JP6704008B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents
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Description
複数の基板が収容された格納容器が複数載置されるロードポートと、基板を処理可能な複数の処理室と、格納容器に格納された複数の基板を、複数の処理室のそれぞれへ所定の順序で搬送する搬送部と、複数の処理室それぞれに対応する第1カウントデータを生成する演算部と、第1カウントデータを記憶する記憶部と、第1カウントデータの内、最大のカウント数に対応する処理室の次の処理室に搬送フラグデータを付与し、格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を搬送する際に、複数の基板を、搬送フラグデータに基づいて所定の順序で搬送するよう搬送部を制御する制御部とを有する技術が提供される。
以下に本開示の第1実施形態を図面に即して説明する。
(1)基板処理システムの構成
本開示の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成を、図1から図4を用いて説明する。図1は本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す横断面図である。図2は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す図1のα−α’における縦断面図である。図3は図1のアームの詳細を説明した説明図である。図4は図1のβ−β’の縦断面図であり、プロセスモジュール(PM)に供給するガス供給系を説明する説明図である。図5は、PMに設けられるチャンバを説明する説明図である。
基板処理システム1000の手前には、IOステージ(ロードポート)1100が設置されている。IOステージ1100上には格納容器としてのポッド1001が複数搭載可能に構成される。ポッド1001はシリコン(Si)基板などの基板200を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド1001内には、基板(ウエハ)200がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。なお、ポッド1001内には、基板200が最大で25枚格納されている。なお、ポッド1001内に格納される基板200の枚数は、他の基板処理装置での処理結果や品種によって調整されポッド1001中に、25枚よりも少ない、24枚、23枚、22枚、21枚・・・の基板200が収容されることが有る。この様な枚数の基板200が格納されたポッド1001がIOステージ1100上に載置される頻度は、25枚、24枚、23枚、22枚、21枚の順で少なくなる。
ロードロック室1300は大気搬送室1200に隣接する。ロードロック室1300を構成する筐体1310が有する面のうち、大気搬送室1200とは異なる面には、後述するように、真空搬送室1400が配置される。ロードロック室1300は、大気搬送室1200の圧力と真空搬送室1400の圧力に合わせて筐体1310内の圧力が変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。
基板処理システム1000は、負圧下で基板200が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室(トランスファモジュール)1400を備えている。真空搬送室1400を構成する筐体1410は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室1300及び基板200を処理するプロセスモジュール(PM)110a〜110dが連結されている。真空搬送室1400の略中央部には、負圧下で基板200を移載(搬送)する第2搬送ロボットとしての真空搬送ロボット1700がフランジ1430を基部として設置されている。また、真空搬送室1400には、基板200の位置を検出する検出部としての検出センサ1401が設けられている。検出センサ1401は、例えば、各PM110との連結部付近に設けられ、真空搬送室1400とPM110との間の基板200の移動を検出可能に構成される。なお、検出センサ1401は、後述のコントローラ260に、基板200の位置データを送信可能に構成される。なお、ここでは、真空搬送室1400を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。なお、好ましくは、PMは、偶数台設けられる。
続いて、真空搬送室1400に搭載される搬送部(搬送機構)としての真空搬送ロボット1700について、図3を用いて説明する。図3は図1の真空搬送ロボット1700を拡大した図である。
続いて各PM(処理ユニット)110の内、PM110aについて、図1、図2、図4を例にして説明する。図4はPM110aとPM110aに接続されるガス供給部と、PM110aに接続されるガス排気部との関連を説明する説明図である。
図4に示すように、処理ガス源113からPM110aの間には、バッファタンク114、とマスフローコントローラ(MFC)115a,115bと、処理室側バルブ116(116a,116b)がそれぞれ設けられている。これらの構成は、第1ガス供給管(処理ガス供給管)112,111a,111bで接続されている。処理ガス源113から供給される処理ガスは、第1ガス供給管(処理ガス供給管)112,111a,111bから、図5に示す共通ガス供給管300を介して、基板処理装置100に供給可能に構成されている。これら、MFC115a,115b、処理室側バルブ116(116a,116b)、処理ガス供給管112,111a,111bで第1ガス供給部が構成される。なお、処理ガス源113とバッファタンク114のいずれか又は両方を第1ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるPMの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
図4に示すように、反応ガス源123からPM110aの間には、活性化部としてのリモートプラズマユニット(RPU)124、MFC125a,125b、処理室側バルブ126(126a,126b)が設けられている。これらの各構成は、反応ガス共通管122と第2ガス供給管(反応ガス供給管)121a,121bなどで接続されている。反応ガス源123から供給される反応ガスは、反応ガス共通管122、第2ガス供給管121a,121bから、図5に示す共通ガス供給管300を介して、基板処理装置100に供給可能に構成されている。これら、RPU124、MFC125a,125b、処理室側バルブ126(126a,126b)、反応ガス共通管122、反応ガス供給管121a,121bなどで、第2ガス供給部が構成される。
なお、反応ガス供給源123を第2ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるPMの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
図4に示すように、第1パージガス(不活性ガス)源133からPM110aの間には、MFC135a,135b、処理室側バルブ136(136a,136b),バルブ176a,176b、186a,186bなどが設けられている。これらの各構成は、パージガス(不活性ガス)共通管132、パージガス(不活性ガス)供給管131a,131bなどで接続されている。第1パージガス源133から供給されるパージガス(不活性ガス)は、パージガス共通管132、パージガス供給管131a,131bから、図5に示す共通ガス供給管300を介して、基板処理装置100に供給可能に構成されている。これら、MFC135a,135b、処理室側バルブ136(136a,136b)、不活性ガス共通管132、不活性ガス供給管131a,131bなどで、第3ガス供給部が構成されている。なお、パージガス(不活性ガス)源133を第3ガス供給部(第1パージガス供給部)に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるPMの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
図4に示すように、第4ガス供給部は、処理ガス供給管111a,111b、反応ガス供給管121a,121bそれぞれを介して各処理室110a,110bに不活性ガスを供給可能に構成される。第2パージガス(不活性ガス)源143から各供給管の間には、第2パージガス供給管141a,141b,151a,151b、MFC145a,145b,155a,155b、バルブ146a,146b,156a,156bなどが設けられている。これらの構成によって第4ガス供給部(第2パージガス供給部)が構成される。なお、ここでは、第3ガス供給部と第4ガス供給部のガス源を別々に構成したが、まとめて1つだけ設けるように構成しても良い。
処理室201(上部容器202a)の内壁には、処理室201の雰囲気を排気する第1排気部としての排気口221が設けられている。排気口221には処理室排気管224が接続されており、バルブ227が順に直列に接続されている。主に、排気口221、処理室排気管224、第1の排気部(排気ライン)220が構成される。なお、バルブ227を第1の排気部に含めるように構成しても良い。なお、バルブ227は、圧力調整器としてのAPCで構成しても良い。なお、バルブ227は、後述のコントローラ260と弁開度データを送受信可能に構成される。
上部容器202aの側壁には処理室201内に各種ガスを供給するためのガス導入口241が設けられている。ガス導入口241には、共通ガス供給管300が接続されている。ガス導入口241の下部には、ガス分散部としてのシャワーヘッド234が設けられている。
シャワーヘッド234は、バッファ室(空間)232、複数の孔を有する分散板234aにより構成されている。シャワーヘッド234は、ガス導入口241と処理室201との間に設けられている。ガス導入口241から導入されるガスはシャワーヘッド234のバッファ空間232に供給される。シャワーヘッド234は、例えば、石英、アルミナ、ステンレス、アルミなどの材料で構成される。
シャワーヘッド234の蓋231に接続されたガス導入孔241には、上述の各ガス供給部が接続されている。各ガス供給部からは、処理ガス、反応ガス、パージガスが供給される。
図5に示すようにチャンバ100は、チャンバ100の各部の動作を制御するコントローラ260を有している。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置(半導体デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜であって、例えばシリコン含有膜としてのシリコン酸化(SiO)膜を成膜するシーケンス例について図7,8を参照して説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ260により制御される。
第1基板処理工程S200Aに際しては、先ず、基板200を処理室201に搬入させる。具体的には、基板支持部210を昇降機構218によって下降させ、リフトピン207が貫通孔214から基板支持部210の上面側に突出させた状態にする。また、処理室201内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ1490を開放し、リフトピン207上に基板200を載置させる。基板200をリフトピン207上に載置させた後、昇降218によって基板支持部210を所定の位置まで上昇させることによって、基板200が、リフトピン207から基板支持部210へ載置されるようになる。
続いて、処理室201内が所定の圧力(真空度)となるように、処理室排気管224を介して処理室201内を排気する。この際、圧力センサが測定した圧力値に基づき、圧力調整器222(222a)としてのAPCの弁開度をフィードバック制御する。また、温度センサ(不図示)が検出した温度値に基づき、処理室201内が所定の温度となるようにヒータ213への通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板支持部210をヒータ213により予め加熱しておき、加熱された基板支持部210によって基板200を所定温度に加熱する。なお、基板200又は基板支持部210の温度変化が無くなるまで一定時間置いても良い。この間、処理室201内に残留している水分あるいは部材からの脱ガス等が有る場合は、真空排気やN2ガスの供給によるパージによって除去しても良い。これで成膜プロセス前の準備が完了することになる。なお、処理室201内を所定の圧力に排気する際に、一度、到達可能な真空度まで真空排気しても良い。
続いて、成膜工程S210の詳細について説明する。成膜工程S210は、基板200にSiO膜を成膜する処理を例として、図7,8を用いて説明する。
第1ガス供給工程S203では、第1ガス供給部から処理室201内に第1ガス(原料ガス)としてのアミノシラン系ガスを供給する。アミノシラン系ガスとしては、例えば、ビスジエチルアミノシラン(H2Si(NEt2)2、Bis(diethylamino)silane:BDEAS)ガスがある。具体的には、ガスバルブ160を開き、アミノシラン系ガスをガス源からチャンバ100に供給する。その際、処理室側バルブ116aを開き、MFC115aで所定流量に調整する。流量調整されたアミノシラン系ガスは、バッファ空間232を通り、シャワーヘッド234の孔から、減圧状態の処理室201内に供給される。また、排気系による処理室201内の排気を継続し処理室201内の圧力を所定の圧力範囲(第1圧力)となるように制御する。このとき、基板200に対してアミノシラン系ガスが供給されることとなるアミノシラン系ガスは、所定の圧力(第1圧力:例えば100Pa以上20000Pa以下)で処理室201内に供給する。このようにして、基板200にアミノシラン系ガスを供給する。アミノシラン系ガスが供給されることにより、基板200上に、シリコン含有層が形成される。
基板200上にシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管111a,111bのガスバルブ116a,116bを閉じ、アミノシラン系ガスの供給を停止する。原料ガスを停止することで、処理室201中に存在する原料ガスや、バッファ空間232の中に存在する原料ガスを処理室排気管224から排気されることにより第1パージ工程S204が行われる。
第1ガスパージ工程の後、バルブ126を開け、ガス導入孔241、バッファ空間232、シャワーヘッド234を介して、処理室201内に第2のガス(反応ガス)としての、酸素含有ガスを供給する。酸素含有ガスは例えば、酸素ガス(O2)やオゾンガス(O3)、水(H2O)、亜酸化窒素ガス(N2O)等が有る。ここでは、O2ガスを用いる例を示す。バッファ空間232、シャワーヘッド234を介して処理室201に供給するので、基板上に均一にガスを供給することができる。そのため、膜厚を均一にすることができる。なお、第2のガスを供給する際に、活性化部(励起部)としてのリモートプラズマユニット(RPU)124を介して、活性化させた第2のガスを処理室201内に供給可能に構成しても良い。
O2ガスの供給を停止することで、処理室201中に存在するO2ガスや、バッファ空間232の中に存在するO2ガスを第1の排気部から排気されることにより第2パージ工程S206が行われる。第2パージ工程S206は上述の第1パージ工程S204と同様の工程が行われる。
第2パージ工程S206の終了後、コントローラ260は、上記の成膜工程S210の内、S203〜S206が所定のサイクル数Cが実行されたか否かを判定する(Cは自然数)。即ち、基板200上に所望の厚さの膜が形成されたか否かを判定する。上述したステップS203〜S206を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う(ステップS207)ことにより、基板200上に所定膜厚のシリコンおよび酸素を含む絶縁膜、すなわち、SiO膜を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰返すことが好ましい。これにより、基板200上に所定膜厚のSiO膜が形成される。
搬送圧力調整工程S208では、処理室201内や搬送空間203が所定の圧力(真空度)となるように、処理室排気管224を介して処理室201内や搬送空間203内を排気する。この時の処理室201内や搬送空間203内の圧力は、真空搬送室1400内の圧力以上に調整される。なお、この搬送圧力調整工程S208の間や前や後で、基板200の温度が所定の温度まで冷却するようにリフトピン207で保持するように構成しても良い。
搬送圧力調整工程S208で処理室201内が所定圧力になった後、ゲートバルブ1490を開き、搬送空間203から真空搬送室1400に基板200を搬出する。
複数のチャンバ100のそれぞれで実行される成膜工程S210の処理に係る積算時間や、チャンバ100内に堆積する膜の積算膜厚が異なる場合が有る。このような場合には、チャンバ100のメンテナンスタイミングがチャンバ100毎に異なってしまう。メンテナンスタイミングが異なることで、基板処理装置における生産性が低下する課題が生じる。
PM内にチャンバ100が複数設けられている場合、複数のチャンバの排気系が共通であることから、一方のチャンバ100で基板200を処理する間、他方のチャンバ100でメンテナンスすることができない。他方でメンテナンスすると、排気管内に副生成物が発生し、一方のチャンバ100に副生成物が流れ込む可能性が有るためである。また、一方のチャンバ100内の圧力にも影響を与えてしまう可能性も有る。この様にPM内の一方のチャンバ100のメンテナンスの際に、他方のチャンバ100での処理が制限されることが有る。そのためメンテナンス中のチャンバ100を有するPMで基板200の処理を行うことができず、基板処理装置における生産性が低下する課題を生じる。例えば、図9の例では、PM1では、チャンバ100aのメンテナンス中に、チャンバ100bが使用できないこととなる。図10の例では、全てのPMが使用不可となる。
PM内にチャンバ100が複数設けられている場合、PM内の一方のチャンバ100に基板200を搬送し、PM内の他方のチャンバ100に基板200を搬送せずに、PMでの処理を開始することがある。この場合、基板200が搬送されたチャンバ100では通常の基板処理が行われる。これを通常デポ(デポジション)と呼ぶ。一方で、基板200が搬送されなかった他方のチャンバ100では、基板載置台212の載置面211に膜が成膜されてしまう。この様な処理を空デポ(デポジション)と呼ぶ。この空デポの積算時間が多くなった場合に、通常デポが行われたチャンバ100内の雰囲気と空デポが行われたチャンバ100内の雰囲気が異なってしまう。これにより、チャンバ100毎で、基板200上に形成される膜の特性が変化してしまう課題を生じる。また、空デポの積算時間が多くなることで、パーティクルの発生数や頻度が通常デポが行われるチャンバ100と比較して多くなる課題を生じる。また、メンテナンスタイミングも異なる課題を生じる。更には、載置面211に膜が形成されているため、チャンバ100毎にメンテナンス内容を変える手間が発生する。例えば、載置面211上に形成される膜を除去するためにクリーニング時間を長くする必要が有る。クリーニング時間を長くした場合、シャワーヘッド234や、上部容器202aの内壁、仕切板204の表面、基板載置台212の外周面215等、をオーバーエッチングしてしまい、処理室201の雰囲気を大きく変えてしまう課題を生じる。
最近の半導体装置では、3D−NANDの様に積層構造が主流となっている。この構造では、同じ種類の膜が複数回成膜される。この構造では、複数の膜それぞれの膜特性が、所定の膜特性の範囲内に入っていることが求められ、同じ種類の膜は、同じ基板処理装置で成膜されることが有る。しかしながら、成膜毎にチャンバ100内の環境が変化し、複数の膜のそれぞれの膜特性が所定の範囲内に入らない課題が生じる。
先ず、図11を用いて、基板搬送工程について説明する。図11は、一実施形態に係る、基板搬送工程の補正工程を含む基板搬送フロー図である。
格納容器としてのポッド1001から、所定の順序で、基板200を複数のチャンバ100に搬送させて、それぞれのチャンバ100で順に処理をさせる。なお、ここでの所定の順序とは、例えば、チャンバ100a、チャンバ100b、チャンバ100c、チャンバ100d、チャンバ100e、チャンバ100f、チャンバ100g、チャンバ100h、チャンバ100i、チャンバ100a、チャンバ100b・・・の順で搬送させることを意味する。なお。搬送の開始は、チャンバ100aで無くても良く、チャンバ100cから搬送を始める場合の所定の順序は、チャンバ100c、チャンバ100d、チャンバ100e、チャンバ100f、チャンバ100g、チャンバ100h、チャンバ100i、チャンバ100a、チャンバ100b、チャンバ100c、チャンバ100d、・・・となる。ポッド1001から各チャンバ100への基板200の搬送は、ポッド1001内の処理対象の基板200が無くなるまで繰り返し実行される。第1基板搬送工程S300の終了後、基板搬送工程の補正工程S301が行われる。
補正工程S301では、第1カウントデータ生成工程S302、搬送フラグデータ付与工程S303、第1判定工程S304、搬送開始位置変更工程S305が行われる。各工程について、以下に説明する。
まず、コントローラ260の演算部としてのCPU260aで、複数の処理室それぞれに対応する第1カウントデータを生成し、第1カウントデータを記憶部としての記憶装置260cに記憶させる。ここで、第1カウントデータは、以下が有る。例えば、チャンバ100での積算処理時間、累積膜厚、処理ガスの積算供給時間、反応ガスの積算供給時間、プロセス圧力の積算維持時間、基板載置台212をプロセス温度に保持した積算時間、処理室201内に生成したプラズマの積算放電時間、等である。第1カウントデータは、これらの内、少なくとも1つから選択される。2つ以上を選択して第1カウントデータを生成しても良い。
続いて、複数の処理室に対応する第1カウントデータそれぞれについて比較演算が行われ、搬送フラグデータを生成する。具体的には、複数の処理室に対応する第1カウントデータそれぞれについて比較し、第1カウントデータの内、一番大きい第1カウントデータに対応するチャンバ100に搬送フラグデータを付与する。搬送フラグデータのデータテーブル例について、図13に示す。図13は、第1カウントデータとして、積算処理時間を用いて、比較演算し、その結果、搬送フラグデータの入力ボックスXa、Xb、Xc、・・・Xiに記録された状態を示す。図13では、積算処理時間が一番多いチャンバ100aの入力ボックスXaにフラグとして『1』が記憶される。他の入力ボックスには、フラグが無い状態として『0』が記憶されている。なお、各入力ボックスに、既にフラグデータが入力されている場合は、この演算結果に基づいて、各入力ボックス内のデータを変更させる。
続いて、第1判定工程S304が行われる。第1判定工程では、各チャンバ100に対応する搬送フラグが変更されているか否かを判定する。判定した結果、搬送フラグが変更されている場合は、Y判定として、次の搬送開始位置変更工程S305を行わせる。搬送フラグが変更されていない場合は、N判定として、搬送開始位置変更工程S305を行わずに、次の第2基板搬送工程S306を行わせる。
続いて、第1判定工程S304でY判定とされた後に実行される搬送開始位置変更工程S305について説明する。Y判定とされた場合、搬送フラグが付与されたチャンバ100の次のチャンバ100から搬送を開始する様に、基板搬送レシピの設定を更新させる。図13に示す例では、チャンバ100aに搬送フラグが設定されているので、次の基板搬送工程では、最初に搬送する基板200をチャンバ100bに搬送する様に基板搬送レシピの設定を更新させる。この様に、複数の第1カウントデータの内、最大のカウント数に対応するチャンバ100の次のチャンバから基板を搬送する様に構成する。なお、搬送フラグによっては、基板搬送レシピの更新前と更新後で、最初に搬送する基板200の搬送先が同じである場合も有る。
続いて、第2基板搬送工程S306が行われる。第2基板搬送工程S306は、基板搬送レシピに基づいて、上述の第1基板搬送工程S300と同様の手順で、ポッド1001内の処理対象の基板200が無くなるまで、順番にチャンバ100に基板搬送が行われる。
次に、第2判定工程S307が行われる。第2判定工程S307では、IOステージ1100に、次に処理するポッド1001が載置されているか否かの判定が行われる。次に処理するポッド1001が有る場合は、Y判定として、補正工程S301行わせ、処理すべきポッド1001が無くなるまで繰り返し、補正工程S301と第2基板搬送工程S306を行わせる。次に処理するポッド1001が無い場合は、N判定として、基板処理工程を終了させる。
110・・・プロセスモジュール
200・・・基板
201・・・処理室
202・・・処理容器
211・・・載置面
212・・・基板載置台
232・・・バッファ空間
234・・・シャワーヘッド
241・・・ガス導入口
1000・・・基板処理システム
1100・・・IOステージ
1200・・・大気搬送室
1220・・・第1搬送ロボット(大気搬送ロボット)
1300・・・ロードロック室
1400・・・真空搬送室
1700・・・第2搬送ロボット(真空搬送ロボット)
Claims (19)
- 複数の基板が収容された格納容器が複数載置されるロードポートと、
前記基板を処理可能な複数の処理室と、
前記格納容器に格納された複数の基板を、前記複数の処理室のそれぞれへ前記複数の処理室の処理順番に対応する順序で搬送する搬送部と、
前記複数の処理室それぞれに対応する第1カウントデータを生成する演算部と、
前記第1カウントデータを記憶する記憶部と、
前記第1カウントデータの内、最大のカウント数に対応する処理室に搬送フラグデータを付与し、前記格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、当該搬送フラグデータが付与された処理室の次の処理順番の処理室から前記順序で搬送するよう前記搬送部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記処理室を複数有するプロセスモジュールを有し、
前記制御部は、前記プロセスモジュールが有する前記処理室に対応する第1カウントデータから、第2カウントデータを生成する様に前記演算部を制御させる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第2カウントデータは、前記プロセスモジュールが有する全ての処理室の前記第1カウントデータを合算させて算出するように前記演算部を制御する
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記処理室内に前記基板が存在しない状態で前記処理が実行された場合に、当該処理室に対応する前記第1カウントデータを生成させるよう前記演算部を制御する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記処理室内に前記基板が存在しない状態で前記処理が実行された場合に、当該処理室に対応する前記第1カウントデータを生成しないよう前記演算部を制御する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記搬送部は、前記基板を複数保持可能な保持部を有し、
前記制御部は、次の格納容器内の基板を搬送する際には、前記プロセスモジュールが有する前記処理室の数に対応する基板を搬送させる様に前記搬送部を制御させる
請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1カウントデータとして積算処理時間データを含むデータを前記記憶部から読み出す
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1カウントデータとして累積膜厚データを含むデータを前記記憶部から読み出す
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ロードポートには、前記格納容器内に前記処理対象では無い前記基板が格納されているか、前記処理対象の前記基板が満載でない状態の格納容器が載置され、
前記制御部は、前記格納容器から前記処理対象の基板を前記複数の処理室それぞれに搬送するように前記搬送部を制御する
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 複数の基板が収容された格納容器をロードポートに載置する工程と、
前記格納容器に格納された複数の基板を、前記基板を処理可能な複数の処理室のそれぞれへ前記複数の処理室の処理順番に対応する順序で搬送する工程と、
前記複数の処理室それぞれで、前記基板を処理する工程と、
前記複数の処理室それぞれに対応する第1カウントデータを生成する工程と、
前記第1カウントデータを記憶する工程と、
前記第1カウントデータの内、最大のカウント数に対応する処理室に搬送フラグデータを付与する工程と、
前記格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、当該搬送フラグデータが付与された処理室の次の処理順番の処理室から前記順序で搬送させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記処理室を複数有するプロセスモジュールを有し、
前記プロセスモジュールが有する前記処理室に対応する第1カウントデータから、第2カウントデータを生成する工程と、
を有する請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2カウントデータを、前記プロセスモジュールが有する全ての処理室の前記第1カウントデータを合算させて算出する工程と、
を有する請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記処理室内に前記基板が存在しない状態で前記処理が実行された場合に、当該処理室に対応する前記第1カウントデータを生成させる工程と、を有する請求項10乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理室内に前記基板が存在しない状態で前記処理が実行された場合に、当該処理室に対応する前記第1カウントデータを生成しない工程と、を有する請求項10乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の基板が収容された格納容器をロードポートに載置させる手順と、
前記格納容器に格納された複数の基板を、前記基板を処理可能な複数の処理室のそれぞれへ前記複数の処理室の処理順番に対応する順序で搬送させる手順と、
前記複数の処理室それぞれで、前記基板を処理させる手順と、
前記複数の処理室それぞれに対応する第1カウントデータを生成させる手順と、
前記第1カウントデータを記憶させる手順と、
前記第1カウントデータの内、最大のカウント数に対応する処理室に搬送フラグデータを付与させる手順と、
前記格納容器の次の格納容器に格納された基板を、当該搬送フラグデータが付与された処理室の次の処理順番の処理室から前記順序で搬送させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。 - 前記処理室を複数有するプロセスモジュールを有し、
前記プロセスモジュールが有する前記処理室に対応する第1カウントデータから、第2カウントデータを生成させる手順と、
を有する請求項15に記載の記録媒体。 - 前記第2カウントデータを、前記プロセスモジュールが有する全ての処理室の前記第1カウントデータを合算させて算出させる手順と、
を有する請求項16に記載の記録媒体。 - 前記処理室内に前記基板が存在しない状態で前記処理が実行された場合に、当該処理室に対応する前記第1カウントデータを生成させる手順と、
を有する請求項15乃至17のいずれか一項に記載の記録媒体。 - 前記処理室内に前記基板が存在しない状態で前記処理が実行された場合に、当該処理室に対応する前記第1カウントデータを生成させる手順と、
を有する請求項15乃至17のいずれか一項に記載の記録媒体。
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