JP6869649B2 - 半導体装置、通信システムおよび半導体装置の製造方法。 - Google Patents
半導体装置、通信システムおよび半導体装置の製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6869649B2 JP6869649B2 JP2016117405A JP2016117405A JP6869649B2 JP 6869649 B2 JP6869649 B2 JP 6869649B2 JP 2016117405 A JP2016117405 A JP 2016117405A JP 2016117405 A JP2016117405 A JP 2016117405A JP 6869649 B2 JP6869649 B2 JP 6869649B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna element
- semiconductor device
- antenna
- communication
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 161
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/16—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
- H01Q9/26—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole with folded element or elements, the folded parts being spaced apart a small fraction of operating wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/43—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
- H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
- H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
- H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/48—Earthing means; Earth screens; Counterpoises
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/0006—Particular feeding systems
- H01Q21/0025—Modular arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/29—Combinations of different interacting antenna units for giving a desired directional characteristic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Support Of Aerials (AREA)
Description
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置100の構成を示す断面図である。半導体装置100は、WL−CSP(wafer-level chip size package)の形態を有する。半導体装置100は、通信回路21を有する半導体チップ101と、半導体チップ101の第1の面S1を覆う第1の再配線層102に形成され且つ通信回路21に接続された第1のアンテナエレメントA1と、半導体チップ101の第1の面S1とは反対側の第2の面S2を覆う第2の再配線層103に形成され且つ通信回路21に接続された第2のアンテナエレメントA2と、を含む。
図6Aは、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置における第1の再配線層102に形成された第1のアンテナエレメントA1のパターンを模式的に示す斜視図である。図6Bは、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置における第2の再配線層103に形成された第2のアンテナエレメントA2のパターンを模式的に示す斜視図である。
図7Aは、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置における再配線層102に形成された第1のアンテナエレメントA1のパターンを模式的に示す斜視図である。図7Bは、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置における第2の再配線層103に形成された第2のアンテナエレメントA2のパターンを模式的に示す斜視図である。図8は、通信回路21、第1のアンテナエレメントA1および第2のアンテナエレメントA2を含む本発明の第3の実施形態に係る通信ユニット210の構成を示す図である。
図9は、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置100Aの構成を示す断面図である。半導体装置100Aにおいて、第1の再配線層102に形成された第1のアンテナエレメントA1および第2の再配線層103に形成された第2のアンテナエレメントA2の双方が電極パッド25aに接続されている。すなわち、第1のアンテナエレメントA1と第2のアンテナエレメントA2とが相互に接続され、第1のアンテナエレメントA1と第2のアンテナエレメントA2とによって一体的な単一のアンテナエレメントが構成されている。
図13A、図13Bおよび図13Cは、それぞれ、本発明の第5の実施形態に係る通信ユニット210の構成を示す図である。通信ユニット210は、第1のアンテナエレメントA1および第2のアンテナエレメントA2と、通信回路21との間に設けられた整合回路300を更に含み得る。第1のアンテナエレメントA1は第1の再配線層102に形成され、第2のアンテナエレメントA2は第2の再配線層103に形成されている。
図14は、本発明の第6の実施形態に係る半導体装置100Bの構成を示す断面図である。図15は、半導体装置100Bに備えられた2つの通信ユニット210Aおよび210Bの構成を示す図である。
図16は、本発明の第7の実施形態に係る半導体装置100Cの構成を示す断面図である。図17は、半導体装置100Bに備えられた2つの通信ユニット210Aおよび210Bの構成を示す図である。図18Aは、半導体装置100Cにおいて、第1の再配線層102に形成されるアンテナエレメントA1のパターンを模式的に示す斜視図である。図18Bは、半導体装置100Cにおいて、第2の再配線層103に形成された第2のアンテナエレメントA2−1、A2−2およびA2−3のパターンを模式的に示す斜視図である。
21、21A、21B 通信回路
32 貫通電極
100、100A、100B、100C 半導体装置
101 半導体チップ
102 第1の再配線層
103 第2の再配線層
150 通信装置
200 通信システム
210、210A、210B 通信ユニット
300 整合回路
A1 第1のアンテナエレメント
A2 第2のアンテナエレメント
Claims (10)
- 通信回路を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1の面を覆う第1の再配線層に形成され且つ前記通信回路に接続された第1のアンテナエレメントと、
前記半導体基板の前記第1の面とは反対側の第2の面を覆う第2の再配線層に形成され且つ前記通信回路に接続された第2のアンテナエレメントと、
前記半導体基板の前記第2の面に設けられ、前記通信回路に接続された電極パッドと、
を含み、
前記第1のアンテナエレメントは、前記半導体基板を貫通する貫通電極を介して前記電極パッドに接続されている
半導体装置。 - 前記第1のアンテナエレメントおよび前記第2のアンテナエレメントの一方は、接地電位が印加される
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1のアンテナエレメントおよび前記第2のアンテナエレメントのうち接地電位が印加される方は、島状パターンを有する
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のアンテナエレメントおよび前記第2のアンテナエレメントのうち接地電位が印加される方は、格子状パターンを有する
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のアンテナエレメントと前記第2のアンテナエレメントとは、互いに異なるパターンを有する
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1のアンテナエレメントと前記第2のアンテナエレメントとは、互いに異なるアンテナ指向性を有する
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1のアンテナエレメントおよび前記第2のアンテナエレメントの少なくとも一方のインピーダンスと前記通信回路のインピーダンスとを整合させるための整合回路を更に含む
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 複数の通信回路を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1の面を覆う第1の再配線層に形成され且つ前記複数の通信回路に接続された少なくとも1つの第1のアンテナエレメントと、
前記半導体基板の前記第1の面とは反対側の第2の面を覆う第2の再配線層に形成され且つ各々が前記複数の通信回路のいずれかに接続された複数の第2のアンテナエレメントと、
前記半導体基板の前記第2の面に設けられ、前記複数の通信回路のいずれかに接続された電極パッドと、
を含み、
前記第1のアンテナエレメントは、前記半導体基板を貫通する貫通電極を介して前記電極パッドに接続されている
半導体装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置と、
前記通信回路と通信する通信装置と、
を含む通信システム。 - 通信回路を有する半導体基板の第1の面を覆う第1の再配線層に前記通信回路に接続された第1のアンテナエレメントを形成する工程と、
前記半導体基板の前記第1の面とは反対側の第2の面を覆う第2の再配線層に前記通信回路に接続された第2のアンテナエレメントを形成する工程と、
前記半導体基板の前記第2の面に設けられ、前記通信回路に接続された電極パッドを形成する工程と、
前記半導体基板を貫通し、前記第1のアンテナエレメントを前記電極パッドに接続するための貫通電極を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016117405A JP6869649B2 (ja) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 半導体装置、通信システムおよび半導体装置の製造方法。 |
US15/603,468 US10784587B2 (en) | 2016-06-13 | 2017-05-24 | Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device |
CN201710381738.0A CN107492541B (zh) | 2016-06-13 | 2017-05-25 | 半导体装置、通信***及半导体装置的制造方法 |
US17/001,643 US11381005B2 (en) | 2016-06-13 | 2020-08-24 | Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2021068630A JP7053073B2 (ja) | 2016-06-13 | 2021-04-14 | 半導体装置および通信システム |
JP2022048191A JP7322228B2 (ja) | 2016-06-13 | 2022-03-24 | 半導体装置および通信システム |
US17/846,014 US12015204B2 (en) | 2016-06-13 | 2022-06-22 | Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2023121922A JP2023129636A (ja) | 2016-06-13 | 2023-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016117405A JP6869649B2 (ja) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 半導体装置、通信システムおよび半導体装置の製造方法。 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021068630A Division JP7053073B2 (ja) | 2016-06-13 | 2021-04-14 | 半導体装置および通信システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017224900A JP2017224900A (ja) | 2017-12-21 |
JP6869649B2 true JP6869649B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=60573104
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016117405A Active JP6869649B2 (ja) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 半導体装置、通信システムおよび半導体装置の製造方法。 |
JP2021068630A Active JP7053073B2 (ja) | 2016-06-13 | 2021-04-14 | 半導体装置および通信システム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021068630A Active JP7053073B2 (ja) | 2016-06-13 | 2021-04-14 | 半導体装置および通信システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10784587B2 (ja) |
JP (2) | JP6869649B2 (ja) |
CN (1) | CN107492541B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10979828B2 (en) | 2018-06-05 | 2021-04-13 | Starkey Laboratories, Inc. | Ear-worn electronic device incorporating chip antenna loading of antenna structure |
US10931005B2 (en) * | 2018-10-29 | 2021-02-23 | Starkey Laboratories, Inc. | Hearing device incorporating a primary antenna in conjunction with a chip antenna |
JP7289379B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-06-09 | コアエイチダブリュー セミコンダクター オサケ ユキチュア | キャパシタの構造およびチップアンテナ |
CN110943077A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-03-31 | 关键禾芯科技股份有限公司 | 毫米波应用的多颗晶片封装结构 |
CN113871355A (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-31 | 华为技术有限公司 | 一种封装结构、电子设备及封装结构的制备方法 |
JP2023010462A (ja) | 2021-07-09 | 2023-01-20 | 株式会社デンソー | ユーザ装置、基地局及び通信制御方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02214205A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-27 | Fujitsu Ltd | 電子回路装置 |
JP3141692B2 (ja) * | 1994-08-11 | 2001-03-05 | 松下電器産業株式会社 | ミリ波用検波器 |
JPH1188045A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Nippon Antenna Co Ltd | 偏波共用平面型アレーアンテナ |
JP2001196818A (ja) | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アンテナ集積素子 |
JP3875592B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2007-01-31 | 日本電波工業株式会社 | 多素子アレー型の平面アンテナ |
JP2004282250A (ja) | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Sony Chem Corp | アンテナ素子及びその製造方法 |
JP4157829B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2008-10-01 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006013777A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 携帯端末 |
US7079079B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-07-18 | Skycross, Inc. | Low profile compact multi-band meanderline loaded antenna |
JP3964435B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2007-08-22 | 日本無線株式会社 | グリッドパッチアンテナ |
JP4781159B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2011-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20070183184A1 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Ltd. | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US8232919B2 (en) * | 2006-12-29 | 2012-07-31 | Broadcom Corporation | Integrated circuit MEMs antenna structure |
US7750861B2 (en) * | 2007-05-15 | 2010-07-06 | Harris Corporation | Hybrid antenna including spiral antenna and periodic array, and associated methods |
TWI423519B (zh) * | 2007-09-04 | 2014-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Radio frequency identification tag |
JP5592053B2 (ja) | 2007-12-27 | 2014-09-17 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009182786A (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Nippon Tungsten Co Ltd | 積層アンテナ |
US7830312B2 (en) * | 2008-03-11 | 2010-11-09 | Intel Corporation | Wireless antenna array system architecture and methods to achieve 3D beam coverage |
US8232920B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Integrated millimeter wave antenna and transceiver on a substrate |
JP5407307B2 (ja) | 2008-12-03 | 2014-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
US8474726B2 (en) * | 2010-08-12 | 2013-07-02 | Feinics Amatech Teoranta | RFID antenna modules and increasing coupling |
US8451618B2 (en) * | 2010-10-28 | 2013-05-28 | Infineon Technologies Ag | Integrated antennas in wafer level package |
KR101107650B1 (ko) * | 2011-01-31 | 2012-01-20 | 남창기 | 멀티모드 고주파 모듈 |
US8624794B2 (en) * | 2011-07-05 | 2014-01-07 | Broadcom Corporation | Poly spiral antenna |
JP5828249B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-12-02 | 凸版印刷株式会社 | 非接触icラベル |
JP5737426B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-06-17 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置及び無線通信装置 |
CN103650234A (zh) * | 2012-02-15 | 2014-03-19 | 松下电器产业株式会社 | 无线模块 |
DE102012203151A1 (de) * | 2012-02-29 | 2013-08-29 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitermodul mit integrierten antennenstrukturen |
US9196951B2 (en) * | 2012-11-26 | 2015-11-24 | International Business Machines Corporation | Millimeter-wave radio frequency integrated circuit packages with integrated antennas |
JP6040784B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-12-07 | 凸版印刷株式会社 | 非接触icラベルおよび非接触icラベル付き物品 |
CN203521598U (zh) * | 2013-06-27 | 2014-04-02 | 惠州比亚迪实业有限公司 | 一种gps天线及具有该天线的手机 |
US9230926B2 (en) * | 2013-08-31 | 2016-01-05 | Infineon Technologies Ag | Functionalised redistribution layer |
US9252077B2 (en) * | 2013-09-25 | 2016-02-02 | Intel Corporation | Package vias for radio frequency antenna connections |
US9537205B2 (en) * | 2013-11-08 | 2017-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 3D antenna for integrated circuits |
US9129981B2 (en) * | 2013-11-26 | 2015-09-08 | Freescale Semiconductor Inc. | Methods for the production of microelectronic packages having radiofrequency stand-off layers |
US9608334B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-03-28 | Nxp B.V. | Radar antenna system |
JP6299878B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2018-03-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波通信モジュール及び高周波通信装置 |
CN110350296B (zh) * | 2014-11-27 | 2021-01-05 | 株式会社村田制作所 | Rfic模块以及具备该rfic模块的rfid标签 |
JP6429680B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2018-11-28 | パナソニック株式会社 | アンテナ一体型モジュール及びレーダ装置 |
KR102406686B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 안테나 장치 및 그를 구비하는 전자 장치 |
-
2016
- 2016-06-13 JP JP2016117405A patent/JP6869649B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-24 US US15/603,468 patent/US10784587B2/en active Active
- 2017-05-25 CN CN201710381738.0A patent/CN107492541B/zh active Active
-
2020
- 2020-08-24 US US17/001,643 patent/US11381005B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-14 JP JP2021068630A patent/JP7053073B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-22 US US17/846,014 patent/US12015204B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220320749A1 (en) | 2022-10-06 |
US20200388932A1 (en) | 2020-12-10 |
CN107492541B (zh) | 2021-11-30 |
JP7053073B2 (ja) | 2022-04-12 |
US20170358867A1 (en) | 2017-12-14 |
CN107492541A (zh) | 2017-12-19 |
US10784587B2 (en) | 2020-09-22 |
US12015204B2 (en) | 2024-06-18 |
JP2021114620A (ja) | 2021-08-05 |
US11381005B2 (en) | 2022-07-05 |
JP2017224900A (ja) | 2017-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7053073B2 (ja) | 半導体装置および通信システム | |
US11295979B2 (en) | Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof | |
US10971462B2 (en) | Package structure and manufacturing method thereof | |
US11424197B2 (en) | Package, package structure with redistributing circuits and antenna elements and method of manufacturing the same | |
US11004810B2 (en) | Semiconductor package structure | |
US11641064B2 (en) | 3D IC antenna array with laminated high-k dielectric | |
US8866258B2 (en) | Interposer structure with passive component and method for fabricating same | |
US11342269B2 (en) | Package structure with reinforcement structures in a redistribution circuit structure and manufacturing method thereof | |
CN110323540A (zh) | 天线结构以及封装天线 | |
US20160056105A1 (en) | Semiconductor package | |
JP7322228B2 (ja) | 半導体装置および通信システム | |
KR102208966B1 (ko) | 근거리 통신용 칩 안테나 및 그 제조방법 | |
US11011846B2 (en) | Antenna and semiconductor device with improved tradeoff relationship between antenna gain and antenna size | |
JP4124168B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW202023115A (zh) | 天線結構 | |
JP2007115181A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200623 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6869649 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |