JP6889527B2 - 磁気センサモジュール - Google Patents
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Description
リチウムイオン電池に生じる磁界を検出するための磁気センサモジュールであって、
前記磁気センサモジュールは、複数の磁気センサを備えており、
前記磁気センサは、所定平面上に配置されており、且つ、前記磁界を検出する際に、前記所定平面と直交する上下方向において前記リチウムイオン電池の下に位置し、
前記磁気センサの夫々は、第1センサと、第2センサとを備えており、
前記第1センサは、第1磁気抵抗薄膜と、第1固定抵抗薄膜とを備えており、
前記第1磁気抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界の増加に応じて増加し、
前記第1固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界に対して不変であり、
前記第2センサは、第2磁気抵抗薄膜と、第2固定抵抗薄膜とを備えており、
前記第2磁気抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界の増加に応じて減少し、
前記第2固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界に対して不変であり、
前記第1センサにおいて、前記第1磁気抵抗薄膜の一端側は、前記第1固定抵抗薄膜の一端側と直列に接続されており、
前記第2センサにおいて、前記第2磁気抵抗薄膜の一端側は、前記第2固定抵抗薄膜の一端側と直列に接続されており、
前記第1センサと前記第2センサとは、前記第1磁気抵抗薄膜の他端側と前記第2磁気抵抗薄膜の他端側とを互いに接続し、且つ、前記第1固定抵抗薄膜の他端側と前記第2固定抵抗薄膜の他端側とを互いに接続することにより、互いに並列に接続されている
磁気センサモジュールを提供する。
前記第1固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界が生じていないときの前記第1磁気抵抗薄膜の前記抵抗値の±10%以内であり、
前記第2固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界が生じていないときの前記第2磁気抵抗薄膜の前記抵抗値の±10%以内である
磁気センサモジュールを提供する。
磁気センサの夫々において、前記第1磁気抵抗薄膜及び前記第2磁気抵抗薄膜は、前記所定平面上において互いに隣り合っており、且つ、前記所定平面上において前記第1固定抵抗薄膜及び前記第2固定抵抗薄膜の間に配置されている
磁気センサモジュールを提供する。
前記第1磁気抵抗薄膜、前記第2磁気抵抗薄膜、前記第1固定抵抗薄膜及び前記第2固定抵抗薄膜は、互いに同じ材料からなる
磁気センサモジュールを提供する。
前記第1センサは、第1薄膜磁石と、2つの第1軟磁性薄膜とを更に備えており、
前記第1薄膜磁石は、前記所定平面と平行な所定方向に沿って延びており、且つ、前記所定方向に沿って着磁されており、
前記第1磁気抵抗薄膜は、前記第1薄膜磁石の上に位置しており、
2つの前記第1軟磁性薄膜は、前記所定方向において前記第1磁気抵抗薄膜を挟んでおり、且つ、前記第1薄膜磁石の前記所定方向における両端部を覆っており、
前記第2センサは、第2薄膜磁石と、2つの第2軟磁性薄膜とを更に備えており、
前記第2薄膜磁石は、前記所定方向に沿って延びており、且つ、前記所定方向に沿って着磁されており、
前記第2磁気抵抗薄膜は、前記第2薄膜磁石の上に位置しており、
2つの前記第2軟磁性薄膜は、前記所定方向において前記第2磁気抵抗薄膜を挟んでおり、且つ、前記第2薄膜磁石の前記所定方向における両端部を覆っている
磁気センサモジュールを提供する。
12 制御装置
122 発信部
128 表示部
20 磁気センサモジュール
22 基板
22U 上面(実装面)
22L 下面
24 磁気センサアレイ
26 信号処理部
262 信号処理ユニット
264 増幅部
264F,264S 初段増幅部
266 乗算部
268 フィルター部
28 ケーブル
30,S2 磁気センサ
32 基板
40 第1センサ
42 第1センサ素子
422E,422M 接続部
424 第1磁気抵抗薄膜
426 第1薄膜磁石
426N,426S 端部
428 第1軟磁性薄膜
44 第1抵抗素子
442E,442M 接続部
444 第1固定抵抗薄膜
448 第1薄膜
48 中間部
50 第2センサ
52 第2センサ素子
522E,522M 接続部
524 第2磁気抵抗薄膜
526 第2薄膜磁石
526N,526S 端部
528 第2軟磁性薄膜
54 第2抵抗素子
542E,542M 接続部
544 第2固定抵抗薄膜
548 第2薄膜
58 中間部
70 リチウムイオン電池
72 本体部
78 端子部
Claims (5)
- リチウムイオン電池の部分的な欠陥に起因して欠陥近傍に局所的に生じる磁界を検出するための磁気センサモジュールであって、
前記磁気センサモジュールは、複数の磁気センサを備えており、
前記磁気センサは、所定平面上に配置されており、且つ、前記磁界を検出する際に、前記所定平面と直交する上下方向において前記リチウムイオン電池の下に位置し、
前記磁気センサの夫々は、第1センサと、第2センサとを備えており、
前記第1センサ及び前記第2センサの夫々は、絶縁体からなる基板上に形成されており、
前記第1センサ及び前記第2センサは、前記所定平面において、前記基板以外の部材を間に挟むことなく互いに隣り合っており、
前記第1センサは、第1磁気抵抗薄膜と、第1固定抵抗薄膜と、第1薄膜磁石とを備えており、
前記第1薄膜磁石は、前記所定平面と平行な所定方向に沿って延びており、且つ、前記所定方向に沿って着磁されており、
前記第1磁気抵抗薄膜は、前記第1薄膜磁石の上に位置しており、
前記第1磁気抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界の増加に応じて増加し、
前記第1固定抵抗薄膜の近傍には強磁性体が設けられておらず、これにより、前記第1固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界に対して変化が抑制されており、
前記第2センサは、第2磁気抵抗薄膜と、第2固定抵抗薄膜と、第2薄膜磁石とを備えており、
前記第2薄膜磁石は、前記所定方向に沿って延びており、且つ、前記所定方向に沿って前記第1薄膜磁石と反対の方向に着磁されており、
前記第2磁気抵抗薄膜は、前記第2薄膜磁石の上に位置しており、
前記第2磁気抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界の増加に応じて減少し、
前記第2固定抵抗薄膜の近傍には強磁性体が設けられておらず、これにより、前記第2固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界に対して変化が抑制されており、
前記第1センサにおいて、前記第1磁気抵抗薄膜の一端側は、前記第1固定抵抗薄膜の一端側と直列に接続されており、
前記第2センサにおいて、前記第2磁気抵抗薄膜の一端側は、前記第2固定抵抗薄膜の一端側と直列に接続されており、
前記第1センサと前記第2センサとは、前記第1磁気抵抗薄膜の他端側と前記第2磁気抵抗薄膜の他端側とを互いに接続し、且つ、前記第1固定抵抗薄膜の他端側と前記第2固定抵抗薄膜の他端側とを互いに接続することにより、互いに並列に接続されている
磁気センサモジュール。 - 請求項1記載の磁気センサモジュールであって、
前記第1固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界が生じていないときの前記第1磁気抵抗薄膜の前記抵抗値の±10%以内であり、
前記第2固定抵抗薄膜の抵抗値は、前記磁界が生じていないときの前記第2磁気抵抗薄膜の前記抵抗値の±10%以内である
磁気センサモジュール。 - 請求項1又は請求項2記載の磁気センサモジュールであって、
磁気センサの夫々において、前記第1磁気抵抗薄膜及び前記第2磁気抵抗薄膜は、前記所定平面上において互いに隣り合っており、且つ、前記所定平面上において前記第1固定抵抗薄膜及び前記第2固定抵抗薄膜の間に配置されている
磁気センサモジュール。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の磁気センサモジュールであって、
前記第1磁気抵抗薄膜、前記第2磁気抵抗薄膜、前記第1固定抵抗薄膜及び前記第2固定抵抗薄膜は、互いに同じ材料からなる
磁気センサモジュール。 - 請求項1から請求項4までのいずれかに記載の磁気センサモジュールであって、
前記第1センサは、2つの第1軟磁性薄膜を更に備えており、
2つの前記第1軟磁性薄膜は、前記所定方向において前記第1磁気抵抗薄膜を挟んでおり、且つ、前記第1薄膜磁石の前記所定方向における両端部を覆っており、
前記第2センサは、2つの第2軟磁性薄膜を更に備えており、
2つの前記第2軟磁性薄膜は、前記所定方向において前記第2磁気抵抗薄膜を挟んでおり、且つ、前記第2薄膜磁石の前記所定方向における両端部を覆っている
磁気センサモジュール。
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