JP6863012B2 - 温度検出装置 - Google Patents
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Description
第1実施形態について説明する。本実施形態で説明する温度検出装置は、例えば、半導体スイッチング素子などの発熱が伴う半導体素子の温度検出を行うものとして用いられる。ここでは、半導体スイッチング素子の温度検出装置として説明するが、他の半導体素子の温度検出を行うものとして適用されても良い。
この温度係数[mV/℃]は、段数に対して比例関係となる。このため、図4に示す関係となる。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第2ダイオード部5の構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態に対して第1ダイオード部4および第2ダイオード部5を構成するPNダイオードのレイアウトを変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第1実施形態について第1ダイオード部4および第2ダイオード部5を構成するPNダイオードの構造を変更する例を示すが、第2実施形態についても同様の構造を適用できる。
第4実施形態について説明する。本実施形態も、第1、第2実施形態に対して第1ダイオード部4および第2ダイオード部5を構成するPNダイオードのレイアウトを変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第1実施形態について第1ダイオード部4および第2ダイオード部5を構成するPNダイオードの構造を変更する例を示すが、第2実施形態についても同様の構造を適用できる。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
3 温度検出装置
4 第1ダイオード部
5 第2ダイオード部
6 P型領域
7 N型領域
8 第1配線電極
9 第2配線電極
10 第3配線電極
11 層間絶縁膜
12 保護膜
Claims (6)
- P型領域(6)とN型領域(7)とによるPN接合により構成されるPNダイオードを有し、該PNダイオードの特性に基づいて温度検出を行う温度検出装置において、
前記PNダイオードを異なる段数で備える第1ダイオード部(4)および第2ダイオード部(5)を少なくとも有し、前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とが並列接続されている温度検出装置。 - 前記P型領域と前記N型領域とが共に短冊状とされており、
前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とを構成する前記PNダイオードは、前記P型領域と前記N型領域との配列方向に沿って繰り返し配置されることで、複数段が直列接続されている請求項1に記載の温度検出装置。 - 前記P型領域と前記N型領域とが共に短冊状とされており、
前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とを構成する前記PNダイオードは、前記P型領域と前記N型領域との配列方向に対して交差する方向に複数個が並べて配置されることで、複数段が直列接続されている請求項1に記載の温度検出装置。 - 前記PNダイオードそれぞれにおいて前記P型領域と前記N型領域とが円状に配置されており、
前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とを構成する前記PNダイオードは、複数個ずつ直線状に並べて配置されることで、複数段が直列接続されている請求項1に記載の温度検出装置。 - 前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とを構成する前記PNダイオードは、前記P型領域と前記N型領域とのPN接合幅が前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とで異なっている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の温度検出装置。
- 前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部とは異なる段数の前記PNダイオードを備える少なくとも1つのダイオード部を更に有し、前記第1ダイオード部と前記第2ダイオード部および前記少なくとも1つのダイオード部が並列接続されている請求項1ないし5のいずれか1つに記載の温度検出装置。
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