JP6856659B2 - 基板を接合する装置および方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 325
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000005304 joining Methods 0.000 title claims description 53
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 48
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 20
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 4
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Description
本発明による基板ホルダは、固定手段、特に複数の固定エレメントを有している。固定エレメントは区域ごとにグループ化されてよい。区域ごとの固定エレメントのグループ化により、形状的、光学的、好適には機能的な課題も満たされる。機能的な課題とは例えば、1つの区域の全ての固定エレメントを同時に切り換えることができることを意味する。1つの区域の全ての固定エレメントを個々に切り換えることができることも考えられる。したがって、複数の固定エレメントを同時に、基板の固定もしくは解放を行うために、区域の内側で駆動制御することができ、または個別に駆動制御することもできるが、区域内で、極めて固有の基板の変形特性が生じる。区域は特に次のようなジオメトリであってよい。
・片面、
・円のセグメント、
・特に三角形、四角形、または六角形としての、タイル張りのような区域
特に、区域間に、固定エレメントを有さない面が存在していてもよい。このような区域間の間隔は特に、50mm未満、好適には25mm未満、さらに好適には20mm未満、さらに好適には10mm未満、最も好適には5mm未満である。区域が円セグメントとして形成されている場合、このような間隔は、外側の円セグメントの内側の円環と、内側の円セグメントの外側の円環との間の距離である。
・ピラミッド、特に三角錐または四角錐
・円筒、特に平坦なまたは丸み付けされた頭部を備えた円筒
・直方体
・円錐
・球シェル。
・温度センサおよび/または
・圧力センサおよび/または
・距離センサ、である。
・金属、特に
・純金属、特に
・アルミニウム
・合金、特に
・鋼、特に
・低合金鋼、
・セラミック、特に
・ガラスセラミック、特に
・ゼロデュア、
・窒化物セラミック、特に
・窒化ケイ素、
・炭化物セラミック、特に
・炭化ケイ素、
・ポリマ、特に
・高温ポリマ、特に
・テフロン、
・ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)。
本発明による装置は、本発明による2つの保持装置および/または基板ホルダから成る。好適には、少なくとも上側の基板ホルダは測定穴を有している。測定穴は特に閉鎖可能、かつ/またはガス密に形成されている。
本発明による第1のプロセスの本発明による第1のプロセスステップでは、第1の基板を第1の基板ホルダに、第2の基板を第2の基板ホルダにロードし、特に周囲の区分で固定する。
・変形手段の停止中に、基板の突然の完全な解放、
・変形手段が自然に出発状態に置かれ、ひいてはすぐに基板への作用をやめるときの、基板の突然の完全な解放、
・変形手段が段階的に、しかしながら継続的に基板への作用をやめるときの、基板の突然の完全な解放、
・変形手段が基板に作用している間に行われる、固定の段階的なスイッチオフによる、段階的に、特に区域ごとに、好適には内側から外側に向かって行われる基板の解放、
・上記方法の組み合わせ。
1IV,1V,1VI 保持装置/基板ホルダ
1o 第1の保持装置/上側の基板ホルダ
1u 第2の保持装置/下側の基板ホルダ
1s,1s’,1s’’,1s’’’ 保持面
2,2’,2’’,2’’’ 固定エレメント
2o’’’ 固定エレメント表面
3,3’ センサ
4o 第1の/上側の基板
4u 第2の/下側の基板
4a 基板保持面
5,5’ 湾曲エレメント
6 管路
7,7’,7’’,7’’’,7’’’’ ***部/突起
7o 突起表面
8 ウェブ
9 空間領域
10 縁部エレメント
11 突起平面
12 測定穴
13 接合機
14u,14o 実際湾曲
15u,15o 目標湾曲
16u,16o 圧力経過
L,L’ 線
x 位置
d 距離
p 圧力
R1,R2 曲率半径
Claims (11)
- 第1の基板(4o)を第2の基板(4u)に、前記基板(4o,4u)の互いに向かい合う接触面(4k)で接合する方法であって、以下のステップ、すなわち、
前記第1の基板(4o)を第1の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)の、第1の保持平面を有する第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)で保持し、前記第2の基板(4u)を第2の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)の、第2の保持平面を有する第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)で保持するステップ、
前記接触面(4k)同士の接触前に前記接触面(4k)を湾曲させるステップ、を有している方法において、
前記第1の基板(4o)の前記接触面(4k)の湾曲変更および/または前記第2の基板(4u)の前記接触面(4k)の湾曲変更を、接合中に制御し、
前記湾曲および/または湾曲変更のうちの少なくとも一方を、前記第1および/または前記第2の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1 IV ,1 V ,1 VI )と前記第1および/または前記第2の基板(4o,4u)との間の複数の箇所での流体による流体加圧により調節するかつ/または制御し、前記湾曲によって、前記第1の基板(4o)および前記第2の基板(4u)がそれぞれ前記第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の前記第1の保持平面および前記第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の前記第2の保持平面から部分的に持ち上げられることを特徴とする、第1の基板(4o)を第2の基板(4u)に接合する方法。 - 前記湾曲および/または湾曲変更を、前記接触面(4k)同士の接触前に前記接触面(4k)に関して鏡像対称的にかつ/または同心的に調節するかつ/または制御する、請求項1記載の方法。
- 前記第1の基板(4o)および/または前記第2の基板(4u)を、円環状に、前記保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の全周に配置され、しかも前記基板(4o,4u)の側縁(4os,4us)の範囲内に配置された固定手段により固定する、請求項1記載の方法。
- 前記固定手段は、均一に前記保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)に分配されて、同心的に配置された、複数の区域に分割された個別に制御可能な固定エレメント(2)を有している、請求項3記載の方法。
- 前記第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)および/または前記第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)を、前記第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の第1の保持平面および前記第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の第2の保持平面を形成する***部(7,7’,7’’,7’’’,7’’’’)から形成する、請求項1記載の方法。
- 前記湾曲および/または湾曲変更を、前記第1のかつ/または第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)に沿って配置された湾曲測定手段としての距離センサ(3)によって検出する、請求項1記載の方法。
- 第1の基板(4o)を第2の基板(4u)に、前記基板(4o,4u)の互いに向かい合う接触面(4k)で接合する装置であって、
第1の基板(4o)を、第1の保持平面を有する第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)で保持する第1の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)および第2の基板(4u)を、第2の保持平面を有する第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)で保持する第2の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)と、
前記接触面(4k)同士の接触前に前記接触面(4k)を湾曲させる湾曲手段と、を有している装置において、
前記第1の基板(4o)の湾曲変更のための湾曲変更手段、および/または前記第2の基板(4u)の湾曲変更のための湾曲変更手段が、接合中に制御可能であり、
前記第1の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)および/または前記第2の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)は、前記湾曲および/または湾曲変更を調節するかつ/または制御するために、前記第1および/または前記第2の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1 IV ,1 V ,1 VI )と前記第1および/または前記第2の基板(4o,4u)との間の複数の箇所に、流体加圧手段を有しており、前記湾曲によって、前記第1の基板(4o)および前記第2の基板(4u)がそれぞれ前記第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の前記第1の保持平面および前記第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の前記第2の保持平面から部分的に持ち上げられることを特徴とする、第1の基板(4o)を第2の基板(4u)に接合する装置。 - 前記第1の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)および/または前記第2の保持装置(1,1’,1’’,1’’’,1IV,1V,1VI)は、円環状に、前記保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の全周に配置され、しかも前記基板(4o,4u)の側縁(4os,4us)の範囲内に配置された固定手段を有している、請求項7記載の装置。
- 前記固定手段は、均一に前記保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)に分配されて、同心的に配置された、複数の区域に分割された個別に制御可能な固定エレメント(2)を有している、請求項8記載の装置。
- 前記第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)および/または前記第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)は、前記第1の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の第1の保持平面、および前記第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)の第2の保持平面を形成する***部(7,7’,7’’,7’’’,7’’’’)によって形成されている、請求項7記載の装置。
- 前記湾曲および/または湾曲変更は、前記第1のかつ/または第2の保持面(1s,1s’,1s’’,1s’’’)に沿って配置された湾曲測定手段としての距離センサによって検出可能である、請求項7記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2016/056249 WO2017162272A1 (de) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019078677A Division JP6818076B2 (ja) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 基板を接合する装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019514197A JP2019514197A (ja) | 2019-05-30 |
JP6856659B2 true JP6856659B2 (ja) | 2021-04-07 |
Family
ID=55589859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018546605A Active JP6856659B2 (ja) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 基板を接合する装置および方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US20190019678A1 (ja) |
EP (2) | EP3433875B1 (ja) |
JP (1) | JP6856659B2 (ja) |
KR (4) | KR102609698B1 (ja) |
CN (5) | CN118099068A (ja) |
SG (1) | SG11201806511XA (ja) |
TW (5) | TWI714059B (ja) |
WO (1) | WO2017162272A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190019678A1 (en) * | 2016-03-22 | 2019-01-17 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding of substrates |
JP6727069B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2020-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合システム |
US10991609B2 (en) | 2016-08-12 | 2021-04-27 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and substrate holder for the controlled bonding of substrates |
CN109791898B (zh) | 2016-09-29 | 2023-02-03 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于结合两个基板的装置和方法 |
EP3590130A1 (de) | 2017-03-02 | 2020-01-08 | EV Group E. Thallner GmbH | Verfahren und vorrichtung zum bonden von chips |
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2016
- 2016-03-22 US US16/080,156 patent/US20190019678A1/en active Pending
- 2016-03-22 EP EP16711614.4A patent/EP3433875B1/de active Active
- 2016-03-22 CN CN202410270903.5A patent/CN118099068A/zh active Pending
- 2016-03-22 KR KR1020227004322A patent/KR102609698B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-22 WO PCT/EP2016/056249 patent/WO2017162272A1/de active Application Filing
- 2016-03-22 EP EP22163709.3A patent/EP4036956A1/de active Pending
- 2016-03-22 CN CN202410270900.1A patent/CN118098938A/zh active Pending
- 2016-03-22 CN CN201680083320.5A patent/CN108701592B/zh active Active
- 2016-03-22 CN CN202410270907.3A patent/CN118099069A/zh active Pending
- 2016-03-22 CN CN202410270904.XA patent/CN118098939A/zh active Pending
- 2016-03-22 SG SG11201806511XA patent/SG11201806511XA/en unknown
- 2016-03-22 JP JP2018546605A patent/JP6856659B2/ja active Active
- 2016-03-22 KR KR1020187024947A patent/KR102378167B1/ko active IP Right Review Request
- 2016-03-22 KR KR1020237041133A patent/KR20230167447A/ko active Application Filing
- 2016-03-22 KR KR1020237012034A patent/KR20230052997A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-03-22 TW TW108113656A patent/TWI714059B/zh active
- 2017-03-22 TW TW106109484A patent/TWI672733B/zh active
- 2017-03-22 TW TW108113659A patent/TWI714062B/zh active
- 2017-03-22 TW TW108113658A patent/TWI714061B/zh active
- 2017-03-22 TW TW108113657A patent/TWI714060B/zh active
-
2019
- 2019-04-17 US US16/386,580 patent/US11282706B2/en active Active
-
2021
- 2021-12-14 US US17/550,008 patent/US11955339B2/en active Active
-
2024
- 2024-03-06 US US18/597,134 patent/US20240213025A1/en active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |