DE102017128717B4 - Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils Download PDF

Info

Publication number
DE102017128717B4
DE102017128717B4 DE102017128717.5A DE102017128717A DE102017128717B4 DE 102017128717 B4 DE102017128717 B4 DE 102017128717B4 DE 102017128717 A DE102017128717 A DE 102017128717A DE 102017128717 B4 DE102017128717 B4 DE 102017128717B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
encapsulating
underside
semiconductor
optoelectronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102017128717.5A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102017128717A1 (de
Inventor
Markus Richter
Christian Gatzhammer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102017128717.5A priority Critical patent/DE102017128717B4/de
Priority to US16/205,412 priority patent/US10825961B2/en
Priority to CN201811465210.2A priority patent/CN110021697B/zh
Publication of DE102017128717A1 publication Critical patent/DE102017128717A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102017128717B4 publication Critical patent/DE102017128717B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41791—Source or drain electrodes for field effect devices for transistors with a horizontal current flow in a vertical sidewall, e.g. FinFET, MuGFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66787—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel
    • H01L29/66795—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (15) mit den Schritten- Bereitstellen eines Trägers (1),- Erzeugen einer Vielzahl von Aussparungen (5) im Träger (1),- Aufbringen einer Vielzahl von Tropfen eines Umhüllungsmaterials (7) auf den Träger (1),- Einbringen eines optoelektronischen Halbleiterchips (8), umfassend einen Halbleiterkörper (9) und Kontaktelemente (10) an einer Unterseite des Halbleiterkörpers (9a), in zumindest manche der Tropfen,- Aushärten der Tropfen des Umhüllungsmaterials (7) zu Umhüllungskörpern (13), wobei- zumindest manche der Tropfen vollständig von Aussparungen (5) im Träger (1) umgeben sind,- die Aussparungen (5) im Träger (1) beim Einbringen des optoelektronischen Halbleiterchips (15) als Stoppkante (11) für das Umhüllungsmaterial (7) wirken,- das optoelektronische Bauteil (15) keinen Abdeckkörper aufweist, und ein Verlauf einer Außenfläche des Umhüllungskörpers (13c) durch die Veränderung eines Materials und einer Oberflächenbeschaffenheit des Trägers (1) einstellbar ist, und- der Träger (1) eine raue Oberfläche aufweist.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben.
  • Die Druckschrift US 2017 / 0 062 671 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung, die Druckschrift US 2015 / 0 070 909 A1 beschreibt ein Gehäuse einer lichtemittierenden Vorrichtung und ein Beleuchtungsgerät mit diesem Gehäuse, die Druckschrift DE 10 2010 031 945 A1 beschreibt ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, und die Druckschrift DE 10 2016 105 868 A1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und ein optoelektronisches Bauelement.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem ein optoelektronisches Bauteil besonders kostengünstig herstellbar ist.
  • Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben. Bei dem optoelektronischen Bauteil handelt es sich zum Beispiel um ein strahlungsemittierendes Bauteil das im Betrieb elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht emittiert. Zum Beispiel handelt es sich bei dem Bauteil um eine Leuchtdiode.
  • Ein Träger wird bereitgestellt. Der Träger kann zum Beispiel einen temporären Träger und eine Folie umfassen oder aus einem dieser Elemente bestehen.
  • Umfasst der Träger einen temporären Träger und eine Folie, so ist die Folie beispielsweise an einer Unterseite des temporären Trägers angeordnet. Der temporäre Träger ist dann beispielsweise die mechanisch stabilisierende und tragende Komponente des Trägers. Beispielsweise basiert der temporäre Träger auf Si, SiC, Ge, Saphir, GaN, GaAs, einem Kunststoff, einem Halbleitermaterial oder einem Metall.
  • Die Folie weist zum Beispiel eines oder mehrere der folgenden Materialen auf oder besteht aus einem dieser Materialien: Silikon, Kunststoff, Konvertermaterial.
  • Bei dem Konvertermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Lumineszenz-Konversionsmaterial, das zur Konversion von höherenergetischer elektromagnetischer Strahlung in niederenergetischere elektromagnetische Strahlung vorgesehen ist. Zum Beispiel ist das Konversionsmaterial in Partikelform in ein Matrixmaterial eingebracht, bei dem es sich um Silikon oder Kunststoff handeln kann.
  • Weiter ist es möglich, dass die Folie aus zwei Komponenten gebildet ist. Die Folie umfasst beispielsweise zwei Folien, die jeweils mit unterschiedlichen Konvertermaterialien gebildet sind.
  • Die Folie kann beispielsweise dazu eingerichtet sein, mindestens einen Teil der in dem optoelektronischen Bauteil erzeugten Strahlung zu absorbieren und in Strahlung, insbesondere sichtbares Licht, einer größeren Wellenlänge umzuwandeln. Die Folie, die eine Konversionsfolie ist, ist zum Beispiel zur teilweisen Absorption und Umwandlung von blauem Licht in grünes, gelbes und/oder rotes Licht eingerichtet, sodass insgesamt weißes Licht von dem fertigen optoelektronischen Bauteil abgestrahlt wird.
  • Eine Vielzahl von Aussparungen werden im Träger erzeugt. Die Aussparungen sind dabei auf einer Unterseite des Trägers erzeugt. Die Aussparungen können beispielsweise durch Materialabtrag des Trägers erzeugt sein. Der Materialabtrag kann zum Beispiel durch eine Säge oder einen Laser erzeugt sein. Alternativ ist es möglich, die Aussparungen durch Stanzen oder Prägen zu erzeugen.
  • Eine Vielzahl von Tropfen eines Umhüllungsmaterials werden auf den Träger aufgebracht. Die Tropfen werden auf der Unterseite des Trägers, an der auch die Aussparungen eingebracht sind, aufgebracht. Beim Aufbringen ist das Umhüllungsmaterial bevorzugt im flüssigen Zustand. Beispielsweise liegt beim Aufbringen eine Viskosität des Umhüllungsmaterials bei mindestens 0,1 Pa·s oder bei mindestens 1 Pa·s und/oder bei höchstens 10 Pa·s oder höchstens 3 Pa·s. Das Umhüllungsmaterial ist bevorzugt ein Silikon, insbesondere ein Klarsilikon. Das Umhüllungsmaterial kann insbesondere mit dem gleichen Material wie der Träger, zum Beispiel die Folie gebildet sein. Das heißt, Träger und Umhüllungsmaterial können aus dem gleichen Matrixmaterial gebildet sein, in das jeweils unterschiedliche Partikel eingebracht sein können.
  • Ein optoelektronischer Halbleiterchip, umfassend einen Halbleiterkörper und Kontaktelemente an einer Unterseite des Halbleiterkörpers, wird in zumindest manche, insbesondere in alle, der Tropfen eingebracht. Der optoelektronische Halbleiterchip wird beim Einbringen zum Beispiel mit einer der Unterseite abgewandten Oberseite voran zentral in das Umhüllungsmaterial getaucht und mit zum Beispiel konstantem Druck gegen die Unterseite des Trägers gepresst. Das Umhüllungsmaterial wird dabei von der Trägerunterseite teilweise verdrängt. Mit anderen Worten wird so viel Umhüllungsmaterial aufgebracht, dass beim Aufdrücken des optoelektronischen Halbleiterchips auf den Träger das Umhüllungsmaterial vom Volumen des Halbleiterkörpers zu den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seiten geschoben wird. Dieses Verdrängen des Umhüllungsmittels erfolgt bevorzugt erst durch das Anbringen und/oder Aufpressen des optoelektronischen Halbleiterchips. Ein genaues Platzieren der optoelektronischen Halbleiterchips auf die Tropfen ist zum Beispiel durch ein Platzierungsverfahren (zum Beispiel sogenannten „Pick-and-Place“-Prozess) ermöglicht.
  • Der Halbleiterkörper weist eine Halbleiterschichtenfolge basierend zum Beispiel auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial auf. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamAs oder wie AlnGamIn1-n-mAskP1-k, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 sowie 0 ≤ k < 1 ist. Bevorzugt gilt dabei für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der Halbleiterschichtenfolge 0 < n ≤ 0,8, 0,4 ≤ m < 1 und n + m ≤ 0,95 sowie 0 < k ≤ 0,5. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip ist zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip, kurz LED-Chip oder um einen Laserdiodenchip. Der optoelektronische Halbleiterchip kann im Betrieb zum Beispiel farbiges Licht emittieren.
  • Die Tropfen des Umhüllungsmaterials werden zu Umhüllungskörpern ausgehärtet. Im Aushärteprozess kann zum Beispiel die Form einer Außenfläche des Umhüllungsmaterials an einer der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seite aufgrund von Oberflächenspannungen verändert werden. Die Formveränderung ist dabei dergestalt, dass sich beispielsweise eine aufweitende Form des Umhüllungskörpers hin zur Oberseite des Halbleiterkörpers selbstständig ausbildet. In diesem Fall muss also die sich verbreiternde Form des Umhüllungskörpers nicht über einen zusätzlichen Verfahrensschritt, wie ein Abtrage- oder Strukturierungsprozess ausgebildet werden, vielmehr bildet sich die Form des Umhüllungskörpers aufgrund der Materialeigenschaft des Umhüllungsmaterials automatisch.
  • Als Material für das Umhüllungsmaterial kommt beispielsweise ein UV-härtendes Material zur Verwendung. Der Vorteil der Verwendung von UV-härtendem Material gegenüber einem thermisch härtenden Material besteht darin, dass es zu keiner Verringerung der Viskosität des Materials des Umhüllungsmaterials aufgrund von Temperatureinwirkung beim Aushärten des Materials kommt. UV-härtende Materialien polymerisieren bei Raumtemperatur oder geringfügig erhöhten Temperaturen ganz oder teilweise. Die Gefahr, dass Material des Umhüllungskörpers in die Aussparung tritt und dadurch die Form des Umhüllungskörpers negativ beeinflussen, ist somit verringert.
  • Alternativ ist es möglich für das Umhüllungsmaterial beispielsweise ein thermisch härtendes Material zu verwenden.
  • Zumindest manche, insbesondere alle, der Tropfen sind vollständig von Aussparungen im Träger umgeben. Die Aussparungen umgeben die Tropfen zum Beispiel in lateralen Richtungen, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers verlaufen. Die Aussparungen sind dabei derart ausgebildet, dass sie einen Montagebereich auf dem Träger rahmenartig umschließen. Der Begriff rahmenartig ist dabei hinsichtlich der Form und des Verlaufes der Aussparung nicht als einschränkend zu verstehen. Die Aussparungen können zum Beispiel eine rechteckige, eine vieleckige, eine runde oder eine ovale Form aufweisen. Das Umhüllungsmaterial, in Form von Tropfen, wird zum Beispiel auf zumindest manche der Montagebereiche aufgebracht. Die Tropfen werden dabei möglichst zentral auf die Montagebereiche aufgebracht. Das heißt, die Tropfen des aufgebrachten Umhüllungsmaterials werden von den Aussparungen vollständig umgeben.
  • Die Aussparungen wirken im Träger beim Einbringen des optoelektronischen Halbleiterchips als Stoppkante für das Umhüllungsmaterial. Bevorzugt wirkt eine Außenkante der Aussparung als Stoppkante für das Umhüllungsmaterial. Die Außenkante der Aussparung ist die Kante die durch die Unterseite des Trägers und eine Seitenfläche der Aussparung gebildet ist. Damit die Außenkante der Aussparung die Funktion als Stoppkante erfüllt, ist die Außenkante vorzugsweise nicht abgerundet, sondern weist eine Ecke auf, die beispielsweise in einem 90°-Winkel oder einen Winkel kleiner 90° verläuft. Das heißt, die Außenkante ist scharf definiert, weist keine Rundung, keine Scharten oder Kerben auf. Vorteilhafterweise kann auf diese Weise eine hohe Positionsgenauigkeit des Umhüllungsmaterials erreicht werden, da sich dieser selbstständig an der Außenkante der Aussparung positioniert. Da sich das Umhüllungsmaterial mittels der Aussparung selbst positioniert, ist eine besonders effiziente und reproduzierbare Herstellung des optoelektronischen Bauteils möglich.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils das Bereitstellen eines Trägers in dem eine Vielzahl von Aussparungen erzeugt wird. Auf dem Träger werden eine Vielzahl von Tropfen eines Umhüllungsmaterials aufgebracht, worin optoelektronische Halbleiterchips eingebracht werden, die einen Halbleiterkörper und Kontaktelemente an einer Unterseite des Halbleiterkörpers umfassen. Die Tropfen des Umhüllungsmaterials werden zu Umhüllungskörpern ausgehärtet. Zumindest manche der Tropfen sind vollständig von Aussparungen im Träger umgeben. Die Aussparungen im Träger wirken hierbei beim Einbringen des optoelektronischen Halbleiterchips als Stoppkante für das Umhüllungsmaterial.
  • Das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils macht nun unter anderem von der Idee Gebrauch, dass der Träger des optoelektronischen Bauteils mit einer Vielzahl von Aussparungen versehen ist. Die Aussparungen wirken hierbei als Stoppkanten für das verdrängte Umhüllungsmaterial. Durch die Stoppkanten ist es möglich die Außenflächen des Umhüllungsmaterials auf den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seiten von einer konkaven bis zu einer konvexen Form inklusive aller Zwischenstufen herzustellen. Ohne diese Stoppkanten wäre lediglich die Ausbildung der konkaven Form möglich. Der Träger, der mit Aussparungen versehen ist, erleichtert die Ausbildung der gewünschten Form der Außenflächen des Umhüllungsmaterials und erhöht die Reproduzierbarkeit der Form. Zudem erlauben die Aussparungen im Träger eine homogene Ausbildung der gewünschten Form der Außenflächen des Umhüllungsmaterials, auch bei Verwendung von beispielsweise rechteckigen optoelektronischen Halbleiterchips, ohne weitere Maßnahmen. Das hier beschriebene Verfahren erlaubt daher unter anderem eine besonders kostengünstige Herstellung von optoelektronischen Bauteilen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wirkt eine Kante an der Unterseite des Halbleiterkörpers als weitere Stoppkante für das Umhüllungsmaterial. Das heißt, die Kante an der Unterseite des Halbleiterkörpers dient als Stoppkante bei der Benetzung mit dem Umhüllungsmaterial. Damit die Kante an der Unterseite des Halbleiterkörpers die Funktion als Stoppkante erfüllt, ist die Kante vorzugsweise nicht abgerundet, sondern weist eine Ecke auf, die beispielsweise in einem 90°-Winkel oder einem Winkel < 90° verläuft. Das heißt, die Kante ist scharf definiert, weist keine Rundungen, keine Scharten oder Kerben auf. Vorteilhafterweise kann auf diese Weise eine hohe Positionsgenauigkeit des Umhüllungsmaterials erreicht werden, da sich dieses selbstständig an der Kante an der Unterseite des Halbleiterkörpers positioniert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Verlauf einer Außenfläche des Umhüllungskörpers durch die Veränderung zumindest einer der folgenden Werte einstellbar: Relation des Volumens des Umhüllungsmaterials zum Volumen des Halbleiterkörpers, Abstand einer Seitenfläche des Halbleiterkörpers zur nächstliegenden Aussparung, Material und Oberflächenbeschaffenheit des Trägers, Viskosität des Umhüllungsmaterials. Die Außenfläche des Umhüllungsmaterials an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seiten kann zum Beispiel durch die Relation des Volumens des Umhüllungsmaterials zum Volumen des Halbleiterkörpers hergestellt werden. Wird zum Beispiel bei gleichbleibendem Volumen des Halbleiterkörpers das Volumen des Umhüllungsmaterials verringert, kann von einer konvexen Form der Außenfläche des Umhüllungsmaterials zu einer konkaven Form übergegangen werden. Durch die Wahl des Volumens des Umhüllungsmaterials können zum Beispiel alle Zwischenstufen von konkaven bis hin zu konvexen Formen hergestellt werden.
  • Zudem ist beispielsweise der Abstand der Seitenfläche des Halbleiterkörpers zur nächstliegenden Aussparung veränderbar. Wird zum Beispiel eine gleichbleibende Form der Außenfläche des Umhüllungskörpers angestrebt, so kann zum Beispiel bei einem vergrößerten Abstand der Seitenfläche des Halbleiterkörpers zur nächstliegenden Aussparung mehr Umhüllungsmaterial aufgebracht werden. Eine andere Möglichkeit ist beispielsweise, bei gleichbleibender Relation des Volumens des Umhüllungsmaterials zum Volumen des Halbleiterkörpers, den Abstand der Seitenfläche des Halbleiterkörpers zur nächstliegenden Aussparung zu vergrößern. Der beispielsweise konvexe Verlauf der Außenfläche des Umhüllungskörpers wird beispielsweise durch die Abstandsvergrößerung bei gleichbleibender Menge an Umhüllungsmaterial konkav.
  • Eine weitere Möglichkeit den Verlauf der Außenfläche des Umhüllungskörpers einzustellen, ist die Viskosität des Umhüllungsmaterials zu verändern. Für beispielsweise konvex geformte Außenflächen des Umhüllungskörpers wird zum Beispiel besonders viskoses Umhüllungsmaterial aufgebracht. Für beispielsweise konkav geformte Außenflächen des Umhüllungskörpers wird zum Beispiel besonders fluides Umhüllungsmaterial aufgebracht.
  • Ferner kann über die Viskosität des Umhüllungskörpers die Positionsgenauigkeit des optoelektronischen Halbleiterchips eingestellt werden. Eine Erhöhung der Viskosität kann zum Beispiel einem Auseinanderfließen des Umhüllungsmaterials vor dem Aushärten entgegenwirken, sodass der eingebrachte optoelektronische Halbleiterchip auf der eingebrachten Position verbleibt und nicht durch das auseinanderfließende Umhüllungsmaterial von der eingebrachten Position weggeschwemmt wird.
  • Der Verlauf der Außenfläche des Umhüllungsmaterials ist durch die Wahl des Materials des Trägers und dessen Oberflächenbeschaffenheit einstellbar. Der Träger weist eine raue Oberfläche auf, sodass das verdrängte Umhüllungsmaterial den Träger bis zu der Stoppkante der Aussparung weniger gut benetzt, im Vergleich zu einer glatten Oberfläche des Trägers. Das heißt, die raue Oberfläche ist beispielsweise besser geeignet um den konvexen Verlauf der Außenfläche des Umhüllungsmaterials einzustellen. Der konkave Verlauf der Außenfläche des Umhüllungsmaterials ist beispielsweise durch die glatte Oberfläche des Trägers einstellbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringen die Aussparungen den Träger teilweise. Das heißt, im Bereich der Aussparungen ist der Träger lediglich bis zu einer bestimmten Tiefe entfernt. Die Bodenfläche der Aussparung ist dann durch nicht entfernte Bereiche des Trägers gebildet. Dabei ist es insbesondere möglich, dass die Aussparungen den Träger an keiner Stelle durchdringen. Der Träger ist dann nur teilweise abgetragen, und durch die Aussparung nicht durchbrochen. Zum Beispiel kann lediglich eine Folie des Trägers vollständig durchdrungen sein und der Hilfsträger ist frei von Aussparungen. Ferner ist es möglich, dass im Bereich der Aussparungen Material der Folie lediglich bis zu einer bestimmten Tiefe entfernt wird.
  • Ferner ist die Aussparung zumindest stellenweise frei vom Umhüllungsmaterial. Das heißt, das Umhüllungsmaterial tritt, durch die Stoppkante, die durch die Aussparung gebildet ist, nicht an zumindest manchen Stellen der Aussparungen ein. Vorzugsweise ist die Aussparung frei oder im Wesentlichen frei vom Umhüllungsmaterial. Im Wesentlichen frei heißt dabei, dass herstellungsbedingt kleine Mengen von Material des Umhüllungsmaterials in die Aussparung treten können. Insbesondere ist eine Bodenfläche der Aussparung vorzugsweise frei vom Umhüllungsmaterial. Das heißt, Umhüllungsmaterial kann unter Umständen an den die Aussparung begrenzenden Seitenflächen der Aussparung vorhanden sein, die Aussparung ist jedoch nicht mit dem Umhüllungsmaterial gefüllt und damit zumindest stellenweise, vorzugsweise vollständig frei vom Umhüllungsmaterial.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringen die Aussparungen den Träger vollständig. Das heißt, der Träger ist dann komplett abgetragen und ist durch die Aussparung durchbrochen. Ferner sind die Seitenflächen der Aussparungen, die den Träger vollständig durchdringen zumindest stellenweise frei vom Umhüllungsmaterial. Das heißt, das Umhüllungsmaterial tritt, durch die Stoppkante, die durch die Aussparung gebildet ist, nicht an zumindest manchen Stellen der Aussparungen ein. Vorzugsweise sind die Seitenflächen der Aussparung frei oder im Wesentlichen frei vom Umhüllungsmaterial. Im Wesentlichen frei heißt dabei, dass herstellungsbedingt kleine Mengen von Material des Umhüllungsmaterials in die Aussparung und damit an die Seitenflächen der Aussparung treten können, im Wesentlichen aber frei von diesem ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an den Außenflächen des Umhüllungskörpers, an der Unterseite des Halbleiterkörpers und an einer Unterseite des Trägers ein weiterer Umhüllungskörper angeordnet. Der weitere Umhüllungskörper steht in unmittelbar direktem und ganzflächigem Kontakt zu den Außenseiten des Umhüllungskörpers an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seiten. Zudem ist der weitere Umhüllungskörper an der Unterseite des Halbleiterkörpers angeordnet. Hierbei bedeckt der weitere Umhüllungskörper eine Seitenfläche der Kontaktelemente an der Unterseite des Halbleiterkörpers bevorzugt in unmittelbar direktem und ganzflächigem Kontakt zu den Seitenflächen der Kontaktelemente. Der weitere Umhüllungskörper ist beispielsweise so angeordnet, dass eine Unterseite der Kontaktelemente, die dem Halbleiterkörper abgewandt ist, frei von dem weiteren Umhüllungskörper ist. Ferner können die Kontaktelemente freigelegt werden, in dem der weitere Umhüllungskörper soweit zurückgeschliffen wird, dass die Unterseite der Kontaktelemente freigelegt ist. Überragt der Träger den Halbleiterchip und den Umhüllungskörper seitlich, so ist der weitere Umhüllungskörper auch an einer Deckfläche der Unterseite des Trägers angebracht, die nicht von einer Deckfläche an der Oberseite des Halbleiterkörpers und einer Deckflächen an der Oberseite des Umhüllungskörpers bedeckt ist. Der weitere Umhüllungskörper steht dabei bevorzugt in unmittelbar direktem und ganzflächigem Kontakt zu der Unterseite des Trägers. Weist der Träger etwaige Aussparungen auf, sind die Seitenflächen und Bodenflächen der Aussparungen ebenfalls durch den weiteren Umhüllungskörper bedeckt. Durchdringen die Aussparungen beispielsweise den Träger vollständig, so schließt der weitere Umhüllungskörper bündig mit der Oberseite des Trägers ab und bedeckt die Seitenflächen des Trägers vollständig und steht dabei bevorzugt in unmittelbar direktem und ganzflächigem Kontakt zu diesen.
  • Der weitere Umhüllungskörper ist zum Beispiel für die vom Halbleiterchip emittierte Strahlung reflektierend ausgebildet. Der weitere Umhüllungskörper kann beispielsweise durch ein mit strahlungsstreuenden und/oder strahlungsreflektierenden Partikeln gefüllten Kunststoff oder Silikon gebildet sein. Das Material des weiteren Umhüllungskörpers ist beispielsweise ein Silikon, das mit Titanoxidpartikeln gefüllt ist. Zudem kann der Träger, der beispielsweise die Folie umfasst, der Umhüllungskörper und der weitere Umhüllungskörper mit dem gleichen Material gebildet sein. Dadurch können die verschiedenen Komponenten besonders gut aneinander haften.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Träger vom optoelektronischen Halbleiterchip abgelöst. Der Ablöseprozess kann zum Beispiel mehrere Zwischenschritte beinhalten. Beispielsweise kann ein temporärer Hilfsträger auf der Unterseite des Halbleiterchips, beispielsweise an der Unterseite der Kontaktelemente, angebracht werden und der Träger, der Aussparungen aufweist, entfernt werden. Das heißt, die Oberseite der Halbleiterchips und die Oberseite der Umhüllungskörper sind frei von dem Träger. Der temporäre Hilfsträger ist beispielsweise die mechanisch stabilisierende und tragende Komponente der optoelektronischen Bauteile beim Ablöseprozess des Trägers von den optoelektronischen Halbleiterchips.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein weiterer Träger an einer der Unterseite abgewandten Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht. Der weitere Träger wird beispielsweise vor dem Aufbringen des zweiten Umhüllungskörpers an die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht. Der Träger weist dabei keine Aussparungen auf und bedeckt die Oberseite der Halbleiterchips vollständig. Das heißt, der beispielsweise nach diesem Schritt aufgebrachte weitere Umhüllungskörper schließt bündig mit der Oberseite des Umhüllungskörpers ab. Der weitere Träger umfasst beispielsweise einen weiteren temporären Träger und eine weitere Folie. Die weitere Folie ist beispielsweise an einer Unterseite des temporären Trägers angeordnet.
  • Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Das optoelektronische Bauteil ist zum Beispiel mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Sämtliche Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das optoelektronische Bauteil offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip umfassend einen Halbleiterkörper und Kontaktelemente an einer Unterseite des Halbleiterkörpers. Der optoelektronische Halbleiterchip ist zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip, kurz LED-Chip oder um einen Laserdiodenchip oder um einen Fotodiodenchip. Die Kontaktelemente weisen zum Beispiel ein Metall auf oder bestehen daraus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen Umhüllungskörper, der mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet ist. Das strahlungsdurchlässige Material ist hier zum Beispiel transparent für die vom optoelektronischen Halbleiterchip erzeugte Strahlung ausgebildet. Beispielsweise ist das strahlungsdurchlässige Material aus einem Silikon, insbesondere einem Klarsilikon, gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Umhüllungskörper Seitenflächen des Halbleiterkörpers. Der Umhüllungskörper ist mit dem Halbleiterkörper dabei in direktem Kontakt und umformt den Halbleiterkörper an seinen Seitenflächen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt der Umhüllungskörper bündig mit der Unterseite des Halbleiterkörpers ab. Das heißt, der Umhüllungskörper überragt die Unterseite des Halbleiterkörpers nicht. Der Umhüllungskörper bzw. das Umhüllungsmaterial tritt beispielsweise durch die Stoppkante an der Unterseite des Halbleiterkörpers nicht an zumindest manchen Stellen auf die Unterseite des Halbleiterkörpers. Vorzugsweise ist die Unterseite des Halbleiterkörpers frei oder im Wesentlichen frei vom Umhüllungsmaterial. Im Wesentlichen frei heißt dabei, dass herstellungsbedingt kleine Mengen von Material des Umhüllungsmaterials an die Unterseite des Halbleiterkörpers treten können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform benetzt der Umhüllungskörper den Halbleiterkörper an einer der Unterseite abgewandten Oberseite zumindest stellenweise. Die Oberseite des Halbleiterkörpers weist dabei Reste vom Umhüllungskörper bzw. Umhüllungsmaterial auf. Eine Deckfläche an der Oberseite des Halbleiterkörpers weist herstellungsbedingte Erhöhungen und Vertiefungen auf der Mikro- und Nanometerskala auf. Beispielsweise sind Reste vom Umhüllungskörper bzw. vom Umhüllungsmaterial in diesen herstellungsbedingten Gräben stellenweise vorhanden. Die herstellungsbedingten Gräben, die mit Resten vom Umhüllungskörper bzw. vom Umhüllungsmaterial gefüllt sind, sind beispielsweise durchgängig miteinander verbunden. Das heißt, das nicht vom Halbleiterkörper verdrängte Umhüllungsmaterial an der Deckfläche an der Oberseite des Halbleiterkörpers benetzt die Deckfläche des Halbleiterkörpers zumindest stellenweise.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform verläuft eine Außenfläche des Umhüllungskörpers an einer der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seite gekrümmt. Die Form des Umhüllungskörpers weitet sich dabei durch die gekrümmte Form zur Oberseite des Halbleiterkörpers hin auf. Hierbei ist der Umhüllungskörper an der den Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seite zum Beispiel konvex oder konkav geformt. Alternativ kann der Umhüllungskörper im Querschnitt beispielsweise dreieckig geformt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt eine Dicke des Umhüllungskörpers an der Oberseite des Halbleiterkörpers höchstens 3 µm. Die geringe Dicke des Umhüllungskörpers stellt beispielsweise eine gute thermische Anbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und, falls vorhanden, dem Abdeckkörper her. Zudem schützt der Umhüllungskörper an der Oberseite des Halbleiterkörpers den Halbleiterkörper, beispielsweise vor chemischer Beschädigung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdeckt ein Abdeckkörper den Halbleiterkörper und den Umhüllungskörper. Der Abdeckkörper kann zum Beispiel eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen und/oder daraus bestehen: Glas, Silikon, insbesondere Klarsilikon, Kunststoff, Konvertermaterial. Alternativ oder zusätzlich kann der Abdeckkörper die Strahlung des Halbleiterchips teilweise oder vollständig absorbieren und in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertieren. Die aus dem Abdeckkörper austretende, zumindest teilweise konvertierte Strahlung kann dann zum Beispiel Licht im sichtbaren Bereich, insbesondere weißes Licht, sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform vermittelt der Umhüllungskörper eine Haftung von Halbleiterkörper und Abdeckkörper. Der Umhüllungskörper haftet hierbei an den seitlichen Flächen des Halbleiterkörpers und einer Unterseite des Abdeckkörpers. Zudem ist zwischen der Oberseite des Halbleiterkörpers und der Unterseite des Abdeckkörpers nicht verdrängtes Umhüllungsmaterial vorhanden, das ebenfalls die Haftung von Halbleiterkörper und Abdeckkörper vermittelt. Der Verbund von Halbleiterkörper und Abdeckkörper ist damit besonders fest.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt ein weiterer Umhüllungskörper, der für elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet ist, den Umhüllungskörper, den Halbleiterchip und/oder den Abdeckkörper zumindest teilweise. Der weitere Umhüllungskörper ist zum Beispiel für die vom Halbleiterchip emittierte Strahlung reflektierend ausgebildet. Der weitere Umhüllungskörper kann beispielsweise durch ein mit strahlungsstreuenden und/oder strahlungsreflektierenden Partikeln gefüllten Kunststoff gebildet sein. Das Material des weiteren Umhüllungskörpers ist beispielsweise ein Silikon, das mit Titanoxidpartikeln gefüllt ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt der weitere Umhüllungskörper bündig mit den Kontaktelementen an der dem Halbleiterkörper abgewandten Seite ab. Der weitere Umhüllungskörper steht somit in unmittelbar direktem Kontakt zu der Unterseite des Halbleiterkörpers, die nicht von den Kontaktelementen überdeckt ist. Das heißt, eine in Richtung der Kontakte von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung kann dann über den weiteren Umhüllungskörper Richtung Oberseite des Abdeckkörpers reflektiert werden. Vorteilhafterweise erhöht dies die Lichtauskopplung des optoelektronischen Bauteils.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Abdeckkörper eine Deckfläche des Halbleiterkörpers und eine Deckfläche des Umhüllungskörpers seitlich oder schließt mit der Deckfläche des Umhüllungskörper seitlich bündig ab. Die Deckflächen des Halbleiterkörpers und des Umhüllungskörpers sind an deren Oberseiten angeordnet. Schließt der Abdeckkörper seitlich bündig mit der Deckfläche des Umhüllungskörpers ab, umhüllt der weitere Umhüllungskörper den Abdeckkörper seitlich und schließt bündig mit einer Oberseite des Abdeckkörpers ab. Eine in Richtung Abdeckkörperseite von dem Halbleiterchip emittierte oder gestreute Strahlung kann dann über den weiteren Umhüllungskörper wieder in Richtung Oberseite des Abdeckkörpers reflektiert werden. Vorteilhafterweise ist damit eine hohe Strahldichte erzeugt.
  • Überragt der Abdeckkörper die Deckfläche des Halbleiterkörpers und die Deckfläche des Umhüllungskörpers, schließt der weitere Umhüllungskörper beispielsweise seitlich bündig mit dem Abdeckkörper ab. Somit tritt die im Halbleiterkörper erzeugte und emittierte Strahlung auch an den Seitenflächen des Abdeckkörpers aus dem optoelektronischen Bauteil aus. Vorteilhafterweise ist damit eine hohe Lichtauskopplung erzeugt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Abdeckkörper, der nicht von der Deckfläche des Halbleiterkörpers und des Umhüllungskörper überdeckt ist, an einer dem Umhüllungskörper zugewandten Seite Aussparungen auf. Die Aussparung an der Unterseite des Abdeckkörpers durchdringt den Abdeckkörper beispielsweise nur teilweise. Die Aussparung ist dabei beispielsweise vollständig mit dem weiteren Umhüllungsmaterial gefüllt. Eine Bodenfläche an der Unterseite und eine Seitenfläche der Aussparung sind beispielsweise vollständig mit dem weiteren Umhüllungskörper bedeckt. Vorteilhafterweise ist dadurch eine hohe Strahldichte und eine hohe Lichtauskopplung erzeugt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Kontaktelemente frei zugänglich. Durch das bündige Abschließen des weiteren Umhüllungskörpers mit den Kontaktelementen liegen die Unterseiten der Kontaktelemente an der der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips abgewandten Seite frei. Diese freiliegenden Kontaktelemente können zum Beispiel über einen weiteren Träger elektrisch und/oder mechanisch kontaktiert sein.
  • Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, 2H, 3A, 3B, 3C, 3D und 3E schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils, und
    • 4A, 4B, 4C, 4D, 4E, 4F, 4G, 4H, 41, 4J, 4K und 4L schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen eines hier beschrieben optoelektronischen Bauteils.
  • In Verbindung mit den 1A bis 1F ist ein Ausführungsbeispiel für ein Herstellungsverfahren für hier beschriebene optoelektronische Bauteile 15 dargestellt. Gemäß 1A wird in einem ersten Verfahrensschritt ein Träger 1 bereitgestellt. Hier umfasst der Träger 1 beispielsweise eine Folie 2, bevorzugt eine Konversionssilikonfolie, die auf einem temporären Träger 3, zum Beispiel eine Metallplatte, angeordnet ist. Die Konversionssilikonfolie umfasst beispielsweise ein Konversionsmaterial, das in Partikelform in ein Matrixmaterial eingebracht ist, bei dem es sich beispielsweise um Silikon handelt.
  • Gemäß 1B werden in einem nächsten Verfahrensschritt eine Vielzahl von Aussparungen 5 auf der Unterseite der Folie 2a erzeugt. Der Materialabtrag wird hier beispielsweise durch ein Sägeblatt 4 an der Unterseite der Folie 2a erzeugt. Das Sägeblatt 4 wird beispielsweise nur teilweise in die Folie 2 eingeführt, sodass die Aussparungen 5 die Folie 2 nur teilweise durchdringen. Die so erzeugten Aussparungen 5 erzeugen beispielsweise ein quadratisches Raster auf der Folie 2. Zudem können die Muster auch andere Formen aufweisen. Diese können rechteckig, vieleckig, rund oder oval angeordnet sein. Zur Herstellung runder oder ovaler Formen können die Aussparungen 5 insbesondere mittels eines Laserstrahls erzeugt werden. Alternativ ist es möglich, die Aussparungen durch Stanzen oder Prägen zu erzeugen. Die Aussparungen 5 umrahmen jeweils einen Montagebereich 6.
  • Gemäß 1C werden in einem nächsten Verfahrensschritt zumindest auf manche, insbesondere alle, der Montagebereiche 6 Tropfen eines Umhüllungsmaterials 7 gebracht. Hierbei sind beispielsweise zwei Träger 1 gezeigt, auf die jeweils Tropfen des Umhüllungsmaterials 7 aufgebracht werden. Das Umhüllungsmaterial 7 ist vorteilhafterweise flüssig. Das Umhüllungsmaterial 7 wird beispielsweise in einer Menge A oder B auf die Montagebereiche 6 der jeweiligen Träger 1 aufgebracht. Das Umhüllungsmaterial 7 der Menge A und B weisen beispielsweise die gleiche Viskosität auf. Zum Beispiel ist die Menge A des Umhüllungsmaterials 7A größer als die Menge B des Umhüllungsmaterials 7B. Aufgrund der unterschiedlichen Mengen A und B werden in den weiteren Verfahrensschritten unterschiedliche Formen der Außenflächen des Umhüllungsmaterials 7c an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c abgewandten Seiten hergestellt. Dies ist beispielhaft durch die zwei Träger 1 dargestellt. Das Umhüllungsmaterial 7 ist bevorzugt ein Silikon, insbesondere ein Klarsilikon.
  • Gemäß 1D werden in einem nächsten Verfahrensschritt optoelektronische Halbleiterchips 8, umfassend einen Halbleiterkörper 9 und Kontaktelemente 10 an der Unterseite des Halbleiterkörpers 9a, in zumindest manche der Tropfen eingebracht. Hierbei werden die optoelektronischen Halbleiterchips 8 mit einer Oberseite 9b voran auf das Umhüllungsmaterial 7 gesetzt und mit einem definierten Druck in Richtung der Unterseite der Folie 2a gepresst. Dabei wird das Umhüllungsmaterial 7 von dem Halbleiterkörper 9 von der Unterseite der Folie 2a teilweise verdrängt. Die äußeren Kanten der Aussparungen 11 sowie die Kanten an der Unterseite der Halbleiterkörper 12 wirken für das verdrängte Umhüllungsmaterial als Stoppkanten. Das heißt, dass an diesen Stoppkanten ein Benetzen der Unterseite der Folie 2a sowie den Halbleiterkörperseitenflächen 9c endet.
  • Die Form des Umhüllungsmaterials 7 der den Halbleiterkörper seitlich umgibt, ist beispielsweise von der Menge des aufgebrachten Umhüllungsmaterials 7 abhängig. Gemäß 1D ist die Form der Außenflächen des Umhüllungsmaterials 7c an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c abgewandten Seiten für die Menge A des Umhüllungsmaterials 7A konvex geformt. Für eine Menge B des Umhüllungsmaterials 7B, die kleiner ist als die Menge A des Umhüllungsmaterials 7A, sind die Außenflächen des Umhüllungsmaterials 7c an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c abgewandten Seiten dagegen konkav geformt.
  • In einem weiteren Schritt werden in einem nächsten Verfahrensschritt die Tropfen des Umhüllungsmaterials 7 zu Umhüllungskörpern 13 ausgehärtet.
  • Gemäß 1E wird in einem nächsten Verfahrensschritt der weitere Umhüllungskörper 14 an die Außenflächen des Umhüllungskörpers 13c, an die Unterseite des Halbleiterkörpers 9a und an die Unterseite der Folie 2a zum Beispiel durch ein Spritzpressverfahren angeordnet. Gegebenenfalls werden die Kontaktelemente 10 zum Beispiel durch Zurückschleifen des weiteren Umhüllungskörpers 14 freigelegt.
  • Gemäß 1F werden in einem nächsten Verfahrensschritt die optoelektronischen Bauteile 15 entlang von Trennungslinien 16 durch den weiteren Umhüllungskörper 14 und die Folie 2 vereinzelt, sodass einzelne optoelektronische Bauteile 15 entstehen.
  • In den 2A bis 2H sind weitere schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels für ein hier beschriebenes Herstellungsverfahren für optoelektronische Bauteile 15 beschrieben.
  • Gemäß 2A wird in einem nächsten Verfahrensschritt ein Träger 1 bereitgestellt. Hier umfasst der Träger beispielsweise eine Folie 2, insbesondere eine temporäre Folie, die auf einem temporären Träger 3 angeordnet ist.
  • Gemäß 2B werden in einem nächsten Verfahrensschritt eine Vielzahl von Aussparungen 5 auf der Unterseite der Folie 2a erzeugt. Der Materialabtrag wird hier beispielsweise durch ein Sägeblatt 4 an der Unterseite der Folie 2a erzeugt. Das Sägeblatt 4 wird vollständig in die Folie eingetaucht, sodass die Aussparungen 5 die Folie 2 vollständig durchdringen. Die so erzeugten Aussparungen 5 erzeugen beispielsweise ein quadratisches Raster auf der Folie 2. Zudem können die Muster auch andere Formen aufweisen. Diese können rechteckig, vieleckig, rund oder oval angeordnet sein. Die Aussparungen 5 umrahmen jeweils einen Montagebereich 6.
  • Gemäß 2C und 2D sind weitere Verfahrensschritte analog zu denen in 1C und 1D dargestellt.
  • Gemäß 2E wird in einem nächsten Verfahrensschritt der Träger 1 von den optoelektronischen Halbleiterchips 8 abgelöst. Der Ablöseprozess kann zum Beispiel mehrere Zwischenschritte beinhalten. Beispielsweise wird ein weiterer temporärer Hilfsträger an einer Unterseite der Kontaktelemente 10a angebracht (nicht gezeigt) und der Träger 1, der Aussparungen 5 gemäß dem Schritt der 2B aufweist, wird entfernt. Das heißt, die Oberseite der Halbleiterchips und die Oberseite der Umhüllungskörper sind frei von dem Träger. Nach dem Ablösen kann ein weiterer Träger 17 an einer der Unterseite abgewandten Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 8b aufgebracht werden. Der weitere Träger 17 umfasst beispielsweise eine weitere Folie 18, insbesondere eine weitere temporäre Folie, auf einem weiteren temporären Träger 19. Gemäß 2F ist in einem nächsten Verfahrensschritt analog zum Verfahrensschritt, der in 1E beschrieben ist. Durch den im Verfahrensschritt gemäß 2E aufgebrachten weiteren Träger 17, der keine Aussparungen 5 aufweist, schließt der aufgebrachte weitere Umhüllungskörper 14 bündig mit der Oberseite des Umhüllungskörpers 13b ab.
  • Gemäß 2G wird in einem nächsten Verfahrensschritt ein weiterer Hilfsträger 20, der beispielsweise eine weitere Hilfsfolie 21, insbesondere eine weitere temporäre Hilfsfolie auf einem weiteren temporären Hilfsträger 22 umfasst, an der Unterseite der Kontaktelemente 10a angebracht. Eine Oberseite der weiteren Hilfsfolie 21 steht dabei in direktem Kontakt mit der Unterseite der Kontaktelemente 10a. Der im Schritt gemäß 2E aufgebrachte weitere Träger 17 wird entfernt und ein Abdeckkörper 23, beispielsweise eine Konversionsschicht, wird an den Deckflächen des Halbleiterkörpers 9d, an den Deckflächen des Umhüllungskörpers 13d und an den Deckflächen des weiteren Umhüllungskörpers 14d erzeugt. Die Konversionsschicht wird beispielsweise durch Laminieren, Sprühen, Sieb- oder Schablonendruck aufgebracht.
  • Gemäß 2H werden in einem nächsten Verfahrensschritt die optoelektronischen Bauteile 15 entlang von Trennungslinien 16 durch den weiteren Umhüllungskörper 14 und die Konversionssilikonfolie vereinzelt, sodass einzelne optoelektronische Bauteile 15 entstehen.
  • In Verbindung mit den 3A bis 3E ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein hier beschriebenes Herstellungsverfahren für optoelektronische Bauteile beschrieben. Gemäß 3A bis 3D sind weitere Verfahrensschritte analog zu denen in 2A bis 2D dargestellt.
  • Gemäß 3E wird in einem nächsten Verfahrensschritt ein weiterer Hilfsträger 20 an der Unterseite der Kontaktelemente 10a angebracht und der Träger 1, der Aussparungen 5 gemäß dem Schritt der 2B aufweist, entfernt. Eine Oberseite des weiteren Hilfsträgers 20 steht dabei in direktem Kontakt mit der Unterseite der Kontaktelemente 10a. Die optoelektronischen Bauteile 15 können beispielsweise durch Ablösen vom weiteren Hilfsträger 20 vereinzelt werden.
  • In den 4A bis 4L ist jeweils ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 15 gezeigt, das beispielsweise zumindest teilweise mit den im Zusammenhang mit den in den 1A bis 1F, 2A bis 2H und 3A bis 3E beschriebenen Verfahrensschritten hergestellt ist.
  • Das optoelektronische Bauteil 15 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 8, umfassend einen Halbleiterkörper 9 und Kontaktelemente 10 an einer Unterseite des Halbleiterkörpers 9a, auf. Der Umhüllungskörper 13, der mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet ist, bedeckt die Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c. Der Umhüllungskörper 13 ist beispielsweise aus Silikon, insbesondere aus Klarsilikon, gebildet.
  • In den 4A, 4D, 4G und 4J sind Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauteils 15 gezeigt, bei denen die Außenflächen des Umhüllungskörpers 13c an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c abgewandten Seiten konvex geformt sind. Die Ausführungsbeispiele, gezeigt in den 4A, 4D und 4G, sind dabei von einem weiteren Umhüllungskörper 14 umgeben, der reflektierend für die vom optoelektronischen Halbleiterchip 8 emittierte Strahlung ausgebildet ist. Die Form der Innenfläche des weiteren Umhüllungskörpers 14c entspricht dabei der Form der Außenfläche des Umhüllungsumhüllungskörpers 13c an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c abgewandten Seiten. Das heißt, für die Ausführungsbeispiele, gezeigt in den 4A, 4D und 4G, sind die Innenflächen des weiteren Umhüllungskörpers 14c konvex geformt. Vorteilhafterweise, bietet diese Form die höchste Reflektivität für die vom optoelektronischen Halbleiterchip 8 emittierte Strahlung.
  • In den 4B, 4E, 4H und 4K sind Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauteils 15 gezeigt, bei denen die Außenflächen des Umhüllungskörpers 13c an der den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 9c abgewandten Seiten im Querschnitt dreieckig geformt sind. Die Ausführungsbeispiele, gezeigt in den 4B, 4E und 4H weisen den weiteren Umhüllungskörper 14 auf. Das heißt, auch die Innenflächen des weiteren Umhüllungskörpers 14c sind im Querschnitt dreieckig geformt.
  • In den 4C, 4F, 4I und 4L sind Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauteils 15 gezeigt, bei denen die Außenflächen des Umhüllungskörpers 13c an den der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seiten 9c konkav geformt sind. Die Ausführungsbeispiele, gezeigt in den 4C, 4F und 4I weisen einen weiteren Umhüllungskörper 14 auf. Das heißt, auch die Innenflächen des weiteren Umhüllungskörpers 14c sind konkav ausgebildet. Diese Form ist besonders einfach und kostengünstig herzustellen.
  • In den 4A, 4B und 4C sind Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauteils 15 gezeigt, die den weiteren Umhüllungskörper 14 aufweisen, der die Seitenflächen des Abdeckkörpers 23c bedeckt und bündig mit der Oberseite des Abdeckkörpers 23b abschließt. Die Oberseite des Umhüllungskörpers 13b schließt dabei bündig mit dem Abdeckkörper 23 ab.
  • In den 4D, 4E, 4F, 4G, 4H und 4I gezeigten Ausführungsbeispielen weisen die optoelektronischen Bauteile 15 den weiteren Umhüllungskörper 14 auf, der die Unterseite des Abdeckkörpers 23a bedeckt. Hier überragt der Abdeckkörper 23 die Deckfläche des Umhüllungskörpers 13d an der Oberseite des Umhüllungskörpers 13b seitlich.
  • In den 4D, 4E und 4F gezeigten Ausführungsbeispielen weisen die Deckflächen der Abdeckkörper 23d an der Unterseite der Abdeckkörper 23a die nicht von der Deckfläche der Oberseite des Halbleiterkörpers 9d und der Oberseite des Umhüllungskörpers 13d überdeckt sind, an der dem Umhüllungskörper 13 zugewandten Seite Aussparungen 5 auf. Diese Aussparungen 5 sind vollständig mit dem weiteren Umhüllungskörper 14 gefüllt.
  • In den 4J, 4K und 4L gezeigten Ausführungsbeispielen weisen die optoelektronischen Bauteile 15 keinen weiteren Umhüllungskörper 14 und keinen Abdeckköper 23 auf. Diese optoelektronischen Bauteile 15 können in und/oder auf verschiedenste Träger und/oder Gehäuse aufgebracht und/oder eingebracht werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Träger
    2
    Folie
    2a
    Unterseite Folie
    3
    temporärer Träger
    4
    Sägeblatt
    5
    Aussparung
    6
    Montagebereich
    7
    Umhüllungsmaterial
    7A
    Umhüllungsmaterial der Menge A
    7B
    Umhüllungsmaterial der Menge B
    7c
    Außenflächen Umhüllungsmaterial
    8
    optoelektronischer Halbleiterchip
    8b
    Oberseite optoelektronischer Halbleiterchip
    9
    Halbleiterkörper
    9a
    Unterseite Halbleiterkörper
    9b
    Oberseite Halbleiterkörper
    9c
    Seitenflächen Halbleiterkörper
    9d
    Deckfläche Halbleiterkörper
    10
    Kontaktelemente
    10a
    Unterseite Kontaktelemente
    11
    Außenkante Aussparung
    12
    Kante an Unterseite Halbeiterkörper
    13
    Umhüllungskörper
    13b
    Oberseite Umhüllungskörper
    13c
    Außenflächen Umhüllungskörper
    13d
    Deckfläche Umhüllungskörper
    14
    weiterer Umhüllungskörper
    14c
    Innenflächen weiterer Umhüllungskörper
    14d
    Deckfläche weiterer Umhüllungskörper
    15
    optoelektronische Bauteile
    16
    Trennungslinien
    17
    weiterer Träger
    18
    weitere Folie
    19
    weiterer temporärer Träger
    20
    weiterer Hilfsträger
    21
    weitere Hilfsfolie
    22
    weiterer temporärer Hilfsträger
    23
    Abdeckkörper
    23a
    Unterseite Abdeckkörper
    23b
    Oberseite Abdeckkörper
    23c
    Seitenflächen Abdeckkörper
    23d
    Deckfläche Abdeckkörper

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (15) mit den Schritten - Bereitstellen eines Trägers (1), - Erzeugen einer Vielzahl von Aussparungen (5) im Träger (1), - Aufbringen einer Vielzahl von Tropfen eines Umhüllungsmaterials (7) auf den Träger (1), - Einbringen eines optoelektronischen Halbleiterchips (8), umfassend einen Halbleiterkörper (9) und Kontaktelemente (10) an einer Unterseite des Halbleiterkörpers (9a), in zumindest manche der Tropfen, - Aushärten der Tropfen des Umhüllungsmaterials (7) zu Umhüllungskörpern (13), wobei - zumindest manche der Tropfen vollständig von Aussparungen (5) im Träger (1) umgeben sind, - die Aussparungen (5) im Träger (1) beim Einbringen des optoelektronischen Halbleiterchips (15) als Stoppkante (11) für das Umhüllungsmaterial (7) wirken, - das optoelektronische Bauteil (15) keinen Abdeckkörper aufweist, und ein Verlauf einer Außenfläche des Umhüllungskörpers (13c) durch die Veränderung eines Materials und einer Oberflächenbeschaffenheit des Trägers (1) einstellbar ist, und - der Träger (1) eine raue Oberfläche aufweist.
  2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei eine Kante an der Unterseite des Halbleiterkörpers (9a) als weitere Stoppkante (12) für das Umhüllungsmaterial (7) wirkt.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Verlauf einer Außenfläche des Umhüllungskörpers (13c) durch die Veränderung zumindest eines der folgenden Werte einstellbar ist: Relation des Volumens des Umhüllungsmaterials (7) zum Volumen des Halbleiterkörpers (9), Abstand einer Seitenfläche des Halbleiterkörpers (9c) zur nächstliegenden Aussparung (5), Viskosität des Umhüllungsmaterials (7), Material und Oberflächenbeschaffenheit des Trägers (1).
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Aussparungen (5) den Träger (1) teilweise durchdringen.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Aussparungen (5) den Träger (1) vollständig durchdringen.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an den Außenflächen des Umhüllungskörpers (13c), an der Unterseite des Halbleiterkörpers (9a) und an einer Unterseite des Trägers (1) ein weiterer Umhüllungskörper (14) angeordnet wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (1) vom optoelektronischen Halbleiterchip (8) abgelöst wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein weiterer Träger (17) an einer der Unterseite abgewandten Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips (8b) aufgebracht wird.
DE102017128717.5A 2017-12-04 2017-12-04 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils Active DE102017128717B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017128717.5A DE102017128717B4 (de) 2017-12-04 2017-12-04 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US16/205,412 US10825961B2 (en) 2017-12-04 2018-11-30 Method of producing optoelectronic components and optoelectronic component
CN201811465210.2A CN110021697B (zh) 2017-12-04 2018-12-03 用于制造光电子组件的方法和光电子组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017128717.5A DE102017128717B4 (de) 2017-12-04 2017-12-04 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102017128717A1 DE102017128717A1 (de) 2019-06-06
DE102017128717B4 true DE102017128717B4 (de) 2023-03-09

Family

ID=66548091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017128717.5A Active DE102017128717B4 (de) 2017-12-04 2017-12-04 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10825961B2 (de)
CN (1) CN110021697B (de)
DE (1) DE102017128717B4 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010031945A1 (de) 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US20150070909A1 (en) 2013-09-11 2015-03-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting apparatus including the package
US20170062671A1 (en) 2015-08-31 2017-03-02 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
DE102016105868A1 (de) 2016-03-31 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8956922B2 (en) * 2010-09-06 2015-02-17 Heraeus Noblelight Gmbh Coating method for an optoelectronic chip-on-board module
US9508904B2 (en) * 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP6107024B2 (ja) * 2012-09-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6065135B2 (ja) * 2015-04-02 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105006508B (zh) * 2015-07-02 2017-07-25 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管封装结构
CN106356441A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN111223975A (zh) * 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
JP6512201B2 (ja) * 2016-09-30 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 線状発光装置の製造方法及び線状発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010031945A1 (de) 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US20150070909A1 (en) 2013-09-11 2015-03-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting apparatus including the package
US20170062671A1 (en) 2015-08-31 2017-03-02 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
DE102016105868A1 (de) 2016-03-31 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
CN110021697A (zh) 2019-07-16
DE102017128717A1 (de) 2019-06-06
US10825961B2 (en) 2020-11-03
US20190172979A1 (en) 2019-06-06
CN110021697B (zh) 2022-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3251156B1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102005041064B4 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010027253B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010031945A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2015036231A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102012102420B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102013112549A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102017104144B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden
DE102014117983A1 (de) Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen
DE102015007750A1 (de) Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung
WO2021018964A1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und dessen herstellungsverfahren
EP2308105B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
EP2609633B1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
DE102017128717B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
WO2020078809A1 (de) Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen vorrichtungen
WO2020052973A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
WO2022248247A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und paneel
DE102013221429A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2020083692A1 (de) Optoelektronisches bauteil, dessen herstellungsverfahren und beleuchtungsvorrichtung
DE112017005653B4 (de) Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2019121020A1 (de) Verfahren zur herstellung eines konversionselements und konversionselement
DE102018131775A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
WO2019011863A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2020074444A1 (de) Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
WO2023285625A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final