JP6718318B2 - 加熱部材及び静電チャック - Google Patents
加熱部材及び静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP6718318B2 JP6718318B2 JP2016121803A JP2016121803A JP6718318B2 JP 6718318 B2 JP6718318 B2 JP 6718318B2 JP 2016121803 A JP2016121803 A JP 2016121803A JP 2016121803 A JP2016121803 A JP 2016121803A JP 6718318 B2 JP6718318 B2 JP 6718318B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat generating
- intermediate conductive
- generating portion
- heating
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 59
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- -1 rare earth compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁基板に発熱体を複数層に分けて配置した場合でも、発熱体に給電するための導電部を容易に配置することができる加熱部材及び静電チャックを提供することにある。
本第3局面では、(周方向に長い)中間導電層を周方向に沿って複数配置することにより、隙間空間の径方向における長さが短い場合(即ち間隔が狭い場合)でも、多くの中間導電層を容易に配置することができる。
本第4局面では、ビアを周方向(従って中間導電層の長手方向)に沿って配置する構成により、複数のビアを中間導電層に接続するように容易に配置できる。
本第5局面では、内部配線層によって、第1発熱部と中間導電層とを電気的に接続することができる。
本第6局面では、第2発熱部が、周方向に延びるラインを複数有している場合でも、一対のラインの間に(周方向に長い)中間導電層を容易に配置できる。
この静電チャックにより、被加工物を吸着して加熱することができる。
(a)前記第2発熱部は、前記平面視で、前記周方向に延びるラインを有する加熱部材。
<以下に、本発明の各構成について説明する>
・周方向とは、平面視で、絶縁基板の中心の回りを回る方向である。ここで、絶縁基板の中心とは重心を意味し、絶縁基板が円形の場合には、円の中心を意味する。つまり、絶縁基板が円形の場合には、周方向は円周方向を意味する。
セラミックスとしては、酸化アルミニウム(アルミナ)、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム(ジルコニア)、炭化ケイ素等を主成分(セラミックス中で50質量%以上)とする材料が挙げられる。なお、前記主成分以外に、例えば希土類化合物を添加することもできる。
・主面とは、板材(基板)の厚み方向における端部をなす表面のことである。
なお、ビアとは、絶縁基板の厚み方向に延びて導電性を有する部分同士を接続する部材である。また、(導電性を有する)端子部としては、例えば端子パッドに端子ピンを接合した構成等を採用できる。
ここでは、実施形態として、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
[1−1.全体構成]
まず、本実施形態の静電チャックの構造について説明する。
<セラミックヒータ>
図2に模式的に示すように、セラミックヒータ5(従ってセラミック基板17)は、その第2の主面B側が、例えばインジウムからなる接着剤層9により、金属ベース7の第3の主面C側に接合されている。
また、複数の第1発熱体23は、複数の第1給電用端子29に対して、それぞれ電気的に接続され、複数の第2発熱体25は、複数の第2給電用端子31に対して、それぞれ電気的に接続されている。
また、第1発熱体23は、その両端が一対の第1給電用端子29に接続されるが、図2では、一つの第1発熱体23に接続される一方の第1給電用端子29のみを示している。同様に、第2発熱体25は、その両端が一対の第2給電用端子31に接続されるが、図2では、一つの第2発熱体25に接続される一方の第2給電用端子31のみを示している。
金属ベース7は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製である。金属ベース7には、前記冷却路19やリフトピン孔21以外に、前記電極用端子、各給電用端子29、31が配置される貫通孔45がそれぞれ形成されている。
<吸着用電極>
吸着用電極11は、例えば平面形状が円形の電極から構成されている。この吸着用電極11とは、静電チャック1を使用する場合には、直流高電圧が印加され、これにより、半導体ウェハ3を吸着する静電引力(吸着力)を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ3を吸着して固定するものである。なお、吸着用電極11については、これ以外に、周知の各種の構成(単極性や双極性の電極など)を採用できる。なお、吸着用電極11は、例えばタングステン等の導電材料からなる。
次に、第1発熱部13及び第2発熱部15について説明する。
第2発熱部15は、第1発熱部13より発熱量の大きなメインヒータであり、第1発熱部13はサブヒータである。なお、第1、第2発熱体23、25は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料(タングステン等)からなる抵抗発熱体である。
従って、第1発熱部13と第2発熱部15とは、セラミック基板17(従って静電チャック1)の厚み方向から見た平面視で、重ね合されるように配置されている。
以下、各発熱部13、15について詳しく説明する。
セラミック基板17には、第1平面H1における各領域をそれぞれ加熱(従って温度調節)できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン51が設けられている。
セラミック基板17には、第2平面H2における各領域をそれぞれ加熱(従って温度調節)できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン61が設けられている。
[1−2.第1配線部の構成]
次に、本実施形態の要部である第1配線部33の構成について説明する。
第1配線部33は、図5の上方より、ビア65a、内部配線層67a、ビア65b、中間導電層69、ビア65c、内部配線層67b、ビア65dから構成されている。なお、ビア65a〜65dをビア65と総称し、内部配線層67a、67bを内部配線層67と総称する。
ここで、中間導電層69について詳細に説明する。
中間導電層69は、第2平面H2において、第2発熱体25に接触しないように、第2発熱体25が配置されていない領域(間隙領域K)に配置されている。
また、図7に示すように、中間導電層69には、複数のビア65が接続されている。具体的には、中間導電層69の第1の主面A側(図7の上方)には、長手方向(図7の左右方向)に沿って、2個のビア65bが接続されている。同様に、中間導電層69の第2の主面B側(図7の下方)には、長手方向に沿って、2個のビア65cが接続されている。
[1−3.製造方法]
次に、本実施形態の静電チャック1の製造方法について、簡単に説明する。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、(各セラミック層22に対応する)各アルミナグリーンシートを形成する。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、スラリー状にして、メタライズインクとする。
(7)次に、熱圧着した各積層シートを、それぞれ所定の形状(即ち円板形状)にカットする。
(9)そして、焼成後に、各アルミナ焼結体に対して、例えば第1の主面A側の加工など必要な加工を行って、セラミック基板17を作製する。
(11)次に、金属ベース7とセラミック基板17とを接合して一体化する。
[1−4.効果]
次に、本実施形態の効果について説明する。
[2.他の実施形態]
本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
(2)また、内部配線層の数や形状等も前記実施形態に限定されず、例えば内部配線層を省略することも可能である。
或いは、端子パッドに端子ピンを接合し、この端子ピンと(端子ピンが挿入される挿入孔を有する)コネクタとを接続するようにしてもよい。
例えば、図8(c)に変形例3を示すように、セラミック基板17内に、前記実施形態と同様な第1発熱部13及び第2発熱部15を備えたセラミックヒータ5に適用できる。
(8)各本実施形態の構成を適宜組み合わせることができる。
5…セラミックヒータ
11…吸着用電極(静電電極)
13…第1発熱部
15…第2発熱部
17…セラミック基板
23…第1発熱体
25…第2発熱体
35、41…端子部
37、43…端子パッド
65、65a、65b、65c、65d…ビア
67、67a、67b…内部配線層
69…中間導電層
Claims (7)
- 被加工物が搭載される第1の主面と該第1の主面の反対側の第2の主面とを有するとともに電気絶縁性を有する絶縁基板と、該絶縁基板の内部に配置されて通電により発熱する発熱部と、前記絶縁基板の前記第2の主面に設けられた端子部と、を備えるとともに、
前記発熱部として、前記絶縁基板の内部に配置された第1発熱部と、該第1発熱部よりも第2の主面側に配置された第2発熱部とを備えた加熱部材において、
前記第2発熱部が配置された前記第1の主面に沿った仮想平面のうち該第2発熱部のない領域には、前記仮想平面の方向に沿って中間導電層が配置されるとともに、該中間導電層を介して前記第1発熱部と前記端子部とが電気的に接続されており、
前記中間導電層は、前記絶縁基板を厚み方向に見た平面視で、前記絶縁基板の径方向に沿った長さよりも前記絶縁基板の周方向に沿った長さが長い形状を有することを特徴とする加熱部材。 - 少なくとも前記第1発熱部は、独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなるとともに、前記端子部は、前記複数の発熱体にそれぞれ電気的に接続された複数の端子パッドを備えており、
前記第2発熱部のない領域には、前記仮想平面の方向に沿って複数の前記中間導電層を備え、
前記第1発熱部の前記複数の発熱体と前記複数の端子パッドとは、前記複数の中間導電層のいずれかを介してそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の加熱部材。 - 前記平面視で、前記中間導電層が、前記周方向に沿って複数配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の加熱部材。
- 前記中間導電層には、前記厚み方向の少なくとも一方の側に複数のビアが接続されるとともに、前記平面視で、前記複数のビアは前記周方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の加熱部材。
- 前記第1発熱部と前記中間導電層との間に、さらに、前記第1発熱部と前記中間導電層とにそれぞれビアを介して電気的に接続された内部配線層を備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の加熱部材。
- 前記第2発熱部は、前記周方向に延びるラインを複数有するとともに、前記平面視で、一対の前記ラインの間に、前記中間導電層が配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の加熱部材。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の加熱部材を備えるとともに、前記絶縁基板に静電電極を備えたことを特徴とする静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016121803A JP6718318B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 加熱部材及び静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016121803A JP6718318B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 加熱部材及び静電チャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017228361A JP2017228361A (ja) | 2017-12-28 |
JP6718318B2 true JP6718318B2 (ja) | 2020-07-08 |
Family
ID=60891865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016121803A Active JP6718318B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 加熱部材及び静電チャック |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6718318B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110235515B (zh) * | 2017-02-01 | 2022-04-29 | 日本特殊陶业株式会社 | 保持装置 |
JP6994953B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-01-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7164959B2 (ja) * | 2018-03-05 | 2022-11-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置、および、保持装置の製造方法 |
JP7164974B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7202852B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2023-01-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP7293381B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2023-06-19 | 京セラ株式会社 | 構造体および加熱装置 |
JP7373409B2 (ja) * | 2020-01-10 | 2023-11-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7445433B2 (ja) * | 2020-01-10 | 2024-03-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7248608B2 (ja) * | 2020-02-04 | 2023-03-29 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2849415B2 (ja) * | 1989-11-16 | 1999-01-20 | 株式会社ナガノ | 面状発熱体 |
JPH09270454A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Kyocera Corp | ウエハ保持装置 |
JP2000012195A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-14 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2002016072A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体加熱用セラミックヒーターおよびその製造方法 |
US6535372B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Controlled resistivity boron nitride electrostatic chuck apparatus for retaining a semiconductor wafer and method of fabricating the same |
JP2005166354A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Ngk Insulators Ltd | セラミックヒーター |
JP2011243881A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック |
JP6239894B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2017-11-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
-
2016
- 2016-06-20 JP JP2016121803A patent/JP6718318B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017228361A (ja) | 2017-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6718318B2 (ja) | 加熱部材及び静電チャック | |
JP6001402B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6741461B2 (ja) | 加熱部材及び複合加熱部材 | |
JP6530333B2 (ja) | 加熱部材及び静電チャック | |
JP6725677B2 (ja) | 保持装置 | |
JP6463938B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6804878B2 (ja) | 加熱部材及び静電チャック | |
JP6730084B2 (ja) | 加熱部材及び静電チャック | |
JP6077301B2 (ja) | 静電チャック | |
US10347521B2 (en) | Heating member, electrostatic chuck, and ceramic heater | |
JP6831269B2 (ja) | セラミックヒータ | |
JP6530220B2 (ja) | セラミックヒータ及びその制御方法、並びに、静電チャック及びその制御方法 | |
JP2011049196A (ja) | 静電チャック | |
JP6510440B2 (ja) | ヒータ及び静電チャック並びにプラズマ発生用部材 | |
JP7050455B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
JP2018018587A (ja) | 保持装置 | |
KR20220005984A (ko) | 세라믹 구조체, 정전 척 및 기판 고정 장치 | |
CN111712910B (zh) | 保持装置 | |
JP6982126B2 (ja) | 加熱部材及び静電チャック | |
JP6483533B2 (ja) | 試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置 | |
JP6695204B2 (ja) | 保持装置 | |
JP2021190603A (ja) | 保持装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200519 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6718318 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |