JP6808517B2 - 接触状態改善装置 - Google Patents

Description

本発明は、測定対象の被接触部とプローブとの接触状態を改善する接触状態改善装置に関するものである。

測定対象の被測定量を測定する測定装置として、下記特許文献１において出願人が開示した測定装置（バッテリテスタ）が知られている。この測定装置は、測定対象（バッテリ）の被接触部（電極）に接触させたプローブ（端子）を介して入出力する電気信号に基づいて測定対象体の被測定量（内部抵抗）を測定可能に構成されている。

特開２００７−２１２３４０号公報（第４頁、第１図）

ところが、上記の測定装置には、改善すべき以下の課題が存在する。具体的には、上記の測定装置では、測定対象の被接触部に接触させたプローブを介して入出力する電気信号に基づいて測定対象の被測定量を測定しているが、被接触部の表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されているときには、プローブと被接触部との接触状態が不良となって被測定量を正しく測定することが困難となることがある。この場合、出力する電気信号の電圧を上昇させて絶縁被膜を破壊して、プローブと被接触部との間の接触状態を改善する接触状態改善機能を備えた測定装置（例えば、特開２０１１−８５４６３号公報において出願人が開示したインピーダンス測定装置：以下、この種の測定装置を「改善機能付き測定装置」ともいう）が開発されている。しかしながら、この種の改善機能付き測定装置では、接触状態改善機能だけを独立して使用することができないため、接触状態改善機能を備えていない上記の測定装置と改善機能付き測定装置の接触状態改善機能とを用いて測定を行うことは困難である。したがって、接触状態改善機能を備えていない上記の測定装置を用いて被接触部の表面に絶縁被膜が形成されている測定対象の被測定量を正しく測定することは依然として困難であり、この結果、接触状態改善機能を備えていない上記の測定装置を有効活用することができないという課題が存在し、その改善が望まれている。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、接触状態改善機能を備えていない測定装置を有効活用し得る接触状態改善装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の接触状態改善装置は、測定対象の被接触部に接触させたプローブを介して入出力する出力信号および入力信号に基づいて当該測定対象の被測定量を測定する測定装置に接続可能に構成されて、前記被接触部と前記プローブとの接触状態を改善する接触状態改善装置であって、前記測定装置における前記出力信号を出力するための一対の出力端子にそれぞれ接続可能な一対の第１端子と、前記測定装置における前記入力信号を入力するための一対の入力端子にそれぞれ接続可能な一対の第２端子と、前記出力信号を前記被接触部に供給するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第３端子と、前記各第２端子にそれぞれ接続されると共に前記入力信号を入力するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第４端子と、前記第３端子と第４端子との間に供給する接触改善用信号を生成する信号生成部と、前記各第１端子と前記各第３端子とをそれぞれ接続する第１状態、および前記各第１端子の少なくとも一方と当該少なくとも一方の第１端子に対応する前記第３端子とを非接続とすると共に前記信号生成部と当該第３端子とを接続する第２状態を切り替える切替え部とを備えている。

また、請求項２記載の接触状態改善装置は、請求項１記載の接触状態改善装置において、前記切替え部は、第２状態において前記各第１端子の双方と当該各第１端子にそれぞれ対応する前記各第３端子の双方とをそれぞれ非接続とすると共に前記信号生成部と当該各第３端子の双方とを接続する。

また、請求項３記載の接触状態改善装置は、請求項１または２記載の接触状態改善装置において、前記信号生成部は、前記切替え部によって前記第１状態から前記第２状態への切替えが実行されたときに前記接触改善用信号を生成する。

また、請求項４記載の接触状態改善装置は、請求項１から３のいずれかに記載の接触状態改善装置において、前記被接触部と前記プローブとの接触状態の良否を判定する判定部を備え、前記判定部は、前記被接触部と前記プローブとの接触状態が不良と判定したときに前記切替え部に対して、第１状態から前記第２状態への切替えを実行させる。

請求項１記載の接触状態改善装置によれば、測定装置の出力端子に接続可能な第１端子と、測定装置の入力端子に接続可能な第２端子と、出力信号を供給するプローブを接続可能な第３端子と、第２端子に接続されると共に入力信号を入力するプローブを接続可能な第４端子と、接触改善用信号を生成する信号生成部と、第１端子と第３端子とを接続する第１状態、および第１端子と第３端子とを非接続とし信号生成部と第３端子とを接続する第２状態を切り替える切替え部とを備えたことにより、接触状態改善機能を備えていない測定装置に接触状態改善装置を接続することで、測定対象の被接触部とプローブとの接触状態を改善して正確な測定を行うことができる。したがって、この接触状態改善装置によれば、接触状態改善機能を備えていない測定装置を十分に有効活用することができる。

また、請求項２記載の接触状態改善装置によれば、切替え部が、第２状態において一対の第１端子の双方と一対の第３端子の双方とをそれぞれ非接続とすると共に信号生成部と各第３端子の双方とを接続することにより、高電位側のプローブを接触させる被接触部とそのプローブとの接触状態、および低電位側のプローブを接触させる被接触部とそのプローブとの接触状態の双方を改善することができるため、より正確な測定を行うことができる。

また、請求項３記載の接触状態改善装置によれば、信号生成部が、切替え部によって第１状態から第２状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号を生成することにより、初期状態において切替え部が第１状態を維持するように構成することで、接触改善用信号の生成に用いる電源部の電力の消耗を抑えることができる。

また、請求項４記載の接触状態改善装置によれば、判定部が、被接触部とプローブとの接触状態が不良と判定したときに切替え部に対して第１状態から第２状態への切替えを実行させることにより、被接触部とプローブとの接触状態が不良であるか否かの判定処理、および接触状態が不良であるときに接触状態を改善する処理の実行を自動的に行わせることができるため、作業効率（測定効率）十分に向上させることができる。

接触状態改善装置１の構成を示す構成図である。 接触状態改善装置１の使用方法を説明する第１の説明図である。 接触状態改善装置１の使用方法を説明する第２の説明図である。

以下、接触状態改善装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、接触状態改善装置の一例としての図１に示す接触状態改善装置１の構成について説明する。接触状態改善装置１は、測定対象（例えば、図２に示す電子部品１００）の被接触部（同図に示す被接触部１０１ａ，１０１ｂ：以下、区別しないときには「被接触部１０１」ともいう）に接触させたプローブ（同図に示すプローブ６０ａ〜６０ｄ：以下、区別しないときには「プローブ６０」ともいう）を介して入出力する出力信号Ｓｏ（一例として、直流定電流信号）および入力信号Ｓｉ（一例として、電圧信号）に基づいて測定対象（例えば、同図に示す電子部品１００）の被測定量（一例として、抵抗値）を測定する測定装置（例えば、同図に示す測定装置５０）に接続可能（着脱可能）に構成されて、被接触部とプローブとの接触状態を改善する機能（「接触状態改善機能」）を有している。

具体的には、接触状態改善装置１は、図１に示すように、第１端子１１ａ，１１ｂ（以下、区別しないときには「第１端子１１」ともいう）、第２端子１２ａ，１２ｂ（以下、区別しないときには「第２端子１２」ともいう）、第３端子１３ａ，１３ｂ（以下、区別しないときには「第３端子１３」ともいう）、第４端子１４ａ，１４ｂ（以下、区別しないときには「第４端子１４」ともいう）、および信号生成部２１ａ，２１ｂ（以下、区別しないときには「信号生成部２１」ともいう）、切替え部３１ａ，３１ｂ（以下、区別しないときには「切替え部３１」ともいう）、および判定部４１ａ，４１ｂ（以下、区別しないときには「判定部４１」ともいう）を備えて構成されている。

第１端子１１ａは、図２に示すように、測定装置５０に設けられている出力信号Ｓｏを出力するための高電位側（Ｈｉ側）の出力端子５４ａとの接続が可能に構成されている。また、第１端子１１ｂは、同図に示すように、測定装置５０に設けられている出力信号Ｓｏを出力するための低電位（Ｌｏ側）の出力端子５４ｂとの接続が可能に構成されている。

第２端子１２ａは、図２に示すように、測定装置５０に設けられている入力信号Ｓｉを入力するための高電位側の入力端子５５ａとの接続が可能に構成されている。また、第２端子１２ｂは、同図に示すように、測定装置５０に設けられている入力信号Ｓｉを入力するための低電位側の入力端子５５ｂとの接続が可能に構成されている。

第３端子１３ａ，１３ｂは、図２に示すように、出力信号Ｓｏを電子部品１００の被接触部１０１ａ，１０１ｂに供給するためのプローブ６０ａ，６０ｂがそれぞれ接続される端子であって、一例として、プローブ６０ａ，６０ｂのケーブルに取り付けられているプラグを接続可能なジャックでそれぞれ構成されている。この場合、第３端子１３ａは、出力信号Ｓｏの高電位側を供給するプローブ６０ａに対応し、第３端子１３ｂは、出力信号Ｓｏの低電位側を供給するプローブ６０ｂに対応している。

第４端子１４ａ，１４ｂは、図２に示すように、入力信号Ｓｉを入力するためのプローブ６０ｃ，６０ｄがそれぞれ接続される端子であって、一例として、プローブ６０ｃ，６０ｄのケーブルに取り付けられているプラグを接続可能なジャックでそれぞれ構成されている。この場合、第４端子１４ａは、入力信号Ｓｉの高電位側を入力するプローブ６０ｃに対応し、第４端子１４ｂは、入力信号Ｓｉの低電位側を入力するプローブ６０ｄに対応している。また、図１に示すように、第４端子１４ａは、第２端子１２ａに接続され、第４端子１４ｂは、第２端子１２ｂに接続されている。

信号生成部２１ａ，２１ｂは、図１に示すように、同一に構成されて、第３端子１３ａと第４端子１４ａとの間および第３端子１３ｂと第４端子１４ｂとの間に供給する接触改善用信号Ｓｂをそれぞれ生成する。ここで、接触改善用信号Ｓｂは、例えば、被接触部１０１の表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されているときに、その絶縁被膜を破壊して、被接触部１０１とプローブ６０との接触（導通）状態を改善するための電気信号であって、一例として、電圧値Ｖｍが１０Ｖ程度で、電流値Ｉｍが１０ｍＡ程度に制御される。

この場合、信号生成部２１ａ，２１ｂは、一例として、図１に示すように、出力電圧が１．５Ｖ程度の電池で構成された電源部２２、昇圧型のスイッチングレギュレータで構成された信号生成回路２３、プルアップ用の抵抗２４ａ，２４ｂ、電流制限用の抵抗２４ｃ、平滑用のコンデンサ２５、およびスイッチの一例であるＭＯＳＦＥＴ２６をそれぞれ備えて構成されている。この場合、信号生成回路２３は、切替え部３１によって後述する第１状態から第２状態への切替えが実行されたときに作動する。このため、この信号生成部２１ａ，２１ｂでは、第１状態から第２状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号Ｓｂが生成される。

また、信号生成部２１ａ，２１ｂは、互いにフローティング状態となるように、各々の基準電位（低電位）が相互に切り離されている（非接続となっている）。なお、抵抗２４ｃを可変抵抗で構成することで、接触改善用信号Ｓｂの電流値を任意の電流値に制限可能な構成とすることもできる。

切替え部３１ａは、第１端子１１ａと第３端子１３ａとを接続する第１状態、および第１端子１１ａと第３端子１３ａとを非接続とすると共に信号生成部２１ａと第３端子１３ａとを接続する第２状態を切り替える。この場合、切替え部３１ａは、判定部４１ａから出力される制御信号Ｓｃに応じて作動する。具体的には、切替え部３１ａは、制御信号Ｓｃが出力されていない状態（初期状態）では、第１状態を維持し、制御信号Ｓｃが出力されている状態では、第２状態を維持する。また、切替え部３１ａは、手動操作に応じても作動して、第１状態および第２状態を切り替える。

切替え部３１ｂは、切替え部３１ａと同様にして、判定部４１ｂから出力される制御信号Ｓｃおよび手動操作に応じて、第１端子１１ｂと第３端子１３ｂとを接続する第１状態、および第１端子１１ｂと第３端子１３ｂとを非接続とすると共に信号生成部２１ｂと第３端子１３ｂとを接続する第２状態を切り替える。

判定部４１ａ，４１ｂは、図外の起動スイッチが操作されたときに起動し、各プローブ６０と電子部品１００の被接触部１０１との接触状態の良否を判定する判定処理を行う。この場合、判定部４１ａは、判定処理において、第３端子１３ａおよび第４端子１４ａの間（第３端子１３ａおよび第４端子１４ａにそれぞれ接続されているプローブ６０ａ，６０ｃの間）に判定用信号を出力して、被接触部１０１ａにおけるプローブ６０ａ，６０ｃの接触部位の間の抵抗値を、判定用信号の電流値、および第３端子１３ａと第４端子１４ａとの間の電圧値に基づいて特定し、その抵抗値が基準値以上のときには、プローブ６０ａ，６０ｃと被接触部１０１ａとの接触状態が不良であると判定する。

また、判定部４１ｂは、判定処理において、第３端子１３ｂおよび第４端子１４ｂの間（第３端子１３ｂおよび第４端子１４ｂにそれぞれ接続されているプローブ６０ｂ，６０ｄの間）に判定用信号を出力して、被接触部１０１ｂにおけるプローブ６０ｂ，６０ｄの接触部位の間の抵抗値を、判定用信号の電流値、および第３端子１３ｂと第４端子１４ｂとの間の電圧値に基づいて特定し、その抵抗値が基準値以上のときには、プローブ６０ｂ，６０ｄと被接触部１０１ｂとの接触状態が不良であると判定する。また、判定部４１ａ，４１ｂは、プローブ６０と被接触部１０１との接触状態を不良と判定したときには制御信号Ｓｃを出力して、切替え部３１ａ．３１ｂに対して、第１状態から前記第２状態への切替えを実行させる。

次に、接触状態改善装置１の使用方法について、図面を参照して説明する。

最初に、測定対象の被測定量を４端子法で測定する測定装置５０に接触状態改善装置１を接続して使用する使用方法について説明する。この場合、測定装置５０は、図２に示すように、出力信号Ｓｏとしての直流定電流信号を生成する信号生成部５１と、入力信号Ｓｉとしての電圧信号の電圧値Ｖｍを検出する電圧検出部５２と、出力信号Ｓｏの電流値Ｉｍおよび電圧検出部５２によって検出された電圧値Ｖｍに基づいて被測定量としての抵抗値を算出する処理部５３と、上記した出力端子５４ａ，５４ｂおよび入力端子５５ａ，５５ｂとを備えている。また、接触状態改善装置１は、初期状態において、上記した第１状態（第１端子１１ａと第３端子１３ａとが接続され、第１端子１１ｂと第３端子１３ｂとが接続されている状態）に維持されているものとする。

まず、図２に示すように、接触状態改善装置１の第１端子１１ａと測定装置５０の出力端子５４ａ（高電位側の出力端子）とを接続すると共に、接触状態改善装置１の第１端子１１ｂと測定装置５０の出力端子５４ｂ（低電位側の出力端子）とを接続する。次いで、同図に示すように、接触状態改善装置１の第２端子１２ａと測定装置５０の入力端子５５ａ（高電位側の入力端子）とを接続すると共に、接触状態改善装置１の第２端子１２ｂと測定装置５０の入力端子５５ｂ（低電位側の入力端子）とを接続する。

続いて、図２に示すように、プローブ６０ａのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置１の第３端子１３ａに接続すると共に、プローブ６０ｂのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置１の第３端子１３ｂに接続する。次いで、同図に示すように、プローブ６０ｃのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置１の第４端子１４ａに接続すると共に、プローブ６０ｄのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置１の第４端子１４ｂに接続する。

続いて、図２に示すように、プローブ６０ａ，６０ｃを測定対象としての電子部品１００の被接触部１０１ａに接触させると共に、プローブ６０ｂ，６０ｄを電子部品１００の被接触部１０１ｂに接触させる。

次いで、接触状態改善装置１における図外の起動スイッチを操作する。これに応じて接触状態改善装置１の判定部４１ａ，４１ｂが起動して、判定処理を実行する。判定部４１ａは、この判定処理において、第３端子１３ａおよび第４端子１４ａの間（第３端子１３ａおよび第４端子１４ａにそれぞれ接続されているプローブ６０ａ，６０ｃの間）に判定用信号を出力して、被接触部１０１ａにおけるプローブ６０ａ，６０ｃの接触部位の間の抵抗値を、判定用信号の電流値、および第３端子１３ａと第４端子１４ａの間の電圧値に基づいて特定する。この場合、例えば、被接触部１０１ａの表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されておらず、被接触部１０１ａとプローブ６０ａ，６０ｃとの接触状態が良好なときには、抵抗値が基準値よりも小さいため、判定部４１ａは、接触状態が良好であると判別して制御信号Ｓｃを出力しない。この際には、切替え部３１ａによる第１状態から第２状態への切替えが実行されずに、第１端子１１ａと第３端子１３ａとが接続された第１状態が維持される。

一方、被接触部１０１ａの表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されていて、被接触部１０１ａとプローブ６０ａ，６０ｃとの接触状態が不良なときには、被接触部１０１ａにおけるプローブ６０ａ，６０ｃの接触部位の間の抵抗値が基準値よりも大きいため、判定部４１ａは、判定処理において、接触状態が不良であると判別して制御信号Ｓｃを切替え部３１ａに出力する。この際には、切替え部３１ａが、図１に破線で示すように動作して、第１状態から第２状態への切替えを実行する。これにより、第１端子１１ａと第３端子１３ａとが非接続となると共に、信号生成部２１ａと第３端子１３ａとが接続される。

また、信号生成部２１ａでは、第１状態から第２状態への切替え（図１に破線で示す切替え部３１ａの動作）により、抵抗２４ａによってプルアップされていた信号生成回路２３のイネーブル端子が電源部２２の低電位側に接続されることによって信号生成回路２３が作動し、電源部２２の出力電圧（１．５Ｖ程度）を１０Ｖ程度に昇圧させた接触改善用信号Ｓｂを出力する。同時に、ＭＯＳＦＥＴ２６は、抵抗２４ｂによってプルアップされていたゲート端子が電源部２２の低電位側に接続されることによって作動して、信号生成回路２３によって生成された接触改善用信号Ｓｂを抵抗２４ｃを介して第３端子１３ａに出力する。この際に、抵抗２４ｃは、接触改善用信号Ｓｂの電流値Ｉｍを１０ｍＡ程度に制限（制御）する。

この際に、接触改善用信号Ｓｂは、信号生成部２１ａ、第４端子１４ａ、プローブ６０ｃ、被接触部１０１ａ、プローブ６０ａ、第３端子１３ａ、および信号生成部２１ａからなる電流経路を流れることにより、被接触部１０１ａに供給される。これにより、被接触部１０１ａの表面に形成されている絶縁被膜が破壊されて、被接触部１０１ａとプローブ６０ａ，６０ｃとの接触状態が改善される（接触状態が良好となる）。

次いで、被接触部１０１ａとプローブ６０ａ，６０ｃとの接触状態が良好となったことにより、被接触部１０１ａにおけるプローブ６０ａ，６０ｃの接触部位の間の抵抗値が基準値よりも小さくなるため、判定部４１ａが制御信号Ｓｃの出力を停止する。これに応じて、切替え部３１ａが、第２状態から第１状態への切替えを実行し、第１端子１１ａと第３端子１３ａとが接続される。

また、判定部４１ｂは、上記した判定部４１ａが実行した判定処理と同様の処理を実行して制御信号Ｓｃの出力および出力停止を行い、これに応じて切替え部３１ｂが上記した切替え部３１ａと同様に動作すると共に、信号生成部２１ｂが切替え部３１ｂの動作に応じて上記した信号生成部２１ａと同様に動作する。これにより、被接触部１０１ｂの表面に形成されている絶縁被膜が破壊されて、被接触部１０１ｂとプローブ６０ｂ，６０ｄとの接触状態が改善される（接触状態が良好となる）。

なお、上記の例では、判定部４１ａ，４１ｂに判定処理を実行させることで切替え部３１ａ，３１ｂに第１状態と第２状態との切替えを実行させているが、切替え部３１ａ，３１ｂを手動操作することで、第１状態と第２状態との切替えを実行させることもできる。

続いて、測定装置５０における図外の操作部を操作して測定の開始を指示する。これに応じて、測定装置５０の信号生成部５１が出力信号Ｓｏを生成する。また、出力信号Ｓｏは、測定装置５０の出力端子５４ａ，５４ｂを介して出力され（図２参照）、出力端子５４ａ，５４ｂに接続されている第１端子１１ａ，１１ｂを介して接触状態改善装置１に入力する。また、図１に示すように、切替え部３１ａ，３１ｂによって第１状態が維持されている。このため、第１端子１１ａ，１１ｂを介して入力した出力信号Ｓｏは、切替え部３１ａ，３１ｂおよび第３端子１３ａ，１３ｂを介して、第３端子１３ａ，１３ｂに接続されているプローブ６０ａ，６０ｂにそれぞれ出力される（図２参照）。

この場合、上記した判定部４１ａ，４１ｂの判定処理、並びに信号生成部２１ａ，２１ｂおよび切替え部３１ａ，３１ｂの各動作により、各被接触部１０１と各プローブ６０との接触状態が改善されている（接触状態が良好となっている）。このため、出力信号Ｓｏがプローブ６０ａ，６０ｂから被接触部１０１ａ，１０１ｂに供給されて電子部品１００を流れ、これによって被接触部１０１ａ，１０１ｂの間に電子部品１００の抵抗値に応じた入力信号Ｓｉとしての電圧信号が発生する（図２参照）。

また、被接触部１０１ａとプローブ６０ｃとの接触状態、および被接触部１０１ｂとプローブ６０ｄとの接触状態が良好なため、入力信号Ｓｉがプローブ６０ｂ，６０ｄおよび第４端子１４ａ，１４ｂを介して接触状態改善装置１に入力する。

次いで、接触状態改善装置１に入力した入力信号Ｓｉが、第４端子１４ａ，１４ｂにそれぞれ接続されている第２端子１２ａ，１２ｂ、および第２端子１２ａ，１２ｂにそれぞれ接続されている測定装置５０の入力端子５５ａ，５５ｂを介して測定装置５０に入力する（図２参照）。

続いて、測定装置５０の電圧検出部５２が、入力端子５５ａ，５５ｂを介して入力した入力信号Ｓｉの電圧値Ｖｍを検出する（図２参照）。次いで、測定装置５０の処理部５３が、出力信号Ｓｏの電流値Ｉｍと電圧検出部５２によって検出された電圧値Ｖｍとに基づいて被測定量としての抵抗値を算出する。続いて、処理部５３は、算出した抵抗値を図外の表示部に表示させる。この場合、各被接触部１０１と各プローブ６０との接触状態が改善されているため、プローブ６０ａ，６０ｂを介して出力信号Ｓｏを被接触部１０１ａ，１０１ｂに確実に供給すると共に、プローブ６０ｃ，６０ｄを介して入力信号Ｓｉを測定装置５０に確実に入力することができる結果、電子部品１００の抵抗値を正確に測定することができる。

上記したように、この接触状態改善装置１を用いることで、接触状態改善機能を備えていない測定装置５０を用いて接触状態を改善しつつ測定対象の被測定量を正確に測定することができるため、接触状態改善機能を備えていない測定装置５０を十分に有効活用することが可能となる。

次に、測定対象の被測定量を２端子法で測定する測定装置７０（図３参照）に接触状態改善装置１を接続して使用する使用方法について説明する。なお、以下の説明において、上記した測定装置５０と同様の構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。この場合、測定装置７０は、同図に示すように、上記した、信号生成部５１、電圧検出部５２および処理部５３を備えている。また、測定装置７０は、出力信号Ｓｏの出力および入力信号Ｓｉの入力をするための高電位側の入出力端子７１ａと、出力信号Ｓｏの出力および入力信号Ｓｉの入力をするための低電位側の入出力端子７１ｂとを備えている。

この使用例では、図３に示すように、接触状態改善装置１の第１端子１１ａと測定装置７０の入出力端子７１ａ（高電位側の入出力端子）とを接続すると共に、接触状態改善装置１の第１端子１１ｂと測定装置７０の入出力端子７１ｂ（低電位側の入出力）とを接続する。次いで、同図に示すように、プローブ６０ａのプラグを接触状態改善装置１の第３端子１３ａに接続すると共に、プローブ６０ｂのプラグを接触状態改善装置１の第３端子１３ｂに接続する。続いて、プローブ６０ｃのプラグを接触状態改善装置１の第４端子１４ａに接続すると共に、プローブ６０ｄのプラグを接触状態改善装置１の第４端子１４ｂに接続する。

次いで、図３に示すように、プローブ６０ａ，６０ｃを測定対象としての電子部品１００の被接触部１０１ａに接触させると共に、プローブ６０ｂ，６０ｄを電子部品１００の被接触部１０１ｂに接触させる。

次いで、接触状態改善装置１における図外の起動スイッチを操作する。これに応じて接触状態改善装置１の判定部４１ａ，４１ｂが上記した判定処理を実行して制御信号Ｓｃの出力および出力停止を行い、これに応じて切替え部３１ａ，３１ｂが上記した動作をすると共に、信号生成部２１ａ，２１ｂが切替え部３１ａ，３１ｂの動作に応じて上記した動作をする。これにより、被接触部１０１ａ，１０１ｂの表面に形成されている絶縁被膜が形成されているときには、その絶縁被膜が破壊されて、被接触部１０１ａ，１０１ｂと各プローブ６０との接触状態が改善される（接触状態が良好となる）。

なお、判定部４１ａ，４１ｂに判定処理を実行させることなく、切替え部３１ａ，３１ｂを手動操作することで、第１状態と第２状態との切替えを実行させることもできる。また、この実施例では、測定装置７０が測定対象の被測定量を２端子法で測定する構成のため、プローブ６０ｃ，６０ｄは、各被接触部１０１と各プローブ６０との接触状態の改善に用いるだけで、被測定量を測定する際には用いられない。このため、接触状態を改善する処理の終了後には、プローブ６０ｃ，６０ｄを被接触部１０１ａ，１０１ｂから離反させても（接触状態を解除しても）よいし、プローブ６０ｃ，６０ｄのプラグを第４端子１４ａ，１４ｂから取り外してもよい。

続いて、測定装置７０における図外の操作部を操作して測定の開始を指示する。これに応じて、測定装置７０の信号生成部５１が出力信号Ｓｏを生成し、出力信号Ｓｏが、測定装置７０の入出力端子７１ａ，７１ｂに接続されている第１端子１１ａ，１１ｂ、第１端子１１ａ，１１ｂに接続されている第３端子１３ａ，１３ｂ、および第３端子１３ａ，１３ｂに接続されているプローブ６０ａ，６０ｂに出力される。

この場合、各被接触部１０１と各プローブ６０との接触状態が改善されているため、出力信号Ｓｏがプローブ６０ａ，６０ｂから被接触部１０１ａ，１０１ｂに供給されて電子部品１００を流れ、これによって被接触部１０１ａ，１０１ｂの間に電子部品１００の抵抗値に応じた入力信号Ｓｉとしての電圧信号が発生する。

続いて、測定装置７０の電圧検出部５２が、入出力端子７１ａ，７１ｂ間の電圧値Ｖｍ（入出力端子７１ａ，７１ｂを介して入力した入力信号Ｓｉの電圧値Ｖｍ）を検出する。次いで、測定装置７０の処理部５３が、出力信号Ｓｏの電流値Ｉｍと電圧検出部５２によって検出された電圧値Ｖｍとに基づいて被測定量としての抵抗値を算出する。続いて、処理部５３は、算出した抵抗値を図外の表示部に表示させる。

この使用例においても、接触状態改善装置１を用いることで、接触状態改善機能を備えていない測定装置７０を用いて接触状態を改善しつつ測定対象の被測定量を正確に測定することができるため、接触状態改善機能を備えていない測定装置７０を十分に有効活用することが可能となる。

このように、この接触状態改善装置１は、測定装置５０の出力端子５４に接続可能な第１端子１１と、測定装置５０の入力端子５５に接続可能な第２端子１２と、出力信号Ｓｏを供給するプローブ６０を接続可能な第３端子１３と、第２端子１２に接続されると共に入力信号Ｓｉを入力するプローブ６０を接続可能な第４端子１４と、接触改善用信号Ｓｂを生成する信号生成部２１と、第１端子１１と第３端子１３とを接続する第１状態、および第１端子１１と第３端子１３とを非接続とし信号生成部２１と第３端子１３とを接続する第２状態を切り替える切替え部３１とを備えている。このため、この接触状態改善装置１によれば、接触状態改善機能を備えていない測定装置５０，７０に接触状態改善装置１を接続することで、被接触部１０１とプローブ６０との接触状態を改善して正確な測定を行うことができる。したがって、この接触状態改善装置１によれば、接触状態改善機能を備えていない測定装置５０，７０を十分に有効活用することができる。

また、この接触状態改善装置１によれば、切替え部３１が、第２状態において第１端子１１ａ，１１ｂの双方と第３端子１３ａ，１３ｂの双方とをそれぞれ非接続とすると共に信号生成部２１ａ，２１ｂの双方と第３端子１３ａ，１３ｂの双方とをそれぞれ接続することにより、高電位側のプローブ６０ａ，６０ｃを接触させる被接触部１０１ａとプローブ６０ａ，６０ｃとの接触状態、および低電位側のプローブ６０ｂ，６０ｄを接触させる被接触部１０１ｂとプローブ６０ｂ，６０ｄとの接触状態の双方を改善することができるため、より正確な測定を行うことができる。

また、この接触状態改善装置１によれば、信号生成部２１が、切替え部３１によって第１状態から第２状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号Ｓｂを生成することにより、初期状態において切替え部３１が第１状態を維持するように構成することで、接触改善用信号Ｓｂの生成に用いる電源部２２の電力の消耗を抑えることができる。

また、この接触状態改善装置１によれば、判定部４１が、被接触部１０１とプローブ６０との接触状態が不良と判定したときに切替え部３１に対して第１状態から第２状態への切替えを実行させることにより、被接触部１０１とプローブ６０との接触状態が不良であるか否かの判定処理、および接触状態が不良であるときに接触状態を改善する処理の実行を自動的に行わせることができるため、作業効率（測定効率）十分に向上させることができる。

なお、接触状態改善装置は、上記した接触状態改善装置１の構成に限定されない、例えば、２つの信号生成部２１ａ，２１ｂおよび２つの切替え部３１ａ，３１ｂを備えて、第２状態において第１端子１１ａ，１１ｂの双方と第３端子１３ａ，１３ｂの双方とをそれぞれ非接続とすると共に信号生成部２１ａ，２１ｂと第３端子１３ａ，１３ｂの双方とをそれぞれ接続する構成例について上記したが、信号生成部２１ａ，２１ｂのいずれか一方と、その一方に対応する１つの切替え部３１だけを備えた構成、つまり第３端子１３ａと第４端子１４ａとの間、および第３端子１３ｂと第４端子１４ｂとの間のいずれか一方にのみ接触改善用信号Ｓｂを供給する構成を採用することもできる。この構成においても、一方の被接触部１０１に接触させている２つのプローブ６０を、接触改善用信号Ｓｂが供給される第３端子１３および第４端子１４に接続して、一方の被接触部１０１と２つのプローブ６０との接触状態を改善した後に、他方の被接触部１０１に接触させている２つのプローブ６０を、接触改善用信号Ｓｂが供給される第３端子１３および第４端子１４に接続し直して他方の被接触部１０１と２つのプローブ６０との接触状態を改善することで、２つの被接触部１０１の双方と各プローブ６０との接触状態を改善することができる。

また、切替え部３１によって第１状態から第２状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号Ｓｂの生成を自動的に開始するように信号生成部２１を構成した例について上記したが、第１状態においても接触改善用信号Ｓｂを生成する構成の信号生成部２１を採用することもできる。

また、被接触部１０１とプローブ６０との接触状態の良否を判定する判定部４１から出力される制御信号Ｓｃによって切替え部３１に対して第１状態と第２状態との切替えを実行させる構成例について上記したが、例えば、被接触部１０１とプローブ６０との接触状態の良否を判定可能な信号を出力する機能を測定装置が有しているときに、その信号によって切替え部３１に対して第１状態と第２状態との切替えを実行させる構成を採用することもできる。また、手動操作だけで第１状態と第２状態との切替えを実行する切替え部３１を備えた構成を採用することもできる。

また、被測定量の一例としての抵抗値を測定する測定装置５０，７０に接触状態改善装置１を接続して使用する例について上記したが、抵抗値以外の各種の被測定量（例えば、容量やインダクタンス）を測定する各種の測定装置に接触状態改善装置１を接続して使用することができる。

１ 接触状態改善装置
１１ａ，１１ｂ 第１端子
１２ａ，１２ｂ 第２端子
１３ａ，１３ｂ 第３端子
１４ａ，１４ｂ 第４端子
２１ａ，２１ｂ 信号生成部
３１ａ，３１ｂ 切替え部
４１ａ，４１ｂ 判定部
５０，７０ 測定装置
６０ａ〜６０ｄ プローブ
１００ 電子部品
１０１ａ，１０１ｂ 被接触部
Ｓｂ 接触改善用信号
Ｓｉ 入力信号
Ｓｏ 出力信号

Claims (4)

1. 測定対象の被接触部に接触させたプローブを介して入出力する出力信号および入力信号に基づいて当該測定対象の被測定量を測定する測定装置に接続可能に構成されて、前記被接触部と前記プローブとの接触状態を改善する接触状態改善装置であって、
   前記測定装置における前記出力信号を出力するための一対の出力端子にそれぞれ接続可能な一対の第１端子と、前記測定装置における前記入力信号を入力するための一対の入力端子にそれぞれ接続可能な一対の第２端子と、前記出力信号を前記被接触部に供給するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第３端子と、前記各第２端子にそれぞれ接続されると共に前記入力信号を入力するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第４端子と、前記第３端子と第４端子との間に供給する接触改善用信号を生成する信号生成部と、前記各第１端子と前記各第３端子とをそれぞれ接続する第１状態、および前記各第１端子の少なくとも一方と当該少なくとも一方の第１端子に対応する前記第３端子とを非接続とすると共に前記信号生成部と当該第３端子とを接続する第２状態を切り替える切替え部とを備えている接触状態改善装置。
2. 前記切替え部は、第２状態において前記各第１端子の双方と当該各第１端子にそれぞれ対応する前記各第３端子の双方とをそれぞれ非接続とすると共に前記信号生成部と当該各第３端子の双方とを接続する請求項１記載の接触状態改善装置。
3. 前記信号生成部は、前記切替え部によって前記第１状態から前記第２状態への切替えが実行されたときに前記接触改善用信号を生成する請求項１または２記載の接触状態改善装置。
4. 前記被接触部と前記プローブとの接触状態の良否を判定する判定部を備え、
   前記判定部は、前記被接触部と前記プローブとの接触状態が不良と判定したときに前記切替え部に対して、第１状態から前記第２状態への切替えを実行させる請求項１から３のいずれかに記載の接触状態改善装置。

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