JP6785454B2 - 光源装置および投光装置 - Google Patents
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Description
以下、本開示の実施の形態1に係る光源装置101について説明する。
まず、実施の形態1に係る光源装置101の構成について、図1を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係る光源装置101の構成を示す概略断面図である。
次に、実施の形態1に係る光源装置101の回路について、図2を用いて説明する。図2は、実施の形態1に係る光源装置101の回路構成と同光源装置101を動作させるための駆動部の回路構成とを示す回路ブロック図である。
次に、実施の形態1に係る光源装置101の動作について、実際の実験例などもとに、図2および図3を参照しながら、図4を用いて説明する。図4は、実施の形態1に係る光源装置101の制御部140における各信号のタイミングチャートである。なお、図4は、第1の放射光91(青色光)および第2の放射光92(黄色光)のうち第2の放射光92(黄色光)のみを光検出器7で受光した場合の例を示している。第2の放射光92のみを光検出器7で受光する場合、光検出器7の前方に、第1の放射光91の波長をカットするカットフィルタを適宜配置することや、反射部材23として第2の放射光92を主に反射するフィルタを用いることで実現できる。
以上、本実施の形態に係る光源装置101によれば、光検出器7が、波長変換部材4から放射する光のうち照明光110として利用される光(放射利用光)の光路から外れた位置に配置されている。
図10を用いて実施の形態1の変形例について説明する。図10は、実施の形態1の変形例に係る光源装置の制御部における各信号のタイミングチャートである。
次に、実施の形態2に係る光源装置101Aについて、図11〜図14を用いて説明する。図11は、実施の形態2に係る光源装置101Aの構成を示す概略断面図である。図12は、同光源装置101Aのより具体的な構成を示す断面図である。図13および図14は、同光源装置101Aの製造方法を説明するための図である。
図11に示すように、本実施の形態における光源装置101Aでは、支持部材20に取り付けられた第1の配線基板30に、半導体発光装置1と光検出器7とが配置されている。具体的には、半導体発光装置1および光検出器7は、第1の配線基板30の同一面に実装されている。本実施の形態において、第1の配線基板30には、半導体発光装置1および光検出器7が実装された面に、外部配線38が接続される外部接続手段37および抵抗素子41も実装されている。
次に、図13および図14を用いて、図12に示す本実施の形態の光源装置101Aの製造方法を説明する。図13および図14において、A1〜A5は組み立て順序を示しており、A1→A2→A3→A4→A5の手順で光源装置101Aの組み立てを行う。
次に、実施の形態2に係る光源装置101Aの動作について説明する。
以上、本実施の形態に係る光源装置101Aによれば、実施の形態1と同様に、光検出器7が、波長変換部材4から空間に放射する光のうち照明光110として利用される放射利用光の光路から外れた位置に配置されている。
次に、本実施の形態における光源装置101Aを搭載した灯具201について、図15を用いて説明する。図15は、実施の形態2に係る光源装置101Aを搭載した灯具201の構成を示す概略断面図である。
次に、実施の形態3に係る光源装置101Bについて、図18〜図20を用いて説明する。図18は、実施の形態3に係る光源装置101Bの構成を示す概略断面図である。図19は同光源装置101Bの回路構成と同光源装置101Bを動作させるための駆動部の回路構成とを示す回路ブロック図である。図20は、同光源装置101Bの制御部140における各信号のタイミングチャートである。
図18に示すように、本実施の形態における光源装置101Bは、実施の形態1における光源装置101において、さらに、温度検知素子42を備える。
次に、図19および図20を用いて光源装置101Bの動作について説明する。
以上、本実施の形態に係る光源装置101Bによれば、実施の形態1、2と同様に、光検出器7が、波長変換部材4から空間に放射する光のうち照明光110として利用される放射利用光の光路から外れた位置に配置されている。
図21を用いて実施の形態3の変形例について説明する。図21は、実施の形態3の変形例に係る光源装置101B’の構成を示す概略断面図である。
次に、実施の形態4に係る光源装置101Cについて、図23および図24を用いて説明する。図23は、実施の形態4に係る光源装置101Cの構成を示す概略断面図である。図24は、同光源装置101Cの回路構成と同光源装置101Cを動作させるための駆動部の回路構成とを示す回路ブロック図である。
次に、実施の形態5に係る光源装置101Dについて、図25および図26を用いて説明する。図25は、実施の形態5に係る光源装置101Dの構成を示す概略断面図である。図26は、同光源装置101Dの製造方法を説明するための図である。
次に、実施の形態6に係る光源装置101Eについて、図27を用いて説明する。図27は、実施の形態6に係る光源装置101Eの構成を示す概略断面図である。
次に、実施の形態7に係る光源装置101Fについて、図28を用いて説明する。図28は、実施の形態7に係る光源装置101Fの構成を示す概略断面図である。
次に、実施の形態8に係る光源装置101Gについて、図29および図30を用いて説明する。図29は、実施の形態8に係る光源装置101Gの構成を示す概略断面図である。図30は、同光源装置101Gにおける安全機能を説明するための図である。
次に、実施の形態8の変形例に係る光源装置101G’について、図31を用いて説明する。図31は、実施の形態8の変形例に係る光源装置101G’の構成を示す概略断面図である。
次に、実施の形態9に係る光源装置101Hについて、図34および図35を用いて説明する。図34は、実施の形態9に係る光源装置101Hの構成を示す概略断面図である。図35は、同光源装置101Hの回路構成と同光源装置101Hを動作させるための駆動部の回路構成とを示す回路ブロック図である。
次に、実施の形態10に係る光源装置101Iについて、図37〜図39を用いて説明する。図37は、実施の形態10に係る光源装置101Iの構成を示す概略断面図である。図38および図39は、同光源装置101Iにおける安全機能を説明するための図である。
以上、本開示に係る光源装置および投光装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。
3 集光レンズ
3a 第1光学素子
3b 第2光学素子
4 波長変換部材
4a 波長変換素子
4b 反射部材
4c 支持部材
4d 照射領域
5 レンズホルダ
7、307 光検出器
7a、37a 端子
8 光学フィルタ
9 透明カバー部材
10 半導体発光素子
11 出射光
12 パッケージ
13a、13b リードピン
15 缶
16 透光性部材
20 支持部材
20b、30f 放熱面
20c 分離壁
20d 保持部
20e、20f、20i、27a 取り付け面
20h、322 開口部
21 第1の開口部
22 第2の開口部
23、24 反射部材
25、26 保持部材
27 カバー部材
30 第1の配線基板
30a 基板
30b 配線層
30c 配線層
30d、30e 貫通孔
30f ビア配線
31 第2の配線基板
35 半田
36 接着材
37、337 外部接続手段
38 外部配線
41 抵抗素子
42 温度検知素子
43 抵抗素子
44 保護素子
46 差動アンプ
50、52、53 ネジ
90、90b、90d、390 放射光
91、91b、91c、91d 第1の放射光
92、92b、92c、92d 第2の放射光
95 放射光利用範囲
96 光軸
101、101A、101B、101B’、101C、101D、101E、101F、101G、101G’、101H、101H’、101I、300 光源装置
110、310 照明光
120 投光部材
120a、120b 領域
121 アクチュエータ
130 放熱部材
131 取り付け部
132 放熱フィン
140 制御部
141 マイクロコントローラ
142、143 降圧回路
150 外部回路
160 電源部
170 警告灯
180、180a〜180f 信号
190、191 閾値信号
201、301、401 灯具
320 投光部材
330 配線基板
Claims (8)
- レーザ光を出射する半導体発光装置と、
前記半導体発光装置から出射したレーザ光が励起光として照射されることで蛍光を放射する波長変換部材と、
前記波長変換部材から空間に放射する光のうち照明光として利用される放射利用光の光路から外れた位置に配置され、前記波長変換部材から放射する光の一部が入射する光検出器と、
前記波長変換部材から放射する光のうち照明光として利用されない光の一部を、前記放射利用光が進む方向から離れる方向に反射する第1の反射部材とを備え、
前記光検出器には、前記第1の反射部材で反射された光が入射し、
前記放射利用光の光路に透光部材が設けられ、前記透光部材が前記第1の反射部材として機能する
光源装置。 - 前記放射利用光の光路に透光部材が設けられている
請求項1に記載の光源装置。 - さらに、前記波長変換部材を支持する支持部材を備え、
前記半導体発光装置および前記光検出器は、前記支持部材に取り付けられた回路基板に配置されている
請求項1または2に記載の光源装置。 - 前記半導体発光装置および前記光検出器が取り付けられる前記回路基板は、同一の回路基板であり、
前記同一の回路基板に、前記光検出器に入射した光の強度に基づいて前記半導体発光装置を制御する制御部が取り付けられている
請求項3に記載の光源装置。 - 前記光検出器には、前記半導体発光装置から出射され前記波長変換部材で反射されたレーザ光のうち不要光が入射し、
前記制御部は、前記光検出器からの信号により前記波長変換部材の異常劣化を検出する
請求項4に記載の光源装置。 - レーザ光を出射する半導体発光装置と、
前記半導体発光装置から出射したレーザ光が励起光として照射されることで蛍光を放射する波長変換部材と、
前記波長変換部材から空間に放射する光のうち照明光として利用される放射利用光の光路から外れた位置に配置され、前記波長変換部材から放射する光の一部が入射する光検出器と、
前記波長変換部材を支持する支持部材とを備え、
前記半導体発光装置および前記光検出器は、前記支持部材に取り付けられた回路基板に配置されており、
前記半導体発光装置および前記光検出器が取り付けられる前記回路基板は、同一の回路基板であり、
前記同一の回路基板に、前記光検出器に入射した光の強度に基づいて前記半導体発光装置を制御する制御部が取り付けられている
光源装置。 - 光源装置と、
前記光源装置から放射された放射利用光を反射する投光部材とからなり、
前記光源装置は、
レーザ光を出射する半導体発光装置と、
前記半導体発光装置から出射したレーザ光が励起光として照射されることで蛍光を放射する波長変換部材と、
前記波長変換部材から空間に放射する光のうち照明光として利用される放射利用光の光路から外れた位置に配置され、前記波長変換部材から放射する光の一部が入射する光検出器と、
前記波長変換部材から放射する光のうち照明光として利用されない光の一部を、前記放射利用光が進む方向から離れる方向に反射する第1の反射部材とを備え、
前記光検出器には、前記第1の反射部材で反射された光が入射し、
前記放射利用光の光路に透光部材が設けられ、前記透光部材が前記第1の反射部材として機能する
投光装置。 - 光源装置と、
前記光源装置から放射された放射利用光を反射する投光部材とからなり、
前記光源装置は、
レーザ光を出射する半導体発光装置と、
前記半導体発光装置から出射したレーザ光が励起光として照射されることで蛍光を放射する波長変換部材と、
前記波長変換部材から空間に放射する光のうち照明光として利用される放射利用光の光路から外れた位置に配置され、前記波長変換部材から放射する光の一部が入射する光検出器と、
前記波長変換部材を支持する支持部材とを備え、
前記半導体発光装置および前記光検出器は、前記支持部材に取り付けられた回路基板に配置されており、
前記半導体発光装置および前記光検出器が取り付けられる前記回路基板は、同一の回路基板であり、
前記同一の回路基板に、前記光検出器に入射した光の強度に基づいて前記半導体発光装置を制御する制御部が取り付けられている
投光装置。
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