JP6815527B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Description
以下、本発明の一実施形態について図1から図8を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は基板を垂直方向多段に収容することが可能な、いわゆる縦型炉であり、加熱装置(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の下方には、反応管203と同心円状に、マニホールド(インレットフランジ)209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス(SUS)等の金属により構成され、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の上端部は、反応管203の下端部に係合しており、反応管203を支持するように構成されている。マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベースに支持されることにより、反応管203は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管203とマニホールド209とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の内側である筒中空部には処理室201が形成されている。処理室201は、複数枚の基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。なお、処理容器は上記の構成に限らず、反応管203のみを処理容器と称する場合もある。
バッファ室237内には、図2に示すように、導電体である細長い構造を有する6本の棒状電極269,270,271、369,370,371が、反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の積載方向に沿って配設されている。棒状電極269,270,271のそれぞれは、ノズル249bと平行に設けられている。また、棒状電極369,370,371のそれぞれは、ノズル249cと平行に設けられている。
反応管203には、図1に示すように、処理室201内の雰囲気を排気する排気部としての排気管231が設けられている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および排気バルブ(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系(排気部)が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。排気管231は、反応管203に設ける場合に限らず、ノズル249a,249b、249cと同様にマニホールド209に設けてもよい。
図1に示すように基板支持具としてのボート217は、複数枚、例えば25〜200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、所定の間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる断熱板218が多段に支持されている。
図3、図4および図5を用いて、反応管203の内部に設置されるガス整流部材50の構成を説明する。図3は、ガス整流部材50の斜視図である。図4は、図3に示されるガス整流部材50が反応管203に設置された状態を説明するための模式的な図であり、図1のA−A線に対応する断面図である。図5は、ガス整流部材50とボート217に積載されたウエハ200との関係を説明するための反応管部分の模式的な縦断面図である。
同様に、仕切部材522の中央仕切部材52bの円周方向の両端には、第1板部材(第3板部材ともいう)55bと第2板部材(第4板部材ともいう)56bとが中央仕切部材52bの長さと同じ長さで設けられる。第1板部材55bと第2板部材56bは、ガス整流部材50の外側方向(反応管203の内壁方向)に延在し、反応管203の内壁に接しない程度で、反応管203内に位置する様な構成とされる。接しない程度に設けることで、仕切部材522と反応管203の内壁との間に隙間(空間)を形成することができる。仕切部材522と反応管203の内壁との間の空間に各種ガスが進入してきたとしても、この隙間から進入したガスを排気することができ、反応管203内のガスの滞留を抑制させることができる。反応管203内において、第1板部材55bはノズル249aの側に設けられ、第2板部材56bはノズル249cの側に設けられる。
なお、第1板部材55aと第2板部材56aは、反応管203の内壁に接触するように構成しても構わない。また、同様に、第1板部材55bと第2板部材56bは、反応管203の内壁に接触するように構成しても構わない。接触するように構成することで、仕切部材521,522と反応管203との間に、各種ガスが進入することを抑制させることが可能となる。
つまり、第1仕切部材521は、原料ガス供給部(249a)と第1プラズマ生成部(269,270,271)との間の反応管203の内壁に沿って、基板200のエッジ部から一定の距離(d1)の位置に配置される。同様に、第2仕切部材522は、原料ガス供給部(249a)と第2プラズマ生成部(369,370,371)との間の反応管203の内壁に沿って、基板200の外周部から一定の距離(d2)の位置に配置される。
ノズル249a側に設けられる仕切部材521の第1板部材55aと仕切部材522の第1板部材55bとの開度θ(基板200の中心と仕切部材521の第1板部材55aとを結んだ線分と、基板200の中心と仕切部材522の第1板部材55bとを結んだ線分と、がなす角度)は、10度以上、30度以下に構成される。開度θが30度を超えると、ガスが基板200の周囲へ拡散していまい、基板200の中央への供給量が少なくなってしまう。また、開度θが10度未満になると、基板200の中央への供給量が増えてしまい、基板200の周囲への供給量が少なくなってしまう。
次に制御装置について図6を用いて説明する。図6に示すように、制御部(制御装置)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
次に、基板処理装置を使用して、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ200上に薄膜を形成する工程について、図7及び図8を参照しながら説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(DCS→NH3 *)×n ⇒ SiN
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201の内部、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくとも後述する成膜ステップが終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
その後、ステップS3,S4,S5,S6を順次実行することで成膜ステップを行う。
ステップS3では、処理室201内のウエハ200に対してDCSガスを供給する。
成膜処理が終了した後、処理室201内のウエハ200に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたNH3ガスを供給する(S5)。
上述したS3,S4,S5,S6をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n回)、すなわち、1回以上行う(S7)ことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiN層を積層することで形成されるSiN膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。
上述の成膜処理が完了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガス等が処理室201内から除去される(不活性ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(S8)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される(S9)。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室201内へ空のボート217を搬入するようにしてもよい。
以下、図9A〜図9Dおよび図10A〜図10Dを用いて、ガス整流部材50による原料ガスおよび反応ガスの整流化について説明する。図9A〜図9Dは、比較例に係る反応管203内のガスの流れを説明する概念的な図であり、ガス整流部材50が反応管203内に設けられない場合の反応管内のガスの流れを説明する図である。図10A〜図10Dは、本実施の形態に係るガス整流部材50を反応管203内に設置した場合の反応管内のガスの流れを説明する概念的な図である。まず、図9A〜図9Dの比較例のガスの流れを説明し、その後、図10A〜図10Dの本実施の形態のガスの流れを説明する。
図9A及び図9Bは、原料ガスをノズル249aのガス供給孔250aから各ウエハ200上へ供給した場合の原料ガスの流れを示している。図9Aはウエハ200の表面上の原料ガスの流れを示す上面図であり、図9Bは、積載されたウエハ200を横から見た場合の原料ガスの流れを示す部分的な縦断面図である。
図10Aおよび図10Bは、原料ガスをノズル249aのガス供給孔250aから各ウエハ200上へ供給した場合の原料ガスの流れを示している。図10Aはウエハ200の表面上の原料ガスの流れを示す上面図であり、図10Bは、積載されたウエハ200を横から見た場合の原料ガスの流れを示す部分的な縦断面図である。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
次に、本発明の他の実施形態について図11を参照しながら説明する。本実施形態において、上述した実施形態と異なる部分のみ以下に説明し、同じ部分は説明を省略する。
(DCS→NH3 *→H2 *)×n ⇒ SiN
以上のように、ノズル249bから反応ガスとしてNH3ガスをプラズマ励起してウエハに供給した後にH2ガスをプラズマ励起して供給する場合にも、本発明を適用することができ、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
Claims (15)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、
前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を備え、
前記第1仕切部材の両端に、前記処理室の内壁方向に第1板部材と第2板部材とが、前記処理室の内壁と間隙を形成するように設けられ、
前記第2仕切部材の両端に、前記処理室の内壁方向に第3板部材と第4板部材とが、前記処理室の内壁と間隙を形成するように設けられる基板処理装置。 - 少なくとも平面視において前記原料ガス供給部と前記排気部とは対向する位置に設けられる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1仕切部材と前記第2仕切部材は、それぞれ前記処理室の壁との間に空間を有する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1仕切部材の前記第1板部材と前記第2仕切部材の前記第3板部材とは前記原料ガス供給部側に設けられ、前記第1板部材と前記基板の中心とを結ぶ線分と、前記第3板部材と前記基板の中心とを結ぶ線分と、がなす角度は10度以上30度以下である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1仕切部材と前記第2仕切部材との間には、開口部が設けられ、前記原料ガスは、前記開口部を介して前記基板に対して供給される請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、
前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有し、
前記第1仕切部材と前記第2仕切部材との間には、開口部が設けられ、前記原料ガスは、前記開口部を介して前記基板に対して供給され、
前記反応ガスは、前記開口部を介して前記排気部から排気される基板処理装置。 - 前記第1プラズマ生成部は第1バッファ構造内に設けられ、前記第2プラズマ生成部は第2バッファ構造内に設けられ、前記基板のエッジ部と前記第1バッファ構造の内壁との間隔と、前記基板のエッジ部と前記第2バッファ構造の内壁との間隔とが同一である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板のエッジ部と前記第1仕切部材との間隔と、前記基板のエッジ部と前記第2仕切部材との間隔と、前記基板のエッジ部と前記第1バッファ構造の内壁との間隔と、前記基板のエッジ部と前記第2バッファ構造の内壁との間隔とが同一である請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、
前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有し、
前記第1プラズマ生成部と前記第2プラズマ生成部のそれぞれは、高周波電源に接続される少なくとも2本の第1電極と、前記第1電極の間に接地される少なくとも1本の第2電極とを備える基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、反応ガスをプラズマ化することにより活性化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を備え、前記第1仕切部材の両端に、前記処理室の内壁方向に第1板部材と第2板部材とが、前記処理室の内壁と間隙を形成するように設けられ、前記第2仕切部材の両端に、前記処理室の内壁方向に第3板部材と第4板部材とが、前記処理室の内壁と間隙を形成するように設けられる基板処理装置の前記処理室内に基板を搬入する工程と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の基板に対して前記第1プラズマ生成部および前記第2プラズマ生成部によりプラズマ化された前記反応ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有し、前記第1仕切部材と前記第2仕切部材との間には、開口部が設けられ、前記原料ガスは、前記開口部を介して前記基板に対して供給され、前記反応ガスは、前記開口部を介して前記排気部から排気される基板処理装置の前記処理室内に基板を搬入する工程と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の基板に対して前記第1プラズマ生成部および前記第2プラズマ生成部によりプラズマ化された前記反応ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有し、前記第1プラズマ生成部と前記第2プラズマ生成部のそれぞれは、高周波電源に接続される少なくとも2本の第1電極と、前記第1電極の間に接地される少なくとも1本の第2電極とを備える基板処理装置の前記処理室内に基板を搬入する工程と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の基板に対して前記第1プラズマ生成部および前記第2プラズマ生成部によりプラズマ化された前記反応ガスを供給する工程と、
前記処理室内から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、反応ガスをプラズマ化することにより活性化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を備え、前記第1仕切部材の両端に、前記処理室の内壁方向に第1板部材と第2板部材とが、前記処理室の内壁と間隙を形成するように設けられ、前記第2仕切部材の両端に、前記処理室の内壁方向に第3板部材と第4板部材とが、前記処理室の内壁と間隙を形成するように設けられる基板処理装置の前記処理室内に基板を搬入する手順と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の基板に対して前記第1プラズマ生成部および前記第2プラズマ生成部によりプラズマ化された前記反応ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記基板を搬出する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有し、前記第1仕切部材と前記第2仕切部材との間には、開口部が設けられ、前記原料ガスは、前記開口部を介して前記基板に対して供給され、前記反応ガスは、前記開口部を介して前記排気部から排気される基板処理装置の前記処理室内に基板を搬入する手順と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の基板に対して前記第1プラズマ生成部および前記第2プラズマ生成部によりプラズマ化された前記反応ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記基板を搬出する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有し、前記第1プラズマ生成部と前記第2プラズマ生成部のそれぞれは、高周波電源に接続される少なくとも2本の第1電極と、前記第1電極の間に接地される少なくとも1本の第2電極とを備える基板処理装置の前記処理室内に基板を搬入する手順と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の基板に対して前記第1プラズマ生成部および前記第2プラズマ生成部によりプラズマ化された前記反応ガスを供給する手順と、
前記処理室内から前記基板を搬出する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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