JP6721816B2 - 窒化物半導体テンプレート及び紫外線ｌｅｄ - Google Patents

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Description

本発明は、窒化物半導体テンプレート及び紫外線ＬＥＤに関する。
従来、Ｇａ２Ｏ３基板上にＡｌＮバッファ層を介して窒化物半導体層が形成された窒化物半導体テンプレートが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１によれば、Ｇａ２Ｏ３基板の主面の面方位を選択することにより、窒化物半導体層の表面を鏡面にすることができる。
特開２０１４−１９９９３５号公報
しかしながら、Ｇａ２Ｏ３基板上に窒化物半導体を形成する場合、窒化物半導体のＡｌ組成の大きさによって、窒化物半導体のピットやクラックを抑制するための条件が異なるため、より高品質な窒化物半導体を得るためには、組成ごとに最適な方法を用いることが求められる。
近年、キュアリング等に用いる高圧水銀ランプの代替をめざして、３６５ｎｍ以下の波長帯の紫外線ＬＥＤの開発が進められている。
本発明の目的は、高品質な窒化物半導体を有する、紫外線ＬＥＤ用途に適した、導電性を有する透明な窒化物半導体テンプレート及びそれを用いて製造される紫外線ＬＥＤを提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、以下の［１］〜［５］の窒化物半導体テンプレート、［６］の紫外線ＬＥＤを提供する。
［１］Ｇａ２Ｏ３基板と、前記Ｇａ２Ｏ３基板上に形成された、ＡｌＮを主成分とするバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．２＜ｘ≦１）を主成分とする第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２≦ｙ≦０．５５、ｙ＜ｘ）を主成分とする第２の窒化物半導体層と、前記第２の窒化物半導体層上に形成された、Ｉｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ（０．０２≦ｕ１≦０．０３、ｕ１＋ｖ１＋ｗ１＝１）層の両面をＩｎｕ２Ａｌｖ２Ｇａｗ２Ｎ（０．０２≦ｕ２≦０．０３、ｕ２＋ｖ２＋ｗ２＝１、ｖ１＋０．０５≦ｖ２≦ｖ１＋０．２）層で挟んだ構造を含む多層構造を有する第３の窒化物半導体層と、を有する窒化物半導体テンプレート。
［２］前記バッファ層の厚さが１０ｎｍ以下である、上記［１］に記載の窒化物半導体テンプレート。
［３］前記第２の窒化物半導体層が表面にクラックを有しない、上記［１］又は［２］に記載の窒化物半導体テンプレート。
［４］前記第２の窒化物半導体層が表面にピットを有しない、上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の窒化物半導体テンプレート。
［５］前記第２の窒化物半導体層の転位密度が２．０×１０１０ｃｍ−２以下である、上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の窒化物半導体テンプレート。
［６］上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の窒化物半導体テンプレートを含む、紫外線ＬＥＤ。
本発明によれば、高品質な窒化物半導体を有する、紫外線ＬＥＤ用途に適した、導電性を有する透明な窒化物半導体テンプレート及びそれを用いて製造される紫外線ＬＥＤを提供することができる。
図１は、第１の実施の形態に係る窒化物半導体テンプレートの垂直断面図である。 図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ試料１、４、５の第２の窒化物半導体層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。 図３は、試料５の第２の窒化物半導体層の対称反射法によるＸ線回折パターンを示す。 図４は、試料５及び試料７の第２の窒化物半導体層のフォトルミネッセンススペクトルを示す。 図５は、第３の窒化物半導体層のフォトルミネッセンススペクトルを示す。 図６は、第２の実施の形態に係る紫外線ＬＥＤの垂直断面図である。 図７は、紫外線ＬＥＤに印加する電流と発光出力との関係を示すグラフである。
〔第１の実施の形態〕
（窒化物半導体テンプレートの構造）
図１は、第１の実施の形態に係る窒化物半導体テンプレート１０の垂直断面図である。窒化物半導体テンプレート１０は、発光波長が３００〜３６０ｎｍの紫外線ＬＥＤの用途に適したテンプレートである。
窒化物半導体テンプレート１０は、Ｇａ２Ｏ３基板１１と、Ｇａ２Ｏ３基板１１上のバッファ層１２と、バッファ層１２上の第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３上の第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４上の第３の窒化物半導体層１５を含む。
Ｇａ２Ｏ３基板１１は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶からなる。Ｇａ２Ｏ３基板１１の主面は、品質の高い窒化物半導体結晶の成長の下地となることのできる、（−２０１）面、（１０１）面、（３１０）面、（３−１０面）、又はこれらの面からおよそ±２°以内の範囲で傾いた面である。Ｇａ２Ｏ３基板１１は、例えば、直径５０．８ｍｍ（２インチ）の円形基板であるが、その形状及び大きさは限定されない。
Ｇａ２Ｏ３は、波長３００ｎｍ以上の光をほとんど吸収しないため、Ｇａ２Ｏ３基板１１は、発光波長が３００ｎｍ以上の紫外線ＬＥＤ用の窒化物半導体テンプレート１０の基板として優れている。一方、例えば、ＧａＮは波長３６５ｎｍ以下の光をよく吸収するため、ＧａＮ基板は、紫外線ＬＥＤ用のテンプレートには不適切であり、光取出効率の低下を防ぐためには、ＬＥＤの製造後にＧａＮ基板を除去しなければならない。
また、Ｇａ２Ｏ３基板１１は、Ｓｉ、Ｓｎ等のドーパントを含み、優れた導電性を有するため、ＬＥＤ用基板として優れている。一方、例えば、サファイア基板のように導電性の低い基板を用いる場合、縦型のＬＥＤを形成することはできず、また、横型のＬＥＤを形成する場合であっても、基板上の膜厚の薄い窒化物半導体層を電流が流れるため、電気抵抗が高くなる。
バッファ層１２は、ＡｌＮを主成分とする。バッファ層１２は、図１に示されるようにＧａ２Ｏ３基板１１の上面の全域を覆ってもよく、上面を部分的に覆ってもよい。バッファ層１２の厚さは、結晶品質を高くするため、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
第２の窒化物半導体層１４は、窒化物半導体テンプレート１０を用いて形成される紫外線ＬＥＤにおいて、クラッド層として用いられる。発光波長が３００〜３６０ｎｍの紫外線ＬＥＤを形成するためには、クラッド層となる第２の窒化物半導体層１４の組成は、およそＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２≦ｙ≦０．５５）であることが求められる。
第１の窒化物半導体層１３のＡｌ組成は、第２の窒化物半導体層１４のＡｌ組成よりも大きい。すなわち、第１の窒化物半導体層１３の組成は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．２＜ｘ≦１）と表され、第１の窒化物半導体層１３のＡｌ組成ｘと第２の窒化物半導体層１４のＡｌ組成ｙは、ｙ＜ｘの関係を満たす。第１の窒化物半導体層１３がこのような組成を有することにより、第２の窒化物半導体層１４の表面を鏡面にして、かつクラック及びピットの発生を抑えることができる。
第１の窒化物半導体層１３及び第２の窒化物半導体層１４は、Ｓｉ等のドーパントを含んでもよい。第１の窒化物半導体層１３の厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。第２の窒化物半導体層１４の厚さは、例えば、１〜２μｍである。
第２の窒化物半導体層１４の表面は鏡面であり、また、クラック及び孔状の欠陥であるピットをほとんど、又は全く有しない。
なお、第１の窒化物半導体層１３を設けずに、バッファ層１２上に第２の窒化物半導体層１４を形成する場合、第２の窒化物半導体層１４の表面にクラックが生じる。また、第２の窒化物半導体層１４を設けずに、第１の窒化物半導体層１３のみをバッファ層１２上に形成する場合、表面を鏡面にすることができない。
第３の窒化物半導体層１５は、Ｉｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ（０．０２≦ｕ１≦０．０３、ｕ１＋ｖ１＋ｗ１＝１）層の両面をＩｎｕ２Ａｌｖ２Ｇａｗ２Ｎ（０．０２≦ｕ２≦０．０３、ｕ２＋ｖ２＋ｗ２＝１、ｖ１＋０．０５≦ｖ２≦ｖ１＋０．２）層で挟んだ構造を含む多層構造を有する。第３の窒化物半導体層１５の代表的な構造は、３層のＩｎ０．０２Ａｌ０．１９Ｇａ０．７９Ｎ層と、それらの層間、並びに最上層及び最下層に１層ずつ形成された合計４層のＩｎ０．０２Ａｌ０．２９Ｇａ０．６９Ｎ層からなる構造である。
第３の窒化物半導体層１５のＩｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ層の厚さは、例えば、２ｎｍである。また、Ｉｎｕ２Ａｌｖ２Ｇａｗ２Ｎ層の厚さは、例えば、５ｎｍである。
第３の窒化物半導体層１５は、窒化物半導体テンプレート１０を用いて製造されたＬＥＤにおいて、量子井戸構造の発光層として機能する層であって、Ｉｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ層は井戸層、Ｉｎｕ２Ａｌｖ２Ｇａｗ２Ｎ層は障壁層としてそれぞれ機能する。例えば、Ｉｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ層のＡｌ組成ｖ１を０以上０．３以下とすることにより、発光波長がおよそ３００〜３６０ｎｍであるＬＥＤを得ることができる。
（窒化物半導体テンプレートの製造方法）
以下に、窒化物半導体テンプレート１０の製造方法の一例について説明する。
まず、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理されたＧａ２Ｏ３基板１１に有機洗浄、及びＳＰＭ（Sulfuric acid/ hydrogen peroxide mixture）洗浄を施す。
次に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置のチャンバー内にＧａ２Ｏ３基板１１を搬送する。
次に、Ｇａ２Ｏ３基板１１上にバッファ層１２を形成する。この膜状のバッファ層１２は、チャンバー内の温度を４００〜６００℃（例えば、５５０℃）に保持した状態で、原料ガスと、キャリアガスとしてのＮ２ガスをチャンバー内に供給して、ＡｌＮをＧａ２Ｏ３基板１１上に成長させることにより形成される。
バッファ層１２の原料ガスとしては、例えば、Ａｌの原料としてのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス、及びＮの原料としてのＮＨ３ガスが用いられる。なお、キャリアガスとして、Ｈ２ガス等を用いてもよい。
次に、バッファ層１２上に第１の窒化物半導体層１３を形成する。具体的には、例えば、圧力を１００ｍｂａｒ、温度を８８５℃以上（例えば、１０２０℃）に保持した状態で、第１の窒化物半導体層１３の原料ガスとキャリアガスとしてのＨ２ガスをチャンバー内に供給して、第１の窒化物半導体層１３を成長させる。
第１の窒化物半導体層１３の原料ガスとしては、例えば、Ａｌの原料としてのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス、Ｇａの原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス、及びＮの原料としてのＮＨ３ガスが用いられる。なお、キャリアガスとして、Ｎ２ガス等を用いてもよい。
次に、第１の窒化物半導体層１３上に第２の窒化物半導体層１４を形成する。具体的には、例えば、チャンバー内の温度を１１００℃以上（例えば、１１２０℃）に保持した状態で、第２の窒化物半導体層１４の原料ガスとキャリアガスとしてのＨ２ガスをチャンバー内に供給して、第２の窒化物半導体層１４を成長させる。
ここで、第２の窒化物半導体層１４を１１００℃より高い成長温度で成長させることにより、ピットの発生を抑えることができ、１１２０℃以上の成長温度で成長させることにより、ピットの発生をより確実に抑えることができる。
第２の窒化物半導体層１４の原料ガスとして、第１の窒化物半導体層１３の原料ガスと同じものを用いることができる。なお、キャリアガスとして、Ｎ２ガス等を用いてもよい。
なお、上述のように、第２の窒化物半導体層１４はＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２≦ｙ≦０．５５）の組成を有するが、この範囲内であれば、組成を変更しても成長温度等の成長条件を変更する必要はない。すなわち、成長条件を変更しなくても、クラック・ピット等の欠陥は発生せず、結晶品質の低下（転位密度の増加）は生じない。
次に、第２の窒化物半導体層１４上に第３の窒化物半導体層１５を形成する。具体的には、例えば、チャンバー内の温度を８３０〜９５０℃（例えば、８８０℃）に保持した状態で、第３の窒化物半導体層１５の原料ガスとキャリアガスとしてのＮ２ガスをチャンバー内に供給して、第３の窒化物半導体層１５を成長させる。
第３の窒化物半導体層１５の原料ガスとしては、例えば、Ｉｎの原料としてのトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガス、Ａｌの原料としてのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス、Ｇａの原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス、及びＮの原料としてのＮＨ３ガスが用いられる。なお、キャリアガスとして、Ｈ２ガス等を用いてもよい。
（第２の窒化物半導体層の評価）
以下の表１は、各層の成長条件と、第２の窒化物半導体層の表面状態の評価結果を示す。
この評価に用いられた７種類の窒化物半導体テンプレート（試料１〜７）のＧａ２Ｏ３基板は、いずれも（−２０１）面を主面とする直径２インチの円形基板である。また、第１の窒化物半導体層及び第２の窒化物半導体層のＡｌ原料、Ｇａ原料、Ｎ原料として、それぞれトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス、ＮＨ３ガスを用いた。
試料１〜７の第２の窒化物半導体層の成長レートは、いずれも２μｍ/ｈであった。
試料１、２においては、第１の窒化物半導体層を成膜せずに、バッファ層上に直接第２の窒化物半導体層を形成した。試料１の第２の窒化物半導体層の表面には、ピット及びクラックが生じ、また、鏡面が得られたのは直径２５ｍｍの一部の領域のみであった。また、試料２の第２の窒化物半導体層の表面にも、同様に、ピット及びクラックが生じた。これらは、第１の窒化物半導体層を形成しなかったことによると考えられる。
また、試料１においては、Ｇａ２Ｏ３基板の一部がエッチングされていた。これは、第１の窒化物半導体層よりも成長温度の高い第２の窒化物半導体層をバッファ層上に直接成膜したため、バッファ層がマイグレーション（又は結晶化）しすぎて、Ｇａ２Ｏ３基板の表面の一部におけるバッファ層による保護が不十分になったことによると考えられる。なお、試料２においては、バッファ層の成長温度が高すぎたため、バッファ層を成膜する段階で既にＧａ２Ｏ３基板がエッチングされていた。
試料３の第２の窒化物半導体層の表面には、クラックが生じた。これは、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層のＡｌ組成が等しいことによると考えられる。
試料４の第２の窒化物半導体層の表面には、ピットが生じた。これは、第２の窒化物半導体層の成長温度が１１００℃だと、結晶の横方向成長が足りないためと考えられる。
試料５の第２の窒化物半導体層の表面には、クラックとピットのいずれも発生しなかった。これは、主に、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層の両者が形成され、第２の窒化物半導体層のＡｌ組成が第１の窒化物半導体層のＡｌ組成よりも小さいことによると考えられる。また、第２の窒化物半導体層の成長温度が１１２０℃であり、１１００℃よりも高かったため、ピットが発生しなかったものと考えられる。
試料６は、第１の窒化物半導体層の電気抵抗を低めるため、第１の窒化物半導体層の材料を試料５のＡｌＮからＡｌ０．８Ｇａ０．２Ｎに変更したものであるが、この試料においても、クラックとピットのいずれも発生しなかった。
試料７は、短波長のＬＥＤ向けに試料５、６よりも第２の窒化物半導体層のＡｌ組成を高めたものであるが、この試料においても、クラックやピットのいずれも発生しなかった。
なお、試料１〜７のいずれにおいても、第２の窒化物半導体層の転位密度は２．０×１０１０ｃｍ−２以下に抑えられた。
上記の試料１〜７の評価結果から、第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層の両者が形成され、第２の窒化物半導体層のＡｌ組成が第１の窒化物半導体層のＡｌ組成よりも小さいこと、及び第２の窒化物半導体層の成長温度が１１００℃よりも高いことが、表面状態のよい第２の窒化物半導体層を得るための条件であることがわかる。
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ試料１、４、５の第２の窒化物半導体層の表面の光学顕微鏡による観察画像である。表１に示されるように、図２（ａ）の試料１の第２の窒化物半導体層の表面にはクラックが観察され、図２（ｂ）の試料４の第２の窒化物半導体層の表面にはピットが観察される。一方、図２（ｃ）の試料５の第２の窒化物半導体層の表面には、クラックもピットも観察されない。
図３は、試料５の第２の窒化物半導体層のＸ線回折パターンを示す。図３のＸ線回折パターンには、Ｇａ２Ｏ３基板の（−２０１）面及び（−２０１）面に平行な面での回折によるピークと、第１の窒化物半導体層であるＡｌＮの（０００１）面に平行な面及び第２の窒化物半導体層であるＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎの（０００１）面に平行な面での回折によるピークのみが含まれており、第２の窒化物半導体層に異なった方位に成長した相が含まれていないことが示されている。なお、Ａｌ０．３Ｇａ０．７ＮのＡｌ組成をピーク位置から完全格子緩和を仮定して求めたところ０．２９であったため、図３中ではＡｌ０．２９Ｇａ０．７１Ｎと記載している。
また、試料５の第２の窒化物半導体層にＸ線ロッキングカーブ測定を行ったところ、（０００２）面での回折によるピークの半値幅は１１６４ａｒｃｓｅｃ、（１−１０２）面での回折によるピーク回折の半値幅は１５３６ａｒｃｓｅｃであった。
図４は、試料５及び資料７の第２の窒化物半導体層のフォトルミネッセンススペクトルを示す。これらのスペクトルは、波長２４４ｎｍの励起光による室温下でのフォトルミネッセンス測定により得られたものであり、バンド端発光によるものと思われる波長３０５ｎｍ、２８９ｎｍのピークをメインピークとしてそれぞれ有している。
第２の窒化物半導体層１４の組成がＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２≦ｙ≦０．５５）である場合、第２の窒化物半導体層１４のバンド端の発光波長はおよそ２６５〜３２０ｎｍとなり、発光波長が３００〜３６０ｎｍの紫外線ＬＥＤのクラッド層に適用することができる。
（第３の窒化物半導体層の評価）
図５は、第３の窒化物半導体層１５のフォトルミネッセンススペクトルを示す。このフォトルミネッセンス測定は、井戸層としての３層のＩｎ０．０２Ａｌ０．１９Ｇａ０．７９Ｎ層と、それらの層間、並びに最上層及び最下層に１層ずつ形成された障壁層としての合計４層のＩｎ０．０２Ａｌ０．２９Ｇａ０．６９Ｎ層からなる量子井戸構造を有する第３の窒化物半導体層１５に対して実施した。また、比較例として、井戸層としての３層のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層と、それらの層間、並びに最上層及び最下層に１層ずつ形成された障壁層としての合計４層のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層からなる量子井戸構造を有するＩｎを含まない窒化物半導体層のフォトルミネッセンススペクトルも測定した。
図５の「ＩｎＡｌＧａＮ」は第３の窒化物半導体層１５のフォトルミネッセンススペクトルを示し、「ＡｌＧａＮ」は比較例のフォトルミネッセンススペクトルを示す。これらのスペクトルは、波長２４４ｎｍの励起光による室温下でのフォトルミネッセンス測定により得られたものである。
図５は、本実施の形態の第３の窒化物半導体層１５のフォトルミネッセンス強度が、比較例のフォトルミネッセンス強度よりも格段に大きいことを示している。これは、第３の窒化物半導体層１５がＩｎを含むため、高い内部量子効率を有することによる。
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、実施の形態の窒化物半導体テンプレート１０を含む紫外線ＬＥＤについての形態である。
（半導体素子の構造）
図６は、第２の実施の形態に係る紫外線ＬＥＤ２０の垂直断面図である。紫外線ＬＥＤ２０は、Ｇａ２Ｏ３基板２１と、Ｇａ２Ｏ３基板２１上のバッファ層２２と、バッファ層２２上のｎ型クラッド層２３と、ｎ型クラッド層２３上の発光層２４と、発光層２４上のｐ型電子ブロック層２５と、ｐ型電子ブロック層２５上のｐ型クラッド層２６と、ｐ型クラッド層２６上のコンタクト層２７と、コンタクト層２７上のｐ側電極２８と、Ｇａ２Ｏ３基板２１のバッファ層２２と反対側の面上のｎ側電極２９とを有する。
ここで、Ｇａ２Ｏ３基板２１、バッファ層２２は、第１の実施の形態の窒化物半導体テンプレート１０を構成するＧａ２Ｏ３基板１１、バッファ層１２にそれぞれ相当する。また、ｎ型クラッド層２３は、第１の実施の形態の窒化物半導体テンプレート１０を構成する第１の窒化物半導体層１３及び第２の窒化物半導体層１４に相当する。また、発光層２４は、第１の実施の形態の窒化物半導体テンプレート１０を構成する第３の窒化物半導体層１５に相当する。
ｐ型電子ブロック層２５は、例えば、厚さ３０ｎｍのＩｎ０．０２Ａｌ０．３９Ｇａ０．５９Ｎ層である。ｐ型電子ブロック層２５は、発光層２４（第３の窒化物半導体層１５）と同じ成長温度で形成することができる。また、ｐ型電子ブロック層２５の原料ガスとして、発光層２４（第３の窒化物半導体層１５）の原料ガスと同じものを用いることができる。
ｐ型クラッド層２６は、例えば、厚さ１００ｎｍのＩｎ０．０２Ａｌ０．２９Ｇａ０．６９Ｎ層である。ｐ型クラッド層２６は、発光層２４（第３の窒化物半導体層１５）と同じ成長温度で形成することができる。また、ｐ型クラッド層２６の原料ガスとして、発光層２４（第３の窒化物半導体層１５）の原料ガスと同じものを用いることができる。
コンタクト層２７は、例えば、厚さ２０ｎｍのＩｎ０．０２Ａｌ０．２９Ｇａ０．６９Ｎ層である。コンタクト層２７は、発光層２４（第３の窒化物半導体層１５）と同じ成長温度で形成することができる。また、コンタクト層２７の原料ガスとして、発光層２４（第３の窒化物半導体層１５）の原料ガスと同じものを用いることができる。
ｐ側電極２８は、コンタクト層２７にオーミック接合する電極であり、例えば、Ａｌからなる。ｎ側電極２９は、Ｇａ２Ｏ３基板２１にオーミック接合する電極であり、例えば、Ｔｉ／Ａｕ積層構造を有する。
紫外線ＬＥＤ２０は、例えば、Ｇａ２Ｏ３基板２１側から光を取り出すＬＥＤチップであり、キャンタイプのステムにＡｌを蒸着して実装される。
（紫外線ＬＥＤの発光特性の評価）
図７は、紫外線ＬＥＤ２０に印加する電流と発光出力との関係を示すグラフである。この発光出力の測定は、第３の窒化物半導体層１５からなる発光層２４がＩｎ０．０２Ａｌ０．１９Ｇａ０．７９Ｎ上にＩｎ０．０２Ａｌ０．２９Ｇａ０．６９Ｎを積層した量子井戸構造３層を有する、チップサイズが４００μｍ×６００μｍの紫外線ＬＥＤ２０に対して実施した。また、比較例として、Ｇａ２Ｏ３基板２１の代わりにサファイア基板を用いて作製したＬＥＤの発光出力も測定した。この比較例に係るＬＥＤの基板以外の層の組成は、発光出力を測定した紫外線ＬＥＤ２０のものと同じである。
図７によれば、例えば、１５０ｍＡの電流を印加するときの紫外線ＬＥＤ２０の発光出力は、およそ７００μＷである。一方、サファイア基板上に作製された比較例に係るＬＥＤの１５０ｍＡの電流を印加するときの発光出力は、およそ３５０μＷである。これにより、酸化ガリウム基板上に作製された紫外線ＬＥＤ２０の発光出力における優位性が確認された。
（実施の形態の効果）
上記第１の実施の形態によれば、高品質な窒化物半導体をＧａ２Ｏ３基板上に有する、発光波長が３００〜３６０ｎｍの紫外線ＬＥＤ用途に適した窒化物半導体テンプレートを得ることができる。
そして、上記第２の実施の形態によれば、このような高品質の窒化物半導体テンプレート１０を用いることにより、高品質の紫外線ＬＥＤを歩留まりよく製造することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
また、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１０…窒化物半導体テンプレート、 １１…Ｇａ２Ｏ３基板、 １２…バッファ層、 １３…第１の窒化物半導体層、 １４…第２の窒化物半導体層、 ２０…紫外線ＬＥＤ、 ２１…Ｇａ２Ｏ３基板、 ２２…バッファ層、 ２３…ｎ型クラッド層、 ２４…発光層

Claims (3)

  1. Ｇａ２Ｏ３基板と、
    前記Ｇａ２Ｏ３基板上に形成された、ＡｌＮを主成分とするバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成された、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．２＜ｘ≦１）を主成分とする第１の窒化物半導体層と、
    前記第１の窒化物半導体層上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２≦ｙ≦０．５５、ｙ＜ｘ）を主成分とする第２の窒化物半導体層と、
    前記第２の窒化物半導体層上に形成された、Ｉｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ（０．０２≦ｕ１≦０．０３、ｕ１＋ｖ１＋ｗ１＝１）層の両面をＩｎｕ２Ａｌｖ２Ｇａｗ２Ｎ（０．０２≦ｕ２≦０．０３、ｕ２＋ｖ２＋ｗ２＝１、ｖ１＋０．０５≦ｖ２≦ｖ１＋０．２）層で挟んだ構造を含む多層構造を有する第３の窒化物半導体層と、
    を有し、
    前記第２の窒化物半導体層が表面にクラックを有さず、
    前記第２の窒化物半導体層が表面にピットを有さず、
    前記第２の窒化物半導体層の転位密度が２．０×１０ １０ ｃｍ −２ 以下である、
    窒化物半導体テンプレート。
  2. 前記バッファ層の厚さが１０ｎｍ以下である、
    請求項１に記載の窒化物半導体テンプレート。
  3. 請求項１又は２に記載の窒化物半導体テンプレートを含む、紫外線ＬＥＤ。
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