JP6796392B2 - 3レベル電力変換装置 - Google Patents
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Description
同様に、装置の電力容量の増加を目的として各電力スイッチング素子を並列化した構成とした場合も、実装の制約により設計の自由度が低下し、結果として電力変換装置が大型化してしまうおそれがあった。
加えて、電力変換セル内の電力スイッチング素子が電力変換装置動作中に短絡などの故障をきたした場合には、短絡系路上にある他の電力スイッチング素子にも連鎖的に影響が波及して、導通破損するおそれがある。そこで、事故時の二次被害の防止が望まれている。
そこで、本発明は、電力変換装置の小型化を図ると共に、事故時の二次被害を少なくすることを課題とする。
正極側直流端子および負極側直流端子とU相端子との間に並列に接続されて、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子に印加された直流電圧を任意の周波数・振幅のU相の交流電圧に変換する複数の電力変換主回路と、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子とV相端子との間に並列に接続されて、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子に印加された直流電圧を任意の周波数・振幅のV相の交流電圧に変換する複数の電力変換主回路と、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子とW相端子との間に並列に接続されて、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子に印加された直流電圧を任意の周波数・振幅のW相の交流電圧に変換する複数の電力変換主回路と、を備える。この3レベル電力変換装置は、前記U相、前記V相、前記W相の前記複数の電力変換主回路は、2以上の電力スイッチング素子が直列に接続された構成が複数に亘って配列された第1〜第4スイッチング素子構造体と、直流電圧の中性点から前記第1スイッチング素子構造体の構成のうち一つの他端に接続される第1ダイオード素子と、前記中性点から前記第4スイッチング素子構造体の構成のうち一つの他端に接続される第2ダイオード素子が複数に亘って配列されたダイオード素子構造体と、を含んで構成される。前記第1スイッチング素子構造体の各構成は、前記正極側直流端子に一端が接続され、前記第2スイッチング素子構造体の各構成は、前記第1スイッチング素子構造体の構成のうち一つと前記U相、前記V相、前記W相のうち何れかの交流端子との間に接続され、前記第4スイッチング素子構造体の各構成は、前記負極側直流端子に一端が接続され、前記第3スイッチング素子構造体の各構成は、各前記第4スイッチング素子構造体の構成のうち一つと前記U相、前記V相、前記W相のうち何れかの交流端子との間に接続され、前記第1〜第4スイッチング素子構造体の各構成は、直列接続された何れかの電力スイッチング素子に過電圧が印加された際に、直列接続された他の電力スイッチング素子の運転を停止する。
その他の手段については、発明を実施するための形態のなかで説明する。
比較例および本実施形態の3レベル電力変換装置は、直流電圧を任意の周波数・振幅の交流電圧に変換するインバータである。この3レベル電力変換装置は、例えば、鉄鋼圧延プラントなどに用いられる交流誘導電動機の駆動制御に適用される。
図14は、比較例の3レベル電力変換装置9の構成図である。
3レベル電力変換装置9は、U相回路91u、V相回路91v、W相回路91wの3相から構成される。V相回路91v、W相回路91wの構成は、U相回路91uと同一である。
U相回路91uは、電力変換主回路92a〜92cが並列に接続されて構成される。これら電力変換主回路92a〜92cは、それぞれ正側直流電源母線(以下、「P母線」と記載)、中性点母線(以下、「C母線」と記載)、負側直流電源母線(以下、「N母線」と記載)に接続されて直流電圧が供給され、ノードUACOにU相の交流電圧を出力する。電力変換主回路92b,92cの回路構成は、電力変換主回路92aと同一である。
W相回路91wは、電力変換主回路92g〜92iが並列に接続されて構成される。これら電力変換主回路92g〜92iは、それぞれP母線、C母線、N母線に接続されて直流電圧が供給され、ノードWACOにW相の交流電圧を出力する。電力変換主回路92h,92iの回路構成は、電力変換主回路92gと同一である。
以下、電力変換主回路92a〜92iを特に区別しないときには、単に電力変換主回路92と記載する。
U相回路91uと、V相回路91vと、W相回路91wとは、3相とも同一の構成である。U相回路91u、V相回路91v、W相回路91wの各相において、同様な電力変換主回路92を複数個並列に接続することにより、3レベル電力変換装置9の出力容量を増加させることができる。
電力変換主回路92は、電力スイッチング素子としてIGBT素子Q11〜Q14を使用し、ダイオード素子D3,D4によって中性点にクランプするNPC(Neutral Point Clamped)方式の電力変換回路である。IGBT素子Q11〜Q14は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT:以下「IGBT」と記載)およびコレクタ−エミッタ間に接続された環流用ダイオードを備えた素子である。各IGBT素子Q11〜Q14にはゲートドライバ18が接続されており、このゲートドライバ18は、制御部90によって制御される。これらIGBT素子Q11〜Q14の詳細は、後記する図16で説明する。
第1の中性点のIGBT素子Q12および第2の中性点のIGBT素子Q13は、IGBT素子Q11,Q12がオフの際に、C母線の電位をノードACOに出力する。
ノードACOに正電圧のパルスを出力する際、制御部90は、IGBT素子Q11,Q12をオン、IGBT素子Q13,Q14をオフする。これによりP母線の電位が、ノードACOに出力される。
また、ノードACOに零電圧を出力する際、制御部90は、IGBT素子Q12,Q13をオン、IGBT素子Q11,Q14をオフする。これによりC母線の電位が、ノードACOに出力される。
電力変換主回路92の制御部90は、上記したようなゼロ点を中心とした正パルスと負パルスからなるPWM(Pulse Width Modulation)パルスを出力するので、2レベル電力変換回路と比べ、より正弦波に近い交流電圧をノードACOに出力することができる。
比較例のIGBT素子Q11には、ゲートドライバ18、過電圧検出回路19、過電圧抑制回路20が接続されている。
過電圧抑制回路20は、IGBT素子Q11のコレクタ−ゲート間に並列に接続されたツェナーダイオード(不図示)を含んで構成される。この過電圧抑制回路20は、コレクタ−ゲート間に過電圧が印加されるとツェナーダイオードに電流が流れ、IGBT素子Q11のゲートに充電電流を供給する。これによりIGBT素子Q11のインピーダンスを低下させ、IGBT素子Q11を過電圧から保護している。
過電圧検出回路19とゲートドライバ18とは、ゲート−エミッタ間に接続される。ゲートドライバ18は、IGBT素子Q11のゲートに指令信号を流す。過電圧検出回路19は、過電圧抑制回路20の出力信号とゲートドライバ18からIGBT素子Q11に流れる指令信号とは不一致であると認識することで、過電圧が発生していると判断する。これにより制御部90(図15参照)は、運転を停止して素子の導通破損を防ぐことができる。
比較例の電力変換主回路92では、IGBT素子Q11〜Q14のうちいずれかが導通破損した際に、二次的な素子破損が発生するおそれがある。これを図17と図18を参照して説明する。
図17は、比較例の電力変換主回路92にて故障が発生したことを示す図である。
IGBT素子Q11,Q12がオンし、IGBT素子Q13,Q14がオフしたときに電力変換主回路92に流れる電流を、ルート73として示す。電流は、P母線からIGBT素子Q11,Q12とノードACOを介して、負荷Lに流れる。このときIGBT素子Q13が誤ってオンするか、または導通破損すると、図18に示すように他の素子も導通破損する。
このとき電力変換主回路92に流れる電流を、ルート74として示す。電流は、P母線からIGBT素子Q11,Q12,Q13とダイオード素子D4を介してC母線に流れる。このような直流短絡により、IGBT素子Q11,Q12とダイオード素子D4は破損に至る。
直列接続されたIGBT素子Q11に、IGBT素子Q11〜Q14の4素子分の電圧が印加され電圧が上昇するが、過電圧検出回路19(図16参照)により近傍のIGBT素子の故障を検出し、運転を停止させることで更なる被害を留めることができる。しかし、IGBT素子Q13が過電圧によりダメージを受けていることを考慮すると、運転停止後にIGBT素子Q11〜Q14とダイオード素子D4とを交換する必要がある。すなわち、1相分の構成をすべて交換しなければならない。
図1に示す3レベル電力変換装置1は、直流電圧を任意の周波数・振幅の交流電圧に変換する電力変換主回路12(図2参照)をそれぞれ3個用いたU相回路11u、V相回路11v、W相回路11wの3相を備えている。V相回路11v、W相回路11wの構成は、U相回路11uの構成と同一である。
以下、電力変換主回路12a〜12iを特に区別しないときには、単に電力変換主回路12と記載する。
本実施形態の電力変換主回路12が、比較例の電力変換主回路92(図15参照)と異なる点は、同様のスイッチング動作を行う2個のIGBT素子を直列に接続して電力変換セルを構成していることである。これにより、電力変換セルの定格電圧を2つのIGBT素子で分担させ、入力する直流電圧を約2倍に増加させることが可能となり、出力の大容量化を図ることができる。
IGBT素子Q1,Q2には、図16に示した比較例と同様にゲートドライバ18、過電圧検出回路19および過電圧抑制回路20が接続されている。
過電圧抑制回路20は、IGBT素子Q1,Q2のコレクタ−ゲート間に過電圧が印加されると、そのIGBT素子のゲートに充電電流を供給する。これによりIGBT素子Q1,Q2のインピーダンスを低下させ、IGBT素子Q1,Q2を過電圧から保護している。
過電圧検出回路19とゲートドライバ18とは、IGBT素子Q1,Q2のゲート−エミッタ間に接続される。ゲートドライバ18は、IGBT素子Q1,Q2のゲートに指令信号を流す。過電圧検出回路19は、過電圧抑制回路20の出力信号とゲートドライバ18からIGBT素子Q1,Q2に流れる指令信号とは不一致であると認識することで、各IGBT素子に過電圧が発生していると判断する。
同様にIGBTセル15は、IGBT素子Q3,Q4の過電圧の印加を検出可能である。電力変換主回路12は、IGBT素子Q3,Q4のうち一方に過電圧が印加された際に、他方のIGBT素子の運転を停止して、事故時の二次被害を少なくする。
IGBTセル17は、IGBT素子Q7,Q8の過電圧の印加を検出可能である。電力変換主回路12は、IGBT素子Q7,Q8のうち一方に過電圧が印加された際に、他方のIGBT素子の運転を停止して、事故時の二次被害を少なくする。
第1の中性点のIGBTセル15および第2の中性点のIGBTセル16は、C母線の電位をノードACOに出力する。
ノードACOに正電圧のパルスを出力する際、制御部10は、IGBTセル14,15が備えるIGBT素子Q1〜Q4をオン、IGBTセル16,17が備えるIGBT素子Q5〜Q8をオフする。これによりP母線の電位が、ノードACOに出力される。
また、ノードACOに零電圧を出力する際、制御部10は、IGBTセル15,16が備えるIGBT素子Q3〜Q6をオン、IGBTセル14が備えるIGBT素子Q1,Q2とIGBTセル17が備えるIGBT素子Q7,Q8をオフする。これによりC母線の電位が、ノードACOに出力される。
電力変換主回路12の制御部10は、上記したようなゼロ点を中心とした正パルスと負パルスからなるPWM(Pulse Width Modulation)パルスにより、2レベル電力変換回路と比べ、より正弦波に近い交流電圧をノードACOに出力することができる。
本実施形態の電力変換主回路12では、IGBTセル14〜17に、それぞれ同様のスイッチング動作を行う2個のIGBT素子を直列に接続している。これは、IGBTセル14〜17の定格電圧を2個のIGBT素子で分担させることで入力する直流電圧を約2倍に増加させることが可能となる。更に、いずれかのIGBT素子が導通破損した際の二次的な素子破損を低減する効果もある。これを図4と図5を参照しつつ説明する。
IGBT素子Q1〜Q4がオンし、IGBT素子Q5〜Q8がオフしたときに電力変換主回路12に流れる電流を、ルート71として示す。電流は、P母線からIGBT素子Q1〜Q4とノードACOを介して、負荷Lに流れる。このときIGBT素子Q5が誤ってオンするか、または導通破損した場合を考える。
ルート72で示すように、P母線に印加された電圧は、IGBT素子Q6のコレクタ端子にも印加される。IGBT素子Q6には、IGBT素子Q1〜Q5の5素子分の電圧が印加され電圧が上昇する。しかし、制御部10は、過電圧抑制回路20および過電圧検出回路19により近傍のIGBT素子の故障を検出し、この電力変換主回路12の運転を停止させる。これにより電力変換主回路12は、更なる被害を留めることができる。
なお、各IGBTセル14〜17は、それぞれ同様のスイッチング動作を行う3個以上のIGBT素子を直列に接続してもよく、限定されない。
図6は、本実施形態における電力変換主回路12を構成するIGBTセル14〜17とクランプダイオードセル13のユニット構造の配置例である。
図6のユニット構造は、IGBTセル14〜17およびクランプダイオードセル13が上下左右不問の実装にて構成される構造体内で、図の奥行き方向に3列に並列化されている、これにより、例えばU相回路11uにおける並列化された電力変換主回路12a〜12cを容易に実現可能である。
なお図6のユニット構造例にて、IGBTセル14〜17はすべて同一の構造である。これにより、IGBTセルの故障時に備えた交換部品の種類を1種類とすることができ、交換部品の種類とストック数を少なくすることができる。
このIGBTセル14は、IGBT素子Q1のコレクタ端子がブス21を介してP母線と接続され、IGBT素子Q2のエミッタ端子がブス23,24を介してIGBTセル15と接続される。
このIGBTセル15は、IGBT素子Q3のコレクタ端子がブス25,24,23を介してIGBT素子Q2のエミッタ端子に接続され、ブス25,32を介してダイオード素子D1のカソード端子に接続される。更にIGBT素子Q4のエミッタ端子がブス27を介してブス28に接続される。このブス28は、電力変換主回路12より出力された電力を出力するノードACOである。
ダイオード素子D1のアノード端子は、ブス31を介してC母線と同電位であるブス30に接続される。ダイオード素子D1のカソード端子は、ブス32を介してIGBTセル14とIGBTセル15の接続点に接続される。
これらダイオード素子D1,D2と、これらに接続されるブス31,32とブス33,34は、面対称に配置されている。
このIGBTセル17は、IGBT素子Q8のエミッタ端子がブス41を介してN母線と接続され、IGBT素子Q7のコレクタ端子がブス43,44を介してIGBTセル16と接続される。
このIGBTセル16は、IGBT素子Q6のエミッタ端子がブス45,44,43を介してIGBT素子Q7のコレクタ端子に接続され、ブス45,34を介してダイオード素子D2のアノード端子に接続される。更にIGBT素子Q5のコレクタ端子がブス47を介して、ノードACOであるブス28に接続される。
更にIGBTセル15とIGBTセル16とは、クランプダイオードセル13を挟んで面対称に配置されている。IGBTセル14は、IGBTセル17に対して上下反転して配置されている。
更にクランプダイオードセル13のダイオード素子D1とダイオード素子D1とは、面対称に配置されている。これにより3レベル電力変換装置1の幅を抑制することができる。
図7の左側には、P母線とC母線とN母線とが配置されている。IGBTセル14,15は、P母線とノードACOとの間に直列接続されている。IGBTセル16,17は、ノードACOとN母線との間に直列接続されている。クランプダイオードセル13は、ダイオード素子D1,D2を備えている。ダイオード素子D1は、C母線からIGBTセル14,15の接続ノードに向けて接続される。ダイオード素子D2は、IGBTセル16,17の接続ノードからC母線に向けて接続される。
IGBTセル14は、P母線の正極側直流端子に一端が接続される第1スイッチング素子構造体である。IGBTセル15は、IGBTセル14とノードACO(交流端子)との間に接続される第2スイッチング素子構造体である。
また、IGBTセル17は、N母線の負極側直流端子に一端が接続される第4スイッチング素子構造体である。IGBTセル16は、IGBTセル17とノードACO(交流端子)との間に接続される第3スイッチング素子構造体である。
ダイオード素子D1は、C母線(中性点)からIGBTセル14の他端に接続される第1ダイオード素子である。ダイオード素子D2は、C母線(中性点)からIGBTセル17の他端に接続される。
図8〜図10は、本実施形態の電力変換主回路12を構成するIGBTセル14〜17の構造例を示している。IGBTセル14〜17は、全て同様な構成であるため、ここではIGBTセル14について説明し、IGBTセル15〜17の説明を省略する。
図8は、IGBTセル14の正面図である。この図8では、図6と同様な方向から、上下反転したIGBTセル14を見ている。
金属板53は、ヒートシンク50a,50bを固定すると共に、支持体51を固定する。この支持体51は、U字型の断面を持つように形成されており、上側が金属板53に固定されている。金属板52は平板状であり、支持体51のうち、金属板53やヒートシンク50a,50bとは反対方向に固定されている。
図9にてIGBTセル14は、IGBT素子Q2およびブス23の3個の配列、金属板53、支持体51、金属板52が図示されている。IGBT素子Q1およびブス22,21は、IGBT素子Q2およびブス23の背後に隠されている。ヒートシンク50a,50bは、金属板53の背後に隠されている。
図10にてIGBTセル14は、3組のIGBT素子Q1,Q2およびブス21,22,23が、ヒートシンク50a,50b上に配列されて構成されることが示されている。これら3組のブス21,22,23は、図の上側に同一平面を成すように配置される。これら3列のブス21,22,23は、3列の平面状のブス30(図6参照)に近接して配置される。
ブス21は、P母線とIGBT素子Q1のコレクタ端子とを同電位に接続する。ブス22は、IGBT素子Q1のエミッタ端子とIGBT素子Q2のコレクタ端子とを接続する。ブス23は、IGBT素子Q2のエミッタ端子と、隣接するIGBTセル15のIGBT素子Q3のコレクタ端子とを接続する。
図11〜図13は、本実施形態の電力変換主回路12を構成するクランプダイオードセル13の構造例を示している。
図11は、クランプダイオードセル13を示す正面図である。この図11では、図6と同様な方向からクランプダイオードセル13を上下反転して見ている。
これらダイオード素子D1はP側(2in1)クランプダイオードである。ダイオード素子D2はN側(2in1)クランプダイオードである。
ブス34は、図6に示したように、IGBT素子Q7のコレクタ端子とIGBT素子Q6のエミッタ端子間と、ダイオード素子D2のアノード端子間とを接続する。ブス33は、ダイオード素子D2のカソード端子と、中性点であるブス30とを接続する。
図12にてクランプダイオードセル13は、3組のダイオード素子D1およびブス31,32がヒートシンク60p上に配列され、3組のダイオード素子D2およびブス33,34がヒートシンク60n上に配列されている様子が示されている。
この図13にてクランプダイオードセル13は、3組のダイオード素子D1およびブス31,32がヒートシンク60p上に配列されている様子が示されている。このヒートシンク60pは、支持板61の一方の面に固定されている。更に支持板61の下側には、3組のブス33と手前側の1組のブス34が示されているが、3組のダイオード素子D2と、奥側の2組のブス34とヒートシンク60nは、支持板61によって隠されている。
(a) 本発明の電力変換主回路は、NPC方式に限定されず、A−NPC(Advanced-NPC)方式で構成されていてもよい。
(b) 電力変換主回路の変換動作は、インバータ動作に限定されず、コンバータ動作であってもよい。
(c) 電力変換セルは、2個の電力スイッチング素子の直列接続に限定されない。
(d) 電力変換セルの並列数は3列に限定されない。
(e) 電力変換セルに用いられる電力スイッチング素子は、IGBTに限定されず、例えばゲートターンオフサイリスタ(Gate Turn-Off thyristor)などであってもよい。
10 制御部
11u U相回路
11v V相回路
11w W相回路
12,12a〜12i 電力変換主回路
13 クランプダイオードセル (ダイオード素子構造体)
14 IGBTセル (第1スイッチング素子構造体)
15 IGBTセル (第2スイッチング素子構造体)
16 IGBTセル (第3スイッチング素子構造体)
17 IGBTセル (第4スイッチング素子構造体)
18 ゲートドライバ
19 過電圧検出回路
20 過電圧抑制回路
21〜28,30〜34 ブス
41〜48 ブス
50a,50b ヒートシンク
51 支持体
52 金属板
53 金属板
60p,60n ヒートシンク
61 支持板
9 3レベル電力変換装置
90 制御部
91u U相回路
91v V相回路
91w W相回路
92,92a〜92i 電力変換主回路
Claims (3)
- 正極側直流端子および負極側直流端子とU相端子との間に並列に接続されて、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子に印加された直流電圧を任意の周波数・振幅のU相の交流電圧に変換する複数の電力変換主回路と、
前記正極側直流端子および前記負極側直流端子とV相端子との間に並列に接続されて、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子に印加された直流電圧を任意の周波数・振幅のV相の交流電圧に変換する複数の電力変換主回路と、
前記正極側直流端子および前記負極側直流端子とW相端子との間に並列に接続されて、前記正極側直流端子および前記負極側直流端子に印加された直流電圧を任意の周波数・振幅のW相の交流電圧に変換する複数の電力変換主回路と、
を備える3レベル電力変換装置において、
前記U相、前記V相、前記W相の前記複数の電力変換主回路は、
2以上の電力スイッチング素子が直列に接続された構成が複数に亘って配列された第1〜第4スイッチング素子構造体と、
直流電圧の中性点から前記第1スイッチング素子構造体の構成のうち一つの他端に接続される第1ダイオード素子と、前記中性点から前記第4スイッチング素子構造体の構成のうち一つの他端に接続される第2ダイオード素子が複数に亘って配列されたダイオード素子構造体と、
を含んで構成され、
前記第1スイッチング素子構造体の各構成は、前記正極側直流端子に一端が接続され、
前記第2スイッチング素子構造体の各構成は、前記第1スイッチング素子構造体の構成のうち一つと前記U相、前記V相、前記W相のうち何れかの交流端子との間に接続され、
前記第4スイッチング素子構造体の各構成は、前記負極側直流端子に一端が接続され、
前記第3スイッチング素子構造体の各構成は、各前記第4スイッチング素子構造体の構成のうち一つと前記U相、前記V相、前記W相のうち何れかの交流端子との間に接続され、
前記第1〜第4スイッチング素子構造体の各構成は、直列接続された何れかの電力スイッチング素子に過電圧が印加された際に、直列接続された他の電力スイッチング素子の運転を停止する、
ことを特徴とする3レベル電力変換装置。 - 前記U相の前記第1スイッチング素子構造体と前記第2スイッチング素子構造体と前記第3スイッチング素子構造体と前記第4スイッチング素子構造体と、前記V相の前記第1スイッチング素子構造体と前記第2スイッチング素子構造体と前記第3スイッチング素子構造体と前記第4スイッチング素子構造体と、前記W相の前記第1スイッチング素子構造体と前記第2スイッチング素子構造体と前記第3スイッチング素子構造体と前記第4スイッチング素子構造体は、すべて同一の構造である、
ことを特徴とする請求項1に記載の3レベル電力変換装置。 - 前記第1〜第4スイッチング素子構造体は、セル化されており、交換可能である、
ことを特徴とする請求項1に記載の3レベル電力変換装置。
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