JP6811619B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
例えば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板を、ほぼ水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の上面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。
乾燥処理としては、回転状態にある基板の表面に、水よりも表面張力の低い、イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol:IPA)等の有機溶剤(低表面張力液)の蒸気を供給する手法が知られている。例えば、ロタゴニ乾燥はこの手法の一つの例である(特許文献1参照)。
そして、液膜除去領域と、液膜の、液膜除去領域と隣接する縁部との境界(以下、「液膜境界」という)を、基板中央部から基板の周縁まで移動させることで液膜除去領域を拡大させて、液膜除去領域を基板の上面の全域に広げる。これにより、基板の上面を乾燥させることができる。
そこで、この発明の目的は、パターンの倒壊を効果的に抑制しながら、基板の上面を乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
また、液膜のバルク部分が、基板の下面の略全面に供給した冷却流体によって、低表面張力液の沸点未満の温度に冷却された状態で、基板の上面の液膜除去領域が、基板の下面の、上記液膜除去領域に対応する位置に吹き付けた加熱流体によって、低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、基板を通した熱伝導によって、液膜除去領域と隣接する液膜の縁部の温度が上昇して、当該液膜の縁部と液膜のバルク部分との間に温度差が生じる。
また、基板の上面の液膜除去領域が、基板の下面側から低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜の縁部のうち液膜除去領域に隣接する基板の上面と直接に接する固液界面部分で、低表面張力液が高濃度で溶け込んだ処理液の蒸発が促進されるため、液膜の縁部において処理液が上方へとせり上がるような挙動を示して、液膜境界における処理液の液面と基板の上面とがなす接触角が大きくなる。
さらに、基板の上面の液膜除去領域が低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜除去領域に低表面張力液が結露するのが抑制される。そのため、液膜除去領域に、結露によって、パターンの高さよりも厚い低表面張力液の液膜が形成されてパターンが倒壊するのを抑制することもできる。
請求項2に記載の発明は、前記液膜除去領域形成工程、前記液膜除去領域拡大工程、前記蒸気供給工程、前記冷却加熱工程、および前記加熱範囲拡大工程に並行して、前記基板を、鉛直な所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転工程をさらに含み、前記液膜除去領域形成工程ないし前記液膜除去領域拡大工程では、前記基板回転工程を実行して前記基板を回転させながら、前記気体を、前記基板の上面の回転中心付近に吹き付けることによって、当該基板の上面の、前記回転中心を含む領域に、前記液膜除去領域を略円形に形成するとともに、前記気体を吹き付ける位置を、前記回転中心から径方向外方に移動させることによって、前記液膜除去領域を拡大させ、前記冷却加熱工程ないし前記加熱範囲拡大工程では、前記基板回転工程を実行して前記基板を回転させながら、当該基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する、前記回転中心を含む範囲を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱するとともに、当該加熱の範囲を、前記気体の吹き付け位置の移動による液膜除去領域の拡大に同期させて、前記回転中心から径方向外方に移動させて拡大させる、請求項1に記載の基板処理方法である。
したがって、この方法によれば、パターンの倒壊をさらに効果的に抑制しながら、基板の上面をより一層効率よく乾燥させることができる。
また、基板の上面の液膜を基板の下面に供給した冷却流体によって低表面張力液の沸点未満の温度に冷却しながら、当該基板の下面に、低表面張力液の沸点以上の温度に加熱した加熱流体を、基板の下面の全幅に亘る薄層状として、上記液膜除去領域の拡大による、液膜と液膜除去領域との境界の移動に同期させて、吹き付け位置を移動させながら吹き付けることによって、上記冷却流体を選択的に排除して、当該冷却流体を除去した範囲に対応する基板の上面の液膜除去領域を効率的に、低表面張力液の沸点以上の温度に加熱できる。
処理液および低表面張力液としては、請求項5に記載したように、水を含む処理液と、水よりも表面張力の低い有機溶剤を含む低表面張力液とを組み合わせるのが好ましい。
前記の目的を達成するための請求項6に記載の発明は、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットで水平に保持した基板を、当該基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転ユニットと、処理液を、前記基板の上面に供給するための処理液供給ユニットと、前記基板に、前記基板の上面側から、前記処理液よりも表面張力の低い低表面張力液の蒸気を含む気体を供給するための気体供給ユニットと、前記基板の下面に冷却流体を供給するための冷却流体供給ユニットを含み、前記冷却流体供給ユニットから冷却流体を供給することで、前記基板の下面側から、前記基板を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却するための冷却ユニットと、前記基板の下面に加熱流体を吹き付けるための加熱流体吹付ユニットを含み、前記加熱流体吹付ユニットから加熱流体を吹き付けることで、前記基板の下面側から、前記基板を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱するための加熱ユニットと、前記基板保持ユニット、前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記気体供給ユニット、前記冷却ユニット、および前記加熱ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置は、前記基板を水平に保持する基板保持工程と、前記基板の上面に前記処理液を供給して液膜を形成する液膜形成工程と、前記基板の上面の回転中心付近に、前記液膜の一部から前記処理液が除去された液膜除去領域を形成する液膜除去領域形成工程と、前記液膜除去領域を、前記回転中心から径方向外方に拡大させる液膜除去領域拡大工程と、前記液膜除去領域拡大工程に並行して、前記液膜除去領域と隣接する前記液膜の内周側の縁部に、前記基板の上面側から、前記低表面張力液の蒸気を含む気体を供給する蒸気供給工程と、前記基板の下面の略全面に冷却流体を供給して、前記液膜を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却する冷却工程と、前記基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する位置に、加熱流体を吹き付けて、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する加熱工程とを含み、前記液膜除去領域拡大工程に並行して、前記基板の下面側から、前記基板上の前記液膜のうち前記縁部を除く部分を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却しながら、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する冷却加熱工程と、前記基板の下面側から前記液膜除去領域を加熱する範囲を、前記液膜除去領域の拡大に同期させて拡大させる加熱範囲拡大工程と、前記液膜除去領域形成工程、前記液膜除去領域拡大工程、前記蒸気供給工程、前記冷却加熱工程、および前記加熱範囲拡大工程に並行して、前記基板を、前記回転軸線まわりに回転させる基板回転工程とを実行する、基板処理装置である。
また、液膜のバルク部分が、基板の下面の略全面に供給した冷却流体によって、低表面張力液の沸点未満の温度に冷却された状態で、基板の上面の液膜除去領域が、基板の下面の、上記液膜除去領域に対応する位置に吹き付けた加熱流体によって、低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、基板を通した熱伝導によって、液膜除去領域と隣接する液膜の縁部の温度が上昇して、当該液膜の縁部と液膜のバルク部分との間に温度差が生じる。
また、基板の上面の液膜除去領域が、基板の下面側から低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜の縁部のうち液膜除去領域に隣接する基板の上面と直接に接する固液界面部分で、低表面張力液が高濃度で溶け込んだ処理液の蒸発が促進されるため、液膜の縁部において処理液が上方へとせり上がるような挙動を示して、液膜境界における処理液の液面と基板の上面とがなす接触角が大きくなる。
さらに、基板の上面の液膜除去領域が低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜除去領域に低表面張力液が結露するのが抑制される。そのため、液膜除去領域に、結露によって、パターンの高さよりも厚い低表面張力液の液膜が形成されてパターンが倒壊するのを抑制することもできる。
請求項7に記載の発明は、前記基板の下面の、前記加熱流体吹付ユニットからの前記加熱流体の吹き付け位置を移動させるための移動ユニットをさらに含み、前記制御装置は、前記基板の下面の、前記加熱流体の吹き付け位置を、前記液膜除去領域の拡大による、前記液膜と前記液膜除去領域との境界の移動に同期させて移動させる吹き付け位置移動工程を、前記加熱範囲拡大工程として実行する、請求項6に記載の基板処理装置である。
また、液膜のバルク部分が低表面張力液の沸点未満の温度に冷却された状態で、基板の上面の液膜除去領域が低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、基板を通した熱伝導によって、液膜除去領域と隣接する液膜の縁部の温度が上昇して、当該液膜の縁部と液膜のバルク部分との間に温度差が生じる。
また、基板の上面の液膜除去領域が、基板の下面側から低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜の縁部のうち液膜除去領域に隣接する基板の上面と直接に接する固液界面部分で、低表面張力液が高濃度で溶け込んだ処理液の蒸発が促進さるため、液膜の縁部において処理液が上方へとせり上がるような挙動を示して、液膜境界における処理液の液面と基板の上面とがなす接触角が大きくなる。
さらに、基板の上面の液膜除去領域が低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜除去領域に低表面張力液が結露するのが抑制される。そのため、液膜除去領域に、結露によって、パターンの高さよりも厚い低表面張力液の液膜が形成されてパターンが倒壊するのを抑制することもできる。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、例えば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック4を含む。処理ユニット2は、スピンチャック4に保持された基板Wの上面にフッ酸等の薬液を供給する薬液供給ノズル5と、スピンチャック4に保持された基板Wの上面に水を含む処理液を供給する処理液供給ノズル6とをさらに含む。処理液供給ノズル6は、水を含む処理液を供給する処理液供給ユニットの一例である。
処理液供給ノズル6は、第2のノズル移動機構14によって、例えば、水平方向(回転軸線A1に垂直な方向)に移動される。処理液供給ノズル6は、水平方向への移動によって、基板Wの上面の回転中心位置に対向する中央位置と、基板Wの上面に対向しない退避位置との間で移動させることができる。処理液供給ノズル6には、処理液供給管15が接続されている。処理液供給管15には、その流路を開閉する処理液バルブ16が介装されている。
処理ユニット2は、スピンチャック4に保持された基板Wの上方で移動可能な気体供給ノズル17をさらに含む。気体供給ノズル17は、チャックピン7およびスピンベース8に保持された基板Wに、基板Wの上面側から、水よりも表面張力の低い低表面張力液の蒸気を含む気体を吹き付けて供給する気体供給ユニットの一例である。
気体供給ノズル17には、気体供給管19が接続されている。気体供給管19には、その流路を開閉する気体バルブ20が介装されている。
冷却液供給ノズル21は、基板Wの下面の略全面に冷却液を供給することによって基板の上面の液膜を冷却する。冷却液供給ノズル21は、回転軸9を挿通しており、基板Wの裏面の中心に臨む吐出口21aを上端に有している。
加熱気体吹付ノズル24は、第4のノズル移動機構25によって、水平方向(回転軸線A1に垂直な方向)に移動される。加熱気体吹付ノズル24は、水平方向への移動によって、基板Wの下面の回転中心位置に対向する中央位置と、基板Wの下面の周縁部に対抗する周縁位置との間で移動させることができる。加熱気体吹付ノズル24が中央位置に位置するときには、基板Wの下面の回転中心位置に加熱気体が吹き付けられる。一方、加熱気体吹付ノズル24が周縁位置に位置するときには、基板Wの下面の周縁部に加熱気体が吹き付けられる。
実施形態では、アーム駆動機構はスピンチャック4の下方に設置される。回動軸は回転軸9を挿通しており、ノズルアームおよび加熱気体吹付ノズル24はスピンベース8の上方で、かつ、チャックピン7およびスピンベース8によって保持された基板Wの下方に設置される。アーム駆動機構は、基板Wの回転方向に交差する方向(例えば、基板Wの径方向)にノズルアームを進退させることによって、ノズルアームを水平移動させる。ノズルアームの水平移動に応じて、加熱気体吹付ノズル24が水平方向に移動する。また、第4のノズル移動機構25は、加熱気体吹付ノズル24を水平移動させる構成に加えて、加熱気体吹付ノズル24を鉛直方向に移動させる機構をさらに備えていてもよい。
基板処理装置1は、制御装置3を含む。制御装置3は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御装置3は、プロセッサ(CPU)3Aと、制御プログラムが格納されたメモリ3Bとを含み、プロセッサ3Aが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御装置3は、スピンモータ10、第1のノズル移動機構11、第2のノズル移動機構14、第3のノズル移動機構18、第4のノズル移動機構25、バルブ類13,16,20,23,27を制御するようにプログラムされている。
処理ユニット2による基板処理では、まず、薬液処理工程が実行される(ステップS1)。薬液処理工程では、まず、制御装置3は、スピンモータ10を駆動してスピンベース8を回転させて基板Wの回転を開始する。薬液処理工程では、スピンベース8は、所定の薬液回転速度で回転される。薬液回転速度は、例えば、800rpm〜1000rpmである。
具体的には、制御装置3は、薬液バルブ13を閉じて薬液供給ノズル5からの薬液の供給を停止させる。そして、制御装置3は、薬液供給ノズル5を退避位置へ移動させる。
そして、制御装置3は、第2のノズル移動機構14を制御して処理液供給ノズル6を基板Wの上方のリンス処理位置に配置する。リンス処理位置は、例えば、処理液供給ノズル6から吐出される処理液が基板Wの上面の回転中心位置に着液する位置である。
リンス処理工程では、制御装置3は、スピンモータ10を制御してスピンベース8を所定の処理液回転速度で回転させる。処理液回転速度は、例えば、800rpm〜1200rpmである。
そして、一定時間のリンス処理の後、基板Wの上面上から液膜を排除するための乾燥処理工程が実行される(ステップS3)。乾燥処理工程を実行することで処理ユニット2による基板処理が終了する。
図5は、処理ユニット2による乾燥処理の一例を説明するための流れ図である。図6A〜図6Dは、乾燥処理の一例の様子を説明するための図解的な断面図である。
乾燥処理工程では、まず、制御装置3は、処理液バルブ16を閉じて処理液供給ノズル6からの処理液の供給を停止させる。そして、制御装置3は、処理液供給ノズル6を退避位置へ移動させる。
そして、図6B〜図6Dに示すように、基板Wの上面の回転中心位置に低表面張力液の蒸気を含む気体を吹き付けることによって基板Wの上面の回転中心を含む領域に略円形の液膜除去領域31を形成する液膜除去領域形成工程と、形成した液膜除去領域31を径方向外方に拡大させる液膜除去領域拡大工程とが実行される。
また、制御装置3は、第4のノズル移動機構25を制御して加熱気体吹付ノズル24を基板Wの下方の加熱気体吹き付け開始位置に配置する(ステップT4)。加熱気体吹き付け開始位置は、例えば、加熱気体吹付ノズル24から吐出される加熱気体が基板Wの下面の回転中心位置に到達する位置である。
そして、制御装置3は、気体バルブ20を開くことによって、回転状態の基板Wの上面の回転中心位置に向けて、気体供給ノズル17から低表面張力液の蒸気を含む気体の供給を開始する(ステップT5)。気体供給ノズル17から液膜30に向けて気体を吹き付けると、液膜30を形成する処理液が、気体の吹き付けによって基板Wの上面の回転中心位置から径方向外方向へ押しやられ、基板Wの回転による遠心力の働きも加わって、基板Wの上面の回転中心を含む領域に、図6Bに示すように、液膜除去領域31が略円形に形成される(液膜除去領域形成工程)。
そして、制御装置3は、気体供給ノズル17からの低表面張力液の蒸気を含む気体の吹き付けを継続しながら、第3のノズル移動機構18を制御して気体供給ノズル17を気体供給開始位置(回転中心位置)から基板Wの径方向外方に所定の速度で移動させる(ステップT7)。気体供給ノズル17を径方向外方へ移動させると、気体供給ノズル17から基板Wの上面に気体を吹き付ける位置が回転中心から径方向外方に移動し、この移動に伴って、液膜除去領域31を囲む液膜30の液膜境界32を形成する処理液がさらに径方向外方へ押し出される。そのため、基板Wの回転による遠心力の働きも加わって、液膜除去領域31が径方向外方に拡大される(液膜除去領域拡大工程)。
一般に、液膜30の縁部30aは、液膜30のバルク部分30bと一体の厚膜部30cと、当該厚膜部30cが液膜除去領域31の拡大に伴って移動(図の例では左方向に移動)する際に、厚膜部30cの移動方向の後端である液膜境界32より後方に生じる薄膜部30dとを含む。薄膜部30dは、液膜30を構成する処理液の一部が、基板Wとの濡れ性に基づいて基板Wの表面に残されたり、気体供給ノズルから供給された気体中に含まれる低表面張力液が結露したりして発生する。
乾燥処理のうち、液膜除去領域拡大工程および加熱範囲拡大工程においては、基板W上の液膜30の、縁部30aの周囲が気体供給ノズル17から供給された気体の雰囲気とされることにより、当該気体中に含まれる低表面張力液(IPA)が、主に液膜30の縁部30aで、図中に白抜きの矢印で示すように処理液中に溶け込む。そのため、液膜30の縁部30aとバルク部分30bとの間に低表面張力液の濃度差、すなわち表面張力差が生じる。詳細には、低表面張力液の濃度は、液膜30の縁部30aのうち薄膜部30dにおいて最も高く、続く厚膜部30cからバルク部分30bにかけて徐々に低くなる濃度分布を示す。
また、基板Wの上面の液膜除去領域31の全面が、基板Wの下面側から低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、液膜30の縁部30aのうち液膜除去領域31に隣接する基板Wの上面と直接に接する薄膜部30d、ならびに厚膜部30cのうち薄膜部30dおよび基板Wの上面と直接に接する固液界面部分で、低表面張力液が高濃度で溶け込んで沸点が低下した処理液の蒸発が促進される。そのため、固液界面部分における蒸発作用により、液膜30の縁部30aのうち厚膜部30cにおいて、処理液が、図中に実線の矢印で示すように上方へとせり上がるような挙動を示す。
そのため、マランゴニ効果による液膜30の収縮作用と、固液界面部分における蒸発作用と、基板Wの回転による遠心力の働きとが相まって、液膜境界32における処理液の液面と基板Wの上面とがなす接触角θをより一層大きくできる。
さらに、基板Wの上面の液膜除去領域31の全面が低表面張力液の沸点以上の温度に加熱されることにより、当該液膜除去領域31に隣接する基板Wの上面と直接に接触する薄膜部30dにおいて処理液の蒸発が促進されるとともに、当該薄膜部30dに低表面張力液が結露するのが抑制される。
したがって、パターンPの倒壊を効果的に抑制しながら、基板Wの上面を乾燥させることができる。
なお、液膜除去領域拡大工程および加熱範囲拡大工程では、例えば、図7Bに示すように、基板Wの下面の、加熱気体の吹き付けにより冷却液29を排除して加熱する範囲33を、縁部30aと隣接する液膜30のバルク部30bまで拡げるとともに、加熱気体の吹き付けによる範囲33の拡大を、基板Wの上面の、液膜除去領域31の拡大に伴う液膜30の縁部30aの移動に先行させてもよい。
しかも、加熱気体の吹き付けによる範囲33の拡大と、液膜除去領域31の拡大に伴う液膜30の縁部30aの移動とが完全に一致するように、ノズル移動機構18、25を制御するのは、環境温度等の影響によって容易でない場合がある。
ただし、範囲33の拡大が、液膜30の縁部30aの移動より遅れる場合には、上述したメカニズムが正常に機能しない場合を生じるため、範囲33の拡大を、液膜30の縁部30aの移動より遅らせる場合は、本発明に含まないこととする。
冷却加熱ブロック34は、基板Wの下面に冷却流体を吹き付けるための冷却流体吹付ノズル35と、基板Wの下面に加熱流体を吹き付けるための加熱流体吹付ノズル36と、両ノズル35、36間を仕切るガード37とを一体で移動可能としたものである。冷却流体吹付ノズル35は、ガード37より基板Wの径方向外方に設置され、加熱流体吹付ノズル36は、ガード37より基板Wの径方内方に設置されている。
冷却流体吹付ノズル35には、回転軸9を挿通して冷却流体供給管38が接続されている。冷却流体供給管38には、その流路を開閉する冷却流体バルブ39が介装されている。冷却流体の一例としては、例えば、1℃〜10℃の冷水が挙げられる。しかし、冷却流体は、冷水に限らず、基板Wを冷却することができ、かつ、基板Wおよびパターンと化学反応しない液体、もしくは基板Wおよびパターンに対して不活性なガスを用いることができる。より具体的には、冷水、室温以下の不活性ガス(N2など)を冷却流体として用いることができる。
加熱流体吹付ノズル36には、回転軸9を挿通して加熱流体供給管40が接続されている。加熱流体供給管40には、その流路を開閉する加熱流体バルブ41が介装されている。加熱流体の一例としては、例えば、低表面張力液の沸点以上の温水が挙げられる。であればよい。例えば、低表面張力液がIPAである場合、加熱流体の温度は80℃〜95℃が好ましい。しかし、加熱流体は、温水に限らず、基板Wを加熱することができ、かつ、基板Wおよびパターンと化学反応しない液体、もしくは基板Wおよびパターンに対して不活性なガスを用いることができる。より具体的には、温水、窒素ガス、アルゴン等の希ガス類であってもよい。
ガード37としては、仕切り板が挙げられる。しかし、ガード37は、仕切り板に限らず、基板Wの下面に冷却流体と加熱流体の中間の温度の流体を吹き付けるノズルであってもよい。ガード37を設けることにより、冷却流体と加熱流体が基板Wの下面で混ざり合うのを抑制して、基板Wの上面の液膜30のうちバルク部分を低表面張力液の沸点未満の温度に冷却しながら、液膜除去領域31の全面を低表面張力液の沸点以上の温度に加熱できる。
アーム駆動機構はスピンチャック4の下方に設置される。回動軸は回転軸9を挿通しており、ノズルアームおよび冷却加熱ブロック34はスピンベース8の上方で、かつ、チャックピン7およびスピンベース8によって保持された基板Wの下方に設置される。アーム駆動機構は、基板Wの回転方向に交差する方向(例えば、基板Wの径方向)にノズルアームを進退させることによって、ノズルアームを水平移動させる。ノズルアームの水平移動に応じて、冷却加熱ブロック34が水平方向に移動する。また、ブロック移動機構42は、冷却加熱ブロック34を水平移動させる構成に加えて、冷却加熱ブロック34を鉛直方向に移動させる機構をさらに備えていてもよい。
そして、冷却流体吹付ノズル35からの冷却流体の吹き付けおよび加熱流体吹付ノズル36からの加熱流体の吹き付けを継続しながら、ブロック移動機構42を制御して冷却加熱ブロック34を基板Wの径方向外方に所定の速度で、液膜除去領域31の拡大に伴う液膜境界32の移動に同期させて移動させる。
このリンク機構の機能により、気体吹付ノズル43から基板Wの上面に吹き付けられる気体の薄層(エアナイフ)を、気体吹付ノズル43の移動方向と一定の角度、例えば、90°で交差させた状態を維持しながら、基板Wの上面の一端部から他端部方向へ移動させることができる。
処理ユニット2は、スピンチャック4に保持された基板Wの下方で移動可能な加熱気体吹付ノズル47をさらに含む。加熱気体吹付ノズル47は、ライン状に配列された複数のノズル穴、もしくはスリット状のノズル穴を備え、当該ノズル穴から、チャックピン7およびスピンベース8に保持された基板Wの下面に、加熱流体としての加熱気体を、記基板Wの下面の全幅、例えば、円形の基板Wの場合は、当該基板Wの直径に亘る、薄層状(エアナイフ状)として吹き付ける加熱流体吹付ユニットの一例である
アーム駆動機構は、基板Wの回転方向に交差する方向(例えば、基板Wの径方向)にノズルアームを進退させることによって、ノズルアームを水平移動させる。ノズルアームの水平移動に応じて、加熱気体吹付ノズル47が水平方向に移動する。
このリンク機構の機能により、加熱気体吹付ノズル47から基板Wの下面に吹き付けられる加熱気体の薄層(エアナイフ)を、気体吹付ノズル43から基板Wの上面に吹き付けられる気体の薄層(エアナイフ)と平行に維持しながら、基板Wの下面の一端部から他端部方向へ移動させることができる。
図10は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するブロック図である。
基板処理装置1は、制御装置3を含む。制御装置3は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御装置3は、プロセッサ(CPU)3Aと、制御プログラムが格納されたメモリ3Bとを含み、プロセッサ3Aが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御装置3は、スピンモータ10、第1のノズル移動機構11、第2のノズル移動機構14、第3のノズル移動機構44、第4のノズル移動機構48、バルブ類13,16,23,46,50を制御するようにプログラムされている。
図11は、処理ユニット2による乾燥処理の一例を説明するための流れ図である。図12A〜図12Dは、乾燥処理の一例の様子を説明するための図解的な断面図である。
乾燥処理工程では、まず、制御装置3は、処理液バルブ16を閉じて処理液供給ノズル6からの処理液の供給を停止させる。そして、制御装置3は、処理液供給ノズル6を退避位置へ移動させる。
そして、制御装置3は、スピンモータ10を制御してスピンベース8の回転を停止させる(ステップT3)。
そして、図12B〜図12Dに示すように、基板Wの上面の一端部に低表面張力液の蒸気を含む気体を薄層状に吹き付けることによって、基板Wの上面の一端部を含む領域に液膜除去領域31を形成する液膜除去領域形成工程と、形成した液膜除去領域31を基板Wの他端部方向に拡大させる液膜除去領域拡大工程とが実行される。
また、制御装置3は、第4のノズル移動機構48を制御して加熱気体吹付ノズル47を基板Wの下方の加熱気体吹き付け開始位置に配置する(ステップT5)。加熱気体吹き付け開始位置は、例えば、加熱気体吹付ノズル47から吐出される加熱気体が、上記基板Wの上面の一端部に対応する、基板Wの下面の一端部に到達する位置である。
具体的には、多数の吐出口を、基板Wの下面に近接させて、かつ基板Wの径方向に沿うように配置する。基板Wの下面中心部に対向する吐出口から加熱気体を吐出することにより、基板Wの下面中心部を加熱する。そして、加熱気体を吐出する吐出口を径方向に順に増やすことにより、加熱範囲を径方向が違法へ拡大させることができる。
さらには、基板Wの下面を液密構造とし、まず冷却流体を充填して基板Wの略全面を低表面張力液の沸点未満の温度に冷却し、次いで、例えば、基板Wの下面の周縁から冷却流体を排出させながら、基板Wの回転中心から、基板Wの下面に加熱流体を注入することによって、加熱範囲を径方向外方へ拡大させてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で、種々の設計変更を施すことが可能である。
2 処理ユニット
3 制御装置
4 スピンチャック(基板保持ユニット)
5 薬液供給ノズル(処理液供給ユニット)
6 処理液供給ノズル(処理液供給ユニット)
8 スピンベース(基板保持ユニット)
10 スピンモータ(基板回転ユニット)
17 気体供給ノズル(気体供給ユニット)
21 冷却液供給ノズル(冷却流体供給ユニット)
24 加熱気体吹付ノズル(加熱流体吹付ユニット)
25 ノズル移動機構(移動ユニット)
29 冷却液
30 液膜
30a 縁部
31 液膜除去領域
32 液膜境界
33 範囲
34 冷却加熱ブロック
35 冷却流体吹付ノズル(冷却ユニット)
36 加熱流体吹付ノズル(加熱ユニット)
43 気体吹付ノズル(気体供給ユニット)
44 ノズル移動機構(上面移動ユニット)
47 加熱気体吹付ノズル(加熱流体吹付ユニット)
48 ノズル移動機構(下面移動ユニット)
A1 回転軸線
W 基板
Claims (8)
- 基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記基板の上面に処理液を供給して、当該基板の上面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記基板の上面に、前記液膜の一部から前記処理液が除去された液膜除去領域を形成する液膜除去領域形成工程と、
形成した前記液膜除去領域を拡大させる液膜除去領域拡大工程と、
前記液膜除去領域拡大工程に並行して、前記液膜除去領域と隣接する前記液膜の縁部に、前記基板の上面側から、前記処理液よりも表面張力の低い低表面張力液の蒸気を含む気体を供給する蒸気供給工程と、
前記基板の下面の略全面に冷却流体を供給して、前記液膜を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却する冷却工程と、前記基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する位置に、加熱流体を吹き付けて、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する加熱工程とを含み、前記液膜除去領域拡大工程に並行して、前記基板の下面側から、前記基板上の前記液膜のうち前記縁部を除く部分を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却しながら、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する冷却加熱工程と、
前記基板の下面側から前記液膜除去領域を加熱する範囲を、前記液膜除去領域の拡大に同期させて拡大させる加熱範囲拡大工程とを含む、基板処理方法。 - 前記液膜除去領域形成工程、前記液膜除去領域拡大工程、前記蒸気供給工程、前記冷却加熱工程、および前記加熱範囲拡大工程に並行して、前記基板を、鉛直な所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転工程をさらに含み、
前記液膜除去領域形成工程ないし前記液膜除去領域拡大工程では、前記基板回転工程を実行して前記基板を回転させながら、前記気体を、前記基板の上面の回転中心付近に吹き付けることによって、当該基板の上面の、前記回転中心を含む領域に、前記液膜除去領域を略円形に形成するとともに、前記気体を吹き付ける位置を、前記回転中心から径方向外方に移動させることによって、前記液膜除去領域を拡大させ、
前記冷却加熱工程ないし前記加熱範囲拡大工程では、前記基板回転工程を実行して前記基板を回転させながら、当該基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する、前記回転中心を含む範囲を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱するとともに、当該加熱の範囲を、前記気体の吹き付け位置の移動による液膜除去領域の拡大に同期させて、前記回転中心から径方向外方に移動させて拡大させる、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記加熱範囲拡大工程は、前記基板の下面の、前記加熱流体の吹き付け位置を、前記液膜除去領域の拡大による、前記液膜と前記液膜除去領域との境界の移動に同期させて移動させる吹き付け位置移動工程を含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記液膜除去領域形成工程ないし前記液膜除去領域拡大工程では、前記気体を、前記基板の上面の全幅に亘る薄層状として、前記基板の上面の一端部に吹き付けることによって、当該基板の上面の、前記一端部付近に、前記液膜除去領域を形成するとともに、前記気体を吹き付ける位置を、前記一端部から、前記基板の他端部方向へ移動させることによって、前記液膜除去領域を拡大させ、
前記冷却加熱工程は、
前記基板の下面の略全面に冷却流体を供給して、前記液膜を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却する冷却工程と、
加熱流体を、前記薄層状の気体と平行な、前記基板の下面の全幅に亘る薄層状として、前記基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する位置に吹き付けて、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する加熱工程とを含み、
前記加熱範囲拡大工程は、前記基板の下面の、前記加熱流体の吹き付け位置を、前記液膜除去領域の拡大による、前記液膜と前記液膜除去領域との境界の移動に同期させて移動させる吹き付け位置移動工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記処理液は、水を含み、前記低表面張力液は、水よりも表面張力の低い有機溶剤を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットで水平に保持した基板を、当該基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転ユニットと、
処理液を、前記基板の上面に供給するための処理液供給ユニットと、
前記基板に、前記基板の上面側から、前記処理液よりも表面張力の低い低表面張力液の蒸気を含む気体を供給するための気体供給ユニットと、
前記基板の下面に冷却流体を供給するための冷却流体供給ユニットを含み、前記冷却流体供給ユニットから冷却流体を供給することで、前記基板の下面側から、前記基板を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却するための冷却ユニットと、
前記基板の下面に加熱流体を吹き付けるための加熱流体吹付ユニットを含み、前記加熱流体吹付ユニットから加熱流体を吹き付けることで、前記基板の下面側から、前記基板を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱するための加熱ユニットと、
前記基板保持ユニット、前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記気体供給ユニット、前記冷却ユニット、および前記加熱ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置は、前記基板を水平に保持する基板保持工程と、前記基板の上面に前記処理液を供給して液膜を形成する液膜形成工程と、前記基板の上面の回転中心付近に、前記液膜の一部から前記処理液が除去された液膜除去領域を形成する液膜除去領域形成工程と、前記液膜除去領域を、前記回転中心から径方向外方に拡大させる液膜除去領域拡大工程と、前記液膜除去領域拡大工程に並行して、前記液膜除去領域と隣接する前記液膜の内周側の縁部に、前記基板の上面側から、前記低表面張力液の蒸気を含む気体を供給する蒸気供給工程と、前記基板の下面の略全面に冷却流体を供給して、前記液膜を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却する冷却工程と、前記基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する位置に、加熱流体を吹き付けて、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する加熱工程とを含み、前記液膜除去領域拡大工程に並行して、前記基板の下面側から、前記基板上の前記液膜のうち前記縁部を除く部分を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却しながら、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する冷却加熱工程と、前記基板の下面側から前記液膜除去領域を加熱する範囲を、前記液膜除去領域の拡大に同期させて拡大させる加熱範囲拡大工程と、前記液膜除去領域形成工程、前記液膜除去領域拡大工程、前記蒸気供給工程、前記冷却加熱工程、および前記加熱範囲拡大工程に並行して、前記基板を、前記回転軸線まわりに回転させる基板回転工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記基板の下面の、前記加熱流体吹付ユニットからの前記加熱流体の吹き付け位置を移動させるための移動ユニットをさらに含み、
前記制御装置は、前記基板の下面の、前記加熱流体の吹き付け位置を、前記液膜除去領域の拡大による、前記液膜と前記液膜除去領域との境界の移動に同期させて移動させる吹き付け位置移動工程を、前記加熱範囲拡大工程として実行する、請求項6に記載の基板処理装置。 - 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
処理液を、前記基板の上面に供給するための処理液供給ユニットと、
前記基板の上面に、前記処理液よりも表面張力の低い低表面張力液の蒸気を含む気体を、前記基板の上面の全幅に亘る薄層状として吹き付けるための気体供給ユニットと、
前記基板の上面の、前記気体供給ユニットからの前記気体の吹き付け位置を移動させるための上面移動ユニットと、
前記基板の下面に冷却流体を供給するための冷却流体供給ユニットと、
前記基板の下面に、加熱流体を、前記基板の下面の全幅に亘る薄層状として吹き付けるための加熱流体吹付ユニットと、
前記基板の下面の、前記加熱流体吹付ユニットからの前記加熱流体の吹き付け位置を移動させるための下面移動ユニットと、
前記基板保持ユニット、前記処理液供給ユニット、前記気体供給ユニット、前記上面移動ユニット、前記冷却流体供給ユニット、前記加熱流体吹付ユニット、および前記下面移動ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置は、前記基板を水平に保持する基板保持工程と、前記基板の上面に前記処理液を供給して液膜を形成する液膜形成工程と、前記気体を、前記基板の上面の全幅に亘る薄層状として、前記基板の上面の一端部に吹き付けることによって、当該基板の上面の、前記一端部付近に、前記液膜の一部から前記処理液が除去された液膜除去領域を形成する液膜除去領域形成工程と、前記気体の吹き付け位置を、前記一端部から、前記基板の他端部方向へ移動させることによって、前記液膜除去領域を拡大させる液膜除去領域拡大工程と、前記基板の下面の略全面に冷却流体を供給して、前記液膜を、前記低表面張力液の沸点未満の温度に冷却する冷却工程と、前記加熱流体を、前記薄層状の気体と平行な、前記基板の下面の全幅に亘る薄層状として、前記基板の下面の、前記液膜除去領域に対応する位置に吹き付けて、前記液膜除去領域を、前記低表面張力液の沸点以上の温度に加熱する加熱工程と、前記基板の下面の、前記加熱流体の吹き付け位置を、前記液膜除去領域の拡大による、前記液膜と前記液膜除去領域との境界の移動に同期させて移動させる吹き付け位置移動工程とを実行する、基板処理装置。
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