JP6888296B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6888296B2 JP6888296B2 JP2016251465A JP2016251465A JP6888296B2 JP 6888296 B2 JP6888296 B2 JP 6888296B2 JP 2016251465 A JP2016251465 A JP 2016251465A JP 2016251465 A JP2016251465 A JP 2016251465A JP 6888296 B2 JP6888296 B2 JP 6888296B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- conductive substrate
- emitting device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 141
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 135
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 131
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 53
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- RGYAVZGBAJFMIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylhex-2-ene Chemical compound CCCC(C)=C(C)C RGYAVZGBAJFMIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- -1 murite Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
図1Aは、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図1Aに示すように、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法は、概略的には、表面に溝部を有する導電基板を準備する工程(ステップS1)と、ある面の側に正極および負極を有する発光体を準備する工程(ステップS2a)と、溝部を跨いで正極および負極を導電基板に接続する工程(ステップS3)と、発光体を覆う樹脂層を導電基板上に形成する工程(ステップS4a)と、樹脂層とは反対側から、溝部の底が除去されるまで導電基板を薄化して、互いに分離された第1電極および第2電極を形成する工程(ステップS5)とを含む。図1Bは、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図1Bに例示する製造方法は、図1Aに示すステップS2aに代えて、ある面の側に正極および負極を有する発光素子を準備する工程(ステップS2b)を含んでいる。また、ステップS4aに代えて、発光素子を覆う樹脂層を導電基板上に形成する工程(ステップS4b)を含んでいる。後述するように、発光体は、発光素子を含む構造体である。以下の説明から明らかとなるように、本開示の実施形態によれば、例えばフォトリソグラフィを必要とすることなく、発光素子への給電のための電極を発光装置の底面に形成可能である。
図2は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の構成を示す。図2の中段は、図2の上段の上面図におけるA−A’線断面図である。図2の下段は、これらの上面図および断面図に対応する底面図である。
なお、発光体110Aに代えて、発光素子111を準備し、発光素子111を導電基板101に固定してから、発光素子111の上面111a上に波長変換層116Aおよび保護層118を配置または形成してもよい。すなわち、図3〜図10を参照して説明した例と同様に、導電基板101を準備する(図1BのステップS1)。発光素子111を準備し(図1BのステップS2b)、図11に示すように、発光素子111が導電基板101の溝部101gを跨ぐようにして、波長変換層116Aおよび保護層118を有しない状態の発光素子111を導電基板101に固定する。このとき、溝部101gを跨いで正極112および負極114を導電基板101に接続する(図1BのステップS3)。
図22は、本開示の他のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の断面を模式的に示す。図22に示す発光装置100Bは、発光体110Bと、第1電極102と、第2電極104と、接合部材103、105と、透明樹脂部106Ceと、光反射性樹脂部106Rfとを有する。発光体110Bは、図2を参照して説明した発光体110Aと同様に、発光素子111を含む。この例においても、発光体110Bの底面110bは、発光素子111の底面111bに一致している。
図30は、本開示のさらに他のある実施形態による製造方法によって得られる例示的な発光装置の断面を模式的に示す。図30に示す発光装置100Cは、発光素子111と、第1電極102と、第2電極104と、接合部材103、105と、波長変換部106Peと、光反射性樹脂部106Rfとを有する。
101、101G、101H 導電基板
101M 金属板
101P めっき層
101g 溝部(第1の溝部)
101h 溝部(第2の溝部)
102 第1電極
104 第2電極
103、105 接合部材
106C 透明樹脂層
106P 波長変換層
106R 光反射性樹脂層
107 第1の島状部
109 第2の島状部
110A、100B 発光体
111 発光素子
112 正極
114 負極
116A、116B 波長変換層
118 保護層
200A、200B 発光装置
Claims (7)
- 表面に第1の溝部を有する導電基板を準備する工程(A)と、
第1面および前記第1面とは反対側に位置する第2面と前記第2面側に正極および負極とをそれぞれ有する発光素子と、前記第1面側に位置する透光性部材と、を備える複数の発光体を準備する工程(B)と、
前記第1の溝部を跨いで前記複数の発光素子のそれぞれの前記正極および前記負極を前記導電基板に接続する工程(C)と、
前記複数の発光体を連続して覆い、且つ、前記第1の溝部内を埋める樹脂層を前記導電基板上に形成する工程(D)と、
前記樹脂層とは反対側から、前記第1の溝部の底が除去されるまで前記導電基板を薄化して、互いに分離された、各前記発光体の前記正極に接続された第1電極および前記負極に接続された第2電極を形成する工程(E)と
前記複数の発光体のそれぞれの間において、前記樹脂層および前記薄化された導電基板を切断し、それぞれが個片化された発光装置を得る工程(I)と、
を含む、発光装置の製造方法。 - 表面に第1の溝部を有する導電基板を準備する工程(A)と、
第1面および前記第1面とは反対側に位置する第2面を有し、前記第2面側に正極および負極を有する複数の発光素子を準備する工程(B)と、
前記第1の溝部を跨いで前記正極および前記負極を前記導電基板に接続する工程(C)と、
前記複数の発光素子を連続して覆い、かつ、前記第1の溝部内を埋める樹脂層を前記導電基板上に形成する工程(D)と、
前記樹脂層とは反対側から、前記第1の溝部の底が除去されるまで前記導電基板を薄化して、互いに分離された、前記正極に接続された第1電極および前記負極に接続された第2電極を形成する工程(E)と
前記複数の発光素子のそれぞれの間において、前記樹脂層および前記薄化された導電基板を切断し、それぞれが個片化された発光装置を得る工程(I)と、
を含む、発光装置の製造方法。 - 前記工程(C)と前記工程(D)との間に、前記発光素子の前記第1面側に透光性部材を形成する工程(G)と、
を含む、請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記樹脂層は、光反射性樹脂層であり、
前記工程(D)の後に前記光反射性樹脂層の一部を除去することにより、前記透光性部材を前記光反射性樹脂層から露出させる工程(F)
をさらに含む、請求項1または3に記載の発光装置の製造方法。 - 前記透光性部材は、波長変換層と保護層を有し、
前記波長変換層は、前記発光素子と前記保護層に挟まれる 請求項1、3および4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1の溝部は第1方向に延び、
前記工程(D)において、複数の前記発光素子は、前記第1方向に並んで前記導電基板に接続される請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記導電基板が第1の溝の底面に貫通孔を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016251465A JP6888296B2 (ja) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016251465A JP6888296B2 (ja) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018107258A JP2018107258A (ja) | 2018-07-05 |
JP6888296B2 true JP6888296B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=62784809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016251465A Active JP6888296B2 (ja) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6888296B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6897640B2 (ja) | 2018-08-02 | 2021-07-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7174231B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US11165006B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-11-02 | Nichia Corporation | Light emitting device including external connection electrodes, and method thereof |
JP7385111B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
CN110676360B (zh) * | 2019-10-09 | 2021-10-15 | 创维液晶器件(深圳)有限公司 | 一种led灯条、背光模组及显示装置 |
WO2022173005A1 (ja) | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 味の素株式会社 | 発光素子パッケージ及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003036707A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明装置とその製造方法 |
CN101855735A (zh) * | 2007-11-19 | 2010-10-06 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 |
JP5857355B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2016-02-10 | Shマテリアル株式会社 | 半導体発光素子搭載用基板、及びそれを用いた半導体発光装置 |
JP5995579B2 (ja) * | 2012-07-24 | 2016-09-21 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2014120572A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2015016561A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode, method of fabricating the same and led module having the same |
JP6176171B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-08-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10181553B2 (en) * | 2014-08-05 | 2019-01-15 | Citizen Electronics Co., Ltd | Semiconductor device and method for producing the same |
JP6582382B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2016129658A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6588218B2 (ja) * | 2015-04-17 | 2019-10-09 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置およびその製造方法 |
-
2016
- 2016-12-26 JP JP2016251465A patent/JP6888296B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018107258A (ja) | 2018-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6888296B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US10283670B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
TWI783143B (zh) | 發光裝置 | |
US9269873B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP6277860B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6398626B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6699634B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6175952B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6341261B2 (ja) | 発光装置ならびに発光装置の製造方法 | |
JP6304297B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6519135B2 (ja) | 発光装置及び発光装置用基板 | |
JP2012124443A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
US20180076369A1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
TW202021162A (zh) | 發光裝置 | |
JP6627316B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6520663B2 (ja) | 素子載置用基板及び発光装置 | |
JP2018129434A (ja) | 発光装置 | |
JP6582827B2 (ja) | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 | |
JP6558389B2 (ja) | リードフレーム | |
JP6176302B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2019057627A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US11227983B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
JP5747947B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6237344B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP7011148B2 (ja) | 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210503 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6888296 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |