JP6787662B2 - シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 168
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 104
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 91
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 30
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemanganese Chemical compound [Mn]=S CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
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Description
本発明は、シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法に関する。
携帯電話等の電子機器で使用されるＳＡＷフィルタ、水晶振動子のような電子部品は、そのような電子部品を、開口を有するケースに収容し、これに蓋体を被せて封止したパッケージとして用いられている。パッケージを封止するのは、電子部品が空気中の湿気、酸素により特性が不安定となるのを防止するためである。
この電子部品のパッケージにおいて、ケースはアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック製のものが一般的であり、蓋体はコバール（鉄−ニッケル−コバルト合金（ＫＯＶＡＲ：米国登録商標シリアルＮｏ．７１３６７３８１））、鉄−ニッケル合金等の低熱膨張金属よりなる。
蓋体のケースへの接合方法としては、蓋体となる基材に予め、ろう材を接合したクラッド材の状態のものを利用して、接合を行う方法がある（例えば、特許文献１参照）。これとは別に、前記のセラミック製のケースの上に、ろう材をクラッドしたコバール等の金属からなる枠状のシールリングを設け、このシールリングの上面に蓋体を接合するという方法もある（例えば、特許文献２参照）。
図４は、シールリングを用いて電子部品を収容したケースに蓋体を接合する方法を説明するための図である。
図４において、まず（１）コバール４０２および金属ろう材４０４を準備し、（２）これらをはり合わせ、クラッド材４０にし、（３）圧延加工する。（４）圧延加工されたクラッド材４０をリング状にプレス加工する。続いて、（５）電子部品を収容したセラミック製のケース４６を準備し、（６）金属ろう材４０４とケース４６とが接するように、シーム溶接する。その後、（７）シールリングのコバール４０２の上面にニッケルや金のような金属層４８を設け、（８）金属層４８上に蓋体４９を接合する。
しかしながら、従来のシールリングを用いると、金属層４８の上面にシミが発生するという現象が見られる。図５は、従来の金属層４８上に発生した２箇所のシミを示す平面の図（ａ）およびその拡大写真（ｂ）である。図５に示すようなシミは金属層４８のボイドに相当し、シールリングと蓋体４９との気密性を悪化させてしまうという大きな問題点がある。
したがって本発明の目的は、シールリング上に設けられる金属層表面へのシミの発生を防止し、電子部品収納用パッケージの優れた気密性を達成できるシールリング、これを用いた電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法を提供することにある。
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、圧延処理を施す前のベース材の一方の面（金属ろう材層が設けられる面とは反対の面）にニッケル層を設け、圧延処理後の該ニッケル層の厚さを所定の範囲に規定することにより、上記のような従来の課題を解決できることを見出し、本発明を完成することができた。
したがって本発明は、以下の通りである。
１．コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層を有し、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層を有してなる、環状のシールリングであって、前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２０μｍであるシールリング。
２．前記第２面と前記金属ろう材層との間にニッケル層を有する前項１に記載のシールリング。
３．前記ベース材が、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび硫化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する前項１または２に記載のシールリング。
４．前記圧延処理後において、前記第１面の前記ニッケル層の厚さが前記ベース材の厚さに対して０．１％〜１％である前項１〜３のいずれか１項に記載のシールリング。
５．コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層が設けられるとともに、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層が設けられ、前記ベース材に対して、圧延処理が施されて、環状に形成されたシールリングであって、前記圧延処理後の前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２０μｍであるシールリング。
６．圧下率が３０％以上の前記圧延処理を行うことで得られる前項５に記載のシールリング。
７．前記圧延処理前に５００℃以上の熱処理を行うことで得られる前項５または６に記載のシールリング。
８．以下の工程（１）〜（３）を含むシールリングの製造方法。
（１）コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面に、ニッケル層を設ける工程。
（２）前記第１面の反対側の第２面に、金属ろう材層を設ける工程。
（３）前記ニッケル層および前記金属ろう材層が設けられた前記ベース材を圧延する工程。
９．前項１〜７のいずれか１項に記載のシールリングと、
前記金属ろう材層を介して前記第２面に設けられた電子部品収納用ケースと
を有し、
前記第１面に設けられた前記ニッケル層の上面に金属層を有する電子部品収納用パッケージ。
１０．前記金属層が、ニッケル層からなる前項９に記載の電子部品収納用パッケージ。
１１．前記金属層は、前記ニッケル層の上面に、上部ニッケル層および金層がこの順で設けられたものである前項９に記載の電子部品収納用パッケージ。
１２．前項１〜７のいずれか１項に記載のシールリングと、電子部品収納用ケースとを、前記金属ろう材層を介して接合する工程と
前記第１面のニッケル層上に金属層を設ける工程と
を含む電子部品収納用パッケージを製造する方法。
１３．前項９〜１１のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージと、
前記電子部品収納用ケース内に収容された電子部品と、
前記金属層上に接合された蓋体と
を有する電子デバイス。
１４．前項９〜１１のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージ、蓋体および電子部品を準備する工程と、
前記電子部品収納用ケース内に前記電子部品を収容する工程と、
前記金属層上に前記蓋体を接合する工程と
を含む電子デバイスを製造する方法。
１．コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層を有し、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層を有してなる、環状のシールリングであって、前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２０μｍであるシールリング。
２．前記第２面と前記金属ろう材層との間にニッケル層を有する前項１に記載のシールリング。
３．前記ベース材が、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび硫化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する前項１または２に記載のシールリング。
４．前記圧延処理後において、前記第１面の前記ニッケル層の厚さが前記ベース材の厚さに対して０．１％〜１％である前項１〜３のいずれか１項に記載のシールリング。
５．コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層が設けられるとともに、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層が設けられ、前記ベース材に対して、圧延処理が施されて、環状に形成されたシールリングであって、前記圧延処理後の前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２０μｍであるシールリング。
６．圧下率が３０％以上の前記圧延処理を行うことで得られる前項５に記載のシールリング。
７．前記圧延処理前に５００℃以上の熱処理を行うことで得られる前項５または６に記載のシールリング。
８．以下の工程（１）〜（３）を含むシールリングの製造方法。
（１）コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面に、ニッケル層を設ける工程。
（２）前記第１面の反対側の第２面に、金属ろう材層を設ける工程。
（３）前記ニッケル層および前記金属ろう材層が設けられた前記ベース材を圧延する工程。
９．前項１〜７のいずれか１項に記載のシールリングと、
前記金属ろう材層を介して前記第２面に設けられた電子部品収納用ケースと
を有し、
前記第１面に設けられた前記ニッケル層の上面に金属層を有する電子部品収納用パッケージ。
１０．前記金属層が、ニッケル層からなる前項９に記載の電子部品収納用パッケージ。
１１．前記金属層は、前記ニッケル層の上面に、上部ニッケル層および金層がこの順で設けられたものである前項９に記載の電子部品収納用パッケージ。
１２．前項１〜７のいずれか１項に記載のシールリングと、電子部品収納用ケースとを、前記金属ろう材層を介して接合する工程と
前記第１面のニッケル層上に金属層を設ける工程と
を含む電子部品収納用パッケージを製造する方法。
１３．前項９〜１１のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージと、
前記電子部品収納用ケース内に収容された電子部品と、
前記金属層上に接合された蓋体と
を有する電子デバイス。
１４．前項９〜１１のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージ、蓋体および電子部品を準備する工程と、
前記電子部品収納用ケース内に前記電子部品を収容する工程と、
前記金属層上に前記蓋体を接合する工程と
を含む電子デバイスを製造する方法。
本発明者らは、シールリング上の金属層の上面に発生するシミは、コバールの製造工程で不可避不純物として混入される酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび／または硫化マンガンが原因であることを突き止めた。これらの不純物は、圧延工程で引き伸ばされ、ベース材の表面、さらには金属層の表面にシミとなって浮き出てしまい、ボイドとなってシールリングと蓋体との気密性を悪化させてしまう。
そこで本発明では、圧延処理を施す前のベース材の一方の面（金属ろう材層が設けられる面とは反対の面）にニッケル層を設け、圧延処理後の該ニッケル層の厚さを所定の範囲に規定することにより、圧延工程で引き伸ばされた不純物が該ニッケル層に遮られ、金属層の表面に浮き出ることを抑制し、これによりシミの発生を防止することができ、結果としてシールリングと蓋体との優れた気密性を提供することを可能にした。
以下、本発明の実施形態について、さらに詳細に説明する。
図１は、本発明のシールリングの一実施形態を説明するための断面図である。
図１（ａ）において、本発明のシールリング１は、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の一方の面にニッケル層１４を有し、他方の面に金属ろう材層１６を有し、環状に形成されている。本明細書では、ベース材１２のニッケル層１４を有する面を第１面と呼び、金属ろう材層１６を有する面を第２面と呼ぶ。また、下記で説明するように、電子部品収納用パッケージを製造する際には、シールリング１の第１面におけるニッケル層１４の上面に、金属層を有し、この金属層はニッケルからなる形態が含まれるため、これとニッケル層１４とを区別することを目的として、金属層がニッケルからなる場合は、これを上部ニッケル層と呼ぶこともある。
図１は、本発明のシールリングの一実施形態を説明するための断面図である。
図１（ａ）において、本発明のシールリング１は、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の一方の面にニッケル層１４を有し、他方の面に金属ろう材層１６を有し、環状に形成されている。本明細書では、ベース材１２のニッケル層１４を有する面を第１面と呼び、金属ろう材層１６を有する面を第２面と呼ぶ。また、下記で説明するように、電子部品収納用パッケージを製造する際には、シールリング１の第１面におけるニッケル層１４の上面に、金属層を有し、この金属層はニッケルからなる形態が含まれるため、これとニッケル層１４とを区別することを目的として、金属層がニッケルからなる場合は、これを上部ニッケル層と呼ぶこともある。
以下、シールリングの各層について説明する。
本発明のシールリング１は、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の第１面にニッケル層１４を有する。
本発明のシールリング１は、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の第１面にニッケル層１４を有する。
上述のようにコバールには、その製造工程における不可避不純物として、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび／または硫化マンガンが混入され、通常、コバール中の該不可避不純物の合計は１．５％以下、典型的には０．３％〜０．８％である。
ベース材１２の厚さは、最終製品である電子部品収納用パッケージのサイズや用途により適宜設定すればよいが、圧延処理を施した後の厚さとして、例えば、０．１ｍｍ〜２０ｍｍであり、０．３ｍｍ〜３ｍｍが好ましい。
また、ベース材１２に用いられるコバールの鉄、ニッケル、コバルトおよび不可避不純物の成分比は、特に限定するものではなく、コバールの熱膨張係数が、電子部品収納用のパッケージのセラミック等のケースの熱膨張係数に揃うように適宜成分比のものを採用すればよい。
また、ベース材１２に用いられるコバールの鉄、ニッケル、コバルトおよび不可避不純物の成分比は、特に限定するものではなく、コバールの熱膨張係数が、電子部品収納用のパッケージのセラミック等のケースの熱膨張係数に揃うように適宜成分比のものを採用すればよい。
また、ニッケル層１４の厚さは、圧延処理を施した後の厚さとして、０．１μｍ〜２０μｍであることが必要である。０．１μｍ未満であると、層が薄すぎて金属層表面のシミの発生を防止することができない。逆に２０μｍを超えると、熱膨張が大きくなり好ましくない。圧延処理を施した後のニッケル層１４の厚さは、０．１μｍ〜５μｍが好ましく、０．２μｍ〜２μｍがさらに好ましい。
なお、圧延処理を施した後のニッケル層１４の厚さは、表面の被覆効果と熱膨張率の差という観点から、ベース材１２の厚さに対して０．１％〜１％であるのが好ましく、０．２％〜０．５％であるのがさらに好ましい。０．１％以上であれば、金属層表面のシミの発生の防止の効果が十分得られ、１％未満であれば、熱応力による不具合が生じにくいため好ましい。
また、本発明のシールリング１は、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の第２面に金属ろう材層１６を有する。
金属ろう材層１６としては、金合金として、例えば、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−ＣｕおよびＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ等が挙げられ、銀合金として、例えば、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ−ＩｎおよびＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ等が挙げられ、中でも銀合金が好ましく、Ａｇ−Ｃｕがより好ましい。
金属ろう材層１６の厚さは、圧延処理を施した後の厚さとして、例えば５μｍ〜１００μｍであり、１０μｍ〜４０μｍが好ましい。
金属ろう材層１６としては、金合金として、例えば、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−ＣｕおよびＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ等が挙げられ、銀合金として、例えば、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ−ＩｎおよびＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ等が挙げられ、中でも銀合金が好ましく、Ａｇ−Ｃｕがより好ましい。
金属ろう材層１６の厚さは、圧延処理を施した後の厚さとして、例えば５μｍ〜１００μｍであり、１０μｍ〜４０μｍが好ましい。
次に、本発明のシールリングの製造方法について説明する。該製造方法は、以下の工程（１）〜（３）を含む。
（１）コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の第１面に、ニッケル層１４を設ける工程。
（２）前記第１面の反対側の第２面に、金属ろう材層１６を設ける工程。
（３）前記ニッケル層１４および金属ろう材層１６が設けられた前記ベース材１２を圧延する工程。
（１）コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材１２の第１面に、ニッケル層１４を設ける工程。
（２）前記第１面の反対側の第２面に、金属ろう材層１６を設ける工程。
（３）前記ニッケル層１４および金属ろう材層１６が設けられた前記ベース材１２を圧延する工程。
前記（１）工程において、ベース材１２の第１面にニッケル層１４を設ける方法としては、とくに制限されず、例えば電気鍍金法により形成する方法、ニッケル製の板材を圧接してクラッド材を形成する方法、ニッケル製の箔をはり付ける方法等が挙げられる。
また前記（２）工程において、ベース材１２の第２面に金属ろう材層１６を設ける方法としては、とくに制限されないが、金属ろう材からなる板材を圧接してクラッド材を形成する方法が、接合性向上という理由から好ましい。
なお、ベース材１２の第１面へのニッケル層１４の形成方法として電気鍍金法が採用された場合は、図１（ｂ）に示すように、ベース材１２の第２面にもニッケル層１４が設けられることになる。すなわち、ベース材１２の第２面と金属ろう材層１６との間には、ニッケル層１４が形成される。この形態によれば、ろう材とベース材との接合性が高くなるという効果が奏される。
続いて前記（３）工程において、ニッケル層１４および金属ろう材層１６が設けられたベース材１２を圧延する。圧延処理としては、例えばロールを用いた公知の冷間圧延処理が挙げられ、圧下率は例えば３０％以上であり、４０〜８０％が好ましい。
圧延処理後のベース材１２は、ニッケル層１４の密着性および圧延加工性向上という理由から、５００℃以上、好ましくは６００℃〜８００℃の熱処理を施すことが好ましい。
続いて、圧延処理後のベース材１２に対し、プレス処理等の公知の手段を施すことにより、所望のサイズの環状のシールリング１を得ることができる。
次に本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子デバイスについて説明する。
図２は、本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子デバイスの一実施形態の断面図である。
本発明の電子部品収納用パッケージ２は、上記のようにして得られた、ベース材１２、ニッケル層１４および金属ろう材層１６からなるシールリング１と、内部に電子部品Ｃを収容した電子部品収納用ケース２２とが、金属ろう材層１６を介して接合され、ニッケル層１４の上面には金属層２４が設けられ、金属層２４上に蓋体２６が接合され、構成されている。電子部品Ｃとしては、例えばＳＡＷフィルタおよび水晶振動子等の圧電部品、半導体集積回路素子および光半導体素子等の半導体部品、ならびにセンサ部品等が挙げられる。また、電子部品収納用ケース２２内に収容された電子部品Ｃが、互いに接合された電子部品収納用ケース２２および蓋体２６によって形成される容器（符号なし）内に気密封止されて、水晶デバイス等の電子デバイス３が構成されている。
図２は、本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子デバイスの一実施形態の断面図である。
本発明の電子部品収納用パッケージ２は、上記のようにして得られた、ベース材１２、ニッケル層１４および金属ろう材層１６からなるシールリング１と、内部に電子部品Ｃを収容した電子部品収納用ケース２２とが、金属ろう材層１６を介して接合され、ニッケル層１４の上面には金属層２４が設けられ、金属層２４上に蓋体２６が接合され、構成されている。電子部品Ｃとしては、例えばＳＡＷフィルタおよび水晶振動子等の圧電部品、半導体集積回路素子および光半導体素子等の半導体部品、ならびにセンサ部品等が挙げられる。また、電子部品収納用ケース２２内に収容された電子部品Ｃが、互いに接合された電子部品収納用ケース２２および蓋体２６によって形成される容器（符号なし）内に気密封止されて、水晶デバイス等の電子デバイス３が構成されている。
電子部品収納用ケース２２としては、特に制限されず、従来公知の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム等のセラミック製のものを使用することができる。
金属層２４としては、例えばニッケル層（上部ニッケル層）、金層等が挙げられる。
金属層２４の形成方法としては、例えば電気鍍金法により形成する方法、金属層２４を構成する金属の箔をニッケル層１４上にはり付ける方法等が挙げられる。
金属層２４の厚さは、１μｍ〜１０μｍが好ましく、２μｍ〜５μｍがより好ましい。
金属層２４の形成方法としては、例えば電気鍍金法により形成する方法、金属層２４を構成する金属の箔をニッケル層１４上にはり付ける方法等が挙げられる。
金属層２４の厚さは、１μｍ〜１０μｍが好ましく、２μｍ〜５μｍがより好ましい。
また、図３に示すように、金属層２４として、上部ニッケル層２４２上に、金層２４４をさらに設けてもよい。この形態によれば、蓋体２６との気密性がさらに向上し、好ましい。
蓋体２６は、コバールや鉄−ニッケル合金等の低熱膨張金属を使用することができる。なお、電子デバイス３について、この蓋体２６および電子部品収納用ケース２２との間の容器に気密封止されている電子部品Ｃは、例えば、電子部品収納用ケース２２の表面および内部に設けられた配線導体（図示せず）によって、外部電気回路に電気的に接続される。この場合の配線導体は、容器内における電子部品収納用ケース２２の表面（凹部分の底面等）から電子部品収納用ケース２２の下面または外側面等の外表面にかけて設けられる。配線導体のうち容器内に設けられた部分に電子部品Ｃがボンディングワイヤ等の導電性接続材（図示せず）によって電気的に接続されるとともに、配線導体のうち電子部品収納用ケースの外表面に設けられた部分が外部電気回路に低融点ろう材等の導電性接続材（図示せず）によって電気的に接続されて、気密封止された電子部品Ｃと外部電気回路とが互いに電気的に接続される。外部電気回路は、例えば、携帯電話（いわゆるスマートフォン等）、コンピュータ、撮像等の画像処理用の機器および加速度等の各種の物理量のセンサ機器等の電子機器が備える回路基板である。
次に本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子デバイスの製造方法について説明する。
上記のように本発明の電子部品収納用パッケージ２は、ベース材１２、ニッケル層１４および金属ろう材層１６からなるシールリング１と、内部に電子部品Ｃを収容した電子部品収納用ケース２２とを、金属ろう材層１６を介して接合し、ニッケル層１４の上面に金属層２４を設けることによって電子部品収納用パッケージ２を製造することができる。また、最後に金属層２４上に蓋体２６を接合することにより電子デバイス３を製造することができる。電子部品Ｃの収容は、ニッケル層１４の上面に金属層２４を設けた後で行ってもよい。
上記のように本発明の電子部品収納用パッケージ２は、ベース材１２、ニッケル層１４および金属ろう材層１６からなるシールリング１と、内部に電子部品Ｃを収容した電子部品収納用ケース２２とを、金属ろう材層１６を介して接合し、ニッケル層１４の上面に金属層２４を設けることによって電子部品収納用パッケージ２を製造することができる。また、最後に金属層２４上に蓋体２６を接合することにより電子デバイス３を製造することができる。電子部品Ｃの収容は、ニッケル層１４の上面に金属層２４を設けた後で行ってもよい。
シールリング１と電子部品収納用ケース２２との接合方法としては、例えば、銀ろう等のろう材によるろう付け法が挙げられ、金属層２４と蓋体２６との接合方法としては、例えば、パラレルシーム溶接する方法が挙げられる。なお、電子部品収納用ケース２２の上面には、図示していないが、ろう付け用の下地金属となるタングステンやモリブデン等のメタライズ層およびその上のニッケル鍍金層等のろう付け用金属層が設けられている。
以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。
実施例１
コバール製の板材（合金中にケイ素量で０．０９％の酸化ケイ素、アルミニウム量で０．０１％の酸化アルミニウム、マンガン量で０．３４％の硫化マンガンを含む、鉄−２９質量％ニッケル−１７質量％コバルト、幅２０ｍｍ、長さ１００ｍ）からなるベース材１２の第１面および第２面に電気鍍金法によりニッケル鍍金を行い、ニッケル層１４をそれぞれ設けた。ついで、金属ろう材として銀−２８質量％銅合金からなる板材（幅２０ｍｍ、長さ１００ｍ）を第２面に圧接し、金属ろう材層１６を設け、６００℃で３分間焼成して圧下率６０％で圧延し、シールリング材を製造した。
コバール製の板材（合金中にケイ素量で０．０９％の酸化ケイ素、アルミニウム量で０．０１％の酸化アルミニウム、マンガン量で０．３４％の硫化マンガンを含む、鉄−２９質量％ニッケル−１７質量％コバルト、幅２０ｍｍ、長さ１００ｍ）からなるベース材１２の第１面および第２面に電気鍍金法によりニッケル鍍金を行い、ニッケル層１４をそれぞれ設けた。ついで、金属ろう材として銀−２８質量％銅合金からなる板材（幅２０ｍｍ、長さ１００ｍ）を第２面に圧接し、金属ろう材層１６を設け、６００℃で３分間焼成して圧下率６０％で圧延し、シールリング材を製造した。
シールリング材の金属ろう材を設けた第２面から打ち抜き加工しシールリング１を製造した。得られたシールリング１の各層の厚さを表１に示す。
得られたシールリング１のニッケル層１４上に、厚さ３μｍとなるように電気ニッケル鍍金を施し、金属層２４としての上部ニッケル層２４２を設けた。さらに、上部ニッケル層２４２上に金鍍金を施して金層２４４を設け、その金層２４４の上面シミの発生個数（個数／ｍｍ２）を、２００倍率の光学顕微鏡で観察した。該シミの発生率は、製造品１００００個を観察し、シミの発生した製造品の個数から算出した値である。
結果を表１に示す。
結果を表１に示す。
実施例２
各層の厚さを表１に示すように変更したこと以外は、実施例１を繰り返した。
結果を表１に示す。
各層の厚さを表１に示すように変更したこと以外は、実施例１を繰り返した。
結果を表１に示す。
比較例１〜３
ニッケル層１４を設けずに、かつ、各層の厚さを表１に示すように変更したこと以外は、実施例１を繰り返した。
結果を表１に示す。
ニッケル層１４を設けずに、かつ、各層の厚さを表１に示すように変更したこと以外は、実施例１を繰り返した。
結果を表１に示す。
表１の結果から、各実施例のシールリングは、ベース材の第１面にニッケル層１４が所定の厚さで設けられているので、金属層２４上のシミの発生が抑制され、電子部品収納用パッケージの優れた気密性を提供できることが判明した。
これに対し各比較例のシールリングは、ベース材の第１面にニッケル層１４を設けていないので、金属層２４上にシミが発生し、電子部品収納用パッケージの気密性に対し悪影響を及ぼすことが分かった。
１ シールリング
１２ ベース材
１４ ニッケル層
１６ 金属ろう材層
２ 電子部品収納用パッケージ
２２ 電子部品収納用ケース
２４ 金属層
２４２ 上部ニッケル層
２４４ 金層
２６ 蓋体
３ 電子デバイス
４０ クラッド材
４０２ コバール
４０４ 金属ろう材
４６ ケース
４８ 金属層
４９ 蓋体
Ｃ 電子部品
１２ ベース材
１４ ニッケル層
１６ 金属ろう材層
２ 電子部品収納用パッケージ
２２ 電子部品収納用ケース
２４ 金属層
２４２ 上部ニッケル層
２４４ 金層
２６ 蓋体
３ 電子デバイス
４０ クラッド材
４０２ コバール
４０４ 金属ろう材
４６ ケース
４８ 金属層
４９ 蓋体
Ｃ 電子部品
Claims (17)
- コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層を有し、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層を有してなる、環状のシールリングであって、前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２μｍであり、前記第１面の前記ニッケル層の厚さが前記ベース材の厚さに対して０．１％〜１％であるシールリング。
- 前記第２面と前記金属ろう材層との間にニッケル層を有する請求項１に記載のシールリング。
- 前記ベース材が、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび硫化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する請求項１または２に記載のシールリング。
- 以下の工程（１）〜（３）を含むシールリングの製造方法。
（１）コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面に、ニッケル層を設ける工程。
（２）前記第１面の反対側の第２面に、金属ろう材層を設ける工程。
（３）前記ニッケル層および前記金属ろう材層が設けられた前記ベース材を圧延する工程。 - 前記圧延する工程後の前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２μｍである請求項４に記載のシールリングの製造方法。
- 圧下率３０％以上で前記ベース材を圧延する、請求項４または５に記載のシールリングの製造方法。
- 前記圧延する工程前に５００℃以上の熱処理を行う、請求項４〜６のいずれか１項に記載のシールリングの製造方法。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載のシールリングと、
前記金属ろう材層を介して前記第２面に設けられた電子部品収納用ケースと
を有し、
前記第１面に設けられた前記ニッケル層の上面に金属層を有する電子部品収納用パッケージ。 - 前記金属層が、ニッケル層からなる請求項８に記載の電子部品収納用パッケージ。
- 前記金属層は、前記ニッケル層の上面に、上部ニッケル層および金層がこの順で設けられたものである請求項８に記載の電子部品収納用パッケージ。
- コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層を有し、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層を有してなる、環状のシールリングであって、前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２μｍであるシールリングと、
前記金属ろう材層を介して前記第２面に設けられた電子部品収納用ケースと
を有し、
前記第１面に設けられた前記ニッケル層の上面にニッケル層を有する、電子部品収納用パッケージ。 - コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）を含むベース材の第１面にニッケル層を有し、前記第１面の反対側の第２面に金属ろう材層を有してなる、環状のシールリングであって、前記ニッケル層の厚さが、０．１μｍ〜２μｍであるシールリングと、
前記金属ろう材層を介して前記第２面に設けられた電子部品収納用ケースと
を有し、
前記第１面に設けられた前記ニッケル層の上面に、上部ニッケル層および金層がこの順で設けられたものである、電子部品収納用パッケージ。 - 前記第２面と前記金属ろう材層との間にニッケル層を有する、請求項１１または１２に記載の電子部品収納用パッケージ。
- 前記ベース材が、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび硫化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージ。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載のシールリングと、電子部品収納用ケースとを、前記金属ろう材層を介して接合する工程と
前記第１面のニッケル層上に金属層を設ける工程と
を含む電子部品収納用パッケージを製造する方法。 - 請求項８〜１４のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージと、
前記電子部品収納用ケース内に収容された電子部品と、
前記金属層上に接合された蓋体と
を有する電子デバイス。 - 請求項８〜１４のいずれか１項に記載の電子部品収納用パッケージ、蓋体および電子部品を準備する工程と、
前記電子部品収納用ケース内に前記電子部品を収容する工程と、
前記金属層上に前記蓋体を接合する工程と
を含む電子デバイスを製造する方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015250472A JP6787662B2 (ja) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法 |
| US16/064,582 US10615090B2 (en) | 2015-12-22 | 2016-12-19 | Seal ring, electronic component housing package, electronic device, and manufacturing methods thereof |
| PCT/JP2016/087745 WO2017110728A1 (ja) | 2015-12-22 | 2016-12-19 | シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法 |
| CN201680075196.8A CN108370244B (zh) | 2015-12-22 | 2016-12-19 | 密封环、电子元件收纳用封装体、电子设备及它们的制造方法 |
| TW105142739A TWI662207B (zh) | 2015-12-22 | 2016-12-22 | 密封環、電子零件收納用封裝、電子裝置及該等的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015250472A JP6787662B2 (ja) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017118272A JP2017118272A (ja) | 2017-06-29 |
| JP6787662B2 true JP6787662B2 (ja) | 2020-11-18 |
Family
ID=59090320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015250472A Active JP6787662B2 (ja) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | シールリング、電子部品収納用パッケージ、電子デバイスおよびこれらの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10615090B2 (ja) |
| JP (1) | JP6787662B2 (ja) |
| CN (1) | CN108370244B (ja) |
| TW (1) | TWI662207B (ja) |
| WO (1) | WO2017110728A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108512523B (zh) * | 2017-11-06 | 2021-12-14 | 苏州汉天下电子有限公司 | 压电声波器件的封装方法及封装结构 |
| JP7182596B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2022-12-02 | 田中貴金属工業株式会社 | 透光性材料からなる封止用のリッド |
| CN112382616A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-19 | 合肥圣达电子科技实业有限公司 | 一种电子封装外壳及其制备方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0736952B2 (ja) * | 1986-11-27 | 1995-04-26 | 京セラ株式会社 | メタライズ金属層の表面被覆構造 |
| CN1056130A (zh) * | 1990-04-23 | 1991-11-13 | 上海钢铁研究所 | 耐腐蚀可伐合金 |
| US5498900A (en) * | 1993-12-22 | 1996-03-12 | Honeywell Inc. | Semiconductor package with weldable ceramic lid |
| JPH10247696A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 半導体パッケージ気密封止用金属製蓋体 |
| JP2002030393A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Hitachi Metals Ltd | セラミックパッケージ封止用材料とその製造方法 |
| JP3764669B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2006-04-12 | 京セラ株式会社 | ろう材付きシールリングおよびこれを用いた電子部品収納用パッケージの製造方法 |
| JP2003158211A (ja) | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Daishinku Corp | 電子部品用パッケージおよび当該パッケージを用いた圧電振動デバイス |
| US6627814B1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-30 | David H. Stark | Hermetically sealed micro-device package with window |
| JP3810356B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2006-08-16 | 京セラ株式会社 | 電子装置 |
| JP2006179614A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Kyocera Corp | 電子部品 |
| JP4618790B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2011-01-26 | 田中貴金属工業株式会社 | ハーメチックシールカバー及びその製造方法 |
| JP2009140784A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Kanayama Seiki Co Ltd | 気密端子の製造方法 |
| JP2010154191A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の圧電デバイス |
| JP2011119338A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Misuzu Kogyo:Kk | 金属部材の接合方法、および接合金属部材ユニット |
| JP5923272B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2016-05-24 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル、蓋体及び電気化学セルの製造方法 |
| JP6034054B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-11-30 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| CN203674191U (zh) * | 2013-12-19 | 2014-06-25 | 无锡微奇科技有限公司 | 传感器的真空陶瓷封装结构 |
| CN104726735B (zh) * | 2013-12-23 | 2017-02-08 | 北京有色金属研究总院 | 一种具有复合式结构的高定向导热材料及其制备方法 |
| CN103759864A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种陶瓷封装结构及采用该陶瓷封装结构的压力敏感器件管壳 |
| CN103928409B (zh) * | 2014-03-17 | 2017-01-04 | 江苏省宜兴电子器件总厂 | 一种集成电路倒扣焊气密性封装结构 |
| JP6387818B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2018-09-12 | 日立金属株式会社 | 気密封止用蓋材の製造方法 |
-
2015
- 2015-12-22 JP JP2015250472A patent/JP6787662B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-19 US US16/064,582 patent/US10615090B2/en active Active
- 2016-12-19 CN CN201680075196.8A patent/CN108370244B/zh active Active
- 2016-12-19 WO PCT/JP2016/087745 patent/WO2017110728A1/ja active Application Filing
- 2016-12-22 TW TW105142739A patent/TWI662207B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI662207B (zh) | 2019-06-11 |
| US10615090B2 (en) | 2020-04-07 |
| CN108370244A (zh) | 2018-08-03 |
| TW201736760A (zh) | 2017-10-16 |
| WO2017110728A1 (ja) | 2017-06-29 |
| US20180374767A1 (en) | 2018-12-27 |
| CN108370244B (zh) | 2021-12-24 |
| JP2017118272A (ja) | 2017-06-29 |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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