JP6749727B2 - 検査用ウエーハ及び検査用ウエーハの使用方法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ加工装置で使用される検査用ウエーハ及び検査用ウエーハの使用方法に関する。

ウエーハの分割方法として、分割予定ラインに沿ってウエーハの基板の内部に改質層を形成した後に、改質層を起点にウエーハを分割する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の分割方法では、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線がウエーハの裏面側から照射され、分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に改質層が形成される。そして、ブレーキングやエキスパンドによってウエーハに対して外力が加わることで、強度が低下した改質層が分割起点になってウエーハが個々のデバイスチップに分割される。

特許第３４０８８０５号公報

ところで、通常はウエーハの裏面側から照射されたレーザ光線はデバイス付近で集光され、改質層の形成に寄与しないレーザ光線が集光点からウエーハの表面側のデバイスに向けて拡散される。この集光点からのレーザ光線の漏れ光がデバイスに照射されることで、デバイスが熱を受けて破損されてしまうという不具合が生じていた。一方で、レーザ光線の出力を落としたり、集光点の位置をデバイスから遠ざけたりすることで、デバイスに対する漏れ光の影響を抑えることができるが、改質層を起点にウエーハを分割し難くなるという問題があった。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、レーザ加工時にデバイスに対する漏れ光の影響を抑えつつ、ウエーハを良好に分割可能な加工条件を探し出すことができる検査用ウエーハ及び検査用ウエーハの使用方法を提供することを目的の１つとする。

本発明の一態様の検査用ウエーハは、表面に分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面からウエーハを構成する基板に対して透過性波長のレーザ光線を照射させ基板の内部で集光させ分割予定ラインに沿って基板の内部に改質層を形成するレーザ加工装置に用いて、レーザ光線が集光され改質層を形成に寄与しないレーザ光線が改質層からデバイスに影響を与える漏れ光を検査する検査用ウエーハであって、検査用基板と、検査用基板の表面全面に所定の厚みで形成した下地層と、下地層に積層させた金属箔とから構成され、下地層は、デバイスに影響を与える漏れ光のみを金属箔で検出可能な厚みに形成されている。

この構成によれば、検査用ウエーハの下地層の厚みによって、ウエーハのデバイスに対するレーザ光線の漏れ光の影響と検査用ウエーハの金属箔に対するレーザ光線の漏れ光の影響とを一致させることができる。よって、デバイスに対して影響の無い漏れ光が金属箔で検出されることなく、デバイスに対して影響のある漏れ光のみが金属箔で検出される。ウエーハの代わりに検査用ウエーハを用いることで、デバイスに対する漏れ光の影響を抑えつつ、ウエーハのレーザ加工に最適な加工条件を探し出すことができる。よって、製品となるウエーハを無駄にすることなく、検査用ウエーハを用いて最適な加工条件を探し出すことができる。

本発明の一態様の検査用ウエーハの使用方法は、上記の検査用ウエーハの使用方法であって、検査用ウエーハの裏面から検査用基板に対して透過性波長のレーザ光線を照射させ検査用基板の内部で集光させた集光点を検査用ウエーハの面方向で直線に移動させ一直線の改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程の後、検査用ウエーハの金属箔を撮像し、金属箔の表面に表れる金属箔変形が起きた最大幅を測定する幅測定工程と、幅測定工程で測定した金属箔変形の最大幅が分割予定ラインの幅内となるようにレーザ光線を調整する調整工程と、を備える。

本発明によれば、デバイスに影響を与える漏れ光のみを金属箔で検出可能な検査用ウエーハを使用することで、デバイスに対するレーザ光線の漏れ光の影響を抑えつつ、ウエーハを良好に分割可能な加工条件を探し出すことができる。

本実施の形態のレーザ加工装置の斜視図である。 比較例のレーザ加工の加工条件の設定方法の説明図である。 本実施の形態の検査用ウエーハの分解斜視図である。 本実施の形態の下地層の厚みの調整方法の説明図である。 本実施の形態の検査用ウエーハの使用方法の説明図である。

以下、添付図面を参照して、本実施の形態のレーザ加工装置について説明する。図１は、本実施の形態のレーザ加工装置の斜視図である。図２は、比較例のレーザ加工の加工条件の設定方法の説明図である。なお、レーザ加工装置は、本実施の形態の検査用ウエーハを使用した検査が実施可能な構成であればよく、図１に示す構成に限定されない。

図１に示すように、レーザ加工装置１は、レーザ光線を照射するレーザ加工手段３１とウエーハＷを保持した保持テーブル２１とを相対移動させて、ウエーハＷをレーザ加工するように構成されている。ウエーハＷの表面には、複数の分割予定ラインＬが格子状に配列され、分割予定ラインＬによって区画された各領域に複数のデバイスが形成されている。ウエーハＷはダイシングテープＴを介してリングフレームＦに支持されている。なお、ウエーハＷは特に限定されないが、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のように、表面にデバイスが形成されていればよい。

レーザ加工装置１の基台１０上には、レーザ加工手段３１に対して保持テーブル２１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動するテーブル移動手段１１が設けられている。テーブル移動手段１１は、基台１０上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１２と、一対のガイドレール１２にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１４とを有している。また、テーブル移動手段１１は、Ｘ軸テーブル１４の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１３と、一対のガイドレール１３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１５とを有している。

Ｘ軸テーブル１４及びＹ軸テーブル１５の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成されており、これらのナット部にボールネジ１６、１７が螺合されている。そして、ボールネジ１６、１７の一端部に連結された駆動モータ１８、１９が回転駆動されることで、保持テーブル２１がガイドレール１２、１３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。また、Ｙ軸テーブル１５上には、ウエーハＷを保持する保持テーブル２１が設けられている。保持テーブル２１の上面には保持面２２が形成され、保持テーブル２１の周囲にはウエーハＷの周囲のリングフレームＦを挟持固定するクランプ部２３が設けられている。

保持テーブル２１の後方の立壁部２５にはアーム部２６が突設されており、アーム部２６の先端には保持テーブル２１上のウエーハＷをレーザ加工するレーザ加工手段３１が設けられている。レーザ加工手段３１は、ウエーハＷを構成する基板に対して透過性波長のレーザ光線をウエーハＷの裏面側から照射する。レーザ加工手段３１に対して保持テーブル２１がＸ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動されることで、レーザ光線が基板の内部で集光されてウエーハＷの内部に分割予定ラインＬに沿った改質層Ｍ（図２Ａ参照）が形成される。ウエーハＷは、この強度が低下した改質層Ｍを分割起点にして個々のデバイスチップに分割される。

また、レーザ加工手段３１の隣には、ウエーハＷのアライメント用の撮像手段３２が設けられている。撮像手段３２は、ウエーハＷの表面を撮像して撮像画像を生成しており、ウエーハＷのアライメントの他、後述する検査用ウエーハＷＡ（図３参照）を使用した検査方法に使用される。なお、改質層Ｍ（図２Ａ参照）は、レーザ光線の照射によってウエーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層Ｍは、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。

また、レーザ加工装置１には、装置各部を統括制御する制御手段３３が設けられている。制御手段３３は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。メモリには、装置各部を制御する制御プログラムの他、レーザ加工の加工条件、検査用ウエーハＷＡ（図３参照）の使用方法で実施される各工程を実行するプログラム等が記憶されている。なお、検査用ウエーハＷＡの詳細については後述する。

また、レーザ加工の加工条件はウエーハＷに対する加工実績等に基づいて設定されているが、新たに加工条件を設定する場合等には、デバイスに対するレーザ光線の漏れ光の影響に加えて、ウエーハＷの分割し易さを考慮しなければならない。レーザ加工装置１ではウエーハＷの基板の内部でレーザ光線が集光されると、集光点から拡散された漏れ光によってデバイスに熱を与えてしまう恐れがある。一方で、デバイスに対する熱等の影響を減らすように、レーザ光線の出力や集光点の位置を調整すると、ウエーハＷに対して適切な位置に適切な強度の改質層Ｍ（図２Ａ参照）を形成することが難しい。

具体的には、図２Ａに示すように、ウエーハＷのレーザ加工時には、レーザ光線の漏れ光が分割予定ラインＬの幅内に収まらず、分割予定ラインＬの幅外に散乱してデバイスＤを破損させるおそれがある。漏れ光が分割予定ラインＬの幅内に収まるように、レーザ光線の出力を弱めたり、集光点の位置をデバイスＤから離したりすると、ウエーハＷに形成された改質層Ｍが適切な分割起点にならない場合がある。すなわち、デバイスＤに対する漏れ光の影響を抑えることができるものの、改質層Ｍを分割起点としてウエーハＷを分割し難くなっている。

このため、図２Ｂに示すように、通常はウエーハＷの代わりに比較例の検査用ウエーハＷＢを使用して、デバイスＤ（図２Ａ参照）に対する漏れ光の影響を確認しながら、ウエーハＷを適切に分割できる加工条件が設定される。比較例の検査用ウエーハＷＢは、基板５１の表面５５側に下地層５２を介して金属箔５３が積層されており、漏れ光によって金属箔５３に熱変形（スプラッシュ）Ｓが生じ易くなっている。この検査用ウエーハＷＢに対して裏面５６側からレーザ光線を照射して、ウエーハＷのデバイスＤに相当する箇所（分割予定ラインＬの外側）で金属箔５３の熱変形Ｓを観察することで、デバイスＤが漏れ光の影響を受けない加工条件を探し出している。

しかしながら、比較例の検査用ウエーハＷＢでは、金属箔５３の感度が高すぎると、デバイスＤ（図２Ａ参照）に影響が無いような漏れ光でも金属箔５３が熱変形してしまう。すなわち、ウエーハＷ（図２Ａ参照）で分割予定ラインＬ外に散乱する漏れ光であっても、十分にパワーが低下した漏れ光であればデバイスＤに影響を与えないが、このようなパワーが低下した漏れ光も金属箔５３で全て検出されてしまっていた。このため、デバイスＤに影響がある漏れ光か否かが分からないため、デバイスＤに対する漏れ光の影響を必要以上に考慮した加工条件が設定されるという不具合がある。

そこで、本実施の形態の検査用ウエーハＷＡ（図３参照）は、検査用基板４１に対して金属箔４３を付着するための下地層４２の厚みを可変して、金属箔４３による漏れ光の検出感度を調節するようにしている。下地層４２を厚くして金属箔４３の検出感度を鈍くすることで、デバイスＤ（図２Ａ参照）が影響を受ける漏れ光だけを金属箔４３に検出させる。よって、検査用ウエーハＷＡを用いて加工条件を様々に可変させ、デバイスＤに対する漏れ光の影響を金属箔４３の熱変形Ｓとして検出しながら、ウエーハＷを分割するのに最適な加工条件を探し出すことが可能になっている。

以下、図３を参照して、本実施の形態の検査用ウエーハについて説明する。図３は、本実施の形態の検査用ウエーハの分解斜視図である。図４は、本実施の形態の下地層の厚みの調整方法の説明図である。なお、検査用ウエーハには分割予定ラインは形成されていないが、図４Ｂ、Ｃにおいては説明の便宜上、分割予定ラインを破線で示している。

図３に示すように、レーザ加工装置１（図１参照）の加工条件を決定する際には、ウエーハＷの代わりに検査用ウエーハＷＡが使用される。検査用ウエーハＷＡは、レーザ光線を集光させたときに、改質層の形成に寄与しないレーザ光線がウエーハＷのデバイスＤ（図２Ａ参照）に影響を与える漏れ光を検査するように形成されている。検査用ウエーハＷＡの検査用基板４１には、所定の厚みの下地層４２を介して金属箔４３が積層されている。金属箔４３は下地層４２を透過した漏れ光が照射されて熱変形し、金属箔４３の熱変形によってデバイスＤに影響を与える漏れ光が検査される。

検査用基板４１は、レーザ光線が集光されることで分割起点となる改質層Ｍ（図４Ｂ参照）が形成されるものであり、様々な材質が選択であるが、通常は実生産時のウエーハＷと同じ材質で同じ厚みの基板が選択される。例えば、実生産時のウエーハＷ（図４Ａ参照）が半導体ウエーハの場合には検査用基板４１として半導体基板が選択され、実生産時のウエーハＷが光デバイスウエーハの場合には検査用基板４１として無機材料基板が選択される。検査用基板４１としては、例えばシリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ガリウム（ＧａＮ）が使用されてもよい。

検査用基板４１の表面全体には、所定の厚みの下地層４２が蒸着によって形成されている。下地層４２には、様々な材質が選択可能であるが、金属箔４３を検査用基板４１に良好に付着させることが可能な材質が選択される。下地層４２としては、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）が使用されてもよい。また、下地層４２の厚みは、上記したように、ウエーハＷ（図２Ａ参照）をレーザ加工したときに、デバイスＤに影響を与える漏れ光のみを金属箔４３で検出可能な厚みに形成されている。なお、下地層４２の厚みの調整の詳細については後述する。

下地層４２の表面には、デバイスＤ（図４Ａ参照）の代わりとして金属箔４３が蒸着によって形成されている。金属箔４３には、様々な材質を選択可能であるが、実生産時の加工対象のデバイスの金属配線と同じ材質、又は融点が近い材質が選択される。金属箔４３としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、錫（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）が使用されてもよい。また、金属箔４３の厚みは、特に限定されないが、レーザ光線の漏れ光の熱変形が現れやすい厚みに形成されている。

検査用ウエーハＷＡは、実生産で使用されるウエーハＷ（図２Ａ参照）のデバイスＤと検査用ウエーハＷＡの金属箔４３とに対する漏れ光の影響を揃えるように下地層４２の厚みが調整されている。これにより、検査用ウエーハＷＡを使用した検査で金属箔４３が熱変形した場合には、実生産で使用されるウエーハＷのデバイスＤが熱影響で破損すると見なすことができる。検査用ウエーハＷＡを用いて様々な加工条件を試すことで、デバイスＤが漏れ光の影響を受けない加工条件を設定できる。なお、下地層４２及び金属箔４３が蒸着によって形成される構成にしたが、検査用ウエーハＷＡに対して適切な厚みに形成可能であれば、下地層４２及び金属箔４３がどのような方法で形成されてもよい。

図４Ａに示すように、下地層４２（図４Ｂ参照）の厚みを調整する際には、先ず実生産で使用されるウエーハＷを実際にレーザ加工して、デバイスＤに影響が無い基準の加工条件を探し出す。なお、ここではデバイスＤに影響が無い加工条件を決定することができればよく、実際にウエーハＷをレーザ加工して加工条件を決定する代わりに、過去の加工実績等で経験的に加工条件を決定してもよいし、計算等で理論的に加工条件を決定してもよい。また、デバイスＤに対する影響の有無は、例えば、検査ユニット（不図示）によってデバイスＤ内の配線の電気抵抗等を確認することで判断されてもよい。

図４Ｂに示すように、基準の加工条件が決定されると、検査用ウエーハＷＡに対して基準の加工条件でレーザ加工が実施される。そして、撮像手段３２（図１参照）によって検査用ウエーハＷＡの金属箔４３が撮像され、レーザ光線の漏れ光による金属箔４３で熱変形Ｓが検出される。基準の加工条件がデバイスＤ（図４Ａ参照）に影響を与えない条件に設定されているため、ウエーハＷと検査用ウエーハＷＡに対する漏れ光の影響が一致していれば、ウエーハＷのデバイスＤの形成箇所に対応した検査用ウエーハＷＡの箇所、すなわち分割予定ラインＬのライン幅の外側では金属箔４３に熱変形が生じないはずである。

分割予定ラインＬのライン幅の外側で金属箔４３に熱変形が生じる場合には、デバイスＤに影響を与えない漏れ光であっても金属箔４３で検出されていると判断される。このため、下地層４２が薄く検出感度が高くすぎるとして、図４Ｃに示すように、金属箔４３の熱変形箇所Ｓが分割予定ラインＬのライン幅内に収まるように下地層４２が厚く形成される。逆に分割予定ラインＬのライン幅の内側で金属箔４３に熱変形が生じていない場合には、下地層４２が厚く検出感度が低すぎるとして、金属箔４３の熱変形箇所Ｓが分割予定ラインＬの幅内に収まる程度に下地層４２が薄く形成される。

このように、基準の加工条件でレーザ加工して、分割予定ラインＬの幅内に金属箔４３の熱変形Ｓを収めるように下地層４２の厚みを形成することで、ウエーハＷ（図４Ａ参照）のデバイスＤと検査用ウエーハＷＡの金属箔４３とに対する漏れ光の影響を揃えることができる。このような検査用ウエーハＷＡでは、デバイスＤに影響がある漏れ光だけが金属箔４３の熱変形Ｓとして検出される。よって、デバイスＤに影響が無い漏れ光を無視することができ、分割予定ラインＬの幅内で金属箔４３の熱変形Ｓを収めつつ、ウエーハＷに対して最適な加工条件を探し出すことが可能になっている。

続いて、図５を参照して、検査用ウエーハの使用方法について説明する。図５は、本実施の形態の検査用ウエーハの使用方法の説明図である。なお、図５は検査用ウエーハの使用方法の一例を示すものであり、適宜変更が可能である。

図５Ａに示すように、先ず改質層形成工程が実施される。改質層形成工程では、レーザ加工装置１（図１参照）に検査用ウエーハＷＡの表面の金属箔４３側が下方に向けられて、ダイシングテープＴを介して検査用ウエーハＷＡが保持テーブル２１に保持され、検査用ウエーハＷＡの周囲のリングフレームＦがクランプ部２３に保持される。また、レーザ加工手段３１の出射口が検査用ウエーハＷＡの真上に位置付けられ、レーザ加工手段３１によって検査用ウエーハＷＡの裏面からレーザ光線が照射される。レーザ光線は、検査用基板４１に対して透過性を有する波長であり、検査用基板４１の内部で集光するように調整されている。

そして、検査用ウエーハＷＡに対してレーザ加工手段３１が相対移動されることで、集光点が検査用ウエーハＷＡの面方向で直線に移動されて、検査用基板４１の内部に一直線の改質層Ｍが形成される。このとき、レーザ光線の漏れ光が集光点から検査用ウエーハＷＡの金属箔４３に向けて拡散され、下地層４２を透過した漏れ光によって金属箔４３が熱変形される。検査用ウエーハＷＡの下地層４２の厚みが、デバイスＤ（図４Ａ参照）に影響を与える漏れ光だけを金属箔４３で検出可能に形成されるため、デバイスＤに影響が無い程度のかすかな漏れ光で金属箔４３が熱変形することがない。

図５Ｂに示すように、改質層形成工程の後には幅測定工程が実施される。幅測定工程では、検査用ウエーハＷＡからダイシングテープＴ（図５Ａ参照）が剥がされた後に、検査用ウエーハＷＡの金属箔４３が上方に向けられて、撮像手段３２によって検査用ウエーハＷＡの金属箔４３が撮像される。撮像手段３２では、金属箔４３の撮像画像に基づいて金属箔４３の表面に表れる金属箔変形Ｓが起きた最大幅ｄが測定される。このとき、撮像画像に対して各種画像処理が施されて金属箔４３の熱変形箇所Ｓが検出され、改質層Ｍの延在方向に対して直交する方向で最も離間した金属箔４３の変形箇所の２点間の距離ｄが測定される。

図５Ｃに示すように、幅測定工程の後には調整工程が実施される。調整工程では金属箔変形の最大幅ｄが分割予定ラインＬの幅内になるようにレーザ光線の加工条件が調整される。検査用ウエーハＷＡの金属箔４３とウエーハＷ（図４Ａ参照）のデバイスＤに対する漏れ光の影響が一致しているため、分割予定ラインＬの幅内から外れた漏れ光はウエーハＷのデバイスＤを損傷させるおそれがある。このため、金属箔４３の熱変形Ｓの最大幅ｄが分割予定ラインＬの幅内に収まるように加工条件を調整することで、ウエーハＷのデバイスＤに損傷を与えない加工条件が設定される。

調整工程では、例えば、レーザ光線の波長、スポット形、平均出力、繰り返し周波数、パルス幅、集光レンズの開口数（ＮＡ）、集光点の位置、加工送り速度等の少なくとも１つの加工条件が調整される。このように、ウエーハＷのデバイスＤに損傷させない範囲で加工条件を調整して、ウエーハＷに対して良好な改質層Ｍを形成できる最適な加工条件を探し出すことができる。なお、分割予定ラインＬのライン幅は予めデータとして記憶されたものが使用されるが、検査用ウエーハＷＡの金属箔４３に実際に分割予定ラインが形成されていてもよい。

以上のように、本実施の形態の検査用ウエーハＷＡによれば、検査用ウエーハＷＡの下地層４２の厚みによって、ウエーハＷのデバイスＤと検査用ウエーハＷＡの金属箔４３とに対するレーザ光線の漏れ光の影響を一致させることができる。よって、デバイスＤに対して影響の無いレーザ光線の漏れ光が金属箔４３で検出されず、デバイスＤに対して影響のあるレーザ光線の漏れ光のみが金属箔４３で検出される。ウエーハＷの代わりに検査用ウエーハＷＡを用いることで、デバイスＤに対するレーザ光線の漏れ光の影響を抑えつつ、ウエーハＷのレーザ加工に最適な加工条件を探し出すことができる。よって、製品となるウエーハＷを無駄にすることなく、検査用ウエーハＷＡを用いて最適な加工条件を探し出すことができる。

なお、本実施の形態では、検査用ウエーハの下地層の全面に金属箔が形成されていたが、この構成に限定されない。金属箔は、デバイスに対する漏れ光の影響を検出可能であればよく、下地層に対して部分的に形成されていてもよい。

また、本実施の形態では、検査用ウエーハの金属箔に対して酸化防止膜が形成されてもよい。酸化防止膜によって金属箔の酸化を防止することができる。また、金属箔の酸化防止には保護テープを用いてもよい。

また、本実施の形態では、レーザ加工装置で改質層形成工程、幅測定工程、調整工程が実施される構成にしたが、この構成に限定されない。改質層形成工程、幅測定工程、調整工程は、それぞれ専用の装置で実施されてもよい。

また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。

また、本発明の実施の形態及び変形例は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。

また、本実施の形態では、本発明を検査用ウエーハに適用した構成について説明したが、改質層によって良好に分割可能な加工条件を探し出すことができる被加工物に適用することが可能である。

以上説明したように、本発明は、レーザ加工時にデバイスに対する漏れ光の影響を抑えつつ、ウエーハを良好に分割可能な加工条件を探し出すことができるという効果を有し、特に、半導体ウエーハや光デバイスウエーハの加工条件を探し出すための検査用ウエーハ及び検査用ウエーハの使用方法に有用である。

１ レーザ加工装置
４１ 検査用基板
４２ 下地層
４３ 金属箔
Ｄ デバイス
Ｆ リングフレーム
Ｌ 分割予定ライン
Ｍ 改質層
Ｔ ダイシングテープ
Ｗ ウエーハ
ＷＡ 検査用ウエーハ

Claims (2)

1. 表面に分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面からウエーハを構成する基板に対して透過性波長のレーザ光線を照射させ基板の内部で集光させ分割予定ラインに沿って基板の内部に改質層を形成するレーザ加工装置に用いて、該レーザ光線が集光され該改質層を形成に寄与しないレーザ光線が該改質層からデバイスに影響を与える漏れ光を検査する検査用ウエーハであって、
   検査用基板と、該検査用基板の表面全面に所定の厚みで形成した下地層と、該下地層に積層させた金属箔とから構成され、
   該下地層は、デバイスに影響を与える漏れ光のみを該金属箔で検出可能な厚みに形成された検査用ウエーハ。
2. 請求項１記載の検査用ウエーハの使用方法であって、
   該検査用ウエーハの裏面から該検査用基板に対して透過性波長のレーザ光線を照射させ該検査用基板の内部で集光させた集光点を該検査用ウエーハの面方向で直線に移動させ一直線の改質層を形成する改質層形成工程と、
   該改質層形成工程の後、該検査用ウエーハの該金属箔を撮像し、該金属箔の表面に表れる金属箔変形が起きた最大幅を測定する幅測定工程と、
   該幅測定工程で測定した金属箔変形の最大幅が分割予定ラインの幅内となるようにレーザ光線を調整する調整工程と、を備える検査用ウエーハの使用方法。

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