 hours. Then, nonylphenol novolak resin (hydroxyl equivalent 229.4 g / eq, average 4.27 functionality, average calculated molecular weight 979.5 g / mol) 195.9 g (0.2 mol) and ethylene glycol bisamhydrotrimericte 41.0 g ( By charging 0.1 mol), raising the temperature to 150 ° C. over 2 hours, and reacting for 12 hours, the component (B) (nonvolatile content 55.2) of Synthesis Example 2 having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group was added. Mass%) was obtained.

［合成例３：合成例３の（Ｂ）成分の合成］
反応容器にポリカーボネートジオール（数平均分子量：約１，０００、水酸基当量：５００、不揮発分：１００％、クラレ社製「Ｃ－１０１５Ｎ」）８０ｇ、及びジブチル錫ジラウレート０．０１ｇを、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル社製「エチルジグリコールアセテート」）３７．６ｇ中に均一に溶解させた。次いで、該混合物を５０℃に昇温し、さらに撹拌しながら、トルエン－２，４－ジイソシアネート（イソシアネート基当量：８７．０８）２７．８ｇを添加し、約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（酸無水物当量：１６１．１）１４．３ｇ、トリエチレンジアミン０．１２ｇ、及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル社製「エチルジグリコールアセテート」）８４．０ｇを添加し、撹拌しながら１３０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ－ＩＲより２２５０ｃｍ－１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから目開きが１００μｍである濾布で濾過して、イミド構造、並びにウレタン骨格及びカーボネート構造を有する合成例３の（Ｂ）成分（不揮発分５０質量％）を得た。 [Synthesis Example 3: Synthesis of component (B) of Synthesis Example 3]
80 g of polycarbonate diol (number average molecular weight: about 1,000, hydroxyl group equivalent: 500, non-volatile content: 100%, "C-1015N" manufactured by Kuraray Co., Ltd.) and 0.01 g of dibutyltin dilaurate in a reaction vessel, diethylene glycol monoethyl ether. It was uniformly dissolved in 37.6 g of acetate (“ethyl diglycol acetate” manufactured by Daicel). Then, the temperature of the mixture was raised to 50 ° C., and 27.8 g of toluene-2,4-diisocyanate (isocyanate group equivalent: 87.08) was added while further stirring, and the reaction was carried out for about 3 hours. The reaction is then cooled to room temperature, to which 14.3 g of benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride (acid anhydride equivalent: 161.1), 0.12 g of triethylene diamine, and diethylene glycol monoethyl ether acetate (Dycel). 84.0 g of "ethyl diglycol acetate" manufactured by the same company was added, the temperature was raised to 130 ° C. with stirring, and the reaction was carried out for about 4 hours. The disappearance of the NCO peak of 2250 cm -1 was confirmed from FT-IR. Confirmation of the disappearance of the NCO peak is regarded as the end point of the reaction, and the reaction product is cooled to room temperature and then filtered through a filter cloth having an opening of 100 μm to have an imide structure, a urethane skeleton and a carbonate structure (Synthesis Example 3). B) Component (nonvolatile content 50% by mass) was obtained.

［実施例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）６部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ－３９８０Ｓ」、エポキシ当量：１１５ｇ／ｅｑ）５部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール）０．１部、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３０部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を混合し、プラネタリーミキサーで均一に分散して、樹脂組成物１を作製した。 [Example 1]
Liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq), 6 parts, glycidylamine type epoxy Resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 115 g / eq) 5 parts, curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., 1-benzyl-2-phenylimidazole) 0.1 part, Synthesis Example 1 (B) component (solid content 50%, number average molecular weight: 5500) 30 parts, cresol novolak resin (“KA-1160” manufactured by DIC, phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g / eq), spherical silica A Spherical silica surface-treated with (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of inorganic filler) (specific surface area 5.7 m 2 / g, Average particle size 0.5 μm)) 120 parts were mixed and uniformly dispersed with a planetary mixer to prepare a resin composition 1.

［実施例２］
実施例１において、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３０部を、合成例２で合成した（Ｂ）成分２７．２部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物２を作製した。 [Example 2]
In Example 1, 30 parts of the component (B) synthesized in Synthesis Example 1 (solid content 50%, number average molecular weight: 5500) was changed to 27.2 parts of the component (B) synthesized in Synthesis Example 2. A resin composition 2 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例３］
実施例１において、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３０部を、合成例３で合成した（Ｂ）成分３０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物３を作製した。 [Example 3]
In Example 1, 30 parts of the component (B) synthesized in Synthesis Example 1 (solid content 50%, number average molecular weight: 5500) was changed to 30 parts of the component (B) synthesized in Synthesis Example 3. A resin composition 3 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例４］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＢ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積３．７ｍ２／ｇ、平均粒径８．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物４を作製した。 [Example 4]
In Example 1, spherical silica (specific surface area) surface-treated with spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of an inorganic filler). 120 parts of spherical silica B (fluorine-containing silane coupling agent (“ KBM7103 ” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), 100 parts by mass of inorganic filler) It was changed to 120 parts of spherical silica (specific surface area 3.7 m 2 / g, average particle size 8.5 μm) surface-treated with 0.33 parts by mass). A resin composition 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例５］
実施例２において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＢ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積３．７ｍ２／ｇ、平均粒径８．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例２と同様にして樹脂組成物５を作製した。 [Example 5]
In Example 2, spherical silica (specific surface area) surface-treated with spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of an inorganic filler). 120 parts of spherical silica B (fluorine-containing silane coupling agent (“ KBM7103 ” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), 100 parts by mass of inorganic filler) It was changed to 120 parts of spherical silica (specific surface area 3.7 m 2 / g, average particle size 8.5 μm) surface-treated with 0.33 parts by mass). A resin composition 5 was prepared in the same manner as in Example 2 except for the above items.

［実施例６］
実施例３において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＢ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積３．７ｍ２／ｇ、平均粒径８．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例３と同様にして樹脂組成物６を作製した。 [Example 6]
In Example 3, spherical silica (specific surface area) surface-treated with spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of an inorganic filler). 120 parts of spherical silica B (fluorine-containing silane coupling agent (“ KBM7103 ” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), 100 parts by mass of inorganic filler) It was changed to 120 parts of spherical silica (specific surface area 3.7 m 2 / g, average particle size 8.5 μm) surface-treated with 0.33 parts by mass). A resin composition 6 was prepared in the same manner as in Example 3 except for the above items.

［実施例７］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＣ（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３部）、及びフッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．３３質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積４．２ｍ２／ｇ、平均粒径３．７μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物７を作製した。 [Example 7]
In Example 1, spherical silica (ratio) surface-treated with spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of an inorganic filler). 120 parts of spherical silica C (aminosilane-based coupling agent (“ KBM573 ” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd., “KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), with respect to 100 parts by mass of an inorganic filler, 0. 33 parts) and spherical silica surface-treated with a fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.33 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler) (specific surface area 4.2 m). 2 / g, average particle size 3.7 μm)) was changed to 120 parts. A resin composition 7 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例８］
実施例１において、合成例１で合成した（Ｂ）成分の量を３０部から６０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物８を作製した。 [Example 8]
In Example 1, the amount of the component (B) synthesized in Synthesis Example 1 was changed from 30 parts to 60 parts. A resin composition 8 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例９］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）８部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ－３９８０Ｓ」、エポキシ当量：１１５ｇ／ｅｑ）６部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール）０．１部、合成例１で合成した（Ｂ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）１２部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を混合し、プラネタリーミキサーで均一に分散して、樹脂組成物９を作製した。 [Example 9]
Liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq), 8 parts, glycidylamine type epoxy Resin ("EP-3980S" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 115 g / eq) 6 parts, curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., 1-benzyl-2-phenylimidazole) 0.1 part, Synthesis Example 1 (B) component (solid content 50%, number average molecular weight: 5500) 12 parts, cresol novolak resin (“KA-1160” manufactured by DIC, phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g / eq), spherical silica A Spherical silica surface-treated with (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of inorganic filler) (specific surface area 5.7 m 2 / g, Average particle size 0.5 μm)) 120 parts were mixed and uniformly dispersed with a planetary mixer to prepare a resin composition 9.

［実施例１０］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」、無機充填材１００質量部に対して０．６６質量部）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＦ（比表面積２．１ｍ２／ｇ、平均粒径１４μｍ）１２０部に変え、さらにフッ素原子含有アルコキシシラン化合物（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．２４質量部を混合させた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１０を作製した。 [Example 10]
In Example 1, spherical silica (ratio) surface-treated with spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd., 0.66 parts by mass with respect to 100 parts by mass of an inorganic filler). 120 parts of spherical silica F (specific surface area 2.1 m 2 / g, average particle size 14 μm) was changed to 120 parts of spherical silica F (specific surface area 2.1 m 2 / g, average particle size 14 μm), and further, a fluorine atom-containing alkoxysilane compound was added. (“KBM7103” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) 0.24 parts by mass were mixed. A resin composition 10 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［実施例１１］
実施例１において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．６６質量％で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ）１２０部を、アルミナＡ（比表面積０．８ｍ２／ｇ、平均粒径３μｍ））１５０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂組成物１１を作製した。 [Example 11]
In Example 1, spherical silica (specific surface area 5.7 m 2 / g, average grain) surface-treated with 0.66 mass% of spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.)). 120 parts (diameter 0.5 μm) was changed to 150 parts of alumina A (specific surface area 0.8 m 2 / g, average particle size 3 μm). A resin composition 11 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above items.

［比較例１］
実施例２において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．６６質量％で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＤ（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（比表面積５．６ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例２と同様にして樹脂組成物１２を作製した。 [Comparative Example 1]
In Example 2, spherical silica surface-treated with 0.66% by mass of spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.) (specific surface area 5.7 m 2 / g, average grain). (Diameter 0.5 μm)) 120 parts are surface-treated with spherical silica D (aminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.)) Spherical silica (specific surface area 5.6 m 2 / g, average particle size 0). .5 μm)) Changed to 120 copies. A resin composition 12 was produced in the same manner as in Example 2 except for the above items.

［比較例２］
実施例２において、球状シリカＡ（フッ素含有シラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ７１０３」）０．６６質量％で表面処理された球形シリカ（比表面積５．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部を、球状シリカＥ（フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」）で表面処理された球形シリカＥ（比表面積５．６ｍ２／ｇ、平均粒径０．５μｍ））１２０部に変えた。以上の事項以外は実施例２と同様にして樹脂組成物１３を作製した。 [Comparative Example 2]
In Example 2, spherical silica (specific surface area 5.7 m 2 / g, average grain) surface-treated with 0.66 mass% of spherical silica A (fluorine-containing silane coupling agent (“KBM7103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.)). (Diameter 0.5 μm)) 120 parts are surface-treated with spherical silica E (phenyltrimethoxysilane (“KBM103” manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.)) Spherical silica E (specific surface area 5.6 m 2 / g, average particle size 0). .5 μm)) Changed to 120 copies. A resin composition 13 was produced in the same manner as in Example 2 except for the above items.

［チキソトロピー指数の測定］
Ｅ型粘度計を用いて、実施例、比較例で作製した樹脂組成物の２５℃の粘度（Ｐａ・ｓ）をロータ回転数５ｒｐｍで測定した。チキソトロピー指数はロータ回転数５ｒｐｍで測定した粘度と１ｒｐｍで測定した粘度の比（１ｒｐｍでの粘度／５ｒｐｍでの粘度）で表した。 [Measurement of thixotropy index]
Using an E-type viscometer, the viscosity (Pa · s) of the resin compositions produced in Examples and Comparative Examples at 25 ° C. was measured at a rotor rotation speed of 5 rpm. The thixotropy index was expressed as the ratio of the viscosity measured at a rotor rotation speed of 5 rpm to the viscosity measured at 1 rpm (viscosity at 1 rpm / viscosity at 5 rpm).

［作業性の評価］
実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、１２Ｏｚカートリッジ（サンエイテック社製、５１９４Ｃ）に充填し、カートリッジから樹脂組成物４０ｇを吐出させ１２インチシリコンウエハ上の中心へ半径が約４ｃｍの円状に供した。１分後外観を観察し、以下の評価基準で評価した。作業性とは、樹脂組成物が時間の経過により均一な形状となることから、均一な形状に整える必要がなくなり、その後の作業が簡便になることを示す性質である。
○：シリコンウエハ上の樹脂組成物に吐出痕がなく樹脂組成物表面の凹凸が少ない。
△：吐出痕があり樹脂組成物表面の凹凸が少しある。
×：吐出痕があり凹凸が大きい。 [Evaluation of workability]
The resin composition produced in Examples and Comparative Examples is filled in a 12 Oz cartridge (manufactured by Sanei Tech Co., Ltd., 5194C), 40 g of the resin composition is discharged from the cartridge, and a circle having a radius of about 4 cm toward the center on a 12-inch silicon wafer. It was served in the form. After 1 minute, the appearance was observed and evaluated according to the following evaluation criteria. The workability is a property indicating that since the resin composition becomes a uniform shape with the passage of time, it is not necessary to arrange the resin composition into a uniform shape, and the subsequent work becomes easy.
◯: There are no ejection marks on the resin composition on the silicon wafer, and there is little unevenness on the surface of the resin composition.
Δ: There are discharge marks, and there are some irregularities on the surface of the resin composition.
X: There are discharge marks and the unevenness is large.

［比誘電率、誘電正接の測定］
離形処理したＳＵＳ板上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置で１２０℃の条件で厚み２００μｍとなるよう圧縮成型し、その後ＳＵＳ板から樹脂組成物を剥がし１８０℃９０分の条件で熱硬化させた。硬化物の長さが１５ｃｍ、幅１５ｃｍとなるように切り出し、評価サンプルを作製した。この評価サンプルを、キーサイト社製のベクトルネットワークアナライザＮ５２２７Ａを用いてファブリペロー法により、測定温度２４℃にて、周波数８０ＧＨｚでの比誘電率、誘電正接を測定した。 [Measurement of relative permittivity and dielectric loss tangent]
The resin compositions produced in Examples and Comparative Examples were compression-molded on a release-treated SUS plate at 120 ° C. to a thickness of 200 μm, and then the resin composition was peeled off from the SUS plate 180. It was heat-cured under the condition of ° C. for 90 minutes. An evaluation sample was prepared by cutting out the cured product so that the length was 15 cm and the width was 15 cm. This evaluation sample was measured for relative permittivity and dielectric loss tangent at a frequency of 80 GHz at a measurement temperature of 24 ° C. by the Fabry Perot method using a vector network analyzer N5227A manufactured by Keysight.

［貯蔵弾性率の測定］
実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、厚み２ｍｍのシート状に１８０℃９０分の条件で加熱成型し、このシートを６０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍのサイズに切り出し、評価サンプルを作製した。この評価サンプルを、ＤＭＡ（Ｄｙｎａｍｉｃ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ（動的粘弾性測定器））にて三点曲げモード、周波数１Ｈｚの条件で測定した際の２５℃での貯蔵弾性率を求めた。 [Measurement of storage elastic modulus]
The resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were heat-molded into a sheet having a thickness of 2 mm at 180 ° C. for 90 minutes, and this sheet was cut into a size of 60 mm × 10 mm × 2 mm to prepare an evaluation sample. This evaluation sample was measured by DMA (Dynamic mechanical analysis) under the conditions of a three-point bending mode and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus at 25 ° C. was determined.

［線熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］
離形処理したＳＵＳ板上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置で１２０℃の条件で厚み２００μｍとなるよう圧縮成型し、その後ＳＵＳ板から樹脂組成物を剥がし１８０℃９０分の条件で熱硬化させた。
硬化物を幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片に切断し、リガク社製熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０）を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。２回目の測定における２５℃から１５０℃における平均の線熱膨張係数を求めた。 [Measurement of coefficient of linear thermal expansion (CTE)]
The resin compositions produced in Examples and Comparative Examples were compression-molded on a release-treated SUS plate at 120 ° C. to a thickness of 200 μm, and then the resin composition was peeled off from the SUS plate 180. It was heat-cured under the condition of ° C. for 90 minutes.
The cured product was cut into test pieces having a width of 5 mm and a length of 15 mm, and thermomechanical analysis was performed by a tensile weight method using a thermomechanical analyzer (Thermo Plus TMA8310) manufactured by Rigaku Corporation. After the test piece was attached to the apparatus, measurements were taken twice in succession under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. The average coefficient of linear thermal expansion from 25 ° C to 150 ° C in the second measurement was determined.

実施例、比較例の樹脂組成物の調製に用いた成分とその配合量（質量部）を下記表に示した。なお、下記表中の略語等は以下のとおりである。
ＺＸ１０５９：２５℃で液状エポキシ樹脂、新日鉄住金化学社製、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ
ＥＰ－３９８０Ｓ：グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ社製、エポキシ当量：１１５ｇ／ｅｑ
合成例１：合成例１で合成した（Ｂ）成分
合成例２：合成例２で合成した（Ｂ）成分
合成例３：合成例３で合成した（Ｂ）成分
ＫＢＭ－７１０３：フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、信越化学工業社製
ＫＡ－１１６０：クレゾールノボラック樹脂、ＤＩＣ社製、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ
１Ｂ２ＰＺ：硬化促進剤、四国化成社製、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール
（Ｃ）成分の含有量：樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｃ）成分の含有量
（Ｂ）成分の含有量：樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量 The components used for preparing the resin compositions of Examples and Comparative Examples and their blending amounts (parts by mass) are shown in the table below. The abbreviations in the table below are as follows.
ZX1059: Liquid epoxy resin at 25 ° C, manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq
EP-3980S: Glycidylamine type epoxy resin, manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 115 g / eq
Synthesis Example 1: (B) component synthesized in Synthesis Example 1: Component synthesis example 2: (B) component synthesized in synthesis example 2: Component synthesis example 3: (B) component synthesized in synthesis example 3 KBM-7103: Phenol-containing alkoxy Silane compound, KA-1160 manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd .: cresol novolak resin, manufactured by DIC, phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g / eq
1B2PZ: Curing accelerator, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, content of 1-benzyl-2-phenylimidazole (C) component: Content of component (C) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass ( B) Content of component: Content of component (B) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.

Figure 0007066975000001
Figure 0007066975000001

実施例において、（Ｅ）～（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。 In the examples, it has been confirmed that even when the components (E) to (F) are not contained, the same results as those in the above-mentioned examples are obtained, although the degree is different.

１００ 半導体チップパッケージ
１１０ 半導体チップ
１２０ 封止層
１３０ 再配線形成層（絶縁層）
１４０ 導体層（再配線層）
１５０ ソルダーレジスト層
１６０ バンプ 100 Semiconductor chip package 110 Semiconductor chip 120 Encapsulating layer 130 Rewiring forming layer (insulating layer)
140 Conductor layer (rewiring layer)
150 solder resist layer 160 bumps

Claims (17)

（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する高分子化合物、
（Ｃ）フッ素原子含有アルコキシシラン化合物、及び
（Ｄ）無機充填材、を含有する液状の樹脂組成物であって、
（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上２質量％以下であり、かつ、
（Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９０質量％以下であり、
チキソトロピー指数が、１以下であり、ここで、チキソトロピー指数は、Ｅ型粘度計を用いて、ロータ回転数５ｒｐｍで測定した樹脂組成物の２５℃の粘度（Ｐａ・ｓ）と１ｒｐｍで測定した樹脂組成物の２５℃の粘度（Ｐａ・ｓ）の比（１ｒｐｍでの粘度／５ｒｐｍでの粘度）を表す、
樹脂組成物。 (A) Epoxy resin,
(B) One or more structures selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly (meth) acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in a molecule. Polymer compound,
A liquid resin composition containing (C) a fluorine atom-containing alkoxysilane compound and (D) an inorganic filler.
The content of the component (C) is 0.1% by mass or more and 2% by mass or less and is 2% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.
The content of the component (D) is 70% by mass or more and 90% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass.
The thixotropy index is 1 or less, and the thixotropy index is the viscosity (Pa · s) of the resin composition measured at a rotor rotation speed of 5 rpm and the resin measured at 1 rpm using an E-type viscosity meter. Represents the ratio of the viscosity (Pa · s) of the composition at 25 ° C. (viscosity at 1 rpm / viscosity at 5 rpm).
Resin composition. （Ｂ）成分が、ポリブタジエン構造、ポリイソプレン構造、及びポリカーボネート構造から選ばれる少なくとも１種の構造を含有する高分子化合物である、請求項１に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, wherein the component (B) is a polymer compound containing at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polyisoprene structure, and a polycarbonate structure. （Ｄ）成分の平均粒子径が、０．５μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the average particle size of the component (D) is 0.5 μm or more and 20 μm or less. （Ｄ）成分が、シリカ又はアルミナである、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the component (D) is silica or alumina. （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％以上２５質量％以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of the component (B) is 3% by mass or more and 25% by mass or less when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. thing. （Ｂ）成分の数平均分子量（Ｍｎ）が、１,０００～１,０００,０００である、請求項５に記載の樹脂組成物。 (B) The resin composition according to claim 5, wherein the number average molecular weight (Mn) of the components is 1,000 to 1,000,000. （Ｂ）成分の数平均分子量（Ｍｎ）が、１,０００～１,０００,０００である、請求項１～４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 (B) The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the number average molecular weight (Mn) of the components is 1,000 to 1,000,000. 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡ１とし、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｂ）成分の含有量をＢ１とした場合、（Ａ１／Ｂ１）×１００が、３０以上２５０以下である、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The content of the component (A) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass is A1, and the content of the component (B) when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass is B1. The resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein (A1 / B1) × 100 is 30 or more and 250 or less. さらに、（Ｅ）硬化剤を含有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 8, further comprising (E) a curing agent. （Ｅ）成分が、フェノール系硬化剤である、請求項９に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 9, wherein the component (E) is a phenolic curing agent. 樹脂組成物を１８０℃９０分で熱硬化させた際の３０℃～１５０℃における線熱膨張係数が、３ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 10 , wherein the linear thermal expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. when the resin composition is thermally cured at 180 ° C. for 90 minutes is 3 ppm or more and 50 ppm or less. .. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 11 , which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１～１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。 A resin sheet comprising a support and a resin composition layer provided on the support and containing the resin composition according to any one of claims 1 to 12 . 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項１３に記載の樹脂シート。 The resin sheet according to claim 13 , which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。 A circuit board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 12 . 請求項１５に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package including the circuit board according to claim 15 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 封止層及び半導体チップを含む半導体チップパッケージであって、封止層が請求項１～１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である、半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package including a sealing layer and a semiconductor chip, wherein the sealing layer is a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 12 .
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