JP6712592B2 - 基板上に層を堆積するための装置 - Google Patents

Description

本発明は、堆積時にプロセスチャンバ内でガス入口部材の延在方向と垂直な移動方向に移動させられる基板上に層を堆積するための装置であって、ガス入口部材は、開始物質の供給のための供給孔と、開始物質を含む第１のガス流の送出のために基板の移動行程の幅全体に亘って延在しかつ基板に対向するガス出口領域とを具備する第１のガス分配室を有し、第１のガス出口領域の延在方向と平行に、基板の移動方向において第１のガス出口領域の前方に第２のガス出口領域が、基板の移動方向において第１の出口領域の後方に第３のガス出口領域が、それぞれ第２又は第３のガス流の各々の送出のために第２又は第３のガス分配室に配置されている装置に関する。

本発明は、層の堆積、特に基板上への半導体層の堆積の技術分野に関する。前者の場合、ガス状でプロセスチャンバに導入された開始物質の堆積時に化学反応が生じ、後者の場合、ガス状でプロセスチャンバに導入された開始物質の堆積時に実質的に凝集変化が生じ、その際にガス状開始物質が基板上に凝縮する。本発明の出願分野は、特に有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）に関する。この堆積プロセスにおいて、有機開始物質は固体又は液体として与えられる。開始物質は、気化温度に加熱される。その際に生じた蒸気は堆積装置のプロセスチャンバに搬送される。これは、搬送ガスに補助されて行うことができる。基板は、冷却されたサセプタに接触して置かれることにより、蒸気形態で送り込まれた有機開始物質が基板の表面で凝縮する。その技術分野は、ＯＬＥＤの製造も含む。

汎用タイプの装置は特許文献１に記載されている。これに記載された「リニア気相蒸着システム」は、複数の互いに平行に延在する各々が直線状のガス出口領域を具備するガス入口部材を有し、中央のガス出口領域を通ってガス状開始物質が、そしてそこから離れて配置された外側のガス出口領域を通って不活性ガスが、基板の方向に出て行く。基板は、ガス出口領域の延在方向に対して垂直な方向に動かされる。

特許文献２〜８は、ＰＶＤ装置上のガス入口部材を記載しており、それは、ガス状開始物質を搬送ガスの補助によりガス入口部材のガス出口孔から基板へと搬送するべく、エアロゾル流中の固体又は液体の粒子を気化熱の伝達によりガス状とするために、電気的に加熱される多孔性の固体発泡体を用いている。ガス状とされた開始物質はそこで再び凝縮する。

米国特許出願公開第2012/ 0237695号公報 米国特許第5,595,602号明細書 米国特許第6,037,241号明細書 米国特許第7,238,389号明細書 米国特許第7,780,787号明細書 国際公開第2012/175126号 国際公開第2012/175128号 国際公開第2012/175307号

ガス状開始物質の基板への流れのオンオフをバルブにより切り換えることができるガス供給装置とは異なり、加熱される発泡体を使用することは、発泡体の温度変化によって基板への開始物質の材料流に影響を及ぼされる可能性をもたらす。発泡体の温度が気化温度より低い場合、発泡体に供給されるエアロゾルの蓄積がその中で生じる。発泡体により形成された気化体の温度を高めることにより気化速度を上げることで、基板への開始物質の材料流を温度制御により調整することができる。蒸気ソースとして発泡体を使用することはまた、複数の開始物質をプロセスチャンバに導入するために、例えば基板上に異なる波長の光を放出する有機分子を堆積するために、同時に複数の異なる開始物質を気化可能であるという利点がある。この方法でドーピングも可能である。蒸気は、発泡体のガス出口面全体に亘って実質的に均一に出て行く。ガス出口面の縁領域を通って出て行く蒸気は、ガス出口面の周囲のガスのガス温度が低いために凝縮するという問題がある。このことが、気相中のフロキュレーションすなわち粒子形成を生じさせ得る。これは、堆積される層の品質に悪影響を及ぼす。

本発明は、大面積基板に１又は複数の有機開始物質を堆積可能であって開始物質の熱分解を生じることなく最小の材料使用により高いスループットが得られる装置を提供する目的に基づくものである。

この課題は、請求項に記載された本発明により解決され、各請求項は、基本的に、この課題の独立した解決手段を構成している。

最初にかつ実質的に、互いに隣接して延在する３つ又はそれ以上のガス出口領域が設けられる。少なくとも１つの中央ガス出口領域を通ってガス状開始物質がプロセスチャンバに入る。中央ガス出口領域の側縁に沿った２つの外側の出口領域を通って、不活性ガスがプロセスチャンバに入る。２つの不活性ガス流が中央ガス流の縁領域に影響することによって中央ガス流が拡散しない。２つの外側のガス流は、開始物質を搬送する中央ガス流の直進性（コリメーション）に影響を及ぼす。従って、２つの外側のガス流は、中央ガス流に対して直線状のフロー方向を強制するコリメータ的なガス流を形成する。
３つのガス流の全てが高温を有するために、３つのガス分配室の各々がガス加熱器を有する。よって中央ガス分配室の中には、気体又は液体の粒子を含むエアロゾルのための気化器がある。中央ガス分配室の気化器は、そこに配置された加熱器により形成することができる。加熱器又は気化体は、上述した従来技術に記載されているように、導電性の通気多孔性固体とすることができる。それは発泡体とすることができ、それぞれに割り当てられたガス分配室の全体に充填することができる。隣り合うガス分配室は、電気絶縁性の隔壁により隔絶されている。隔壁は、セラミック材料からなるものとできる。１又は複数のプロセスガス分配室及び第２又は第３のガス分配室を、ガス入口部材を形成するハウジングに割り当てることができる。それは、基板の移動方向に対して垂直に基板の幅全体に亘って延在する長尺のハウジングである。少なくとも１つのプロセスガス出口領域から出て来るプロセスガス流は、加熱された不活性ガス流によって寄り添われることにより、プロセスガス流の縁領域において冷却を生じない。よって上述した気相中のフロキュレーションが避けられる。
直線状に互いに隣接したガス出口領域の延在方向に対して垂直に基板がゆっくりと移動させられる場合、基板が通過する際にその表面に、中央ガス出口領域から出て来る蒸気状の開始物質の凝縮により得られる層が堆積する。このために基板が冷却される。基板は、能動的に冷却されたサセプタ上を移動する。しかしながら、基板の替わりに、ガス入口部材が基板に対して動かされるようにもできる。
直線状のガス出口領域の両端にそれぞれ割り当てられたガス入口部材の２つの側面は端面を形成する。これらの端面に加熱器、特にここでも発泡体である電極を有し、その補助により電流を通気多孔性固体に供給することができ、それにより発泡体が抵抗加熱される。
１つのプロセスガス分配室を設けることができる。しかしながら、２つ又はそれ以上のプロセスガス分配室を設けることもでき、それらは互いに隣接して配置されている。従って、複数のプロセスガス分配室は互いに直接連結されている。このことは、プロセスガス分配室の個々のガス出口領域にもあてはまる。
少なくとも１つのプロセスガス分配室が、１又は複数の区画に分離されている。それらの区画は１つのプレートにより分離され得る。そのプレートは孔を有することができる。上流側の区画は、ガス入口孔と接続されている。下流側の区画はガス出口領域と連係している。プレートはフローに影響を及ぼし、フロー制限プレート又は拡散プレートを形成する。
第１のガス分配室のガス入口孔は、エアロゾル発生器と接続されている。エアロゾル発生器は貯蔵容器を有し、その中に粉体又は液体が貯蔵されている。搬送ガスの補助により固体又は液滴状のエアロゾルが生成され、それは搬送ガスの補助によりガス分配室に供給され、そこでエアロゾルに熱を加えることにより気化を生じる。多孔性固体を用いていることから同時にガス流の均一化も生じるので、エアロゾルの供給は少数箇所でのみ行われる。気化は、好適には上流側の区画でのみ生じる。そこで通気多孔性固体は、そこに供給されたエアロゾルを気化するために十分な熱を与える。蒸気は、分離領域を通って、例えばフロー制限プレート又は分離プレートの孔を通って、下流側の区画に入る。この区画は、冷却ガスの導入により能動的に冷却されることができ、それにより必要に応じて開始物質の凝縮がそこで生じる。これにより、ガス状開始物質がそこで必要とされていないときにガス出口領域から出て行くことが避けられる。それに対し、ガス状開始物質がガス出口領域から出て行く場合、下流側の区画は冷却されない。
その後、その部分の発泡体が開始物質の気化温度より高い温度となることにより、プロセスガス分配室の上流側の区画で気化した開始物質が下流側の区画を、ないしは下流側の区画に配置された発泡体を、阻止されることなく通過できる。このようにして、プロセスガス分配室の下流側の区画に配置された発泡体を用いて、開始物質のプロセスチャンバへの供給をオンオフすることができ、その場合、オフに切り換えられた状態での損失を生じない。なぜなら開始物質は、ガス分配室の下流側の区画ないしはそこに配置された発泡体に一時的に蓄積されるからである。それは、相応の加熱後にそこで蒸発する。プロセスガス分配室の上流側の区画と下流側の区画の間の分離領域は、拡散プレート又は類似のものを有する必要は無い。分離領域に、２つのガス加熱器の境界のみが延在するようにもできる。
ガス出口面を形成する下流側のガス加熱器は、ガス加熱器の内部を蒸気が凝縮するよりも高い温度で温度制御可能である。プロセスガス分配室のこの冷却可能な領域は、ガス出口面の直ぐ上流側の領域に限定されていれば十分である。２つの外側のガス出口領域の間に、異なる開始物質のための複数のプロセスガス出口領域を配置することもできる。これら複数のガス出口領域は、好適には互いに直接連結されている。

各々が橋状に基板を跨ぐ複数のガス入口部材を互いに前後して配置することにより、１又は複数のガス出口部材に対して基板が移動する間、互いに異なる有機開始物質を上下に重ねて堆積することができる。３つより多い互いに異なる開始物質の各々を、それぞれ直線状の１つのガス入口部材を用いてプロセスチャンバに導入することが可能であり、その場合、ガス状開始物質を搬送するガス流の各々は、２つの補助的なガスのカーテンによって寄り添われる。その補助的ガスは、好適には窒素である。このカーテン状ガス流は、２つの機能を有する。
それらは、中央の蒸気流を熱変動から絶縁する。カーテン状ガス流もまた加熱されているので、開始物質を搬送するガス流は均一な温度勾配を維持する。この中央のガス流の縁領域は、中心領域と同じ温度を有する。従って、ガス出口領域から基板までのフロー行程中に凝縮は生じない。凝縮は、基板表面上で初めて生じる。
カーテン状ガス流の第２の機能は、上述したコリメータ機能である。ガス入口部材における本発明の実施例の更なる利点は、他のガス状開始物質との交互汚染の抑制である。ガス状開始物質の凝縮が、基板の表面以外のプロセスチャンバ内の他の箇所で生じることも効果的に回避される。

本発明の実施形態の例は、以下に示す添付の図面を参照して説明される。

図１は、長尺の基板１と垂直な２つの互いに平行に配置された直線状ガス入口部材２、２’の斜視図である。 図２は、ガス入口部材のラインＩ−Ｉの断面図である。 図３は、図２のラインＩＩＩ−ＩＩＩの断面図である。 図４は、図２のラインＩＶ−ＩＶの断面図である。 図５は、図２の矢視Ｖに対応する正面図である。 図６は、ガス入口部材の切欠き図である。 図７は、図３と同様に示した本発明の第２の実施形態を示す。

冷却されたサセプタ４上に載置された基板１に有機材料を堆積させるためのＰＶＤ装置の本質的要素が図面に示されている。このために、２つのガス入口部材２、２’が、大面積の基板１上に橋状に延在している。基板１は、移動方向Ｂに垂直に延在する２つのガス入口部材２、２’に対し移動方向Ｂに移動する。ガス入口部材２、２’は互いに平行であり、移動方向Ｂにおいて互いに離間している。

ガス入口部材２又は２’は、長尺のハウジングを有し、それらは互いに反対側に向いた２つの端面を有する。それらの端面は、基板の一方の縁と他方の縁に存在するハウジングの小さい側面から形成される。

堆積される基板１の表面に対向するガス入口部材２の面は、直線状の互いに隣接して配置された３つのガス出口領域１４、２７、２８を形成している。ガス出口領域１４、２７、２８は、基板１の幅全体に亘って移動方向Ｂに対して垂直に延在している。中央のガス出口領域１４から第１のガス流ａが流れ、それは、不活性搬送ガス流により搬送される有機開始物質の蒸気を含む。この第１のガス流ａは、第２のガス流ｂ及び第３のガス流ｃによって寄り添われる。第２のガス流ｂ及び第３のガス流ｃは、加熱された不活性ガス流から形成されている。寄り添うガス流ｂ、ｃが出て行くガス出口領域２７、２８は、中央のガス出口領域１４に隣接している。ガス出口領域２７、１４又はガス出口領域２８、１４は、例えばセラミック材料（Ｃｏｇｅｂｉ）である絶縁材料からなる薄い隔壁１２、１３のみによって互いに隔絶されている。

ガス出口領域１４、２７、２８は、導電性発泡体２３、２４、８の表面から形成されている。発泡体２３、２４、８は、ガス入口部材２のハウジングから形成されたチャンバ６、２１、２２内に配置されている。通気多孔性発泡体２３、８、２４は、それらを割り当てられたガス分配室２１、６、２２を全体的に充填している。寄り添う第２及び第３のガス出口領域２７、２８を割り当てられた２つのガス分配室２１、２２の各々は、電気絶縁材料からなる外壁１９、２０及び隔壁１２、１２’の各々により隔絶される一方、２つの区画５、６からなる第１のガス分配室６は２つの隔壁１２、１３により隔絶されている。ガス分配室２１、６、２２の幅全体がガス出口領域１４、２７、２８として利用可能である。

ガス入口部材２のハウジングは、同じく電気絶縁材料からなる上壁１８を有する。この上壁１８を通してガス分配室５、２１、２２へのガス供給が行われる。第１のガス分配室の上流側の区画５は、発泡体７により完全に充填されており、供給管９を通してエアロゾルを供給される。エアロゾルはエアロゾル発生器３１で生成される。これは粉体容器又は液体容器とインジェクタを有し、それを用いて粉体又は液滴が搬送ガス流中に注入される。搬送ガスにより、有機開始物質の固体又は液体の粒子が、ガス分配室の上流側の区画５の発泡体７に供給される。エアロゾルの供給は、ガス出口領域１４の反対側にある孔を通して上壁１８において行われる。

上壁１８にはガス入口孔２５、２６が設けられ、それらを通して不活性ガスがガス分配室２１、２２に、又はその中に配置された発泡体２３、２４に供給される。ガス入口孔２５、２６は、不活性ガスのために供給管３２、３３と接続される。

発泡体７、８、２３、２４は、電気エネルギーにより加熱することができる。このために、各ガス分配室２１、２２又は５、６は、その対向する端面に電極１５、１６、２９、３０を有し、それは閉鎖プレート１７により保持されている。電極１５、１６、２９、３０は、隔壁１２、１３により互いに電気的に絶縁されている。

中央の第１のガス分配室は、２つの区画５、６に分割されている。２つの区画５、６の各々には発泡体７、８がある。区画５、６は、フロー方向において互いに前後に位置し、好適には鉛直方向に互いに上下に位置する。ガス入口側の区画５は気化室を形成する。その中に配置された発泡体７は気化器を形成し、それにより、供給管９を通ってガス入口側の区画５に供給されたエアロゾルが気化される。

ガス出口側の区画６は、電気絶縁材料からなる分離プレート１０によりガス入口側の区画５から隔絶されている。分離プレート１０は、流れに対して抵抗を付与するのでフロー制限器を形成する。それは拡散プレートとすることもできる。分離プレート１０は孔１１を有し、それを通して、気化したガス状開始物質が搬送ガスと共にガス入口側の区画５からガス出口側の区画６へ流れることができる。

ガス出口側の区画６に位置しガス出口孔１４を形成する発泡体８は、ガス入口側の区画５に位置する発泡体７とは別個に加熱されることができる。孔１０を通って入ってきたガス状開始物質がそこで凝縮するようにこのガス出口側の発泡体８を冷却するために、図示しない手段を設けることもできる。ガス出口側の発泡体８の温度を変えることにより、ガス流における開始物質の材料フローを変えることができる。それは、オンオフの切替も可能である。

堆積プロセス中、開始物質の気化温度よりも高い温度で中央のガス出口孔１４からガス状の有機開始物質フローａが出て行く。中央のガス流に寄り添う両縁のガス流ｂ、ｃは、実質的に中央のガス流ａと同じ温度を有することにより、熱絶縁機能を発揮する。両縁のガス流ｂ、ｃは中央のガス流ａに隣接しているので、それらは中央のガス流ａが直線状の移動方向を有するように強制する。従って、ガス入口部材２から出て行く直線状のガス流ａ、ｂ、ｃの拡散は、両縁のガス流ｂ、ｃの外側の領域でのみ生じる。

電極１５、１６、２９、３０は、螺子により発泡体７、８、２３、２４に固定されることができる。発泡体７、８、２３、２４は、ガス入口部材２の全長に亘って隔壁１２、１３、１９、２０、１８により、互いから及び周囲から隔絶されている。

エアロゾルは、平均直径がマイクロメートル領域の固体又は液体の粒子を含む。それらの粒子は、好適には実質的に均一な大きさである。耐熱性の発泡体７、８、２３、２４の温度は、例えばサーモカップル等の温度計測装置を用いて計測される。温度制御が行われる。このために、閉ループ回路が設けられる。

分離プレート１０は、複数の、特に均等に離間した孔１１を有する拡散プレートであり、それによりガス流が均一化される。上述した、ガス分配室のガス出口側の区画６の発泡体８のセル壁への有機開始物質の凝縮によって、ガス出口孔１４と基板１の表面の間のプロセスチャンバ３への安定した蒸気供給が確保できる。

中央のガス流ａに寄り添う両縁のガス流ｂ、ｃは、中央のガス流ａの領域に乱流が形成されることを阻止する。それらはまた、他のガス入口部材からプロセスチャンバに供給される他の有機開始物質が中央のガス流ａに入り込むことを阻止する。従って、複数のガス入口部材２、２’を同じプロセスチャンバ３内に基板１の移動方向Ｂに沿って互いに前後に配置することができ、それらによって互いに異なる有機開始物質が基板１の表面に送られ、そこで凝縮により層を形成する。

エアロゾルは、エアロゾル投与装置を有することもできるエアロゾル発生器３１から窒素を用いてガス分配室５に送ることができる。その際、中央のガス分配室５、６に寄り添う外側のガス分配室２１、２２にも同様に窒素を供給することができる。ガス流は、ガス出口領域２７、１４、２８から均一なガス流が流出するように定量されている。ガス出口領域２７、１４、２８からの平均ガス流出速度は、好適には同じである。

図７は、本発明の第２の実施例による図３と同様の図である。２つのプロセスガス分配室５、５’が設けられている。この実施例によれば、２つのプロセスガス分配室５、５’は、隔壁により２つの区画にそれぞれ分離されていない。しかしながら、この場合も好適には、プロセスガス分配室５、５’におけるプロセスガス出口領域１４、１４’に繋がる部分を蒸気の凝縮温度より低い温度に温度制御することができる。その場合、エアロゾル流が供給孔９、９’に供給されながら、互いに隣接して延在するプロセスガス出口領域１４、１４’からはそれぞれ搬送ガスのみが出て来る。これに対し、２つのプロセスガス分配室５、５’の全体が、供給孔９、９’に供給される有機材料の気化温度より高く加熱される場合、隣接して位置するプロセスガス出口領域１４、１４’の各々からそれぞれプロセスガス流ａ、ａ’が出て来る。２つのプロセスガス分配室５、５’は互いに直接連結されている。これらは、少なくとも非導電性の隔壁により互いに分離されている。プロセスガス分配室５、５’の内部の気化器７は、互いに異なる温度に加熱することができる。特に、プロセスガス出口領域１４、１４’に直接繋がっている気化器の部分を、互いに異なる温度とすることができることにより、プロセスガスを２つのガス出口領域１４、１４’を通って送り出すか、又は、２つのガス出口領域１４、１４’の一方のみを通って送り出すことを可能とする。

別個に加熱されたガス分配室２１、２２から出て来る温度制御ガス流ｂ、ｃが、２つのプロセスガス流ａ、ａ’に寄り添って流れる。

上述した説明は、本願により集約的に包括される発明を説明するためのものであり、少なくとも以下の特徴の組合せにより従来技術をそれぞれさらに進展させる。すなわち：

ガス加熱器が、電気的に絶縁された隔壁１２、１３により互いに隔絶されたガス分配室５、６、５’、６’；２１、２２に配置され電気エネルギーにより加熱可能である導電性の通気多孔性固体により形成され、プロセスガス分配室５、６；５’、６’に配置された通気多孔性固体のうち少なくとも１つのガス入口側の区画５が、供給孔９を通して供給可能な固体又は液体の開始物質のための気化器７を形成していることを特徴とする装置。

ガス加熱器が、導電性の通気多孔性固体、特に発泡体７、８、２３、２４から形成されていることを特徴とする装置。

発泡体７、８、２３、２４が、それらに割り当てられたガス分配室５、６、２１、２２の全体に充填されていることを特徴とする装置。

ガス加熱器７、８、２３、２４の各々が２つの電極１５、１６、２９、３０を割り当てられており、電極１５、１６、２９、３０は、特にガス入口部材２の互いに対向する端面に配置されていることを特徴とする装置。

第１のプロセスガス分配室５、６が、フロー制限器１０により上流側の区画５と下流側の区画６に分離されていることを特徴とする装置。

フロー制限器１０が、孔１１を有するプレートであることを特徴とする装置。

少なくとも２つのプロセスガス分配室５、６；５’、６’が互いに隣接して配置されており、かつ、プロセスガス分配室５、６；５’、６’の少なくとも２つのプロセスガス出口領域１４、１４’の上流側に第２のガス出口領域２２が、下流側に第３のガス出口領域２８が配置されていることを特徴とする装置。

複数の、実質的に同じ構成のガス入口部材２、２’が、基板１の移動方向Ｂにおいて互いに前後に配置され、基板１の移動行程に対して垂直に直線状に延在することを特徴とする装置。

ガス出口領域１４、２７、２８が多孔性固体８、２３、２４の表面から形成されていることを特徴とする装置。

開示された全ての特徴（それ自体もまた互いの組合せにおいても）本発明の本質である。本願の開示には、関係する優先権書類（先願の複写）もまたその全体が、それらの書類の特徴を本願の請求の範囲に組み込む目的も含め、ここに包含される。従属項はその構成により特徴付けられ、従来技術に対する独立した進歩性ある改良であり、特にこれらの請求項に基づく分割出願を行うためである。

１ 基板
２、２’ ガス入口部材
３ プロセスチャンバ
４ サセプタ
５、５’ プロセスガス分配室、上流部分
６、６’ プロセスガス分配室、下流部分
７ 気化器、発泡体
８ 発泡体
９、９’ 供給孔、供給管
１０ フロー制限プレート、分離プレート
１１ 孔
１２、１２’ 隔壁
１３ 隔壁
１４、１４’ プロセスガス出口領域、プロセスガス出口孔
１５ 電極
１６ 電極
１７ 閉鎖プレート
１８ 上壁
１９ 壁
２０ 壁
２１ ガス分配室
２２ ガス分配室
２３ 発泡体
２４ 発泡体
２５ ガス入口孔
２６ ガス入口孔
２７ ガス出口領域
２８ ガス出口領域
２９ 電極
３０ 電極
３１ エアロゾル発生器
３２ 供給管
３３ 供給管
Ｂ 移動方向
ａ プロセスガス流
ａ’ プロセスガス流
ｂ 傾斜ガス流
ｃ 傾斜ガス流

Claims (11)

1. 基板（１）上に層を堆積するための装置であって、堆積時に基板がプロセスチャンバ（３）内でガス入口部材（２）の延在方向に垂直な移動方向（Ｂ）に移動させられ、
   ガス入口部材（２）が、少なくとも１つの開始物質を供給するための供給孔（９、９’）と、開始物質を含むプロセスガス流（ａ、ａ’）の送出のために基板（１）の移動行程の幅全体に亘って延在して基板（１）に対向する第１のプロセスガス出口領域（１４、１４’）と、を具備する少なくとも第１のプロセスガス分配室（５、６；５’、６’）を有し、
   第１のプロセスガス分配室（５、６；５’、６’）が、電気エネルギーにより加熱可能である導電性の通気多孔性固体により形成された第１のガス加熱器を有する、前記装置において、
   第１のガス出口領域（１４）の延在方向と平行に、基板（１）の移動方向（Ｂ）において第１のプロセスガス出口領域（１４）の前方に第２のガス分配室（２１）の第２のガス出口領域（２７）が第２のガス流（ｂ）の送出のために配置されているとともに、基板（１）の移動方向（Ｂ）において第１のプロセスガス出口領域（１４）の後方に第３のガス分配室（２２）の第３のガス出口領域（２８）が第３のガス流（ｃ）の送出のために配置されており、
   第２及び第３のガス出口領域（２７、２８）は第１のプロセスガス出口領域（１４）に隣接して配置され、第２及び第３のガス分配室（２１、２２）は、各々が電気エネルギーにより加熱可能である導電性の通気多孔性固体により形成された第２及び第３のガス加熱器をそれぞれ有し、
   第１、第２及び第３のガス分配室（５、６；５’、６’、２１、２２）は、電気絶縁性の隔壁（１２、１３）により互いに隔絶され、
   エアロゾル発生器（３１）が固体又は液体の開始物質のエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルは、エアロゾル粒子を気化させるために、第１のガス分配室（５、６；５’、６’）におけるガス入口側の、気化器（７）を形成する少なくとも１つの区画（５）へ供給孔（９）を通して流れ、
   不活性ガス源が、第２及び第３のガス分配室（２１、２２）に流入される不活性ガスを供給することを特徴とする装置。
2. ガス加熱器が、発泡体（７、８、２３、２４）から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 発泡体（７、８、２３、２４）が、それらに割り当てられたガス分配室（５、６、２１、２２）の全体に充填されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
4. ガス加熱器（７、８、２３、２４）の各々が２つの電極（１５、１６、２９、３０）を割り当てられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の装置。
5. 電極（１５、１６、２９、３０）は、ガス入口部材（２）の互いに対向する端面に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
6. 第１のプロセスガス分配室（５、６）が、フロー制限器（１０）により上流側の区画（５）と下流側の区画（６）に分離されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
7. フロー制限器（１０）が、孔（１１）を有するプレートであることを特徴とする請求項６に記載の装置。
8. 少なくとも２つのプロセスガス分配室（５、６；５’、６’）が互いに隣接して配置されており、かつ、プロセスガス分配室（５、６；５’、６’）の少なくとも２つのプロセスガス出口領域（１４、１４’）の上流側に第２のガス出口領域（２２）が、下流側に第３のガス出口領域（２８）が配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
9. 複数のガス入口部材（２、２’）が、基板（１）の移動方向（Ｂ）において互いに前後に配置され、基板（１）の移動行程に対して垂直に直線状に延在することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
10. 複数のガス入口部材（２、２’）が実質的に同じ構成であることを特徴とする請求項９に記載の装置。
11. ガス出口領域（１４、２７、２８）が多孔性固体（８、２３、２４）の表面から形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の装置。

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