JP6829665B2 - リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6829665B2 JP6829665B2 JP2017134746A JP2017134746A JP6829665B2 JP 6829665 B2 JP6829665 B2 JP 6829665B2 JP 2017134746 A JP2017134746 A JP 2017134746A JP 2017134746 A JP2017134746 A JP 2017134746A JP 6829665 B2 JP6829665 B2 JP 6829665B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- lead frame
- silver
- metal plate
- silver film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
・シアン化カリウム(KCN)…濃度5g/リットル
・リン酸水素二カリウム(K2HPO4)…濃度20g/リットル
・ホウ酸(H3BO3)…濃度10g/リットル
以上により、この調査に使用したサンプルP1が完成した。
本実施形態では以下のようにしてリードフレームを製造し、そのリードフレームに発光素子を搭載してなる半導体装置を製造する。
Claims (8)
- 金属板と、
前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、
前記重合膜の上に形成された銀膜と、
を有するリードフレーム。 - 前記金属板は、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記半導体素子に繋がる金属線が接続されるボンディングパッドとを有することを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記金属板の上に形成され、前記ダイパッドと前記ボンディングパッドの各々が露出する開口を備えた樹脂部を更に有し、
前記半導体素子は光を発光する発光素子であり、前記開口の側面は、前記光を反射するリフレクタであることを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。 - 金属板と、前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、前記重合膜の上に形成された銀膜とを有するリードフレームと、
前記リードフレームに搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードフレームの各々に接続された金属線と、
を有する半導体装置。 - 金属板の表面に、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合膜を形成する工程と、
前記重合膜の上にめっき法で銀膜を形成する工程と、
を有するリードフレームの製造方法。 - 前記重合膜を形成する工程は、
チタンキレート、チタンオリゴマー、及びジルコニウムキレートのいずれかの溶液の塗膜を前記金属板の前記表面に形成する工程と、
前記塗膜を加熱して重合させることにより前記重合膜にする工程とを有することを特徴とする請求項5に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記塗膜を加熱する工程は、不活性ガスの雰囲気中で行われることを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記銀膜を形成する工程において、光沢剤が排除されためっき液を使用して前記銀膜を形成することを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017134746A JP6829665B2 (ja) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017134746A JP6829665B2 (ja) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019016740A JP2019016740A (ja) | 2019-01-31 |
JP2019016740A5 JP2019016740A5 (ja) | 2020-04-09 |
JP6829665B2 true JP6829665B2 (ja) | 2021-02-10 |
Family
ID=65356567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017134746A Active JP6829665B2 (ja) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6829665B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020093052A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP2020093049A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP2020093050A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP2020093053A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7293682B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-06-20 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613516A (ja) * | 1992-05-26 | 1994-01-21 | Nippon Steel Corp | リードフレームの製造方法 |
JP4269595B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2009-05-27 | トヨタ自動車株式会社 | 酸化物半導体電極及びその製造方法 |
US20080318061A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-25 | Akira Inaba | Insulation paste for a metal core substrate and electronic device |
TW201250964A (en) * | 2011-01-27 | 2012-12-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame |
JP5456209B2 (ja) * | 2011-08-01 | 2014-03-26 | 株式会社Steq | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-07-10 JP JP2017134746A patent/JP6829665B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019016740A (ja) | 2019-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6829665B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 | |
US9966517B2 (en) | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate | |
JP2009224536A (ja) | Ledデバイスおよびその製造方法 | |
US20080083973A1 (en) | Lead frame for an optical semiconductor device, optical semiconductor device using the same, and manufacturing method for these | |
JP5307824B2 (ja) | 光半導体装置用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 | |
US9735096B1 (en) | Lead frame and method for manufacturing the same | |
US20120098110A1 (en) | Supporting Body for a Semiconductor Component, Semiconductor Element and Method for Production of a Supporting Body | |
JP6481499B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを用いた光半導体装置 | |
JP3940124B2 (ja) | 装置 | |
JP5871174B2 (ja) | Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法 | |
JP2022168010A (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
US20060110855A1 (en) | Leadframe with enhanced encapsulation adhesion | |
JP4776175B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよびその製造方法および発光装置および照明装置 | |
CN105814701B (zh) | 光半导体装置及其制造方法以及银用表面处理剂及发光装置 | |
JP2009224537A (ja) | Ledデバイスおよびその製造方法 | |
JP2011228687A (ja) | Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法 | |
JP2018040030A (ja) | 銅製部材の表面処理方法及び半導体実装用基板の製造方法 | |
JP2015124427A (ja) | 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置 | |
JP2012138441A (ja) | Led用基板とその製造方法および半導体装置 | |
JP2020053601A (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP6269284B2 (ja) | 銀用表面処理剤及び発光装置 | |
WO2021106781A1 (ja) | 光半導体装置用金属構造の製造方法、パッケージ、及びポリアリルアミン重合体を含む溶液 | |
JP7148793B2 (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
TWI796363B (zh) | 發光裝置 | |
JP2015233081A (ja) | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180320 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6829665 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |