JP6718837B2 - 電子部品とその製造方法、及び電子装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (31)
- 電子部品であって、
主表面を含む基板と、
前記基板の主表面上に形成された機能部と、
前記基板の主表面上に形成された樹脂層と
を含み、
前記樹脂層は、前記基板の主表面に面する第1面と、前記第1面に対向する第2面とを含み、
前記樹脂層は、前記第1面上に前記機能部を囲む空洞を画定し、
前記第1面の一部分が前記基板の主表面に平行な前記空洞の壁を画定し、
前記樹脂層は前記第2面に凹部を含み、
前記凹部には半田層が配置され、
前記半田層は前記第2面を厚さ方向に超えることがなく、
前記半田層の体積収縮により引き起こされる収縮力によって前記第2面と前記電子部品が実装される第2基板との圧着が促される結果、外部圧力に対する前記空洞の耐性が増加する、電子部品。 - 前記機能部は、機械的可動部分を有する弾性表面波(SAW)素子又は圧電薄膜共振子(FBAR)の一方を含む、請求項1の電子部品。
- 前記基板は誘電体材料から形成される、請求項1の電子部品。
- 前記樹脂層には、前記凹部から前記樹脂層を貫通して前記主表面まで延びる貫通孔が設けられ、
前記半田層とは別個の金属層が前記貫通孔に配置されて前記半田層を前記主表面に電気的に接続する、請求項1の電子部品。 - 前記半田層の一部分が、前記凹部における前記樹脂層の前記第2面上に配置される、請求項1の電子部品。
- 前記半田層の周縁と、前記凹部を画定する前記樹脂層の周縁面との間に間隙が設けられる、請求項1の電子部品。
- 電子装置であって、
主表面上に機能部が形成された第1基板と前記主表面上に形成された第1樹脂層とを含む電子部品と、
主表面に電極パッドが形成された第2基板と、
前記電子部品及び前記第2基板を封止する第2樹脂層と
を含み、
前記第1樹脂層は、前記第1基板の主表面に面する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、
前記第1樹脂層は、前記第1面上に前記機能部を囲む空洞を画定し、
前記第1面の一部分が前記第1基板の主表面に平行な前記空洞の壁を画定し、
前記第1樹脂層は前記第2面上の凹部を含み、
貫通孔が前記凹部から延びて前記第1樹脂層を前記第1基板の主表面まで貫通し、
金属層が前記貫通孔に配置され、
前記凹部に配置された半田層が前記電極パッドに接触し、
前記半田層、前記金属層及び前記電極パッドが、前記第1基板の主表面と前記第2基板の主表面との間の距離に対応する組み合わせ厚さを有し、
前記半田層の体積収縮により引き起こされる収縮力によって前記第2面と前記第2基板との圧着が促される結果、外部圧力に対する前記空洞の耐性が増加する、電子装置。 - 前記機能部は、機械的可動部分を有する弾性表面波(SAW)素子又は圧電薄膜共振子(FBAR)の一方を含む、請求項7の電子装置。
- 前記第1基板は誘電体材料から形成される、請求項7の電子装置。
- 前記第1面は前記第1基板の主表面と接触する、請求項7の電子装置。
- 前記第2面は前記第2基板の主表面に接触する、請求項7の電子装置。
- 前記第2樹脂層は、前記第1基板、前記第1樹脂層及び前記第2基板に接触する、請求項7の電子装置。
- 前記空洞と前記第2基板との間に前記第1樹脂層の一部分が配置され、
前記第1樹脂層の前記一部分の前記第2面が前記第2基板の主表面に直接接触する、請求項7の電子装置。 - 電子装置を製造する方法であって、
第1基板を含む電子部品を用意することであって、前記第1基板の主表面には機能部及び第1樹脂層が形成され、前記第1樹脂層は前記第1基板の主表面に面する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、前記第1樹脂層は前記第1面に前記機能部を囲む空洞を含み、前記第1面の一部分が前記第1基板の主表面に平行な前記空洞の壁を画定し、前記第1樹脂層は前記第2面に凹部を画定し、前記凹部には半田層が設けられることと、
第2基板を用意することであって、前記第2基板の主表面に電極パッドが形成されることと、
前記電子部品を前記第2基板に整合させることであって、前記半田層と前記半田層に接触する前記電極パッドとを、前記凹部の深さに対応する組み合わせ厚さを有するように積層することと、
前記電子部品及び前記第2基板を前記電子装置に形成することと
を含み、
前記電子部品及び前記第2基板を前記電子装置に形成することは、前記電子部品及び前記第2基板を第2樹脂層によって封止することを含み、
前記半田層の体積収縮により引き起こされる収縮力によって前記第2面と前記第2基板との圧着が促される結果、外部圧力に対する前記空洞の耐性が増加する、方法。 - 前記電子部品及び前記第2基板を第2樹脂層によって封止することはトランスファーモールド又はコンプレッションモールドによって行われる、請求項14の方法。
- 前記電子部品及び前記第2基板を前記電子装置に形成することは、前記半田層を前記電極パッドに溶着することを含む、請求項14の方法。
- 前記半田層を前記電極パッドに溶着することは、前記半田層を溶融させて前記電極パッドに接合することを含む請求項16の方法。
- 前記半田層を前記電極パッドに溶着することはさらに、前記半田層を冷却することを含む、請求項17の方法。
- 前記電子部品及び前記第2基板を前記電子装置に形成することは、前記収縮力による前記圧着により、前記第1樹脂層を有する前記電子部品を前記第2基板に接合することを含む、請求項18の方法。
- 前記第1樹脂層の第2面と前記第2基板の主表面との間隙は、前記第2樹脂層の材料の中に分散されるフィラーの粒径未満となるように最小化される、請求項14の方法。
- 前記電子部品を用意することは、前記凹部の中に前記半田層を形成することを含み、
前記半田層は、前記第2面を厚さ方向に超えることがない、請求項14の方法。 - 前記電子部品を用意することは、前記機能部としての機械的可動部分を有する弾性表面波(SAW)素子又は圧電薄膜共振子(FBAR)の一方を前記第1基板の主表面上に形成することを含む、請求項14の方法。
- 誘電体材料から形成された基板を前記第1基板として選択することをさらに含む、請求項14の方法。
- 圧電体材料から形成された基板を前記第1基板として選択することをさらに含む、請求項23の方法。
- 前記凹部から延びて前記第1樹脂層を前記第1基板の主表面まで貫通する貫通孔を前記第1樹脂層に形成することをさらに含む、請求項14の方法。
- 前記貫通孔の中に形成された前記半田層とは異なる金属層を介して前記半田層を前記主表面に電気的に接続することをさらに含み、
前記金属層、前記半田層及び前記電極パッドが、前記第1基板の主表面と前記第2基板の主表面との間の距離に対応する組み合わせ厚さを有する、請求項25の方法。 - 前記電子部品を用意することは、前記第1樹脂層を、前記第1面が前記第1基板の主表面に接触するように形成することを含む、請求項14の方法。
- 前記電子部品を用意することは、前記第1樹脂層を、前記第2面が前記第2基板の主表面に接触するように形成することを含む、請求項14の方法。
- 電子部品を製造する方法であって、
基板の主表面に機能部を形成することと、
前記主表面に樹脂層を形成することであって、前記樹脂層は、前記主表面に面する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有することと、
前記第1面によって前記機能部を囲む空洞を形成することと、
前記第2面に凹部を形成することと、
前記凹部に半田層を、前記第2面を厚さ方向に超えないように形成することと、
前記基板、前記機能部及び前記樹脂層を前記電子部品として第2基板に実装して樹脂封止することと
を含み、
前記半田層の体積収縮により引き起こされる収縮力によって前記第2面と前記第2基板との圧着が促される結果、外部圧力に対する前記空洞の耐性が増加する、方法。 - 前記空洞は前記樹脂層によって画定される、請求項29の方法。
- 前記樹脂層を形成することは、前記樹脂層の第2面から延びるダム部を形成することを含む、請求項29の方法。
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