JP6724933B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6724933B2 JP6724933B2 JP2018004933A JP2018004933A JP6724933B2 JP 6724933 B2 JP6724933 B2 JP 6724933B2 JP 2018004933 A JP2018004933 A JP 2018004933A JP 2018004933 A JP2018004933 A JP 2018004933A JP 6724933 B2 JP6724933 B2 JP 6724933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- translucent member
- translucent
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 80
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 80
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 80
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 46
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- -1 cerium-activated yttrium-aluminum-garnet Chemical class 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTPQLYJGPLYBPS-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynechromium Chemical compound [Cr]#P ZTPQLYJGPLYBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
第1の面と、前記第1の面と対向する第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の側面とを有し、前記第2の面と前記複数の側面のうち2つとが接する角部を複数有し、前記第2の面側に一対の電極を有する発光素子と、
複数の前記角部の1つ以上を露出させるよう、少なくとも1つの前記側面の一部と、当該少なくとも1つの側面と前記第2の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、
前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、
前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい。
図1、図2(a)、(b)に示す本実施の形態に係る発光装置10は、発光素子20と、発光素子20の側面23側に設けられた透光性部材30と、透光性部材30の外面33を覆う被覆部材40とを含む。発光装置10は、発光面として機能する第1の面(上面)11側に、波長変換部材50を備えることができる。
この他方の側面23を透光性部材30で覆うことにより、他方の側面23に到達した光を透光性部材30を通して発光装置10の外側に取り出すことができる。
透光性部材30は、発光素子20の側面23の全面を覆っておらず、側面23を部分的に覆っている。そのため、具体的には、発光素子20の第2の面22側にある角部241、242、243、244の近傍において、発光素子20の側面23は、透光性部材30から露出している。また、角部241、242、243、244を通ってz方向に伸びる発光素子20の辺(これを、「第3の辺231、232、233、234」と称する)も、その角部の近傍で透光性部材30から露出している。(図3、図2(b)参照)。なお、透光性部材30から露出した側面23の部分(側面23の露出部分)は、後述する被覆部材40によって覆われるので、発光装置10の外面に露出しない。
具体例として、各部材の熱膨張率を、発光素子20が7ppm/℃、透光性部材30が200ppm/℃、被覆部材40が45ppm/℃であると仮定すると、第1の熱膨張率差ΔT30=(200−7)=193ppm/℃、「第2の熱膨張率差ΔT40=(45−7)=38ppm/℃となる。よって、第2の熱膨張率差ΔT40<第1の熱膨張率差ΔT30の関係を満たす。
透光性部材30は、発光素子20の側面23に露出した発光層282をなるべく広く、特にすべて覆うことが好ましい。これにより、発光層282からの発光を、透光性部材30を通して発光素子20の外側に効率よく取り出すことができる。
なお、断面図において外向きに凸の曲線状の外面33は、斜視図においては、図3のようなドーム状となる。また、断面図において内向きに凸の曲線状の外面33は、図20のようなラッパ状(フレアー型)となる。
次に図5を参照しながら、本実施の形態に係る発光装置10の第1の製造方法について説明する。
波長変換部材50の上に、発光素子20を配置する(図5(a))。このとき、発光素子20の第1の面21を、波長変換部材50の第2の面52と向かい合わせて配置する。発光素子20は、透光性の接着剤等により波長変換部材50に固定することができる。接着剤を使用する代わりに、発光素子20は、後で形成される透光性部材30によって、波長変換部材50に固定してもよい。また、波長変換部材50自体が接着性を有する場合(半硬化状態等である場合)には、接着剤を使わずに固定してもよい。
発光素子20の側面23の一部と、波長変換部材50の第2の面52のうち発光素子20の近傍領域とを覆うように、透光性部材30を形成する(図5(b))。透光性部材30が透光性樹脂材料から形成される場合には、透光性部材30の原材料となる液状樹脂材料30Lを、ディスペンサ等を用いて、発光素子20の第1の辺(図5(b)の符号212、214と波長変換部材50との境界に沿って塗布する。液状樹脂材料30Lは、波長変換部材50の上に広がるとともに、表面張力によって発光素子20の側面23を這い上がる。その後に、液状樹脂材料30Lを加熱等によって硬化させて、透光性部材30を得る。
透光性部材30の外面33と、波長変換部材50の第2の面52のうち透光性部材30で覆われていない部分(つまり、第2の面52の露出している部分)とを、被覆部材40で覆う。さらに、発光素子20の第2の面22のうち、電極251、252で覆われていない部分(つまり、第2の面22の露出している部分)も、被覆部材40で覆ってもよい。このとき、電極251、252の一部(例えば、電極251、252の表面251s、252s)が被覆部材40から露出するように、被覆部材40の厚さ(−Z方向の寸法)を調節するのが好ましい。つまり、波長変換部材50の第2の面52を基準としたときに、被覆部材40の第2の面42の高さが、電極251、252の表面251s、252sの高さ以下としてもよい。
図6〜図10を参照しながら、本実施の形態に係る発光装置10の第2の製造方法について説明する。第2の製造方法では、複数の発光装置10を同時に製造することができる。
波長変換シート500の第2の面520上に発光素子20を配置する(図6(a)、図9(a))。波長変換シート500は、各発光装置10に個片化した後に、波長変換部材50となる。このとき、比較的大きい波長変換シート500を用いて、1枚の波長変換シート500の上に、複数の発光素子20を配置する。隣接する発光素子20は、所定の間隔をあけて配置される。なお、隣接する発光素子20の間隔が広すぎると、同時に形成できる発光装置10の個数が減少して、発光装置10の量産の効率が悪くなるので、発光素子20は、適切な間隔で配置するのが望ましい。発光素子20は、第1の製造方法の工程1−1.で説明した固定方法と同様の固定方法により、波長変換シート500の所定位置に固定される。
第1の製造方法の工程1−2.と同様に、各発光素子20の周囲に、透光性部材30を形成する(図6(b)、図9(b))。ある発光素子20の周囲に形成された透光性部材30と、その発光素子20と隣接して配置された発光素子20の周囲に形成された透光性部材30とが接触しないように、透光性部材30を形成する。
第1の製造方法の工程1−3.と同様に、透光性部材30の外面33と、波長変換シート500の第2の面520とを、被覆部材400で覆う(図7(a)、図9(c))。被覆部材400は、各発光装置10に個片化した後に、被覆部材40となる。工程2−3.は、工程1−3.とは異なり、発光素子20の電極251、252の表面251s、252sも覆うように、被覆部材400の厚さ(−z方向の寸法)を調節する。このとき、波長変換シート500上に配置された複数の発光素子20の周囲に設けた複数の透光性部材30は、連続する1つの被覆部材400で覆われる。
その後、発光素子20の電極251、252が露出するように、公知の加工方法により被覆部材400の厚さを薄くする(図7(b)、図10(a))。
隣接する発光素子20の中間を通る破線X1、破線X2、破線X3および破線X4(図7(b)、図10(a))に沿って、被覆部材400と波長変換シート500とをダイサー等で切断する。これにより、個々の発光装置10に個片化される(図8、図10(b))。このように、発光素子20を1つ含む発光装置10を、同時に複数製造することができる。
図11〜図12を参照しながら、本実施の形態に係る発光装置10の第3の製造方法について説明する。第3の製造方法では、複数の発光装置10を同時に製造することができる。なお、第2の製造方法と同様の工程については、説明を省略する。
波長変換シート500の第2の面520上に、透光性部材30を形成するための液状樹脂材料300を、分離した複数の島状に塗布する(図11(a)、12(a))。このとき、比較的大きい波長変換シート500を用いて、1枚の波長変換シート500の上に複数の島状の液状樹脂材料300を配置する。島状に設けられた各液状樹脂材料300は、平面視において任意の形状にすることができ、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形が挙げられる。なお、隣接する島状の液状樹脂材料300の間隔が広すぎると、同時に形成できる発光装置10の個数が減少して、発光装置10の量産の効率が悪くなるので、液状樹脂材料300は適切な間隔で配置するのが望ましい。
図11(b)、図12(b)に示すように、島状の各液状樹脂材料300の上に、発光素子20を配置する。発光素子20を島状の液状樹脂材料300の上に配置するだけで、もしくは配置した上で発光素子20を押圧することにより、表面張力によって液状樹脂材料300は発光素子20の側面23に這い上がり、液状樹脂材料300の外面303(後の透光性部材30の外面33)は下向きに拡がった形状になる。その後に液状樹脂材料300を硬化することにより、透光性部材30を形成する。
液状樹脂材料300の平面視の形状は、発光素子20の配置または押圧により変形し、最終製品である発光装置10が備える透光性部材30の第1の面31(図1、図2参照)の外形とほぼ一致する形状となる。
図13〜図14を参照しながら、本実施の形態に係る発光装置10の第4の製造方法について説明する。第4の製造方法では、複数の発光装置10を同時に製造することができる。
耐熱性シート等からなる支持部材60の上面60a上に、発光素子20を配置する(図13(a))。このとき、比較的大きい支持部材60を用いて、1枚の支持部材60の上に、複数の発光素子20を配置する。第2の製造方法の工程2−1と同様に、隣接する発光素子20は、所定の間隔をあけて配置される。発光素子20は、第1の製造方法の工程1−1.で説明した固定方法と同様の固定方法により、支持部材60の所定位置に固定される。
第1の製造方法の工程1−2.と同様に、各発光素子20の周囲に、透光性部材30を形成する(図13(b))。ある発光素子20の周囲に形成された透光性部材30と、その発光素子20と隣接して配置された発光素子20の周囲に形成された透光性部材30とが接触しないように、透光性部材30を形成する。
第1の製造方法の工程1−3.と同様の方法で、透光性部材30の外面33と、支持部材60の上面60aとを、被覆部材400で覆う(図13(c))。被覆部材400は、各発光装置10に個片化した後に、被覆部材40となる。支持部材60上に配置された複数の発光素子20の周囲に設けた複数の透光性部材30は、連続する1つの被覆部材400で覆われる。
支持部材60を除去(剥離)して、発光素子20の第1の面21と、被覆部材400の第1の面400aとを露出させる(図14(a))。その後、発光素子20の第1の面21と被覆部材400の第1の面400a(以下、「第1の面21、400a」と称する)と覆う波長変換層510を形成する。波長変換層510は、各発光装置10に個片化した後に、波長変換部材50となる。波長変換層510の形成方法としては、蛍光体を含む透光性樹脂から成るシートを、ホットメルト又は接着剤により第1の面21、400aに接着する方法、電気泳動堆積法で第1の面21、400aに蛍光体を付着させた後で当該付着した蛍光体に透光性樹脂を含浸させる方法、蛍光体を含む透光性樹脂を、ポッティング、トランスファー成形、圧縮成形、キャスティングケースによる成形、スプレー法、静電塗布法、印刷法などの既知の技術により第1の面21、400aに塗布する方法が挙げられる。これらの方法のうちで、スプレー法が好ましく、特に、間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー法が好ましい。
第2の製造方法の工程2−4と同様に、隣接する発光素子20の中間を通る破線X1および破線X2に沿って、被覆部材400と波長変換層510とをダイサー等で切断する(図14(b))。これにより、個々の発光装置10に個片化される(図14(c))。このように、発光素子20を1つ含む発光装置10を、同時に複数製造することができる。
図15に示すように、本実施の形態に係る発光装置15は、実施の形態1に係る発光装置10と比較して、波長変換部材501の側面501bが被覆部材403で覆われている点と、被覆部材403が2層構造になっている点で相違する。その他の点については、実施の形態1と同様である。
工程A.波長変換部材501の形成
耐熱性シート等からなる第1の支持部材61上に、第1の被覆層401を形成するための被覆材料層404を形成する(図16(a))。その後、被覆材料層404に複数の貫通孔409を設けることにより、枠部材405を得る(図16(b))。z方向から見たときの、枠部材405の貫通孔409の内面の寸法および形状は、図15(a)に示す発光装置15の平面図における波長変換部材501の外形の寸法および形状と同一である。なお、貫通孔409を形成する際は、被覆材料層404を貫通させ、第1の支持部材61を貫通しないように形成する。
各波長変換部材501の露出面501x上に、発光素子20を固定する(図17(a))。発光素子20の固定方法は、実施の形態1の工程1−1.で説明した固定方法と同様である。
実施の形態1の工程1−2.と同様に、発光素子20の周囲に、透光性部材30の原材料となる液状の樹脂材料30Lを塗布する(図17(b))。液状樹脂材料30Lを加熱等によって硬化させて、透光性部材30を得る。なお、塗布された液状の樹脂材料30Lは、波長変換部材501の露出面501xに沿って拡がるが、波長変換部材501と薄形枠部材406との境界線に達すると、ピン止め効果によってそれ以上拡がりにくくなる。そのため、本実施の形態の発光装置15では、透光性部材30の形態を制御しやすい。図15(a)に示すように、透光性部材30は、波長変換部材501の四隅部分501e(ハッチングされた部分)まで達しない。よって、四隅部分501eは、透光性部材30から露出する。
実施の形態1の工程1−3.と同様の方法で、透光性部材30の外面33と、波長変換部材501の四隅部分(図15(a)の符号501e)と、波長変換部材501を囲んでいる薄形枠部材406の第2の面406bとを、被覆部材407で覆う(図17(c))。被覆部材407は、各発光装置15に個片化した後に、被覆部材402となる。複数の発光素子20の周囲に設けた複数の透光性部材30は、連続する1つの被覆部材407で覆われる。なお、図15(a)に示すように、波長変換部材501は、四隅部分501eを除いて透光性部材30で覆われている。よって、波長変換部材501は、透光性部材30で覆われていない四隅部分501eのみが、被覆部材407で覆われる(図15(c))。
隣接する発光素子20の中間を通る破線X5および破線X6に沿って、被覆部材407と、薄形枠部材406と、第2の支持部材62とをダイサー等で切断する。最後に、第2の支持部材62を除去(剥離)することにより、発光装置15を得る。なお、切断前に第2の支持部材62を除去し、その後に、被覆部材407と薄形枠部材406とを切断してもよい
本実施の形態は、発光装置に含まれる発光素子の電極の形状が、実施の形態1の発光素子20の電極251、252の形状と異なる。それ以外の発光装置の構成については、実施の形態1と同様である。
図19に示すように、発光素子207は、製造工程上の理由から、透光性基板27の隅部には半導体積層体28および反射膜29が形成されていないことがある。反射膜29が形成されていない透光性基板27の隅部は、被覆部材40で覆うのが望ましく、透光性基板27の隅部に向かう光を、透光性基板27と被覆部材40との界面で反射することにより、発光装置10の光取出し効率の向上に寄与し得る。
(発光素子20、207)
発光素子20、207としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、透光性基板27と、その上に形成された半導体積層体28とを含むことができる。
発光素子20、207の透光性基板27には、例えば、サファイア(Al2O3)、スピネル(MgA12O4)のような透光性の絶縁性材料や、半導体積層体28からの発光を透過する半導体材料(例えば、窒化物系半導体材料)を用いることができる。
半導体積層体28は、複数の半導体層を含む。半導体積層体28の一例としては、第1導電型半導体層(例えばn型半導体層)281、発光層(活性層)282および第2導電型半導体層(例えばp型半導体層)283の3つの半導体層を含むことができる(図3参照)。半導体層には、例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料(例えばInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)を用いることができる。
発光素子20、207の電極251、252、257、258としては、電気良導体を用いることができ、例えばCu等の金属が好適である。
透光性部材30は、透光性樹脂、ガラス等の透光性材料から形成することができる。透光性樹脂としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であるのが好ましい。透光性部材30は発光素子20の側面23と接触しているので、点灯時に発光素子20で発生する熱の影響を受けやすい。熱硬化性樹脂は、耐熱性に優れているので、透光性部材30に適している。なお、透光性部材30は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、透光性部材30に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は添加されないことが好ましい。しかし、望ましい特性を付与するために、透光性部材30に添加物を添加するのが好ましい場合もある。例えば、透光性部材30の屈折率を調整するため、または硬化前の透光性部材(液状樹脂材料300)の粘度を調整するために、各種フィラーを添加してもよい。
特に、図21(a)に示すように、平面視における透光性部材30の第1の面31の寸法(発光素子20の第1の面21の外形から、透光性部材30の第1の面31の外形までの距離)については、発光素子20の対角線上での寸法30Dと、発光素子20の側面23の中心から当該側面23と垂直な線上における寸法30Wとを比較すると、寸法30D<寸法30Wであるのが好ましい。その寸法条件を満たすために、透光性部材30の第1の面31の形状は、円形、楕円形または角丸の四角形にするのが好ましい。
一般的には、光学レンズによる集光しやすさと、発光装置10の小型化とを考慮して、寸法30Dと寸法30Wとの比率が、30D/30W=2/3〜1/2であるのが好ましい。
上述の通り、傾斜角度θ1は40°〜60°であるのが好ましいため、使用する発光素子20の厚さ20Tが決まれば、好ましい30Wの範囲も決定することができる。
被覆部材40、403は、透光性部材30および発光素子20に対する熱膨張率の関係が、所定の関係となるような材料から形成される。すなわち、被覆部材40、403は、被覆部材40、403と発光素子20との熱膨張率差ΔT40が、透光性部材30と発光素子20との熱膨張率差ΔT30よりも小さくなるように、材料が選択される。例えば、発光素子20が、サファイアの透光性基板27と、GaN系半導体から成る半導体積層体28とを含む場合、発光素子20の熱膨張率はおよそ5〜9×10−6/Kとなる。一方、透光性部材30を、シリコーン樹脂から形成した場合、透光性部材30の熱膨張率は、2〜3×10−5/Kとなる。よって、被覆部材40、403は、シリコーン樹脂よりも熱膨張率の小さい材料から形成することにより、ΔT40<ΔT30とすることができる。
波長変換部材50は、蛍光体と透光性材料とを含んでいる。透光性材料としては、透光性樹脂、ガラス等が使用できる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
波長変換部材50には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
なお、本明細書の開示内容は、以下の態様を含み得る。
(態様1)
第1の面と、前記第1の面と対向する第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の側面とを有し、前記第2の面と前記複数の側面のうち2つとが接する角部を複数有し、前記第2の面側に一対の電極を有する発光素子と、
複数の前記角部の1つ以上を露出させるよう、少なくとも1つの前記側面の一部と、当該少なくとも1つの側面と前記第2の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、
前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、
前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい、発光装置。
(態様2)
第1の面と、前記第1の面と対向する第2の面と、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の側面とを有し、前記第2の面と前記複数の側面のうち2つとが接する角部を複数有し、前記第2の面側に一対の電極を有する発光素子と、
複数の前記角部の1つ以上を露出させるよう、少なくとも1つの前記側面の一部と、当該少なくとも1つの側面と前記第2の面とが接する辺の一部とを覆う透光性部材と、
前記一対の電極を露出させるよう、前記発光素子の露出した前記角部と前記透光性部材の外面を覆う被覆部材と、を含み、
前記被覆部材の熱膨張率が、前記透光性部材の熱膨張率よりも低い、発光装置。
(態様3)
前記透光性部材の前記外面は、前記発光素子の前記第2の面側から前記第1の面側に向かって外向きに傾斜する、態様1又は2に記載の発光装置。
(態様4)
前記発光素子が、前記角部を4つ有する略直方体形状であり、
前記4つの角部のうち、対角に位置する2つが前記被覆部材によって覆われている態様1〜3のいずれかに記載の発光装置。
(態様5)
前記発光素子が、前記角部を4つ有する略直方体形状であり、
前記4つの角部のうちの隣接する2つの角部と、当該隣接する2つの角部の間の辺の一部とが前記被覆部材によって覆われている態様1〜3のいずれかに記載の発光装置。
(態様6)
前記4つの角部の全てが前記被覆部材によって覆われている態様4又は5に記載の発光装置。
(態様7)
前記発光素子は、透光性基板と半導体積層体とを含み、
前記透光性基板は、前記発光素子の前記第1の面側に配置され、前記半導体積層体は、前記第2の面側に配置されている態様1〜6のいずれかに記載の発光装置。
(態様8)
前記透光性部材は透光性樹脂からなり、前記被覆部材は光反射性樹脂からなることを特徴とする態様1〜7のいずれかに記載の発光装置。
(態様9)
前記透光性部材は、前記発光素子の前記第1の面と面一の第1の面を有し、
前記発光素子の前記第1の面と前記透光性部材の前記第1の面とが、波長変換部材に覆われている態様1〜8のいずれかに記載の発光装置。
(態様10)
前記発光素子の前記第1の面は、前記透光性部材に覆われている態様1〜9のいずれかに記載の発光装置。
(態様11)
波長変換部材を準備する工程と、
発光素子の第1の面が前記波長変換部材の第2の面と向かい合うように、前記波長変換部材の上に前記発光素子を配置する工程と、
前記発光素子の側面の一部を覆い、かつ前記発光素子の少なくとも1つの角部を露出させるように、透光性部材を形成する工程と、
前記透光性部材の外面、及び前記透光性部材から露出した前記発光素子の前記少なくとも1つの角部を覆うように、被覆部材を形成する工程と、を含む、発光装置の製造方法。
(態様12)
前記透光性部材を形成する工程は、
前記波長変換部材の上に液状樹脂材料を配置すること、
前記発光素子を前記液状樹脂材料の上に配置すること、及び
前記液状樹脂材料を硬化させて前記透光性部材にすることを含む、態様11に記載の製造方法。
(態様13)
前記波長変換部材を準備する工程は、
被覆材料層に貫通孔を設けること、及び
前記貫通孔中に蛍光体含有部材を形成することを含む、態様11又は12に記載の製造方法。
(態様14)
前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい、態様11〜13のいずれかに記載の製造方法。
11 発光装置の第1の面(上面)
12 発光装置の第2の面(下面)
20、207 発光素子
21 発光素子の第1の面(上面)
22 発光素子の第2の面(下面)
23 発光素子の側面
241、242、243、244 発光素子の角部
251、252 電極
30 透光性部材
33 透光性部材の外面
40 被覆部材
50 波長変換部材
500 波長変換シート
502 蛍光体含有部材
510 波長変換層
Claims (5)
- 波長変換部材を準備する工程と、
発光素子の第1の面と前記波長変換部材の第2の面とを向かい合わせ、前記発光素子の前記第1の面と前記波長変換部材の前記第2の面との間に接着剤を配置して、前記波長変換部材の上に前記発光素子を固定する工程と、
前記発光素子の側面の一部と、前記波長変換部材の前記第2の面のうち前記発光素子が固定された領域より外側の一部とを覆うように、透光性部材を形成する工程と、
前記透光性部材の外面を覆うように、被覆部材を形成する工程と、
を含み、
前記発光素子は、前記発光素子の隣接する2つの前記側面が接する第3の辺を有し、
前記透光性部材を形成する工程は、
前記透光性部材となる液状樹脂材料が、前記発光素子の第3の辺の一部を被覆し、かつ、前記第3の辺の端部となる前記発光素子の角部に達しないことを含み、
被覆部材を形成する工程は、
前記被覆部材が、前記液状樹脂材料が達していない前記発光素子の角部を覆うことを含む、発光装置の製造方法。 - 前記透光性部材を形成する工程は、
前記波長変換部材の上に液状樹脂材料を配置すること、及び、
前記液状樹脂材料を硬化させて前記透光性部材にすることを含む、請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 前記被覆部材と前記発光素子との熱膨張率差が、前記透光性部材と前記発光素子との熱膨張率差よりも小さい、請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子は、前記発光素子の前記第1の面を囲む第1の辺を有し、
前記透光性部材を形成する工程は、
前記透光性部材となる液状樹脂材料を前記発光素子の前記第1の辺と前記波長変換部材との境界に沿って配置することを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記発光素子は、前記発光素子の前記第1の面と対向する第2の面と、当該第2の面を囲む第2の辺とを有し、
前記透光性部材を形成する工程は、
前記透光性部材となる液状樹脂材料が前記発光素子の前記第2の辺の一部と接触することを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015076137 | 2015-04-02 | ||
JP2015076137 | 2015-04-02 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016242397A Division JP6278101B2 (ja) | 2015-04-02 | 2016-12-14 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018078333A JP2018078333A (ja) | 2018-05-17 |
JP2018078333A5 JP2018078333A5 (ja) | 2018-11-22 |
JP6724933B2 true JP6724933B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=57358595
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016048776A Active JP6065135B2 (ja) | 2015-04-02 | 2016-03-11 | 発光装置 |
JP2016242397A Active JP6278101B2 (ja) | 2015-04-02 | 2016-12-14 | 発光装置 |
JP2018004933A Active JP6724933B2 (ja) | 2015-04-02 | 2018-01-16 | 発光装置の製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016048776A Active JP6065135B2 (ja) | 2015-04-02 | 2016-03-11 | 発光装置 |
JP2016242397A Active JP6278101B2 (ja) | 2015-04-02 | 2016-12-14 | 発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6065135B2 (ja) |
CN (1) | CN106058006B (ja) |
TW (2) | TWI727512B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6575828B2 (ja) | 2015-07-22 | 2019-09-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
JP6974324B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2021-12-01 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップled |
JP7011143B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6776855B2 (ja) * | 2016-12-06 | 2020-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10522728B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-12-31 | Maven Optronics Co., Ltd. | Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same |
KR20180090006A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 유닛 |
DE102017107234A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
DE102017107226A1 (de) | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
JP6729525B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6806023B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6806042B2 (ja) | 2017-11-28 | 2021-01-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE102017128717B4 (de) * | 2017-12-04 | 2023-03-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
US10461231B2 (en) | 2018-02-27 | 2019-10-29 | Lumens Co., Ltd. | Method for fabricating LED package |
KR102527384B1 (ko) | 2018-03-09 | 2023-04-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
JP6760321B2 (ja) | 2018-03-20 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP7037052B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2019201089A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法 |
CN110794614B (zh) * | 2018-08-03 | 2022-10-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光模块 |
JP7174231B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP7208478B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7299492B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2023-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光モジュール |
JP7007598B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール及び発光装置の製造方法 |
US11594662B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3303162B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2002-07-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001144423A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付きワークの実装方法および実装構造 |
JP4180537B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2008-11-12 | シャープ株式会社 | 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法 |
JP2005311321A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法、並びに、該半導体装置を備えた液晶モジュールおよび半導体モジュール |
US8029152B2 (en) * | 2005-03-24 | 2011-10-04 | Kyocera Corporation | Package for light-emitting device, light-emitting apparatus, and illuminating apparatus |
JP2008186946A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP4957394B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2012-06-20 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP5294579B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-09-18 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミックセンサ |
US20110024890A1 (en) * | 2007-06-29 | 2011-02-03 | Stats Chippac, Ltd. | Stackable Package By Using Internal Stacking Modules |
JP2010114141A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sharp Corp | 受光・発光一体型光半導体装置および電子機器 |
JP5521325B2 (ja) * | 2008-12-27 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5326705B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5572013B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-08-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5680472B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP5777952B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-09-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP5843859B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2016-01-13 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
KR20130081515A (ko) * | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지용 기판 및 led 패키지 제조방법 |
JP6149487B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP6476567B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2014207349A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
-
2016
- 2016-03-11 JP JP2016048776A patent/JP6065135B2/ja active Active
- 2016-04-01 CN CN201610202510.6A patent/CN106058006B/zh active Active
- 2016-04-01 TW TW108142587A patent/TWI727512B/zh active
- 2016-04-01 TW TW105110633A patent/TWI681569B/zh active
- 2016-12-14 JP JP2016242397A patent/JP6278101B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-16 JP JP2018004933A patent/JP6724933B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI681569B (zh) | 2020-01-01 |
JP6065135B2 (ja) | 2017-01-25 |
JP2017092483A (ja) | 2017-05-25 |
JP2016197715A (ja) | 2016-11-24 |
TW201709551A (zh) | 2017-03-01 |
JP2018078333A (ja) | 2018-05-17 |
TWI727512B (zh) | 2021-05-11 |
CN106058006B (zh) | 2020-04-24 |
CN106058006A (zh) | 2016-10-26 |
TW202025508A (zh) | 2020-07-01 |
JP6278101B2 (ja) | 2018-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6724933B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US11482648B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP6179555B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6424738B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP6554914B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP2016219743A5 (ja) | ||
US20170092825A1 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP6493053B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2019176081A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6623577B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6627316B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2019208038A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP6696550B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6669292B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7299492B2 (ja) | 発光装置および発光モジュール | |
JP6809203B2 (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6724933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |