JP6842952B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
そこで、この発明の目的は、基板の回転に伴う配置位置周端の高さ位置変化によらずに、基板の外周部における処理幅の均一性を高く保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
この構成によれば、各周端高さ位置計測工程の結果に基づいて、着液位置往復移動工程を実行することが可能になる。
請求項3に記載の発明は、前記ノズル駆動ユニットは、前記処理液ノズルを駆動するためのノズル駆動信号が入力されることにより前記処理液ノズルを駆動するユニットを含み、前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程において、前記制御装置は、前記各周端高さ位置計測工程における計測結果および前記外周部処理工程における前記基板の回転速度に基づいて、前記配置位置周端の高さ位置変化と同じ振幅および同じ周期で前記着液位置が移動するように前記処理液ノズルを駆動させるためのノズル駆動信号を作成するノズル駆動信号作成工程と、作成された前記ノズル駆動信号を、当該ノズル駆動信号の出力に対する前記処理液ノズルの駆動遅れに伴う、前記配置位置周端の高さ位置変化に対する前記着液位置の位相差を排除した排除タイミングで前記ノズル駆動ユニットに出力する駆動信号出力工程とを実行する、請求項2に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の外周部における処理液の着液位置が配置位置周端の高さ位置変化に追従する最適な追従タイミングから、位相差に相当する時間だけずらすことにより、排除タイミングを求めることができる。この場合、排除タイミングを簡単かつ正確に取得することができる。
この構成によれば、着液位置往復移動工程において、配置位置周端の高さ位置変化に追従して、処理液ノズルが鉛直方向に移動させられる。これにより、基板の外周部において、処理液の着液位置と配置位置周端との間隔を一定に保つことができる。
請求項7に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記処理液ノズルの移動量を検出するためのノズル移動量検出ユニットをさらに含み、前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程に先立って、前記ノズル移動ユニットに対して前記ノズル駆動信号を出力して前記処理液ノズルを移動させ、そのときの前記処理液ノズルの移動量を前記ノズル移動量検出ユニットによって検出することにより、前記位相差を計測する位相差計測工程をさらに実行し、前記制御装置は、前記タイミング取得工程において、前記位相差計測工程によって計測された位相差に基づいて前記排除タイミングを取得する工程を実行する、請求項5または6に記載の基板処理装置である。
請求項8に記載の発明は、前記ノズル移動ユニットは、電動モータを含み、前記移動量検出ユニットは、前記電動モータに設けられたエンコーダを含む、請求項7に記載の基板処理装置である。
請求項9に記載の発明は、前記各周端高さ位置計測ユニットは、前記基板の周端高さ位置のうち周方向の所定の周端高さ位置を検出するための位置センサ、および前記基板の少なくとも外周部を撮像するCCDカメラの少なくとも一つを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項10に記載の発明は、前記各周端高さ位置計測ユニットは、前記基板の周端高さ位置のうち周方向の所定の周端高さ位置を検出するための位置センサを含み、前記制御装置は、前記各周端高さ位置計測工程において、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を前記回転軸線まわりに回動させながら、前記所定の周端高さ位置を、前記位置センサを用いて計測する工程を実行する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項11に記載の発明は、前記処理液ノズルは、基板の外側かつ斜め下向きに処理液を吐出する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
しかしながら、基板の回転に伴う配置位置周端の高さ位置変化に応じて、処理液の着液位置を、配置位置周端との間隔を一定に保つように追従させるので、基板の回転に伴う配置位置周端の高さ位置変化によらずに、処理液の着液位置と配置位置周端との間の距離を一定に保つことができ、これにより、基板の外周部における処理幅の均一性を高く保つことができる。
請求項13に記載の発明は、前記着液位置往復移動工程は、前記配置位置周端の高さ位置変化に追従して、前記処理液ノズルを、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に直交する方向に移動させる工程を含む、請求項12に記載の基板処理方法である。
請求項14に記載の発明は、前記着液位置往復移動工程は、前記配置位置周端の高さ位置変化に追従して、前記処理液ノズルからの処理液の着液位置と前記配置位置周端との間隔を一定に保つように前記処理液ノズルを前記基板の回転半径方向に移動させる工程を含む、請求項12に記載の基板処理方法である。
請求項15に記載の発明は、前記着液位置往復移動工程は、前記各周端高さ位置計測工程の後に実行される、請求項12〜14のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、請求項2に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
請求項16に記載の発明は、前記ノズル駆動ユニットは、前記処理液ノズルを駆動するためのノズル駆動信号が入力されることにより前記処理液ノズルを駆動するユニットを含み、前記着液位置往復移動工程は、前記各周端高さ位置計測工程における計測結果および前記外周部処理工程における前記基板の回転速度に基づいて、前記配置位置周端の高さ位置変化と同じ振幅および同じ周期で前記着液位置が移動するように前記処理液ノズルを駆動させるためのノズル駆動信号を作成するノズル駆動信号作成工程と、作成された前記ノズル駆動信号を、当該ノズル駆動信号の出力に対する前記処理液ノズルの駆動遅れに伴う、前記配置位置周端の高さ位置変化に対する前記着液位置の位相差を排除した排除タイミングで前記ノズル駆動ユニットに出力する駆動信号出力工程とを含む、請求項12〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
請求項17に記載の発明は、前記駆動信号出力工程は、前記配置位置周端の高さ位置変化に前記着液位置が追従する最適な追従タイミングから、前記位相差に相当する時間だけずらすことにより前記排除タイミングを取得するタイミング取得工程を含む、請求項12〜16のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
請求項18に記載の発明は、前記着液位置往復移動工程に先立って、前記ノズル駆動ユニットに対して前記ノズル駆動信号を出力して前記着液位置を移動させることにより、前記位相差を計測する位相差計測工程をさらに含み、前記タイミング取得工程は、前記位相差に基づいて前記排除タイミングを取得する工程を含む、請求項17に記載の基板処理方法である。
請求項19に記載の発明は、前記各周端高さ位置計測工程は、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を前記回転軸線まわりに回動させながら前記所定の周端高さ位置を、位置センサを用いて計測する工程を含む、請求項12〜18のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液を用いて基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤC1が載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤC1と搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、基板Wの外周部41(図3等参照)を、より具体的には基板Wの上面(主面)の外周領域42(図3等参照)および基板Wの周端面44(図3等参照)を、処理液を用いて処理する(トップサイド処理)ユニットである。この実施形態では、基板Wの外周部41とは、基板Wの上面の外周領域42、基板Wの下面(主面)の外周領域43(図3等参照)、および基板Wの周端面44を含む部分をいう。また、外周領域42,43とは、たとえば、基板Wの周端縁からコンマ数ミリ〜数ミリメートル程度の幅を有する環状の領域をいう。
FFU14は隔壁13の上方に配置されており、隔壁13の天井に取り付けられている。FFU14は、隔壁13の天井から処理チャンバ4内に清浄空気を送る。排気装置は、処理カップ12内に接続された排気ダクト15を介して処理カップ12の底部に接続されており、処理カップ12の底部から処理カップ12の内部を吸引する。FFU14および排気装置により、処理チャンバ4内にダウンフロー(下降流)が形成される。
アーム支持軸21には、アーム揺動モータ22が結合されている。アーム揺動モータ22は、たとえばサーボモータである。アーム揺動モータ22により、ノズルアーム20をスピンチャック5の側方に設定された鉛直な揺動軸線A2(すなわち、アーム支持軸21の中心軸線)を中心として水平面内で揺動させることができ、これにより、揺動軸線A2まわりに処理液ノズル19を回動させることができるようになっている。
処理液ノズル19は、基板Wの上面の外周領域42に対向する処理位置に配置される。この状態で、薬液バルブ25(図2参照)およびリンス液バルブ26B(図2参照)が選択的に開かれると、処理液ノズル19は、基板Wの上面の外周領域42の着液位置(以下、単に「着液位置45」という)に対し、径方向RDの内側から外側斜め下向きに処理液(薬液またはリンス液)を吐出する。径方向RDの内側から着液位置45に向けて処理液が吐出されるので、デバイス形成領域である、基板Wの上面中央部への処理液の液跳ねを抑制または防止できる。このとき、吐出口19aからの処理液の吐出方向は、径方向RDに沿う方向であり、かつ基板の上面に対して所定角度で入射するような方向である。入射角θは、たとえば約30°〜約80°であり、好ましくは約45°であるである。着液位置45に着液した処理液は、着液位置45に対し、径方向RDの外側に向けて流れる。基板Wの上面の外周領域42のうち、着液位置45よりも外側の領域のみが処理液によって処理される。すなわち、着液位置45と基板Wの周端面44と間の距離に応じて、基板Wの上面の外周領域42における処理幅が変わる。
スピンチャック5は、基板Wの中央部を支持するタイプのものである。このようなタイプのスピンチャックは基板Wの外周部41を支持しない。そのため、基板Wの保持状態において、図4および図5に示すように、スピンチャック5に対して基板Wが傾斜しているおそれがある。
図7は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
この実施形態に係る外周部処理工程(S6,S7)において、制御装置3は、基板Wの上面の外周領域42(図3参照)における着液位置45が、配置位置周端46との間隔を一定に保つべく当該配置位置周端46の高さ位置変化(以下、「高さ位置変化」という)に追従して高さ方向Vに往復移動するように、処理液ノズル19を駆動させる。より具体的には、配置位置周端46の高さ位置変化に追従して、処理液ノズル19が、高さ方向Vに移動させられる。これにより、基板Wの外周部41において、着液位置45と配置位置周端46との間隔を一定に保つことができる。なお、この明細書において、「着液位置45を往復移動」とは、基板Wを基準とした往復移動ではなく、静止状態にある物体(たとえば処理チャンバ4の隔壁13)を基準した往復移動のことをいう。
図8は、配置位置周端46の高さ位置変化を示す正弦波SW2、および配置位置周端46の位置変化に着液位置45が追従する(すなわち、着液位置45と配置位置周端46との間隔が一定に保たれる)最適な追従タイミングでノズル駆動信号57を出力した場合の着液位置45の高さ位置変化を示す正弦波SW1である。
図10は、処理ユニット2による基板処理例を説明するための流れ図である。図11は、図10に示す各周端高さ位置計測工程(S4)の内容を説明するための流れ図である。図12は、図10に示す位相差計測工程(S5)の内容を説明するための流れ図である。図13は、図10に示す外周部処理工程(S6,S7)の内容を説明するための流れ図である。図14および図15は、外周部処理工程(S6,S7)の内容を説明するための模式的な図である。図16は、配置位置周端46の高さ位置変化を示す正弦波SW2、および排除タイミングでノズル駆動信号57を出力した場合の着液位置45の高さ位置変化を示す正弦波SW1である。図17は、図10の基板処理例における基板Wの上面の外周領域42の処理幅を示す平面図である。
まず、未処理の基板Wが、処理チャンバ4の内部に搬入される(図10のS1)。具体的には、基板Wを保持している搬送ロボットCRのハンドHを処理チャンバ4の内部に進入させることにより、基板Wがデバイス形成面を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡される。
スピンチャック5に基板Wが保持された後、制御装置3はスピンモータ18を制御して、基板Wを回転開始させる(図10のS3)。
各周端高さ位置計測工程(S4)では、制御装置3は、基板Wの回転速度を、所定の計測回転速度(次に述べる液処理速度よりも遅い速度。たとえば約50rpm)まで上昇させ、その計測回転速度に保つ(図11のS11)。
位相差計測工程(S5)では、制御装置3は、次に述べる外周部処理工程(外周部薬液処理工程(S6)および外周部リンス液処理工程(S7))における基板Wの回転速度(処理回転速度)に応じた位相差ΔPを計測する。外周部処理工程において処理回転速度が複数設定されている場合には、個々の処理回転速度に対応する位相差ΔP(すなわち、複数の位相差ΔP)が計測される。
着液位置往復移動工程(S33)は、次のように行われる。
これにより、位相差ΔPを排除した排除タイミングで、ノズル駆動信号57をアーム昇降モータ122に対して出力することを実現している。これにより、配置位置周端46の高さ位置変化に追従して着液位置45を往復移動させることが可能なタイミングでノズル駆動信号57を出力することができる。これにより、ノズル駆動信号57の出力に対する処理液ノズル19の駆動遅れによらずに、着液位置45を、配置位置周端46の高さ位置変化に良好に追従させることができる。ゆえに、図17に示すように、外周部処理工程(S6,S7)に示すよう、基板Wの上面の外周領域42における処理幅の均一性を向上させることができる。
また、外周部薬液処理工程(S6)では、ヒータ11の熱源がオンされて、ヒータ11によって、基板Wの下面の外周領域43が加熱される。これにより、外周部薬液処理の処理速度を高めている。また、外周部薬液処理工程(S6)では、処理位置に位置する気体吐出ノズル27から吐出される不活性ガスによって、中央部から外周部41に向けて流れる放射状気流が基板Wの上方に形成される。この放射状気流によって、デバイス形成領域である基板Wの上面中央部が保護される。また、外周部薬液処理工程(S6)では、処理位置に位置する上外周部気体ノズル31から基板Wの上面の外周領域42の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けにより、基板Wの上面の外周領域42における薬液の処理幅を制御することができる。また、外周部薬液処理工程(S6)では、処理位置に位置する下外周部気体ノズル36から基板Wの下面の外周領域43の吹き付け位置に対し不活性ガスが吹き付けられる。この不活性ガスの吹き付けにより、基板Wの下面への薬液の回り込みを防止することができる。
次いで、基板Wを乾燥させるスピンドライ(図10のS8)が行われる。具体的には、制御装置3はスピンモータ18を制御して、各処理工程S2〜S8における回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、その乾燥回転速度で基板Wを回転させる。また、これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wの外周部41に付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wの外周部41から液体が除去され、基板Wの外周部41が乾燥する。
その後、処理チャンバ4内から基板Wが搬出される(図10のS9)。具体的には、制御装置3は、搬送ロボットCRのハンドを処理チャンバ4の内部に進入させる。そして、制御装置3は、搬送ロボットCRのハンドにスピンチャック5上の基板Wを保持させる。その後、制御装置3は、搬送ロボットCRのハンドを処理チャンバ4内から退避させる。これにより、処理後の基板Wが処理チャンバ4から搬出される。
また、位相差記憶部55には位相差ΔPが複数設けられており、各位相差ΔPは、基板Wの処理回転速度に対応して複数設けられている。そして、処理回転速度に対応する位相差ΔPを排除した排除タイミングでノズル駆動信号57が出力される。そのため、基板処理装置1において、外周部薬液処理工程(S6)における基板Wの処理回転速度が、レシピの内容によって異なる場合であっても、各処理回転速度に対応する最適なタイミングでノズル駆動信号を出力することができる。
たとえば、図7に破線で示すように、記憶ユニット52に、外周部処理工程(S6,S7)において着液位置往復移動工程(図13のS33)を実行するか否かを決定するための移動工程実行フラグ56が設けられていてもよい。移動工程実行フラグ56には、着液位置往復移動工程の実行に対応する所定の値(たとえば「5A[H]」)と、着液位置往復移動工程の非実行に対応する所定の値(「たとえば00[H]」)とが選択的に格納されている。そして、移動工程実行フラグ56に「5A[H]」が格納されている場合には、制御装置3は、外周部処理工程(S6,S7)に並行して着液位置往復移動工程を実行し、かつ移動工程実行フラグ56に「00[H]」が格納されている場合には、制御装置3は、外周部処理工程(S6,S7)に並行して着液位置往復移動工程を実行しないようにしてもよい。
また、位相差ΔPの実測値を用いて排除タイミングを求めるとして説明したが、位相差記憶部55に記憶されている位相差ΔPが実測値でなく、予め定められた規定値であってもよい。この場合、図10に示す基板処理例から、位相差計測工程(S5)を省略することもできる。
また、各周端高さ方向位置計測工程(S4)で基板Wの外周部41の高さ位置を、基板Wの周端面44の位置を、高さ位置センサを用いて計測するとして説明したが、基板Wの上面の外周領域42を、高さ位置センサを用いて計測してもよいし、基板Wの下面の外周領域43を、高さ位置センサを用いて計測してもよい。
また、ノズル移動ユニットとして、処理液ノズル19を、円弧軌跡を描きながら移動させるスキャンタイプのものを例に挙げたが、処理液ノズル19を直線状に移動させる直動タイプのものが採用されていてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置が円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板Wは周端の少なくとも一部が円弧状をなしていれば足り、必ずしも真円である必要はない。
ある。
3 :制御装置
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
18 :スピンモータ(基板回転ユニット)
19 :処理液ノズル
23 :エンコーダ
45 :着液位置
46 :配置位置周端
57 :ノズル駆動信号
122 :アーム昇降モータ(電動モータ)
147 :高さ位置センサ(位置センサ)
A1 :回転軸線
W :基板
Claims (19)
- 周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を保持する基板保持ユニットであって、当該基板の中央部を支持して当該基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線周りに回転させる基板回転ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置における高さ位置である各周端高さ位置を計測するための各周端高さ位置計測ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、
前記基板における処理液の着液位置が移動するように前記処理液ノズルを駆動するノズル駆動ユニットと、
前記基板回転ユニットを制御し、かつ前記ノズル駆動ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置は、前記各周端高さ位置計測ユニットによって、前記各周端高さ位置を計測する各周端高さ位置計測工程と、前記回転軸線まわりに前記基板を回転させながら前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出することにより当該主面の外周部を処理する外周部処理工程と、前記外周部処理工程に並行して、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端との間隔を一定に保つべく当該配置位置周端の高さ位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程を、前記各周端高さ位置計測工程の後に実行する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル駆動ユニットは、前記処理液ノズルを駆動するためのノズル駆動信号が入力されることにより前記処理液ノズルを駆動するユニットを含み、
前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程において、前記制御装置は、前記各周端高さ位置計測工程における計測結果および前記外周部処理工程における前記基板の回転速度に基づいて、前記配置位置周端の高さ位置変化と同じ振幅および同じ周期で前記着液位置が移動するように前記処理液ノズルを駆動させるためのノズル駆動信号を作成するノズル駆動信号作成工程と、作成された前記ノズル駆動信号を、当該ノズル駆動信号の出力に対する前記処理液ノズルの駆動遅れに伴う、前記配置位置周端の高さ位置変化に対する前記着液位置の位相差を排除した排除タイミングで前記ノズル駆動ユニットに出力する駆動信号出力工程とを実行する、請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、前記駆動信号出力工程において、前記配置位置周端の高さ位置変化に前記処理液ノズルが追従する最適な追従タイミングから前記位相差に相当する時間だけずらすことにより、前記排除タイミングを取得するタイミング取得工程を実行する、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル駆動ユニットは、前記処理液ノズルを鉛直方向に移動させるノズル移動ユニットを含み、
前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程として、前記配置位置周端の高さ位置変化に追従して、前記処理液ノズルを鉛直方向に移動させる工程を実行する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ノズル駆動ユニットは、前記処理液ノズルを、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に沿って移動させるノズル移動ユニットを含み、
前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程として、前記配置位置周端の高さ位置変化に追従して、前記処理液ノズルからの処理液の着液位置と前記配置位置周端との間隔を一定に保つように前記処理液ノズルを前記基板の回転半径方向に移動させる工程を実行する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記処理液ノズルの移動量を検出するためのノズル移動量検出ユニットをさらに含み、
前記制御装置は、前記着液位置往復移動工程に先立って、前記ノズル移動ユニットに対して前記ノズル駆動信号を出力して前記処理液ノズルを移動させ、そのときの前記処理液ノズルの移動量を前記ノズル移動量検出ユニットによって検出することにより、前記位相差を計測する位相差計測工程をさらに実行し、
前記制御装置は、前記タイミング取得工程において、前記位相差計測工程によって計測された位相差に基づいて前記排除タイミングを取得する工程を実行する、請求項5または6に記載の基板処理装置。 - 前記ノズル移動ユニットは、電動モータを含み、
前記移動量検出ユニットは、前記電動モータに設けられたエンコーダを含む、請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記各周端高さ位置計測ユニットは、前記基板の周端高さ位置のうち周方向の所定の周端高さ位置を検出するための位置センサ、および前記基板の少なくとも外周部を撮像するCCDカメラの少なくとも一つを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記各周端高さ位置計測ユニットは、前記基板の周端高さ位置のうち周方向の所定の周端高さ位置を検出するための位置センサを含み、
前記制御装置は、前記各周端高さ位置計測工程において、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を前記回転軸線まわりに回動させながら、前記所定の周端高さ位置を、前記位置センサを用いて計測する工程を実行する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液ノズルは、基板の外側かつ斜め下向きに処理液を吐出する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板の中央部を支持して、当該基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線周りに回転させる基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の外周部に向けて処理液を吐出するための処理液ノズルと、前記処理液ノズルを、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に沿って移動させるノズル駆動ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を前記基板保持ユニットにより保持させる基板保持工程と、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の周方向の各周端位置における高さ位置である各周端高さ位置を計測する各周端高さ位置計測工程と、
前記回転軸線まわりに前記基板を回転させながら前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出することにより当該主面の外周部を処理する外周部処理工程と、
前記外周部処理工程に並行して、前記基板の外周部における前記処理液ノズルからの処理液の着液位置が、前記基板の周端のうち当該処理液ノズルが配置されている周方向位置の周端である配置位置周端との間隔を一定に保つべく当該配置位置周端の高さ位置変化に追従して往復移動するように前記処理液ノズルを駆動する着液位置往復移動工程とを含む、基板処理方法。 - 前記着液位置往復移動工程は、前記配置位置周端の高さ位置変化に追従して、前記処理液ノズルを鉛直方向に移動させる工程を含む、請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記着液位置往復移動工程は、前記配置位置周端の高さ位置変化に追従して、前記処理液ノズルからの処理液の着液位置と前記配置位置周端との間隔を一定に保つように前記処理液ノズルを前記基板の回転半径方向に移動させる工程を含む、請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記着液位置往復移動工程は、前記各周端高さ位置計測工程の後に実行される、請求項12〜14のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記ノズル駆動ユニットは、前記処理液ノズルを駆動するためのノズル駆動信号が入力されることにより前記処理液ノズルを駆動するユニットを含み、
前記着液位置往復移動工程は、
前記各周端高さ位置計測工程における計測結果および前記外周部処理工程における前記基板の回転速度に基づいて、前記配置位置周端の高さ位置変化と同じ振幅および同じ周期で前記着液位置が移動するように前記処理液ノズルを駆動させるためのノズル駆動信号を作成するノズル駆動信号作成工程と、
作成された前記ノズル駆動信号を、当該ノズル駆動信号の出力に対する前記処理液ノズルの駆動遅れに伴う、前記配置位置周端の高さ位置変化に対する前記着液位置の位相差を排除した排除タイミングで前記ノズル駆動ユニットに出力する駆動信号出力工程とを含む、請求項12〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記駆動信号出力工程は、前記配置位置周端の高さ位置変化に前記着液位置が追従する最適な追従タイミングから、前記位相差に相当する時間だけずらすことにより前記排除タイミングを取得するタイミング取得工程を含む、請求項12〜16のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記着液位置往復移動工程に先立って、前記ノズル駆動ユニットに対して前記ノズル駆動信号を出力して前記着液位置を移動させることにより、前記位相差を計測する位相差計測工程をさらに含み、
前記タイミング取得工程は、前記位相差に基づいて前記排除タイミングを取得する工程を含む、請求項17に記載の基板処理方法。 - 前記各周端高さ位置計測工程は、前記基板保持ユニットによって保持されている基板を前記回転軸線まわりに回動させながら前記所定の周端高さ位置を、位置センサを用いて計測する工程を含む、請求項12〜18のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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