JP6912254B2 - 加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
例えば、まず、図1に示す被加工物Wの裏面W2bにエキスパンドシートT1を貼着する。エキスパンドシートT1は、例えば、被加工物Wの外径よりも大きい外径を有する円盤状のシートであり、機械的外力に対する適度な伸縮性を備えている。例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置された被加工物Wの中心と環状フレームF1の開口の中心とが略合致するように、被加工物Wに対して環状フレームF1が位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等により被加工物Wの裏面W2bにエキスパンドシートT1が押し付けられて貼着される。同時に、エキスパンドシートT1の粘着面T1aの外周部を環状フレームF1にも貼着することで、被加工物Wは、エキスパンドシートT1を介して環状フレームF1に支持された状態となり、環状フレームF1を介したハンドリングが可能な状態になる。なお、被加工物Wだけに先にエキスパンドシートT1をプレスローラー等で貼着した後、環状フレームF1に対して被加工物Wを適切に位置付けて、環状フレームF1にエキスパンドシートT1を貼着してもよい。これによって、被加工物Wは環状フレームF1を介したハンドリングが可能な状態になる。なお、被加工物Wの中心は環状フレームF1の開口の中心に略合致した状態になっている。本エキスパンドシート貼着ステップは、後述する溝形成ステップを実施した後に実施するものとしてもよい。
エキスパンドシートT1が貼着された被加工物Wは、図2に示すプラズマエッチング装置9に搬送される。図2に示すプラズマエッチング装置9は、被加工物Wを保持する静電チャック90と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド91と、静電チャック90及びガス噴出ヘッド91を内部に収容したチャンバ92とを備えている。なお、溝形成ステップにおいて使用するプラズマエッチング装置は、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用によりエッチングガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式のエッチング装置であってもよい。
例えば、静電チャック90の内部には、冷却水が通水し循環する図示しない冷却水通水路が形成されており、冷却水通水路には、冷却水供給手段が連通している。冷却水供給手段は冷却水通水路へ冷却水を流入させ、この冷却水により静電チャック90が内部から所定温度に冷却される。また、静電チャック90の保持面90aと保持面90aで保持された被加工物Wとの間には、冷却水による被加工物Wに対する吸熱効率を向上させるために、Heガスなどの熱伝達ガスが所定の圧力で流れるようになっている。
チャンバ92の側部には、被加工物Wの搬入出を行うための搬入出口920と、この搬入出口920を開閉するゲートバルブ921とが設けられている。
まず、ゲートバルブ921を開け、搬入出口920から被加工物Wをチャンバ92内に搬入し、表面W1a側を上に向けて被加工物Wを静電チャック90の保持面90a上に載置する。ゲートバルブ921を閉じ、排気装置97によってチャンバ92内を排気し、チャンバ92内を所定の圧力の密閉空間とする。
後述するプラズマエッチング時及び保護膜堆積時の共通の加工条件として、プラズマエッチング装置9には、例えば以下の加工条件が設定される。
各高周波電源の高周波電力周波数 :13.56MHz
静電チャック90の維持温度 :10℃
静電チャック90と被加工物Wとの間に流すHeガス圧力:2000Pa
上記エッチング時における加工条件の一例は、例えば以下に示す条件となる。
ガス噴出ヘッド91に対する印加電力:2500W
電極901に対する印加電力 :150W
エッチングガスの種類 :SF6
ガス流量 :400sccm
チャンバ92の内部圧力 :25Pa
エッチング時間 :5秒
上記保護膜堆積時における加工条件の一例は、例えば以下に示す条件となる。
ガス噴出ヘッド91に対する印加電力:2500W
電極901に対する印加電力 :50W
ガスの種類 :C4F8
ガス流量 :400sccm
チャンバ92の内部圧力 :25Pa
エッチング時間 :3秒
なお、図3に示す溝M1の底に板状物W1がエッチング残し部分として僅かな厚みで残存した状態となるまで、プラズマエッチングを行ってもよい。
上記のように溝形成ステップを実施した後、溝M1が形成された被加工物WのエキスパンドシートT1を拡張して溝M1に沿って膜W2に外力を付与する拡張ステップを実施する。そして、本実施形態1の拡張ステップにおいては、膜W2を溝M1に沿って分断するものとする。
上記のように実施形態1の拡張ステップを実施した後、エキスパンドシートT1からチップCをピックアップする。例えば、エキスパンドシートT1が紫外線照射によって粘着力が低下するタイプの場合には、エキスパンドシートT1からチップCをピックアップする前に、図6に示すエキスパンドシートT1に紫外線を照射して粘着面T1aの粘着力を低下させる。次いで、エキスパンドシートT1を介して環状フレームF1に支持された状態のチップCが、例えば、図7に示すピックアップ装置8に搬送される。ピックアップ装置8は、挟持クランプ等で環状フレームF(図7においては不図示)を固定し、Z軸方向に昇降可能なニードル80で、チップCを下側からエキスパンドシートT1を介して突き上げ、チップCがエキスパンドシートT1から浮き上がったところを吸引パッド81で吸引保持してチップCをピックアップする。
(2)溝形成ステップを実施した後に、上記(3−1)実施形態1の拡張ステップではなく、本実施形態2の拡張ステップを実施するものとしてもよい。本実施形態2の拡張ステップにおいては、膜W2に対して溝M1に沿った分断起点を形成する。
上記のように実施形態2の拡張ステップを実施した後、膜W2を溝M1に沿って分断起点W2dを起点に分断してエキスパンドシートT1からチップをピックアップする実施形態2のピックアップステップを実施する。
T1:エキスパンドシート T1a:エキスパンドシートの粘着面 F1:環状フレーム M1:溝
9:プラズマエッチング装置
90:静電チャック 90a:静電チャックの保持面 900:支持部材 901:電極
91:ガス噴出ヘッド 910:ガス拡散空間 911:ガス導入口
912:ガス吐出口
92:チャンバ 920:搬入出口 921:ゲートバルブ
93:ガス供給部 94,94a:整合器 95,95a:高周波電源,バイアス高周波電源 96:排気口 97:排気装置 R:レジスト膜
5:エキスパンド装置 50:環状テーブル 50a:環状テーブルの保持面 50c:環状テーブルの開口 52:固定クランプ 53:拡張ドラム
55:環状テーブル昇降手段 550:シリンダチューブ 551:ピストンロッド
8:ピックアップ装置 80:ニードル 81:吸引パッド
Claims (3)
- 板状物の裏面に膜が成膜されるとともに交差する複数の分断予定ラインが表面に設定された被加工物を該分断予定ラインに沿って分断して複数のチップを形成する加工方法であって、
被加工物の表面から該分断予定ラインに沿って先細りの断面V形状を有した溝を、ドライエッチングと溝側壁に対する保護膜堆積と交互に繰り返すとともに、該ドライエッチングと該保護膜堆積との処理時間を切り替えるタイミングを変えて該溝の側壁の傾きを変化させていくことで形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施する前または後に被加工物の裏面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、
該エキスパンドシート貼着ステップと該溝形成ステップとを実施した後、該エキスパンドシートを拡張して該溝に沿って該膜に外力を付与する拡張ステップと、
該拡張ステップを実施した後、該エキスパンドシートからチップをピックアップするピックアップステップと、を備えた加工方法。 - 前記拡張ステップでは前記膜を前記溝に沿って分断する、請求項1に記載の加工方法。
- 前記拡張ステップでは前記膜に対して前記溝に沿った分断起点を形成し、
前記ピックアップステップで該膜を該溝に沿って分断する、請求項1に記載の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017075105A JP6912254B2 (ja) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017075105A JP6912254B2 (ja) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018181930A JP2018181930A (ja) | 2018-11-15 |
JP6912254B2 true JP6912254B2 (ja) | 2021-08-04 |
Family
ID=64277083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017075105A Active JP6912254B2 (ja) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6912254B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101176431B1 (ko) * | 2007-10-09 | 2012-08-30 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착 필름이 부착된 반도체칩의 제조 방법, 이 제조 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5354149B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-11-27 | 株式会社東京精密 | エキスパンド方法 |
JP2011035245A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状ワークの分割方法 |
JP6506606B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP6576735B2 (ja) * | 2015-08-19 | 2019-09-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
-
2017
- 2017-04-05 JP JP2017075105A patent/JP6912254B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018181930A (ja) | 2018-11-15 |
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Legal Events
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