JP6776917B2 - 単体硫黄分布の分析方法 - Google Patents
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Description
試料に含まれる単体硫黄の分布を分析する単体硫黄分布の分析方法であって、
単体硫黄を含む試料に対し、照射電流量を2×10−8A以下として電子線を照射する照射工程と、
前記電子線の照射により前記試料から発生する特性X線を検出する検出工程と、
前記検出工程に基づいて、前記試料における前記単体硫黄の分布を分析する分析工程と、を有することを特徴とする、単体硫黄分布の分析方法が提供される。
前記照射工程および前記検出工程を電子線マイクロアナライザを用いて行う。
前記試料が多孔質樹脂成形体である。
前記照射工程では、前記電子線の照射電流量を2×10−10A以上とする。
前記照射工程では、前記電子線の照射電流量をa[A]、前記電子線を照射する照射時間をb[msec]としたとき、その積算値である照射量a×bが1×10−6A・msec以上1×10−5A・msec以下となるように前記電子線を照射する。
これに対して、図2では、硫黄の存在を示す黒部分がない。このことから、樹脂成形体内に分布している単体硫黄が、電子線の照射により昇華したものと思われる。
Claims (1)
- 試料に含まれる単体硫黄の分布を分析する単体硫黄分布の分析方法であって、
単体硫黄を含む試料に対し、照射電流量を2×10 −10 A以上2×10−8A以下として電子線を照射する照射工程と、
前記電子線の照射により前記試料から発生する特性X線を検出する検出工程と、
前記検出工程に基づいて、前記試料における前記単体硫黄の分布を分析する分析工程と、を有し、
前記単体硫黄を含む試料は、前記単体硫黄が吸着する多孔質樹脂成形体であり、
前記照射工程および前記検出工程では電子線マイクロアナライザを使用し、
前記照射工程では、前記電子線の照射電流量をa[A]、前記電子線を照射する照射時間をb[msec]としたとき、その積算値である照射量a×bが1×10 −6 A・msec以上1×10 −5 A・msec以下となるように前記電子線を照射する、単体硫黄分布の分析方法。
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