CN111066122A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 - Google Patents

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 Download PDF

Info

Publication number
CN111066122A
CN111066122A CN201880057801.8A CN201880057801A CN111066122A CN 111066122 A CN111066122 A CN 111066122A CN 201880057801 A CN201880057801 A CN 201880057801A CN 111066122 A CN111066122 A CN 111066122A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
processing chamber
gas
wall
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880057801.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111066122B (zh
Inventor
佐藤明博
原大介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Publication of CN111066122A publication Critical patent/CN111066122A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111066122B publication Critical patent/CN111066122B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够均匀地处理基板的技术。根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：处理室，其处理基板；原料气体供给部，其设于处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于处理室内并供给反应气体；排气部，其对处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过处理室的中心和排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着原料气体供给部与第一等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着原料气体供给部与第二等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的外周部一定距离的位置。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。
背景技术
对于半导体装置的制造工序之一，有时进行如下基本处理：将原料气体、反应气体等通过等离子活化后供给至容纳于基板处理装置的处理室内的基板，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜、或者除去各种膜。等离子用于促进使薄膜堆积时产生的化学反应、从薄膜中除去杂质、或者辅助成膜原料的化学反应等(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-92637号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在使用多个高频电源进行等离子生成的处理装置中，各个高频电源的频率的差成相互干扰的噪声，因此，有时无法进行稳定的等离子生成。
本发明的目的在于提供一种能够均匀地处理基板的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：处理室，其处理基板；原料气体供给部，其设于上述处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于上述处理室内并供给反应气体；排气部，其对上述处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过上述处理室的中心和上述排气部的直线配置，且使上述反应气体等离子化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第一等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第二等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的外周部一定距离的位置。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够均匀地处理基板的技术。
附图说明
图1是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。
图2是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用图1的A-A线剖视图表示处理炉部分的图。
图3是用于说明适用于本发明的实施方式的气体整流部件的立体图。
图4是用于说明设有图3的气体整流部件的处理炉部分的示意图，是与图1的A-A线对应的剖视图。
图5是用于说明气体整流部件与积载于晶舟的晶圆的关系的反应管部分的示意性纵剖视图。
图6是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用块图表示控制器的控制***的图。
图7是本发明的实施方式的基板处理工序的流程图。
图8是表示本发明的实施方式的基板处理工序的气体供给的时机的图。
图9A是比较例的表示晶圆的表面上的原料气体的流动的俯视图。
图9B是比较例的表示从横向观察积载的晶圆的情况下的原料气体的流动的局部纵剖视图。
图9C是比较例的表示晶圆的表面上的活化的反应气体的流动的俯视图。
图9D是比较例的表示从横向观察积载的晶圆的情况下的活化的反应气体的流动的局部纵剖视图。
图10A是本发明的实施方式的表示晶圆的表面上的原料气体的流动的俯视图。
图10B是本发明的实施方式的表示从横向观察积载的晶圆的情况下的原料气体的流动的局部纵剖视图。
图10C是本发明的实施方式的表示晶圆表面上的活化的反应气体的流动的俯视图。
图10D是本发明的实施方式的表示从横向观察积载的晶圆的情况下的活化的反应气体的流动的局部纵剖视图。
图11是本发明的其它实施方式的表示基板处理工序的气体供给的时机的图。
具体实施方式
＜本发明的实施方式＞
以下，参照图1至图8对本发明的一实施方式进行说明。
(1)基板处理装置的结构(加热装置)
如图1所示，处理炉202是能够在垂直方向上多层地容纳基板的所谓的立式炉，具有作为加热装置(加热机构)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支撑于作为保持板的加热器底座而垂直地安装。如后所述，加热器207还作为利用热使气体活化(激励)的活化机构(激励部)发挥作用。
(处理室)
在加热器207的内侧，与加热器207同心圆状地配设有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或者碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端闭塞且下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，与反应管203同心圆状地配设有歧管(进口凸缘)209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属构成，形成为上端以及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部与反应管203的下端部卡合，构成为对反应管203进行支撑。在歧管209与反应管203之间设有作为密封部件的O型环220a。歧管209支撑于加热器底座，由此反应管203成为垂直地安装的状态。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的内侧即筒中空部形成有处理室201。处理室201构成为能够容纳多张作为基板的晶圆200。此外，处理容器不限于上述结构，也存在仅将反应管203称为处理容器的情况。
在处理室201内，以贯通歧管209的侧壁的方式设有喷嘴249a、249b、249c。气体供给管232a与喷嘴249a连接。气体供给管232b分别与喷嘴249b、249c连接。这样，在反应管203设有三个喷嘴249a、249b、249c和两根气体供给管232a、232b，能够向处理室201内供给多种气体。此外，为了简化附图以及易于理解，图1中省略了喷嘴249c的图示。关于喷嘴249c，使用图2进行详细说明。
在气体供给管232a、232b，从气体流的上游侧起依次分别设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a、241b以及作为开闭阀的阀243a、243b。在气体供给管232a、232b的比阀243a、243b靠下游侧分别连接有供给惰性气体的气体供给管232c、232d。在气体供给管232c、232d，从气体流的上游侧起依次分别设有MFC241c、241d以及阀243c、243d。
如图2所示，喷嘴249a设置为：在反应管203的内壁与晶圆200之间的空间，沿着反应管203的内壁的从下部到上部，朝向晶圆200的积载方向上方立起。即，喷嘴249a在供晶圆200排列(载置)的晶圆排列区域(载置区域)的侧方的水平包围晶圆排列区域的区域，以沿着晶圆排列区域的方式设置。即，喷嘴249a在搬入到处理室201内的各晶圆200的端部(周缘部)的侧方沿与晶圆200的表面(平坦面)垂直的方向设置。在喷嘴249a的侧面设有供给气体的气体供给孔250a。气体供给孔250a以朝向反应管203的中心的方式开口，能够朝向晶圆200供给气体。气体供给孔250a从反应管203的下部到上部设有多个，分别具有相同的开口面积，并且以相同的开口间距设置。
在气体供给管232b的前端部连接有喷嘴249b。喷嘴249b设于作为气体分散空间的缓冲室237内。如图2所示，就缓冲室237而言，在反应管203的内壁与晶圆200之间的俯视为圆环状的空间，且在反应管203的内壁的从下部到上部的部分，沿着晶圆200的积载方向设置。即，缓冲室237在晶圆排列区域的侧方的水平包围晶圆排列区域的区域，以沿着晶圆排列区域的方式通过缓冲构造(第一缓冲构造)300形成。缓冲构造300由石英等绝缘物构成，在缓冲构造300的形成为圆弧状的壁面形成有供给气体的气体供给口302、304。如图2所示，气体供给口302、304在与后述的棒状电极269、270间、棒状电极270、271间的等离子生成区域224a、224b对置的位置分别以朝向反应管203的中心的方式开口，能够朝向晶圆200供给气体。气体供给口302、304从反应管203的下部到上部设有多个，分别具有相同的开口面积，并且以相同的开口间距设置。
喷嘴249b设置为，沿着反应管203的内壁的从下部至上部，朝向晶圆200的积载方向上方立起。即，喷嘴249b在缓冲构造300的内侧且供晶圆200排列的晶圆排列区域的侧方的水平包围晶圆排列区域的区域，以沿着晶圆排列区域的方式设置。即，喷嘴249b在搬入到处理室201内的晶圆200的端部的侧方沿与晶圆200的表面垂直的方向设置。在喷嘴249b的侧面设有供给气体的气体供给孔250b。气体供给孔250b以朝向缓冲构造300的相对于形成为圆弧状的壁面沿径向形成的壁面的方式开口，能够朝向壁面供给气体。由此，反应气体在缓冲构造300内的缓冲室237内分散，不会直接吹到棒状电极269～271，可抑制颗粒的产生。气体供给孔250b与气体供给孔250a同样地从反应管203的下部到上部设有多个。在缓冲构造300的内侧设有分别被电极保护管275覆盖的棒状电极269、270、271以及喷嘴249b。
在反应管203的内壁还设有与缓冲构造300同样的结构的缓冲构造(第二缓冲构造)400。在缓冲构造400的内侧设有分别被电极保护管275覆盖的棒状电极369、370、371以及喷嘴249c。棒状电极369、370、371中的配置于两端的棒状电极369、371经由整合器372与高频电源373连接，棒状电极370与作为基准电位的大地连接而接地。喷嘴249c与气体供给管232b连接，能够供给与喷嘴249b相同的气体。在喷嘴249c的侧面，从反应管203的下部到上部设有多个供给气体的气体供给孔250c。气体供给孔250c以朝向缓冲构造400的相对于形成为圆弧状的壁面沿径向形成的壁面的方式开口，能够朝向壁面供给气体。在缓冲构造400的形成为圆弧状的壁面设有供给缓冲室237内的气体的气体供给口402、404。气体供给口402、404在与棒状电极369、370间、棒状电极370、371间的等离子生成区域324a、324b对置的位置分别以朝向反应管203的中心的方式开口，且从反应管203的下部到上部设有多个，分别具有相同的开口面积，并且以相同的开口间距设置。
喷嘴249c设置为，沿着反应管203的内壁的从下部到上部，朝向晶圆200的积载方向上方立起。即，喷嘴249c在缓冲构造400的内侧且供晶圆200排列的晶圆排列区域的侧方的水平包围晶圆排列区域的区域，以沿着晶圆排列区域的方式设置。即，喷嘴249c在搬入到处理室201内的晶圆200的端部的侧方沿与晶圆200的表面垂直的方向设置。在喷嘴249c的侧面设有供给气体的气体供给孔250c。气体供给孔250c以朝向缓冲构造400的相对于形成为圆弧状的壁面沿径向形成的壁面的方式开口，能够朝向壁面供给气体。由此，反应气体在缓冲构造400内的缓冲室237内分散，不会直接吹到棒状电极369～371，可抑制颗粒的产生。气体供给孔250c与气体供给孔250a同样地从反应管203的下部到上部设有多个。
如图2所示，在俯视下，缓冲构造300和缓冲构造400隔着排气管(排气部)231相对于通过排气管231和反应管203的中心的直线线对称地设置。另外，在俯视下，喷嘴249a在反应管203内设于隔着晶圆200与排气管231对置的位置。另外，喷嘴249b和喷嘴249c分别设于缓冲室237内的相距排气管231较远的位置。
这样，在本实施方式中，经由喷嘴249a、249b、249c以及缓冲室237搬送气体，上述的喷嘴249a、249b、249c以及缓冲室237配置于由反应管203的侧壁的内壁和排列于反应管203内的多个晶圆200的端部定义的在俯视下为圆环状的纵长的空间内、即圆筒状的空间内。于是，从分别开设于喷嘴249a、249b、249c以及缓冲室237的气体供给孔250a、250b、250c、气体供给口302、304、402、404在晶圆200的附近初次向反应管203内喷出气体。而且，将反应管203内的气体的主要的流设为与晶圆200的表面平行的方向、即水平方向。通过设为这样的结构，能够向各晶圆200均匀地供给气体，能够提高形成于各晶圆200的膜的膜厚的均匀性。在晶圆200的表面上流动的气体、即反应后的剩余气体朝向排气口、即后述的排气管231的方向流动。其中，该剩余气体的流动的方向根据排气口的位置适当特定，不限定于垂直方向。
作为包含预定元素的原料，例如包含作为预定元素的硅(Si)的硅烷原料气体从气体供给管232a经由MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给。
原料气体是气体状态的原料，例如，通过将常温常压下为液体状态的原料气化而得到的气体、常温常压下为气体状态的原料等。在本说明书中，使用“原料”这一词时，有时表示“为液体状态的液体原料”，有时表示“为气体状态的原料气体”，或者有时表示它们双方。
作为硅烷原料气体，例如能够使用包含Si以及卤素元素的原料气体、即卤硅烷原料气体。卤硅烷原料是指具有卤素基的硅烷原料。卤素元素包含从由氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)构成的组中选择的至少一个。即，卤硅烷原料包含从由氯基、氟基、溴基、碘基构成的组中选择的至少一个卤素基。卤硅烷原料也可以说是卤化物的一种。
作为卤硅烷原料气体，例如能够使用包含Si以及Cl的原料气体、即氯硅烷原料气体。作为氯硅烷原料气体，例如能够使用二氯硅烷(SiH2Cl2、简称：DCS)气体。
构成为，作为包含与上述的预定元素不同的元素的反应物(反应体)，例如作为反应气体的含氮(N)气体经由MFC241b、阀243b、喷嘴249b、249c从气体供给管232b向处理室201内供给。作为含N气体，例如能够使用氮化氢类气体。氮化氢类气体也可以说是仅由N以及H两种元素构成的物质，作为氮化气体、即N源发挥作用。作为氮化氢类气体，例如能够使用氨(NH3)气体。
作为惰性气体，例如氮(N2)气体从气体供给管232c、232d分别经由MFC241c、241d、阀243c、243d、气体供给管232a、232b、喷嘴249a、249b、249c向处理室201内供给。
主要由气体供给管232a、MFC241a、阀243a构成作为第一气体供给***的原料供给***。主要由气体供给管232b、MFC241b、阀243b构成作为第二气体供给***的反应体供给***(反应物供给***)。主要由气体供给管232c、232d、MFC241c、241d、阀243c、243d构成惰性气体供给***。也将原料供给***、反应体供给***以及惰性气体供给***总称地简称为气体供给***(气体供给部)。
(等离子生成部)
如图2所示，在缓冲室237内，作为导电体且具有细长的构造的六根棒状电极269、270、271、369、370、371从反应管203的下部到上部沿着晶圆200的积载方向配设。棒状电极269、270、271分别与喷嘴249b平行地设置。另外，棒状电极369、370、371分别与喷嘴249c平行地设置。
棒状电极269、270、271分别通过从上部到下部被电极保护管275覆盖而被保护。棒状电极269、270、271中的配置于两端的棒状电极269、271经由整合器272与高频电源273连接，棒状电极270与作为基准电位的大地连接而接地。即，与高频电源273连接的棒状电极和接地的棒状电极交替配置，配置于与高频电源273连接的棒状电极269、271之间的棒状电极270作为接地的棒状电极相对于棒状电极269、271共通地被使用。换言之，接地的棒状电极270以被相邻的且与高频电源273连接的棒状电极269、271夹着的方式配置，构成为棒状电极269和棒状电极270、同样地棒状电极271和棒状电极270分成对，并且生成等离子。也就是，接地的棒状电极270相对于与棒状电极270相邻的两根与高频电源273连接的棒状电极269、271共通地被使用。于是，通过从高频电源273向棒状电极269、271施加高频(RF)电力，在棒状电极269、270间的等离子生成区域224a、棒状电极270、271间的等离子生成区域224b生成等离子。主要由棒状电极269、270、271、电极保护管275构成作为等离子源的等离子生成部(第一等离子生成部、等离子生成装置)。也可以将整合器272、高频电源273包含于等离子源来考虑。如后所述，等离子源作为使气体等离子激励、即激励(活化)成等离子状态的等离子激励部(活化机构)发挥功能。
棒状电极369、370、371分别通过从上部到下部被电极保护管275覆盖而被保护。棒状电极369、370、371中的配置于两端的棒状电极369、371经由整合器372与高频电源373连接，棒状电极370与作为基准电位的大地连接而接地。即，与高频电源373连接的棒状电极和接地的棒状电极交替配置，配置于与高频电源373连接的棒状电极369、371间的棒状电极370作为接地的棒状电极相对于棒状电极369、371共通地被使用。换言之，接地的棒状电极370以被相邻的且与高频电源373连接的棒状电极369、371夹着的方式配置，构成为棒状电极369和棒状电极370、同样地棒状电极371和棒状电极370分别成对，并且生成等离子。也就是，接地的棒状电极370相对于与棒状电极370相邻的两根与高频电源373连接的棒状电极369、371共通地被使用。于是，通过从高频电源373向棒状电极369、371施加高频(RF)电力，在棒状电极369、370间的等离子生成区域324a、棒状电极370、371间的等离子生成区域324b生成等离子。主要由棒状电极369、370、371、电极保护管275构成作为等离子源的等离子生成部(第二等离子生成部、等离子生成装置)。也可以将整合器372、高频电源373包含于等离子源来考虑。如后所述，等离子源作为使气体等离子激励、即激励(活化)成等离子状态的等离子激励部(活化机构)发挥功能。
如图2所示，第一等离子生成部(269、270、271)和第二等离子生成部(369、370、371)设于构成排气部的排气管231的左右。第一等离子生成部和第二等离子生成部隔着通过处理室201的中心和排气管231的直线配置。另外，各缓冲构造300、400分别具备高频电源273、373以及整合器272、372。各个高频电源273、373分别与控制器121连接，能够进行缓冲构造300、400的缓冲室237各自的等离子控制。即，控制器121为了使各缓冲室237各自不会产生活性种量的不均而监视各个等离子生成部的阻抗，对各个高频电源273、373独立地进行控制，在阻抗大的情况下，以使高频电源的电源提高的方式控制。由此，与等离子生成部为一个的情况相比较，即使减小各等离子生成部的高频电力，也能够对晶圆供给充分的量的活性种，能够提高晶圆的面内均匀性。另外，相对于通过一个高频电源对两个等离子生成部进行等离子控制，通过对每个等离子生成部设置高频电源，对于在各等离子生成部发生断线等异常的情况易于掌握。而且，由于易于调整高频电源与各电极间的距离，因此，能够易于控制因各电极与高频电源的距离不同而产生的RF电路施加的差异。此外，也可以构成为，等离子生成部从图2删除整合器372和高频电源373，通过一组整合器272与高频电源373，控制六根棒状电极269、270、271、369、370、371。
电极保护管275构成为，能够将各个棒状电极269、270、271、369、370、371以与缓冲室237内的气氛隔离的状态向缓冲室237内***。若电极保护管275的内部的O2浓度与外部空气(大气)的O2浓度为相同程度，则分别***到电极保护管275内的棒状电极269、270、271、369、370、371因加热器207的热而被氧化。因此，通过在电极保护管275的内部充填有N2气体等惰性气体，或者使用惰性气体净化机构用N2气体等惰性气体对电极保护管275的内部进行净化，能够降低电极保护管275的内部的O2浓度，防止棒状电极269、270、271、369、370、371的氧化。
(排气部)
如图1所示，在反应管203设有排出处理室201内的气氛的作为排气部的排气管231。在排气管231，经由检测处理室201内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245以及作为排气阀(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller)阀244而连接有作为真空排气装置的真空泵246。APC阀244为以如下方式构成的阀：通过在真空泵246工作的状态下对阀进行开闭，能够进行处理室201内的真空排气以及真空排气停止，而且，通过在真空泵246工作的状态下，基于由压力传感器245检测出的压力信息对阀开度进行调节，能够调整处理室201内的压力。主要由排气管231、APC阀244、压力传感器245构成排气***(排气部)。也可以将真空泵246包含于排气***来考虑。排气管231不限定于设置于反应管203的情况，也可以与喷嘴249a、249b、249c同样地设置于歧管209。
在歧管209的下方设有能够气密地闭塞歧管209的下端开口的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219构成为从垂直方向下侧与歧管209的下端抵接。密封盖219例如由SUS等金属构成，形成为圆盘状。在密封盖219的上表面设有与歧管209的下端抵接的作为密封部件的O型环220b。在密封盖219的与处理室201相反的一侧设置有使后述的晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封盖219而与晶舟217连接。旋转机构267构成为通过使晶舟217旋转而使晶圆200旋转。密封盖219构成为通过垂直设置于反应管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115而在垂直方向上升降。晶舟升降机115构成为，通过使密封盖219升降，能够将晶舟217向处理室201内外搬入以及搬出。晶舟升降机115构成为将晶舟217即晶圆200在处理室201内外搬送的搬送装置(搬送机构)。另外，在歧管209的下方设有能够在通过晶舟升降机115使密封盖219下降的期间气密地闭塞歧管209的下端开口的作为炉口盖体的闸门219s。闸门219s例如由SUS等金属构成，形成为圆盘状。在闸门219s的上表面设有与歧管209的下端抵接的作为密封部件的O型环220c。闸门219s的开闭动作(升降动作、转动动作等)由闸门开闭机构115s控制。
(基板支撑件)
如图1所示，作为基板支撑件的晶舟217构成为，将多个、例如25～200个晶圆200以水平姿势且以互相对齐中心的状态在垂直方向上排列而支撑多层，即，空出预定的间隔排列。晶舟217由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟217的下部支撑有多层由例如石英、SiC等耐热性材料构成的隔热板218。
如图2所示，在反应管203的内部设置有作为温度检测器的温度传感器263。基于由温度传感器263检测出的温度信息调整对加热器207的通电情况，从而使处理室201内的温度成为所期望的温度分布。温度传感器263与喷嘴249a、249b、249c同样地沿着反应管203的内壁设置。
(气体整流部件)
使用图3、图4以及图5，对设置于反应管203的内部的气体整流部件50的结构进行说明。图3是气体整流部件50的立体图。图4是用于说明图3所示的气体整流部件50设置于反应管203的状态的示意图，是与图1的A-A线对应的剖视图。图5是用于说明气体整流部件50与积载于晶舟217的晶圆200的关系的反应管部分的示意性的纵剖视图。
气体整流部件50也能够视为设于反应管203内的反应管墙或整流壁。在后述的成膜步骤(S3、S4、S5、S6)中，气体整流部件50为了对反应管203内的反应气体以及原料气体的流动进行整流化而设于反应管203内。
气体整流部件50具备：C字型形状的下侧板部件51；一对分隔部件(分隔板)521、522；以及连结一对分隔部件521、522的上端及下端的圆弧形状的一对连结部件53a、53b，它们均使用透明的石英形成，并通过焊接连结。若由石英构成气体整流部件50，则能够得到如下优点。由于为透明部件，因此不会遮断热线(红外线等具有高热的光线)。热膨胀率、热传导率等特性与反应管203等其它结构物相同，因此，易于控制热带来的影响。能够得到高的耐热性。进一步地，通过在分隔部件521、522与反应管203之间设置空间531、532，能够提高分在隔部件521、522的热线的透射性。即，能够使来自加热器207的热线不衰减地供给至基板200。优选的是，分隔部件521、522的厚度构成为与缓冲构造300的壁的厚度同等。通过构成为这样的厚度，能够控制基板200的来自周向的热线的供给量的不均匀化。此外，分隔部件521也能够称为第一分隔部件，分隔部件522也能够称为第二分隔部件。
一对分隔部件521、522以沿着C字型形状的下侧板部件51的外周的方式设置，且具有分别形成为长度与晶舟217的整体高度大致相等的圆弧形的弯曲板形状的中央分隔部件52a、52b。另外，一对分隔部件521、522与积载于晶舟217晶圆200同心圆状地设置。在分隔部件521的中央分隔部件52a的周向的两端，以与中央分隔部件52a的长度相同的长度设有第一板部件55a和第二板部件56a。第一板部件55a和第二板部件56a构成为，向气体整流部件50的外侧方向(反应管203的内壁方向)延伸，且以与反应管203的内壁不相接的程度位于反应管203内。通过设为不相接的程度，能够在分隔部件521与反应管203的内壁之间形成间隙(空间)。即使各种气体进入分隔部件521与反应管203的内壁之间的空间，也能够从该间隙排出进入的气体，能够抑制反应管203内的气体的滞留。在反应管203内，第一板部件55a设于喷嘴249a侧，第二板部件56a设于喷嘴249b侧。
同样地，在分隔部件522的中央分隔部件52b的圆周方向的两端，以与中央分隔部件52b的长度相同的长度设有第一板部件(也称为第三板部件)55b和第二板部件(也称为第四板部件)56b。第一板部件55b和第二板部件56b构成为，向气体整流部件50的外侧方向(反应管203的内壁方向)延伸，且以与反应管203的内壁不相接的程度位于反应管203内。通过设为不相接的程度，能够在分隔部件522与反应管203的内壁之间形成间隙(空间)。即使各种气体进入分隔部件522与反应管203的内壁之间，也能够从该间隙排出进入的气体，能够抑制反应管203内的气体的滞留。在反应管203内，第一板部件55b设于喷嘴249a侧，第二板部件56b设于喷嘴249c侧。
此外，第一板部件55a和第二板部件56a也可以构成为与反应管203的内壁接触。另外，同样地，第一板部件55b和第二板部件56b也可以构成为与反应管203的内壁接触。通过构成为接触，能够抑制各种气体进入分隔部件521、522与反应管203之间。
中央分隔部件52a、52b(或者第一板部件55a、55b)与一对连结部件53a、53b之间开口，设有开口部57，气体管249a做成为能够以位于开口部57之间的方式设置。另外，中央分隔部件52a、52b(或者第二板部件56a、56b)之间开口，设有开口部58。在反应管203内，开口部58相对于开口部57设于排气管231侧。即，气体整流部件50设于配置作为原料气体供给部的喷嘴249a、和设有作为反应气体供给部的喷嘴249b、249c的缓冲室300、400的位置以外的反应管203内。
开口部57及开口部58设置为：使来自喷嘴249a的原料气体在积载于晶舟217的晶圆200的表面上通过，并从排气管231高效地排出。另外，开口部57及开口部58设置为：使来自喷嘴249b、249c的反应气体在积载于晶舟217的晶圆200的表面上通过，并从排气管231高效地排出。
气体整流部件50的下端部50a和上端部50b均为开放的构造，且形成为原料气体以及反应气体不停滞的构造。分隔部件521、522设于存在积载于晶舟217的晶圆200的区域。气体整流部件50在配置有作为原料气体供给部的喷嘴249a和作为反应气体供给部的缓冲构造300、400(或者缓冲室237)的位置以外以覆盖积载于晶舟217的多个晶圆200的侧面的方式设置。也就是，气体整流部件50的位于下端部50a的分隔部件521、522的下部位于设有隔热板218的区域的上侧，气体整流部件50的位于上端部50b的分隔部件521、522的上部位于积载于晶舟217的晶圆200的上侧。此外，气体整流部件50的位于下端部50a的分隔部件521、522的下部也可以构成为覆盖隔热板218。
气体整流部件50以中央分隔部件52a、52b的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部(边缘部或者侧面部)的间隔(距离)和缓冲构造300、400的内壁(与晶圆200对置的壁面)与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔(距离)大致相同的方式设置于反应管200内。即，在将中央分隔部件52a与晶圆200的外周部的间隔设为d1、将中央分隔部件52b与晶圆200的外周部的间隔设为d2、将缓冲构造300的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔设为d3、将缓冲构造400的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔设为d4的情况下，间隔d1、d2、d3、d4为大致相同的值。间隔d1、d2、d3、d4为恒定的距离。
也就是，第一分隔部件521沿着原料气体供给部(249a)与第一等离子生成部(269、270、271)之间的反应管203的内壁配置于相距基板200的边缘部一定距离(d1)的位置。同样地，第二分隔部件522沿着原料气体供给部(249a)与第二等离子生成部(369、370、371)之间的反应管203的内壁配置于相距基板200的外周部一定距离(d2)的位置。
设于喷嘴249a侧的分隔部件521的第一板部件55a与分隔部件522的第一板部件55b的开度θ(连结基板200的中心与分隔部件521的第一板部件55a的线段和连结基板200的中心与分隔部件522的第一板部件55b的线段形成的角度)构成为10度以上且30度以下。若开度θ超过30度，则导致气体向基板200的周围扩散，导致向基板200的中央的供给量减少。另外，若开度θ不足10度，则导致向基板200的中央的供给量增加，导致向基板200的周围的供给量减少。
通过将气体整流部件50设于反应管203内，由此反应气体以及原料气体的流动被整流化，可高效地进行向积载于晶舟217的晶圆200的反应气体以及原料气体的供给。关于反应气体以及原料气体的流动的整流化，后文进行详细说明。
此外，反应管203设置为圆筒形状，以能够承受减压，通过将气体整流部件50设于反应管203内，能够使构成反应管203的石英或者SiC等耐热性材料的板厚减薄，能够将反应管203做成轻量且易于制作的简单结构。
(控制装置)
接下来，使用图6对控制装置进行说明。如图6所示，作为控制部(控制装置)的控制器121构成为具备CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d构成为能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换。在控制器121连接有构成为例如触控面板等的输入输出装置122。
存储装置121c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等构成。在存储装置121c内可读地存储有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载有后述的基板处理工序的成膜处理的步骤、条件等的工艺配方等。工艺配方是将后述的各种处理(成膜处理)中的各步骤以能够使控制器121执行并得到预定的结果的方式组合而成的，作为程序发挥功能。以下，将工艺配方、控制程序等总称地简称为程序。另外，也将工艺配方简称为配方。本说明书中使用程序这一词时，有时仅包括配方单体、有时仅包括控制程序单体、或者有时包括它们双方。RAM121b构成为临时保存由CPU121a读出的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口121d与上述的MFC241a～241d、阀243a～243d、压力传感器245、APC阀244、真空泵246、加热器207、温度传感器263、整合器272、372、高频电源273、373、旋转机构267、晶舟升降机115、闸门开闭机构115s等连接。
CPU121a构成为：从存储装置121c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置122的操作指令的输入等从存储装置121c读出配方。CPU121a构成为：以按照读出的配方的内容的方式，控制对旋转机构267的控制、MFC241a～241d对各种气体的流量调整动作、阀243a～243d的开闭动作、基于阻抗监视的高频电源273、373的调整动作、APC阀244的开闭动作以及基于压力传感器245的APC阀244的压力调整动作、真空泵246的启动及停止、基于温度传感器263的加热器207的温度调整动作、旋转机构267对晶舟217的正反旋转、旋转角度以及旋转速度调节动作、晶舟升降机115对晶舟217的升降动作等。
控制器121能够通过将存储于外部存储装置(例如、硬盘等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器)123的上述程序安装于计算机而构成。存储装置121c、外部存储装置123构成为计算机可读的存储介质。以下，也将它们总称地简称为存储介质。本说明书中使用存储介质这一词时，有时仅包括存储装置121c单体，有时仅包括外部存储装置123单体，或者有时包括它们双方。此外，对计算机的程序的提供也可以不使用外部存储装置123，而使用互联网、专用线路等通信手段。
(2)基板处理工序
接着，使用基板处理装置，作为半导体装置的制造工序的一工序，对在晶圆200上形成薄膜的工序参照图7及图8进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作由控制器121控制。
在此，对如下例子进行说明，即，将供给作为原料气体的DCS气体的步骤和供给作为反应气体的进行了等离子激励的NH3气体的步骤非同时地、即不同步地进行预定次数(一次以上)，从而在晶圆200上形成作为包含Si以及N的膜的硅氮化膜(SiN膜)。另外，例如，也可以在晶圆200上预先形成有预定的膜。另外，也可以在晶圆200或预定的膜预先形成有预定的图案。
在本说明书中，为了方便，有时也将图8所示的成膜处理的工艺流程如下表示。在以下的其它实施方式的说明中，也使用相同的记载。
Figure BDA0002401598780000161
在本说明书中，在使用“晶圆”这一词时，有时表示晶圆本身，有时表示晶圆与形成于其表面的预定的层或膜的层叠体。在本说明书中使用“晶圆的表面”这一词时，有时表示晶圆本身的表面，有时表示形成于晶圆上的预定的层等的表面。在本说明书中记载为“在晶圆上形成预定的层”时，有时表示在晶圆本身的表面上直接形成预定的层，有时表示在形成于晶圆上的层等之上形成预定的层。在本说明书中使用“基板”这一词时，与使用“晶圆”这一词时同义。
(搬入步骤：S1)
当将多个晶圆200装填于晶舟217(晶圆装料)时，通过闸门开闭机构115s使闸门219s移动，歧管209的下端开口开放(闸门打开)。之后，如图1所示，支撑有多个晶圆200的晶舟217被晶舟升降机115提起而搬入处理室201内(晶舟装载)。在该状态下，密封盖219成为经由O型环220b密封歧管209的下端的状态。
(压力/温度调整步骤：S2)
处理室201的内部、即存在晶圆200的空间被真空泵246真空排气(减压排气)，以成为所期望的压力(真空度)。这时，处理室201内的压力由压力传感器245测定，且基于该测定出的压力信息，对APC阀244进行反馈控制。真空泵246至少在后述的成膜步骤结束为止的期间始终维持工作的状态。
另外，处理室201内的晶圆200被加热器207加热，以成为所期望的温度。这时，基于温度传感器263检测出的温度信息，对向加热器207的通电情况进行反馈控制，以使处理室201内成为所期望的温度分布。加热器207对处理室201内的加热至少在后述的成膜步骤结束为止的期间持续进行。需要说明的是，在室温以下的温度条件下进行成膜步骤的情况下，也可以不进行加热器207对处理室201内的加热。此外，在仅进行这样的温度下的处理时，不需要加热器207，也可以在基板处理装置不设置加热器207。在该情况下，能够简化基板处理装置的结构。
接着，开始基于旋转机构267进行的晶舟217以及晶圆200的旋转。基于旋转机构267进行的晶舟217以及晶圆200的旋转至少在成膜步骤结束为止的期间持续进行。
(成膜步骤：S3、S4、S5、S6)
然后，通过依次执行步骤S3、S4、S5、S6进行成膜步骤。
(原料气体供给步骤：S3、S4)
在步骤S3中，对处理室201内的晶圆200供给DCS气体。
打开阀243a，使DCS气体向气体供给管232a内流动。DCS气体由MFC241a进行流量调整，经由喷嘴249a从气体供给孔250a向处理室201内供给，并从排气管231排出。这时，同时打开阀243c，使N2气体向气体供给管232c内流动。N2气体由MFC241c进行流量调整，与DCS气体一起向处理室201内供给，并从排气管231排排出。
另外，为了抑制DCS气体侵入喷嘴249b、249c内，打开阀243d，使N2气体向气体供给管232d内流动。N2气体经由气体供给管232b、喷嘴249b、249c向处理室201内供给，并从排气管231排出。
由MFC241a控制的DCS气体的供给流量设为例如1sccm以上且6000sccm以下、优选2000sccm以上且3000sccm以下的范围内的流量。由MFC241c、241d控制的N2气体的供给流量分别设为例如100sccm以上且10000sccm以下的范围内的流量。处理室201内的压力设为例如1Pa以上且2666Pa以下、优选665Pa以上且1333Pa以下的范围内的压力。将晶圆200暴露于DCS气体的时间设为例如1秒以上且10秒以下、优选1秒以上且3秒以下的范围内的时间。
加热器207的温度设定为如下温度：使晶圆200的温度成为例如0℃以上且700℃以下、优选室温(25℃)以上且550℃以下、更优选40℃以上且500℃以下的范围内的温度。如本实施方式这样，通过将晶圆200的温度设为700℃以下、进一步地550℃以下、更进一步地500℃以下，能够降低施加于晶圆200的热量，能够良好地进行晶圆200承受的热历史的控制。
通过在上述条件下对晶圆200供给DCS气体，在晶圆200(表面的基础膜)上形成含Si层。含Si层除了Si层之外，还可以含有Cl、H。含Si层在晶圆200的最表面通过DCS物理吸附、DCS的一部分分解而得到的物质化学吸附、因DCS热分解而Si沉积等形成。即，含Si层也可以是DCS、DCS的一部分分解而得到的物质的吸附层(物理吸附层、化学吸附层)，也可以是Si的沉积层(Si层)。
形成含Si层后，关闭阀243a，停止向处理室201内供给DCS气体。此时，APC阀244保持打开，通过真空泵246对处理室201内进行真空排气，从处理室201内排除残留于处理室201内的未反应或者参与了含Si层的形成后的DCS气体、反应副生成物等(S4)。另外，阀243c、243d保持打开，维持向处理室201内供给N2气体。N2气体作为净化气体发挥作用。此外，也可以省略该步骤S4。
作为原料气体，除了DCS气体之外，能够适当使用四烷基二甲基氨基硅烷(Si[N(CH3)2]4、简称：4DMAS)气体、三二甲基氨基硅烷(Si[N(CH3)2]3H、简称：3DMAS)气体、双二甲基氨基硅烷(Si[N(CH3)2]2H2、简称：BDMAS)气体、双二乙基氨基硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2、简称：BDEAS)、双酯丁基氨基硅烷(SiH2[NH(C4H9)]2、简称：BTBAS)气体、二甲基氨基硅烷(DMAS)气体、二乙基氨基硅烷(DEAS)气体、二丙基氨基硅烷(DPAS)气体、二异丙基氨基硅烷(DIPAS)气体、丁基氨基硅烷(BAS)气体、六甲基二硅氮烷(HMDS)气体等各种氨基硅烷原料气体、一氯硅烷(SiH3Cl、简称：MCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3、简称：TCS)气体、四氯硅烷(SiCl4、简称：STC)气体、六氯乙硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8、简称：OCTS)气体等无机类卤硅烷原料气体、甲硅烷(SiH4、简称：MS)气体、乙硅烷(Si2H6、简称：DS)气体、丙硅烷(Si3H8、简称：TS)气体等不含有卤素基的无机类硅烷原料气体。
作为惰性气体，除了N2气体之外，还能够使用Ar气体、He气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。
(反应气体供给步骤：S5、S6)
成膜处理结束后，对处理室201内的晶圆200供给作为反应气体的进行了等离子激励的NH3气体(S5)。
在该步骤中，按照与步骤S3中的阀243a、243c、243d的开闭控制相同的顺序进行阀243b～243d的开闭控制。NH3气体由MFC241b进行流量调整，并经由喷嘴249b、249c向缓冲室237内供给。此时，向棒状电极269、270、271、369、370、371间供给高频电力。供给到缓冲室237内的NH3气体被激励成等离子状态(通过等离子化而活化)，作为活性种(NH3*)向处理室201内供给，并从排气管231排出。
由MFC241b控制的NH3气体的供给流量例如设为100sccm以上且10000sccm以下、优选1000sccm以上且2000sccm以下的范围内的流量。对棒状电极269、270、271、369、370、371施加的高频电力设为例如50W以上且600W以下的范围内的电力。处理室201内的压力设为例如1Pa以上且500Pa以下的范围内的压力。通过使用等离子，即使将处理室201内的压力设为这样的比较低的压力带，也能够使NH3气体活化。对晶圆200供给通过将NH3气体等离子激励而得到的活性种的时间、即气体供给时间(照射时间)设为例如1秒以上且180秒以下、优选1秒以上且60秒以下的范围内的时间。其它处理条件设为与上述的S3相同的处理条件。
通过在上述的条件下对晶圆200供给NH3气体，形成于晶圆200上的含Si层被等离子氮化。这时，通过进行了等离子激励的NH3气体的能量，含Si层具有的Si-Cl结合、Si-H结合切断。断开与Si的结合而得到的Cl、H从含Si层脱离。然后，因Cl等脱离而具有悬挂键(悬空键)的含Si层中的Si与NH3气体含有的N结合，形成Si-N结合。通过该反应进行，含Si层变化(改性)为含有Si以及N的层、即硅氮化层(SiN层)。
此外，为了将含Si层改性为SiN层，需要将NH3气体进行等离子激励而供给。这是因为，即使在非等离子的气氛下供给NH3气体，在上述的温度带下，使含Si层氮化所需的能量也不足，难以使Cl、H从含Si层充分脱离、使含Si层充分氮化而增加Si-N结合。
使含Si层变化为SiN层后，关闭阀243b，停止NH3气体的供给。另外，停止向棒状电极269、270、271、369、370、371间供给高频电力。然后，通过与步骤S4相同的处理顺序、处理条件，将残留于处理室201内的NH3气体、反应副生成物从处理室201内排除(S6)。此外，也可以是省略该步骤S6。
作为氮化剂、即进行等离子激励的含NH3气体，除了NH3气体之外，也可以使用二氮烯(N2H2)气体、肼(N2H4)气体、N3H8气体等。
作为惰性气体，除了N2气体之外，例如能够使用步骤S4所例示的各种稀有气体。
(实施预定次数：S7)
将对于上述的S3、S4、S5、S6按照该顺序非同时地、即不同步地进行作为一个周期，将该周期进行预定次数(n次)、即一次以上(S7)，由此能够在晶圆200上形成预定组成以及预定膜厚的SiN膜。上述的周期优选重复多次。即，优选的是，使每一周期形成的SiN层的厚度比所期望的膜厚小，直至通过层叠SiN层使形成的SiN膜的膜厚成为所期望的膜厚为止，重复多次上述的周期。
(大气压恢复步骤：S8)
在上述成膜处理结束后，从气体供给管232c、232d分别向处理室201内供给作为惰性气体N2气体，并从排气管231排出。由此，处理室201内被惰性气体净化，残留于处理室201内的气体等从处理室201内被除去(惰性气体净化)。之后，处理室201内的气氛被置换为惰性气体(惰性气体置换)，处理室201内的压力恢复为常压(S8)。
(搬出步骤：S9)
之后，通过晶舟升降机115将密封盖219下降，歧管209的下端开口，并且处理完毕的晶圆200在支撑于晶舟217的状态下从歧管209的下端搬出至反应管203的外部(晶圆卸载)(S9)。晶圆卸载后，使闸门219s移动，歧管209的下端开口经由O型环220c被闸门219s密封(闸门关闭)。处理完毕的晶圆200被搬出到反应管203的外部后，从晶舟217取出(晶圆卸料)。此外，晶圆卸料后，也可以向处理室201内搬入空的晶舟217。
(气体整流部件50对原料气体以及反应气体的整流化)
以下，使用图9A～图9D以及图10A～图10D，对气体整流部件50对原料气体以及反应气体的整流化进行说明。图9A～图9D是说明比较例的反应管203内的气体的流动的概念图，是说明气体整流部件50未设于反应管203内的情况下的反应管内的气体的流动的图。图10A～图10D是说明将本实施方式的气体整流部件50设置于反应管203内的情况下的反应管内的气体的流动的概念图。首先，对图9A～图9D的比较例的气体的流动进行说明，之后，对图10A～图10D的本实施方式的气体的流动进行说明。
(比较例的气体的流动)
图9A及图9B表示将原料气体从喷嘴249a的气体供给孔250a向各晶圆200上供给的情况下的原料气体的流动。图9A是表示晶圆200的表面上的原料气体的流动的俯视图，图9B是表示从横向观察积载的晶圆200的情况下的原料气体的流动的局部纵剖视图。
如图9A所示，关于原料气体，有时在晶圆200的表面上，用虚线箭头表示的晶圆200的中心部分附近的气体的流动(供给量)比用实线箭头表示的晶圆200的左右方向的气体的流动(供给量)少。这是因此，反应管203的内壁与晶圆200的外周的间隔(距离)D比缓冲构造300的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔d3、缓冲构造400的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔d4大。即，间隔D为D＞d3、d4，因此，原料气体容易从反应管203的内壁与晶圆200的外周的间隔(距离)D的间隙向反应管203的下方流动。
如图9B所示，原料气体从喷嘴249a的气体供给孔250a向各晶圆200的表面上供给，在各晶圆200的表面上通过，然后，如图9B中下方箭头所示地从反应管203的内壁与晶圆200的外周的间隔(距离)D的间隙向反应管203的下方流动，从排气管231排出。
图9C以及图9D表示将活化的反应气体从缓冲构造300以及400的气体供给口302、304、402、404供给到各晶圆200上供给的情况下的反应气体的流动。图9C是表示晶圆200的表面上的活化的反应气体的流动的俯视图，图9D是表示从横向观察积载的晶圆200的情况下的活化的反应气体的流动的局部纵剖视图。
如图9C所示，关于活化的反应气体，有时在晶圆200的表面上，用虚线箭头表示的晶圆200的中心部分附近的气体的流动(供给量)比用实线箭头表示的晶圆200的左右方向的气体的流动(供给量)少。这是因为，与上述相同地，反应管203的内壁与晶圆200的外周的间隔(距离)D比缓冲构造300的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔d3、缓冲构造400的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔d4大。即，间隔D为D＞d3、d4，因此，活化的反应气体容易从反应管203的内壁与晶圆200的外周的间隔(距离)D的间隙向反应管203的下方流动。另外，如图9D所示，活化的反应气体从缓冲构造300以及400的气体供给口302、304、402、404向各晶圆200的表面上供给，在各晶圆200的表面上通过，然后，如图9D中下方箭头所示地，从反应管203的内壁与晶圆200的外周的间隔(距离)D的间隙向反应管203的下方流动，从排气管231排出。
因此，存在以下情况：在各晶圆200的中心附近的区域中，原料气体的供给量以及活化的反应气体的供给量比各晶圆200的外周附近的区域少，因此，导致形成于各晶圆200的表面的SiN膜等膜厚不均匀。
(本实施方式的气体的流动)
图10A以及图10B表示将原料气体从喷嘴249a的气体供给孔250a供给到各晶圆200上的情况下的原料气体的流动。图10A是表示晶圆200的表面上的原料气体的流动的俯视图，图10B是表示从横向观察积载的晶圆200的情况下的原料气体的流动的局部纵剖视图。
如图10A所示，关于原料气体，在晶圆200的表面上，用虚线箭头表示的晶圆200的左右方向的气体的流动(供给量)比用实线箭头表示的晶圆200的中心附近的气体的流动(供给量)少。这是因为，如利用图4所说明地，中央分隔部件52a与晶圆200的外周部的间隔d1、中央分隔部件52b与晶圆200的外周部的间隔d2、缓冲构造300的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔d3、缓冲构造400的内壁与反应管203内的晶圆200的外周部的间隔d4被设为大致相同的值。
因此，如图10B所示，喷嘴249a的气体供给孔250a经由开口部57向各晶圆200的表面上供给。从喷嘴249a的气体供给孔250a供给到各晶圆200的表面上的原料气体在各晶圆200的中心附近的表面上通过，到达至与喷嘴249a对置的反应管203的内壁的区域、即缓冲构造300与缓冲构造400之间的区域，之后向反应管203的下方流动，从排气管231排出。
图10C以及图10D表示将活化的反应气体从缓冲构造300以及400的气体供给口302、304、402、404供给到各晶圆200上的情况下的反应气体的流动。图10C是表示晶圆200的表面上的活化的反应气体的流动的俯视图，图10D是表示从横向观察积载的晶圆200的情况下的活化的反应气体的流动的局部纵剖视图。
如图10C以及图10D所示，关于活化的反应气体，在晶圆200的表面上，如实线箭头所示地从气体供给口302、304、402、404流向晶圆200的中心部分附近，到达晶圆200的外周区域，之后，流动至分隔部件521、522之间即开口部57的附近。之后，活化的反应气体从开口部57的附近向反应管203的下方流动，并从排气管231排出。这是因此，如利用图4所说明地，间隔d1、d2、d3、d4被设为大致相同的值。
从而，原料气体以及活化的反应气体在各晶圆200的中心附近的区域被整流化而流动，因此，各晶圆200的中心附近的区域的原料气体的供给量以及活化的反应气体的供给量不会不足，而是充分地供给。由此，形成于各晶圆200的表面的SiN膜等的膜厚均匀化。另外，在各晶圆200上产生的反应副生成物也能够高效地从排气管231排出。
(3)本实施方式的效果
根据本实施方式，能够得到以下所示的一个或多个效果。
1)通过在反应管203内设置气体整流部件50，能够将原料气体以及活化的反应气体的流动整流化。由此，原料气体以及活化的反应气体能够高效地供给至各晶圆200上。
2)通过上述1，形成于各晶圆200的表面的膜的膜厚均匀化。
3)在配置作为原料气体供给部的喷嘴249a和作为反应气体供给部的缓冲构造300、400(或者缓冲室237)的位置以外的空间配置气体整流部件50。由此，能够高效地排出原料气体以及反应气体。另外，在各晶圆200上产生的反应副生成物也能够高效地从排气管231排出。
4)作为反应气体供给部的缓冲构造300、400(或者缓冲室237)具有用于将反应气体均匀地供给的缓冲室237，气体整流部件50以使基板200的外周与气体整流部件50的内壁的间隙(d1、d2)和基板200与缓冲室371的间隙(d3、d4)大致相同的方式配置。因此，能够将基板200上的原料气体以及活化的反应气体的流动整流化。另外，原料气体以及活化的反应气体能够高效地供给至各晶圆200上。
5)作为原料气体供给部的喷嘴249a和作为反应气体供给部的缓冲构造300、400(或者缓冲室237)以相对于通过处理室201的中心的中心线位于相反侧的方式设置。气体整流部件50构成为覆盖配置有原料气体供给部和反应气体供给部的位置以外的基板200的侧面。由此，基板200上的原料气体以及反应气体的流动被整流化。另外，原料气体以及反应气体能够高效地排出。
＜本发明的其它实施方式＞
接着，参照图11对本发明的其它实施方式进行说明。在本实施方式中，以下仅对与上述实施方式不同的部分进行说明，相同的部分省略说明。
在本实施方式中，以如下方式改变结构：作为改性气体，将例如氢(H2)气体从喷嘴249c向处理室201内供给。即，喷嘴249c不是与如图2所示的气体供给管232b连接，而是变更为经由其它MFC、以及其它阀与供给氢(H2)气体的其它气体供给管连接的结构。
于是，如图11所示地，将供给作为原料气体的DCS气体的步骤、供给作为反应气体的进行了等离子激励的NH3气体的步骤、供给作为改性气体的进行了等离子激励的H2气体的步骤非同时地、即不同步地进行预定次数(一次以上)，从而在晶圆200上形成作为含有Si以及N的膜的硅氮化膜(SiN膜)。
Figure BDA0002401598780000241
如上所述，即使在将作为反应气体的NH3气体进行等离子激励并从喷嘴249b供给至晶圆后，将H2气体进行等离子激励并供给的情况下，也能够应用本发明，能够得到与上述的实施方式相同的效果。
以上，对本发明的实施方式进行了具体说明。但是，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
在上述实施方式中对缓冲构造为两个的情况进行了说明，但也能够应用于缓冲构造为一个的情况、缓冲构造为三个的情况等缓冲构造为多个的情况，能够得到与上述的实施方式及变形例相同的效果。
另外，在上述实施方式中，对使用三个电极作为等离子生成部的例子进行了说明，但并不限定于此，也能够适用于使用两个、五个或七个等三个以上的奇数个电极的情况。例如在使用五个电极构成等离子生成部的情况下，能够如下构成：将配置于最外位置的两个电极和配置于中央位置的一个电极、合计三个电极与高频电源连接，将以被高频电源夹着的形式配置的两个电极以接地的方式进行连接。
另外，在上述实施方式中，对使高频电源侧的电极的个数比接地侧的电极的个数多，并使接地侧的电极相对于高频电源侧的电极共通的例进行了说明，但是并不限定于此，也可以使接地侧的电极的个数比高频电源侧的电极的个数多，使高频电源侧的电极相对于接地侧的电极共通。需要说明的是，若使接地侧的电极的个数比高频电源侧的电极的个数多，则需要增大施加于高频电源侧的电极的电力，导致产生较多颗粒。因此，更期望设定为使高频电源侧的电极的个数比接地侧的电极的个数多。
另外，在上述实施方式中，对供给原料后供给反应气体的例进行了说明。本发明不限定于这种方式，原料、反应气体的供给顺序也可以颠倒。即，也可以在供给反应气体后供给原料。通过改变供给顺序，可以使形成的膜的膜质、组成比变化。
工业可利用性
如上所述，根据本发明，能够提供可以均匀地处理基板的技术。
符号说明
200—晶圆，201—处理室，237—缓冲室，249—喷嘴，300、400—缓冲构造，302、304、402、404—气体供给口，50—气体整流部件。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其处理基板；
原料气体供给部，其设于上述处理室内并供给原料气体；
反应气体供给部，其设于上述处理室内并供给反应气体；
排气部，其对上述处理室内进行排气；
等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过上述处理室的中心和上述排气部的直线配置，且将上述反应气体通过等离子化而活化；以及
气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第一等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第二等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的外周部一定距离的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
至少在俯视下，上述原料气体供给部和上述排气部设于对置的位置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一分隔部件和上述第二分隔部件分别在与上述处理室的内壁之间具有空间。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述第一分隔部件的两端，朝向上述处理室的内壁方向以与上述处理室的内壁形成间隙的方式设有第一板部件和第二板部件，
在上述第二分隔部件的两端，朝向上述处理室的内壁方向以与上述处理室的内壁形成间隙的方式设有第三板部件和第四板部件。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一分隔部件的上述第一板部件和上述第二分隔部件的上述第三板部件设于上述原料气体供给部侧，连结上述第一板部件和上述基板的中心的线段与连结上述第三板部件和上述基板的中心的线段构成的角度为10度以上且30度以下。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述第一分隔部件与上述第二分隔部件之间设有开口部，上述原料气体经由上述开口部供给至上述基板。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述反应气体经由上述开口部从上述排气部排出。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一等离子生成部设于第一缓冲构造内，上述第二等离子生成部设于第二缓冲构造内，上述基板的边缘部与上述第一缓冲构造的内壁的间隔和上述基板的边缘部与上述第二缓冲构造的内壁的间隔相等。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板的边缘部与上述第一分隔部件的间隔、上述基板的边缘部与上述第二分隔部件的间隔、上述基板的边缘部与上述第一缓冲构造的内壁的间隔、以及上述基板的边缘部与上述第二缓冲构造的内壁的间隔相等。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有如下工序：
将基板搬入基板处理装置的处理室内的工序，其中，上述基板处理装置具有：上述处理室，其处理上述基板；原料气体供给部，其设于上述处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于上述处理室内并供给反应气体；排气部，其对上述处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过上述处理室的中心和上述排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第一等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第二等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的边缘部一定距离的位置；
对上述处理室内的基板供给上述原料气体的工序；
对上述处理室内的基板供给被上述第一等离子生成部以及上述第二等离子生成部进行了等离子化的上述反应气体的工序；以及
从上述处理室内搬出上述基板的工序。
11.一种程序，其特征在于，
通过计算机使上述基板处理装置执行以下步骤：
将基板搬入基板处理装置的处理室内的步骤，其中，上述基板处理装置具有：上述处理室，其处理上述基板；原料气体供给部，其设于上述处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于上述处理室内并供给反应气体；排气部，其对上述处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过上述处理室的中心和上述排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第一等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着上述原料气体供给部与上述第二等离子生成部之间的上述处理室的内壁配置于相距上述基板的边缘部一定距离的位置；
对上述处理室内的基板供给上述原料气体的步骤；
对上述处理室内的基板供给被上述第一等离子生成部以及上述第二等离子生成部进行了等离子化的上述反应气体的步骤；以及
从上述处理室内搬出上述基板的步骤。
CN201880057801.8A 2017-09-22 2018-09-19 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 Active CN111066122B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017183070 2017-09-22
JP2017-183070 2017-09-22
PCT/JP2018/034608 WO2019059224A1 (ja) 2017-09-22 2018-09-19 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111066122A true CN111066122A (zh) 2020-04-24
CN111066122B CN111066122B (zh) 2023-10-24

Family

ID=65811189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880057801.8A Active CN111066122B (zh) 2017-09-22 2018-09-19 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11482415B2 (zh)
JP (1) JP6815527B2 (zh)
KR (1) KR102186964B1 (zh)
CN (1) CN111066122B (zh)
WO (1) WO2019059224A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111554595A (zh) * 2020-05-11 2020-08-18 上海果纳半导体技术有限公司 半导体芯片的制备装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102203745B1 (ko) * 2017-02-23 2021-01-18 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 컴퓨터 프로그램 및 반응관
JP7504004B2 (ja) * 2020-11-13 2024-06-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7290680B2 (ja) * 2021-02-26 2023-06-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222677A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012175077A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法
JP2012178492A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置およびガスノズルならびに基板若しくは半導体デバイスの製造方法
JP2014135475A (ja) * 2012-12-13 2014-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2016106415A (ja) * 2016-01-28 2016-06-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009123950A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010132955A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
TWI520177B (zh) 2010-10-26 2016-02-01 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體
JP5743488B2 (ja) * 2010-10-26 2015-07-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2012175074A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP6022166B2 (ja) * 2011-02-28 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5882509B2 (ja) 2015-02-12 2016-03-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222677A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012175077A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法
JP2012178492A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置およびガスノズルならびに基板若しくは半導体デバイスの製造方法
JP2014135475A (ja) * 2012-12-13 2014-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2016106415A (ja) * 2016-01-28 2016-06-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111554595A (zh) * 2020-05-11 2020-08-18 上海果纳半导体技术有限公司 半导体芯片的制备装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019059224A1 (ja) 2019-03-28
CN111066122B (zh) 2023-10-24
KR20190109484A (ko) 2019-09-25
US20200219717A1 (en) 2020-07-09
US11482415B2 (en) 2022-10-25
KR102186964B1 (ko) 2020-12-04
JPWO2019059224A1 (ja) 2020-07-16
JP6815527B2 (ja) 2021-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7464638B2 (ja) 基板処理装置、プラズマ生成装置、反応管、プラズマ生成方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法およびプログラム
US9508543B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer-readable recording medium
CN110890265B (zh) 基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法
KR102145102B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
CN111066122B (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
CN109314053B (zh) 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及电极固定单元
CN110931386B (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质
JP7113862B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム、および基板処理装置
CN111739779A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
EP4060077A2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program
CN110190008B (zh) 对处理容器内的部件进行清洁的方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
JP7342138B2 (ja) 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法およびプログラム
JP6867548B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN112640061A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序
CN111837223A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序
US11961715B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate retainer and method of manufacturing semiconductor device
CN114250452B (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理方法
WO2022054855A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2021181450A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6731527B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
CN118103960A (zh) 成膜方法、半导体器件的制造方法、成膜装置及程序

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant