JP6792264B2 - ガリウムを含有する結晶性アルミノシリケートおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
[1] ガリウムを含み、なおかつ、酸化ガリウムに対するシリカのモル比が75以上であることを特徴とするCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
[2] 前記ガリウムが少なくとも骨格構造に含まれていることを特徴とする上記[1]に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
[3] アルミナに対するシリカのモル比が10以上であることを特徴とする上記[1]又は[2]に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
[4] 銅及び鉄の少なくともいずれかを含有することを特徴とする上記[1]乃至[3]のいずれかに記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
[5] アルミニウム源、ケイ素源、ガリウム源、構造指向剤、アルカリ源及び水を含む組成物を結晶化する結晶化工程、を有することを特徴とする上記[1]乃至[4]のいずれかに記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートの製造方法。
[6] 前記アルミニウム源、前記ケイ素源及び前記ガリウム源が、アルミニウム、ケイ素及びガリウムを含む複合酸化物であることを特徴とする上記[5]に記載の製造方法。
[7] 前記アルミニウム源、前記ケイ素源及び前記ガリウム源が、アルミニウム、ケイ素及びガリウムを含むゼオライトであることを特徴とする上記[5]又は[6]に記載の製造方法。
[8] 上記[1]乃至[4]のいずれかに記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートを含むことを特徴とする触媒。
[9] 上記[1]乃至[4]のいずれかに記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートを使用することを特徴とする窒素酸化物の還元方法。
[10] 上記[1]乃至[4]のいずれかに記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートを使用することを特徴とするアンモニアの転化方法。
種晶含有量(重量%)=(WAl(Seed)+WSi(seed)+WGa(seed))
×100/(WAl+WSi+WGa)
SiO2/Ga2O3比 =75以上、2000以下
SiO2/Al2O3比 =10以上、600以下
アルカリ/SiO2比 =0.01以上、1以下
SDA/SiO2比 =0.1以上、0.5以下
OH/SiO2比 =0.1以上、1以下
H2O/SiO2比 =3以上、20以下
一般的なX線回折装置(装置名:D8 Advance、Bruker社製)を使用し、以下の条件で試料のXRD測定をした。測定されたXRDパターンを使用し、上述した結晶構造の同定方法により、試料の結晶構造を同定した。
線源 :CuKα線(λ=1.5405Å)
測定範囲:2θ=5°〜50°
水酸化カリウム水溶液に試料を溶解して試料溶液を調製した。一般的なICP装置(装置名:SPS7000、Seiko社製)を使用して、当該試料溶液を誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)で測定することにより、試料の組成を分析した。
一般的なUV−vis測定装置(装置名:V−570、日本分光株式会社製)を使用して、拡散反射スペクトルをバンド幅10mm、スキャン速度400nm/分の条件で測定した。
一般的な電解放出形走査型電子顕微鏡(装置名:S−4800、日立製作所製)を用いて試料の結晶の観察、及び平均結晶径の測定を行った。
一般的なNMR測定装置(装置名:600PS Solid、Varian製)を使用して、下記の条件で測定した。
共鳴周波数 :600MHz
スピン速度 :15kHz
待ち時間 :0.1s
パルス幅 :2.5μs
積算回数 :400,000回
950gの水に0.465gのGa(NO)3・xH2Oを溶解させ、そこに濃度30重量%の硫酸を6g添加、混合して処理溶液を調製した。当該処理溶液にFAU型ゼオライト(Y型、カチオンタイプ:プロトン型、SiO2/Al2O3比=5.6)を懸濁させ、室温で24時間攪拌した。得られた固相をpHが7になるまで純水洗浄した後、60℃の温水で洗浄した。120℃で乾燥することでGaを含有する複合酸化物を得た。得られた複合酸化物は、Y型ゼオライト構造を有する、ガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケートであり、SiO2/Ga2O3比は388及びSiO2/Al2O3比は48であった。
Ga(NO)3・xH2Oを0.230gとしたこと以外は合成例1と同様の方法で複合酸化物を得た。得られた複合酸化物は、Y型ゼオライト構造を有するガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケートであり、SiO2/Ga2O3比は608及びSiO2/Al2O3比は52であった。
Ga(NO)3・xH2Oを0.116gとしたこと以外は合成例1と同様の方法で複合酸化物を得た。得られた複合酸化物は、Y型ゼオライト構造を有するガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケートであり、SiO2/Ga2O3比は1236及びSiO2/Al2O3比は66であった。
Ga(NO)3・xH2Oを1.86gとしたこと以外は合成例1と同様の方法で複合酸化物を得た。得られた複合酸化物は、Y型ゼオライト構造を有するガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケートであり、SiO2/Ga2O3比は164及びSiO2/Al2O3比は72であった。
合成例4で得られたガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケート、純水及び水酸化ナトリウムを、TMAdaOH水溶液に添加し、以下の組成を有する原料組成物を得た。
SiO2/Ga2O3比 =164
SiO2/Al2O3比 =72
アルカリ(Na)/SiO2比 =0.1
SDA(TMAda+)/SiO2比 =0.3
OH/SiO2比 =0.4
H2O/SiO2比 =15
合成例4で得られたガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケート、純水及び水酸化ナトリウムを、TMAdaOH水溶液に添加し、以下の組成を有する原料組成物を得た。
SiO2/Ga2O3比 =164
SiO2/Al2O3比 =72
アルカリ(Na)/SiO2比 =0.1
SDA(TMAda+)/SiO2比 =0.3
OH/SiO2比 =0.4
H2O/SiO2比 =15
合成例1で得られたガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケート、純水及び水酸化ナトリウムを、TMAdaOH水溶液に添加し、以下の組成を有する原料組成物を得た。
SiO2/Ga2O3比 =388
SiO2/Al2O3比 =48
アルカリ(Na)/SiO2比 =0.2
SDA(TMAda+)/SiO2比 =0.3
OH/SiO2比 =0.5
H2O/SiO2比 =15
合成例2で得られたガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケートを使用したこと、及び、原料組成物の組成を以下のとおりとしたこと以外は、実施例3と同様な方法により結晶化し、得られた結晶化物を洗浄、乾燥した。
SiO2/Ga2O3比 =608
SiO2/Al2O3比 =52
アルカリ(Na)/SiO2比 =0.2
SDA(TMAda+)/SiO2比 =0.3
OH/SiO2比 =0.5
H2O/SiO2比 =15
合成例3で得られたガリウム含有Y型結晶性アルミノシリケートを使用したこと、及び、原料組成物の組成を以下のとおりとしたこと以外は、実施例3と同様な方法により結晶化し、得られた結晶化物を洗浄、乾燥した。
SiO2/Ga2O3比 =1236
SiO2/Al2O3比 =66
アルカリ(Na)/SiO2比 =0.2
SDA(TMAda+)/SiO2比 =0.3
OH/SiO2比 =0.5
H2O/SiO2比 =15
実施例3で得られた結晶性アルミノシリケートを、大気中、500℃で10時間焼成した後、硝酸アンモニウム水溶液を用いてイオン交換して、カチオンタイプをNH4型とした。NH4型の結晶性アルミノシリケート1.1gに硝酸銅水溶液を添加し、これを乳鉢で混合した。硝酸銅水溶液は硝酸銅3水和物61mgを純水0.5gに溶解したものを使用した。
実施例4で得られた結晶性アルミノシリケートを使用したこと以外は、実施例6と同様の方法で銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートを得た。また、実施例6と同様の方法により、得られた銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートの銅の含有量を算出した。評価結果を表1に示す。
実施例5で得られた結晶性アルミノシリケートを使用したこと以外は、実施例6と同様の方法で銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートを得た。また、実施例6と同様の方法により、得られた銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートの銅の含有量を算出した。評価結果を表1に示す。
ガリウムを含ないCHA型結晶性アルミノシリケート(SiO2/Al2O3比=32)を使用したこと以外は、実施例6と同様の方法で銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートを得た。また、実施例6と同様の方法により、得られた銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートの銅の含有量を算出した。評価結果を表1に示す。
実施例6乃至8及び比較例1の銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートについて、以下の条件のアンモニアSCR方法により、アンモニア転化特性を評価した。すなわち、実施例6乃至8及び比較例1の銅含有CHA型結晶性アルミノシリケートを、それぞれ、プレス成形した後、凝集径12〜20メッシュの凝集粒子体とした。得られた凝集粒子体を1.5mL量りとり、これを反応管に充填した。その後、150℃で、窒素酸化物を含む以下の組成からなる処理ガスを当該反応管に流通させた。処理ガスの流量は1.5L/分、及び空間速度(SV)は60,000h−1として測定を行った。
<処理ガス組成>
NO :200ppm
NH3 :200ppm
O2 :10容量%
H2O :3容量%
N2 :残部
アンモニア転化率(%)={1−(触媒流通後の処理ガス中のアンモニア濃度
/反応管に流通させた処理ガス中のアンモニア濃度)}×100
測定例1と同様なアンモニアSCR方法により、窒素酸化物還元特性を評価した。反応管に流通させた処理ガス中の窒素酸化物濃度(200ppm)に対する、触媒流通後の処理ガス中の窒素酸化物濃度(ppm)の割合を求め、以下の式に従って、窒素酸化物還元率を求めた。ここで窒素酸化物とは、一酸化窒素と二酸化窒素を指す。結果を表3に示す。
窒素酸化物還元率(%)={1−(触媒流通後の処理ガス中の窒素酸化物濃度
/反応管に流通させた処理ガス中の窒素酸化物濃度)}×100
Claims (9)
- ガリウムを含み、なおかつ、酸化ガリウムに対するシリカのモル比が75以上であることを特徴とするCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
- 前記ガリウムが少なくとも骨格構造に含まれていることを特徴とする請求項1に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
- アルミナに対するシリカのモル比が10以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
- 銅及び鉄の少なくともいずれかを含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケート。
- アルミニウム源、ケイ素源、ガリウム源、構造指向剤、アルカリ源及び水を含み下記組成を有する組成物を100℃以上の水熱合成で結晶化する結晶化工程、を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートの製造方法。
SiO 2 /Ga 2 O 3 比=75以上、2000以下
SiO 2 /Al 2 O 3 比=10以上、600以下
アルカリ/SiO 2 比=0.01以上、1以下
SDA/SiO 2 比=0.1以上、0.5以下
OH/SiO 2 比=0.1以上、1以下
H 2 O/SiO 2 比=3以上、20以下 - 前記アルミニウム源、前記ケイ素源及び前記ガリウム源が、アルミニウム、ケイ素及びガリウムを含む複合酸化物であることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- 前記アルミニウム源、前記ケイ素源及び前記ガリウム源が、アルミニウム、ケイ素及びガリウムを含むゼオライトであることを特徴とする請求項5又は6に記載の製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートを含むことを特徴とする窒素酸化物還元触媒。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のCHA構造を有する結晶性アルミノシリケートを含むことを特徴とするアンモニア転化触媒。
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