JP6801234B2 - 触媒の取り出し方法、フッ素基を有する化合物の製造方法、及び、触媒の保存方法 - Google Patents
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Description
項1.反応器内でフッ化水素と触媒とを100〜460℃の範囲で接触して該触媒のフッ素化処理をした後に、該フッ素化された触媒を取り出す方法において、
前記フッ素化処理の後に前記反応器内の雰囲気温度がT 2 ≧T 1 (ただし、T 1 (℃)は、前記フッ素化処理の温度、T 2 (℃)は、前記雰囲気温度を示す)となるように加熱処理する加熱工程と、
前記フッ素化処理の後に不活性ガスを前記反応器内に流入してフッ化水素を反応器外へ追い出すパージ工程と、
を含む工程を経て前記フッ素化触媒を取り出す、触媒の取り出し方法で取り出した触媒の存在下、フッ化水素と、出発原料とを反応して、フッ素基を有する化合物を得る工程を具備する、フッ素基を有する化合物の製造方法。
項2.前記反応は気相フッ素化反応であって、
前記出発原料がハロゲンを有する化合物であり、
前記フッ素基を有する化合物がフッ素基含有ハロゲン化炭化水素である、上記項1に記載の製造方法。
酸化クロム触媒20.0gを管状反応器に充填し、反応器の温度を200℃にして、窒素を450mL/分、無水フッ化水素を50mL/分の流速で供給して1時間維持した。その後、反応器の温度を上げながら無水フッ化水素の流速を上げていき、最終的には反応器の温度を330℃にして、無水フッ化水素を500mL/分の流速で供給して1時間維持した。このときの温度(330℃)をフッ素化処理の最終の温度として、酸化クロム触媒のフッ素化処理を行った。フッ素化処理後の触媒のフッ素含有率は25重量%であった。
実施例1と同様の条件下で酸化クロム触媒のフッ素化処理を行った。このフッ素化処理が終了した後、反応器内の雰囲気温度を25℃にし、水分量2.5ppmである窒素ガスを200mL/分の流速で導入して(パージ工程)、12時間後の反応器内のフッ化水素濃度を測定した。その結果、反応器内のフッ化水素の濃度は100ppm以上であり、安全でない濃度であった。
Claims (2)
- 反応器内でフッ化水素と触媒とを100〜460℃の範囲で接触して該触媒のフッ素化処理をした後に、該フッ素化された触媒を取り出す方法において、
前記フッ素化処理の後に前記反応器内の雰囲気温度がT 2 ≧T 1 (ただし、T 1 (℃)は、前記フッ素化処理の温度、T 2 (℃)は、前記雰囲気温度を示す)となるように加熱処理する加熱工程と、
前記フッ素化処理の後に不活性ガスを前記反応器内に流入してフッ化水素を反応器外へ追い出すパージ工程と、
を含む工程を経て前記フッ素化触媒を取り出す、触媒の取り出し方法で取り出した触媒の存在下、フッ化水素と、出発原料とを反応して、フッ素基を有する化合物を得る工程を具備する、フッ素基を有する化合物の製造方法。 - 前記反応は気相フッ素化反応であって、
前記出発原料がハロゲンを有する化合物であり、
前記フッ素基を有する化合物がフッ素基含有ハロゲン化炭化水素である、請求項1に記載の製造方法。
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