JP6736498B2 - 計測装置及び観測条件の設定方法 - Google Patents
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Description
101 電子光学系鏡筒
102 制御ユニット
111 電子銃
112 一次電子線
113、114 偏向器
115 対物レンズ
116 試料
117 試料ホルダ
119 検出器
121 演算装置
122 記憶装置
123 パルス電子制御装置
124 入力装置
125 出力装置
131 制御モジュール
132 画像生成モジュール
133 条件情報
134 画像情報
151 電極
200 半導体基板
201 絶縁膜
202 コンタクトプラグ
203 ゲート
600、1000、1300 操作画面
Claims (14)
- 2次元的に走査する荷電粒子線を周期的に照射して試料を観察する計測装置であって、
前記荷電粒子線を出力する粒子源と、
前記荷電粒子線を集束するレンズと、
前記荷電粒子線を照射した前記試料から放出される放出電子の信号を検出する検出器と、
観測条件に基づいて前記荷電粒子線の出力及び前記放出電子の信号の検出を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記観測条件として、前記荷電粒子線の2次元的な走査を制御する第1のパラメータを設定し、
前記観測条件として、走査中の前記荷電粒子線の照射位置を指定する照射周期を制御する第2のパラメータを設定し、
前記観測条件として、パルス状の荷電粒子線のパルス幅を制御する第3のパラメータを設定し、
前記観測条件として、前記パルス状の荷電粒子線の照射時間内において前記放出電子の信号の検出タイミングを制御する第4のパラメータを設定し、
前記第4のパラメータは、前記荷電粒子線の照射位置から放出される複数の放出電子の信号の各々の強度の差に基づいて決定されることを特徴とする計測装置。 - 請求項1に記載の計測装置であって、
前記制御装置は、
前記第1のパラメータ、前記第2のパラメータ、及び前記第3のパラメータに基づいて、前記粒子源に、所定のパルス幅のパルス状の荷電粒子線を、任意方向に走査させながら周期的に前記試料に照射させ、
前記複数の放出電子の信号の強度の時間変化を示すデータを記録し、
前記照射時間内における前記複数の放出電子の信号の各々の強度の差に基づいて、前記第4のパラメータを決定することを特徴とする計測装置。 - 請求項1に記載の計測装置であって、
前記制御装置は、
前記試料の特性を示す第5のパラメータを設定し、
前記第1のパラメータ、前記第2のパラメータ、前記第3のパラメータ、及び前記第5のパラメータを用いて、前記パルス状の荷電粒子線を、任意方向に走査させながら周期的に前記試料に照射した場合に放出される前記複数の放出電子の信号のシミュレーションを行い、
前記シミュレーションの結果である前記複数の放出電子の信号の強度の時間変化を示すデータを記録し、
前記照射時間内における前記複数の放出電子の信号の各々の強度の差に基づいて、前記第4のパラメータを決定することを特徴とする計測装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の計測装置であって、
前記検出タイミングを決定するための複数の候補パラメータを設定し、
前記記録されたデータを参照して、前記複数の候補パラメータの各々に対応した検出タイミングにおいて検出された前記放出電子の信号を取得し、
前記取得された放出電子の信号を用いて画像を生成し、
前記複数の候補パラメータの各々に対応する画像に基づいて、前記複数の候補パラメータの中から前記第4のパラメータとして設定する前記候補パラメータを決定することを特徴とする計測装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の計測装置であって、
前記制御装置は、
前記記録されたデータに基づいて、前記複数の放出電子の信号の各々の強度の差が最大となる時間を特定し、
前記時間に基づいて前記第4のパラメータを設定することを特徴とする計測装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の計測装置であって、
前記計測装置は、前記試料の帯電によって発生する電界を制御する制御機構を有し、
前記制御装置は、前記制御機構を制御する第6のパラメータを設定することを特徴とする計測装置。 - 請求項4に記載の計測装置であって、
前記制御装置は、
前記観測条件に含めるパラメータを設定するための設定画面を表示し、
前記設定画面に前記画像を表示することを特徴とする計測装置。 - 2次元的に走査する荷電粒子線を周期的に照射して試料を観察する計測装置における観測条件の設定方法であって、
前記計測装置は、前記荷電粒子線を出力する粒子源と、前記荷電粒子線を集束するレンズと、前記荷電粒子線を照射した前記試料から放出される放出電子の信号を検出する検出器と、観測条件に基づいて前記荷電粒子線の出力及び前記放出電子の信号の検出を制御する制御装置と、を有し、
前記観測条件の設定方法は、
前記制御装置が、前記観測条件として、前記荷電粒子線の2次元的な走査を制御する第1のパラメータを設定する第1のステップと、
前記制御装置が、前記観測条件として、走査中の前記荷電粒子線の照射位置を指定する照射周期を制御する第2のパラメータを設定する第2のステップと、
前記制御装置が、前記観測条件として、パルス状の荷電粒子線のパルス幅を制御する第3のパラメータを設定する第3のステップと、
前記制御装置が、前記観測条件として、前記パルス状の荷電粒子線の照射時間内において前記放出電子の信号の検出タイミングを制御する第4のパラメータを設定する第4のステップと、を含み、
前記第4のパラメータは、前記荷電粒子線の照射位置から放出される複数の放出電子の信号の各々の強度の差に基づいて決定されることを特徴とする観測条件の設定方法。 - 請求項8に記載の観測条件の設定方法であって、
前記第4のステップは、
前記制御装置が、前記第1のパラメータ、前記第2のパラメータ、及び前記第3のパラメータに基づいて、前記粒子源に、所定のパルス幅のパルス状の荷電粒子線を、任意方向に走査させながら周期的に前記試料に照射させるステップと、
前記制御装置が、前記複数の放出電子の信号の強度の時間変化を示すデータを記録するステップと、
前記制御装置が、前記照射時間内における前記複数の放出電子の信号の各々の強度の差に基づいて、前記第4のパラメータを決定するステップと、を含むことを特徴とする観測条件の設定方法。 - 請求項8に記載の観測条件の設定方法であって、
前記第4のステップは、
前記制御装置が、前記試料の特性を示す第5のパラメータを設定するステップと、
前記制御装置が、前記第1のパラメータ、前記第2のパラメータ、前記第3のパラメータ、及び前記第5のパラメータを用いて、前記パルス状の荷電粒子線を、任意方向に走査させながら周期的に前記試料に照射した場合に放出される前記複数の放出電子の信号のシミュレーションを行うステップと、
前記制御装置が、前記シミュレーションの結果である前記複数の放出電子の信号の強度の時間変化を示すデータを記録するステップと、
前記制御装置が、前記照射時間内における前記複数の放出電子の信号の各々の強度の差に基づいて、前記第4のパラメータを決定するステップと、を含むことを特徴とする観測条件の設定方法。 - 請求項9又は請求項10に記載の観測条件の設定方法であって、
前記第4のパラメータを決定するステップは、
前記制御装置が、前記検出タイミングを決定するための複数の候補パラメータを設定するステップと、
前記制御装置が、前記記録されたデータを参照して、前記複数の候補パラメータの各々に対応した検出タイミングにおいて検出された前記放出電子の信号を取得するステップと、
前記制御装置が、前記取得された放出電子の信号を用いて画像を生成するステップと、
前記制御装置が、前記複数の候補パラメータの各々に対応する画像に基づいて、前記複数の候補パラメータの中から前記第4のパラメータとして設定する前記候補パラメータを決定するステップと、を含むことを特徴とする観測条件の設定方法。 - 請求項9又は請求項10に記載の観測条件の設定方法であって、
前記第4のパラメータを決定するステップは、
前記制御装置が、前記記録されたデータに基づいて、前記複数の放出電子の信号の各々の強度の差が最大となる時間を特定するステップと、
前記制御装置が、前記時間に基づいて前記第4のパラメータを設定するステップと、を含むことを特徴とする観測条件の設定方法。 - 請求項9又は請求項10に記載の観測条件の設定方法であって、
前記計測装置は、前記試料の帯電によって発生する電界を制御する制御機構を有し、
観測条件の設定方法は、前記制御装置が、前記制御機構を制御する第6のパラメータを設定するステップを含むことを特徴とする観測条件の設定方法。 - 請求項11に記載の観測条件の設定方法であって、
前記制御装置が、前記観測条件に含めるパラメータを設定するための設定画面を表示するステップと、
前記制御装置が、前記設定画面に前記画像を表示するステップと、を含むことを特徴とする観測条件の設定方法。
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