JP6854905B2 - 弾性波デバイスおよび通信装置 - Google Patents
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Description
(SAWデバイスの全体構成)
図1(a)は、第1実施形態に係るSAWデバイス1の外観を示す天面1a側から見た斜視図である。図1(b)は、SAWデバイス1の外観を示す底面1b側から見た斜視図である。
実装基板5は、例えば、SAWチップ7をパッケージングするパッケージ(符号省略)を樹脂部11とともに構成している。実装基板5の一方の主面は、電子素子(本実施形態ではSAWチップ7およびダミーチップ9)が実装される実装面5aとなっている。また、実装基板5は、他方の主面に上述の外部端子3を有している。
SAWチップ7は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、SAWチップ7は、例えば、D3軸負側の主面7aに露出する複数のチップ端子19を有している。SAWチップ7は、例えば、実装基板5の実装面5aに対して主面7aを対向させて配置され、実装パッド15とチップ端子19とがバンプ16によって接合されることにより実装面5aに実装される。
チップ基板21は、例えば、概略、薄型の直方体状である。本実施形態では、SAWチップ7の外形は、チップ基板21の外形と略同一である。チップ基板21は、例えば、いわゆる貼り合わせ基板によって構成されている。すなわち、チップ基板21は、圧電基板23と、圧電基板23の一主面に貼り合わされた支持基板25とを有している。なお、圧電基板23の支持基板25とは反対側の主面23aは、本実施形態では、SAWチップ7の主面7aを構成している。
ダミーチップ9は、例えば、概略、薄型の直方体状に形成されている。また、ダミーチップ9は、例えば、D3軸負側の主面に露出する複数のダミー端子27を有している。ダミーチップ9は、例えば、実装基板5の実装面5aに対して複数のダミー端子27が露出している主面を対向させて配置され、実装パッド15とダミー端子27とがバンプ16によって接合されることにより実装面5aに実装される。
樹脂部11は、例えば、SAWチップ7およびダミーチップ9の上から実装基板5の実装面5aを覆っている。より具体的には、樹脂部11は、例えば、概略、SAWチップ7の表面、ダミーチップ9の表面および実装面5aの全体に当接している。当接している部分は、基本的には密着(接着)している。
バンプ16は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、鉛を用いたはんだであってもよいし、鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ16は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。SAWチップ7の実装のためのバンプ16およびダミーチップ9の実装のためのバンプ16は、例えば、同一材料からなる。バンプ16の高さ等は適宜に設定されてよい。SAWチップ7の実装のためのバンプ16の高さと、ダミーチップ9の実装のためのバンプ16の高さとは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。図示の例では、バンプ16の高さは同等とされている。
図3は、SAWチップ7およびダミーチップ9をD3軸負側から見た模式的な平面図である。同図において、ハッチングが付された領域、および黒塗りの線(チップの外縁を除く)は、各チップ(7、9)のD3軸負側の表面に位置している層状導体を示している。
上述のように、ダミーチップ9は、複数(図示の例では4つ)のダミー端子27を有している。本実施形態では、ダミーチップ9は、ダミー端子27以外の導体を有していない。従って、ダミーチップ9は、能動素子および受動素子のいずれの電子素子も構成していない。別の観点では、ダミーチップ9は、ダミー端子27が実装基板5の実装パッド15にバンプ16を介して電気的に接続されているものの、実装基板5から電気的に見て、開放端を構成している。
複数のダミー端子27(27A、27B、27Cおよび27D)は、例えば、その少なくとも1つがチップ端子19のいずれかと実装基板5(その導体)を介して導通されている(電気的に接続されている。)。図示の例では、ダミー端子27Aと入力端子19Iとが配線17Cを介して互いに導通されている。一般に、導体は、絶縁体に比較して熱伝導率が高い。従って、別の観点では、実装基板5によって、ダミー端子27とチップ端子19との間に熱的な経路が形成されている。
SAWデバイス1の製造方法は、特に図示しないが、例えば、以下のとおりである。まず、実装基板5が多数個取りされるウェハ、複数のSAWチップ7および複数のダミーチップ9を作製する。次に、実装基板5のウェハに複数のバンプ16となるペーストを配置するとともに、その上に複数のSAWチップ7および複数のダミーチップ9を配置し、リフローによる接合を行う。その後、実装基板5のウェハ上に未硬化状態の樹脂を配置して当該樹脂を加熱硬化させることにより、樹脂部11となる樹脂層を形成する。その後、実装基板5をダイシングして個片化されたSAWデバイス1を得る。この際、樹脂層もダイシングされて樹脂部11となる。ただし、樹脂層のダイシングと、実装基板5のウェハのダイシングとは、別個のブレードによって順次行われてもよい。
図4は、第2実施形態に係るSAWデバイス201の要部構成を示す模式的な平面図であり、第1実施形態の図3に相当する。
図5は、第3実施形態に係るSAWデバイス301の要部構成を示す模式的な断面図であり、第1実施形態の図2に相当する。図6は、SAWデバイス301の要部構成を示す模式的な平面図であり、第1実施形態の図3に相当する。
SAWチップ309は、基本的には、第1実施形態のSAWチップ7と同様のものであり、SAWチップ7についての説明は、SAWチップ309の説明とされてよい。もちろん、具体的な部分は、SAWチップ7と相違してもよい。以下では、図示の例における、SAWチップ309のSAWチップ7との相違点を中心に説明する。
SAWチップ309は、例えば、SAWチップ7と同様に、IDT電極37が形成された主面329aを実装基板305の実装面305aに向けて、バンプ16によって実装面305aに実装される。また、SAWチップ7と同様に、主面329aと実装面305aとの間は、樹脂部11の樹脂が充填されない振動空間367とされる。
第1実施形態におけるダミーチップ9のSAWチップ7に対する相対的な位置、距離および厚さ等の説明は、SAWチップ309の説明とみなしてよい。例えば、SAWチップ309は、SAWチップ7よりも厚くされてよい。
(第1変形例)
図7(a)は、第1変形例に係るSAWデバイス401の要部構成を示す模式的な断面図である。
図7(b)は、第2変形例に係るSAWデバイス411の要部構成を示す模式的な断面図である。
図8(a)〜図8(c)は、ダミー端子27および/またはベタパターン251のチップ端子19に対する接続の変形例(第3〜第5変形例)を示す模式図である。
図9は、SAWデバイス1の利用例としての通信装置151の要部を示すブロック図である。
Claims (13)
- 実装面を有している実装基板と、
前記実装面に実装されている弾性波チップと、
前記実装面に実装されているダミーチップと、
前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有しており、
前記ダミーチップは、
絶縁性のダミー基板と、
前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている1以上のダミー端子と、を有しており、
前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成しており、
前記ダミーチップは、前記ダミー基板の表面上に位置しており、前記1以上のダミー端子の少なくとも1つに接続されているベタパターンを有している
弾性波デバイス。 - 実装面を有している実装基板と、
前記実装面に実装されている弾性波チップと、
前記実装面に実装されているダミーチップと、
前記弾性波チップおよび前記ダミーチップを覆っている樹脂部と、を有しており、
前記ダミーチップは、
絶縁性のダミー基板と、
前記ダミー基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている1以上のダミー端子と、を有しており、
前記ダミーチップは、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成しており、
前記弾性波チップは、
信号が入力される入力端子と、
信号を出力する出力端子と、
基準電位が付与される基準電位端子と、を有しており、
前記入力端子は、前記1以上のダミー端子のうちの少なくとも1つと前記実装基板を介して導通されている
弾性波デバイス。 - 前記ダミーチップは、導体として前記1以上のダミー端子のみを有している
請求項2に記載の弾性波デバイス。 - 前記ダミーチップは、前記ダミー基板の表面上に位置しており、前記1以上のダミー端子の少なくとも1つに接続されているベタパターンを有している
請求項2に記載の弾性波デバイス。 - 前記弾性波チップと前記1以上のダミー端子のうちの少なくとも1つとが前記実装基板を介して導通されている
請求項1に記載の弾性波デバイス。 - 前記ダミー基板の材料は、前記樹脂部の材料よりも熱膨張係数が低い
請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。 - 前記ダミーチップが前記弾性波チップよりも厚い
請求項5に記載の弾性波デバイス。 - 前記弾性波チップは、所定の伝搬方向に弾性波が伝搬する圧電基板を含み、
前記ダミーチップは、前記伝搬方向に見て前記弾性波チップに重なっている
請求項6または7に記載の弾性波デバイス。 - 前記弾性波チップは、
圧電基板と、
前記圧電基板に貼り合わされた、前記圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記圧電基板よりも厚い支持基板と、
前記圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置しているIDT電極と、を有している
請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。 - 実装面を有している実装基板と、
前記実装面に実装されている第1チップと、
前記実装面に実装されている第2チップと、
前記第1チップおよび前記第2チップを覆っている樹脂部と、を有しており、
前記第1チップは、
第1圧電基板と、
前記第1圧電基板に貼り合わされた、前記第1圧電基板よりも熱膨張係数が低く、前記第1圧電基板よりも厚い支持基板と、
前記第1圧電基板の前記支持基板とは反対側の表面上に位置している第1IDT電極と、を有しており、
前記第1IDT電極側を前記実装面に向けて前記実装面に実装されており、
前記第2チップは、前記第1圧電基板および前記支持基板の合計の厚さよりも厚い第2圧電基板を有しており、
前記樹脂部の前記実装面とは反対側の天面は、前記第1チップ上および前記第2チップ上に亘って平坦である
弾性波デバイス。 - 前記第2チップは、前記第2圧電基板の前記実装面側の表面上に位置しており、前記実装面に接合されている1以上のダミー端子を有しており、前記実装基板側から電気的に見て開放端を構成している
請求項10に記載の弾性波デバイス。 - 前記第2チップは、前記第2圧電基板の前記実装面側の表面上に位置している第2IDT電極を有している
請求項10に記載の弾性波デバイス。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスと接続されているアンテナと、
前記弾性波デバイスと接続されているICと、
を有している通信装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017176901 | 2017-09-14 | ||
JP2017176901 | 2017-09-14 | ||
PCT/JP2018/033613 WO2019054364A1 (ja) | 2017-09-14 | 2018-09-11 | 弾性波デバイスおよび通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019054364A1 JPWO2019054364A1 (ja) | 2020-10-22 |
JP6854905B2 true JP6854905B2 (ja) | 2021-04-07 |
Family
ID=65722682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542063A Active JP6854905B2 (ja) | 2017-09-14 | 2018-09-11 | 弾性波デバイスおよび通信装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11558029B2 (ja) |
JP (1) | JP6854905B2 (ja) |
CN (1) | CN111066246B (ja) |
WO (1) | WO2019054364A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109901769B (zh) * | 2017-12-07 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 特征识别结构、制作方法、驱动方法及相关装置 |
US11296053B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics |
JP7229135B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-02-27 | 京セラ株式会社 | 電子デバイス |
JP7252871B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-04-05 | 京セラ株式会社 | 基体構造体及び基体構造体を用いた電子デバイス |
WO2021060444A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 京セラ株式会社 | 弾性波フィルタ及び通信装置 |
US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
WO2022209525A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023153272A1 (ja) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
JP2888040B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3478264B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2003-12-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
KR100431180B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
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JP4629013B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-02-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 高周波回路基板 |
JP2012151698A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP2013110299A (ja) | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 複合モジュール |
WO2013141184A1 (ja) | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ素子及びその製造方法 |
JP5861771B2 (ja) | 2012-03-26 | 2016-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP5989524B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-09-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、分波器および通信モジュール |
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JP6330788B2 (ja) | 2015-11-18 | 2018-05-30 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイス |
-
2018
- 2018-09-11 CN CN201880058013.0A patent/CN111066246B/zh active Active
- 2018-09-11 US US16/646,913 patent/US11558029B2/en active Active
- 2018-09-11 JP JP2019542063A patent/JP6854905B2/ja active Active
- 2018-09-11 WO PCT/JP2018/033613 patent/WO2019054364A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111066246B (zh) | 2023-08-22 |
US11558029B2 (en) | 2023-01-17 |
US20200304098A1 (en) | 2020-09-24 |
WO2019054364A1 (ja) | 2019-03-21 |
JPWO2019054364A1 (ja) | 2020-10-22 |
CN111066246A (zh) | 2020-04-24 |
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