JP6705927B2 - 電子機器 - Google Patents
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Description
マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。
本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、照明装置または電子機
器の製造方法に関する。特に、電子機器およびそのオペレーティングシステムに関する。
を有する電気光学装置、二次電池を有する情報端末装置などは全て電子機器である。
ば、薄型携帯書籍が特許文献1に記載されている。
作するため、消費電力を極力抑えている。特に電子機器にCPU(Central Pr
ocessing Unit)が含まれている場合、CPUは動作時に多くの電力を消費
するため、CPUの処理は消費電力に大きな影響を与える。
リーを内蔵させればよい。電子機器に大容量のバッテリーを内蔵させると大容量のバッテ
リーは大きく、重量がかさむ問題がある。そこで携帯する電子機器に内蔵できる小型また
は薄型で大容量のバッテリーの開発が進められている。なお、本明細書において、電子機
器に内蔵という定義は、取り外して交換できないように内蔵することは言うまでもなく、
バッテリーパックなどとして自由に取り外しできるものも内蔵と呼ぶ。
小さなスペースに回路やバッテリーなどを収納することとなる。しかし、バッテリーは体
積が小さくなると、容量が小さくなってしまう。
る。
、消費電力と発熱をどう制御するかが、課題の一つとなっている。
できる新規な構造の電子機器を提供する。
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
複数の電源を有する電子機器として、使用する部品のみを選択的に駆動させるオペレーテ
ィングシステムにより、省電力化を図ることができる。
)を有する。
送信部と、電源管理回路とを有する電子機器であり、中央演算処理部は、第1のバッテリ
ーと第1の受信部と第1の送信部とを有し、第1の受信部は、第1のバッテリーに無線充
電することができる機能を有し、表示部は、第2のバッテリーと第2の受信部と第2の送
信部を有し、第2の受信部は、第2のバッテリーに無線充電することができる機能を有し
、タッチ入力部は、第2のバッテリーと電気的に接続され、電源管理回路は、第1のバッ
テリー、または前記第2のバッテリーの一方の電力を、もう一方のバッテリーに無線充電
することができる機能を有する電子機器である。
、電源管理回路とを有する電子機器であり、中央演算処理部は、第1のバッテリーと第1
の受信部と第1の送信部とを有し、第1の受信部は、第1のバッテリーに無線充電するこ
とができる機能を有し、表示部は、第2のバッテリーと第2の受信部と第2の送信部を有
し、第2の受信部は、第2のバッテリーに無線充電することができる機能を有し、タッチ
入力部は、第3のバッテリーと第3の受信部と第3の送信部を有し、電源管理回路は、第
1のバッテリー、第2のバッテリー、または、第3のバッテリーのいずれか一つの電力を
、第1のバッテリー、第2のバッテリーまたは第3のバッテリーのいずれか一つに無線充
電することができる機能を有する電子機器である。
り、少なくとも各バッテリーは、それぞれのレギュレータを介してそれぞれの無線受信部
と電気的に接続される構成とする。
ように制御する回路のことである。レギュレータは、電力負荷の程度などによって、リニ
アレギュレータとスイッチングレギュレータの2種類に分類される。なお、スイッチング
レギュレータはDCDCコンバータとも呼ばれる。
てもよい。また、それぞれのバッテリーの電力量を管理する電源管理回路は、定期的また
は常時にそれぞれのバッテリーの残量データを取得し、電力の調節を適宜行う。
)を有しているデバイスは、その1つの電源をオフ状態にすると全部の機能が停止するが
、電源をつけている状態では、使っていない機能回路があっても待機状態であるので電力
がわずかながらも消費されてしまう。使っていない機能回路があれば、その使っていない
機能回路とバッテリーの電気的接続をオフ状態とし、その分の消費電力を節約することが
できる。
としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。投影型静電容量方式とし
ては、主に駆動方式の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式
を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。指等の検知対象の近接または接触を
検知することができる様々なセンサ(例えば光電変換素子を用いた光学式センサ、感圧素
子を用いた感圧センサ)などを適用することもできる。本明細書では、タッチ入力部は、
表示部を指などで接触させて入力操作することに限定されず、非接触で表示部に指を近づ
けて入力操作することも可能なデバイスを含むこととする。
ぶ)と容量とを備えたアクティブ型のタッチセンサを用いてもよい。特に、アクティブ型
のタッチセンサにOSトランジスタを適用することにより、ノードの電位を長期間に亘っ
て保持することが可能となり、リフレッシュ動作の頻度を減らすことができる。
、制御するオペレーティングシステムにより、使用するバッテリーを決定し、使用しない
バッテリーの電力消費を抑えることで、1回の充電あたりの情報端末の使用可能な時間を
延長することができる。
していない機能に接続されている他のバッテリーから電力を供給するように制御してもよ
い。電子機器内の複数のバッテリーの中から使用する部品に対応するバッテリーを適宜選
択し、それぞれのバッテリーの電力量を調節するオペレーティングシステムにより、使用
する機能の使用可能な時間を延長することができる。また、電源管理回路によって、いず
れかのバッテリーを非常用電源として確保しておけば、電子機器を非常時に使用できるよ
うにすることもできる。例えば、携帯電話などにおいては電源をオンすると表示部を表示
させるため、その表示部を表示する電力がなければ電話を掛けることができない場合があ
る。複数のバッテリーを有する電子機器とし、電源管理回路によって、あるバッテリーを
非常用電源として確保しておき、表示部への電力供給をオフ状態とし、通信機能のみにそ
の非常用電源を使用できるようにしておけば、表示部を表示させることなく通話が可能で
ある。
合、そのバッテリーの配置に制限があり、大型のバッテリーによってデザイン性が損なわ
れる恐れがある。また、小型のバッテリーを分散させて配置すれば、爆発などの危険性を
抑えることができ、大型のバッテリーよりも安全性も高い。
、その表示部は、折り曲げることのできる部分を複数箇所有する電子機器を新規なデバイ
スとして提案できる。その新規なデバイスは、中央演算処理部と、表示部と、タッチ入力
部と、電源管理回路とを有する電子機器であり、表示部は、屈曲可能で、且つ、第1の領
域、第2の領域、第3の領域を有し、第1の領域は、中央演算処理部と重なり、表示部が
展開された状態で、第2の領域と、第1のバッテリーとは、互いに重なる領域を有し、前
記表示部が展開された状態で、第3の領域と、第2のバッテリーとは、互いに重なる領域
を有し、表示部が屈曲された状態で、第1のバッテリーと、第2のバッテリーとは、互い
に重ならない領域を有する電子機器である。
表示部が屈曲された状態(折りたたまれた状態とも呼べる)で第1のバッテリーは、第2
のバッテリーと重ならないように配置すると新規デバイスを薄型にできる。この場合には
、第1のバッテリーのサイズは、第2のバッテリーよりも大きい。
のバッテリーの破損により電子機器の全機能が使用できなくなる。複数の小型のバッテリ
ーを用いる場合、小型のバッテリーの一つが破損しても、すくなくとも一つの小型バッテ
リーが使用できれば、一部の機能が使用できる。このように、部品ごとに小型バッテリー
を設けて複数の小型バッテリーを有する電子機器は、一部が壊れても一部使用できるため
、壊れにくい電子機器を実現できる。
て、他のバッテリーで代用することで電子機器を使用することができる。また、小型のバ
ッテリーの一つの電力量がゼロとなっても電源管理回路によって、他のバッテリーに接続
された送信部から無線充電によって電力を供給して充電し、長時間の使用を可能とするこ
とができる。即ち、互いのバッテリーの電力を相互に供給しうる電源管理回路を有する電
子機器を実現できる。
って充電する回数を調節または使用するバッテリーを適宜選択することによって、バッテ
リーの使用期間を延長させることができる。また、バッテリーの劣化の程度も電源管理回
路によって監視し、そのバッテリーの劣化の程度に合わせて電源管理回路が適宜使用する
バッテリーを選択することによっても電子機器の使用期間を延長させることができる。
無線充電が可能なものを用いることが好ましい。
ンキャパシタ、電気二重層キャパシタ、レドックスキャパシタのいずれか一、または複数
種用いることができる。電子機器は、無線により電力を受電するアンテナと、受電された
電力が機能回路に供給する制御手段とを有している。
する。通信モジュールは、Qi(チー)またはPowermatのような規格に対応する
充電方式を用いてもよい。また、充電する際には、複数のバッテリーに対して同時に充電
するように制御してもよい。また、電子機器に含まれるアンテナは、近距離無線通信機能
実現する通信モジュールを構成してもよい。
るため、使用者が使用したいセンサを選択的に搭載、または脱着を行うことができる。例
えば、腕に装着する電子機器に脈拍センサ、温度センサ、位置情報検出センサ(GPSな
ど)、加速度センサ、及び角速度センサなどが制御できる制御回路と、これらを接続する
ための接続部(接続用ソケット)を設けておけば、使用者が使いたい機能に合わせてセン
サを選択し、そのセンサを電子機器に接続すればよい。この場合、それぞれのセンサに小
型バッテリーとレギュレータを有しており、多くの機能を使用すればするほど多くの小型
バッテリーが接続され、複数の小型バッテリーを有する電子機器となる。
用いると、オフ電流が小さいため、省電力化を図ることができる。特に、OSトランジス
タで制御回路が構成されたレギュレータ(DC−DCコンバータ)は、150℃以上の高
温下でも動作可能である。よって、このような実施形態に係るDC−DCコンバータは、
動作時に温度が上昇する可能性が高い電子機器に好適である。
は、少なくともインジウム(In)または亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にIn
及びZnを含むことが好ましい。また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビラ
イザーを有することが好ましい。スタビライザーとしては、ガリウム(Ga)、スズ(S
n)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)及びアルミニウム(Al)の少なくと
もいずれかを有すればよい。
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種または複数種を有してもよい。
、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、In−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、A
l−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、I
n−Ga系酸化物、In−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−
Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Z
n系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−Zr−Zn
系酸化物、In−Ti−Zn系酸化物、In−Sc−Zn系酸化物、In−Y−Zn系酸
化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化
物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物
、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、
In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、I
n−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物
、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−A
l−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物
等がある。
:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn−Ga−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸
化物を用いるとよい。
結合することによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう
。これにより、トランジスタの閾値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、
酸化物半導体膜の形成後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜か
ら、水素、または水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ま
しい。
素が減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水素化処理
)によって減少してしまった酸素を酸化物半導体に加えることで、脱水化処理(脱水素化
処理)によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理を行
うことが好ましい。本明細書等において、酸化物半導体膜に酸素を供給する場合を、加酸
素化処理と記す場合がある、または酸化物半導体膜に含まれる酸素を化学量論的組成より
も多くする場合を過酸素化処理と記す場合がある。
除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化または
i型に限りなく近く実質的にi型(真性)である酸化物半導体膜とすることができる。な
お、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく(
ゼロに近く)、キャリア密度が1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下、
1×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下であ
ることをいう。
は、極めて優れたオフ電流特性を実現できる。例えば、酸化物半導体膜を用いたトランジ
スタがオフ状態のときのドレイン電流を、室温(25℃程度)にて1×10−18A以下
、好ましくは1×10−21A以下、更に好ましくは1×10−24A以下、または85
℃にて1×10−15A以下、好ましくは1×10−18A以下、更に好ましくは1×1
0−21A以下とすることができる。なお、トランジスタがオフ状態とは、nチャネル型
のトランジスタの場合、ゲート電圧が閾値電圧よりも十分小さい状態をいう。具体的には
、ゲート電圧が閾値電圧よりも1V以上、2V以上または3V以上小さければ、トランジ
スタはオフ状態となる。
えばCAACを有してもよい。なお、CAACを有する酸化物半導体を、CAAC−OS
(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semico
nductor)と呼ぶ。CAAC−OS膜は、c軸配向した複数の結晶部を有する酸化
物半導体膜の一つである。CAAC−OS膜を透過型電子顕微鏡(TEM:Transm
ission Electron Microscope)によってCAAC−OS膜の
明視野像および回折パターンの複合解析像(高分解能TEM像ともいう。)を観察するこ
とで複数の結晶部を確認することができる。一方、高分解能TEM像によっても明確な結
晶部同士の境界、即ち結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することがで
きない。そのため、CAAC−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こり
にくいといえる。試料面と概略平行な方向から、CAAC−OS膜の断面の高分解能TE
M像を観察すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。
金属原子の各層は、CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上
面の凹凸を反映した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列す
る。一方、試料面と概略垂直な方向から、CAAC−OS膜の平面の高分解能TEM像を
観察すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを
確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上10°以下の角度で配置さ
れている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」と
は、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、
85°以上95°以下の場合も含まれる。
、オペレーティングシステムにも特徴を有している。例えば、オペレーティングシステム
は、第1のバッテリーと、第2のバッテリーと、第3のバッテリーと、これらのバッテリ
ーを管理する制御部とを有し、無線を用いて同時に充電を行うことができる。また、オペ
レーティングシステムは、少なくとも複数の電源(二次電池など)と、CPUなどの制御
部とを有し、制御部によって複数の電源の電力を管理する。また、電子機器の制御部は、
1つに限定されず、例えば、複数の電源の数と同じ数設けてもよい。
、第2のバッテリーと、第3のバッテリーと、第1乃至第3のバッテリーを管理する電源
管理回路とを有し、無線を用いて、第1のバッテリーは、第2のバッテリーまたは第3の
バッテリーに電力を供給するオペレーティングシステムである。電源管理回路は、各バッ
テリーの電力量を監視し、ある一つのバッテリーから他のバッテリーに電力を無線で供給
して充電することを自動または使用者の操作によって適宜実行することができる。
るオペレーティングシステムにより、省電力化を図ることができる。また、新規な構造の
電子機器を実現する。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではな
い。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお
、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるもの
であり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能
である。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
本実施の形態では、利便性または信頼性に優れた新規なデバイスとして、屈曲できる箇所
を複数有する表示部を備えた電子機器の一例を図1、図2、図3、図4、図5、図6、図
17、及び図18を用いて説明する。以下に電子機器を構成する個々の要素について説明
する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他
の構成の一部を含む場合がある。
折りたたみ小型化するモードと、表示部を展開した状態とするモードとの2通りを使用者
が手動で適宜使用できる。
、図1(B)は側面(左)を見た時の図であり、図1(C)は使用者が表示部を見る面を
正面とし、その正面をみた時の図であり、図1(D)は側面(右)を見た時の図であり、
図1(E)は背面をみた時の図であり、図1(F)は底面を見た時の図である。
6aともよぶ)と、第2の屈曲された領域(サイドロール部116b)と、それらの間に
主画面が挟まれて配置されている。
長さの長辺の長さに対する比の値の0.9倍以上1.1倍以下であり、例えば短辺の長さ
:長辺の長さはおよそ9:16である。
た筐体10、11、12で構成されており、それぞれの筐体の隙間と、表示部の屈曲でき
る箇所が重なり、その部分で表示部116が屈曲する。図22は、電子機器を折りたたみ
小型化するモードとした時の斜視図である。
り、この部分においては常に屈曲された表示領域となる。表示部の屈曲された領域は、1
0mm以下、好ましくは8mm以下、より好ましくは5mm以下、特に好ましくは4mm
以下の曲率半径で屈曲することができる。
テリーを有している電子機器の場合において、図1(C)中の鎖線A−A’で切断した時
の断面拡大図が図1(G)である。また、図1(G)に示すように、それぞれの筐体内に
はそれぞれバッテリー112、117、153が設けられている。
率半径30mm以上の範囲で変形することができる。表示素子を含む層を挟むフィルムは
、2枚で構成されており、湾曲させた表示パネルの断面構造は、2枚のフィルムの2つの
曲線で挟まれた構造となる。
を切断した平面1701において、曲面1700に含まれる曲線1702の一部を円の弧
に近似して、その円の半径を曲率半径1703とし、円の中心を曲率中心1704とする
。図17(B)に曲面1700の上面図を示す。図17(C)に、平面1701で曲面1
700を切断した断面図を示す。曲面を平面で切断するとき、曲面に対する平面の角度や
切断する位置に応じて、断面に現れる曲線の曲率半径は異なるものとなるが、本明細書等
では、最も小さい曲率半径を面の曲率半径とする。
示パネルの曲率中心1800に近い側のフィルム1801の曲率半径1802は、曲率中
心1800から遠い側のフィルム1803の曲率半径1804よりも小さい(図18(A
))。表示パネルを湾曲させて断面を円弧状とすると曲率中心1800に近いフィルムの
表面には圧縮応力がかかり、曲率中心1800から遠いフィルムの表面には引っ張り応力
がかかる(図18(B))。
することができ、例えば図18(C)に示す形状や、波状(図18(D))、S字形状な
どとすることもできる。表示パネルの曲面が複数の曲率中心を有する形状となる場合は、
複数の曲率中心それぞれにおける曲率半径の中で、最も曲率半径が小さい曲面において、
2枚のフィルムうち、曲率中心に近い方のフィルムの曲率半径が、4mm以上好ましくは
30mm以上となる範囲で表示パネルを変形することができる。
面の表示部116と各バッテリーの配置を示している。バッテリー112とシステム部1
25の間に図2(A)中点線で示した、表示部の曲がる箇所116eが位置する。また、
バッテリー112とバッテリー153の間に図2(A)中に点線で示した、表示部の曲が
る箇所116dが位置する。なお、表示部の曲がる箇所として図2(A)中の点線を直線
で示しているが、折り目を付けることに限定されず、最も曲率半径が小さくなる領域を模
式的に指している。
、CPUを含むシステム部125と電気的に接続している。レギュレータ113は受信回
路または送信回路と接続させてもよい。図2(A)及び図2(B)において各バッテリー
のサイズはほぼ同一の例を示しているが特に限定されず、例えば、消費電力が大きいCP
Uと電気的に接続するバッテリー112を他のバッテリーよりも厚さを厚くし、大きな容
量を有する二次電池を用いる。
は、タッチ入力部及び表示部と電気的に接続している。レギュレータ154は受信回路ま
たは送信回路と接続させてもよい。
含むシステム部125と各部位の位置関係を示している。
部位の位置関係を示している。表示部の曲がる箇所116d、116eにはバッテリーが
重なっておらず、その部分を屈曲させることで電子機器を小型化させている。
2である。図3(A)は電子機器の上面を見た時の図であり、図3(B)は側面(左)を
見た時の図であり、図3(C)は使用者が表示部を見る面を正面とし、その正面をみた時
の図であり、図3(D)は側面(右)を見た時の図であり、図3(E)は背面をみた時の
図であり、図3(F)は底面を見た時の図である。
サイドロール部116aともよぶ)と、屈曲可能な領域(サイドロール部116c)と、
それらの間に主画面が挟まれて配置されている。
長さの長辺の長さに対する比の値の0.9倍以上1.1倍以下であり、例えば短辺の長さ
:長辺の長さはおよそ9:16である。
る第1の画像と、縦の長さの横の長さに対する比の値がおよそ同じである第2の画像を、
展開された状態の表示部の表示領域に収まるように表示することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
4を用いて電気的に接続する例を示す。
子と表示駆動回路の一部と、タッチセンサ152と、センサ駆動回路の一部を有する。ガ
ラス基板上に剥離層を設け、その上にトランジスタ及び発光素子を形成した後、ガラス基
板を除去して第1の可撓性フィルム143に接着させている。また、ガラス基板上に剥離
層を設け、その上にトランジスタ及びタッチセンサ152を形成した後、ガラス基板を除
去して第2の可撓性フィルム144に接着させている。図4の構成では、第2の可撓性フ
ィルム144は、第1の可撓性フィルム143と位置合わせして貼り合わされており、発
光素子の封止材としても機能する。
的に接続され、回路基板140上のコネクタにFPC4が接続されている。バッテリー1
17としては積層型のリチウムイオン二次電池を用いる。FPC4は分岐を有する形状と
なっており、端部が3つあり、一つ目の端部は回路基板140上のコネクタに接続され、
2つ目の端部は、タッチパネルの端子と接続されており、3つ目の端部は、表示部の端子
と接続されている。なお、ここでは1つのFPCを用いる例を示したが、2つ以上のFP
Cを用いて、互いに接続させてもよい。
サ駆動回路の一部と、表示部の駆動回路の一部を含む。タッチセンサ駆動回路と表示部の
駆動回路で一部を共通する回路を用いてもよい。また、表示部への映像信号などは、FP
C5の先に接続されている回路から供給する、或いはFPC5の先に受信回路を設け、無
線通信を用いて表示部への映像信号を供給してもよい。また、タッチセンサの入力信号は
、FPC5の先に接続されている回路に供給する、或いはFPC5の先に送信回路を設け
、無線通信を用いてCPUなどにタッチセンサの入力信号を供給してもよい。
か所以上で屈曲させてもよい。図5(A)、図5(B)、及び図5(C)は、4か所で屈
曲させる電子機器の例を示している。表示部の曲がる箇所116g、116fをさらに設
けることによって表示部の表示面積を広くすることができる。また、図5(B)には、図
5(A)の断面を示しており、電子機器の展開時において、CPUを含むシステム部12
5と各部位の位置関係を示している。図5(C)は、電子機器を屈曲させた場合において
、CPUを含むシステム部125と各部位の位置関係を示している。表示部の曲がる箇所
116d、116e、116f、116gにはバッテリーが重なっておらず、その部分を
屈曲させることで電子機器を小型化させている。図5に示す電子機器においては、展開時
に使用者が両手で電子機器を持つ場合、表示部の両端部にそれぞれバッテリーが配置され
ているため、持ちやすいバッテリー配置になっているともいえる。
に示す2つのバッテリーを有し、表示部を屈曲させて小型化できる電子機器を指している
。
1と、電源管理回路127を有する。制御モジュール115は、デバイス110全体の制
御と、通信や、表示部116への情報の表示を制御するコントローラである。
受信部114、及び無線送信部128を有する。
、レギュレータ118、タッチセンサ152、センサ駆動回路159、折り曲げ位置セン
サ160、無線受信部120、及び無線送信部129を有する。
表示領域の画像の表示を行わないようにして消費電力の低減を図ることができる。本明細
書において画像は、文字や記号等の視覚を用いて知覚しうる情報を含むものとする。折り
曲げ位置センサ160は、表示部が折り曲げられた位置を検知して折り曲げ位置情報を供
給することができる。例えば、折り曲げられる位置があらかじめ定められている場合は、
センサをその場所に配置する。折り曲げられる位置が複数ある場合は、複数のセンサをラ
イン状、マトリクス状に配置することにより、折り曲げられた位置の座標と特定すること
ができる。折り曲げ位置センサ160を、例えば表示領域の外周に沿って設けることがで
きる。折り曲げ位置センサ160は、例えばスイッチ、MEMS圧力センサまたは感圧セ
ンサ等を用いて構成することができる。
る動作に伴い開閉するように表示部に配置してもよい。
圧電素子を表示部に貼りつけて用いることができる。感圧センサを用いて、折り曲げ動作
に伴う圧力の上昇を検知することにより、折り曲げ位置を知ることができる。
酸を含む圧電フィルム、ポリビニリデンフルオライドを含む圧電フィルム、ポリエステル
を含む圧電フィルムまたはキラル高分子を含む圧電フィルム等を有するフィルム状の圧電
素子を用いることができる。
い。
を境に二つに分けて利用でき、一方の表示領域に表示する画像を選択することができる。
または、表示領域の折り曲げられた状態に応じて、一つまたは複数の画像を選択して表示
することができる。一の表示領域を、折り曲げられた部分を境に二つに分けて利用するた
めには、表示駆動回路119によって表示部116表示領域が分割駆動できる構成とする
ことが好ましい。
れた部分を境に二つに分けて利用でき、一方のタッチ入力領域を無効とすることもできる
。タッチ入力領域とはタッチセンサで検出可能な領域を指しており、表示領域とほぼ同じ
サイズを有する。タッチ入力領域を、折り曲げられた部分を境に二つに分けて利用するた
めには、センサ駆動回路159によってタッチセンサ152のタッチ入力領域が分割駆動
できる構成とすることが好ましい。
表示領域の画像の表示を行わないようにして消費電力の低減を図り、表示を行わない領域
のタッチセンサの検出を無効として誤動作を防止できる。
るようにする。具体的には、酸化物半導体層を用いるトランジスタと有機EL素子を有す
るフィルム基板と、酸化物半導体層を用いるトランジスタを用いるタッチセンサを有する
封止基板とを貼り合わせた表示パネルを用いる。本実施の形態では、表示部の一部を屈曲
させるため、封止基板もフレキシブルな材料を用いることが好ましい。
一部と表示駆動回路119の少なくとも一部を含むようにして実装する部品点数を削減し
てもよい。
生成し、供給する。また、バッテリーへの充電時には、レギュレータは過充電などを防止
することもできる。また、図6では、一つのレギュレータに無線受信部及び無線送信部が
接続されている例を示しているが、無線受信部用のレギュレータと、無線送信部用のレギ
ュレータと別々に接続してもよい。
しうる。また、電源管理回路127は、バッテリー112、117の電力量を監視し、あ
る一つのバッテリーから他のバッテリーに電力を無線で供給して充電することを自動また
は使用者の操作によって適宜実行することができる。または、電源管理回路127は、バ
ッテリー112、117の電力量を監視し、複数のバッテリーのうち、一つから他の一つ
に電力を無線で供給して充電することを自動または使用者の操作によって適宜実行するこ
とができる。
することができる。使用するモジュールのみを選択的に駆動させるオペレーティングシス
テムにより、デバイス110の省電力化を図ることができる。
して表示部116で静止画を表示させた後、静止画を表示させたまま制御モジュール11
5をオフ状態としても、表示モジュール121のみをオン状態として静止画を表示し続け
ることができる。なお、表示部116のトランジスタがオフ電流の低い酸化物半導体層(
例えばIn、Ga、及びZnを含む酸化物材料など)を用いる、または画素ごとにメモリ
を有する構成とすれば、静止画表示後にバッテリー117からの電力供給を遮断しても一
定時間の間であれば、静止画を表示しつづけることもできる。
送信部、無線受信部を有する例を示したが、特に限定されず、それぞれのバッテリーを直
列または並列に接続する構成としてもよく、その場合には、電子機器に非接触で充電する
ための受信回路(無線充電用のアンテナを含む)を少なくとも有し、レギュレータを介し
ていずれか一のバッテリーと電気的に接続させればよい。
バイス110とは、図20に示す少なくとも3つのバッテリーを有し、表示部を屈曲させ
て小型化できる電子機器を指している。
1と、タッチ入力部156と、電源管理回路127を有する。制御モジュール115は、
デバイス110全体の制御と、通信や、表示部116への情報の表示を制御するコントロ
ーラである。
受信部114、及び無線送信部128を有する。
、レギュレータ118、無線受信部120、及び無線送信部129を有する。
54、無線受信部155、及び無線送信部150を有する。
るようにする。具体的には、酸化物半導体層を用いるトランジスタと有機EL素子を有す
る基板と、酸化物半導体層を用いるトランジスタを用いるタッチセンサを有する封止基板
とを貼り合わせた表示パネルを用いる。本実施の形態では、表示部の一部を屈曲させるた
め、封止基板もフレキシブルな材料を用いることが好ましい。本実施の形態では、有機E
L素子に電力を供給するFPCは、タッチセンサに電力を供給するFPCは別々のものを
用い、別々のバッテリーに接続する例を示している。
能である。タッチ入力部156としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネル
を表示部116に重ねて配置することもできる。
生成し、供給する。また、バッテリーへの充電時には、レギュレータは過充電などを防止
することもできる。また、図23では、一つのレギュレータに無線受信部及び無線送信部
が接続されている例を示しているが、無線受信部用のレギュレータと、無線送信部用のレ
ギュレータと別々に接続してもよい。
しうる。また、電源管理回路127は、バッテリー112、117、153の電力量を監
視し、ある一つのバッテリーから他のバッテリーに電力を無線で供給して充電することを
自動または使用者の操作によって適宜実行することができる。または、電源管理回路12
7は、バッテリー112、117、153の電力量を監視し、複数のバッテリーのうち、
一つから他の一つに電力を無線で供給して充電することを自動または使用者の操作によっ
て適宜実行することができる。
することができる。使用するモジュールのみを選択的に駆動させるオペレーティングシス
テムにより、デバイス110の省電力化を図ることができる。
6への電力を遮断し、バッテリー117を使わないオフ状態とし、タッチ入力部156及
び制御モジュール115をオン状態とする。再度、画面表示させたいときは、画面にタッ
チすることで表示画面をオン状態とすることができる。
して表示部116で静止画を表示させた後、静止画を表示させたまま制御モジュール11
5をオフ状態としても、表示モジュール121のみをオン状態として静止画を表示し続け
ることができる。なお、表示部116のトランジスタがオフ電流の低い酸化物半導体層(
例えばIn、Ga、及びZnを含む酸化物材料など)を用いる、または画素ごとにメモリ
を有する構成とすれば、静止画表示後にバッテリー117からの電力供給を遮断しても一
定時間の間であれば、静止画を表示しつづけることもできる。
力部156がそれぞれバッテリーを有する例を示したが、特に合計3つのバッテリーに限
定されず、さらに機能モジュール及びそのバッテリーを加えて4つ以上のバッテリーを有
する電子機器としてもよい。
力部156がそれぞれ無線送信部、無線受信部を有する例を示したが、特に限定されず、
それぞれのバッテリーを直列または並列に接続する構成としてもよく、その場合には、電
子機器に非接触で充電するための受信回路(無線充電用のアンテナを含む)を少なくとも
有し、レギュレータを介していずれか一のバッテリーと電気的に接続させればよい。
ができる。また、電子機器は、電話などの行える近距離無線通信機能を実現する通信モジ
ュールを搭載してもよい。その場合、通信モジュールも同様にバッテリーを有する構造と
してもよい。また、他の機能を搭載してもよく、例えば、センサ(力、変位、位置、速度
、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、
電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定す
る機能を含むもの)、マイクロフォン等を設けてもよい。
Bデバイスを接続するコネクタ部などを設けてもよい。
ごとにバッテリーを設け、電源管理回路127によって管理される複数のバッテリーを有
する電子機器とする。複数のバッテリーを有する電子機器として、使用する機能のみを選
択的に駆動させるオペレーティングシステムにより、省電力化を図ることができる。また
、電源管理回路127は、各バッテリーの電力量を監視し、ある一つのバッテリーから他
のバッテリーに電力を無線で供給して充電することを自動または使用者の操作によって適
宜実行することができる。電子機器内の複数のバッテリーの中から使用する部品に対応す
るバッテリーを適宜選択し、それぞれのバッテリーの電力量を調節するオペレーティング
システムにより、使用する機能の使用可能な時間を延長することができる。
、複数のバッテリーに対して同時に充電するように制御することができる。また、送受信
部を有し、電源管理回路によって電力量を調整できるため、互いのバッテリーの電力を相
互に供給しうる。
本実施の形態では、実施の形態1と一部異なる例を図7に示す。なお、図2と同一の箇所
には同一の符号を用い、その同一の箇所の詳細な説明は省略することとする。
7(A)に示すように、実施の形態1とはバッテリーのサイズと配置を異ならせる例を示
す。表示部116の表示領域のサイズは約5.9インチである。
面の表示部116と各バッテリーの配置を示している。バッテリー112とバッテリー7
53の間に図7(A)中点線で示した、表示部の曲がる箇所116dが位置する。
、CPUを含むシステム部125と電気的に接続している。レギュレータ113は受信回
路または送信回路と接続させてもよい。
は、タッチ入力部と電気的に接続している。さらに、レギュレータ754は、表示部11
6の駆動回路と電気的に接続している。レギュレータ754は受信回路または送信回路と
接続させてもよい。
含むシステム部125と各部位の位置関係を示している。
部位の位置関係を示している。電子機器を屈曲させた場合において、バッテリー112は
、バッテリー753と重ならないように配置されている。このように小型化させることで
、実施の形態1に比べて小型化させたときの電子機器の厚さを薄くすることができる。表
示部の曲がる箇所116d、116eにはバッテリーが重なっておらず、その部分を屈曲
させることで電子機器を小型化させている。
のものを用いることに限定されない。例えば、図24(A)に示すように、2つのバッテ
リーのサイズと配置を異ならせる例を示す。表示部116の表示領域のサイズは約5.9
インチである。
い裏面の表示部116と各バッテリーの配置を示している。バッテリー112とバッテリ
ー717の間に図24(A)中点線で示した、表示部の曲がる箇所116eが位置する。
また、バッテリー717とバッテリー753の間に図24(A)中点線で示した、表示部
の曲がる箇所116dが位置する。
、CPUを含むシステム部125と電気的に接続している。レギュレータ113は受信回
路または送信回路と接続させてもよい。
は、表示部116の駆動回路と電気的に接続している。レギュレータ718は受信回路ま
たは送信回路と接続させてもよい。
は、タッチ入力部と電気的に接続している。レギュレータ754は受信回路または送信回
路と接続させてもよい。
Uを含むシステム部125と各部位の位置関係を示している。
各部位の位置関係を示している。電子機器を屈曲させた場合において、バッテリー112
は、バッテリー717及びバッテリー753と重なるが、バッテリー717とバッテリー
753は重ならないように配置されている。このように小型化させることで、実施の形態
1に比べて小型化させたときの電子機器の厚さを薄くすることができる。表示部の曲がる
箇所116d、116eにはバッテリーが重なっておらず、その部分を屈曲させることで
電子機器を小型化させている。
実施の形態1では、第1の可撓性フィルム143及び第2の可撓性フィルム144を用い
た表示部を示しており、本実施の形態では、剥離法を用いて可撓性を有する表示パネルを
作製する例を示す。本実施の形態では剥離層を用いて作製する例を以下に示す。
成する(図8(A))。また、作製基板221上に剥離層223を形成し、剥離層223
上に被剥離層225を形成する(図8(B))。
、タングステン膜と被剥離層の間に酸化タングステン膜を形成することができる。N2O
プラズマ処理を行い、酸化タングステン膜を形成することで、小さい力で被剥離層を剥離
することができる。このとき、タングステン膜と酸化タングステン膜の界面で分離するこ
とで、被剥離層側に酸化タングステン膜が残存する場合がある。そして、酸化タングステ
ン膜が残存することで、トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことがある。したがって、
剥離層と被剥離層の分離工程の後に、酸化タングステン膜を除去する工程を有することが
好ましい。
膜を用いる。
するように、接合層207及び枠状の接合層211を用いて貼り合わせ、接合層207及
び枠状の接合層211を硬化させる(図8(C))。ここでは、被剥離層225上に枠状
の接合層211と、枠状の接合層211の内側の接合層207とを設けた後、作製基板2
01と作製基板221とを、対向させ、貼り合わせる。
い。
、図8(D)に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
なるように配置する。そして、接合層207の端部は、剥離層203又は剥離層223の
少なくとも一方(先に剥離したい方)の端部よりも内側に位置することが好ましい。これ
により、作製基板201と作製基板221が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程
の歩留まりが低下することを抑制できる。
る場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基
板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を
作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離して
もよい。ここでは、作製基板201を先に剥離する例を示す。
05と、剥離層203とが重なる領域に対して照射する。ここでは、接合層207が硬化
状態であり、枠状の接合層211が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接合層2
07にレーザ光を照射する(図9(A)の矢印P3参照)。
囲った領域参照)。このとき、被剥離層205だけでなく、剥離層203、接合層207
の一部を除去してもよい。
203と剥離層223が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層205及び
被剥離層225のうち被剥離層205のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板
201及び剥離層203を剥離することができる(図9(B)の点線で囲った領域参照)
。
被剥離層205と剥離層223側の被剥離層225の両方に剥離の起点を形成してしまう
と、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方
の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合があ
る。
(C)、(D))。これにより、被剥離層205を作製基板201から作製基板221に
転置することができる。
接合層233を用いて貼り合わせ、接合層233を硬化させる(図10(A))。
)。
、接合層233、及び被剥離層225に切り込みを入れてもよい(図10(B)の矢印P
5参照)。これにより、被剥離層225の一部を除去し、剥離の起点を形成できる(図1
0(C)の点線で囲った領域参照)。
によって貼り合わされている場合、作製基板221と基板231の密着性の高さにより、
後の剥離工程で剥離が行われない箇所が発生し、歩留まりが低下することがある。したが
って、硬化状態の接合層233と剥離層223とが重なる領域に枠状に切り込みを入れ、
実線状に剥離の起点を形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高め
ることができる。
0(D))。これにより、被剥離層225を作製基板221から基板231に転置するこ
とができる。
1と被剥離層225とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層223と被剥離
層225の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静
電気が、被剥離層225に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと(半導体素子が静電気
により破壊されるなど)を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよ
い。液体としては、純水や有機溶剤などを用いることができ、中性、アルカリ性、もしく
は酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。
剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程
の歩留まりを向上させることができる。
離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。
下に説明する。
装置の一例を示す。本実施の形態のフレキシブルな発光装置は、例えば、曲率半径1mm
以上150mm以下で曲げることができる。曲げる方向は問わない。また、曲げる箇所は
1か所であっても2か所以上であってもよく、例えば、発光装置を二つ折りや三つ折りに
することができる。
1の可撓性基板及び該第2の可撓性基板の間の発光素子と、該第1の可撓性基板及び該発
光素子の間の第1の絶縁層と、該第2の可撓性基板及び該発光素子の間の第1の接合層と
、を有し、該発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、該第1の
絶縁層の水蒸気透過率は1×10−5g/m2・day未満である。
し、該第2の絶縁層の水蒸気透過率は1×10−5g/m2・day未満であることが好
ましい。また、上記発光装置において、該第1の接合層を囲う枠状の第2の接合層を有す
ることが好ましい。
光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carr
ier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によ
りIC(集積回路)が直接実装されたモジュールは、発光装置に含まれる場合がある。さ
らに、照明器具等も、発光装置に含まれる場合がある。
図11(A1)に発光装置の平面図を示し、図11(B)に、図11(A1)の一点鎖線
X3−Y3間の断面図を示す。図11(B)に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトッ
プエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、R(
赤)、G(緑)、B(青)の3色の発光ユニットで1つの色を表現する構成や、R(赤)
、G(緑)、B(青)、W(白)の4色の発光ユニットで1つの色を表現する構成等が適
用できる。色要素としては特に限定はなく、RGBW以外の色を用いてもよく、例えば、
イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。
ible Printed Circuit)495を有する。発光部491及び駆動回
路部493に含まれる有機EL素子やトランジスタは可撓性基板420、可撓性基板42
8、枠状の接合層404、及び接合層407によって封止されている。図11(B)では
、枠状の接合層404の開口部において、導電層457と接続体497が接続している例
を示す。
ンジスタ455、絶縁層463、絶縁層465、絶縁層405、有機EL素子450(第
1の電極401、EL層402、及び第2の電極403)、枠状の接合層404、接合層
407、可撓性基板428、及び導電層457を有する。可撓性基板428、接合層40
7、及び第2の電極403は可視光を透過する。
て可撓性基板420上にトランジスタ455及び有機EL素子450が設けられている。
有機EL素子450は、絶縁層465上の第1の電極401と、第1の電極401上のE
L層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第1の電極401は、ト
ランジスタ455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極4
01は可視光を反射することが好ましい。第1の電極401の端部は絶縁層405で覆わ
れている。
が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。
ート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層457を、トランジ
スタを構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
る。また、絶縁層465は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。
。これにより、外部から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって
、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
れる。したがって、接合層407は、枠状の接合層404に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、接合層407は、枠状の接合層404に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、接合層407は、枠状の接合層404に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。
できる。上述した剥離方法において、絶縁層424や各トランジスタを被剥離層として作
製基板上に形成することで、絶縁層424やトランジスタを高温で形成することができる
。高温をかけて形成した絶縁層424やトランジスタを用いることで、信頼性の高い発光
装置を実現できる。なお、被剥離層として、さらに有機EL素子450等を形成してもよ
い。
図11(A2)に発光装置の平面図を示し、図11(C)に、図11(A2)の一点鎖線
X4−Y4間の断面図を示す。図11(C)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用い
たボトムエミッション型の発光装置である。
ンジスタ454、トランジスタ455、絶縁層463、着色層432、絶縁層465、導
電層435、絶縁層467、絶縁層405、有機EL素子450(第1の電極401、E
L層402、及び第2の電極403)、接合層407、可撓性基板428、及び導電層4
57を有する。可撓性基板420、接着層422、絶縁層424、絶縁層463、絶縁層
465、絶縁層467、及び第1の電極401は可視光を透過する。
て可撓性基板420上にスイッチング用のトランジスタ454、電流制御用のトランジス
タ455、及び有機EL素子450が設けられている。有機EL素子450は、絶縁層4
67上の第1の電極401と、第1の電極401上のEL層402と、EL層402上の
第2の電極403とを有する。第1の電極401は、導電層435を介してトランジスタ
455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極401の端部
は絶縁層405で覆われている。第2の電極403は可視光を反射することが好ましい。
また、発光装置は、絶縁層463上に有機EL素子450と重なる着色層432を有する
。
が有するトランジスタのうち、2つのトランジスタを示している。
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層457を、導電層435と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
る。また、絶縁層465及び絶縁層467は、トランジスタや配線起因の表面凹凸を低減
するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。
い。タッチセンサは、導電層441、導電層442、絶縁層443を有している。また、
図12(B)に示すように、可撓性基板420とタッチセンサの間に、可撓性基板444
を設けてもよい。なお、タッチセンサは、可撓性基板420と可撓性基板444との間に
設けてもよい。タッチセンサ用のFPC445を有していてもよい。
できる。上述した剥離方法において、絶縁層424や各トランジスタを被剥離層として作
製基板上に形成することで、絶縁層424やトランジスタを高温で形成することができる
。高温をかけて形成した絶縁層424やトランジスタを用いることで、信頼性の高い発光
装置を実現できる。なお、被剥離層として、さらに有機EL素子450等を形成してもよ
い。
図13(A1)に発光装置の平面図を示し、図13(B)に、図13(A1)の一点鎖線
X5−Y5間の断面図を示す。図13(A1)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用
いたトップエミッション型の発光装置である。
ンジスタ455、絶縁層463、絶縁層465、絶縁層405、スペーサ496、有機E
L素子450(第1の電極401、EL層402、及び第2の電極403)、接合層40
7、オーバーコート453、遮光層431、着色層432、絶縁層226、接着層426
、可撓性基板428、及び導電層457を有する。可撓性基板428、接着層426、絶
縁層226、接合層407、オーバーコート453、及び第2の電極403は可視光を透
過する。
て可撓性基板420上にトランジスタ455及び有機EL素子450が設けられている。
有機EL素子450は、絶縁層465上の第1の電極401と、第1の電極401上のE
L層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第1の電極401は、ト
ランジスタ455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極4
01の端部は絶縁層405で覆われている。第1の電極401は可視光を反射することが
好ましい。絶縁層405上には、スペーサ496を有する。スペーサ496を設けること
で、可撓性基板420と可撓性基板428の間隔を調整することができる。
し、接合層407を介して絶縁層405と重なる遮光層431を有する。
が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層457を、トランジスタ455を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。
97は、可撓性基板428、接着層426、絶縁層226、接合層407、絶縁層465
、及び絶縁層463に設けられた開口を介して導電層457と接続している。また、接続
体497はFPC495に接続している。接続体497を介してFPC495と導電層4
57は電気的に接続する。導電層457と可撓性基板428とが重なる場合には、可撓性
基板428を開口する(又は開口部を有する可撓性基板を用いる)ことで、導電層457
、接続体497、及びFPC495を電気的に接続させることができる。
から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。同様に、絶縁層226は、ガス
バリア性が高いことが好ましい。これにより、可撓性基板428側から水分や酸素が発光
装置に侵入することを抑制できる。
できる。上述した剥離方法では、作製基板上に、絶縁層424や各トランジスタ、有機E
L素子450等を被剥離層として形成する。そして、別の作製基板上に、被剥離層として
、絶縁層226や着色層432、遮光層431等を被剥離層として形成する。この2つの
作製基板を貼り合わせた後、被剥離層と作製基板を分離し、被剥離層と可撓性基板を接着
層で貼り合わせることで、構成例3として示す発光装置を作製できる。
とができる。高温をかけて形成した絶縁層424、絶縁層226及びトランジスタを用い
ることで、信頼性の高い発光装置を実現できる。有機EL素子450の上下に高温で形成
したガスバリア性の高い絶縁層(絶縁層226及び絶縁層424)を配置することができ
る。これにより、有機EL素子450に水分等の不純物が混入することを抑制できる。
図13(A2)に発光装置の平面図を示し、図13(C)に、図13(A2)の一点鎖線
X6−Y6間の断面図を示す。図13(A2)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用
いたトップエミッション型の発光装置である。
ンジスタ455、絶縁層463、絶縁層465、絶縁層405、有機EL素子450(第
1の電極401、EL層402、及び第2の電極403)、枠状の接合層404a、枠状
の接合層404b、接合層407、オーバーコート453、遮光層431、着色層432
、絶縁層226、接着層426、可撓性基板428、及び導電層457を有する。可撓性
基板428、接着層426、絶縁層226、接合層407、オーバーコート453、及び
第2の電極403は可視光を透過する。
て可撓性基板420上にトランジスタ455及び有機EL素子450が設けられている。
有機EL素子450は、絶縁層465上の第1の電極401と、第1の電極401上のE
L層402と、EL層402上の第2の電極403とを有する。第1の電極401は、ト
ランジスタ455のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第1の電極4
01の端部は絶縁層405で覆われている。第1の電極401は可視光を反射することが
好ましい。また、発光装置は、接合層407を介して有機EL素子450と重なる着色層
432を有し、接合層407を介して絶縁層405と重なる遮光層431を有する。
が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。本実施の形態では、駆
動回路部493が枠状の接合層404a、bの内側に位置する例を示すが、一方又は両方
の外側に位置していてもよい。
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC495を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層457を、トランジスタ455を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。絶縁層226上の接続体497は導電層457と接続して
いる。また、接続体497はFPC495に接続している。接続体497を介してFPC
495と導電層457は電気的に接続する。
97の接続部、及び接続体497と導電層457の接続部において、水分等が侵入しやす
い場合でも、有機EL素子450に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、好ましい
。
異なる。絶縁層465の材料としてガスバリア性の低い有機絶縁材料等を用いる場合、絶
縁層465が発光装置の側面に露出しないことが好ましい。そして、ガスバリア性の高い
枠状の接合層が発光装置の側面に位置することで、発光装置の信頼性を高めることができ
るため好ましい。なお、絶縁層465の材料等によっては、図13(B)に示すように、
発光装置の端部に絶縁層465が露出していてもよい。
ア性が高いことが好ましい。これにより、発光装置の側面から水分や酸素が発光装置に侵
入することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
気透過率が最も低い層を枠状の接合層404aとし、枠状の接合層404bに水分を吸着
する乾燥剤等を含むことで、枠状の接合層404aで水分の侵入を抑制し、枠状の接合層
404aを通過してしまった水分を枠状の接合層404bで吸着することで、接合層40
7、さらには有機EL素子450に水分が侵入することを特に抑制できる。
れる。したがって、接合層407は、枠状の接合層404aや枠状の接合層404bに比
べて透光性が高いことが好ましい。また、接合層407は、枠状の接合層404aや枠状
の接合層404bに比べて屈折率が高いことが好ましい。また、接合層407は、枠状の
接合層404aや枠状の接合層404bに比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが好ま
しい。
できる。上述した剥離方法では、作製基板上に、絶縁層424や各トランジスタ、有機E
L素子450等を被剥離層として形成する。そして、別の作製基板上に、被剥離層として
、絶縁層226や着色層432、遮光層431等を被剥離層として形成する。この2つの
作製基板を貼り合わせた後、被剥離層と作製基板を分離し、被剥離層と可撓性基板を接着
層で貼り合わせることで、構成例4として示す発光装置を作製できる。
る。高温をかけて形成した絶縁層424、絶縁層226及びトランジスタを用いることで
、信頼性の高い発光装置を実現できる。有機EL素子450の上下に高温で形成したガス
バリア性の高い絶縁層(絶縁層226及び絶縁層424)を配置することができる。これ
により、有機EL素子450に水分等の不純物が混入することを抑制できる。
によって、発光装置の表面(表示面)、裏面(表示面と対向する面)、及び側面から、水
分等の不純物が有機EL素子450に侵入することを抑制できる。したがって、発光装置
の信頼性を高めることができる。
の一態様は、これに限定されない。
クティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用い
ることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図14および図15を
参照しながら説明する。
力装置500が備える検知ユニット20Uの構成を説明する投影図である。
面図である。
本実施の形態で説明する入出力装置500は、可視光を透過する窓部14を具備し且つマ
トリクス状に配設される複数の検知ユニット20U、行方向(図中に矢印Rで示す)に配
置される複数の検知ユニット20Uと電気的に接続する走査線G1、列方向(図中に矢印
Cで示す)に配置される複数の検知ユニット20Uと電気的に接続する信号線DLならび
に、検知ユニット20U、走査線G1および信号線DLを支持する可撓性の第1の基材1
6を備える可撓性の入力装置100と、窓部14に重なり且つマトリクス状に配設される
複数の画素502および画素502を支持する可撓性の第2の基材510を備える表示部
501と、を有する(図14(A)乃至図14(C)参照)。
れる検知回路19を備える(図14(B)参照)。
を備える(図15(A)参照)。
ATAを供給する。
することができ、検知回路19は、複数の窓部14の間隙に重なるように配置される。
ット20Uの窓部14と重なる画素502の間に、着色層を備える。
ユニット20Uを複数備える可撓性の入力装置100と、窓部14に重なる画素502を
複数備える可撓性の表示部501と、を有し、窓部14と画素502の間に着色層を含ん
で構成される。
トの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示
すること、ならびに曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
入出力装置を提供することができる。
/および画像情報を含む信号を表示部501に供給するFPC2を備えていてもよい。
装置500が反射する外光の強度を弱める反射防止層567pを備えていてもよい。
503g、信号を供給する配線511およびFPC2と電気的に接続される端子519を
有する。
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。
0であるとともにカラーフィルタでもある。
100であるとともに表示部501でもある。
14(A)参照)。
持する可撓性の基材16を備える。例えば、40行15列のマトリクス状に複数の検知ユ
ニット20Uを可撓性の基材16に配設する。
過する着色層CFB、緑色の光を透過する着色層CFGまたは赤色の光を透過する着色層
CFRを備える(図14(B)参照)。
光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。
しにくい。
の層BMに用いることができる。
配線VRESならびに検知回路19を備える。
る。
第2の電極22の間に絶縁層23を有する(図15(A)参照)。
力装置500の使用者に第1の電極21が識別されないように、第1の電極21と同一の
工程で作製することができる層を第1の電極21に近接して配置する構成が好ましい。よ
り好ましくは、第1の電極21および第1の電極21に近接して配置する層の間隙に配置
する窓部14の数をできるだけ少なくするとよい。特に、当該間隙に窓部14を配置しな
い構成が好ましい。
の間に絶縁層23を備える。
異なる誘電率を有するものが近づくと、検知素子Cの容量が変化する。具体的には、指な
どのものが検知素子Cに近づくと、検知素子Cの容量が変化する。これにより、近接検知
器に用いることができる。
極22の間隔が狭くなると、検知素子Cの容量は大きくなる。これにより、接触検知器に
用いることができる。
隔が狭くなる。これにより、検知素子Cの容量は大きくなる。これにより、屈曲検知器に
用いることができる。
電極21および第2の電極22に用いることができる。
、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合
金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
また、検知回路19は電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、配線VPI、
配線CS、走査線G1、配線RES、配線VRESおよび信号線DLなどを含む。なお、
検知回路19の具体的な構成は実施の形態5で詳細に説明する。
重ならない領域に配線を配置することにより、検知ユニット20Uの一方の側から他方の
側にあるものを視認し易くできる。
ジスタM3に用いることができる。
物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウ
ムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
詳細に説明する。
用いることができる。具体的には、第1の電極21および第2の電極22に用いることが
できる材料と同一の材料を適用できる。
鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査線
G1、信号線DL、配線VPI、配線RESおよび配線VRESに用いることができる。
6に用いることができる。
μm以上170μm以下、より好ましくは5μm以上45μm以下、より好ましくは5μ
m以上45μm以下、より好ましくは8μm以上25μm以下の厚さを有する材料を、基
材16に用いることができる。
水蒸気の透過率が10−5g/m2・day以下、好ましくは10−6g/m2・day
以下である材料を好適に用いることができる。
できる。例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、好ましくは5×10−5/K以下、
より好ましくは1×10−5/K以下である材料を好適に用いることができる。
いることができる。
、基材16に用いることができる。
等に貼り合せて形成された複合材料を、基材16に用いることができる。
に分散した複合材料を、基材16に用いることができる。
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。
ス等を用いることができる。
る。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。
樹脂を用いることができる。
bおよびバリア膜16aを貼り合わせる樹脂層16cと、が積層された積層体を基材16
に好適に用いることができる(図15(A)参照)。
た積層材料を含む膜を、バリア膜16aに用いることができる。
0nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪素膜および厚さ100nmの酸化
窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜16aに用いることがで
きる。
クリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材16bに用いることができる
。
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂を含む材料を樹脂層16cに用いることができる。
えることができる。可撓性の保護基材17または保護層17pは傷の発生を防いで入力装
置100を保護する。
しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を保護基材17に用いるこ
とができる。
。具体的には、UV硬化樹脂または酸化アルミニウムを含む層を第2の電極22に重なる
位置に形成してもよい。
(図14(C)参照)。
れぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
2Gは着色層CFGと重なる位置に配置され、副画素502Rは着色層CFRと重なる位
置に配置される。
適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。
ネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。
素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
が出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はTF
D(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素子
、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。
えば、基材16に用いることができる材料を第2の基材510に適用することができる。
510bおよびバリア膜510aを貼り合わせる樹脂層510cと、が積層された積層体
を第2の基材510に好適に用いることができる(図15(A)参照)。
60は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材560側に光を取り出す場合は、封
止材560は光学接合の機能を有する。
にある。
きるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。また、発光モジュール580Rは発
光素子550Rおよび光学素子(例えば着色層CFR)を備える。
物を含む層を有する。
波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光
を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられて
いない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出さ
せてもよい。
550Rと着色層CFRに接する。
発する光の一部は着色層CFRを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール58
0Rの外部に射出される。
る。絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることがで
きる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適用すること
ができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ502t等の信頼性の低下を抑
制できる。
縁膜521の上に配設される。
発光素子550R)を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。
。
び容量503cを含む。なお、画素回路のトランジスタと同一の工程で同一基板上に形成
することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。
に供給することができるさまざまな回路を、変換器CONVに用いることができる(図1
4(A)および図15(A)参照)。
止層567pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
1に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるF
PC2が端子519に電気的に接続されている。
用いることができる。
、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上
述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いる
ことができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合
金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒
化膜を積層する積層構造を用いることができる。
よい。
び図15(B)に図示する。
るトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用することができる。
を、図15(B)に図示するトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用す
ることができる。
図示する。
を含む半導体層を、図15(C)に図示するトランジスタ502tおよびトランジスタ5
03tに適用することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の検知ユニットに用いることができる検
知回路の構成および駆動方法について、図16を参照しながら説明する。
明する図である。
路図であり、図16(B−1)および図16(B−2)は駆動方法を説明するタイミング
チャートである。
され、第1の電極が例えば接地電位を供給することができる配線VPIと電気的に接続さ
れる第1のトランジスタM1を備える(図16(A)参照)。
電極が第1のトランジスタM1の第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が例えば検
知信号DATAを供給することができる信号線DLと電気的に接続される第2のトランジ
スタM2を備える構成であってもよい。
1の電極が検知素子Cの第1の電極21と電気的に接続され、第2の電極が例えば接地電
位を供給することができる配線VRESと電気的に接続される第3のトランジスタM3を
備える構成であってもよい。
と、もしくは第1の電極21および第2の電極22の間隔が変化することにより変化する
。これにより、検知器20Bは検知素子Cの容量の変化に基づく検知信号DATAを供給
することができる。
を供給することができる配線CSを備える。
ンジスタの第1の電極が電気的に接続される結節部をノードAという。
び配線BRは例えば高電源電位を供給することができる。
ることができ、配線CSは検知素子の第2の電極22の電位を制御する制御信号を供給す
ることができる。
TAに基づいて変換された信号を供給することができる。
、変換器CONVに用いることができる。例えば、変換器CONVを検知回路19と電気
的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成され
るようにしてもよい。
構成できる(図16(A)参照)。なお、第1のトランジスタM1乃至第3のトランジス
タM3と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタM4に用いても
よい。
、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリ
コンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体など
を適用できる。
詳細に説明する。
プ》第1のステップにおいて、第3のトランジスタを導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Cの第1の電極の電位を所定の電位にする(
図16(B−1)期間T1参照)。
トランジスタは、ノードAの電位を例えば接地電位にする(図16(A)参照)。
選択信号をゲートに供給し、第1のトランジスタの第2の電極を信号線DLに電気的に接
続する。
スタM2は、第1のトランジスタの第2の電極を信号線DLに電気的に接続する(図16
(B−1)期間T2参照)。
し、制御信号および検知素子Cの容量に基づいて変化する電位を第1のトランジスタM1
のゲートに供給する。
に供給された検知素子Cは、検知素子Cの容量に基づいてノードAの電位を上昇する(図
16(B−1)期間T2の後半を参照)。
子Cの第2の電極22に近接して配置された場合、検知素子Cの容量は見かけ上大きくな
る。
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる(図16(B−2)実線参照)
。
変化がもたらす信号を信号線DLに供給する。
Lに供給する。
択信号をゲートに供給する。
。
本実施の形態では、外装体としてフィルムを用いて積層型のリチウムイオン二次電池を作
製する例を示す。積層型のリチウムイオン二次電池は、実施の形態1の図4に示すバッテ
リー117に相当する。
一方の面または両方の面に接着層(ヒートシール層とも呼ぶ)を有するものを用いる。接
着層は、ポリプロピレンやポリエチレンなどを含む熱融着性樹脂フィルムを用いる。本実
施の形態では、シートとして、アルミニウム箔の表面にナイロン樹脂を有し、アルミニウ
ム箔の裏面に耐酸性ポリプロピレン膜と、ポリプロピレン膜の積層が設けられている金属
シートを用いる。このシートをカットして図19に示すフィルム31を用意する。
能な模様を形成してもよい。なお、ここではシートをカットした後、エンボス加工を行う
例を示すが、特に順序は限定されず、シートをカットする前にエンボス加工を行い、その
後カットしてもよい。また、シートを折り曲げて熱圧着を行った後にカットしてもよい。
フィルムに圧接させ、エンボスロールの凹凸に対応する凹凸をフィルム表面に形成する処
理のことを指している。エンボスロールは、表面に模様を彫刻したロールである。また、
エンボスロールを用いることに限定されず、エンボスプレートを用いてもよい。また、エ
ンボス加工に限定されず、フィルムの一部に浮き彫り(レリーフ)を形成すればよい。
央で折り曲げて、四隅のうち、曲げる箇所を挟む2つの端部を重ね、3辺を接着層で封止
する構造とする。
負極集電体34を積層したものを用意する。また、正極集電体32や負極集電体34など
の集電体としては、ステンレス、金、白金、亜鉛、鉄、ニッケル、銅、アルミニウム、チ
タン、タンタル等の金属、及びこれらの合金など、導電性の高く、リチウム等のキャリア
イオンと合金化しない材料を用いることができる。また、シリコン、チタン、ネオジム、
スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金
を用いることができる。また、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成
してもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム
、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングス
テン、コバルト、ニッケル等がある。また、集電体は、箔状、板状(シート状)、網状、
円柱状、コイル状、パンチングメタル状、エキスパンドメタル状等の形状を適宜用いるこ
とができる。集電体は、厚みが10μm以上30μm以下のものを用いるとよい。なお、
ここでは説明を簡略にするため、正極集電体32、セパレータ33、負極集電体34の積
層の組み合わせを1つにして外装体に収納する例を示したが、二次電池の容量を大きくす
るために組み合わせを複数重ねて外装体に収納する。二次電池内において、セパレータ3
3は、折り曲げで使用してもよいし、袋状として使用してもよい。
極36はリード端子とも呼ばれ、二次電池の正極または負極を外装フィルムの外側へ引き
出すために設けられる。
に接続する。そしてもう一つのリード電極と、負極集電体34の突出部を超音波溶接など
により、電気的に接続する。
って封止する。熱圧着の際、リード電極に設けられた封止層35も溶けてリード電極とフ
ィルム31との間を固定される。そして、減圧雰囲気下、或いは不活性雰囲気下で所望の
量の電解液をフィルム31が袋状となった内側に滴下する。そして、最後に、熱圧着をせ
ずに残していたフィルムの周縁に対して熱圧着を行って封止する。
いる。また、図19(D)中の点線と端面の領域は熱圧着領域37であり、その部分にも
表面に凹凸を有する模様を有する。中央部に比べると熱圧着領域37の凹凸は小さいが、
二次電池を曲げた時に加わる応力を緩和することができる。応力によって生じるひずみを
緩和する構造とすることで、二次電池を曲げたり変形させたりするときに(外装体などが
)破損することなく、長期信頼性を確保することができる。
圧着領域37で異なる。なお、図19(E)に示すように、正極集電体32、正極活物質
層38、セパレータ33、負極活物質層39、負極集電体34の順で積層されたものが、
折り曲げたフィルム31に挟まれ、さらに端部において接着層41で封止されており、そ
の他の空間には電解液42を有している。
晶構造、またはスピネル型の結晶構造を有する複合酸化物等がある。正極活物質として、
例えばLiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、V2O5、Cr2
O5、MnO2等の化合物を用いる。
I)、Ni(II)の一以上))を用いることができる。一般式LiMPO4の代表例と
しては、LiFePO4、LiNiPO4、LiCoPO4、LiMnPO4、LiFe
aNibPO4、LiFeaCobPO4、LiFeaMnbPO4、LiNiaCob
PO4、LiNiaMnbPO4(a+bは1以下、0<a<1、0<b<1)、LiF
ecNidCoePO4、LiFecNidMnePO4、LiNicCodMnePO
4(c+d+eは1以下、0<c<1、0<d<1、0<e<1)、LiFefNigC
ohMniPO4(f+g+h+iは1以下、0<f<1、0<g<1、0<h<1、0
<i<1)等のリチウム化合物を材料として用いることができる。
II)、Ni(II)の一以上、0≦j≦2)等の複合材料を用いることができる。一般
式Li(2−j)MSiO4の代表例としては、Li(2−j)FeSiO4、Li(2
−j)NiSiO4、Li(2−j)CoSiO4、Li(2−j)MnSiO4、Li
(2−j)FekNilSiO4、Li(2−j)FekColSiO4、Li(2−j
)FekMnlSiO4、Li(2−j)NikColSiO4、Li(2−j)Nik
MnlSiO4(k+lは1以下、0<k<1、0<l<1)、Li(2−j)FemN
inCoqSiO4、Li(2−j)FemNinMnqSiO4、Li(2−j)Ni
mConMnqSiO4(m+n+qは1以下、0<m<1、0<n<1、0<q<1)
、Li(2−j)FerNisCotMnuSiO4(r+s+t+uは1以下、0<r
<1、0<s<1、0<t<1、0<u<1)等のリチウム化合物を材料として用いるこ
とができる。
n、Ti、V、Nb、Al、X=S、P、Mo、W、As、Si)の一般式で表されるナ
シコン型化合物を用いることができる。ナシコン型化合物としては、Fe2(MnO4)
3、Fe2(SO4)3、Li3Fe2(PO4)3等がある。また、正極活物質として
、Li2MPO4F、Li2MP2O7、Li5MO4(M=Fe、Mn)の一般式で表
される化合物、NaFeF3、FeF3等のペロブスカイト型フッ化物、TiS2、Mo
S2等の金属カルコゲナイド(硫化物、セレン化物、テルル化物)、LiMVO4等の逆
スピネル型の結晶構造を有する酸化物、バナジウム酸化物系(V2O5、V6O13、L
iV3O8等)、マンガン酸化物、有機硫黄化合物等の材料を用いることができる。
属イオンの場合、正極活物質として、リチウムの代わりに、アルカリ金属(例えば、ナト
リウムやカリウム等)、アルカリ土類金属(例えば、カルシウム、ストロンチウム、バリ
ウム、ベリリウム、マグネシウム等)を用いてもよい。
ポリエチレン、ポリイミド、セラミック等の絶縁体を用いることができる。
しては、LiPF6、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiCF3SO3、L
i(CF3SO2)2N、Li(C2F5SO2)2N等のリチウム塩がある。これらの
電解質は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いても
よい。
属イオンの場合、電解質として、上記リチウム塩において、リチウムの代わりに、アルカ
リ金属(例えば、ナトリウムやカリウム等)、アルカリ土類金属(例えば、カルシウム、
ストロンチウム、バリウム、ベリリウム、マグネシウム等)を用いてもよい。
としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、
エチレンカーボネート(EC)、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエ
チルカーボネート(DEC)、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン
、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、
電解液の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性等に対する安全性が
高まる。また、蓄電池の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表
例としては、シリコーンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキ
サイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解液の溶媒と
して、難燃性及び難揮発性であるイオン液体(常温溶融塩)を一つまたは複数用いること
で、蓄電池の内部短絡や、過充電等によって内部温度が上昇しても、蓄電池の破裂や発火
などを防ぐことができる。なお、イオン液体は、流動状態にある塩であり、イオン移動度
(伝導度)が高い。また、イオン液体は、カチオンとアニオンとを含む。イオン液体とし
ては、エチルメチルイミダゾリウム(EMI)カチオンを含むイオン液体、またはN−メ
チル−N−プロピルピペリジニウム(PP13)カチオンを含むイオン液体などがある。
EO(ポリエチレンオキシド)系等の高分子材料を有する固体電解質を用いることができ
る。固体電解質を用いる場合には、セパレータやスペーサの設置が不要となる。また、電
池全体を固体化できるため、漏液のおそれがなくなり安全性が飛躍的に向上する。
オンの挿入・脱離が可能な材料を用いることができ、リチウム金属、炭素系材料、合金系
材料等を用いることができる。
び体積当たりの比容量が大きい(それぞれ3860mAh/g、2062mAh/cm3
)ため、好ましい。
ドカーボン)、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンブラック等がある。
系人造黒鉛等の人造黒鉛や、球状化天然黒鉛等の天然黒鉛がある。
リチウム金属と同程度に卑な電位を示す(0.1〜0.3V vs.Li/Li+)。こ
れにより、リチウムイオン二次電池は高い作動電圧を示すことができる。さらに、黒鉛は
、単位体積当たりの容量が比較的高い、体積膨張が小さい、安価である、リチウム金属に
比べて安全性が高い等の利点を有するため、好ましい。
能な材料も用いることができる。キャリアイオンがリチウムイオンである場合、材料とし
ては、例えば、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ag、Au、Zn、Cd、
In、Ga等のうち少なくとも一つを含む材料がある。このような元素は炭素に対して容
量が大きく、特にシリコンは理論容量が4200mAh/gと飛躍的に高い。このため、
負極活物質にシリコンを用いることが好ましい。このような元素を用いた材料としては、
例えば、Mg2Si、Mg2Ge、Mg2Sn、SnS2、V2Sn3、FeSn2、C
oSn2、Ni3Sn2、Cu6Sn5、Ag3Sn、Ag3Sb、Ni2MnSb、C
eSb3、LaSn3、La3Co2Sn7、CoSb3、InSb、SbSn等がある
。
ウムチタン酸化物(Li4Ti5O12等)、リチウム−黒鉛層間化合物、(LixC6
等)、酸化ニオブ(Nb2O5等)、酸化タングステン(WO2等)、酸化モリブデン(
MoO2等)等の酸化物を用いることができる。
Li3−xMxN(M=Co、Ni、Cu)を用いることができる。例えば、Li2.6
Co0.4N3は大きな充放電容量(900mAh/g、1890mAh/cm3)を示
し好ましい。
正極活物質としてリチウムイオンを含まないV2O5、Cr3O8等の材料と組み合わせ
ることができ好ましい。なお、正極活物質にリチウムイオンを含む材料を用いる場合でも
、あらかじめ正極活物質に含まれるリチウムイオンを脱離させておくことで負極活物質と
してリチウムと遷移金属の複窒化物を用いることができる。
、酸化コバルト(CoO)、酸化ニッケル(NiO)、酸化鉄(FeO)等の、リチウム
と合金化反応を行わない遷移金属酸化物を負極活物質に用いてもよい。コンバージョン反
応が生じる材料としては、さらに、Fe2O3、CuO、Cu2O、RuO2、Cr2O
3等の酸化物、CoS0.89、NiS、CuS等の硫化物、Zn3N2、Cu3N、G
e3N4等の窒化物、NiP2、FeP2、CoP3等のリン化物、FeF3、BiF3
等のフッ化物でも起こる。なお、上記フッ化物の電位は高いため、正極活物質として用い
てもよい。
結着剤(バインダ)、負極活物質層39の導電性を高めるための導電助剤等を有してもよ
い。
0μm以上約40μm以下、正極活物質層38は約100μm、負極活物質層39は約1
00μm、負極集電体34は約20μm以上約40μm以下である。フィルム31の厚さ
は、0.113mmである。なお、図19(E)では接着層41が部分的にしか図示して
いないが、フィルムにはポリプロピレンからなる層がフィルム31表面に設けられ、熱圧
着した部分のみが接着層41となる。
この場合には上側が大きく曲げられ、段差が形成されるため、折り曲げたフィルム31の
間に上記積層の組み合わせを複数、例えば8つ以上設ける場合には、その段差が大きくな
り、上側のフィルム31に応力がかかりすぎる恐れがある。また、そのため、上側のフィ
ルムの端面と、下側のフィルムの端面の位置ずれが大きくなる恐れもある。その場合、端
面に位置ずれがないように、下側のフィルムにも段差を設け、熱圧着領域37が二次電池
の厚さ方向における中央となるように圧着し、応力を均等化する構成としてもよい。
た二次電池を一つの閉回路とみなした時、リチウムイオンの動きと電流の流れは同じ向き
になる。なお、リチウムを用いた二次電池では、充電と放電でアノード(陽極)とカソー
ド(陰極)が入れ替わり、酸化反応と還元反応とが入れ替わることになるため、反応電位
が高い電極を正極と呼び、反応電位が低い電極を負極と呼ぶ。したがって、本明細書にお
いては、充電中であっても、放電中であっても、逆パルス電流を流す場合であっても、充
電電流を流す場合であっても、正極は「正極」または「+極(プラス極)」と呼び、負極
は「負極」または「−極(マイナス極)」と呼ぶこととする。酸化反応や還元反応に関連
したアノード(陽極)やカソード(陰極)という用語を用いると、充電時と放電時とでは
、逆になってしまい、混乱を招く可能性がある。したがって、アノード(陽極)やカソー
ド(陰極)という用語は、本明細書においては用いないこととする。仮にアノード(陽極
)やカソード(陰極)という用語を用いる場合には、充電時か放電時かを明記し、正極(
プラス極)と負極(マイナス極)のどちらに対応するものかも併記することとする。
電池40の充電が進めば、電極間の電位差は大きくなる。図19(F)では、二次電池4
0の外部の端子から、正極集電体32の方へ流れ、二次電池40の中において、正極集電
体32から負極集電体34の方へ流れ、負極集電体34から二次電池40の外部の端子の
方へ流れる電流の向きを正の向きとしている。つまり、充電電流の流れる向きを電流の向
きとしている。
明の一態様は、これに限定されない。様々な二次電池、例えば、鉛蓄電池、リチウムイオ
ンポリマー二次電池、ニッケル・水素蓄電池、ニッケル・カドミウム蓄電池、ニッケル・
鉄蓄電池、ニッケル・亜鉛蓄電池、酸化銀・亜鉛蓄電池、固体電池、空気電池、などに適
用することも可能である。または、様々な蓄電装置に適用することが可能であり、例えば
、一次電池、コンデンサ、リチウムイオンキャパシタなどに適用することも可能である。
本実施の形態では、実施の形態1と一部異なる例を図25に示す。
いる。
る箇所816eが位置する。また、バッテリー817とバッテリー853の間に図25(
A)中点線で示した、表示部の曲がる箇所816d及びヒンジ813が位置する。表示部
816の表示領域のサイズは約9.2インチである。
12とバッテリー817間隔よりも広い構成としている。また、バッテリー817は、他
のバッテリーよりも面積が小さい。また、バッテリー817とバッテリー853は、表示
部816と接着剤などで固定されており、表示部816の一部を支持する役目も果たして
いる。その結果、バッテリー812とバッテリー817が表示部816と固定されている
ため、電子機器を折り曲げた際に、スムーズに表示部の曲がる箇所816eで屈曲させる
ことができる。また、バッテリー853とバッテリー817が表示部816と固定されて
いるため、電子機器を折り曲げた際に、スムーズに表示部の曲がる箇所816dで屈曲さ
せることができる。
れたサイドロール部を有していない。表示部の曲がる箇所816dで屈曲させて小型化さ
せた時に、表示部の曲がる箇所816dの周辺がサイドロール部となる。
る。
位の位置関係を示している。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
図26(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図26
(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお図26
(A)では、パルス電圧が与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそ
れぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また図26(
A)は、電極621および電極622が重畳することで形成される容量603を図示して
いる。なお、電極621と電極622とはその機能を互いに置き換えてもよい。
ある。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量603を形成する電極6
21および電極622は電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量60
3の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出す
ることができる。
電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接、また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触
により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は
、積分回路等を用いて行えばよい。
出力波形のタイミングチャートを示す。図26(B)では、1フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図26(B)では、被検知体を検出しない場合(
非タッチ)と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。な
おY1−Y6の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Y6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1−X6
の配線の電圧の変化に応じてY1−Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る(図26(B)の矢印部)。
することができる。
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図27にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
スタ613とを有する。トランジスタ613はゲートに信号G2が与えられ、ソース又は
ドレインの一方に電圧VRESが与えられ、他方が容量603の一方の電極およびトラン
ジスタ611のゲートと電気的に接続する。トランジスタ611はソース又はドレインの
一方がトランジスタ612のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧V
SSが与えられる。トランジスタ612はゲートに信号G2が与えられ、ソース又はドレ
インの他方が配線MLと電気的に接続する。容量603の他方の電極には電圧VSSが与
えられる。
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ611のゲートが接続されるノ
ードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次いで信号G2としてトランジスタ
613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が保持される。
とに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
ドnの電位に応じてトランジスタ611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる電流が
変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することが
できる。
形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特
にトランジスタ613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位
を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(
リフレッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
図28(A)は、一例として表示装置の構成を示すブロック図である。図28(A)で
はゲート駆動回路GD、ソース駆動回路SD、画素pixを示している。なお図28(A
)では、ゲート駆動回路GDに電気的に接続されるゲート線x_1〜x_m(mは自然数
)、ソース駆動回路SDに電気的に接続されるソース線y_1〜y_n(nは自然数)に
対応して、画素pixではそれぞれに(1,1)〜(n,m)の符号を付している。
線に与える信号のタイミングチャート図である。図28(B)では、1フレーム期間ごと
にデータ信号を書き換える場合と、データ信号を書き換えない場合と、に分けて示してい
る。なお図28(B)では、帰線期間等の期間を考慮していない。
順に走査信号が与えられる。走査信号がHレベルの期間である水平走査期間1Hでは、各
列のソース線y_1〜y_nにデータ信号Dが与えられる。
る走査信号を停止する。また水平走査期間1Hでは、各列のソース線y_1〜y_nに与
えるデータ信号を停止する。
ジスタとしてチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用する場合に特に有効で
ある。酸化物半導体が適用されたトランジスタはシリコン等の半導体が適用されたトラン
ジスタに比べて極めてオフ電流を小さくすることが可能である。そのため、1フレーム期
間ごとにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータを保持させること
ができ、例えば1秒以上、好ましくは5秒以上に亘って画素の階調を保持することもでき
る。
図29(A)〜(D)は、一例として図26(A)、(B)で説明したタッチセンサと
、図28(A)、(B)で説明した表示装置とを1sec.(1秒間)駆動する場合に、
連続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図29(A)では、表示装
置の1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)、タッチセンサの1フ
レーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とした場合について示している
。
ており、表示期間と平行してタッチ検知期間とすることができる。そのため図29(A)
に示すように、表示装置およびタッチセンサの1フレーム期間を共に16.7ms(フレ
ーム周波数:60Hz)と設定することができる。タッチセンサと表示装置のフレーム周
波数を異ならせてもよい。例えば図29(B)に示すように、表示装置の1フレーム期間
を8.3ms(フレーム周波数:120Hz)と設定し、タッチセンサの1フレーム期間
を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とすることもできる。また、図示しないが
、表示装置のフレーム周波数を33.3ms(フレーム周波数:30Hz)としてもよい
。
ーム周波数を大きく(例えば60Hz以上または120Hz以上)し、静止画像の表示の
際にはフレーム周波数を小さく(例えば60Hz以下、30Hz以下、または1Hz以下
)することで、表示装置の消費電力を抑えることができる。またタッチセンサのフレーム
周波数を切り替え可能な構成とし、待機時と、タッチを感知した時とでフレーム周波数を
異ならせてもよい。
行わずに、前の期間に書き換えたデータを保持することで、1フレーム期間を16.7m
sよりも長い期間とすることができる。そのため、図29(C)に示すように、表示装置
の1フレーム期間を1sec.(フレーム周波数:1Hz)と設定し、タッチセンサの1
フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とすることもできる。
続してタッチセンサの駆動を行うことができる。そのため、図29(D)に示すようにタ
ッチセンサにおける被検知体の近接または接触を検知したタイミングで、表示装置のデー
タ信号を書き換えることもできる。
と、表示装置を駆動させるときのノイズがタッチセンサに伝わることで、タッチセンサの
感度を低下させてしまう恐れがある。したがって特に、表示装置のデータ信号の書き換え
期間と、タッチセンサのセンシング期間とをずらすように駆動することが好ましい。
を交互に行う例を示している。また、図30(B)では、表示装置のデータ信号の書き換
え動作を2回行うごとに、タッチセンサのセンシングを1回行う例を示している。なお、
これに限られず3回以上の書き換え動作を行うごとにタッチセンサのセンシングを1回行
う構成としてもよい。
化物半導体を用いる場合、オフ電流を極めて低減することが可能なため、データ信号の書
き換えの頻度を十分に低減することができる。具体的には、データ信号の書き換えを行っ
た後、次にデータ信号を書き換えるまでの間に、十分に長い休止期間を設けることが可能
となる。休止期間は、例えば0.5秒以上、1秒以上、または5秒以上とすることができ
る。休止期間の上限は、トランジスタに接続される容量や表示素子等のリーク電流によっ
て制限されるが、例えば1分以下、10分以下、1時間以下、または1日以下程度とする
ことができる。
示している。図30(C)では表示装置はデータ信号を書き換えたのち、次のデータ信号
の書き換え動作までの期間は動作を停止する休止期間が設けられている。休止期間では、
タッチセンサがフレーム周波数iHz(iは表示装置のフレーム周波数以上、ここでは0
.2Hz以上)で駆動することができる。また図30(C)に示すように、タッチセンサ
のセンシングを休止期間に行い、表示装置のデータ信号の書き換え期間には行わないよう
にすると、タッチセンサの感度を向上させることができ好ましい。また、図30(D)に
示すように、表示装置のデータ信号の書き換えとタッチセンサのセンシングを同時に行う
と、駆動のための信号を簡略化することができる。
号のみの供給を停止してもよいし、これに加えて電源電位の供給も停止することで、より
消費電力を低減することができる。
ッチセンサが挟持された構成とし、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけること
ができる。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タ
ッチセンサの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適
用することで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの構成と、駆動方法の一例について、図面を参照して説明する。
図31は、以下で例示するタッチパネルの構成例を示すブロック図である。図31に示
すように、タッチパネル90は表示装置900、制御回路910、カウンタ回路920、
タッチセンサ950を有する。
置900の画面の書き換えを制御するための同期信号(SYNC)が入力される。同期信
号としては、例えば水平同期信号(Hsync)、垂直同期信号(Vsync)、および
基準クロック信号(CLK)等がある。
3を有する。表示部901は、複数の画素PIXを有する。同じ行の画素PIXは、共通
のゲート線L_Xによりゲートドライバ902に接続され、同じ列の画素PIXは共通の
ソース線L_Yによりソースドライバ903に接続されている。
電圧として高電源電圧(VDD)および低電源電圧(VSS)が供給される。ハイレベル
電圧(以下、VHと呼ぶ。)は、配線L_Hを介して、表示部901の各画素PIXに供
給される。また、ローレベル電圧(以下、VLと呼ぶ。)は、配線L_Lを介して、表示
部901の各画素PIXに供給される。
線L_Yにデータ信号を出力する。ゲートドライバ902は、データ信号が書き込まれる
画素PIXを選択する走査信号をゲート線L_Xに出力する。
ング素子を有する。スイッチング素子がオンとなると、ソース線L_Yから画素PIXに
データ信号が書き込まれる。
構成する回路の制御信号を生成する回路を備える。
ライバ903の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。ゲートドライバ902の
制御信号として、スタートパルス(GSP)、クロック信号(GCLK)等があり、ソー
スドライバ903の制御信号として、スタートパルス(SSP)、クロック信号(SCL
K)等がある。例えば、制御回路910は、クロック信号(GCLK、SCLK)として
、周期が同じで位相がシフトされた複数のクロック信号を生成する。
)のソースドライバ903への出力を制御する。
ch)が入力され、該センサ信号に応じた画像信号への補正を行う。画像処理の補正は、
センサ信号に応じて異なるが、タッチに応じた画像処理を施すことになる。
904と呼ぶ。)を有する。D−A変換回路は、画像信号をアナログ変換し、データ信号
を生成する。
910でデジタル信号に変換し、表示装置900へ出力する。
理し、その処理で得られた情報を元に、ソースドライバ903への画像信号の出力を制御
する機能を有する。そのため、制御回路910は、画像データを画像処理して、フレーム
毎の画像データから動きを検出する動き検出部911を備える。またセンサ信号が入力さ
れる場合は、センサ信号に従って画像データを元にした画像信号の補正を行うことになる
。
イバ903への画像信号の出力を継続する。逆に、動きが無いと判定されると、制御回路
910はソースドライバ903への画像信号の出力を停止する。また再度、動きが有ると
判定すると画像信号の出力を再開する。
示)を行うための第1のモードと、動きのない画像の表示(静止画表示)を行うための第
2のモードを切り替えて、表示部901の表示を制御することができる。第1のモードは
、例えば垂直同期信号(Vsync)が60Hzとすると、フレーム周波数を60Hz以
上とするモードである。また第2のモードは、例えば垂直同期信号(Vsync)が60
Hzとすると、フレーム周波数を60Hz未満とするモードである。
設定することが好ましい。例えば、動き検出部911において一定期間動きが無いと判定
され、ソースドライバ903への画像信号の出力を停止する場合、画素PIXに書き込ん
だ画像信号の階調に対応する電圧が低下することになる。そのため、同一画像の画像信号
の階調に対応する電圧を、フレーム周波数の周期毎に書き込む(リフレッシュするともい
う)を行うことが望ましい。このリフレッシュするタイミング(リフレッシュレートとも
いう)は、例えばカウンタ回路920において垂直同期信号(Vsync)のHレベルを
カウントして得られる)をもとに、一定期間毎に行う構成とすればよい。
信号(Vsync)の周波数が60Hzであるとすると、垂直同期信号(Vsync)の
Hレベルを60回カウントして得られるカウント信号(Count)をもとに、リフレッ
シュを行えばよい。リフレッシュレートを5秒間に1回の頻度とする場合、垂直同期信号
(Vsync)の周波数が60Hzであるとすると、垂直同期信号(Vsync)のHレ
ベルを300回カウントして得られるカウント信号(Count)をもとに、リフレッシ
ュを行えばよい。またカウンタ回路920は、タッチセンサ950から入力されるセンサ
信号が入力される場合、該センサ信号に応じて強制的に第2のモードから第1のモードに
切り換える構成としてもよい。
。例えば、動き検出方法としては、例えば、連続する2つフレーム間の画像データから差
分データを得る方法がある。得られた差分データから動きの有無を判断することができる
。また、動きベクトルを検出する方法等もある。
る。
行うことができるため、表示期間と平行してタッチ感知期間と設けることができる。その
ため、制御回路910で第1のモード又は第2のモードを切り換える構成であっても、タ
ッチセンサの動作を独立して制御可能である。また、表示装置900とタッチセンサ95
0の動作を同期させ、表示装置900のデータ信号の書き換え動作とタッチセンサ950
のセンシング動作を異なる期間に行うことでセンシングの感度を高めることができる。
図32(A)は、画素PIXの構成例を示す回路図である。画素PIXはトランジスタ
TR1、トランジスタTR2、発光素子EL、容量素子Capを有する。
を制御するスイッチング素子として機能し、そのゲートに入力される走査信号によりオン
、オフが制御される。トランジスタTR2は、発光素子ELに流す電流を制御するための
スイッチング素子として機能する。
酸化物半導体を適用することが好ましい。
2つの電極間に流れる電流により、発光素子から発する発光の輝度が変化する。発光素子
の一方の電極は配線L_Lからローレベル電圧が与えられ、他方の電極にはトランジスタ
TR2を介して配線L_Hからハイレベル電圧が与えられる。
タTR、液晶素子LC、容量素子Capを有する。
チング素子であり、そのゲートから入力される走査信号によりオン、オフが制御される。
ことが好ましい。
用により配向が変化する。液晶素子LCの2つの電極のうち、トランジスタTRを介して
ソース線L_Yに接続されている電極が画素電極に相当し、Vcomが印加される電極が
コモン線L_comに相当する。
極はトランジスタTRのソース又はドレインに接続される電極に相当し、容量素子の他方
の電極は容量線電圧が印加される容量線L_capに相当する。
示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。
素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々
な素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、
EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素
子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)
、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子
インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ
(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素
子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッ
ター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーシ
ョン)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレ
クトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用い
た表示素子、などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的または磁気的
作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していて
も良い。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子
放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FE
D)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conductio
n Electron−emitter Display)などがある。液晶素子を用い
た表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶
ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプ
レイ)などがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子
ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現
する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するように
すればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有す
るようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設
けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
たは、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いるこ
とができる。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はT
FD(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
)を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素
子、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とができる。
以下、図33も示すタイミングチャートを用いて、動画表示を行う第1のモードと、静
止画表示を行う第2のモードによる表示を行うタッチパネル90の動作を説明する。図3
3には、垂直同期信号(Vsync)、およびソースドライバ903からソース線L_Y
に出力されるデータ信号(Vdata)の信号波形を示す。
のタッチパネル90のタイミングチャートである。ここでは、始めのkフレーム目までの
画像データには動きがあるとする。次いで(k+1)フレーム目から(k+3)フレーム
目まで画像データには動きが無いとする。次いで(k+4)フレーム目以降の画像データ
には動きがあるとする。なお、kは2以上の整数である。
があると判定される。従ってタッチパネル90は、第1のモードで動作する。制御回路9
10では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数以上、ここではフレーム周波数f1と
して、画像信号(Video)をソースドライバ903に出力する。そしてソースドライ
バ903は、データ信号(Vdata)のソース線L_Yへの出力を連続的に行うものと
する。なお動画表示期間での1フレーム期間の長さは、1/f1(秒)で表される。
行い、第k+1フレーム目の画像データに動きが無いと判定する。従ってタッチパネル9
0は、第2のモードで動作する。制御回路910では、フレーム周波数を垂直同期信号の
周波数未満、ここではフレーム周波数f2として、ソースドライバ903に出力する。そ
してソースドライバ903は、データ信号(Vdata)のソース線L_Yへの出力を間
欠的に行うものとする。なお静止画表示期間での1フレーム期間の長さは、1/f2(秒
)で表される。
ため、ゲートドライバ902およびソースドライバ903への制御信号(スタートパルス
信号、クロック信号等)の供給も併せて間欠的に行えばよく、定期的にゲートドライバ9
02およびソースドライバ903を停止することができる。
ついて、具体的に説明する。一例としては、図33に示すように、第(k+1)フレーム
目になると、制御回路910は、ゲートドライバ902およびソースドライバ903へ制
御信号を出力し、フレーム周波数をf2としてソースドライバ903へ画像信号Vide
oを出力する。ソースドライバ903は、前の期間に書き込んだデータ信号(Vdata
)、すなわち第kフレーム目においてソース線L_Yに出力されたデータ信号(Vdat
a)をソース線L_Yに出力する。このようにして静止画表示期間では、前の期間に書き
込んだデータ信号(Vdata)が、期間1/f2(秒)毎に、ソース線L_Yに繰り返
し書き込まれる。そのため、同一画像の画像信号の階調に対応する電圧をリフレッシュす
ることができる。定期的にリフレッシュをすることで、電圧が低下して起こる階調のずれ
に起因するちらつき(フリッカー)を低減でき、表示品位の向上したタッチパネルとする
ことができる。
果、又はセンサ信号の入力が得られるまで、第2のモードで動作する。
があると判定すると、タッチパネル90は再び第1のモードで動作する。制御回路910
では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数以上、ここではフレーム周波数f1として
、画像信号(Video)をソースドライバ903に出力する。そしてソースドライバ9
03は、データ信号(Vdata)のソース線L_Yへの出力を連続的に行うものとする
。
ッチセンサが挟持された構成とし、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけること
ができる。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タ
ッチセンサの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適
用することで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。
態で述べる別の内容(一部の内容でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容(一部の内容でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
その実施の形態において述べる別の図(一部でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図(一部でもよい)に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。
記載されているとする。その場合、その回路が、第6のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第6のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第3のトランジスタのゲートと接続
されている第6のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第1の電極が第3のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−2V
以上1V以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、13V以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、5V以上8V以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略9Vであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、3V以上10V以下であるが、9Vである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても
、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」など
と記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−2V以上1V以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、13V以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、4層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、A膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、A社が送信機を製造および販売し、B社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、A社が製造および
販売する。そして、B社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。
の一態様を、構成することが出来る。つまり、A社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、B社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、A社またはB社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。
容量素子、抵抗素子など)などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子(トランジスタ、ダイオードなど)、受動素子(容量素子、抵抗素子な
ど)などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子(トランジスタ、ダイオードなど)、配線、受動素子(容量素子、
抵抗素子など)、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、N個(Nは
整数)の回路素子(トランジスタ、容量素子等)を有して構成される回路図から、M個(
Mは整数で、M<N)の回路素子(トランジスタ、容量素子等)を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、N個(Nは整数)の層を有して構成
される断面図から、M個(Mは整数で、M<N)の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、N個(Nは整数)の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、M個(Mは整数で、M<N)の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Aは、B、C、D、E、また
は、Fを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Aは、
BとEとを有する」、「Aは、EとFとを有する」、「Aは、CとEとFとを有する」、
または、「Aは、BとCとDとEとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。
2 FPC
4 FPC
5 FPC
10 筐体
11 筐体
12 筐体
13 ヒンジ
14 窓部
16 基材
16a バリア膜
16b 基材
16c 樹脂層
17 保護基材
17p 保護層
19 検知回路
20B 検知器
20U 検知ユニット
21 電極
22 電極
23 絶縁層
31 フィルム
32 正極集電体
33 セパレータ
34 負極集電体
35 封止層
36 リード電極
37 熱圧着領域
38 正極活物質層
39 負極活物質層
40 二次電池
41 接着層
42 電解液
90 タッチパネル
100 入力装置
110 デバイス
111 CPU
112 バッテリー
113 レギュレータ
114 無線受信部
115 制御モジュール
116 表示部
116a サイドロール部
116b サイドロール部
116c サイドロール部
117 バッテリー
118 レギュレータ
119 表示駆動回路
120 無線受信部
121 表示モジュール
125 システム部
127 電源管理回路
128 無線送信部
129 無線送信部
140 回路基板
141 リード電極
142 駆動回路の一部
143 可撓性フィルム
144 可撓性フィルム
150 無線送信部
152 タッチセンサ
153 バッテリー
154 レギュレータ
156 タッチ入力部
159 センサ駆動回路
160 折り曲げ位置センサ
201 作製基板
203 剥離層
205 被剥離層
207 接合層
211 接合層
221 作製基板
223 剥離層
225 被剥離層
226 絶縁層
231 基板
233 接合層
401 電極
402 EL層
403 電極
404 接合層
404a 接合層
404b 接合層
405 絶縁層
407 接合層
420 可撓性基板
422 接着層
424 絶縁層
426 接着層
428 可撓性基板
431 遮光層
432 着色層
435 導電層
441 導電層
442 導電層
443 絶縁層
444 可撓性基板
445 FPC
450 有機EL素子
453 オーバーコート
454 トランジスタ
455 トランジスタ
457 導電層
463 絶縁層
465 絶縁層
467 絶縁層
491 発光部
493 駆動回路部
495 FPC
496 スペーサ
497 接続体
500 入出力装置
501 表示部
502 画素
502B 副画素
502G 副画素
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 走査線駆動回路
503t トランジスタ
510 基材
510a バリア膜
510b 基材
510c 樹脂層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止材
567p 反射防止層
580R 発光モジュール
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 トランジスタ
621 電極
622 電極
717 バッテリー
718 レギュレータ
753 バッテリー
754 レギュレータ
812 バッテリー
813 ヒンジ
816 表示部
817 バッテリー
853 バッテリー
900 表示装置
901 表示部
902 ゲートドライバ
903 ソースドライバ
904 デジタル/アナログ変換回路
910 制御回路
911 検出部
920 カウンタ回路
950 タッチセンサ
1700 曲面
1701 平面
1702 曲線
1703 曲率半径
1704 曲率中心
1800 曲率中心
1801 フィルム
1802 曲率半径
1803 フィルム
1804 曲率半径
1805 層
Claims (2)
- 折りたたむことが可能な表示部と、
第1のバッテリーと、
第2のバッテリーと、
第3のバッテリーと、を有し、
前記表示部は、第1の屈曲領域、第2の屈曲領域、前記第1の屈曲領域と前記第2の屈曲領域との間の主画面と、を有し、
前記第1の屈曲領域は、前記第1のバッテリーの側面と重なり、
前記第2の屈曲領域は、前記第3のバッテリーの側面と重なり、
前記表示部が折りたたまれていないときは、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーと前記第3のバッテリーはそれぞれ、前記主画面の表示面に対して裏側に設けられるとともに、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーと前記第3のバッテリーはそれぞれ、互いに重ならず、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーと前記第3のバッテリーはそれぞれ、互いに重なり、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第3のバッテリーと前記第1のバッテリーとは、前記表示部を介して重なり、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーとは、前記表示部を介さずに重なる電子機器。 - 折りたたむことが可能な表示部と、
第1のバッテリーと、
第2のバッテリーと、
第3のバッテリーと、を有し、
前記表示部は、第1の屈曲領域、第2の屈曲領域、前記第1の屈曲領域と前記第2の屈曲領域との間の主画面と、を有し、
前記第1の屈曲領域は、前記第1のバッテリーの側面と重なり、
前記第2の屈曲領域は、前記第3のバッテリーの側面と重なり、
前記表示部が折りたたまれていないときは、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーと前記第3のバッテリーはそれぞれ、前記主画面の表示面に対して裏側に設けられるとともに、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーと前記第3のバッテリーはそれぞれ、互いに重ならず、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第1のバッテリーと前記第3のバッテリーは互いに重なり、且つ前記第2のバッテリーと前記第3のバッテリーは互いに重なり、且つ前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーとは重ならず、
前記表示部が折りたたまれたときは、折りたたまれたことで対向する表示部同士の間で、前記第1のバッテリーと前記第2のバッテリーとは並んで設けられている電子機器。
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