JP6826003B2 - トンネル電界効果トランジスタ - Google Patents
トンネル電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6826003B2 JP6826003B2 JP2017123964A JP2017123964A JP6826003B2 JP 6826003 B2 JP6826003 B2 JP 6826003B2 JP 2017123964 A JP2017123964 A JP 2017123964A JP 2017123964 A JP2017123964 A JP 2017123964A JP 6826003 B2 JP6826003 B2 JP 6826003B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- intermediate layer
- composition
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
Claims (2)
- InPから構成された基板の上に形成されたInGaAsから構成された第1半導体層および前記基板の上に形成されてGaAsSbから構成された第2半導体層を備え、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成されるトンネル接合によるトンネル電界効果トランジスタであって、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成されて、InPより格子定数が大きなInGaAsSbから構成された中間層と、
前記中間層と前記第2半導体層との間に形成される前記トンネル接合にゲート電界を印加するためのゲート電極と
を備え、
前記中間層は、V族元素におけるSbの組成比が0.01以上0.2以下であり、
前記第1半導体層、前記中間層、および前記第2半導体層の積層方向の前記中間層の厚さは、1nm以上15nm以下とされていることを特徴とするトンネル電界効果トランジスタ。 - InPから構成された基板の上に形成されたInGaAsから構成された第1半導体層および前記基板の上に形成されてGaAsSbから構成された第2半導体層を備え、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成されるトンネル接合によるトンネル電界効果トランジスタであって、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成されて、InPより格子定数が大きなInGaAsSbから構成された中間層と、
前記中間層と前記第2半導体層との間に形成される前記トンネル接合にゲート電界を印加するためのゲート電極と
を備え、
前記中間層は、III族元素におけるInの組成比が、0.53以上であることを特徴とするトンネル電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123964A JP6826003B2 (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | トンネル電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123964A JP6826003B2 (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | トンネル電界効果トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019009296A JP2019009296A (ja) | 2019-01-17 |
JP6826003B2 true JP6826003B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=65026931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017123964A Active JP6826003B2 (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | トンネル電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6826003B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4662345B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-03-30 | 日本電信電話株式会社 | 多重歪量子井戸構造及びその製造方法 |
US8026509B2 (en) * | 2008-12-30 | 2011-09-27 | Intel Corporation | Tunnel field effect transistor and method of manufacturing same |
JP5504745B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体素子 |
JP6331375B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2018-05-30 | 富士通株式会社 | 電界効果型半導体装置 |
JP2015211049A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-24 | 日本電信電話株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
-
2017
- 2017-06-26 JP JP2017123964A patent/JP6826003B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019009296A (ja) | 2019-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tomioka et al. | III–V nanowires on Si substrate: selective-area growth and device applications | |
US7687799B2 (en) | Methods of forming buffer layer architecture on silicon and structures formed thereby | |
KR101252937B1 (ko) | 델타 도핑된 영역을 갖는 디바이스 및 트랜지스터 | |
US7566898B2 (en) | Buffer architecture formed on a semiconductor wafer | |
KR101904626B1 (ko) | Iii-v족 화합물 반도체 나노와이어, 전계효과 트랜지스터 및 스위치 소자 | |
KR101031798B1 (ko) | 3차원 질화물 공명 터널링 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
JP2006261642A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
CN102610640A (zh) | 一种高驱动电流的iii-v族金属氧化物半导体器件 | |
US20140327012A1 (en) | Hemt transistors consisting of (iii-b)-n wide bandgap semiconductors comprising boron | |
JP5510325B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP4757370B2 (ja) | エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP2012169470A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2020009020A1 (ja) | トンネル電界効果トランジスタ | |
TWI574407B (zh) | 半導體功率元件 | |
JP2015106627A (ja) | 半導体積層基板 | |
JP6826003B2 (ja) | トンネル電界効果トランジスタ | |
JP5875296B2 (ja) | 半導体基板および絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | |
JP3094500B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US10134889B2 (en) | Compound semiconductor device and method of manufacturing the compound semiconductor device | |
CN108565285B (zh) | 一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法 | |
JP2000012834A (ja) | ダブルヘテロ構造高電子移動度トランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタ用ウエハ | |
JP2004342742A (ja) | 通信機器用半導体装置 | |
JPH0513328A (ja) | 混晶半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004221101A (ja) | ヘテロ構造型電界効果トランジスタ | |
JP2800457B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6826003 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |