JP6801400B2 - 光学モジュール及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、光学モジュール及び電子機器に関する。

従来、対向する一対の反射膜、及び反射膜間のギャップの寸法（ギャップ量）を変更する静電アクチュエーター部を備える波長可変干渉フィルターと、静電アクチュエーターの印加電圧を制御する電圧制御部と、を備える光学モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１では、波長可変干渉フィルターは、静電アクチュエーター部として、第１静電アクチュエーターと第２静電アクチュエーターと、を備える。また、電圧制御部は、第１静電アクチュエーターにバイアス電圧を印加するバイアス駆動部と、ギャップ量を検出するギャップ検出器と、フィードバック電圧を第２静電アクチュエーターに印加するフィードバック制御部と、バイアス駆動部及びフィードバック制御部を制御するマイコンと、を備える。これらバイアス駆動部、フィードバック制御部、及びマイコンは、それぞれ外部機器等からの電力供給を受けて駆動する。

上記電圧制御部は、波長可変干渉フィルターの透過波長が目的波長（目標波長）となるようにギャップ量を高精度に調整できる。例えば、バイアス駆動部は、マイコンからの指令に基づいて、目標波長に応じたバイアス電圧を第１静電アクチュエーターに印加する。フィードバック制御部は、マイコンからの指令とギャップ検出器の検出値に基づいて、目標波長に応じたフィードバック電圧を第２静電アクチュエーターに印加する。

特開２０１３−２３８７５５号公報

しかしながら、上記従来の構成では、バイアス駆動部、フィードバック制御部、及びマイコンへの電源電圧が低下すると、電圧制御部が誤作動を起こすおそれがある。例えばマイコンへの電源電圧が急速に低下したり、電力供給が急に停止された場合、電圧制御部の誤作動により、バイアス駆動部やフィードバック制御部から大きな電圧が出力されるおそれがある。

本発明は、電源電圧の低下時の誤作動による影響を抑制可能な光学モジュール及び電子機器を提供することを一つの目的とする。

本発明の一適用例に係る光学モジュールは、反射膜間ギャップを介して対向する２つの反射膜、及び、前記反射膜間ギャップのギャップ量を変更する静電アクチュエーターを備える波長可変干渉フィルターと、電力供給部からの複数の供給電圧により駆動され、前記静電アクチュエーターに駆動電圧を印加する電圧制御部と、を備え、前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を低下させることを特徴とする。

ここで、所定の閾値は、例えば、電圧制御部が正常に作動する供給電圧の範囲の下限値以上の電圧値である。
上述のように、供給電圧が低下して上記電圧範囲の下限値を下回ると、電圧制御部が誤作動するおそれがある。これに対して、本適用例では、電圧制御部は、複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合、すなわち電圧エラーが発生した場合に、静電アクチュエーターの駆動電圧を低下させる。
このような構成では、電圧制御部の誤作動が発生する前に、駆動電圧を低下させることができ、電圧制御部が誤作動を起こした場合の影響を抑制できる。
例えば、従来では、電圧制御部への供給電圧が低下した場合に、電圧制御部が誤作動を起こし、静電アクチュエーターの駆動電圧を増大させる場合がある。この場合、静電アクチュエーターへの印加電圧が増大して反射膜同士が接触（プルイン）し、波長可変干渉フィルターが劣化するおそれがある。また、フィードバック制御が適切に機能しないことにより、発振が生じ、ひいてはプルインが生じるおそれがある。
これに対して、本適用例では、電圧制御部への供給電圧が低下した時点で、静電アクチュエーターへの駆動電圧を低下させられるため、上記のような不都合を抑制でき、波長可変干渉フィルターの劣化を抑制できる。
また、例えば、駆動電圧がさらに低下して、上記下限値を下回る前に、電圧制御部による適切な制御の下で、駆動電圧を０Ｖとして波長可変干渉フィルターの駆動を正常に停止させることもできる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を所定値以下の値に変更することが好ましい。
ここで、所定値とは、例えば、電圧制御部の誤作動が発生して駆動電圧が変動した場合でもプルインが発生しない駆動電圧の範囲の上限値である。この所定値としては、０Ｖや０Ｖ近傍の値が例示できる。
本適用例では、電圧エラーが発生した場合に、駆動電圧を所定値以下の値に変更する。これにより、例えば、電圧エラー発生後にさらに供給電圧が低下して、電圧制御部が誤作動したとしても、波長可変干渉フィルターのプルインが生じず、波長可変干渉フィルターの劣化をより確実に抑制できる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記電圧制御部は、前記駆動電圧を漸減させることが好ましい。
本適用例では、電圧エラーが発生した場合に、駆動電圧を所定値以下に漸減させるため、駆動電圧の急変によるギャップ量の制御不良を抑制できる。つまり、電圧制御部による適切な制御の下で、駆動電圧を所定値以下に低下させることができる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の第１閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を漸減させ、前記第１閾値よりも小さい第２閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を所定値以下の値に変更することが好ましい。
ここで、第１閾値及び第２閾値は、上記所定の閾値と同様に、例えば、電圧制御部が正常に作動する供給電圧の範囲の下限値よりも大きい電圧値である。
本適用例では、複数の供給電圧のいずれかが所定の第１閾値未満となった場合、すなわち電圧エラーが発生した場合に、静電アクチュエーターの駆動電圧を漸減させることにより、上述のように、電圧制御部による適切な制御の下で、駆動電圧を低下させることができる。
また、電圧エラーが発生した後に、さらに供給電圧が低下して第２閾値未満となった場合に、駆動電圧を所定値以下に変更する。これにより、上述のように、電圧制御部の誤作動が生じる前に駆動電圧を所定値以下に低下させることができ、誤作動の影響を抑制できる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記波長可変干渉フィルターは、前記静電アクチュエーターとして、第１静電アクチュエーターと、第２静電アクチュエーターと、を有し、前記電圧制御部は、前記ギャップ量を検出するギャップ検出部と、前記第１静電アクチュエーターに前記駆動電圧としての第１駆動電圧を印加する第１駆動部と、前記ギャップ量の検出値を前記ギャップ量の目標値に近づけるようにフィードバック制御を行い、第２静電アクチュエーターに前記駆動電圧としての第２駆動電圧を印加する第２駆動部と、を有し、前記複数の供給電圧のいずれかが前記所定の閾値未満となった場合に、前記第２駆動電圧を低下させた後、前記第１駆動電圧を低下させることが好ましい。
ここで、第１駆動電圧を変更しながら第２駆動電圧を変更するフィードバック制御を行うと、ギャップ量の変更量が大きくなり、ギャップ量が目標値となるまでの時間（安定化時間）が長くなったり、発振が生じたりするおそれがある。
これに対して、本適用例では、電圧制御部は、電圧エラーが発生した場合、第２静電アクチュエーターのフィードバック制御を行う第２駆動部による第２駆動電圧を低下させた後、第１駆動部による第１駆動電圧を低下させる。これにより、第１駆動電圧を低下させるとともに、第２駆動電圧を低下させる場合と比べて、フィードバック制御をより適切かつ迅速に実施することができ、第２駆動電圧をより迅速に低下させることができる。
また、電圧エラーが発生した後、電圧制御部の誤作動が発生する前に、すなわち、第２駆動部の適切なフィードバック制御の下で、第２駆動電圧を低下させることができる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記第２駆動部は、前記フィードバック制御における駆動パラメーターを変更可能であり、前記第２駆動電圧を低下させる際に前記駆動パラメーターを変更することが好ましい。
本適用例では、第２駆動部は、第２駆動電圧を低下させる際に駆動パラメーターを変更する。このような構成では、第２駆動電圧を低下させる際に、より適切な駆動パラメーターを用いてフィードバック制御を実施できる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となったことを示す検知信号を出力する電圧監視部を備え、前記第２駆動部は、前記第２駆動電圧を出力する出力部と、前記出力部の出力側に設けられ、前記出力部及び前記第２静電アクチュエーターが接続された接続状態と、切断された非接続状態とを切り替えるスイッチ回路と、を有し、前記スイッチ回路は、前記検知信号の入力された場合、前記接続状態から前記非接続状態に切り替えることが好ましい。
本適用例では、スイッチ回路は、電圧監視部からの検知信号に基づいて、出力部と第２静電アクチュエーターとの接続を、接続状態から非接続状態に切り替える。このような構成では、電圧エラーが発生した場合に、出力部と第２静電アクチュエーターとの接続が非接続状態とされるため、誤作動により出力部から高電圧が出力されても、第２静電アクチュエーターに印加されることがなく、波長可変干渉フィルターの劣化をより確実に抑制できる。また、スイッチ回路を設けることにより、電圧制御部によって第２駆動電圧を低下させる必要がなく、電圧低下の処理負荷の増大を抑制できる。

本適用例の光学モジュールにおいて、前記電圧制御部は、前記静電アクチュエーターに前記駆動電圧を印加する駆動部と、前記駆動部を制御する駆動制御部と、を備え、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動制御部は、前記駆動部を制御して前記駆動電圧を低下させることが好ましい。
本適用例では、駆動制御部による制御に基づいて、駆動電圧を低下させることができる。例えば、電圧エラーの発生状況に応じて、駆動電圧の値や、駆動電圧の低下タイミングや、低下方法等を適宜選択でき、波長可変干渉フィルターをより適切に停止できる。

本発明の一適用例に係る電子機器は、反射膜間ギャップを介して対向する２つの反射膜、及び、前記反射膜間ギャップのギャップ量を変更する静電アクチュエーターを備える波長可変干渉フィルターと、電力供給部からの複数の供給電圧により駆動され、前記静電アクチュエーターに駆動電圧を印加する電圧制御部と、を備える光学モジュールと、前記光学モジュールを制御するモジュール制御部と、を具備し、前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を低下させることを特徴とする。
本適用例では、上記光学モジュールに係る適用例と同様に、電圧制御部への供給電圧が低下した時点で、静電アクチュエーターへの駆動電圧を低下させられるため、上記のようなプルインや発振といった不都合が生じることを抑制でき、波長可変干渉フィルターの劣化を抑制できる。
また、例えば、駆動電圧がさらに低下して、上記下限値を下回る前に、電圧制御部による適切な制御の下で、駆動電圧を０Ｖとして波長可変干渉フィルターの駆動を正常に停止させることもできる。

本発明に係る第１実施形態のプリンターの概略構成を示す外観図。 第１実施形態のプリンターの概略構成を示すブロック図。 第１実施形態の分光器の概略構成を示す断面図。 第１実施形態のフィルター制御部の概略構成を示す図。 第１実施形態のフィードバック制御部が備えるＰＩＤ制御器の概略構成を示す図。 第１実施形態の電源電圧監視部の概略構成を示す図。 上記電源電圧監視部における入力に対する出力の変化の一例を示す図。 第１実施形態における分光測定処理の一例を示すフローチャート。 第１実施形態における停止処理の一例を示すフローチャート。 第１実施形態におけるフィードバックパラメーターの一例を示す図。 第１実施形態における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 第１実施形態における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 第１実施形態における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 第１実施形態における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 第２実施形態における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 第２実施形態における停止処理の一例を示すフローチャート。 第２実施形態におけるフィードバックパラメーターの一例を示す図。 第３実施形態における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 変形例１における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 変形例２における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の他の例を示す図。 変形例３における電源電圧に対するバイアス電圧及びフィードバック電圧の一例を示す図。 変形例４における制御ユニットとフィルター制御部との要部を模式的に示す図。 変形例５におけるフィルター制御部の概略構成を示す図。 変形例５におけるフィードバック制御部の概略構成を示す図。

［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図面に基づいて説明する。第１実施形態では、本発明に係る光学モジュール及び電子機器の一例として、プリンター１０（インクジェットプリンター）について説明する。
［プリンターの概略構成］
図１は、第１実施形態のプリンター１０の外観の構成例を示す図である。図２は、本実施形態のプリンター１０の概略構成を示すブロック図である。
図１に示すように、プリンター１０は、供給ユニット１１と、搬送ユニット１２と、キャリッジ１３と、キャリッジ移動ユニット１４と、制御ユニット１５（図２参照）と、を備える。このプリンター１０は、例えばパーソナルコンピューター等の外部機器３０から入力された印刷データに基づいて、各ユニット１１，１２，１４及びキャリッジ１３を制御し、媒体Ａに画像を印刷する。また、本実施形態のプリンター１０は、媒体Ａに印刷された画像の分光測定を行い、測定結果に基づく処理を行う（例えば色較正用のカラーパッチの分光測定の測定結果に基づいて色較正処理を行う）。
以下、プリンター１０の各構成について具体的に説明する。

供給ユニット１１は、画像形成対象となる媒体Ａ（本実施形態では、白色紙面を例示）を、画像形成位置に供給するユニットである。この供給ユニット１１は、例えば媒体Ａが巻装されたロール体１１１（図１参照）、ロール駆動モーター（図示略）、及びロール駆動輪列（図示略）等を備える。そして、制御ユニット１５からの指令に基づいて、ロール駆動モーターが回転駆動され、ロール駆動モーターの回転力がロール駆動輪列を介してロール体１１１に伝達される。これにより、ロール体１１１が回転し、ロール体１１１に巻装された紙面がＹ方向（副走査方向）における下流側（＋Ｙ方向）に供給される。
なお、本実施形態では、ロール体１１１に巻装された紙面を供給する例を示すがこれに限定されない。例えば、トレイ等に積載された紙面等の媒体Ａをローラー等によって１枚ずつ供給する等、如何なる供給方法によって媒体Ａが供給されてもよい。

搬送ユニット１２は、供給ユニット１１から供給された媒体Ａを、Ｙ方向に沿って搬送する。この搬送ユニット１２は、搬送ローラー１２１と、搬送ローラー１２１と媒体Ａを挟んで配置され、搬送ローラー１２１に従動する従動ローラー（図示略）と、プラテン１２２と、を含んで構成されている。
搬送ローラー１２１は、図示略の搬送モーターからの駆動力が伝達され、制御ユニット１５の制御により搬送モーターが駆動されると、その回転力により回転駆動されて、従動ローラーとの間に媒体Ａを挟み込んだ状態でＹ方向に沿って搬送する。また、搬送ローラー１２１のＹ方向の下流側（＋Ｙ側）には、キャリッジ１３に対向するプラテン１２２が設けられている。

キャリッジ１３は、媒体Ａに対して画像を印刷する印刷部１６と、媒体Ａ上の所定の測定領域Ｒ（図３参照）の分光測定を行う分光器１７と、を備えている。
印刷部１６は、例えば下面（媒体Ａに対向する面）側に形成されたノズルからインクを吐出して画像を形成する、所謂、インクジェットヘッドである。この印刷部１６は、例えば、複数色のインクに対応したインクカートリッジ１６１と、各ノズルに設けられ対応する色のインクカートリッジ１６１からインクが供給される圧力室と、圧力室に設けられるピエゾ素子と、を備え、ピエゾ素子の駆動によってノズルから吐出されたインク滴により、媒体Ａにインクドットが形成される。
分光器１７は、後に詳述するが、一対の反射膜間のギャップ量に応じた波長の光を透過させる波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルターのギャップ量を制御するフィルター制御部１８とを含み構成され、光学モジュールに相当する。

キャリッジ１３は、キャリッジ移動ユニット１４によって、Ｙ方向と交差する主走査方向（本発明における一方向であり、Ｘ方向）に沿って移動可能に設けられている。
また、キャリッジ１３は、フレキシブル回路１３１により制御ユニット１５に接続され、制御ユニット１５からの指令に基づいて、印刷部１６による印刷処理（媒体Ａに対する画像形成処理）及び、分光器１７による分光測定処理を実施する。

キャリッジ移動ユニット１４は、本発明における移動機構を構成し、制御ユニット１５からの指令に基づいて、キャリッジ１３をＸ方向に沿って往復移動させる。
このキャリッジ移動ユニット１４は、例えば、キャリッジガイド軸１４１と、キャリッジモーター１４２と、タイミングベルト１４３と、を含んで構成されている。
キャリッジガイド軸１４１は、Ｘ方向に沿って配置され、両端部がプリンター１０の例えば筐体に固定されている。キャリッジモーター１４２は、タイミングベルト１４３を駆動させる。タイミングベルト１４３は、キャリッジガイド軸１４１と略平行に支持され、キャリッジ１３の一部が固定されている。そして、制御ユニット１５の指令に基づいてキャリッジモーター１４２が駆動されると、タイミングベルト１４３が正逆走行され、タイミングベルト１４３に固定されたキャリッジ１３がキャリッジガイド軸１４１にガイドされて往復移動する。

制御ユニット１５は、モジュール制御部に相当し、図２に示すように、Ｉ／Ｆ１５１と、ユニット制御回路１５２と、メモリー１５３と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１５４と、を含んで構成される。
Ｉ／Ｆ１５１は、外部機器３０から入力される印刷データをＣＰＵ１５４に入力する。
ユニット制御回路１５２は、制御部１５２Ａと、電力供給部１５２Ｂと、を備える。
制御部１５２Ａは、ＣＰＵ１５４からの指令信号に基づいて、各ユニット１１〜１４（フィルター制御部１８を含む）をそれぞれ制御する。
電力供給部１５２Ｂは、各ユニット１１〜１４、（フィルター制御部１８を含む）に電力を供給する。

メモリー１５３は、プリンター１０の動作を制御する各種プログラムや各種データを記憶している。各種データとしては、例えば、印刷データとして含まれる色データに対する各インクの吐出量を記憶した印刷プロファイルデータ等が挙げられる。また、光源部１７１の各波長に対する発光特性や、受光部１７３の各波長に対する受光特性（受光感度特性）等が記憶されていてもよい。

ＣＰＵ１５４は、メモリー１５３に記憶された各種プログラムを読み出し実行することで、供給ユニット１１、搬送ユニット１２、及びキャリッジ移動ユニット１４の駆動制御、印刷部１６の印刷制御、分光器１７の分光測定制御、及び分光器１７による測定データに基づく処理（色較正処理等）を実施する。

［分光器の構成］
図３は、分光器１７の概略構成を示す断面図である。
分光器１７は、図３に示すように、光源部１７１と、波長可変干渉フィルター５を含む光学フィルターデバイス１７２と、受光部１７３と、導光部１７４と、フィルター制御部１８（図２参照）と、を備えている。
この分光器１７は、光源部１７１から媒体Ａ上に照明光を照射し、媒体Ａで反射された光成分を、導光部１７４により光学フィルターデバイス１７２に入射させる。そして、光学フィルターデバイス１７２は、この反射光から所定波長の光を出射（透過）させて、受光部１７３により受光させる。また、光学フィルターデバイス１７２は、制御ユニット１５の制御に基づいて、透過波長（出射波長）を選択可能であり、可視光における各波長の光の光量を測定することで、媒体Ａ上の測定領域Ｒの分光測定が可能となる。

［光源部、受光部及び導光光学系の構成］
光源部１７１は、光源１７１Ａと、集光部１７１Ｂとを備える。この光源部１７１は、光源１７１Ａから出射された光を媒体Ａの測定領域Ｒ内に、媒体Ａの表面に対する法線方向から照射する。
光源１７１Ａとしては、可視光域における各波長の光を出射可能な光源が好ましい。このような光源１７１Ａとして、例えばハロゲンランプやキセノンランプ、白色ＬＥＤ等を例示でき、特に、キャリッジ１３内の限られたスペース内で容易に設置可能な白色ＬＥＤが好ましい。集光部１７１Ｂは、例えば集光レンズ等により構成され、光源１７１Ａからの光を測定領域Ｒに集光させる。なお、図３においては、集光部１７１Ｂでは、１つのレンズ（集光レンズ）のみを表示するが、複数のレンズを組み合わせて構成されていてもよい。

受光部１７３は、波長可変干渉フィルター５の光軸上に配置され、当該波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する。そして、受光部１７３は、制御ユニット１５の制御に基づいて、受光量に応じた検出信号（電流値）を出力する。なお、受光部１７３により出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器（図示略）、増幅器（図示略）、及びＡＤ変換器（図示略）を介して制御ユニット１５に入力される。

導光部１７４は、反射鏡１７４Ａと、バンドパスフィルター１７４Ｂとを備えている。
この導光部１７４は、測定領域Ｒで、媒体Ａの表面に対して４５°で反射された光を反射鏡１７４Ａにより、波長可変干渉フィルター５の光軸上に反射させる。バンドパスフィルター１７４Ｂは、可視光域（例えば３８０ｎｍ〜７２０ｎｍ）の光を透過させ、紫外光及び赤外光の光をカットする。これにより、波長可変干渉フィルター５には、可視光域の光が入射されることになり、受光部１７３において、可視光域における波長可変干渉フィルター５により選択された波長の光が受光される。

［光学フィルターデバイスの構成］
図４は、分光器１７が備える波長可変干渉フィルター５とフィルター制御部１８とを模式的に示す図である。
光学フィルターデバイス１７２は、図４に示すように、筐体６と、筐体６の内部に収納された波長可変干渉フィルター５とを備えている。
（波長可変干渉フィルターの構成）
波長可変干渉フィルター５は、波長可変型のファブリーペローエタロン素子であり、図４に示すように、透光性の固定基板５１及び可動基板５２を備え、これらの固定基板５１及び可動基板５２が、接合膜により接合されることで、一体的に構成されている。
また、波長可変干渉フィルター５は、ギャップＧ（反射膜間ギャップ）を介して対向配置された固定反射膜５４及び可動反射膜５５と、ギャップＧの寸法（ギャップ量）を調整する静電アクチュエーター５６と、を備える。この静電アクチュエーター５６は、それぞれ独立して駆動可能なバイアス用静電アクチュエーター５７（以降、バイアス用アクチュエーター５７と称す）と制御用静電アクチュエーター５８（以降、制御用アクチュエーター５８と略す）とを備えている。なお、バイアス用アクチュエーター５７は第１静電アクチュエーターに相当し、制御用アクチュエーター５８は第２静電アクチュエーターに相当する。

（固定基板の構成）
固定基板５１は、可動基板５２に対向する面に固定反射膜５４と、バイアス用アクチュエーター５７を構成するバイアス用固定電極５７１と、制御用アクチュエーター５８を構成する制御用固定電極５８１と、が設けられる。この固定基板５１は、可動基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、静電アクチュエーター５６に電圧を印加した際の静電引力や、後述する各固定電極５７１，５８１の内部応力による固定基板５１の撓みはない。

固定反射膜５４は、固定基板５１に設けられた溝部の中心位置に設けられる。この固定反射膜５４としては、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等、導電性の合金膜を用いることができる。また、例えば高屈折層をＴｉＯ_２、低屈折層をＳｉＯ_２とした誘電体多層膜を用いてもよく、この場合、誘電体多層膜の最下層又は表層に導電性の金属合金膜が形成されていることで、固定反射膜５４を電極として機能させることが可能となる。
そして、固定反射膜５４には図示略の固定ミラー電極が接続されている。当該固定ミラー電極は、フィルター制御部１８の後述するギャップ検出部１８３に接続される。

バイアス用固定電極５７１は、固定反射膜５４を囲う略円弧状に形成される。このバイアス用固定電極５７１は、フィルター制御部１８の後述するバイアス駆動部１８２に接続される。
制御用固定電極５８１は、バイアス用固定電極５７１の外に略円弧状に形成される。この制御用固定電極５８１は、フィルター制御部１８の後述するフィードバック制御部１８４に接続される。

なお、本実施形態では、バイアス用固定電極５７１、制御用固定電極５８１、及び固定ミラー電極がそれぞれ独立して配置される例を示すがこれに限定されない。例えば、バイアス用固定電極５７１、制御用固定電極５８１、及び固定ミラー電極が共通電極として互いに接続されてもよい。この場合、フィルター制御部１８において、共通電極をグラウンドに接続して、同電位に設定する。

（可動基板の構成）
可動基板５２は、可動部５２１と、可動部５２１の外に設けられ、可動部５２１を保持する保持部５２２とを備えている。
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成されている。この可動部５２１には、可動反射膜５５と、バイアス用アクチュエーター５７を構成するバイアス用可動電極５７２と、制御用アクチュエーター５８を構成する制御用可動電極５８２と、が設けられる。

可動反射膜５５は、可動部５２１の固定基板５１に対向する面の中心部に、固定反射膜５４とギャップＧを介して対向して設けられる。この可動反射膜５５としては、上述した固定反射膜５４と同一の構成の反射膜が用いられる。
そして、可動反射膜５５には図示略の固定ミラー電極が接続されている。当該可動ミラー電極は、フィルター制御部１８の後述するギャップ検出部１８３に接続される。

バイアス用可動電極５７２は、所定のギャップを介してバイアス用固定電極５７１に対向する。このバイアス用可動電極５７２は、バイアス駆動部１８２に接続される。
制御用可動電極５８２は、所定のギャップを介して制御用固定電極５８１に対向する。この制御用可動電極５８２は、フィードバック制御部１８４に接続される。

保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイアフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。これにより、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の平行度を維持した状態で、ギャップＧのギャップ量を変更することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、平面中心点を中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。

（筐体の構成）
筐体６は、図４に示すように、ベース６１と、リッド６２と、を備えている。これらのベース６１及びリッド６２は、例えばガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などにより接合される。これにより、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５が収納される。

ベース６１は、例えば薄板上にセラミックを積層することで構成され、波長可変干渉フィルター５を収納可能な凹部６１１を有している。波長可変干渉フィルター５は、ベース６１の凹部６１１の底面に、例えば固定材により固定されている。ベース６１の凹部６１１の底面には、光通過孔６１２が設けられている。この光通過孔６１２は、波長可変干渉フィルター５の反射膜５４，５５と重なる領域を含むように設けられている。また、ベース６１には、光通過孔６１２を覆うようにカバーガラス６１３が接合されている。
リッド６２は、ガラス平板であり、ベース６１の底面とは反対側の端面に接合される。

［フィルター制御部の構成］
フィルター制御部１８は、電圧制御部に相当し、図４に示すように、電源電圧監視部１８１、バイアス駆動部１８２、ギャップ検出部１８３、フィードバック制御部１８４、及びマイコン（マイクロコントローラー）１９を含んで構成される。
フィルター制御部１８は、波長可変干渉フィルター５のギャップＧの寸法を、制御部１５２Ａからの波長設定指令に基づく値（目標波長に対応する値）に設定する。すなわち、フィルター制御部１８は、波長設定指令に基づいて、静電アクチュエーター５６を構成するバイアス用アクチュエーター５７と制御用アクチュエーター５８とのそれぞれの駆動電圧を調整し、波長可変干渉フィルター５の透過光の波長が目標波長となるようにギャップＧの寸法を設定する。

このフィルター制御部１８は、電力供給部１５２Ｂから複数の電力が供給され駆動する。具体的には、電力供給部１５２Ｂによって、バイアス駆動部１８２に第１電源電圧Ｖａが、フィードバック制御部１８４に第２電源電圧Ｖｂが、マイコン１９に第３電源電圧Ｖｃが印加される。なお、第１電源電圧Ｖａ、第２電源電圧Ｖｂ、及び第３電源電圧Ｖｃは、複数の供給電圧に相当する。

また、フィルター制御部１８は、各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃのいずれか低下した場合に、静電アクチュエーター５６の駆動電圧を所定値以下に低下させる、後述する停止処理を実施する。なお、所定値とは、フィルター制御部１８の誤作動が発生して駆動電圧が変動した場合でもプルインが発生しない駆動電圧範囲の上限値である。なお、本実施形態では、フィルター制御部１８は、駆動電圧を０Ｖに変更する。

（バイアス駆動部の構成）
バイアス駆動部１８２は、第１電源電圧Ｖａにより駆動され、マイコン１９から入力されたバイアス信号に基づいて、バイアス用アクチュエーター５７にバイアス電圧Ｖ１を印加する。バイアス駆動部１８２は、例えば、可変ゲインアンプを備え、バイアス信号に基づいてゲインを設定することにより、バイアス信号に応じたバイアス電圧Ｖ１をバイアス用アクチュエーター５７に印加する。このバイアス駆動部１８２は、第１駆動部に相当し、バイアス電圧Ｖ１は、第１駆動電圧に相当する。
なお、バイアス駆動部１８２は、第１電源電圧Ｖａが少なくともＶｄａ（バイアス電圧閾値Ｖｄａとも称す）以上の場合に正常に駆動される。

（ギャップ検出部の構成）
ギャップ検出部１８３は、反射膜５４，５５間の静電容量からギャップＧの寸法を検出し、検出信号をフィードバック制御部１８４に出力する。具体的には、ギャップ検出部１８３は、図示略のＣ−Ｖ変換回路を有し、反射膜５４，５５間の静電容量を電圧値（検出信号）に変換する。このようなＣ−Ｖ変換回路としては、例えば、スイッチト・キャパシタ回路等が挙げられる。
なお、ギャップ検出部１８３は、検出信号としては、アナログ信号を出力してもよく、デジタル信号を出力してもよい。デジタル信号を出力する場合、Ｃ−Ｖ変換回路からの検出信号（アナログ信号）をＡＤＣ（Analog to Digital Converter）に入力し、デジタル値に変換する。

（フィードバック制御部の構成）
フィードバック制御部１８４は、第２電源電圧Ｖｂにより駆動される、マイコン１９から入力されたギャップＧの目標値と、ギャップ検出部１８３から入力される検出値とに基づき、制御用アクチュエーター５８に対してフィードバック電圧Ｖ２を印加する。このフィードバック制御部１８４は、第２駆動部に相当し、フィードバック電圧Ｖ２は、第２駆動電圧に相当する。ここで、目標値は、目標波長に対応する値にギャップＧの寸法が設定された際のギャップ検出部１８３による検出値である。フィードバック制御部１８４は、目標値と検出値との差分値が０となるように、フィードバック電圧Ｖ２を調整するフィードバック制御を実施する。

図５は、フィードバック制御部１８４を構成するＰＩＤ（Proportional-Integral-Differential）制御器２０の概略構成を示す図である。
フィードバック制御部１８４は、目標値と検出値とが入力され、検出値の変化に応じた出力を得るＰＩＤ制御器２０（図５参照）と、ＰＩＤ制御器２０からの出力に基づいて、制御用アクチュエーター５８にフィードバック電圧Ｖ２を印加する駆動回路（図示省略）と、を含み構成される。
図５に例示するように、フィードバック制御部１８４は、アナログ回路によって構成されるＰＩＤ制御器２０を用いることができる。

具体的には、ＰＩＤ制御器２０は、差動増幅回路２０１と、差動増幅回路２０１の出力側に並列に接続された比例回路２０２、積分回路２０３、及び微分回路２０４と、積分回路２０３の出力側に接続された第１増幅回路２０５と、微分回路２０４の出力側に接続された第２増幅回路２０６と、比例回路２０２、第１増幅回路２０５、及び第２増幅回路２０６の出力側に接続された加算回路２０７と、を有する。

差動増幅回路２０１は、マイコン１９からの目標値と、ギャップ検出部１８３の検出値との差分値を増幅して出力する。
比例回路２０２は、差動増幅回路２０１からの出力（電圧）を、可変抵抗の抵抗値Ｒａに応じた増幅率で増幅する。以下、抵抗値Ｒａを比例パラメーターＲａとも称す。
積分回路２０３は、差動増幅回路２０１からの出力の時間積分に対応する電圧を出力する。第１増幅回路２０５は、積分回路２０３の出力（電圧）を、可変抵抗の抵抗値Ｒｂに応じた増幅率で増幅する。以下、抵抗値Ｒｂを積分パラメーターＲｂとも称す。
微分回路２０４は、差動増幅回路２０１からの出力の微分値（電圧値）を出力する。第２増幅回路２０６は、微分回路２０４の出力（電圧）を、可変抵抗の抵抗値Ｒｃに応じた増幅率で増幅する。以下、抵抗値Ｒｃを微分パラメーターＲｃとも称す。
加算回路２０７は、比例回路２０２、第１増幅回路２０５、及び第２増幅回路２０６のそれぞれの出力（電圧値）を加算し、増幅する。

上述のように構成されるフィードバック制御部１８４は、駆動パラメーターに相当する各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを、マイコン１９からのパラメーター設定指令に応じて変更可能である。すなわち、マイコン１９は、目標値を含む目標指令の他に、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃの値を目標波長に応じた値に設定する旨の設定指令を、フィードバック制御部１８４に出力する。フィードバック制御部１８４は、設定指令に基づいて、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを設定する。以下、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃをフィードバックパラメーターとも称す。

（電源電圧監視部の構成）
図６は、電源電圧監視部１８１の概略構成を示す図である。また、図７は、電源電圧監視部１８１の動作の一例を示す図であり、電力供給部１５２Ｂからの各電源電圧の変化に対する、電源電圧監視部１８１からの出力値を示す図である。
電源電圧監視部１８１は、電力供給部１５２Ｂからの第１電源電圧Ｖａ、第２電源電圧Ｖｂ、及び第３電源電圧Ｖｃがそれぞれに設定された閾値未満となったことを示す検知信号（第１検知信号Ｖｔａ、第２検知信号Ｖｔｂ、及び第３検知信号Ｖｔｃ）をマイコン１９に出力する（図４参照）。

図６に一例を示すように、電源電圧監視部１８１は、第１コンパレーター１８１Ａ、第２コンパレーター１８１Ｂ、及び第３コンパレーター１８１Ｃを含み構成される。
第１コンパレーター１８１Ａから出力される第１検知信号Ｖｔａは、図７に示すように、バイアス駆動部１８２に印加される第１電源電圧Ｖａが、Ｖｄａ（バイアス電圧閾値Ｖｄａとも称す）未満に低下した際に、ＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する。このバイアス電圧閾値Ｖｄａは、バイアス駆動部１８２が正常に駆動する電圧範囲の下限値以上に設定される。すなわち、第１コンパレーター１８１Ａは、バイアス駆動部１８２が正常に駆動している間に、第１電源電圧Ｖａの低下し、第１電源電圧Ｖａがバイアス電圧閾値Ｖｄａ未満となったことを検知できる。

第２コンパレーター１８１Ｂから出力される第２検知信号Ｖｔｂは、フィードバック制御部１８４に印加される第２電源電圧ＶｂがＶｄｂ（フィードバック電圧閾値Ｖｄｂとも称す）未満となった際に、ＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する。フィードバック電圧閾値Ｖｄｂは、フィードバック制御部１８４が正常に駆動する電圧範囲の下限値以上に設定される。

第３コンパレーター１８１Ｃから出力される第３検知信号Ｖｔｃは、マイコン１９に印加される第３電源電圧Ｖｃの値がＶｄｃ（マイコン電圧閾値Ｖｄｃとも称す）未満となった際に、ＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに変化する。マイコン電圧閾値Ｖｄｃは、マイコン１９の動作下限レベルＶ_Ｌｉｍｃ（図１１等参照）よりも大きい値に設定されている。これにより、第３電源電圧Ｖｃがマイコン１９の動作下限レベルＶ_Ｌｉｍｃ未満となる前に、第３電源電圧Ｖｃの低下を検知し、マイコン１９に通知することができる。

なお、本実施形態では、電源電圧監視部１８１が、マイコン１９と同様に第３電源電圧Ｖｃにより駆動される構成を例示している。ここで、図７に示すように、第３電源電圧Ｖｃは、第１電源電圧Ｖａ及び第２電源電圧Ｖｂよりも小さい。したがって、第１コンパレーター１８１Ａ及び第２コンパレーター１８１Ｂでは、オペアンプの入力側に抵抗を配することにより、オペアンプへの入力電圧を低下させている。すなわち、本実施形態では、バイアス電圧閾値Ｖｄａ及びフィードバック電圧閾値Ｖｄｂは、抵抗を介してオペアンプに入力される入力電圧に対して設定されている。

（マイコンの構成）
マイコン１９は、駆動制御部に相当し、記憶部１９１を備え、例えばギャップ検出部１８３で検出される検出信号（電圧信号）とギャップＧの寸法との関係（ギャップ相関データ）が記憶されている。また、記憶部１９１は、波長可変干渉フィルター５の目標波長（目標値）とフィードバックパラメーターとの関係が記憶されている。
また、マイコン１９は、図４に示すように、電圧低下検知部１９２、バイアス指令部１９３、及びフィードバック指令部１９４として機能する。

電圧低下検知部１９２は、電源電圧監視部１８１からの各検知信号Ｖｔａ，Ｖｔｂ，Ｖｔｃに基づいて、電力供給部１５２Ｂから供給された各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの少なくともいずれかが、閾値未満となったことを検知する。すなわち、電圧低下検知部１９２は、電力供給部１５２Ｂの各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの少なくともいずれかが閾値未満に低下した場合、電圧エラーが発生していることを検知する。

バイアス指令部１９３は、目標波長に対応したバイアス電圧Ｖ１を算出し、当該バイアス電圧Ｖ１をバイアス用アクチュエーター５７に印加する旨のバイアス指令を、バイアス駆動部１８２に出力する。また、バイアス指令部１９３は、電圧エラーが検知された場合に、バイアス電圧Ｖ１を所定値以下に低下させる。

フィードバック指令部１９４は、目標波長に対応するギャップＧの寸法の目標値を算出し、当該目標値を含む目標指令をフィードバック制御部１８４に出力する。また、フィードバック指令部１９４は、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを設定する旨の設定指令を、フィードバック制御部１８４に出力する。
また、フィードバック指令部１９４は、電圧エラーが検知された場合に、フィードバック電圧Ｖ２を所定値以下に低下させるように、目標指令及び設定指令をフィードバック制御部１８４に出力する。

［波長可変干渉フィルターの駆動方法］
図８は、プリンター１０による分光測定処理の一例を示すフローチャートである。また、図９は、電圧エラーが発生した際の波長可変干渉フィルターの駆動方法の一例を示すフローチャートである。また、図１０は、フィードバックパラメーターの一例を示す図である。また、図１１〜図１４は、電圧エラーが発生した場合の各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの変化と、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２との関係を示す図である。
プリンター１０では、外部機器３０や操作入力部（図示略）から分光測定処理の開始指示が入力されると、制御ユニット１５は、分光器１７の光源部１７１を点灯させ、フィルター制御部１８に分光測定処理を開始させる。フィルター制御部１８は、所定の測定対象波長域（例えば可視光域）における所定間隔（例えば２０ｎｍ間隔）毎の波長に対応する駆動電圧を、順次、静電アクチュエーター５６に印加させ、受光部１７３による受光量を分光測定結果として取得する。
なお、以下の説明では、目標波長（測定波長）λは、波長変数ｉ（ｉ＝１〜１６の整数）に対応付けられているものとする。例えば、波長変数ｉ＝１，２，・・・，１６は、それぞれ目標波長λ＝７００，６８０，・・・，４００ｎｍに対応付けられているものとする。

（分光測定処理）
プリンター１０では、外部機器３０や操作入力部（図示略）から分光測定処理の開始指示が入力されると、制御ユニット１５は、分光器１７の光源部１７１を点灯させ、フィルター制御部１８に分光測定処理を開始させる。フィルター制御部１８は、所定の測定対象波長域（可視光域）における所定間隔（２０ｎｍ間隔）毎の波長に対応する駆動電圧を、順次、静電アクチュエーター５６に印加させ、受光部１７３による受光量を分光測定結果として取得する。

図８に示すように、マイコン１９は、制御ユニット１５からの分光測定開始を指示する測定開始指令を受け、分光測定処理を開始させる（ステップＳ１）。
まず、マイコン１９は、記憶部１９１の波長変数ｉを１とし、波長変数ｉを初期化する（ステップＳ２）。

次に、フィードバック指令部１９４は、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ（フィードバックパラメーター）を、波長変数ｉに対応する値に設定する旨の設定指令を、フィードバック制御部１８４に出力する（ステップＳ３）。
各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃは、目標波長λ、すなわち波長変数ｉに対して予め設定されている（図１０の通常時の値を参照）。例えば、波長変数ｉ＝１の場合（本実施形態では目標波長λ＝７００ｎｍの場合）、比例パラメーターＲａ＝３２Ｋ（Ω）であり、積分パラメーターＲｂ＝１００Ｋ（Ω）であり、微分パラメーターＲｃ＝９５Ｋ（Ω）である。記憶部１９１は、波長変数ｉと、フィードバックパラメーターの設定値とが対応付けられたデータテーブルを記憶しており、フィードバック指令部１９４は、当該データテーブルを参照して、設定指令を出力する。フィードバック制御部１８４は、設定指令に基づいて各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを変更する。

次に、マイコン１９は、静電アクチュエーター５６の印加電圧を調整し、波長可変干渉フィルター５の透過光の波長（ギャップＧの寸法）を、目標波長λ（波長変数ｉ）に応じた値に設定する（ステップＳ４）。
具体的には、バイアス指令部１９３は、波長変数ｉ（目標波長λ）に対応するバイアス電圧Ｖ１を算出し、当該バイアス電圧Ｖ１に設定する旨のバイアス指令をバイアス駆動部１８２に出力する。バイアス駆動部１８２は、バイアス指令に基づいて、バイアス用アクチュエーター５７にバイアス電圧Ｖ１を印加する。
また、フィードバック指令部１９４は、波長変数ｉ（目標波長λ）に対応する目標指令をフィードバック制御部１８４に出力する。フィードバック制御部１８４は、目標指令に基づいて、制御用アクチュエーター５８のフィードバック電圧Ｖ２を調整する。なお、目標指令は、ギャップＧの寸法が目標波長λに対応する値に設定された際の、ギャップ検出部１８３の検出値に一致する目標値を含む。記憶部１９１は、波長変数ｉと目標値とが対応付けられたデータテーブルを記憶しており、フィードバック指令部１９４は、当該データテーブルを参照して目標値を取得し、目標指令を出力する。
これにより、波長可変干渉フィルター５のギャップＧの寸法が、目標波長λに対応する値に設定される。

ステップＳ４において、ギャップＧの寸法が目標波長λに対応する値に設定されると、制御ユニット１５は、受光部１７３の受光量を測定結果として取得する（ステップＳ５）。
次に、マイコン１９は、波長変数ｉに１を加算し（ステップＳ６）、波長変数ｉが最大値ｉｍａｘ（本実施形態ではｉｍａｘ＝１６）よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ７）。
全目標波長λに対する測定結果が取得されておらず、ステップＳ７においてＮＯと判定された場合、マイコン１９は、ステップＳ３以降の処理を実行する。

一方、全目標波長λに対する測定結果が取得されており、ステップＳ７においてＹＥＳと判定された場合、測定終了の指示を受けているか否かを判定する（ステップＳ８）。
ステップＳ８でＮＯと判定されると、マイコン１９はステップＳ２以降の処理を実行する。一方、ステップＳ８でＹＥＳと判定されると、マイコン１９は、本フローチャートに示す分光測定処理を終了する。

（電圧エラー検知時の停止処理）
フィルター制御部１８は、分光測定処理の実施時に、電源電圧監視部１８１によって電圧エラーが検知されると、割り込み処理として、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとし、波長可変干渉フィルター５の駆動を停止させる停止処理を実施する。
例えば、図１１に示すように、各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃがそれぞれに設定された各電圧閾値Ｖｄａ，Ｖｄｂ，Ｖｄｃよりも大きい、すなわち電源電圧が正常の場合、図８に示す分光測定処理が実施される。一方、図１１に示すように、例えば、マイコン１９に印加される第３電源電圧Ｖｃがマイコン電圧閾値Ｖｄｃよりも小さくなると、第３コンパレーター１８１Ｃから出力される第３検知信号ＶｔｃがＬｏｗからＨｉｇｈに変化し、電圧低下検知部１９２によって電圧エラーが検知される。

図９に示すように、電圧低下検知部１９２によって電圧エラーが検知されると（ステップＳ２１）、マイコン１９は、波長変数ｉを目標波長の内の最大波長に対応するｉ＝１に設定する（ステップＳ２２）。
図１１に示す例では、波長変数ｉが１３に設定されている際に電圧エラーが検知されたため、波長変数ｉ＝１４に対応する測定が行われずに、波長変数ｉが１に設定される。

次に、フィードバック指令部１９４は、波長変数ｉ＝１に対応する各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ（図１０参照）に設定する旨の設定指令を、フィードバック制御部１８４に出力する（ステップＳ２３）。
本実施形態では、静電アクチュエーター５６への印加電圧が０Ｖの場合の各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを、波長変数ｉ＝１に対応する値とする（図１０のエラー検知時における太枠内を参照）。なお、本実施形態に限定されず、静電アクチュエーター５６への印加電圧が０の場合の各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃの値を、別に設定してもよい。

ステップＳ２３によって、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃの値が波長変数ｉ＝１に対応する値に変更されると、マイコン１９は、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする旨のバイアス指令、及び、フィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとする旨の目標指令を出力する（ステップＳ２４）。
ここで、フィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとする旨の目標指令は、静電アクチュエーター５６の印加電圧が０Ｖの際、すなわち初期状態におけるギャップ検出部１８３の検出値を目標値として含む指令信号である。
バイアス駆動部１８２は、バイアス指令に基づいて、バイアス用アクチュエーター５７の印加電圧であるバイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする。
また、フィードバック制御部１８４は、ギャップ検出値が初期状態に対応する目標値となるようにフィードバック制御を行い、最終的に、制御用アクチュエーター５８の印加電圧であるフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとする。

なお、波長可変干渉フィルター５のギャップＧの寸法が初期状態で安定した後、制御ユニット１５による電力供給を停止させてもよい。例えば、マイコン１９は、ギャップ検出値が初期状態に対応する値で安定したことを検出した場合、電力供給を停止させる旨の供給停止指令を、制御ユニット１５に出力する。制御ユニット１５の電力供給部１５２Ｂは、供給停止指令に基づいて電力供給を停止させる。

また、上記停止処理では、図１１に示すように、マイコン１９に印加される第３電源電圧Ｖｃが低下した場合について説明したが、これに限らない。
例えば、図１２に示すようにバイアス駆動部１８２に印加される第１電源電圧Ｖａがバイアス電圧閾値Ｖｄａ未満となった場合や、図１３に示すように、フィードバック制御部１８４に印加される第２電源電圧Ｖｂが、フィードバック電圧閾値Ｖｄｂ未満となった場合も、同様に、電圧低下検知部１９２によって電圧低下が検知される。

また、第１電源電圧Ｖａ、第２電源電圧Ｖｂ及び第３電源電圧Ｖｃの２以上が同時に低下した場合、電圧低下検知部１９２によって最初に電圧低下が検知されたタイミングで、上記停止処理が実施される。例えば、図１４に示すように、第１電源電圧Ｖａ、第２電源電圧Ｖｂ及び第３電源電圧Ｖｃが同時に低下した場合、第３電源電圧Ｖｃがマイコン電圧閾値Ｖｄｃよりも小さくなったタイミングにて、電圧低下検知部１９２によって電圧低下が検知される。

［第１実施形態の作用効果］
上述のように構成される第１実施形態では、以下の作用効果を得ることができる。
各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの低下が所定の閾値未満となり、電圧エラーが発生した際に、フィルター制御部１８のバイアス駆動部１８２、フィードバック制御部１８４、及びマイコン１９等の誤作動が生じるおそれがある。当該誤作動が生じると、例えば、静電アクチュエーター５６に大きな駆動電圧が印加され、各反射膜５４，５５が接触し（プルイン）、波長可変干渉フィルター５が劣化するおそれがある。また、上述の誤作動により、例えば、フィードバック制御部１８４によるフィードバック制御が適切に機能せず発振が生じるおそれがある。
これに対して、フィルター制御部１８は、各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの低下がそれぞれに対応する所定の閾値未満となり、電圧エラーが検知された時点で、静電アクチュエーター５６の駆動電圧を低下させる。これにより、誤作動によるプルインや発振等の不都合を抑制でき、波長可変干渉フィルター５の劣化を抑制できる。

また、フィルター制御部１８は、電圧エラーが発生した場合に、駆動電圧（バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２）を、所定値（誤作動によるプルインや発振が生じない値）以下に変更する。これにより、電源電圧がさらに低下した場合にフィルター制御部１８に誤作動が発生してもプルインや発振等の不具合を抑制でき、波長可変干渉フィルター５の劣化を抑制できる。
なお、本実施形態のように駆動電圧を０Ｖとすることにより、例えば、マイコン１９の第３電源電圧Ｖｃがマイコン１９の動作下限レベルＶ_Ｌｉｍｃを下回る前に、制御ユニット１５に電力供給を停止させる等の処理を行わせることができる。

また、フィルター制御部１８は、フィードバックパラメーターを変更した後に、フィードバック電圧Ｖ２を低下させる。このような構成では、フィードバック電圧Ｖ２を低下させる際に、変更後のフィードバックパラメーターに基づいて適切なフィードバック制御を実施できる。
また、フィルター制御部１８は、マイコン１９の制御に基づいて、駆動電圧を低下させる。したがって、上述のフィードバックパラメーターの変更後に、駆動電圧を低下させる等の制御を実施でき、より適切に波長可変干渉フィルター５を停止させることができる。

［第２実施形態］
以下、第２実施形態について説明する。
第１実施形態では、電圧エラーが検知された場合に、フィルター制御部１８は、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２が０Ｖとなるように停止処理を実施していた。これに対して、第２実施形態では、フィルター制御部１８は、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖに向かって段階的に低下させる点で、第１実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、第１実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。

図１５は、電圧エラーが発生した場合の各電源電圧の変化と、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２との関係を示す図である。また、図１６は、第２実施形態における停止処理の一例を示すフローチャートである。また、図１７は、フィードバックパラメーターの一例を示す図である。
フィルター制御部１８は、分光測定処理の実施時に電圧エラーが検知されると、割り込み処理として、図１５及び図１６に示すように、所定時間経過毎に、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖに向かって段階的に低下させる停止処理を実施する。

本実施形態では、マイコン１９は、バイアス電圧Ｖ１を所定量ずつＫステップで段階的に減少させ、エラー検知時の電圧値から０Ｖに変更する。一方、マイコン１９は、バイアス電圧Ｖ１の変更に応じて、フィードバック電圧Ｖ２をＫ−１ステップで段階的に減少させる。なお、図１５では、ステップ数Ｋ＝４であり、ステップ数Ｋ（ステップ変数ｋの最大値）が固定値である場合を例示する。

例えば、図１５に示すように、マイコン１９に印加される第３電源電圧Ｖｃがマイコン電圧閾値Ｖｄｃよりも小さくなると、図１６に示すように、電圧低下検知部１９２によって電圧エラーが検知される（ステップＳ３１）。
電圧エラーが検知されると、マイコン１９は、波長変数ｉをＫ−１に、ステップ変数ｋを１に設定する（ステップＳ３２）。ここで、ステップ変数ｋは、段階的に電圧を低下させる際の各ステップに対応する変数である。また、本実施形態では、波長変数ｉは、最初に３に設定される。

次に、フィードバック指令部１９４は、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを、波長変数ｉ（図１５ではｉ＝１〜３）に対応する値（図１７の電圧エラー発生時における太枠内を参照）に設定する旨の設定指令を、フィードバック制御部１８４に出力する（ステップＳ３３）。
フィードバック制御部１８４は、設定指令に応じて、各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃの値を変更する。なお、本実施形態でも、静電アクチュエーター５６への印加電圧が０の場合の各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃを波長変数ｉ＝１に対応する値とするが、波長変数ｉ＝１に限定されず、静電アクチュエーター５６への印加電圧が０Ｖの場合の各パラメーターＲａ，Ｒｂ，Ｒｃの値を別に設定してもよい。

次に、マイコン１９は、バイアス指令、及び目標指令を出力する（ステップＳ３４）。
バイアス駆動部１８２は、バイアス指令に基づくバイアス電圧Ｖ１を、バイアス用アクチュエーター５７に印加する。
また、フィードバック制御部１８４は、目標値に基づいてフィードバック制御を行い、最終的に、制御用アクチュエーター５８の印加されるフィードバック電圧Ｖ２を、目標値に応じた値に調整する。

ここで、バイアス指令部１９３は、ステップ変数ｋに基づいてバイアス電圧Ｖ１を取得し、当該バイアス電圧Ｖ１に応じたバイアス指令を出力する。
例えば、バイアス電圧Ｖ１を所定のステップ数Ｋで所定量ずつ段階的に減少させてもよい。この場合、エラー検知時の電圧値をＶｏとし、バイアス電圧Ｖ１の１ステップにおける低減量は、Ｖｏ／Ｋである。また、ステップ変数ｋ（ｋ＝１〜Ｋ）に対応するバイアス電圧Ｖ１は、Ｖｏ−（Ｖｏ／Ｋ）×ｋである。

上述のように、バイアス電圧Ｖ１を、エラー検知時の電圧値Ｖｏから所定量ずつ段階的に低減させる場合、フィードバック指令部１９４は、例えば、バイアス電圧Ｖ１に応じた目標指令を出力する。すなわち、フィードバック指令部１９４は、ステップ変数ｋに対応するバイアス電圧Ｖ１に最も近いバイアス電圧Ｖ１が対応付けられた波長変数ｉを取得する。そして、フィードバック指令部１９４は、取得した波長変数ｉに対応する目標指令を出力する。このため、例えば、バイアス電圧Ｖ１に対して、目標値が大きすぎたり、小さすぎたりすることにより、フィードバック制御が適切に機能しないという不具合を抑制できる。

なお、エラー検知時の電圧値Ｖｏに関わらず、ステップ変数ｋに対応するバイアス電圧Ｖ１を予め算出しておき、バイアス電圧Ｖ１をステップ変数ｋに対応付けて記憶部１９１に記憶させておいてもよい。この場合、ステップ変数ｋに対応するフィードバック制御部１８４の目標値やフィードバックパラメーターも予め設定し、記憶部１９１に記憶させてもよい。この場合、バイアス電圧Ｖ１や目標値を算出する必要がなく、マイコン１９の処理負荷の増大を抑制できる。

次に、マイコン１９は、ステップＳ３４において、バイアス指令及び目標指令を出力した後、所定時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ３５）。
ここで、所定時間とは、マイコン１９からバイアス指令及び目標指令が出力されてから、受光部１７３による受光量（測定値）を取得するのに十分な時間に設定されている。すなわち、所定時間は、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２が変更された後、波長可変干渉フィルター５のギャップＧの寸法が安定する安定化時間と、測定値を取得するための測定時間と、を含む。

マイコン１９は、ステップＳ３５でＮＯと判定されると同判定を繰り返し、ＹＥＳと判定されると、波長変数ｉから１を減じ、かつ、ステップ変数ｋに１を加算する（ステップＳ３６）。
次に、マイコン１９は、波長変数ｉ＝１（ステップ変数ｋ＝Ｋ−１）か否かを判定する（ステップＳ３７）。
波長変数ｉが１ではない場合（ステップＳ３７：ＮＯ）、ステップＳ３３に戻り、以降の処理を実施する。

一方、ステップＳ３７でＹＥＳと判定されると、マイコン１９は、バイアス電圧Ｖ１＝０に対応するバイアス指令及び目標指令を出力する（ステップＳ３８）。
ここで、波長変数ｉ＝１（ステップ変数ｋ＝Ｋ−１）の場合、既に、フィードバック電圧Ｖ２が０Ｖとなっている。本実施形態では、マイコン１９は、フィードバックパラメーターの各値を変更せずに、静電アクチュエーター５６への印加電圧が０Ｖ、すなわちギャップＧの寸法が初期値の場合に対応するバイアス指令及び目標指令を出力する。

なお、第２実施形態では、バイアス電圧Ｖ１を４ステップで、フィードバック電圧Ｖ２を３ステップで０Ｖに低下させる、すなわち互いに異なるステップ数で０Ｖに低下させている。しかしながら、これに限らず、バイアス電圧Ｖ１とフィードバック電圧Ｖ２と同じステップ数で０Ｖに変更してもよい。

［第２実施形態の作用効果］
上述のように構成される第２実施形態では、第１実施形態の作用効果に加え以下の作用効果を得ることができる。
フィルター制御部１８は、電圧エラーが発生した場合に、駆動電圧を所定値以下に漸減させることにより、一度の駆動電圧の変更時における駆動電圧の変化量を小さくできる。これにより、一度の変更で駆動電圧を急変させることにより、ギャップ量（静電アクチュエーター５６の駆動電圧）の制御不良が発生することを抑制できる。例えば、フィードバック電圧Ｖ２を大きく変更すると、フィードバック制御部１８４によるフィードバック制御が適切に実施されずに発振が生じたり、安定化時間が増大したりするおそれがある。これに対して、本実施形態では、上記制御不良の発生を抑制できる。

［第３実施形態］
以下、第３実施形態について説明する。
第２実施形態では、電圧エラーが検知された場合に、フィルター制御部１８は、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとなるまで段階的に低下させていた。これに対して、第３実施形態では、フィルター制御部１８は、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖに向かって段階的に低下させている際に、各電源電圧のいずれかが第２の閾値未満となったタイミングで、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖに変更する点で、第２実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、上記各実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。

図１８は、電圧エラーが発生した場合の各電源電圧の変化と、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２との関係を示す図である。
図１８に示すように、第３電源電圧Ｖｃに対して、第１マイコン電圧閾値Ｖｄｃ１と、第１マイコン電圧閾値Ｖｄｃ１よりも小さい第２マイコン電圧閾値Ｖｄｃ２とが設定されている。各電圧閾値Ｖｄｃ１，Ｖｄｃ２は、マイコンの動作下限レベルＶ_Ｌｉｍｃよりも大きい値に設定されている。図１８に例示するように、フィルター制御部１８は、第３電源電圧Ｖｃが第１マイコン電圧閾値Ｖｄｃ１未満かつ第２マイコン電圧閾値Ｖｄｃ２以上の場合、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を段階的に低下させる。また、フィルター制御部１８は、第３電源電圧Ｖｃが第２マイコン電圧閾値Ｖｄｃ２未満となったタイミングで、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとする。

具体的には、第３電源電圧Ｖｃが低下し、第１マイコン電圧閾値Ｖｄｃ１よりも小さくなると、マイコン１９は、図１６に示す第２実施形態の停止処理（以下、漸減処理とも称す）を分光測定処理に対する割り込み処理として実施する。
また、漸減処理を実施している際に、第３電源電圧Ｖｃがさらに低下し、第２マイコン電圧閾値Ｖｄｃ２よりも小さくなると、マイコン１９は、図８に示す第１実施形態の停止処理を漸減処理に対する割り込み処理として実施する。

第３電源電圧Ｖｃが各電圧閾値Ｖｄｃ１，Ｖｄｃ２よりも小さくなったことを検知するには、上記各実施形態と同様に、電源電圧監視部１８１に、各電圧閾値Ｖｄｃ１，Ｖｄｃ２に対応するコンパレーターを設ければよい。

以上のように第３電源電圧Ｖｃに対して二つの閾値を設定する場合について説明したが、第１電源電圧Ｖａ及び第２電源電圧Ｖｂにも同様に二つの閾値（第１閾値と、第１閾値よりも小さい第２閾値）が設定されている。
なお、全ての電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃに二つの閾値を設定しなくともよいが、第３電源電圧Ｖｃに二つの閾値を設定することにより、マイコン１９の誤作動をより確実に抑制できる。

［第３実施形態の作用効果］
上述のように構成される第３実施形態では、第１実施形態の作用効果に加え以下の作用効果を得ることができる。
本実施形態では、各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃのそれぞれに、上述の第１閾値及び第２閾値が設定されている。各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃがそれぞれに設定された第１閾値未満となった場合、すなわち電圧エラーが発生した場合、フィルター制御部１８は、静電アクチュエーター５６の駆動電圧を漸減させることにより、第２実施形態と同様に、フィルター制御部１８による適切な制御の下で、駆動電圧を低下させることができる。

また、電圧エラーが発生した後に、さらに各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃが低下してそれぞれに設定された第２閾値未満となった場合に、フィルター制御部１８は、駆動電圧を所定値以下に変更する。これにより、電圧制御部の誤作動が生じる前に駆動電圧を所定値以下に低下させることができ、誤作動の影響を抑制でき、波長可変干渉フィルター５の劣化を抑制できる。なお、本実施形態のように駆動電圧を０Ｖとすることにより、例えば、マイコン１９の第３電源電圧Ｖｃがマイコン１９の動作下限レベルＶ_Ｌｉｍｃ未満となる前に、制御ユニット１５に電力の供給を停止させる等の処理を行わせることもできる。

［変形例］
なお、本発明は上述の各実施形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良、及び各実施形態を適宜組み合わせる等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。

（変形例１）
上記各実施形態では、バイアス電圧Ｖ１とフィードバック電圧Ｖ２とを低下させるタイミングを同時としていたが、これに限定されず、上記タイミングを異ならせてもよい。
図１９は、変形例１において、電圧エラー発生時の各電源電圧の変化と、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２との関係を示す図である。
図１９に示すように、電圧エラーが発生した場合に、バイアス電圧Ｖ１を維持したままフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとし、その後、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとしてもよい。
具体的には、例えば、フィードバック指令部１９４は、電圧エラー発生時における波長変数ｉに基づいて、バイアス電圧Ｖ１を変更せずにフィードバック電圧Ｖ２を０Ｖとした場合の目標値（ギャップＧの寸法に対応するギャップ検出部１８３の検出値）を取得し、フィードバック制御部１８４に出力する。なお、目標値は、予め算出し、記憶部１９１に記憶しておいてもよい。その後、フィードバック電圧Ｖ２が０Ｖで安定し、ギャップ検出部１８３の検出値が変動しなくなったら、バイアス指令部１９３は、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする旨のバイアス指令を出力し、かつ、フィードバック指令部１９４は、初期ギャップに対応する目標指令を出力する。

このように、電圧エラーが発生した後、バイアス電圧Ｖ１を変更する前に、フィードバック電圧Ｖ２を変更することにより、フィルター制御部１８の誤作動が発生する前に、すなわち、適切なフィードバック制御の下でフィードバック電圧Ｖ２を低下させることができる。
また、バイアス電圧Ｖ１を変更せずに、フィードバック電圧Ｖ２を変更させることにより、フィードバック制御部１８４によるギャップＧの変更をより確実かつ迅速に行うことができる。
また、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする際の目標値は、フィードバック電圧Ｖ２、すなわち波長変数ｉに応じて容易に算出することができ、マイコン１９の処理負荷の増大を抑制できる。

なお、上記処理において、フィードバック指令部１９４は、フィードバック電圧Ｖ２を０Ｖに変更した後、かつ、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする前に、フィードバックパラメーターを、各電圧Ｖ１，Ｖ２が０Ｖの場合に対応する値（例えば、波長変数ｉ＝１に対応する値）に変更してもよい。また、フィードバック指令部１９４によるフィードバックパラメーターの変更タイミングは、フィードバック電圧Ｖ２を０Ｖに変更する前でもよい。
また、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２のそれぞれを漸減させてもよい。

（変形例２）
図２０は、変形例２において、電圧エラー発生時の各電源電圧の変化と、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２との関係を示す図である。
図２０に示すように、電圧エラーが発生した場合に、バイアス電圧Ｖ１を所定値以下の０Ｖとした後に、フィードバック電圧Ｖ２を段階的に低減させながら０Ｖとしてもよい。
具体的には、例えば、バイアス指令部１９３は、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする旨のバイアス指令を出力し、かつ、フィードバック指令部１９４は、目標指令を出力する。ここで、フィードバック指令部１９４は、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとし、フィードバック電圧Ｖ２を電圧エラー発生時の値に維持した場合に対応する、目標値を出力する。その、フィードバック指令部１９４は、例えば、安定化時間以上の所定時間が経過毎に、目標値を順次変更し、フィードバック電圧Ｖ２を段階的に低下させる。

なお、フィードバック指令部１９４は、バイアス電圧Ｖ１が変更される前に、フィードバックパラメーターを変更してもよい。フィードバックパラメーターとしては、例えば、ステップ変数ｋや波長変数ｉ＝１に対応する値や、静電アクチュエーター５６の印加電圧が０Ｖの場合に対応する値等を用いることができる。

（変形例３）
上記第２実施形態では、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を段階的に低下させていたが、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２のいずれか一方を、電圧エラーの検知した際に０Ｖに変更しつつ、他方を漸減させてもよい。
図２１は、変形例３において、電圧エラー発生時の各電源電圧の変化と、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２との関係を示す図である。
図２１に示すように、電圧エラーが発生した場合に、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとし、かつ、フィードバック電圧Ｖ２を段階的に低下させている。すなわち、バイアス電圧Ｖ１が１ステップで０Ｖに変更される点を除き、第２実施形態の停止処理と同様の処理が実施される。

例えば、フィードバック指令部１９４は、電圧エラーが検知されると、フィードバックパラメーターを変更する。その後、バイアス指令部１９３は、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとする旨のバイアス指令を出力し、かつ、フィードバック指令部１９４は、目標指令を出力する。フィードバック指令部１９４は、ステップ変数ｋに基づいてフィードバック電圧Ｖ２に対応する目標値を算出する。そして、フィードバック指令部１９４は、例えば、安定化時間以上の所定時間が経過毎に、目標値を順次変更し、フィードバック電圧Ｖ２を段階的に低下させる。これにより、エラー発生時にバイアス電圧Ｖ１を速やかに０Ｖに変更でき、かつ、適切なフィードバック制御の下でフィードバック電圧Ｖ２を漸減させることができる。また、バイアス電圧Ｖ１を０Ｖとするため、フィードバック電圧Ｖ２を漸減させる際の目標値の算出が容易である。
なお、フィードバック指令部１９４は、フィードバックパラメーターを波長変数ｉ（ステップ変数ｋ）に対応する値に設定してもよいし、静電アクチュエーター５６への印加電圧が０Ｖの場合に対応する値に設定してもよい。

（変形例４）
上記各実施形態において、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２が０Ｖとされた後、制御ユニット１５は、マイコン１９からの供給停止指令に基づいて、電力供給部１５２Ｂを停止させ、フィルター制御部１８への電力供給を停止させるとしたが、これに限定されない。例えば、ユニット制御回路１５２は、電力供給部１５２Ｂとフィルター制御部１８との接続状態を切り替えるスイッチを備え、当該スイッチをオフ状態とする構成としてもよい。

図２２は、制御ユニット１５とフィルター制御部１８との要部を模式的に示す図である。
図２２に示すように、電力供給部１５２Ｂは、フィルター制御部１８と電力供給用の配線で接続されている。電力供給用の配線は、第１電源電圧Ｖａを印加するための第１配線と、第２電源電圧Ｖｂを印加するための第２配線と、第３電源電圧Ｖｃを印加するための第３配線と、を含む。

ユニット制御回路１５２は、第１スイッチ１５２Ｃ１と、第２スイッチ１５２Ｃ２と、第３スイッチ１５２Ｃ３と、を有し、制御部１５２Ａの制御によってオン状態（接続状態）とオフ状態（非接続状態）とを切り替え可能に構成される。
第１スイッチ１５２Ｃ１は、第１配線と電力供給部１５２Ｂとの接続を切り替える。第１スイッチ１５２Ｃ１がオン状態でバイアス駆動部１８２に電力供給可能となる。
第２スイッチ１５２Ｃ２は、第２配線と電力供給部１５２Ｂとの接続を切り替える。第２スイッチ１５２Ｃ２がオン状態でフィードバック制御部１８４に電力供給可能となる。
第３スイッチ１５２Ｃ３は、第２配線と電力供給部１５２Ｂとの接続を切り替える。第３スイッチ１５２Ｃ３がオン状態でマイコン１９に電力供給可能となる。

制御部１５２Ａは、マイコン１９からの指令に基づいて、各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３の状態を制御する。例えば、マイコン１９の電圧低下検知部１９２は、電源電圧監視部１８１からの検知信号（第１検知信号Ｖｔａ、第２検知信号Ｖｔｂ、及び第３検知信号Ｖｔｃ）に基づいて電圧エラーを検知した場合、電力供給を停止させる旨の供給停止指令を制御部１５２Ａに出力する。制御部１５２Ａは、供給停止指令に基づいて各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３をオン状態からオフ状態に切り替え、電力供給部１５２Ｂとフィルター制御部１８とが非接続状態となる。
このように、マイコン１９からの指令に基づいて、各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３をオフ状態に切り替えることにより、電力供給部１５２Ｂからフィルター制御部１８への電力供給を停止させることができる。

また、各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの低下は、フィルター制御部１８内の回路のショートに起因する場合がある。この場合、フィルター制御部１８の誤作動による波長可変干渉フィルター５の破損や、過電流によるフィルター制御部１８の発熱や破損等のおそれがある。これに対して変形例４では、各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３をオフ状態として、電力供給部１５２Ｂとフィルター制御部１８との接続を切断することができるため、波長可変干渉フィルター５やフィルター制御部１８に上記不具合が発生することを、より確実に抑制することができる。

なお、電圧エラーを検知した場合に、各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３をオフ状態とするとしたが、例えば、各電源電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃのうちいずれの電圧低下が発生しているかに応じて、各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３のいずれをオフ状態とするかを選択してもよい。例えば、バイアス駆動部１８２に印加される第１電源電圧Ｖａが低下した場合は、第１スイッチ１５２Ｃ１のみをオフ状態として第１電源電圧Ｖａの供給を停止させ、かつ、バイアス電圧Ｖ１＝０Ｖの場合における上述の停止処理を実施してもよい。また、フィードバック制御部１８４に印加される第２電源電圧Ｖｂが低下した場合も同様に、第２スイッチ１５２Ｃ２のみをオフ状態としてもよい。また、マイコン１９に印加される第３電源電圧Ｖｃ以外が低下した場合、第１スイッチ１５２Ｃ１及び第２スイッチ１５２Ｃ２のみをオフ状態としてもよい。さらに、第３電源電圧Ｖｃが低下した場合は、全スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３をオフ状態としてもよい。
また、各スイッチ１５２Ｃ１，１５２Ｃ２，１５２Ｃ３をオフ状態とする前に、上記各実施形態及び変形例に記載する停止処理を実施してもよい。これにより、波長可変干渉フィルター５が初期状態となった後に、電力供給を停止させることができる。

（変形例５）
上記各実施形態では、電圧エラーが発生した場合、マイコン１９によるバイアス駆動部１８２及びフィードバック制御部１８４の制御に基づいて、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を低下させていたが、これに限定されない。例えば、電源電圧監視部１８１の検知信号に基づいて、バイアス駆動部１８２とバイアス用アクチュエーター５７との接続や、フィードバック制御部１８４と制御用アクチュエーター５８との接続をオフ状態とするスイッチ回路を備える構成としてもよい。このような構成では、マイコン１９における停止処理による処理負荷の増大を抑制できる。

図２３は、変形例５に係るフィルター制御部１８Ａの概略構成を示す図である。また、図２４は、フィルター制御部１８Ａが備えるフィードバック制御部１８４Ａの概略構成を示す図である。
図２３に示すように、フィルター制御部１８Ａでは、電源電圧監視部１８１からの検知信号がフィードバック制御部１８４Ａに入力される。
フィードバック制御部１８４Ａは、図２４に示すように、ＰＩＤ制御器２０と、駆動回路２１と、スイッチ回路２２と、を含む。
駆動回路２１は、出力部に相当し、ＰＩＤ制御器２０からの出力に基づいて、波長可変干渉フィルター５の制御用アクチュエーター５８（図２３参照）に、フィードバック電圧Ｖ２を印加する。

スイッチ回路２２は、電源電圧監視部１８１からの検知信号に基づいて、駆動回路２１と制御用アクチュエーター５８との間の接続状態を切り替える。すなわち、スイッチ回路２２は、各検知信号（第１検知信号Ｖｔａ、第２検知信号Ｖｔｂ、及び第３検知信号Ｖｔｃ）がＬｏｗの場合は、駆動回路２１と制御用アクチュエーター５８とが接続されるオン状態とし、Ｈｉｇｈの場合は、駆動回路２１と制御用アクチュエーター５８とが接続されないオフ状態とする。

なお、バイアス駆動部１８２にも同様のスイッチ回路を設けてもよい。また、電源電圧監視部１８１の検知信号をマイコン１９に入力させてもよい。これにより、マイコン１９は、電圧エラーが発生したことを検知することができ、例えば、電力供給の停止や分光測定処理を中止等の電圧エラーの検知に応じた処理を実施できる。

（他の変形例）
上記第２実施形態では、バイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を段階的に低減させる際のステップ数Ｋを固定値とする場合について例示したが、ステップ数Ｋを変更してもよい。
例えば、バイアス電圧Ｖ１を、エラー検知時の電圧値Ｖｏから所定の低減量ΔＶ１で段階的に低減させてもよく、この場合、ステップ数Ｋは、電圧値Ｖｏを低減量ΔＶ１で割った際の商として得られる。なお、この場合、ステップ変数ｋ（ｋ＝１〜Ｋ）に対応するバイアス電圧Ｖ１は、ΔＶ１×（Ｋ−ｋ）である。また、フィードバック電圧Ｖ２もステップ数Ｋに応じた回数で段階的に低減される。このような構成では、エラー検知時の電圧値Ｖｏに応じてステップ数Ｋが変更されるものの、各ステップにおけるバイアス電圧Ｖ１及びフィードバック電圧Ｖ２を予め算出しておくことができる。

上記各実施形態及び変形例では、電圧エラーが発生した際に、静電アクチュエーター５６の駆動電圧を低下させ、０Ｖとする場合について例示したが、これに限定されない。例えば、駆動電圧を０Ｖよりも大きい所定値以下の値に変更してもよい。これにより、誤作動によってプルインや発振等の不具合が生じることを抑制できる。

上記各実施形態及び変形例では、静電アクチュエーター５６がバイアス用アクチュエーター５７と、制御用アクチュエーター５８とを備える構成を例示したが、これに限定されない。例えば、バイアス用アクチュエーター５７と、制御用アクチュエーター５８とのいずれかを備える構成でもよい。

上記各実施形態において、キャリッジ１３をＸ方向に沿って移動させるキャリッジ移動ユニット１４を例示したがこれに限定されない。例えば、キャリッジ１３を固定し、媒体Ａをキャリッジ１３に対して移動させる構成としてもよい。この場合、キャリッジ１３の移動に伴う波長可変干渉フィルター５の振動を抑制でき、波長可変干渉フィルター５の透過波長を安定化させることができる。
また、媒体ＡをＹ方向に沿って移動させる搬送ユニット１２を例示したがこれに限定されない。例えば、キャリッジ１３を媒体Ａに対してＹ方向に沿って移動させる構成としてもよい。

上記各実施形態では、印刷部１６として、インクタンクから供給されたインクを、ピエゾ素子を駆動させて吐出させるインクジェット型の印刷部１６を例示したが、これに限定されない。例えば、印刷部１６としては、ヒーターによりインク内に気泡を発生させてインクを吐出する構成や、超音波振動子によりインクを吐出させる構成としてもよい。
また、インクジェット方式のものに限定されず、例えば熱転写方式を用いたサーマルプリンターや、レーザープリンター、ドットインパクトプリンター等、如何なる印刷方式のプリンターに対しても適用できる。

上記各実施形態では、波長可変干渉フィルター５として、入射光から反射膜５４，５５間のギャップＧに応じた波長の光を透過させる光透過型の波長可変干渉フィルター５を例示したが、これに限定されない。例えば、反射膜５４、５５間のギャップＧに応じた波長の光を反射させる、光反射型の波長可変干渉フィルターを用いてもよい。
また、筐体６に波長可変干渉フィルター５が収納された光学フィルターデバイス１７２を例示したが、波長可変干渉フィルター５が直に分光器１７に設けられる構成などとしてもよい。

上記各実施形態において、光学モジュールとしての分光器１７を備えたプリンター１０を例示したが、これに限定されない。例えば、画像形成部を備えず、媒体Ａに対する分光測定処理のみを実施する色むら分光測定装置であってもよい。また、例えば工場等において製造された印刷物の品質検査を行う品質検査装置に、上記光学モジュールを組み込んでもよく、その他、如何なる装置に本発明の光学モジュールを組み込んでもよい。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で上記各実施形態及び変形例を適宜組み合わせることで構成してもよく、また他の構造などに適宜変更してもよい。

５…波長可変干渉フィルター、１０…プリンター（電子機器）、１５…制御ユニット（モジュール制御部）、１７…分光器（光学モジュール）、１８，１８Ａ…フィルター制御部（電圧制御部）、１９…マイコン（駆動制御部）、２０…ＰＩＤ制御器、２１…駆動回路、２２…スイッチ回路、５１…固定基板、５２…可動基板、５４…固定反射膜、５５…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター、５７…バイアス用静電アクチュエーター（第１駆動部）、５８…制御用静電アクチュエーター（第２駆動部）、６１…ベース、６２…ガラス基板、６３…カバーガラス、Ｒａ…比例パラメーター、Ｒｂ…積分パラメーター、Ｒｃ…微分パラメーター、Ｖ１…バイアス電圧（第１駆動電圧）、Ｖ２…フィードバック電圧（第２駆動電圧）、Ｖａ…第１電源電圧、Ｖｂ…第２電源電圧、Ｖｃ…第３電源電圧、Ｖｄａ…バイアス電圧閾値、Ｖｄｂ…フィードバック電圧閾値、Ｖｄｃ…マイコン電圧閾値、Ｖｄｃ１…第１マイコン電圧閾値、Ｖｄｃ２…第２マイコン電圧閾値、Ｖｔａ…第１検知信号、Ｖｔｂ…第２検知信号、Ｖｔｃ…第３検知信号。

Claims (9)

1. 反射膜間ギャップを介して対向する２つの反射膜、及び、前記反射膜間ギャップのギャップ量を変更する静電アクチュエーターを備える波長可変干渉フィルターと、
   電力供給部からの複数の供給電圧により駆動され、前記静電アクチュエーターに駆動電圧を印加する電圧制御部と、を備え、
   前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を低下させる
   ことを特徴とする光学モジュール。
2. 請求項１に記載の光学モジュールにおいて、
   前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を所定値以下の値に変更する
   ことを特徴とする光学モジュール。
3. 請求項２に記載の光学モジュールにおいて、
   前記電圧制御部は、前記駆動電圧を漸減させる
   ことを特徴とする光学モジュール。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
   前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の第１閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を漸減させ、前記第１閾値よりも小さい第２閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を所定値以下の値に変更する
   ことを特徴とする光学モジュール。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
   前記波長可変干渉フィルターは、前記静電アクチュエーターとして、第１静電アクチュエーターと、第２静電アクチュエーターと、を有し、
   前記電圧制御部は、
   前記ギャップ量を検出するギャップ検出部と、前記第１静電アクチュエーターに前記駆動電圧としての第１駆動電圧を印加する第１駆動部と、前記ギャップ量の検出値を前記ギャップ量の目標値に近づけるようにフィードバック制御を行い、第２静電アクチュエーターに前記駆動電圧としての第２駆動電圧を印加する第２駆動部と、を有し、
   前記複数の供給電圧のいずれかが前記所定の閾値未満となった場合に、前記第２駆動電圧を低下させた後、前記第１駆動電圧を低下させる
   ことを特徴とする光学モジュール。
6. 請求項５に記載の光学モジュールにおいて、
   前記第２駆動部は、前記フィードバック制御における駆動パラメーターを変更可能であり、前記第２駆動電圧を低下させる際に前記駆動パラメーターを変更する
   ことを特徴とする光学モジュール。
7. 請求項５又は請求項６に記載の光学モジュールにおいて、
   前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となったことを示す検知信号を出力する電圧監視部を備え、
   前記第２駆動部は、
   前記第２駆動電圧を出力する出力部と、
   前記出力部の出力側に設けられ、前記出力部及び前記第２静電アクチュエーターが接続された接続状態と、切断された非接続状態とを切り替えるスイッチ回路と、を有し、
   前記スイッチ回路は、前記検知信号の入力された場合、前記接続状態から前記非接続状態に切り替える
   ことを特徴とする光学モジュール。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
   前記電圧制御部は、前記静電アクチュエーターに前記駆動電圧を印加する駆動部と、前記駆動部を制御する駆動制御部と、を備え、
   前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動制御部は、前記駆動部を制御して前記駆動電圧を低下させる
   ことを特徴とする光学モジュール。
9. 反射膜間ギャップを介して対向する２つの反射膜、及び、前記反射膜間ギャップのギャップ量を変更する静電アクチュエーターを備える波長可変干渉フィルターと、電力供給部からの複数の供給電圧により駆動され、前記静電アクチュエーターに駆動電圧を印加する電圧制御部と、を備える光学モジュールと、
   前記光学モジュールを制御するモジュール制御部と、を具備し、
   前記電圧制御部は、前記複数の供給電圧のいずれかが所定の閾値未満となった場合に、前記駆動電圧を低下させる
   ことを特徴とする電子機器。