JP6870200B2 - 素子、及び発電装置 - Google Patents
素子、及び発電装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6870200B2 JP6870200B2 JP2015178644A JP2015178644A JP6870200B2 JP 6870200 B2 JP6870200 B2 JP 6870200B2 JP 2015178644 A JP2015178644 A JP 2015178644A JP 2015178644 A JP2015178644 A JP 2015178644A JP 6870200 B2 JP6870200 B2 JP 6870200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate layer
- electrode
- treatment
- same manner
- manufactured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 33
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 81
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical group C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 22
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 19
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 9
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 8
- -1 etc.) Substances 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 5
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 4
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229920005560 fluorosilicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000000344 low-energy electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006127 amorphous resin Polymers 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 2
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920006173 natural rubber latex Polymers 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229960004624 perflexane Drugs 0.000 description 1
- ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N perfluorohexane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical class [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
また、静電誘導を利用する方式においては、用いられる前記エレクトレット誘導体を作製する際に、誘電体に帯電処理を行う必要がある。前記帯電処理の方法としては、コロナ放電、プラズマ処理などが挙げられる。このような処理では、多くの電力を必要とするという問題がある。また、可撓性が十分ではなく、かつ通常、機械的な容量変化機構を備えるため、フレキシブルな素子を実現するのが困難であるという問題がある。
本発明の素子は、
第1の電極と、中間層と、第2の電極とをこの順で積層してなる素子であって、
前記中間層が、可撓性を有し、
前記中間層の面に対して直交する方向から前記中間層が加圧された際に、前記中間層における前記第1の電極側の変形量と、前記中間層における前記第2の電極側の変形量とが、異なる。
本発明の素子は、第1の電極と、中間層と、第2の電極とをこの順で積層してなり、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記第1の電極、及び前記第2の電極の材質、形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記第1の電極、及び前記第2の電極において、その材質、形状、大きさ、構造は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
前記炭素系導電材料としては、例えば、カーボンナノチューブなどが挙げられる。
前記導電性フィラーとしては、例えば、炭素材料(例えば、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、黒鉛、炭素繊維、カーボンファイバー(CF)、カーボンナノファイバー(CNF)、カーボンナノチューブ(CNT)など)、金属フィラー(金、銀、白金、銅、アルミニウムなど)、導電性高分子材料(ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、及びポリパラフェニレンビニレンのいずれかの誘導体、又は、これら誘導体にアニオン若しくはカチオンに代表されるドーパントを添加したものなど)、イオン性液体などが挙げられる。
前記ゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、変性シリコーンゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴム、ポリサルファイドゴム、ウレタンゴム、イソブチルゴム、フロロシリコーンゴム、エチレンゴム、天然ゴム(ラテックス)などが挙げられる。
前記第1の電極の構造、及び前記第2の電極の構造としては、例えば、繊維状の前記炭素材料が重なって形成された不織布であってもよい。
前記中間層は、可撓性を有する。
前記中間層においては、以下の条件(1)及び条件(2)の少なくともいずれかを満たす。
条件(1):前記中間層の面に対して直交する方向から前記中間層が加圧された際に、前記中間層における前記第1の電極側の変形量と、前記中間層における前記第2の電極側の変形量とが、異なる。
条件(2):前記中間層の前記第1の電極側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H1)と、前記中間層の前記第2の電極側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H2)とが、異なる。
前記中間層においては、以上のように、両面での変形量、又は硬度が異なることにより、大きな発電量を得ることができる。
[測定条件]
測定機:フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD
圧子:対面角度136°の四角錐ダイヤモンド圧子
初期荷重:0.02mN
最大荷重:1mN
初期荷重から最大荷重までの荷重増加時間:10秒間
[測定条件]
測定機:フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD
圧子:対面角度136°の四角錐ダイヤモンド圧子
押し込み深さ:10μm
初期荷重:0.02mN
最大荷重:100mN
初期荷重から最大荷重までの荷重増加時間:50秒間
前記フラーレンとしては、例えば、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC80、フラーレンC82、フラーレンC84、フラーレンC90、フラーレンC96、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブなどが挙げられる。
前記フラーレン誘導体とは、前記フラーレンに置換基が付与された化合物を意味する。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、複素環基などが挙げられる。
前記中間層において、両面での変形量、又は硬度を異ならせる方法としては、例えば、表面改質処理、不活性化処理などが挙げられる。これらの処理は、両方を行ってもよいし、片方のみを行ってもよい。
前記表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ放電処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン処理、放射線(X線、α線、β線、γ線、中性子線)照射処理などが挙げられる。これらの処理の中でも、処理スピードの点から、プラズマ処理、コロナ放電処理、電子線照射処理が好ましいが、ある程度の照射エネルギーを有し、材料を改質しうるものであれば、これらに限定されない。
前記プラズマ処理の場合、プラズマ発生装置としては、例えば、平行平板型、容量結合型、誘導結合型のほか、大気圧プラズマ装置でも可能である。耐久性の観点から、減圧プラズマ処理が好ましい。
前記プラズマ処理における反応圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.05Pa〜100Paが好ましく、1Pa〜20Paがより好ましい。
前記プラズマ処理における反応雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性ガス、希ガス、酸素などのガスが有効であるが、効果の持続性においてアルゴンが好ましい。また、その際、酸素分圧を5,000ppm以下とすることが好ましい。前記反応雰囲気における酸素分圧が、5,000ppm以下であると、オゾンの発生を抑制でき、オゾン処理装置の使用を控えることができる。
前記プラズマ処理における照射電力量は、(出力×照射時間)により規定される。前記照射電力量としては、5Wh〜200Whが好ましく、10Wh〜50Whがより好ましい。前記照射電力量が、好ましい範囲内であると、前記中間層に発電機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
前記コロナ放電処理における印加エネルギー(積算エネルギー)としては、6J/cm2〜300J/cm2が好ましく、12J/cm2〜60J/cm2がより好ましい。前記印加エネルギーが、好ましい範囲内であると、前記中間層に発電機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
前記電子線照射処理における照射量としては、1kGy以上が好ましく、300kGy〜10MGyがより好ましい。前記照射量が、好ましい範囲内であると、前記中間層に発電機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
前記電子線照射処理における反応雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルゴン、ネオン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスが充填し酸素分圧を5,000ppm以下とすることが好ましい。前記反応雰囲気における酸素分圧が、5,000ppm以下であると、オゾンの発生を抑制でき、オゾン処理装置の使用を控えることができる。
前記紫外線照射処理における紫外線としては、波長365nm以下で200nm以上が好ましく、波長320nm以下で240nm以上がより好ましい。
前記紫外線照射処理における積算光量としては、5J/cm2〜500J/cm2が好ましく、50J/cm2〜400J/cm2がより好ましい。前記積算光量が、好ましい範囲内であると、前記中間層に発電機能を付与でき、かつ照射過剰により耐久性を低下させることもない。
前記紫外線照射処理における反応雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルゴン、ネオン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスが充填し酸素分圧を5,000ppm以下とすることが好ましい。前記反応雰囲気における酸素分圧が、5,000ppm以下であると、オゾンの発生を抑制でき、オゾン処理装置の使用を控えることができる。
本発明の前記表面改質処理は、酸素が少なく減圧された反応環境による処理(例えば、プラズマ処理)のため、表面の再架橋及び結合を促し、例えば、「結合エネルギーの高いSi−O結合の増加」に起因して耐久性が向上し、さらに加えて「架橋密度向上による緻密化」に起因して離型性が向上すると考えられる(なお、本発明においても一部活性基は形成されてしまうが、後述するカップリング剤や風乾処理にて、活性基を不活性化させている。)。
前記中間層の表面は、各種材料を用いて、適宜不活性化処理が施されてもよい。
前記不活性化処理としては、前記中間層の表面を不活性化させる処理であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、不活性化剤を前記中間層の表面に付与する処理が挙げられる。前記不活性化とは、プラズマ処理、コロナ放電処理、紫外線照射処理、電子線照射処理などによる励起又は酸化によって発生した活性基(例えば、−OHなど)を不活性化剤と反応させて、前記中間層の表面の活性度を下げることで、前記中間層の表面を、化学反応を起こしにくい性質に変化させることを意味する。
前記カップリング剤としては、例えば、金属アルコキシド、金属アルコキシドを含む溶液などが挙げられる。前記金属アルコキシドとしては、例えば、下記一般式(1)で表される化合物や、重合度2〜10程度のそれらの部分加水分解重縮合物又はそれらの混合物などが挙げられる。
R1 (4−n)Si(OR2)n・・・一般式(1)
ただし、前記一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1〜10の直鎖状又は分枝状のアルキル基、アルキルポリエーテル鎖、及びアリール基のいずれかを表す。nは、2〜4の整数を表す。
前記一般式(1)で表される化合物の具体例としては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランなどが挙げられる。耐久性の面から特に好ましいのは、テトラエトキシシランである。
また、前記中間層前駆体としてシリコーンゴムを用いた場合は、前記表面改質処理を行った後に、空気中に静置して風乾することにより、失活させてもよい。
前記中間層の厚み方向における炭素濃度のプロファイルは、極小値を有することが好ましい。
そして、前記中間層において、前記酸素濃度のプロファイルが極大値を示す位置と、前記炭素濃度のプロファイルが極小値を示す位置とは、一致することがより好ましい。
前記酸素濃度のプロファイル、及び前記炭素濃度のプロファイルは、X線光電子分光分析法(XPS)によって求めることができる。測定方法は、例えば、以下の方法が挙げられる。
[測定方法]
測定装置:Ulvac−PHI QuanteraSXM、アルバック・ファイ株式会社製
測定光源:Al(mono)
測定出力:100μmφ、25.1W
測定領域:500μm×300μm
パスエネルギー:55eV(narrow scan)
エネルギーstep:0.1eV(narrow scan)
相対感度係数:PHIの相対感度係数を使用
スパッタ源:C60クラスターイオン
Ion Gun 出力:10 kV、10 nA
Raster Control:(X=0.5,Y=2.0)mm
スパッタレート:0.9nm/min(SiO2換算)
XPSでは、光電子効果により飛び出す電子を捕捉することにより、測定対象物中の原子の存在濃度比や結合状態を知ることができる。
更に、前記シリコーンゴムの場合、Siの2p軌道の電子が飛び出すエネルギーを測定することにより、珪素に結合している元素及び結合状態を知ることができる。そこで、Siの結合状態を示すSi2p軌道におけるナロースキャンスペクトルからピーク分離を行い、化学結合状態を求めた。その結果を図1Bに示す。図1Bの測定対象は、図1Aの測定に用いたサンプルである。図1Bにおいて、横軸は結合エネルギーであり、縦軸は強度比である。また、下から上に向かっては深さ方向での測定スペクトルを示している。
一般に、ピークシフトの量は結合状態に依存することが知られており、本件に関するシリコーンゴムの場合、Si2p軌道において高エネルギー側にピークがシフトするということは、Siに結合している酸素の数が増えていることを示す。
さらに図1Aのαで検出された酸素の極大値は、Si2p結合エネルギーシフトが高エネルギー側にシフトすることと一致(図1Bのα)しており、酸素増加がSiに結合した酸素の数に起因することが示されている。
図2Aには、図1Aにみられたような酸素濃度の極大値、及び炭素濃度の極小値は見られない。更に、図2Bより、Si2p結合エネルギーシフトが高エネルギー側にシフトする様子もみられないことから、Siに結合した酸素の数も変化していないことが確認された。
なお、静置状態における初期表面電位は、以下の測定条件で測定できる。ここで、初期表面電位を持たないとは、下記測定条件で測定した際に、±10V以下を意味する。
[測定条件]
前処理:温度30℃相対湿度40%雰囲気に24h静置後、除電を60sec(Keyence製のSJ−F300を使用)
装置:Treck Model344
測定プローブ:6000B−7C
測定距離:2mm
測定スポット径:直径(Φ)10mm
その点で、本発明の前記素子は、特開2009−253050号公報、特開2014−027756号公報、特開昭54−14696号公報等に記載の技術とは、発電の原理が異なると考えられる。
なお、本発明の前記素子においては、摩擦帯電に似たメカニズムでの帯電と、内部電荷留保による表面電位差の発生とが、前記中間層の両面の硬度差に基づく変形量の差に起因して静電容量の偏りを生み出すことにより、電荷が移動して発電すると推測される。しかし、正確には不明である。
本発明の発電装置は、本発明の前記素子を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記その他の部材としては、例えば、電気回路などが挙げられる。
前記電気回路としては、例えば、前記素子で発電した電力を取り出す回路であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
更に、前記発電装置は、以下の用途にも適している。
・波力、水力、風力等の自然エネルギーによる発電
・靴、服、床、アクセサリーに埋め込まれ、人の歩行による発電
・自動車のタイヤ等に埋め込まれ、走行による振動発電
また、フレキシブル基板上に形成して、板状発電体や逆に電圧をかけて充電する二次電池や、新しいアクチュエータ(人工筋肉)としての活用も期待できる。
<素子の作製>
<<第1の電極、及び第2の電極>>
第1の電極、及び第2の電極として、平均厚み12μmのアルミニウムシート(三菱アルミニウム株式会社製)を用いた。
−中間層前駆体−
ベース材料としてのシリコーンゴム(TSE3033:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)100部に、添加剤としてのチタン酸バリウム(和光純薬株式会社製、93−5640)40部を混合した。得られた混合物を、平均厚み150±20μm、縦50mm×横70mmを狙いとして、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、ブレード塗装を実施し、中間層前駆体を得た。
それを、約120℃で30分間焼成した後、表面改質処理として、以下の条件でプラズマ処理を行った。
[プラズマ処理条件]
装置:ヤマト科学製:PR−500
出力:100W
処理時間:4分間
反応雰囲気:アルゴン99.999%
反応圧力:10Pa
更に、表面改質処理後、中間層前駆体の処理面に、フッ素系炭素化合物であるオプツールDSX(ダイキン工業株式会社製)をパーフルオロヘキサンで希釈した0.1%溶液を、引き上げ速度10mm/minのディッピング(Dip)工法にて塗布した。その後、相対湿度90%温度60℃の環境で30分間以上保持後、50℃で10分間の乾燥を実施し、不活性化処理を施した。
その後、PETフィルムを剥離した。
以上により、中間層を得た。
<<硬度>>
中間層の両面のユニバーサル硬度を、以下の測定条件で測定した。結果を、表1−1に示した。
[測定条件]
測定機:フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD
圧子:対面角度136°の四角錐ダイヤモンド圧子
押し込み深さ:10μm
初期荷重:0.02mN
最大荷重:100mN
初期荷重から最大荷重までの荷重増加時間:50秒間
中間層の両面の変形量を、以下の測定条件で測定した。結果を、表1−1に示した。
[測定条件]
測定機:フィッシャー社製、超微小硬度計WIN−HUD
圧子:対面角度136°の四角錐ダイヤモンド圧子
初期荷重:0.02mN
最大荷重:1mN
初期荷重から最大荷重までの荷重増加時間:10秒間
以下の条件で、静置状態の初期表面電位を測定した。結果を表1−1に示した。
[測定条件]
前処理:温度30℃相対湿度40%雰囲気に24h静置後、除電を60sec(Keyence製のSJ−F300を使用)
装置:Treck Model344
測定プローブ:6000B−7C
測定距離:2mm
測定スポット径:直径(Φ)10mm
中間層について、X線光電子分光分析法(XPS)による測定を行った。そして、中間層の厚み方向における酸素濃度のプロファイル、及び炭素濃度のプロファイルを求めた。測定は、以下の方法で行った。結果を表1−1に示した。
[測定方法]
測定装置:Ulvac−PHI QuanteraSXM、アルバック・ファイ株式会社製
測定光源:Al(mono)
測定出力:100μmφ、25.1W
測定領域:500μm×300μm
パスエネルギー:55eV(narrow scan)
エネルギーstep:0.1eV(narrow scan)
相対感度係数:PHIの相対感度係数を使用
スパッタ源:C60クラスターイオン
Ion Gun 出力:10 kV、10 nA
Raster Control:(X=0.5,Y=2.0)mm
スパッタレート:0.9nm/min(SiO2換算)
得られた素子における前記第1の電極、及び前記第2の電極に電線を接続した。更にセロハンテープ(ニチバン株式会社製、No.405 50mm幅)で全体を封止し、評価サンプルを得た。
この評価サンプルに対して、鉄球(重量200g)を10cmの高さから落下させた。この時に、両電極間に発生するピーク電圧量をオシロスコープを用いて計測した。計測を5回行い、得られた平均値を測定値とした。そして、後述する比較例1の測定値に対する倍率を求めた。また、以下の評価基準で評価した。結果を表1−1に示した。
[評価基準]
◎:比較例1の測定値の10倍以上
○:比較例1の測定値の5倍以上10倍未満
×:比較例1の測定値の5倍未満
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理に用いる反応雰囲気を窒素に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理に用いる反応雰囲気を酸素に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理を以下の条件のコロナ放電処理に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
[コロナ放電処理条件]
印加電圧:100V
積算エネルギー:30J/cm2
反応雰囲気:空気
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理を以下の条件のUV照射処理に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
[UV照射処理条件]
UV照射ランプ:ヴィルバー・ルーマット社製、VL−215.C
波長:254nm
積算光量:300J/cm2
反応雰囲気:窒素(酸素分圧5,000ppm以下)
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理を以下の条件の電子線照射処理に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
[電子線照射処理条件]
装置:浜松ホトニクス株式会社製、ライン照射型低エネルギー電子線照射源
照射量:1MGy
反応雰囲気:窒素(酸素分圧5,000ppm以下)
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の不活性化処理において、オプツールDSXの溶液を、テトラエトキシシラン(TEOS、オルトケイ酸テトラエチル、和光純薬工業株式会社製)に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の不活性化処理において、オプツールDSXの溶液を、イソプロポキシドチタン(TTIP、高純度化学社製)の50%エタノール溶液に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の不活性化処理において、オプツールDSXの溶液を、ジメチルジメトキシシランKBM−22(信越工業株式会社製)の50%エタノール溶液に代えた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、不活性化処理を行わず、代わりに温度30℃相対湿度70%の環境下で5時間の風乾を実施した以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例6において、不活性化処理を行わず、代わりに温度30℃相対湿度70%の環境下で5時間の風乾を実施した以外は、実施例6と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、空間を設けなかった以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の中間層の作製において、ベース材料100部に対する添加剤の混合量を20部に変更した以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の中間層の作製において、ベース材料100部に対する添加剤の混合量を80部に変更した以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の中間層の作製において、ベース材料に添加剤を混合しなかった以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例15において、不活性化処理を行わず、代わりに温度30℃相対湿度70%の環境下で5時間の風乾を実施した以外は、実施例15と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例16において、表面改質処理を以下の条件の電子線照射処理に代えた以外は、実施例16と同様にして、素子を作製した。
[電子線照射処理条件]
装置:浜松ホトニクス株式会社製、ライン照射型低エネルギー電子線照射源
照射量:1MGy
反応雰囲気:窒素(酸素分圧5,000ppm以下)
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
ベース材料としてのシリコーンゴム(TSE3033:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)100部に、添加剤としてのチタン酸バリウム40部を混合した。得られた混合物を、平均厚み150±20μm、縦50mm×横70mmを狙いとして、カーボンファイバー(日本グラファイト株式会社製、XN−100−05M)を平均厚みが20μm以下になるように形成したPETフィルム上に、ブレード塗装を実施し、中間層前駆体を得た。次に、前記中間層前駆体の表面に、カーボンファイバー(日本グラファイト株式会社製、XN−100−05M)を平均厚みが20μm以下になるように形成した。次に、120℃で30分間加熱した。次に、前記中間層前駆体の片面に、以下の条件で電子線照射処理を行った。以上により、素子を得た。
[電子線照射処理条件]
装置:浜松ホトニクス株式会社製、ライン照射型低エネルギー電子線照射源
照射量:1MGy
反応雰囲気:窒素(酸素分圧5,000ppm以下)
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、不活性化処理を行わず、かつ以下の第1の電極、及び第2の電極を用いた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
第1の電極、及び第2の電極として、シリコーンゴム(DY35−2083、東レ株式会社製)に対して、CNT(カーボンナノチューブ、昭和電工株式会社製、VGCF−H)を5%配合した、平均厚み50μmのシートを用いた。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1において、不活性化処理を行わず、かつ以下の第1の電極、及び第2の電極を用いた以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
第1の電極、及び第2の電極として、シリコーンゴム(DY35−2083、東レ株式会社製)に対して、CNT(カーボンナノチューブ、昭和電工株式会社製、VGCF−H)を10%配合した、平均厚み50μmのシートを用いた。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の中間層の作製において、添加剤を、以下の添加剤に変更した以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
[添加剤]
実施例21:酸化チタン(CR−90、石原産業株式会社製)
実施例22:シリカ(R972、日本アエロジル株式会社製)
実施例23:メラミン(エポスタS12、株式会社日本触媒製)
実施例24:合成ハイドロタルサイト(DHT−4A、協和化学工業株式会社製)
実施例25:ベンガラ(100ED、戸田工業株式会社製)
実施例26:PTFE(KTL−8N、株式会社喜多村製)
実施例27:フラーレン(nanom purple ST、フロンティアカーボン社製
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子の作製>
実施例1の中間層の作製において、ベース材料を、以下のベース材料に変更した以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
[ベース材料]
実施例28:フロロシリコーンゴム(X36−420U、信越化学工業株式会社製)
実施例29:ウレタンゴム(アダプト60L、日新レジン株式会社製)
実施例30:アクリルゴム(Nipol AR51、日本ゼオン株式会社製)
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1に示した。
<素子>
実施例1で作製した素子を用いた。
実施例1で作製した素子の対向する2つの電極に、極性が異なるようにファンクションジェネレータ(TEXIO社製:FG−274)の電極を接続し、以下の条件で電圧を印加し、1mはなれた位置から音の可聴を判断した。全ての周波数で可聴できた場合を合格レベルであるとした。結果を表1−3に示す。
<印加条件>
・CMOS出力±5V
・方形波(Duty比50%)
・周波数:400Hz、2kHz、12kHz
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理、及び不活性化処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−2に示した。
<素子の作製>
実施例9において、表面改質処理を行わなかった以外は、実施例9と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−2に示した。
<素子の作製>
比較例1の中間層の作製において、ベース材料、及び添加剤を、表1−2に示すベース材料、及び添加剤に変更した以外は、比較例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−2に示した。
<素子の作製>
中間層として、株式会社東京センサ製のピエゾフィルムシート(3−1004346−0:100μm)を用いた以外は、比較例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−2に示した。
<素子の作製>
サイトップ(旭硝子株式会社製:CTL−809A)を下部金属電極上にスピンコート塗布し、室温30分静置後、オーブンにて50℃で1時間プレキュア及び300℃で1時間ポストキュアを実施し、約10μmの厚みになるように形成した。
その後、得られたサンプルにコロナ放電を実施し、下記条件で帯電化させた。
コロナ帯電器はコロナ針と電極とが対向配置され、直流高圧電源装置(HAR−20R5;松定プレシジョン製)により、放電が可能となっており、更にコロナ針と電極間にグリッドが配置されている。グリッドにはグリッド用電源から電圧を印加できる。
本装置を用いて、ホットプレートで加熱しながら下記条件で帯電(エレクトレット化)した薄膜を中間層として用いた以外は、比較例1と同様にして、素子を作製した。
[帯電条件]
コロナ針電圧:−10kV
グリッド電圧:−1kV
プレート温度:100℃
得られた素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−2に示した。
<素子の作製>
実施例1において、表面改質処理、及び不活性化処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、素子を作製した。
得られた素子について、実施例31と同様の評価を行った。結果を表1−3に示した。
比較例6:シリカ(R972、日本アエロジル株式会社製)
比較例7:メラミン(エポスタS12、株式会社日本触媒製)
比較例8:合成ハイドロタルサイト(DHT−4A、協和化学工業株式会社製)
比較例9:ベンガラ(100ED、戸田工業株式会社製)
比較例10:PTFE(KTL−8N、株式会社喜多村製)
比較例11:フラーレン(nanom purple ST、フロンティアカーボン社製)
比較例13:フロロシリコーンゴム(X36−420U、信越化学工業株式会社製)
比較例14:ウレタンゴム(アダプト60L、日新レジン株式会社製)
比較例15:アクリルゴム(Nipol AR51、日本ゼオン株式会社製)
実施例1〜9、及び比較例1〜2によると、表面改質処理及び不活性化処理を経ることにより、即ち、3つ〜4つの酸素原子と結合したケイ素原子を有するポリオルガノシロキサンを含有する中間層を設けたことにより、硬度が変わり、それに起因して中間層の変形量が変化し、発電効果が向上していることがわかる。
<1> 第1の電極と、中間層と、第2の電極とをこの順で積層してなる素子であって、
前記中間層が、可撓性を有し、
前記中間層の面に対して直交する方向から前記中間層が加圧された際に、前記中間層における前記第1の電極側の変形量と、前記中間層における前記第2の電極側の変形量とが、異なる、
ことを特徴とする素子である。
<2> 第1の電極と、中間層と、第2の電極とをこの順で積層してなる素子であって、
前記中間層が、可撓性を有し、
前記中間層の前記第1の電極側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H1)と、前記中間層の前記第2の電極側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H2)とが、異なる、
ことを特徴とする素子である。
<3> 前記ユニバーサル硬度(H1)と、前記ユニバーサル硬度(H2)との比(H1/H2)が、1.01以上である前記<2>に記載の素子である。
<4> 前記中間層が、3つ〜4つの酸素原子と結合したケイ素原子を有するポリオルガノシロキサンを含有する前記<1>から<3>のいずれかに記載の素子である。
<5> 前記中間層の厚み方向における酸素濃度のプロファイルが、極大値を有する前記<4>に記載の素子である。
<6> 前記中間層の厚み方向における炭素濃度のプロファイルが、極小値を有する前記<4>から<5>のいずれかに記載の素子である。
<7> 前記中間層において、前記酸素濃度のプロファイルが極大値を示す位置と、前記炭素濃度のプロファイルが極小値を示す位置とが、一致する前記<6>に記載の素子である。
<8> 前記中間層が、静置状態においては表面電位を有さない前記<1>から<7>のいずれかに記載の素子である。
<9> 前記中間層と、前記第1の電極及び前記第2の電極の少なくともいずれかとの間に空間を有する前記<1>から<8>のいずれかに記載の素子である。
<10> 前記<1>から<9>のいずれかに記載の素子を有することを特徴とする発電装置である。
2 第2の電極
3 中間層
Claims (10)
- 第1の電極と、中間層と、第2の電極とをこの順で積層してなる素子であって、
前記中間層が、可撓性を有し、
前記中間層の面に対して直交する方向から前記中間層が圧子で加圧された際に、前記中間層における前記第1の電極側の最大押し込み深さと、前記中間層における前記第2の電極側の最大押し込み深さとが、異なる、
ことを特徴とする素子。 - 第1の電極と、中間層と、第2の電極とをこの順で積層してなる素子であって、
前記中間層が、可撓性を有し、
前記中間層の前記第1の電極側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H1)と、前記中間層の前記第2の電極側における10μm押し込み時のユニバーサル硬度(H2)とが、異なる、
ことを特徴とする素子。 - 前記ユニバーサル硬度(H1)と、前記ユニバーサル硬度(H2)との比(H1/H2)が、1.01以上である請求項2に記載の素子。
- 前記中間層が、3つ〜4つの酸素原子と結合したケイ素原子を有するポリオルガノシロキサンを含有する請求項1から3のいずれかに記載の素子。
- 前記中間層の厚み方向における酸素濃度のプロファイルが、極大値を有する請求項4に記載の素子。
- 前記中間層の厚み方向における炭素濃度のプロファイルが、極小値を有する請求項4から5のいずれかに記載の素子。
- 前記中間層の厚み方向における酸素濃度のプロファイルが、極大値を有し、
前記中間層において、前記酸素濃度のプロファイルが極大値を示す位置と、前記炭素濃度のプロファイルが極小値を示す位置とが、一致する請求項6に記載の素子。 - 前記中間層が、静置状態においては表面電位を有さない請求項1から7のいずれかに記載の素子。
- 前記中間層と、前記第1の電極及び前記第2の電極の少なくともいずれかとの間に空間を有する請求項1から8のいずれかに記載の素子。
- 請求項1から9のいずれかに記載の素子を有することを特徴とする発電装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020177016061A KR20170083125A (ko) | 2014-11-13 | 2015-10-27 | 소자 및 발전 장치 |
CN201580060729.0A CN107004757B (zh) | 2014-11-13 | 2015-10-27 | 元件和发电机 |
EP15859307.9A EP3218944B1 (en) | 2014-11-13 | 2015-10-27 | Element and electric power generator |
PCT/JP2015/005409 WO2016075882A1 (en) | 2014-11-13 | 2015-10-27 | Element and electric power generator |
US15/524,021 US10777731B2 (en) | 2014-11-13 | 2015-10-27 | Element and electric power generator |
US17/001,148 US20200388748A1 (en) | 2014-11-13 | 2020-08-24 | Element and electric power generator |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014230538 | 2014-11-13 | ||
JP2014230538 | 2014-11-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016103967A JP2016103967A (ja) | 2016-06-02 |
JP6870200B2 true JP6870200B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=56089733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015178644A Active JP6870200B2 (ja) | 2014-11-13 | 2015-09-10 | 素子、及び発電装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10777731B2 (ja) |
EP (1) | EP3218944B1 (ja) |
JP (1) | JP6870200B2 (ja) |
KR (1) | KR20170083125A (ja) |
CN (1) | CN107004757B (ja) |
WO (1) | WO2016075882A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6699119B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2020-05-27 | 株式会社リコー | 素子及び発電装置 |
JP6618035B2 (ja) | 2015-03-09 | 2019-12-11 | 株式会社リコー | 素子、及び発電装置 |
JP6540125B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2019-07-10 | 株式会社リコー | 発電素子及び発電装置 |
JP6808930B2 (ja) | 2015-11-20 | 2021-01-06 | 株式会社リコー | 発電素子及び発電装置 |
EP3410089B1 (en) | 2016-01-29 | 2020-12-02 | Ricoh Company, Ltd. | Pressure-sensitive sensor, gripping device, and robot |
WO2017154303A1 (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 株式会社リコー | 非常停止用感圧センサ、安全装置及び安全システム |
KR102154136B1 (ko) | 2016-03-14 | 2020-09-09 | 가부시키가이샤 리코 | 입력 소자 및 입력 장치 |
KR102425576B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2022-07-26 | 삼성전자주식회사 | 웨어러블 디바이스 및 그 동작 방법 |
JP6776806B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2020-10-28 | 株式会社リコー | センサ及び把持装置及びロボット及びセンサ初期化方法 |
US10714676B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-07-14 | Ricoh Company, Ltd. | Sensor and sensor system |
JP6891525B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2021-06-18 | 株式会社リコー | センサ及びセンサシステム |
WO2018101359A1 (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | 株式会社ユポ・コーポレーション | 圧電素子および楽器 |
JP2018091712A (ja) | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 株式会社リコー | センサ及びセンサシステム |
DE102018221053A1 (de) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | Continental Reifen Deutschland Gmbh | Vorrichtung zum Messen einer mechanischen Kraft, umfassend eine erste, zweite, dritte, vierte und fünfte Schicht sowie die Verwendungen der Vorrichtung und Reifen oder technischer Gummiartikel umfassend die Vorrichtung |
FR3082781B1 (fr) * | 2018-06-21 | 2022-12-02 | Michelin & Cie | Pneumatique comprenant un composite piezoelectrique |
KR102225647B1 (ko) * | 2019-07-04 | 2021-03-08 | 제주대학교 산학협력단 | 자가치유 스트레인 센서 |
JP2021064690A (ja) | 2019-10-11 | 2021-04-22 | 株式会社リコー | 素子および素子の製造方法 |
CN112593436B (zh) * | 2020-12-19 | 2022-12-06 | 桂林理工大学 | 一种剑麻纤维纸基摩擦纳米发电机的制备方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3673972D1 (de) * | 1985-12-05 | 1990-10-11 | Focas Ltd | Traegerteil fuer druckfuehler. |
JP3118252B2 (ja) * | 1990-02-27 | 2000-12-18 | ニスカ株式会社 | 超音波振動装置及びその方法並びにこれらを用いた駆動装置及びその方法 |
WO2008052560A1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-08 | Danfoss A/S | A multilayer composite and a method of making such |
JP5563746B2 (ja) | 2008-04-07 | 2014-07-30 | 旭硝子株式会社 | エレクトレットおよび静電誘導型変換素子 |
EP2244489A1 (de) * | 2009-04-24 | 2010-10-27 | Bayer MaterialScience AG | Verfahren zur Herstellung eines elektromechanischen Wandlers |
JP2011049073A (ja) | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Nsk Ltd | 発電素子 |
WO2011090366A2 (ko) | 2010-01-25 | 2011-07-28 | (주)Lg화학 | 광전지 모듈 |
JP2012010564A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Toyota Boshoku Corp | 発電マット |
JP2012164727A (ja) | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Fujifilm Corp | 静電容量変化型発電素子 |
JP2012164917A (ja) | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Fujifilm Corp | 静電容量変化型発電素子 |
JP5652611B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-01-14 | 株式会社リコー | 定着部材、定着装置及び画像形成装置 |
JP5023244B1 (ja) * | 2012-01-13 | 2012-09-12 | 浩平 速水 | 振動力発電装置 |
JP5691080B2 (ja) * | 2012-07-25 | 2015-04-01 | 株式会社ビスキャス | 振動発電体およびその製造方法と発電方法 |
TW201431966A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-08-16 | Dow Corning | 轉換器及其製造方法 |
TWI616477B (zh) * | 2012-12-28 | 2018-03-01 | 道康寧公司 | 用於轉換器之可固化有機聚矽氧烷組合物及該可固化聚矽氧組合物於轉換器之應用 |
JP2014207391A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 発電素子、発電デバイス、発電ユニット及び発電素子の設置方法 |
JP2015180829A (ja) | 2014-03-06 | 2015-10-15 | 株式会社リコー | 流体駆動型アクチュエータ、その製造方法、及びその駆動方法、駆動装置、並びに関節構造 |
JP6672817B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-03-25 | 株式会社リコー | 素子 |
JP6801188B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-12-16 | 株式会社リコー | 発電素子及び発電装置 |
EP3410089B1 (en) * | 2016-01-29 | 2020-12-02 | Ricoh Company, Ltd. | Pressure-sensitive sensor, gripping device, and robot |
EP3429075B1 (en) * | 2016-03-07 | 2020-10-28 | Ricoh Company, Ltd. | Element, cell, and power generation device |
WO2017154303A1 (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 株式会社リコー | 非常停止用感圧センサ、安全装置及び安全システム |
US10714676B2 (en) * | 2016-11-18 | 2020-07-14 | Ricoh Company, Ltd. | Sensor and sensor system |
-
2015
- 2015-09-10 JP JP2015178644A patent/JP6870200B2/ja active Active
- 2015-10-27 CN CN201580060729.0A patent/CN107004757B/zh active Active
- 2015-10-27 EP EP15859307.9A patent/EP3218944B1/en active Active
- 2015-10-27 KR KR1020177016061A patent/KR20170083125A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-10-27 US US15/524,021 patent/US10777731B2/en active Active
- 2015-10-27 WO PCT/JP2015/005409 patent/WO2016075882A1/en active Application Filing
-
2020
- 2020-08-24 US US17/001,148 patent/US20200388748A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016103967A (ja) | 2016-06-02 |
EP3218944B1 (en) | 2020-01-01 |
US20200388748A1 (en) | 2020-12-10 |
EP3218944A1 (en) | 2017-09-20 |
EP3218944A4 (en) | 2017-11-29 |
KR20170083125A (ko) | 2017-07-17 |
WO2016075882A1 (en) | 2016-05-19 |
US10777731B2 (en) | 2020-09-15 |
CN107004757A (zh) | 2017-08-01 |
CN107004757B (zh) | 2019-09-10 |
US20170324023A1 (en) | 2017-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6870200B2 (ja) | 素子、及び発電装置 | |
US10714676B2 (en) | Sensor and sensor system | |
JP6540125B2 (ja) | 発電素子及び発電装置 | |
JP6658864B2 (ja) | 素子、セル及び発電装置 | |
KR102176966B1 (ko) | 감압 센서, 파지 장치 및 로봇 | |
JP6544037B2 (ja) | 発電素子ユニット、及び発電装置 | |
JP6801188B2 (ja) | 発電素子及び発電装置 | |
JP6699119B2 (ja) | 素子及び発電装置 | |
JP6645161B2 (ja) | 発電装置 | |
JP6746901B2 (ja) | 発電装置 | |
JP2017126722A (ja) | 素子 | |
JP6808930B2 (ja) | 発電素子及び発電装置 | |
JP2018087801A (ja) | センサ及びセンサシステム | |
US20220310899A1 (en) | Element | |
JP6610276B2 (ja) | 素子及び発電装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210329 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6870200 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |