JP6701649B2 - Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film - Google Patents

Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film Download PDF

Info

Publication number
JP6701649B2
JP6701649B2 JP2015178618A JP2015178618A JP6701649B2 JP 6701649 B2 JP6701649 B2 JP 6701649B2 JP 2015178618 A JP2015178618 A JP 2015178618A JP 2015178618 A JP2015178618 A JP 2015178618A JP 6701649 B2 JP6701649 B2 JP 6701649B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
organic
electron
compound
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015178618A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017054972A (en
Inventor
隆太郎 菅原
隆太郎 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2015178618A priority Critical patent/JP6701649B2/en
Publication of JP2017054972A publication Critical patent/JP2017054972A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6701649B2 publication Critical patent/JP6701649B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、π共役系化合物及び発光性薄膜に関し、特に、発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられるπ共役系化合物、当該π共役系化合物を含有する発光性薄膜、当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence device, a display device, a lighting device, a π-conjugated compound and a light-emitting thin film, and particularly, an organic electroluminescence device having excellent luminous efficiency, a π-conjugated compound used for the organic electroluminescence device, The present invention relates to a light-emitting thin film containing the π-conjugated compound, a display device provided with the organic electroluminescent element, and a lighting device.

有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と略記する。）を利用した有機ＥＬ素子（「有機電界発光素子」ともいう。）は、平面発光を可能とする新しい発光システムとして既に実用化されている技術である。有機ＥＬ素子は、電子ディスプレイはもとより、最近では照明機器にも適用され、その発展が期待されている。   An organic EL element (also referred to as an “organic electroluminescent element”) that uses electroluminescence (hereinafter, abbreviated as “EL”) of an organic material has already been put into practical use as a new light emitting system capable of planar light emission. It is a technology that is being used. Organic EL devices have been applied not only to electronic displays but also to lighting devices in recent years, and their development is expected.

有機ＥＬの発光方式としては、三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
有機ＥＬ素子に電界をかけると、陽極と陰極からそれぞれ正孔と電子が注入され、発光層において再結合し励起子を生じる。このとき一重項励起子と三重項励起子とが２５％：７５％の割合で生成するため、三重項励起子を利用するリン光発光の方が、蛍光発光に比べ、理論的に高い内部量子効率が得られることが知られている。しかしながら、リン光発光方式において実際に高い量子効率を得るためには、中心金属にイリジウムや白金などの希少金属を用いた錯体を用いる必要があり、将来的に希少金属の埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となることが懸念される。 There are two types of organic EL emission methods: "phosphorescence emission" that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state, and "fluorescence emission" that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. There is.
When an electric field is applied to the organic EL element, holes and electrons are injected from the anode and cathode, respectively, and recombine in the light emitting layer to generate excitons. At this time, since singlet excitons and triplet excitons are generated at a ratio of 25%:75%, phosphorescence emission using triplet excitons has a theoretically higher internal quantum than fluorescence emission. It is known that efficiency can be obtained. However, in order to actually obtain high quantum efficiency in the phosphorescence emission method, it is necessary to use a complex using a rare metal such as iridium or platinum as the central metal, and in the future, the reserves of rare metals and the metal itself There is concern that price will become a big issue in the industry.

一方で、蛍光発光型においても発光効率を向上させるために様々な開発がなされており、近年新しい動きが出てきた。
例えば、特許文献１には、二つの三重項励起子の衝突により一重項励起子が生成する現象（以下、Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ：以下、適宜「ＴＴＡ」と略記する。また、Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｆｕｓｉｏｎ：「ＴＴＦ」ともいう。）に着目し、ＴＴＡを効率的に起こして蛍光素子の高効率化を図る技術が開示されている。この技術により蛍光発光材料（以下、蛍光発光性材料、蛍光材料ともいう。）の電力効率は従来の蛍光発光材料の２〜３倍まで向上しているが、ＴＴＡにおける理論的な一重項励起子生成効率は４０％程度にとどまるため、依然としてリン光発光に比べ高発光効率化の課題を有している。
さらに、近年では、安達らにより、熱活性化型遅延蛍光（「熱励起型遅延蛍光」ともいう：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：以下、適宜「ＴＡＤＦ」と略記する。）機構を利用した蛍光発光材料と、有機ＥＬ素子への利用の可能性が報告されている（例えば、非特許文献１〜７、特許文献２参照。）。 On the other hand, various developments have been made in order to improve the luminous efficiency even in the fluorescent light emitting type, and a new movement has recently been made.
For example, in Patent Document 1, a phenomenon in which singlet excitons are generated by collision of two triplet excitons (hereinafter, referred to as Triplet-Triple Annihilation: hereinafter, abbreviated as "TTA" as appropriate. In addition, Triplet-Triplet Fusion: (Also referred to as "TTF"), a technique for efficiently causing TTA to improve the efficiency of the fluorescent element is disclosed. With this technology, the power efficiency of the fluorescent light emitting material (hereinafter, also referred to as fluorescent light emitting material and fluorescent material) has been improved to 2 to 3 times that of the conventional fluorescent light emitting material. Since the production efficiency is only about 40%, it still has a problem of higher emission efficiency than phosphorescence emission.
Furthermore, in recent years, Adachi et al. have used a thermally-activated delayed fluorescence (also referred to as “thermally-excited delayed fluorescence”: Thermally Activated Delayed Fluorescence: hereinafter, abbreviated as “TADF”) mechanism as a fluorescent light-emitting material. , And the possibility of use in organic EL devices has been reported (see, for example, Non-Patent Documents 1 to 7 and Patent Document 2).

ＴＡＤＦ機構は、図１に示すように、通常の蛍光発光性化合物に比べ、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差（ΔＥｓｔ）が小さい化合物（図１では、ΔＥｓｔ（ＴＡＤＦ）がΔＥｓｔ（Ｆ）よりも小さい。）を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が生じる現象を利用した発光機構である。すなわち、ΔＥｓｔが小さいことによって、電界励起により７５％の確率で発生する三重項励起子が、本来なら発光に寄与できないところ、有機ＥＬ素子駆動時の熱エネルギーなどで一重項励起状態に遷移し、その状態から基底状態へ輻射失活（「輻射遷移」又は「放射失活」ともいう。）し蛍光発光を起こすものである。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用すると、蛍光発光においても、理論的には１００％の内部量子効率が可能となると考えられている。   As shown in FIG. 1, the TADF mechanism is a compound having a small difference (ΔEst) between the singlet excitation energy level and the triplet excitation energy level (ΔEst(TADF) in FIG. Is smaller than ΔEst(F).), a light emission mechanism utilizing a phenomenon in which an inverse intersystem crossing from a triplet exciton to a singlet exciton occurs. That is, due to the small ΔEst, triplet excitons generated at a probability of 75% by electric field excitation cannot originally contribute to light emission, but transition to a singlet excited state due to thermal energy when driving an organic EL element, Radiation deactivation (also referred to as “radiation transition” or “radiation deactivation”) from that state to the ground state causes fluorescence emission. It is believed that the use of the delayed fluorescence due to this TADF mechanism enables theoretically 100% internal quantum efficiency even in fluorescence emission.

さらに、ホスト化合物と発光性化合物からなる発光層に、ＴＡＤＦ性を示す化合物を第三成分（アシストドーパント）として発光層に含めると、高発光効率発現に有効であることが知られている（例えば、非特許文献８参照。）。アシストドーパント上に２５％の一重項励起子と７５％の三重項励起子を電界励起により発生させることによって、三重項励起子は逆項間交差（ＲＩＳＣ）を伴って一重項励起子を生成することができる。一重項励起子のエネルギーは、発光性化合物へエネルギー移動し、発光性化合物が発光することが可能となる。したがって、理論上１００％の励起子エネルギーを利用して、発光性化合物を発光させることが可能となり、高発光効率が発現する。   Furthermore, it is known that when a compound exhibiting TADF property is included as a third component (assisting dopant) in the light emitting layer composed of a host compound and a light emitting compound as a third component (assist dopant), it is effective in achieving high light emission efficiency (for example, , Non-Patent Document 8.). By generating 25% singlet excitons and 75% triplet excitons on the assisting dopant by electric field excitation, the triplet excitons generate singlet excitons with inverse intersystem crossing (RISC). be able to. The energy of singlet excitons is transferred to the light emitting compound, and the light emitting compound can emit light. Therefore, theoretically 100% of the exciton energy can be used to cause the light-emitting compound to emit light, and high light emission efficiency is exhibited.

有機化合物において、例えばΔＥｓｔを小さくするためには、分子内の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）を混在させずに局在化させることが望ましい。このためには強力な電子供与性基又は電子吸引性基を用いる手法が知られている。非特許文献３や特許文献４では電子供与性基であるカルバゾリル基、電子吸引性基であるトリアジニル基を有する下記化合物１が遅延蛍光を発することが記載されている。   In order to reduce ΔEst in an organic compound, it is desirable to localize the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) in the molecule without mixing them. For this purpose, a method using a strong electron-donating group or electron-withdrawing group is known. Non-Patent Document 3 and Patent Document 4 describe that the following compound 1 having a carbazolyl group as an electron-donating group and a triazinyl group as an electron-withdrawing group emits delayed fluorescence.

また、非特許文献９には、ジアリルアミノアントラセンのドナー平面のねじれと、化合物の電子状態および発光性との関係について記載されている。この文献には、ジベンゾアゼピン等の平面性の低い電子供与性基を有する化合物においては、π共役系が広がることは記載されているものの、電子供与性であるジベンゾアゼピン構造と共に、電子吸引性基を有する構造については記載されていない。   Further, Non-Patent Document 9 describes the relationship between the twist of the donor plane of diallylaminoanthracene and the electronic state and luminescence of the compound. Although this document describes that a compound having an electron-donating group having low planarity such as dibenzoazepine spreads a π-conjugated system, it has an electron-withdrawing dibenzoazepine structure and an electron-withdrawing group. There is no mention of a structure having

国際公開第２０１０／１３４３５０号International Publication No. 2010/134350 特開２０１３−１１６９７５号公報JP, 2013-116975, A 特開２０１３−０４１１０６号公報JP, 2013-041106, A 国際公開第２０１４／１３３１２１号International Publication No. 2014/133121

「照明に向けた燐光有機ＥＬ技術の開発」応用物理 第８０巻、第４号、２０１１年"Development of phosphorescent organic EL technology for lighting" Applied Physics Volume 80, No. 4, 2011 Ｈ．Ｕｏｙａｍａ，ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ，２０１２，４９２，２３４−２３８H. Uoyama, et al. , Nature, 2012, 492, 234-238. Ｓ．Ｙ．Ｌｅｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１２，１０１，０９３３０６−０９３３０９S. Y. Lee et al. , Applied Physics Letters, 2012, 101, 093306-093309. Ｑ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１４７０６−１４７０９Q. Zhang et al. J. Am. Chem. Soc. , 2012, 134, 14706-14709 Ｔ．Ｎａｋａｇａｗａ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２０１２，４８，９５８０−９５８２T. Nakagawa et al. Chem. Commun. , 2012, 48, 9580-9582 Ａ．Ｅｎｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２００９，２１，４８０２−４８０６A. Endo et al. , Adv. Mater. , 2009, 21, 4802-4806 有機ＥＬ討論会 第１０回例会予稿集 ｐ１１−１２，２０１０Organic EL Debate 10th Annual Meeting Proceedings p11-12,2010 Ｈ．Ｎａｋａｎоｔａｎｉ，ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｉｏｎ，２０１４，５，４０１６−４０２２．H. Nakanotani, et al. , Nature Communication, 2014, 5, 4016-4022. Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ａ．，２０１５，１１９，４８９８−４９０６J. Phys. Chem. A. , 2015, 119, 4898-4906

上述した特許文献４に記載されている化合物１は、ＴＡＤＦ性を発現する化合物ではあるが、ＨＯＭＯとＬＵＭＯを混在させずに局在化させているため、発光性が低い。また、非特許文献９には、発光性を示す化合物が開示されているものの、ＴＡＤＦ性を発現する化合物に関する記載はない。よって、高い発光性を維持しつつＴＡＤＦ性を発現させる手法が望まれている。   The compound 1 described in Patent Document 4 described above is a compound that exhibits TADF property, but since HOMO and LUMO are localized without being mixed, the compound 1 has low light emitting property. Non-Patent Document 9 discloses a compound exhibiting a light emitting property, but does not describe a compound exhibiting TADF property. Therefore, a method of exhibiting TADF property while maintaining high light emission property is desired.

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、高い発光性を維持しつつ、ＴＡＤＦ性を発現するπ共役系化合物を用いた、蛍光量子収率および発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられるπ共役系化合物、当該π共役系化合物を含有する発光性薄膜を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems and circumstances, and a problem to be solved is to use a π-conjugated compound that exhibits TADF properties while maintaining high light emission properties, and to obtain fluorescence quantum yield and light emission efficiency. Another object of the present invention is to provide an excellent organic electroluminescence device. Another object of the present invention is to provide a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence element, a π-conjugated compound used for the organic electroluminescence element, and a light-emitting thin film containing the π-conjugated compound.

本発明者は、平面性の低い電子供与性基を用いる下記一般式（１）で表されるπ共役系化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子中の発光層の少なくとも一つに含有させることで、高い蛍光量子収率を有し、発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。 The present inventor includes a π-conjugated compound represented by the following general formula (1), which uses an electron-donating group having low planarity, in at least one of the light-emitting layers in the organic electroluminescence device to obtain high fluorescence. The inventors have found that an organic electroluminescence device having a quantum yield and excellent emission efficiency can be obtained, and the present invention has been completed.
That is, the above-mentioned subject concerning the present invention is solved by the following means.

本発明の第一は、有機エレクトロルミネッセンス素子に係わる。
［１］ 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極に挟持された少なくとも一つの有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層の少なくとも一つが、下記一般式（１）で表される構造を有し、且つ最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔＥｓｔが０．５０ｅＶ以下であるπ共役系化合物を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（１）において、
ＥＤＧは下記一般式（１Ａ）：
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である）、
で表される構造であり、
Ｌは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、
ＥＷＧは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる電子吸引性基を表し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３は、各々独立に、１〜３の整数である。）
［２］ 前記π共役系化合物において、ＥＤＧが一般式（２Ａ）で表される構造を有することを特徴とする、［１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（２Ａ）において、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である。）
［３］ 前記一般式（１Ａ）及び（２Ａ）において、Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つが、電子供与性の置換基であることを特徴とする、［１］または［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［４］ 前記電子供与性の置換基が、置換または無置換のフェニル基、カルバゾリル基、ジフェニルアミノ基、及びｔｅｒｔ−ブチル基からなる群より選ばれる１種であることを特徴とする、［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［５］ 前記有機層は、発光層を含み、
前記発光層は、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物を含有することを特徴とする、［１］〜［４］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［６］ 前記発光層は、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と、蛍光発光性材料及びリン光発光性材料の少なくとも一方とを含むことを特徴とする、［５］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［７］ 前記発光層が、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と、蛍光発光性材料及びリン光発光性材料の少なくとも一方と、ホスト化合物とを含むことを特徴とする、［５］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The first aspect of the present invention relates to an organic electroluminescence device.
[1] An organic electroluminescence device comprising an anode, a cathode, and at least one organic layer sandwiched between the anode and the cathode,
At least one of the organic layers has a structure represented by the following general formula (1), and the absolute value ΔEst of the difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level is 0.50 eV. An organic electroluminescence device comprising the following π-conjugated compound.
(In the general formula (1),
EDG is represented by the following general formula (1A):
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3),
Is a structure represented by
L represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group,
EWG is a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted Represents an electron withdrawing group selected from the group consisting of an electron withdrawing heterocyclic ring,
n1, n2 and n3 are each independently an integer of 1 to 3. )
[2] The organic electroluminescence device according to [1], wherein in the π-conjugated compound, EDG has a structure represented by the general formula (2A).
(In the general formula (2A),
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3. )
[3] In the above general formulas (1A) and (2A), at least one of R 1 and R 2 is an electron-donating substituent, the organic compound according to [1] or [2]. Electroluminescent device.
[4] The electron-donating substituent is one selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted phenyl group, a carbazolyl group, a diphenylamino group, and a tert-butyl group, [3 ] The organic electroluminescent element of description.
[5] The organic layer includes a light emitting layer,
The organic electroluminescent element according to any one of [1] to [4], wherein the light emitting layer contains a π-conjugated compound represented by the general formula (1).
[6] In [5], the light emitting layer contains a π-conjugated compound represented by the general formula (1) and at least one of a fluorescent material and a phosphorescent material. The organic electroluminescence device described.
[7] The light emitting layer contains a π-conjugated compound represented by the general formula (1), at least one of a fluorescent material and a phosphorescent material, and a host compound. The organic electroluminescence device according to [5].

本発明の第二は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた、表示装置及び照明装置に係わる。
［８］［１］〜［７］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、表示装置。
［９］ ［１］〜［７］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、照明装置。
［１０］ ［９］に記載の照明装置、及び表示手段として、液晶素子を具備することを特徴とする表示装置。 A second aspect of the present invention relates to a display device and a lighting device using the organic electroluminescence element of the present invention.
[8] A display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of [1] to [7].
[9] A lighting device comprising the organic electroluminescence device according to any one of [1] to [7].
[10] A display device comprising a lighting device according to [9] and a liquid crystal element as display means.

本発明の第三は、π共役系化合物およびそれを含有する発光性薄膜に係わる。
［１１］ 下記一般式（１）で表される構造を有し、且つ最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔＥｓｔが０．５０ｅＶ以下であることを特徴とする、π共役系化合物。
（前記一般式（１）において、
ＥＤＧは下記一般式（１Ａ）：
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である）、
で表される構造であり、
Ｌは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、
ＥＷＧは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる電子吸引性基を表し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３は、各々独立に、１〜３の整数である。）
［１２］ ［１１］のπ共役系化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。 The third aspect of the present invention relates to a π-conjugated compound and a light emitting thin film containing the same.
[11] It has a structure represented by the following general formula (1), and an absolute value ΔEst of a difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level is 0.50 eV or less. Characterized is a π-conjugated compound.
(In the general formula (1),
EDG is represented by the following general formula (1A):
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3),
Is a structure represented by
L represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group,
EWG is a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted Represents an electron-withdrawing group selected from the group consisting of an electron-withdrawing heterocycle,
n1, n2, and n3 are each independently an integer of 1 to 3. )
[12] A luminescent thin film containing the π-conjugated compound of [11].

本発明によれば、π共役系化合物を用いた、蛍光量子収率および発光効率が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられるπ共役系化合物、当該π共役系化合物を含有する発光性薄膜を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence device using a π-conjugated compound and having improved fluorescence quantum yield and emission efficiency. Further, it is possible to provide a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence element, a π-conjugated compound used in the organic electroluminescence element, and a light-emitting thin film containing the π-conjugated compound.

通常の蛍光発光性化合物及びＴＡＤＦ化合物のエネルギーダイヤグラムを示した模式図Schematic diagram showing the energy diagrams of ordinary fluorescent compounds and TADF compounds 平面性の高い電子供与性基を持つ化合物の構造とその電子状態を示す図A diagram showing the structure of a compound having a highly planar electron-donating group and its electronic state 平面性の低い電子供与性基を持つ化合物の構造とその電子状態を示す図A diagram showing the structure of a compound having an electron-donating group having low planarity and its electronic state 本発明に係るπ共役系化合物がそれぞれアシストドーパント及びホスト化合物として作用する場合の一例を示す模式図Schematic diagram showing an example of the case where the π-conjugated compound according to the present invention acts as an assist dopant and a host compound, respectively. 本発明に係るπ共役系化合物がそれぞれアシストドーパント及びホスト化合物として作用する場合の他の例を示す模式図Schematic diagram showing another example of the case where the π-conjugated compound according to the present invention acts as an assist dopant and a host compound, respectively. 有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図Schematic diagram showing an example of a display device composed of organic EL elements アクティブマトリクス方式による表示装置の模式図Schematic diagram of active matrix display device 画素の回路を示した概略図Schematic diagram showing the pixel circuit パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図Schematic diagram of a passive matrix display device 照明装置の概略図Illumination device schematic 照明装置の断面図Sectional view of lighting equipment

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。   Hereinafter, the present invention, its components, and modes and modes for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, in this application, "-" is used in the meaning which includes the numerical value described before and after that as a lower limit and an upper limit.

本発明においては、平面性の低い電子供与性基を使用した構造における高発光性に着目し、更にＴＡＤＦ性を発現させるために鋭意検討を行った、その結果、電子供与性基であるジベンゾアゼピン構造と、電子吸引性基とを有する下記一般式（１）で表される構造を有し、且つ最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔＥｓｔが０．５０ｅＶ以下であるπ共役系化合物により、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率が向上することを見出した。   In the present invention, attention was paid to the high light-emitting property in the structure using an electron-donating group having low planarity, and further diligent studies were conducted to express the TADF property. As a result, dibenzoazepine, which is an electron-donating group, was obtained. It has a structure represented by the following general formula (1) having a structure and an electron-withdrawing group, and the absolute value ΔEst of the difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level is 0. It was found that the π-conjugated compound having a voltage of 0.50 eV or less improves the light emission efficiency of the organic electroluminescence device.

（前記一般式（１）において、
ＥＤＧは下記一般式（１Ａ）：
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である）、
で表される構造であり、
Ｌは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、
ＥＷＧは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる電子吸引性基を表し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３は、各々独立に、１〜３の整数である。） (In the general formula (1),
EDG is represented by the following general formula (1A):
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3),
Is a structure represented by
L represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group,
EWG is a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted Represents an electron withdrawing group selected from the group consisting of an electron withdrawing heterocyclic ring,
n1, n2 and n3 are each independently an integer of 1 to 3. )

本発明は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極に挟持された少なくとも一つの有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層の少なくとも一つが、上記一般式（１）で表される構造を有し、且つ最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値であるΔＥｓｔが０．５０ｅＶ以下であるπ共役系化合物を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子である。次に本発明の技術思想と関連する、有機ＥＬの発光方式及び発光材料について述べる。   The present invention is an organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and at least one organic layer sandwiched between the anode and the cathode, wherein at least one of the organic layers is the above-mentioned general formula (1). A π-conjugated compound having a structure represented by and having ΔEst which is the absolute value of the difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level is 0.50 eV or less. It is a featured organic electroluminescence element. Next, the light emitting method and the light emitting material of the organic EL, which are related to the technical idea of the present invention, will be described.

＜有機ＥＬの発光方式＞
有機ＥＬの発光方式としては三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
有機ＥＬのような電界で励起する場合には、三重項励起子が７５％の確率で、一重項励起子が２５％の確率で生成するため、リン光発光の方が蛍光発光に比べ発光効率を高くすることが可能で、低消費電力化を実現するには優れた方式である。
一方、蛍光発光においても、７５％の確率で生成してしまう、通常では、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしかならない三重項励起子を、高密度で存在させることによって、二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を発生させて発光効率を向上させるＴＴＡ（Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ、また、Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｆｕｓｉｏｎ：「ＴＴＦ」と略記する。）機構を利用した方式が見つかっている。 <Organic EL emission method>
There are two types of organic EL emission methods: "phosphorescence emission" that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state, and "fluorescence emission" that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. is there.
When excited by an electric field such as an organic EL, triplet excitons are generated with a probability of 75% and singlet excitons are generated with a probability of 25%. Therefore, phosphorescence emission is more efficient than fluorescence emission. It is an excellent method for realizing low power consumption.
On the other hand, even in fluorescence emission, triplet excitons, which normally generate heat with a probability of 75% and are only heat due to non-radiative deactivation, are caused to exist at high density. A method using a TTA (triplet-triplet annealing, or abbreviated as "triple-triplet fusion (TTF)") mechanism for generating one singlet exciton from two triplet excitons to improve light emission efficiency. Found

さらに、近年では、安達らの発見により一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギーギャップを小さくすることで、発光中のジュール熱及び／又は発光素子が置かれる環境温度によりエネルギー準位の低い三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差がおこり、結果としてほぼ１００％に近い蛍光発光を可能とする現象（熱励起型遅延蛍光、又は熱励起型遅延蛍光ともいう：「ＴＡＤＦ」）とそれを可能にする蛍光物質が見いだされている（例えば、非特許文献１等参照。）。   Further, in recent years, by the discovery of Adachi et al., by making the energy gap between the singlet excited state and the triplet excited state small, triple energy with low energy level due to Joule heat during light emission and/or environmental temperature where the light emitting element is placed. Phenomenon that causes inverse intersystem crossing from a singlet excited state to a singlet excited state, resulting in nearly 100% fluorescence emission (also called thermally excited delayed fluorescence or thermally excited delayed fluorescence: "TADF") And a fluorescent substance that enables this have been found (see, for example, Non-Patent Document 1).

＜リン光発光性化合物＞
前述のとおり、リン光発光は発光効率的には蛍光発光よりも理論的には３倍有利であるが、三重項励起状態から一重項基底状態へのエネルギー失活（＝リン光発光）は禁制遷移であり、また同様に一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差も禁制遷移であるため、通常その速度定数は小さい。すなわち、遷移が起こりにくいため、励起子寿命はミリ秒から秒オーダーと長くなり、所望の発光を得ることが困難である。
ただし、イリジウムや白金などの重金属を用いた錯体が発光する場合には、中心金属の重原子効果によって、前記の禁制遷移の速度定数が三桁以上増大し、配位子の選択によっては、１００％のリン光量子収率を得ることも可能となる。
しかしながら、このような理想的な発光を得るためには、希少金属であるイリジウムやパラジウム、白金などのいわゆる白金属と呼ばれる貴金属を用いる必要があり、大量に使用されることになるとその埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となってくる。 <Phosphorescent compound>
As described above, phosphorescence is theoretically three times more advantageous in terms of luminous efficiency than fluorescence, but energy deactivation (=phosphorescence) from the triplet excited state to the singlet ground state is forbidden. Since it is a transition, and similarly, intersystem crossing from a singlet excited state to a triplet excited state is also a forbidden transition, its rate constant is usually small. That is, since transition is less likely to occur, the exciton lifetime is extended from millisecond to second order, and it is difficult to obtain desired light emission.
However, in the case where a complex using a heavy metal such as iridium or platinum emits light, the heavy atom effect of the central metal increases the rate constant of the forbidden transition by three orders of magnitude or more, and depending on the selection of the ligand, 100 It is also possible to obtain a phosphorescence quantum yield of %.
However, in order to obtain such ideal light emission, it is necessary to use a precious metal called a so-called white metal such as iridium, palladium, or platinum, which is a rare metal, and when it is used in a large amount, its reserves or The price of metal itself becomes a big problem in industry.

＜蛍光発光性化合物＞
一般的な蛍光発光性化合物は、リン光発光性化合物のような重金属錯体である必要性は特になく、炭素、酸素、窒素及び水素などの一般的な元素の組み合わせから構成される、いわゆる有機化合物が適用でき、さらに、リンや硫黄、ケイ素などその他の非金属元素を用いることも可能で、また、アルミニウムや亜鉛などの典型金属の錯体も活用できるなど、その多様性はほぼ無限と言える。
ただし、従来の蛍光化合物では前記のように励起子の２５％しか発光に適用できないために、リン光発光のような高効率発光は望めない。 <Fluorescent compound>
A general fluorescent compound does not need to be a heavy metal complex such as a phosphorescent compound, and is a so-called organic compound composed of a combination of general elements such as carbon, oxygen, nitrogen and hydrogen. Can be applied, and other non-metal elements such as phosphorus, sulfur, and silicon can be used, and the complex of typical metals such as aluminum and zinc can be utilized.
However, in the conventional fluorescent compound, only 25% of excitons can be applied to light emission as described above, and thus highly efficient light emission such as phosphorescence cannot be expected.

＜遅延蛍光化合物＞
［励起三重項−三重項消滅（ＴＴＡ）遅延蛍光化合物］
蛍光発光性化合物の問題点を解決すべく登場したのが遅延蛍光を利用した発光方式である。三重項励起子同士の衝突を起源とするＴＴＡ方式は、下記のような一般式で記述できる。すなわち、従来、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしか変換されなかった三重項励起子の一部が、発光に寄与しうる一重項励起子に逆項間交差できるメリットがあり、実際の有機ＥＬ素子においても従来の蛍光発光素子の約２倍の外部取り出し量子効率を得ることができている。
一般式： Ｔ＊ ＋ Ｔ＊ → Ｓ＊ ＋ Ｓ
（式中、Ｔ＊は三重項励起子、Ｓ＊は一重項励起子、Ｓは基底状態分子を表す。）
しかしながら、上式からも分かるように、二つの三重項励起子から発光に利用できる一重項励起子は一つしか生成しないため、この方式で１００％の内部量子効率を得ることは原理上できない。 <Delayed fluorescent compound>
[Excited triplet-triplet annihilation (TTA) delayed fluorescent compound]
A light emitting method using delayed fluorescence was introduced to solve the problems of the fluorescent compound. The TTA method, which originates from the collision of triplet excitons, can be described by the following general formula. That is, conventionally, the energy of excitons has a merit that a part of triplet excitons, which has been converted into only heat by non-radiative deactivation, can cross the singlet excitons that can contribute to light emission. In the actual organic EL device, the external extraction quantum efficiency about twice that of the conventional fluorescent light emitting device can be obtained.
General formula: T * +T * →S * +S
(In the formula, T * represents triplet excitons, S * represents singlet excitons, and S represents a ground state molecule.)
However, as can be seen from the above equation, since only one singlet exciton that can be used for light emission is generated from two triplet excitons, it is theoretically impossible to obtain 100% internal quantum efficiency by this method.

［熱活性型遅延蛍光（ＴＡＤＦ）化合物］
もう一つの高効率蛍光発光であるＴＡＤＦ方式は、ＴＴＡの問題点を解決できる方式である。
蛍光発光性化合物は前記のごとく無限に分子設計できる利点を持っている。すなわち、分子設計された化合物の中で、特異的に三重項励起状態と一重項励起状態のエネルギー準位差の絶対値（以降、ΔＥｓｔと記載する。）が極めて近接する化合物が存在する（図１参照）。
このような化合物は、分子内に重原子を持っていないにもかかわらず、ΔＥｓｔが小さいために通常では起こりえない三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が起こる。さらに、一重項励起状態から基底状態への失活（＝蛍光発光）の速度定数が極めて大きいことから、三重項励起子はそれ自体が基底状態に熱的に失活（無輻射失活）するよりも、一重項励起状態経由で蛍光を発しながら基底状態に戻る方が速度論的に有利である。そのため、ＴＡＤＦでは理想的には１００％の蛍光発光が可能となる。 [Thermal activated delayed fluorescence (TADF) compound]
Another highly efficient fluorescent emission, the TADF method, is a method that can solve the problems of TTA.
Fluorescent compounds have the advantage that they can be designed infinitely as described above. That is, among the molecularly designed compounds, there is a compound in which the absolute value of the energy level difference between the triplet excited state and the singlet excited state (hereinafter referred to as ΔEst) is extremely close (FIG. 1).
Although such a compound does not have a heavy atom in the molecule, an inverse intersystem crossing from a triplet excited state to a singlet excited state, which normally cannot occur because ΔEst is small, occurs. Furthermore, since the rate constant of deactivation (=fluorescence emission) from the singlet excited state to the ground state is extremely large, the triplet exciton itself is thermally deactivated to the ground state (non-radiative deactivation). It is kinetically more advantageous than returning to the ground state while emitting fluorescence via the singlet excited state. Therefore, TADF ideally enables 100% fluorescence emission.

＜ΔＥｓｔに関する分子設計思想＞
上記ΔＥｓｔを小さくするための分子設計について説明する。
ΔＥｓｔを小さくするためには、原理上分子内の最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：ＨＯＭＯ）と最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：ＬＵＭＯ）の空間的な重なりを小さくすることが最も効果的である。
一般に分子の電子軌道において、ＨＯＭＯは電子供与性部位に、ＬＵＭＯは電子吸引性部位に分布することが知られており、分子内に電子供与性と電子吸引性の骨格を導入することによって、ＨＯＭＯとＬＵＭＯが存在する位置を遠ざけることが可能である。 <Molecular design concept regarding ΔEst>
A molecular design for reducing ΔEst will be described.
In order to reduce ΔEst, it is most effective in principle to reduce the spatial overlap between the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) in the molecule. Is.
It is generally known that in the electron orbit of a molecule, HOMO is distributed in the electron-donating site and LUMO is distributed in the electron-withdrawing site. It is possible to move away the position where and LUMO exist.

例えば、前述の非特許文献１においては、シアノ基やスルホニル基、トリアジンなどの電子吸引性の骨格と、カルバゾールやジフェニルアミノ基等の電子供与性の骨格とを導入することで、ＬＵＭＯとＨＯＭＯとをそれぞれ局在化させている。
また、化合物の基底状態と三重項励起状態との分子構造変化を小さくすることも効果的である。構造変化を小さくするための方法としては、例えば、化合物を剛直にすることなどが効果的である。ここで述べる剛直とは、例えば、分子内の環と環との結合における自由回転を抑制したり、またπ共役面の大きい縮合環を導入するなど、分子内において自由に動ける部位が少ないことを意味する。特に、発光に関与する部位を剛直にすることによって、励起状態における構造変化を小さくすることが可能である。 For example, in Non-Patent Document 1 described above, by introducing an electron-withdrawing skeleton such as a cyano group, a sulfonyl group, or triazine, and an electron-donating skeleton such as carbazole or diphenylamino group, LUMO and HOMO can be obtained. Are localized respectively.
It is also effective to reduce the change in molecular structure between the ground state and the triplet excited state of the compound. As a method for reducing the structural change, for example, making the compound rigid is effective. The rigidity described here means that there are few sites that can move freely in the molecule, such as suppressing free rotation in the bond between rings in the molecule and introducing a condensed ring with a large π-conjugated surface. means. In particular, it is possible to reduce the structural change in the excited state by making the region involved in light emission rigid.

以下に、本発明に係るπ共役系化合物に関する種々の測定方法について記載する。   Hereinafter, various measuring methods for the π-conjugated compound according to the present invention will be described.

［電子密度分布］
本発明に係るπ共役系化合物は、ΔＥｓｔを小さくするという観点から、分子内においてＨＯＭＯとＬＵＭＯの重なりが小さいことが好ましい。これらＨＯＭＯ及びＬＵＭＯの分布状態については、半経験的分子軌道計算により得られる構造最適化した際の電子密度分布から求めることができる。
本発明におけるπ共役系化合物の半経験的分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６−３１Ｇ（ｄ）を用いた分子軌道計算用ソフトウェアを用いて算出することができ、ソフトウェアに特に限定はなく、いずれを用いても同様に求めることができる。 [Electron density distribution]
The π-conjugated compound according to the present invention preferably has a small overlap between HOMO and LUMO in the molecule, from the viewpoint of reducing ΔEst. The distribution states of these HOMO and LUMO can be obtained from the electron density distribution upon structure optimization obtained by semi-empirical molecular orbital calculation.
The structure optimization and the calculation of the electron density distribution of the π-conjugated compound in the present invention by the semi-empirical molecular orbital calculation are carried out by using a molecular orbital calculation using B3LYP as a functional and 6-31G(d) as a basis function as a calculation method. The calculation can be performed using any software, and there is no particular limitation on the software, and the same can be obtained using any software.

本発明においては、分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製のＧａｕｓｓｉａｎ０９（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｃ．０１，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，Ｇ．Ｗ．Ｔｒｕｃｋｓ，Ｈ．Ｂ．Ｓｃｈｌｅｇｅｌ，Ｇ．Ｅ．Ｓｃｕｓｅｒｉａ，Ｍ．Ａ．Ｒｏｂｂ，Ｊ．Ｒ．Ｃｈｅｅｓｅｍａｎ，Ｇ．Ｓｃａｌｍａｎｉ，Ｖ．Ｂａｒｏｎｅ，Ｂ，Ｍｅｎｎｕｃｃｉ，Ｇ．Ａ．Ｐｅｔｅｒｓｓｏｎ，Ｈ．Ｎａｋａｔｓｕｊｉ，Ｍ．Ｃａｒｉｃａｔｏ，Ｘ．Ｌｉ，Ｈ．Ｐ．Ｈｒａｔｃｈｉａｎ，Ａ．Ｆ．Ｉｚｍａｙｌｏｖ，Ｊ．Ｂｌｏｉｎｏ，Ｇ．Ｚｈｅｎｇ，Ｊ．Ｌ．Ｓｏｎｎｅｎｂｅｒｇ，Ｍ．Ｈａｄａ，Ｍ．Ｅｈａｒａ，Ｋ．Ｔｏｙｏｔａ，Ｒ．Ｆｕｋｕｄａ，Ｊ．Ｈａｓｅｇａｗａ，Ｍ．Ｉｓｈｉｄａ，Ｔ．Ｎａｋａｊｉｍａ，Ｙ．Ｈｏｎｄａ，Ｏ．Ｋｉｔａｏ，Ｈ．Ｎａｋａｉ，Ｔ．Ｖｒｅｖｅｎ，Ｊ．Ａ．Ｍｏｎｔｇｏｍｅｒｙ，Ｊｒ．，Ｊ．Ｅ．Ｐｅｒａｌｔａ，Ｆ．Ｏｇｌｉａｒｏ，Ｍ．Ｂｅａｒｐａｒｋ，Ｊ．Ｊ．Ｈｅｙｄ，Ｅ. Ｂｒｏｔｈｅｒｓ，Ｋ．Ｎ．Ｋｕｄｉｎ，Ｖ．Ｎ．Ｓｔａｒｏｖｅｒｏｖ，Ｔ．Ｋｅｉｔｈ，Ｒ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｊ．Ｎｏｒｍａｎｄ，Ｋ．Ｒａｇｈａｖａｃｈａｒｉ，Ａ．Ｒｅｎｄｅｌｌ，Ｊ．Ｃ．Ｂｕｒａｎｔ，Ｓ．Ｓ．Ｉｙｅｎｇａｒ，Ｊ．Ｔｏｍａｓｉ，Ｍ. Ｃｏｓｓｉ，Ｎ．Ｒｅｇａ，Ｊ．Ｍ．Ｍｉｌｌａｍ，Ｍ．Ｋｌｅｎｅ，Ｊ．Ｅ．Ｋｎｏｘ，Ｊ．Ｂ．Ｃｒｏｓｓ，Ｖ．Ｂａｋｋｅｎ，Ｃ．Ａｄａｍｏ，Ｊ．Ｊａｒａｍｉｌｌｏ，Ｒ．Ｇｏｍｐｅｒｔｓ，Ｒ．Ｅ．Ｓｔｒａｔｍａｎｎ，Ｏ．Ｙａｚｙｅｖ，Ａ．Ｊ．Ａｕｓｔｉｎ，Ｒ．Ｃａｍｍｉ，Ｃ．Ｐｏｍｅｌｌｉ，Ｊ．Ｗ．Ｏｃｈｔｅｒｓｋｉ，Ｒ．Ｌ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｋ．Ｍｏｒｏｋｕｍａ，Ｖ．Ｇ．Ｚａｋｒｚｅｗｓｋｉ，Ｇ．Ａ．Ｖｏｔｈ，Ｐ．Ｓａｌｖａｄｏｒ，Ｊ．Ｊ．Ｄａｎｎｅｎｂｅｒｇ，Ｓ．Ｄａｐｐｒｉｃｈ，Ａ．Ｄ．Ｄａｎｉｅｌｓ，Ｏ．Ｆａｒｋａｓ，Ｊ．Ｂ．Ｆｏｒｅｓｍａｎ，Ｊ．Ｖ．Ｏｒｔｉｚ，Ｊ．Ｃｉｏｓｌｏｗｓｋｉ，ａｎｄＤ．Ｊ．Ｆｏｘ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｗａｌｌｉｎｇｆｏｒｄ ＣＴ，２０１０．）を用いた。   In the present invention, as software for molecular orbital calculation, Gaussian09 (Revision C.01, MJ Frisch, GW Trucks, H. B. Schlegel, GE Scuseria, M.; A. Robb, J. R. Cheeseman, G. Scalmani, V. Barone, B, Mennucci, G. A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Caricato, X. Li, HP P. Hratchian, AF. Izmaylov, J. Blino, G. Zheng, J. L. Sonnenberg, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Kitao, H. Nakai, T. Vraven, JA Montgomery, Jr., JE Peralta, F. Ogliaro, M. Bearpark, J. J. Heyd, E. Brothers, K. N. Kudin, V. N. Staroverov, T. Keith, R. Kobayashi, J. Normand, K. Raghavachari, A. Rendell, J. C. Burant, S. S. Iyengar, J. Tomasi, M. Res. M. Millam, M. Klene, J. E. Knox, J. B. Cross, V. Bakken, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R. E. Stratmann, O. Yazeyev, A. J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J. W. Ochterski, R. L. Martin, K. Morokuma, V. G. Zakrzewski, G. A. Voth, P. Salvador, J. J. Dannenberg, S. Dapprich, AD Daniels, O. Farkas, J. B. Foresman, J. V. Ortiz, J. Cioslowski, and D. J. Fox, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2010.) were used.

また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの分離状態については、前述の汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６−３１Ｇ（ｄ）を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法（Ｔｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ）による励起状態計算を実施してＳ１、Ｔ１のエネルギー（それぞれＥ（Ｓ１）、Ｅ（Ｔ１））を求めてΔＥｓｔ＝｜Ｅ（Ｓ１）−Ｅ（Ｔ１）｜として算出することも可能である。算出されたΔＥｓｔが小さいほど、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの重なりが小さいことを示す。本発明においては、前述と同様の計算手法を用いて算出されたΔＥｓｔが０．５ｅＶ以下であることが好ましく、より好ましくは０．２ｅＶ以下であり、さらに好ましくは０．１ｅＶ以下である。
ΔＥｓｔが、０．５ｅＶ以下であるとき、本発明におけるπ共役系化合物は、熱活性型遅延蛍光性を示す。 Regarding the separated state of HOMO and LUMO, from the structure optimization calculation using B3LYP as the above-mentioned functional and 6-31G(d) as the basis function, further by the time-dependent density functional method (Time-Dependent DFT). Performing an excited state calculation to obtain the energies of S 1 and T 1 (E(S 1 ), E(T 1 ), respectively) and calculate as ΔEst=|E(S 1 )−E(T 1 )| Is also possible. The smaller the calculated ΔEst, the smaller the overlap between HOMO and LUMO. In the present invention, ΔEst calculated using the same calculation method as described above is preferably 0.5 eV or less, more preferably 0.2 eV or less, and further preferably 0.1 eV or less.
When ΔEst is 0.5 eV or less, the π-conjugated compound in the present invention exhibits a heat-activated delayed fluorescence.

［蛍光量子収率］
蛍光量子収率は、吸収された光子数と放出された光子数の割合で表される。励起された分子の全てが蛍光によって基底状態に戻れば、蛍光量子収率は１となるが、実際は無輻射失活によって１とはならない。
無輻射失活とは、蛍光を発しないで基底状態に戻る遷移で、項間交差による三重項状態への緩和の他、電子状態のエネルギーが振動エネルギーなどに転化して最終的に熱エネルギーになる内部転換や、他の分子にエネルギーを移すエネルギー移動などがある。
励起状態にある分子の蛍光遷移と無輻射遷移の速度定数をそれぞれＫｆとＫｎｒとおくと、量子収率Φは、
Φ＝Ｋｆ／（Ｋｆ＋Ｋｎｒ）
で表される。 [Fluorescence quantum yield]
The fluorescence quantum yield is represented by the ratio of the number of photons absorbed and the number of photons emitted. If all the excited molecules return to the ground state by fluorescence, the fluorescence quantum yield will be 1, but will not actually be 1 due to non-radiative deactivation.
Non-radiative deactivation is a transition that returns to the ground state without emitting fluorescence, and in addition to relaxation to the triplet state due to intersystem crossing, the energy of the electronic state is converted into vibrational energy and finally becomes thermal energy. Internal conversion and energy transfer that transfers energy to other molecules.
Letting Kf and Knr be the rate constants of fluorescence transition and non-radiative transition of the molecule in the excited state, the quantum yield Φ is
Φ=Kf/(Kf+Knr)
It is represented by.

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。 <<Organic EL element constituent layers>>
Typical element configurations of the organic EL element of the present invention include, but are not limited to, the following configurations.
(1) Anode/light emitting layer//cathode (2) Anode/light emitting layer/electron transport layer/cathode (3) Anode/hole transport layer/light emitting layer/cathode (4) Anode/hole transport layer/light emitting layer/ Electron transport layer/cathode (5) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode (6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode (7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/(electron blocking layer/) light emitting layer/(hole blocking layer/) electron transport layer/electron injection layer/cathode It is preferably used, but not limited thereto.
The light emitting layer used in the present invention is composed of a single layer or a plurality of layers, and when there are a plurality of light emitting layers, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the respective light emitting layers.

必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層ともいう）や電子注入層（陰極バッファー層ともいう）を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層ともいう）や正孔注入層（陽極バッファー層ともいう）を設けてもよい。
本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。 If necessary, a hole blocking layer (also referred to as a hole blocking layer) or an electron injection layer (also referred to as a cathode buffer layer) may be provided between the light emitting layer and the cathode. An electron blocking layer (also referred to as an electron barrier layer) or a hole injection layer (also referred to as an anode buffer layer) may be provided therebetween.
The electron transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. Also, it may be composed of a plurality of layers.
The hole transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. Also, it may be composed of a plurality of layers.
In the above-mentioned typical element structure, the layer excluding the anode and the cathode is also referred to as "organic layer".

（タンデム構造）
また、本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも１層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／中間層／第３発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット、第２発光ユニット及び第３発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。
複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。 (Tandem structure)
The organic EL element of the present invention may be an element having a so-called tandem structure in which a plurality of light emitting units including at least one light emitting layer are laminated.
Examples of typical tandem structure element configurations include the following configurations.
Anode/first light emitting unit/intermediate layer/second light emitting unit/intermediate layer/third light emitting unit/cathode Here, even if the first light emitting unit, the second light emitting unit and the third light emitting unit are all the same, It may be different. Further, the two light emitting units may be the same and the other one may be different.
The plurality of light emitting units may be directly laminated or may be laminated with an intermediate layer interposed therebetween. A known material structure can be used as long as it is also called an insulating layer and has a function of supplying electrons to the adjacent layer on the anode side and supplying holes to the adjacent layer on the cathode side.

中間層に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＢ６、ＲｕＯ２、Ａｌ等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３等の２層膜や、ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３／Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２／ＴｉＮ／ＴｉＯ２、ＴｉＯ２／ＺｒＮ／ＴｉＯ２等の多層膜、またＣ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた（１）〜（７）の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Examples of the material used for the intermediate layer include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO 2 , TiN, ZrN, HfN, TiO x , VO x , CuI, InN, GaN, and the like. A conductive inorganic compound layer such as CuAlO 2 , CuGaO 2 , SrCu 2 O 2 , LaB 6 , RuO 2 , and Al, a two-layer film such as Au/Bi 2 O 3 , SnO 2 /Ag/SnO 2 , ZnO/ Multilayer films of Ag/ZnO, Bi 2 O 3 /Au/Bi 2 O 3 , TiO 2 /TiN/TiO 2 , TiO 2 /ZrN/TiO 2, etc., and fullerene such as C 60 , and electroconductivity of oligothiophene etc. Examples include organic material layers, metal phthalocyanines, metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, metal-free porphyrins, and other conductive organic compound layers, but the present invention is not limited thereto.
Examples of preferable configurations in the light emitting unit include those obtained by removing the anode and the cathode from the configurations of (1) to (7) mentioned in the above typical element configurations. Not limited.

タンデム型有機ＥＬ素子の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号、米国特許第７４２０２０３号、米国特許第７４７３９２３号、米国特許第６８７２４７２号、米国特許第６１０７７３４号、米国特許第６３３７４９２号、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６−２２８７１２号公報、特開２００６−２４７９１号公報、特開２００６−４９３９３号公報、特開２００６−４９３９４号公報、特開２００６−４９３９６号公報、特開２０１１−９６６７９号公報、特開２００５−３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号公報、特許第３４９６６８１号公報、特許第３８８４５６４号公報、特許第４２１３１６９号公報、特開２０１０−１９２７１９号公報、特開２００９−０７６９２９号公報、特開２００８−０７８４１４号公報、特開２００７−０５９８４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００３−０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the tandem organic EL device include, for example, US Pat. No. 6,337,492, US Pat. No. 7,420,203, US Pat. No. 7,473,923, US Pat. No. 6,872,472, US Pat. No. 6,107,734, US Pat. Publication No. 2005/009087, JP 2006-228712 A, JP 2006-24791 A, JP 2006-49393 A, JP 2006-49394 A, JP 2006-49396 A, JP 2011 A. -96679, Japanese Patent Laid-Open No. 2005-340187, Japanese Patent No. 4711424, Japanese Patent No. 34096681, Japanese Patent No. 3884564, Japanese Patent No. 4213169, Japanese Patent No. 2010-192719, Japanese Patent Laid-Open No. 2009-076929. No. JP-A-2008-078414, JP-A-2007-059848, JP-A-2003-272860, JP-A-2003-045676, and International Publication No. 2005/094130. Examples of the material include, but are not limited to, the present invention.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
《発光層》
本発明に用いられる発光層は、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。本発明に用いられる発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成に特に制限はない。 Hereinafter, each layer constituting the organic EL device of the present invention will be described.
<Light emitting layer>
The light-emitting layer used in the present invention is a layer that provides a field where electrons and holes injected from an electrode or an adjacent layer are recombined and emit light via excitons. It may be in the layer or at the interface between the light emitting layer and the adjacent layer. The structure of the light emitting layer used in the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the requirements specified in the present invention.

発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２〜５００ｎｍの範囲内に調整され、さらに好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内に調整される。
また、本発明に用いられる個々の発光層の層厚としては、２ｎｍ〜１μｍの範囲内に調整することが好ましく、より好ましくは２〜２００ｎｍの範囲内に調整され、さらに好ましくは３〜１５０ｎｍの範囲内に調整される。 The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but the uniformity of the formed film and the application of an unnecessary high voltage during light emission are prevented, and the stability of the emission color with respect to the drive current is improved. From the viewpoint, it is preferably adjusted to the range of 2 nm to 5 μm, more preferably adjusted to the range of 2 to 500 nm, and further preferably adjusted to the range of 5 to 200 nm.
The layer thickness of each light emitting layer used in the present invention is preferably adjusted within the range of 2 nm to 1 μm, more preferably within the range of 2 to 200 nm, and further preferably within the range of 3 to 150 nm. Adjusted within range.

本発明に用いられる発光層には、発光ドーパント（発光性化合物、発光性ドーパント化合物、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。）を含有し、さらにホスト化合物（マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。）を含有することが好ましい。   The light-emitting layer used in the present invention contains a light-emitting dopant (a light-emitting compound, a light-emitting dopant compound, a dopant compound, or simply a dopant), and further a host compound (a matrix material, a light-emitting host compound, or simply a host). .) is preferably contained.

（１）発光ドーパント
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光発光性化合物、蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。）、遅延蛍光性ドーパント、リン光発光性ドーパント（リン光発光性化合物、リン光ドーパント、リン光性化合物ともいう。）が好ましく用いられる。
本発明においては、少なくとも１層の発光層が、上述の一般式（１）で表される構造を有し、ΔＥｓｔが０．５ｅＶ以下であるπ共役系化合物を発光ドーパント又はアシストドーパントとして含有することを特徴とする。
本発明においては、発光層が上記π共役系化合物を５〜４０質量％の範囲内で含有し、特に、１０〜３０質量％の範囲内で含有することが好ましい。
発光層中の上記π共役系化合物の濃度については、使用される特定のπ共役系化合物及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、本発明に係る上記π共役系化合物は、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なるπ共役系化合物同士の組み合わせや、π共役系化合物とリン光発光性化合物とを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。 (1) Luminescent Dopant As the luminescent dopant, a fluorescent luminescent dopant (also referred to as a fluorescent luminescent compound, a fluorescent dopant, or a fluorescent compound), a delayed fluorescent dopant, a phosphorescent luminescent dopant (phosphorescent luminescent compound, phosphorescent) A dopant or a phosphorescent compound) is preferably used.
In the present invention, at least one light emitting layer has a structure represented by the above general formula (1) and contains a π-conjugated compound having ΔEst of 0.5 eV or less as a light emitting dopant or an assist dopant. It is characterized by
In the present invention, the light emitting layer preferably contains the π-conjugated compound in the range of 5 to 40% by mass, and particularly preferably in the range of 10 to 30% by mass.
The concentration of the π-conjugated compound in the light emitting layer can be arbitrarily determined based on the specific π-conjugated compound used and the requirements of the device, and is uniform in the thickness direction of the light emitting layer. It may be contained at any concentration, and may have any concentration distribution.
Further, the π-conjugated compound according to the present invention may be used in combination of two or more kinds, and may be a combination of π-conjugated compounds having different structures, or a combination of the π-conjugated compound and a phosphorescent compound. You may use. As a result, any luminescent color can be obtained.

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に用いられる化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図３．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
本発明においては、１層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。 The luminescent color of the organic EL device of the present invention or the compound used in the present invention is shown in FIG. It is determined by the color when the result measured by the luminance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) is applied to the CIE chromaticity coordinates.
In the present invention, it is also preferable that one or a plurality of light emitting layers contain a plurality of light emitting dopants having different light emitting colors and emit white light.

白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組み合わせ等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子における白色とは、２度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がｘ＝０．３９±０．０９、ｙ＝０．３８±０．０８の領域内にあることが好ましい。 The combination of light emitting dopants exhibiting white is not particularly limited, but examples thereof include combinations of blue and orange, combinations of blue, green and red, and the like.
White in the organic EL device of the present invention means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd/m 2 is x=0.39±0.09 when the 2° viewing angle front luminance is measured by the above method. , Y=0.38±0.08.

（１．１）π共役系化合物
本発明に係るπ共役系化合物は、下記一般式(１)で表される構造を有し、０．５ｅＶ以下のΔＥｓｔを有することを特徴とする。 (1.1) π-Conjugated Compound The π-conjugated compound according to the present invention is characterized by having a structure represented by the following general formula (1) and having a ΔEst of 0.5 eV or less.

（前記一般式（１）において、
ＥＤＧは下記一般式（１Ａ）：
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である）、
で表される構造であり、
Ｌは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、
ＥＷＧは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる電子吸引性基を表し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３は、各々独立に、１〜３の整数である。） (In the general formula (1),
EDG is represented by the following general formula (1A):
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3),
Is a structure represented by
L represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group,
EWG is a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted Represents an electron withdrawing group selected from the group consisting of an electron withdrawing heterocyclic ring,
n1, n2 and n3 are each independently an integer of 1 to 3. )

上記一般式（１）で表されるπ共役系化合物は、一般式（１Ａ）で表される電子供与性基ＥＤＧと、電子吸引性基ＥＷＧを有している。このような構造は、高い発光性を維持しつつ、ＴＡＤＦ性を発現することが可能である。本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。   The π-conjugated compound represented by the general formula (1) has an electron donating group EDG represented by the general formula (1A) and an electron withdrawing group EWG. Such a structure can exhibit TADF property while maintaining high light emission. Although the mechanism of action or mechanism of action of the present invention has not been clarified, it is presumed as follows.

図２Ａには、電子供与性基であるジヒドロアクリジンと、アントラセンとを有する化合物を示した。この化合物においては、ジヒドロアクリジンの２つのベンゼン環のπ平面の成す二面角θは０°であり、非常に平面性が高い。このように平面性の高い電子供与性基のＨＯＭＯの電子軌道は、電子供与性基上に局在化することが分子軌道計算用ソフトウェアにより明らかにされている。これは電子供与性基の二つのベンゼン環が同一平面にあるために相互作用しやすいためである。この化合物では、ジヒドロアクリジンとアントラセンが大きく捻じれており、共役系が電子供与性基とアントラセン部位とで分かれているため、ΔＥｓｔが小さくなる。しかしながら、共役系の広がりが少ないため、発光性は低い。   FIG. 2A shows a compound having an electron donating group, dihydroacridine, and anthracene. In this compound, the dihedral angle θ formed by the π planes of the two benzene rings of dihydroacridine is 0°, and the planarity is very high. It has been clarified by the software for molecular orbital calculation that the electron orbit of the HOMO of the electron-donating group having high planarity is localized on the electron-donating group. This is because the two benzene rings of the electron-donating group are in the same plane, and thus they easily interact with each other. In this compound, since dihydroacridine and anthracene are largely twisted, and the conjugated system is divided between the electron-donating group and the anthracene site, ΔEst becomes small. However, the spread of the conjugated system is small, so that the light emitting property is low.

図２Ｂには、電子供与性基であるジフェニルアミンと、アントラセンとを有する化合物を示した。この化合物においては、ジフェニルアミンの２つのベンゼン環のπ平面の成す二面角θは約４４°であり、平面性が低い。このように平面性の低い電子供与性基のＨＯＭＯは、電子供与性基とアントラセンとの上に分布している。これは電子供与性基の二つのベンゼン環がねじているため、ベンゼン環同士の相互作用が低下し、その分を補うためにアントラセンの軌道と相互作用するためである。このようにπ共役系が電子供与性基とアントラセン部位に広く分布した化合物は発光性が高い。しかしながら、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの軌道の重なりが大きいため、ΔＥｓｔは大きくなる。   FIG. 2B shows a compound having diphenylamine, which is an electron-donating group, and anthracene. In this compound, the dihedral angle θ formed by the π planes of the two benzene rings of diphenylamine is about 44°, and the flatness is low. The HOMO of the electron-donating group having low planarity is distributed on the electron-donating group and the anthracene. This is because the two benzene rings of the electron-donating group are twisted, so that the interaction between the benzene rings is reduced and the orbit of anthracene interacts to compensate for the decrease. As described above, the compound in which the π-conjugated system is widely distributed in the electron-donating group and the anthracene site has high light emitting property. However, since the orbits of HOMO and LUMO overlap each other, ΔEst becomes large.

図２Ａや図２Ｂに示した従来の化合物とは異なり、上記一般式（１）の構造は、一般式（１Ａ）で表される電子供与性基ＥＤＧと、電子吸引性基ＥＷＧとを有しており、一般式（１Ａ）で表される電子供与性基ＥＤＧは、平面性の低いジベンゾアゼピン構造である。この構造においては、二つのベンゼン環が捻じれて、一方のベンゼン環を含むπ平面と、他方のベンゼン環を含むπ平面の成す二面角θが０°を超え、４０°未満となっている。このように平面性の低い電子供与性基のＨＯＭＯは、電子供与性基であるジベンゾアゼピン構造とそこに結合した構造との上に広く分布しているため、化合物の発光性が高い。更に、上記一般式（１）の化合物においては、電子供与性基ＥＤＧであるジベンゾアゼピン構造と電子吸引性基ＥＷＧとの立体反発も大きく、共役系が電子供与性基と電子吸引性基とで分かれているため、ΔＥｓｔが小さくなり、ＴＡＤＦ性を発現する。   Unlike the conventional compounds shown in FIGS. 2A and 2B, the structure of the general formula (1) has an electron donating group EDG represented by the general formula (1A) and an electron withdrawing group EWG. Therefore, the electron donating group EDG represented by the general formula (1A) has a dibenzoazepine structure having low planarity. In this structure, the two benzene rings are twisted, and the dihedral angle θ formed by the π plane containing one benzene ring and the π plane containing the other benzene ring exceeds 0° and is less than 40°. There is. Since the HOMO of the electron-donating group having low planarity is widely distributed on the dibenzoazepine structure which is the electron-donating group and the structure bonded thereto, the compound has high light emitting property. Further, in the compound of the general formula (1), the steric repulsion between the dibenzoazepine structure, which is the electron donating group EDG, and the electron withdrawing group EWG is large, and the conjugated system is composed of the electron donating group and the electron withdrawing group. Since they are divided, ΔEst becomes small and TADF property is exhibited.

一般式（１）におけるＬは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表す。Ｌがとりうるアリーレン基は、単環のアリーレン基であっても、縮合環のアリーレン基であってもよい。例えば、以下の環構造群Ｘから選ばれる環構造であることが好ましい。
環構造群Ｘ：
ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピレン環、ペンタレン環、アセアントリレン環、ヘプタレン環、トリフェニレン環、ａｓ−インダセン環、クリセン環、ｓ−インダセン環、プレイアデン環、フェナレン環、フルオランテン環、ペリレン環、アセフェナントリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、テトラフェニル環、カルバゾール環、インドロインドール環、９，１０−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾフリルベンゾフラン環、ジベンゾシロール環。 L in the general formula (1) represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group. The arylene group which L can take may be a monocyclic arylene group or a condensed ring arylene group. For example, a ring structure selected from the following ring structure group X is preferable.
Ring structure group X:
Benzene ring, indene ring, naphthalene ring, azulene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, biphenylene ring, chrysene ring, naphthacene ring, pyrene ring, pentalene ring, aceanthrylene ring, heptalen ring, triphenylene ring, as-indacene ring, chrysene ring, s-indacene ring, pleiaden ring, phenalene ring, fluoranthene ring, perylene ring, acephenanthrylene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, tetraphenyl ring, carbazole ring, indoloindole ring , 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene ring , Benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, dibenzofuran ring, benzofurylbenzofuran ring, dibenzosilole ring.

上記環構造群から選ばれる環構造のうち、より好ましいものとしては、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ビフェニレン環、ピレン環、トリフェニレン環、クリセン環、フルオランテン環、ペリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、カルバゾール環、インドロインドール環、９，１０−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ジベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾフリルベンゾフラン環が挙げられる。これらの構造は、化合物の安定性を向上させる点で好ましい。   Among the ring structures selected from the above ring structure group, more preferred are a benzene ring, a naphthalene ring, a fluorene ring, a phenanthrene ring, a biphenylene ring, a pyrene ring, a triphenylene ring, a chrysene ring, a fluoranthene ring, a perylene ring and a biphenyl ring. , Terphenyl ring, carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, dibenzo Examples thereof include a carbazole ring, a dibenzofuran ring, and a benzofurylbenzofuran ring. These structures are preferable because they improve the stability of the compound.

式（１）において、Ｌの数を表すｎ２は、１〜３の整数である。   In the formula (1), n2 representing the number of L is an integer of 1 to 3.

一般式（１）におけるＥＷＧは、電子吸引性基であり、具体的には、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる１種である。特に電子吸引性基はフッ素原子、シアノ基、置換されていてもよい電子吸引性の複素環であると、化合物の安定性を向上させる点で好ましい。   EWG in the general formula (1) is an electron-withdrawing group, and specifically, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, or an optionally substituted carbonyl group. It is one selected from the group consisting of a good sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted electron withdrawing heterocycle. Particularly, the electron withdrawing group is preferably a fluorine atom, a cyano group, or an optionally substituted electron withdrawing heterocyclic ring from the viewpoint of improving the stability of the compound.

「置換されていてもよいカルボニル基」、「置換されていてもよいスルホニル基」、「置換されていてもよいホスフィンオキサイド基」の置換基としては、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、アルキル基で置換されたアリール環、電子吸引性基で置換されていてもよいアリール環、置換されていてもよい電子供与性の複素環、置換されていてもよい電子吸引性の複素環が挙げられる。   The "optionally substituted carbonyl group", the "optionally substituted sulfonyl group", and the "optionally substituted phosphine oxide group" include a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, and a fluorine atom. An alkyl group optionally substituted with, an aryl ring substituted with an alkyl group, an aryl ring optionally substituted with an electron-withdrawing group, an electron-donating heterocycle optionally substituted, substituted with A good electron-withdrawing heterocycle can be mentioned.

「置換されていてもよい電子吸引性の複素環」の「電子吸引性の複素環」の例には、炭素数が３〜２４の複素環が含まれ、その具体例には、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキサイド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホールオキシド環などが挙げられる。
「置換されていてもよい電子吸引性の複素環」の置換基の例には、フッ素原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール環が挙げられる。 Examples of the “electron-withdrawing heterocycle” of the “optionally substituted electron-withdrawing heterocycle” include heterocycles having 3 to 24 carbon atoms, and specific examples thereof include a pyridine ring, Pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophenedioxide ring, Examples thereof include a dibenzosilole ring, a dibenzoborol ring and a dibenzophosphole oxide ring.
Examples of the substituent of the “optionally substituted electron-withdrawing heterocycle” include a fluorine atom, a cyano group, an optionally substituted alkyl group, and an optionally substituted aryl ring.

式（１）において、ＥＷＧの数を表すｎ３は、１〜３の整数である。   In the formula (1), n3 representing the number of EWGs is an integer of 1 to 3.

一般式（１）におけるＥＤＧは、下記一般式（１Ａ）で表される構造である。
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である。） The EDG in the general formula (1) has a structure represented by the following general formula (1A).
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3. )

式（１）において、ＥＤＧの数を表すｎ１は、１〜３の整数である。   In the formula (1), n1 representing the number of EDGs is an integer of 1 to 3.

一般式（１Ａ）においてＲ１及びＲ２として用いる置換基に特に限定はなく、電子吸引性の置換基でも、電子供与性の置換基でも構わない。このような置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等とも呼ばれる、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基［例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等］、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。 The substituent used as R 1 and R 2 in the general formula (1A) is not particularly limited, and may be an electron-withdrawing substituent or an electron-donating substituent. Examples of such a substituent include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group). Etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon group (aromatic) Also called aromatic hydrocarbon ring group, aromatic carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group. Group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group [eg, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (For example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, flazanyl Group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carborinyl group, diazacarbazolyl group (carbon atom constituting the carboline ring of the carborinyl group One of which is replaced by a nitrogen atom), quinoxalinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.], heterocyclic group (for example, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), Alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryl Oxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group) Group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group) Etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxy) Carbonyl group), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenyl Aminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc., acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group) , Dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc., acyloxy group (eg, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyl) Oxy group etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group) Group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc., carbamoyl group (eg, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylamino) Carbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc., ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group) , Pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl Group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group ( For example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2 -Pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, diphenylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group) Group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorohydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl) Group), a cyano group, a nitro group, a hydroxy group, a mercapto group, a silyl group (for example, a trimethylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a triphenylsilyl group, a phenyldiethylsilyl group, etc.), and a phosphono group.

上記一般式（１Ａ）の構造においては、ジベンゾアゼピンが電子供与性部位であるため、そこに結合する置換基Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つは、電子供与性の置換基であることが好ましい。具体的には、電子供与性のあるアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、及びシリル基からなる群より選ばれる１種であることが好ましく、フェニル基、カルバゾリル基、ジフェニルアミノ基、及びｔｅｒｔ−ブチル基からなる群より選ばれる１種であることがより好ましい。 In the structure of the general formula (1A), since dibenzoazepine is an electron-donating site, it is preferable that at least one of the substituents R 1 and R 2 bonded to the site be an electron-donating group. . Specifically, it is preferably one selected from the group consisting of an electron-donating alkyl group, a cycloalkyl group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, an amino group, and a silyl group. More preferably, it is one selected from the group consisting of a group, a carbazolyl group, a diphenylamino group, and a tert-butyl group.

また、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   Moreover, these substituents may be further substituted by the above-mentioned substituents. Further, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式（１Ａ）におけるＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表す。ＣＲ２及びＳｉＲ２におけるＲは、水素原子または置換基である。置換基の具体例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等とも呼ばれ、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。好ましくは、電子供与性のあるアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、シリル基が挙げられる。 X and Y in the general formula (1A) each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom. R in CR 2 and SiR 2 is a hydrogen atom or a substituent. Specific examples of the substituent include an alkyl group (eg, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group). Etc.), a cycloalkyl group (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc.), an aromatic hydrocarbon group (for example, an aromatic hydrocarbon ring group, an aromatic carbocyclic group, an aryl group, etc.), for example, a phenyl group, p- Chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc., aromatic heterocyclic group (for example, pyridyl) Group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazole-1 -Yl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyl group) Oxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), amino group (eg, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, diphenylamino group, butylamino group, cyclopentyl group) Amino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorohydrocarbon group (for example, , Fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (eg, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl) Group, a phenyldiethylsilyl group, etc.), a phosphono group, etc. Preferred are an electron-donating alkyl group, a cycloalkyl group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, an amino group and a silyl group. Be done.

前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物においては、電子供与性基ＥＤＧが下記一般式（２Ａ)で表される構造を有することが化合物の安定性を向上させる点で好ましい。   In the π-conjugated compound represented by the general formula (1), the electron donating group EDG preferably has a structure represented by the following general formula (2A) from the viewpoint of improving the stability of the compound.

（一般式（２Ａ）において、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である。） (In the general formula (2A),
R 1 and R 2 each independently represent a substituent,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3. )

一般式（２Ａ）中のＲ１及びＲ２は、一般式（１Ａ）のＲ１及びＲ２と同様に、各々独立に置換基を表し、Ｒ１及びＲ２の少なくとも１つが電子供与性の置換基であることが好ましい。一般式（２Ａ）中のＲ１及びＲ２として使用可能な置換基の具体例は、一般式（１Ａ）中のＲ１及びＲ２として例示したものと同じである。 R 1 and R 2 in the general formula (2A), similar to R 1 and R 2 in general formula (1A), each independently represent a substituent, at least one of R 1 and R 2 is an electron-donating It is preferably a substituent. Specific examples of the substituent that can be used as R 1 and R 2 in the general formula (2A) are the same as those exemplified as R 1 and R 2 in the general formula (1A).

一般式（１Ａ）および（２Ａ）において、Ｒ１及びＲ２の数を表すｎ４及びｎ５は、各々独立に１〜３の整数である。 In formulas (1A) and (2A), n4 and n5 representing the numbers of R 1 and R 2 are each independently an integer of 1 to 3.

以下に一般式（１）で表されるπ共役系化合物の好ましい具体例を挙げるが、これらの化合物はさらに置換基を有していてもよく、これらの構造異性体などであってもよく、本発明はこれらに限定されない。   Preferred specific examples of the π-conjugated compound represented by the general formula (1) are shown below, but these compounds may further have a substituent and may be structural isomers of these, The present invention is not limited to these.

＜本発明のπ共役系化合物の合成方法＞
上記π共役系化合物は、公知の方法で合成することができる。上記化合物Ｄ−１を一例として合成方法を説明する。 <Method for synthesizing π-conjugated compound of the present invention>
The π-conjugated compound can be synthesized by a known method. The synthesis method will be described by taking the compound D-1 as an example.

ジベンゾアゼピン（中間体１）（５.００ｇ、２５.６ ｍｍｏｌ）、１、４−ジブロモベンゼン（中間体２）（７．２５ｇ、３０．７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（５７５ｍｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、キサントホス（２．９６ｇ、５．１２ｍｍｏｌ）および炭酸セシウム（１６．７ｇ、５１．２ｍｍｏｌ）をキシレン１００ｍＬに溶解させ、窒素雰囲気化で１６時間、１４０℃に加熱する。室温まで冷却後、反応液を酢酸エチルで薄めセライトを通す。この溶液をエバポレーターで溜去したのち、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル２０％、ヘプタン８０％）で精製し、中間体３を白色固体として得る（７．４４ｇ、収率８３％）。   Dibenzazepine (intermediate 1) (5.00 g, 25.6 mmol), 1,4-dibromobenzene (intermediate 2) (7.25 g, 30.7 mmol), palladium acetate (575 mg, 2.56 mmol), xantphos (2.96 g, 5.12 mmol) and cesium carbonate (16.7 g, 51.2 mmol) are dissolved in 100 mL of xylene and heated to 140° C. for 16 hours under nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the reaction solution was diluted with ethyl acetate and passed through Celite. After the solution was distilled off with an evaporator, the residue was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate 20%, heptane 80%) to obtain Intermediate 3 as a white solid (7.44 g, yield 83%).

中間体３（７．４４ｇ、２１.２ ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（５．９２ｇ、３０．７ｍｍｏｌ）および酢酸カリウム（４．１６ｇ、４２．４ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド２００ｍＬに溶解し、窒素雰囲気化で４時間、８０℃に加熱する。室温まで冷却後、反応液に酢酸エチル２００ｍＬと水２００ｍＬを加え分液する。得られた有機層をエバポレーターで溜去し、酢酸エチルとヘプタンの混合溶媒から再結晶を行い、中間体４を白色固体として得る（５．４９ｇ、収率６５％）。   Intermediate 3 (7.44 g, 21.2 mmol), bis(pinacolato)diboron (5.92 g, 30.7 mmol) and potassium acetate (4.16 g, 42.4 mmol) were dissolved in 200 mL of dimethyl sulfoxide, and nitrogen atmosphere was added. Heating to 80° C. for 4 hours. After cooling to room temperature, 200 mL of ethyl acetate and 200 mL of water are added to the reaction solution to separate it. The obtained organic layer is distilled off with an evaporator and recrystallized from a mixed solvent of ethyl acetate and heptane to obtain Intermediate 4 as a white solid (5.49 g, yield 65%).

中間体４（２．００ｇ、５．０３ ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（中間体５）（１．３５ｇ、５．０４ ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１１３ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２，６−ジメトキシビフェニル（４１０ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）およびリン酸カリウム（２．１４ｇ、１０．１ｍｍｏｌ）をトルエン（８０ｍＬ）水（１０ｍＬ）1，４−ジオキサン（１０ｍＬ）の混合溶液中に溶解し、窒素雰囲気化で１６時間、１００℃に加熱する。室温まで冷却後、反応液を酢酸エチルで薄めセライトを通す。この溶液をエバポレーターで溜去したのち、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル２０％、ヘプタン８０％）で精製し、Ｄ−１を白色固体として得る（２．０２ｇ、収率８０％）。   Intermediate 4 (2.00 g, 5.03 mmol), 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (Intermediate 5) (1.35 g, 5.04 mmol), palladium acetate ( 113 mg, 0.50 mmol), 2-dicyclohexylphosphino-2,6-dimethoxybiphenyl (410 mg, 1.00 mmol) and potassium phosphate (2.14 g, 10.1 mmol) in toluene (80 mL) water (10 mL) 1, Dissolve in a mixed solution of 4-dioxane (10 mL) and heat to 100° C. for 16 hours under nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the reaction solution was diluted with ethyl acetate and passed through Celite. After distilling off this solution with an evaporator, the residue is purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate 20%, heptane 80%) to obtain D-1 as a white solid (2.02 g, yield 80%).

（１．２）リン光発光性ドーパント
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントについて説明する。
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。 (1.2) Phosphorescent Luminescent Dopant The phosphorescent luminescent dopant used in the present invention will be described.
The phosphorescent dopant used in the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, specifically, a compound which emits phosphorescence at room temperature (25° C.), and has a phosphorescence quantum yield. Is defined as a compound of 0.01 or more at 25° C., but a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
The above-mentioned phosphorescence quantum yield can be measured by the method described on page 398 of Spectroscopy II of Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7 (1992 version, Maruzen). The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, but the phosphorescence dopant used in the present invention achieves the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. Just do it.

リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Ｎａｔｕｒｅ ３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２０１２−１９５５５４号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報等である。 The phosphorescent dopant can be appropriately selected and used from known ones used for the light emitting layer of the organic EL device. Specific examples of known phosphorescent dopants that can be used in the present invention include compounds described in the following documents.
Nature 395, 151 (1998), Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001), Adv. Mater. 19, 739 (2007), Chem. Mater. 17, 3532 (2005), Adv. Mater. 17, 1059 (2005), International Publication No. 2009/100991, International Publication No. 2008/101842, International Publication No. 2003/040257, US Patent Application Publication No. 2006/835469, US Patent Application Publication No. 2006/ 0202194, US Patent Application Publication No. 2007/0087321, US Patent Application Publication No. 2005/0244673, Inorg. Chem. 40, 1704 (2001), Chem. Mater. 16, 2480 (2004), Adv. Mater. 16, 2003 (2004), Angew. Chem. lnt. Ed. 2006, 45, 7800, Appl. Phys. Lett. 86,153505 (2005), Chem. Lett. 34, 592 (2005), Chem. Commun. 2906 (2005), Inorg. Chem. 42, 1248 (2003), International Publication No. 2009/050290, International Publication No. 2002/015645, International Publication No. 2009/000673, US Patent Application Publication No. 2002/0034656, US Patent No. 7332232. U.S. Patent Application Publication No. 2009/0108737, U.S. Patent Application Publication No. 2009/00397776, U.S. Patent No. 6,921,915, U.S. Patent No. 6,687,266, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0190359. Description, U.S. Patent Application Publication No. 2006/0008670, U.S. Patent Application Publication No. 2009/0165846, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0015355, U.S. Patent No. 7,250,226, U.S. Patent No. 7396598, U.S. Patent Application Publication No. 2006/0263635, U.S. Patent Application Publication No. 2003/0138657, U.S. Patent Application Publication No. 2003/0152802, U.S. Patent No. 7,090,928, Angew. ． Chem. lnt. Ed. 47, 1 (2008), Chem. Mater. 18, 5119 (2006), Inorg. Chem. 46, 4308 (2007), Organometallics 23, 3745 (2004), Appl. Phys. Lett. 74, 1361 (1999), International Publication No. 2002/002714, International Publication No. 2006/009024, International Publication No. 2006/056418, International Publication No. 2005/019373, International Publication No. 2005/123873, International Publication No. 2007/004380, International Publication No. 2006/082742, US Patent Application Publication No. 2006/0251923, US Patent Application Publication No. 2005/0260441, US Patent No. 7393599, US Patent No. 7534505. Description, U.S. Pat.No. 7,445,855, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0190359, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0297033, U.S. Patent No. 7,338,722, U.S. Patent Application Publication No. 2002/ No. 0134984, U.S. Pat. No. 7,279,704, U.S. Patent Application Publication No. 2006/098120, U.S. Patent Application Publication No. 2006/103874, International Publication No. 2005/076380, International Publication No. 2010/ 0326663, International Publication No. 2008140115, International Publication No. 2007/052431, International Publication No. 2011/134013, International Publication No. 2011/157339, International Publication No. 2010/086089, International Publication No. 2009/113646, International Publication No. 2012/020327, International Publication No. 2011/051404, International Publication No. 2011/004639, International Publication No. 2011/073149, US Patent Application Publication No. 2012/228583, US Patent Application Publication No. 2012/ No. 212126, JP2012-069737A, JP2012-195554A, JP2009-114086A, JP2003-81988A, JP2002-302671A, JP2002-363552. Issue publications and the like.

中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。   Among them, preferable phosphorescent dopants include organic metal complexes having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode of a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond and a metal-sulfur bond is preferable.

（１．３）π共役系化合物と併用可能な蛍光発光性化合物
本発明に係るπ共役系化合物と併用することのできる蛍光発光性化合物（蛍光発光性ドーパントともいう。）について説明する。
本発明に係るπ共役系化合物と併用可能な蛍光発光性化合物としては、特に制限はなく、例えば、ΔＥｓｔが０．５ｅＶより大きい蛍光発光性化合物も好適に用いることができ、その他、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。 (1.3) Fluorescent compound that can be used in combination with π-conjugated compound A fluorescent compound (also called a fluorescent dopant) that can be used in combination with the π-conjugated compound according to the present invention will be described.
The fluorescent light-emitting compound that can be used in combination with the π-conjugated compound according to the present invention is not particularly limited, and for example, a fluorescent light-emitting compound having ΔEst larger than 0.5 eV can also be preferably used, and other anthracene derivatives, Pyrene derivative, chrysene derivative, fluoranthene derivative, perylene derivative, fluorene derivative, arylacetylene derivative, styrylarylene derivative, styrylamine derivative, arylamine derivative, boron complex, coumarin dye, pyran dye, cyanine dye, croconium dye, Squarium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, rare earth complex dyes, etc. A compound having a high quantum yield may be mentioned.

（２）ホスト化合物
本発明に用いられるホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機ＥＬ素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
ホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。
以下に、本発明において好ましく用いられるホスト化合物について述べる。 (2) Host compound The host compound used in the present invention is a compound mainly responsible for injecting and transporting charges in the light emitting layer, and emission of light itself is not substantially observed in the organic EL device.
Among the compounds contained in the light emitting layer, the host compound preferably has a mass ratio of 20% or more in the layer.
The host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the transfer of charges and improve the efficiency of the organic EL device.
The host compound preferably used in the present invention is described below.

本発明におけるπ共役系化合物とともに用いられるホスト化合物としては、特に制限はないが、逆エネルギー移動の観点から、本発明に係るπ共役系化合物の励起一重項エネルギーより大きな励起エネルギーをもつものが好ましく、さらに本発明に係るπ共役系化合物の励起三重項エネルギーより大きな励起三重項エネルギーをもつものがより好ましい。
ホスト化合物は、発光層内においてキャリアの輸送及び励起子の生成を担う。そのため、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態、及び励起状態の全ての活性種の状態において安定に存在でき、分解や付加反応などの化学変化を起こさないこと、さらに、層中において通電経時でホスト分子がオングストロームレベルで移動しないことが好ましい。 The host compound used with the π-conjugated compound in the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of reverse energy transfer, those having an excitation energy larger than the excitation singlet energy of the π-conjugated compound according to the present invention are preferable. Further, those having an excited triplet energy larger than that of the π-conjugated compound according to the present invention are more preferable.
The host compound is responsible for transporting carriers and generating excitons in the light emitting layer. Therefore, cation radical state, anion radical state, and can exist stably in the state of all active species of the excited state, does not cause chemical changes such as decomposition and addition reactions, further, the host molecule in the layer over time with electricity It is preferable not to move at the Angstrom level.

また、特に併用する発光ドーパントがＴＡＤＦ発光を示す場合には、ＴＡＤＦ化合物の三重項励起状態の存在時間が長いことから、ホスト化合物自体のＴ１エネルギーが高いこと、さらにホスト化合物同士が会合した状態で低Ｔ１状態を作らないこと、ＴＡＤＦ化合物とホスト化合物とがエキサイプレックスを形成しないこと、ホスト化合物が電界によりエレクトロマーを形成しないことなど、ホスト化合物が低Ｔ１化しないような分子構造の適切な設計が必要となる。
このような要件を満たすためには、ホスト化合物自体が電子のホッピング移動性が高いこと、かつ、正孔のホッピング移動が高いこと、三重項励起状態となったときの構造変化が小さいことが必要である。このような要件を満たすホスト化合物の代表格としてカルバゾール骨格、アザカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格又はアザジベンゾフラン骨格などの、高Ｔ１エネルギーを有し、かつ１４π電子系の拡張π共役骨格を部分構造として有するものが好ましく挙げられる。特に、発光層が、カルバゾール誘導体を含有することにより、発光層内における適度なキャリアホッピングや発光材料の分散を促すことができ、素子の発光性能や薄膜の安定性を向上させる効果が得られることから、好ましい。 Further, particularly when the luminescent dopant used in combination exhibits TADF emission, since the existence time of the triplet excited state of the TADF compound is long, the T 1 energy of the host compound itself is high, and further the state in which the host compounds are associated with each other. in prevention of generation of a low T 1 state, that the TADF compound and the host compound does not form a exciplex, such that the host compound does not form a electro-mer by the electric field, the host compound is a molecular structure such as not to lower T 1 of Appropriate design is required.
In order to meet these requirements, the host compound itself must have high electron hopping mobility, high hole hopping mobility, and a small structural change in the triplet excited state. Is. As a typical example of a host compound satisfying such requirements, a carbazole skeleton, an azacarbazole skeleton, a dibenzofuran skeleton, a dibenzothiophene skeleton, or an azadibenzofuran skeleton, which has a high T 1 energy and an extended π-conjugated skeleton of a 14π electron system, is used. Those having a partial structure are preferred. In particular, when the light emitting layer contains a carbazole derivative, proper carrier hopping in the light emitting layer and dispersion of the light emitting material can be promoted, and an effect of improving the light emitting performance of the device and the stability of the thin film can be obtained. Therefore, it is preferable.

さらに、これらの環がビアリール及び／又はマルチアリール構造を取った化合物などが代表例として挙げられる。ここでいう「アリール」とは、芳香族炭化水素環だけでなく芳香族複素環も含む。
より好ましくは、カルバゾール骨格と、カルバゾール骨格とは異なる分子構造を持つ１４π電子系の芳香族複素環化合物とが直接結合した化合物であり、さらに１４π電子系の芳香族複素環化合物を分子内に二つ以上持つカルバゾール誘導体が好ましい。特に、前記カルバゾール誘導体が、１４π電子以上の共役系構造部分を二つ以上有する化合物であることが、本発明の効果を一層高めるために好ましい。 Furthermore, typical examples include compounds in which these rings have a biaryl and/or multiaryl structure. The term "aryl" used herein includes not only an aromatic hydrocarbon ring but also an aromatic heterocycle.
More preferably, it is a compound in which a carbazole skeleton and a 14π-electron aromatic heterocyclic compound having a molecular structure different from that of the carbazole skeleton are directly bonded, and a 14π-electron aromatic heterocyclic compound is further incorporated into the molecule. Carbazole derivatives having three or more are preferred. Particularly, it is preferable that the carbazole derivative is a compound having two or more conjugated structure portions having 14π electrons or more in order to further enhance the effects of the present invention.

本発明に用いられる好ましいホスト化合物は、昇華精製が可能な程度の分子量をもった低分子化合物であっても、繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
低分子化合物の場合、昇華精製が可能であるため精製が容易で、高純度の材料を得やすいという利点がある。分子量としては、昇華精製が可能な程度であれば特に制限はないが、好ましい分子量としては３０００以下、より好ましくは２０００以下である。
繰り返し単位を有するポリマー又はオリゴマーの場合は、ウェットプロセスで成膜しやすいという利点があり、また一般にポリマーはＴｇが高いため耐熱性の点でも好ましい。 The preferred host compound used in the present invention may be a low molecular weight compound having a molecular weight such that sublimation purification is possible, or a polymer having a repeating unit.
In the case of a low molecular weight compound, since sublimation purification is possible, there is an advantage that purification is easy and a high-purity material is easily obtained. The molecular weight is not particularly limited as long as sublimation purification is possible, but the preferable molecular weight is 3,000 or less, more preferably 2,000 or less.
A polymer or oligomer having a repeating unit is advantageous in that it can be easily formed into a film by a wet process, and in general, the polymer has a high Tg and is preferable in terms of heat resistance.

また、ホスト化合物は、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機ＥＬ素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。好ましくはＴｇが９０℃以上であり、より好ましくは１２０℃以上である。
ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２１−２０１２に準拠した方法により求められる値である。 In addition, the host compound has a hole transporting ability or an electron transporting ability, prevents the emission of light having a long wavelength, and is stable against heat generation during driving of the organic EL device at high temperature or during device driving. From the viewpoint of operation, it is preferable to have a high glass transition temperature (Tg). The Tg is preferably 90°C or higher, more preferably 120°C or higher.
Here, the glass transition point (Tg) is a value determined by a method according to JIS K 7121-2012 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

本発明の有機ＥＬ素子に公知のホスト化合物を用いる場合、その具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書、国際公開第２０１１／０５５９３３号、国際公開第２０１２／０３５８５３号等である。
本発明に用いられるホスト化合物の具体的な例としては、特開２０１５−３８９４１号公報の明細書段落［０２５５］〜［０２９３］に記載のＨ−１〜Ｈ２３１で示される化合物や以下のＨ−２３２〜Ｈ−２３６で表される化合物が挙げられるが、本発明に使用可能なホスト化合物は、これらに限定されるものではない。 When a known host compound is used in the organic EL device of the present invention, specific examples thereof include compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
JP-A-2001-257076, JP-A-2002-308855, JP-A-2001-313179, JP-A-2002-319491, JP-A-2001-357977, JP-A-2002-334786, and JP-A-2002-8860, No. 2002-334787, No. 2002-15871, No. 2002-334788, No. 2002-43056, No. 2002-334789, No. 2002-75645, No. 2002-338579, No. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453, No. 2003. No. 3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-260861, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. No. 302516, No. 2002-305083, No. 2002-305084, No. 2002-308837, U.S. Patent Application Publication No. 2003/01775553, U.S. Patent Application Publication No. 2006/0280965, U.S.A. Patent Application Publication No. 2005/0112407, US Patent Application Publication No. 2009/0017330, US Patent Application Publication No. 2009/0030202, US Patent Application Publication No. 2005/0238919, International Publication No. 2001/039234, International Publication No. 2009/021126, International Publication No. 2008/056746, International Publication No. 2004/093207, International Publication No. 2005/089025, International Publication No. 2007/063796, International Publication No. 2007/ 063754, International Publication No. 2004/107822, International Publication No. 2005/030900, International Publication No. 2006/114966, International Publication No. 2009/086028, International Publication No. 2009/003898, International Publication No. 2012/023947. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-074939, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-254297, European Patent No. 2034538, International Publication No. 2011/055933, International Publication No. 2012/035853 and the like.
Specific examples of the host compound used in the present invention include compounds represented by H-1 to H231 described in paragraphs [0255] to [0293] of JP-A-2015-38941 and the following H- Examples of the host compound that can be used in the present invention are not limited to these.

（３）π共役系化合物の作用
本発明における発光層中に、上記一般式（１）で表される構造を有し、ΔＥｓｔが０．５ｅＶ以下である本発明に係るπ共役系化合物と、蛍光及び又はリン光発光性化合物とを含有することが、高発光効率発現の観点から好適である。
該発光層には、ホスト化合物は含有していてもしていなくてもよいが、含有されている方が好ましい。
本発明に係るπ共役系化合物、発光性化合物、及びホスト化合物は、発光層中にそれぞれの成分数に制限はないが、π共役系化合物及び発光性化合物は、それぞれ１種ずつ含有、及びホスト化合物は無し、又は１種含有されていることが好ましく、π共役系化合物、発光性化合物、及びホスト化合物がそれぞれ１種ずつ含有されていることがさらに好ましい。 (3) Action of π-conjugated compound In the light-emitting layer according to the present invention, the π-conjugated compound according to the present invention, which has the structure represented by the general formula (1) and ΔEst is 0.5 eV or less, It is preferable to contain a fluorescent and/or phosphorescent compound from the viewpoint of exhibiting high luminous efficiency.
The light emitting layer may or may not contain a host compound, but preferably contains it.
The π-conjugated compound, the light-emitting compound, and the host compound according to the present invention are not limited in the number of components in the light-emitting layer. It is preferable that there is no compound, or that one type is contained, and it is further preferable that one type of each of the π-conjugated compound, the light emitting compound, and the host compound be contained.

本発明に係るΔＥｓｔが、０．５ｅＶ以下であるπ共役系化合物、及び発光性化合物を含む発光層に、ホスト化合物が含有される場合、本発明に係るπ共役系化合物は、アシストドーパントとして作用し、ホスト化合物が含有されていない場合、本発明に係るπ共役系化合物はホスト化合物として作用する。   When the host compound is contained in the light emitting layer including the π-conjugated compound having the ΔEst of 0.5 eV or less according to the present invention and the luminescent compound, the π-conjugated compound according to the present invention acts as an assist dopant. However, when the host compound is not contained, the π-conjugated compound according to the present invention acts as a host compound.

効果が発現する機構としては、いずれの場合も同様であり、本発明に係るπ共役系化合物上に生成した三重項励起子を逆項間交差（ＲＩＳＣ）で一重項励起子へと変換する点にある。これにより、本発明に係るπ共役系化合物上に生成した理論上すべての励起子エネルギーを発光性化合物にエネルギー移動することができ、高発光効率発現を可能にする。   The mechanism for producing the effect is the same in any case, and the point of converting triplet excitons generated on the π-conjugated compound according to the present invention into singlet excitons by reverse intersystem crossing (RISC). It is in. As a result, theoretically all excitonic energies generated on the π-conjugated compound according to the present invention can be energy-transferred to the luminescent compound, and high luminous efficiency can be realized.

一例として、図３Ａ及び図３Ｂで、本発明に係るπ共役系化合物が、それぞれアシストドーパント及びホスト化合物として作用する場合の模式図を示す。
しかし、本発明に係るπ共役系化合物上に生成する三重項励起子の生成過程は、電界励起のみに限定されず、発光層内又は周辺層界面からのエネルギー移動や電子移動等も含まれる。さらに、図３Ａ及び図３Ｂでは、発光材料として蛍光発光性化合物を用いて示しているが、これに限定されず、リン光発光性化合物を用いてもよいし、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物の両者を用いてもよい。 As an example, FIGS. 3A and 3B show schematic diagrams in the case where the π-conjugated compound according to the present invention acts as an assist dopant and a host compound, respectively.
However, the generation process of triplet excitons generated on the π-conjugated compound according to the present invention is not limited to electric field excitation, and includes energy transfer and electron transfer in the light emitting layer or from the peripheral layer interface. Further, in FIGS. 3A and 3B, a fluorescent light emitting compound is used as the light emitting material, but the light emitting material is not limited to this, and a phosphorescent light emitting compound may be used, or a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound may be used. Both of the sex compounds may be used.

本発明に係るΔＥｓｔが、０．５ｅＶ以下であるπ共役系化合物をアシストドーパントとして用いるとき、上記π共役系化合物に対し質量比で１００％以上のホスト化合物が存在し、蛍光及び又はリン光発光性化合物は、上記π共役系化合物に対して質量比０．１％以上５０％以下で含んでいる発光層が好ましい。
本発明に係るπ共役系化合物のＳ１とＴ１のエネルギー準位は、ホスト化合物のＳ１とＴ１のエネルギー準位よりも低く、発光性化合物のＳ１とＴ１のエネルギー準位よりも高い方が好ましい。 When a π-conjugated compound having a ΔEst of 0.5 eV or less according to the present invention is used as an assist dopant, 100% or more by mass of the π-conjugated compound is present in the host compound, resulting in fluorescence and/or phosphorescence emission. It is preferable that the light-emitting layer contain the functional compound in a mass ratio of 0.1% to 50% with respect to the π-conjugated compound.
Energy levels of S 1 and T 1 of the π-conjugated compounds according to the present invention is lower than the energy level of the S 1 and T 1 of the host compound, than the energy level of the S 1 and T 1 of the light-emitting compound Higher is also preferable.

本発明に係るΔＥｓｔが、０．５ｅＶ以下であるπ共役系化合物をホスト化合物として用いるとき、蛍光及び又はリン光発光性化合物は、上記π共役系化合物に対して質量比０．１％以上５０％以下で含んでいる発光層が好ましい。
本発明に係るπ共役系化合物のＳ１とＴ１のエネルギー準位は、発光性化合物のＳ１とＴ１のエネルギー準位よりも高い方が好ましい。 When a π-conjugated compound having ΔEst of 0.5 eV or less according to the present invention is used as a host compound, the fluorescent and/or phosphorescent compound has a mass ratio of 0.1% to 50 with respect to the π-conjugated compound. % Of the light emitting layer is preferable.
The energy levels of S 1 and T 1 of the π-conjugated compound according to the present invention are preferably higher than the energy levels of S 1 and T 1 of the light emitting compound.

本発明に係るΔＥｓｔが、０．５ｅＶ以下であるπ共役系化合物をアシストドーパント又はホスト化合物として用いるとき、上記π共役系化合物の発光スペクトルと発光性化合物の吸収スペクトルが重なることが好ましい。   When a π-conjugated compound having ΔEst of 0.5 eV or less according to the present invention is used as an assist dopant or a host compound, it is preferable that the emission spectrum of the π-conjugated compound and the absorption spectrum of the luminescent compound overlap.

《電子輸送層》
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍである。 <Electron transport layer>
In the present invention, the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and may have a function of transmitting the electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
The total thickness of the electron transport layer according to the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably 2 to 500 nm, further preferably 5 to 200 nm.

また、有機ＥＬ素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数ｎｍ〜数μｍの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。   Further, in the organic EL element, when the light generated in the light emitting layer is extracted from the electrode, the light directly extracted from the light emitting layer interferes with the light extracted after being reflected by the electrode located opposite the electrode for extracting the light. It is known to wake up. When the light is reflected by the cathode, it is possible to efficiently use this interference effect by appropriately adjusting the total layer thickness of the electron transport layer within the range of several nm to several μm.

一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。 On the other hand, when the layer thickness of the electron transport layer is increased, the voltage tends to increase. Therefore, especially when the layer thickness is large, the electron mobility of the electron transport layer is preferably 10 −5 cm 2 /Vs or more. ..
The material used for the electron-transporting layer (hereinafter referred to as electron-transporting material) may have any of an electron injecting property, a transporting property, and a hole blocking property, and may be selected from conventionally known compounds. Those selected can be used.

例えば、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体等）等が挙げられる。   For example, nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives (carbazole derivatives, azacarbazole derivatives (one or more of the carbon atoms constituting the carbazole ring are substituted with nitrogen atoms), pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, Triazine derivative, quinoline derivative, quinoxaline derivative, phenanthroline derivative, azatriphenylene derivative, oxazole derivative, thiazole derivative, oxadiazole derivative, thiadiazole derivative, triazole derivative, benzimidazole derivative, benzoxazole derivative, benzthiazole derivative, etc.), dibenzofuran derivative, Examples thereof include dibenzothiophene derivatives, silole derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, etc.).

また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。   Further, a metal complex having a quinolinol skeleton or a dibenzoquinolinol skeleton as a ligand, for example, tris(8-quinolinol)aluminum (Alq), tris(5,7-dichloro-8-quinolinol)aluminum, tris(5,7- Dibromo-8-quinolinol)aluminum, tris(2-methyl-8-quinolinol)aluminum, tris(5-methyl-8-quinolinol)aluminum, bis(8-quinolinol)zinc (Znq), and the like, and their metal complexes. A metal complex in which the central metal is replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those whose terminal is substituted with an alkyl group, a sulfonic acid group, or the like can be preferably used as the electron transport material. Further, the distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material for the light emitting layer can also be used as the electron transport material, and like the hole injection layer and the hole transport layer, an inorganic semiconductor such as n-type-Si or n-type-SiC. Can also be used as an electron transport material.
Further, a polymer material obtained by introducing these materials into a polymer chain or using these materials as a polymer main chain can also be used.

本発明に係る電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。   In the electron transport layer according to the present invention, the electron transport layer may be doped with a dopant as a guest material to form an electron transport layer having a high n property (electron rich). Examples of the doping material include n-type dopants such as metal compounds such as metal complexes and metal halides. Specific examples of the electron transport layer having such a structure include, for example, JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175 and J. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第６５２８１８７号明細書、米国特許第７２３０１０７号明細書、米国特許出願公開第２００５／００２５９９３号明細書、米国特許出願公開第２００４／００３６０７７号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１１５３１６号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０１８７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１７９５５４号明細書、国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７５， ４ （１９９９）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７９， ４４９ （２００１）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１， １６２ （２００２）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８１， １６２ （２００２）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７９， １５６ （２００１）、米国特許第７９６４２９３号明細書、米国特許出願公開第２００９／０３０２０２号明細書、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、欧州特許第２３１１８２６号明細書、特開２０１０−２５１６７５号公報、特開２００９−２０９１３３号公報、特開２００９−１２４１１４号公報、特開２００８−２７７８１０号公報、特開２００６−１５６４４５号公報、特開２００５−３４０１２２号公報、特開２００３−４５６６２号公報、特開２００３−３１３６７号公報、特開２００３−２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等である。 Specific examples of known preferable electron transporting materials used in the organic EL device of the present invention include compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
U.S. Patent No. 6,528,187, U.S. Patent No. 7,230,107, U.S. Patent Application Publication No. 2005/0025993, U.S. Patent Application Publication No. 2004/0036077, U.S. Patent Application Publication No. 2009/0115316. , U.S. Patent Application Publication No. 2009/0101870, U.S. Patent Application Publication No. 2009/0179554, International Publication No. 2003/060956, International Publication No. 2008/132085, Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999), Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 79, 156 (2001), U.S. Patent No. 7,964,293, U.S. Patent Application Publication No. 2009/030202, International Publication No. 2004/080975, International Publication No. 2004/063159, International Publication No. 2005/085387. , International Publication No. 2006/067931, International Publication No. 2007/086552, International Publication No. 2008/114690, International Publication No. 2009/06942, International Publication No. 2009/066779, International Publication No. 2009/054253, International Publication No. 2011/086935, International Publication No. 2010/150593, International Publication No. 2010/047707, European Patent No. 2311826, JP 2010-251675 A, JP 2009-209133 A, JP 2009 A. -124114, JP2008-277810, JP2006-156445, JP2005-340122, JP2003-45662, JP2003-31367, and JP2003-282270. Japanese Patent Publication No. 2012/115034 and the like.

本発明におけるより好ましい電子輸送材料としては、少なくとも一つの窒素原子を含む芳香族複素環化合物が挙げられ、例えばピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、アザジベンゾフラン誘導体、アザジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体などが挙げられる。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。 More preferable electron transport materials in the present invention include aromatic heterocyclic compounds containing at least one nitrogen atom, for example, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, triazine derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, azadibenzofuran derivatives. , An azadibenzothiophene derivative, a carbazole derivative, an azacarbazole derivative, and a benzimidazole derivative.
The electron transport materials may be used alone or in combination of two or more.

《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。 <Hole blocking layer>
The hole blocking layer is a layer having a function of an electron transporting layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting an electron and a small ability to transport a hole. By blocking the above, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Further, the structure of the electron transport layer described above can be used as the hole blocking layer according to the present invention, if necessary.

本発明の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。 The hole blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the cathode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the hole blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
As the material used for the hole blocking layer, the material used for the electron transporting layer described above is preferably used, and the material used as the host compound described above is also preferably used for the hole blocking layer.

《電子注入層》
本発明に係る電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は０．１〜５ｎｍの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な層（膜）であってもよい。 <Electron injection layer>
The electron injection layer (also referred to as “cathode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the cathode and the light emitting layer in order to reduce the driving voltage and improve the light emission brightness. It is described in detail in Chapter 2, "Electrode Materials" (Pages 123 to 166), Volume 2, "Forefront of Industrialization" (published on Nov. 30, 1998, NTS Co., Ltd.).
In the present invention, the electron injection layer may be provided as necessary and may be present between the cathode and the light emitting layer or between the cathode and the electron transport layer as described above.
The electron injection layer is preferably a very thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 0.1 to 5 nm, although it depends on the material. Further, it may be a non-uniform layer (film) in which the constituent material is present intermittently.

電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、８−ヒドロキシキノリネートリチウム（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。 Details of the electron injection layer are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like, and specific examples of materials preferably used for the electron injection layer are as follows. , Metals such as strontium and aluminum, alkali metal compounds such as lithium fluoride, sodium fluoride and potassium fluoride, alkaline earth metal compounds such as magnesium fluoride and calcium fluoride, oxidation Examples thereof include metal oxides typified by aluminum, metal complexes typified by lithium 8-hydroxyquinolinate (Liq), and the like. It is also possible to use the above-mentioned electron transport material.
The materials used for the electron injection layer may be used alone or in combination of two or more.

《正孔輸送層》
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は０．５ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍである。 <Hole transport layer>
In the present invention, the hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and may have a function of transmitting the holes injected from the anode to the light emitting layer.
The total layer thickness of the hole transport layer according to the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 0.5 nm to 5 μm, more preferably 2 to 500 nm, further preferably 5 to 200 nm.

正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という）としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。   The material used for the hole-transporting layer (hereinafter referred to as the hole-transporting material) may have any of the hole-injecting or transporting property and the electron-blocking property. Any of these can be selected and used.

例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。   For example, porphyrin derivative, phthalocyanine derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, polyarylalkane derivative, triarylamine derivative, carbazole derivative. , Indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, and polyvinylcarbazole, polymer materials or oligomers containing aromatic amines introduced into the main chain or side chains, polysilane, conductive Polymers or oligomers (for example, PEDOT/PSS, aniline-based copolymers, polyaniline, polythiophene, etc.) and the like can be mentioned.

トリアリールアミン誘導体としては、α−ＮＰＤ（４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
さらに不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。 Examples of the triarylamine derivative include benzidine type compounds represented by α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) and starburst type compounds represented by MTDATA. Examples thereof include compounds having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core portion.
Further, a hexaazatriphenylene derivative as described in JP-A-2003-159432 and JP-A-2006-135145 can be similarly used as the hole transport material.
Further, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, and JP-A-2001-102175, and J. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。さらにＩｒ（ｐｐｙ）３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。 Further, JP-A No. 11-251067, J. Huang et. al. It is also possible to use a so-called p-type hole transporting material or an inorganic compound such as p-type-Si or p-type-SiC as described in the literature (Applied Physics Letters 80 (2002), p.139). Furthermore, an orthometallated organometallic complex having Ir or Pt as a central metal, which is represented by Ir(ppy) 3 , is also preferably used.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。   As the hole-transporting material, the above-mentioned ones can be used, but a triarylamine derivative, a carbazole derivative, an indolocarbazole derivative, an azatriphenylene derivative, an organometallic complex, and an aromatic amine are introduced into the main chain or side chains. The polymer materials or oligomers mentioned above are preferably used.

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
例えば、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６９， ２１６０ （１９９６）、Ｊ． Ｌｕｍｉｎ． ７２−７４， ９８５ （１９９７）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７８， ６７３ （２００１）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ９０， １８３５０３ （２００７）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５１， ９１３ （１９８７）、Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ． ８７， １７１ （１９９７）、Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ． ９１， ２０９ （１９９７）、Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ． １１１，４２１ （２０００）、ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ， ３７， ９２３ （２００６）、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． ３， ３１９ （１９９３）、Ａｄｖ． Ｍａｔｅｒ． ６， ６７７ （１９９４）、Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ． １５，３１４８ （２００３）、米国特許出願公開第２００３／０１６２０５３号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２４０２７９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書、米国特許第５０６１５６９号明細書、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、欧州特許第６５０９５５号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１２４５７２号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７８９３８号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１０６１９０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１８２２１号明細書、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３−５１９４３２号公報、特開２００６−１３５１４５号公報、米国特許出願番号１３／５８５９８１号明細書等である。
正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。 Specific examples of known preferable hole transport materials used in the organic EL device of the present invention include the compounds described in the following documents in addition to the above-mentioned documents, but the present invention is not limited thereto. Not done.
For example, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996), J. Lumin. 72-74, 985 (1997), Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987), Synth. Met. 87, 171 (1997), Synth. Met. 91, 209 (1997), Synth. Met. 111, 421 (2000), SID Symposium Digest, 37, 923 (2006), J. Am. Mater. Chem. 3, 319 (1993), Adv. Mater. 6, 677 (1994), Chem. Mater. 15, 3148 (2003), US Patent Application Publication No. 2003/0162053, US Patent Application Publication No. 2002/0158242, US Patent Application Publication No. 2006/0240279, and US Patent Application Publication No. 2008/. No. 0220265, U.S. Pat. Patent Application Publication No. 2007/0278938, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0106190, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0018221, International Publication No. 2012/115034, and Japanese Patent Publication No. 2003-515432. JP-A 2006-135145, U.S. Patent Application No. 13/585981, and the like.
The hole transport material may be used alone or in combination of two or more kinds.

《電子阻止層》
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。 <Electron blocking layer>
The electron blocking layer is a layer having a function of a hole transporting layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting holes and a small ability of transporting electrons, while transporting holes. By blocking electrons, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Further, the structure of the hole transport layer described above can be used as the electron blocking layer according to the present invention, if necessary.

本発明の有機ＥＬ素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲内である。
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物も電子阻止層に好ましく用いられる。 The electron blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the anode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the electron blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
As the material used for the electron blocking layer, the materials used for the hole transport layer described above are preferably used, and the host compound described above is also preferably used for the electron blocking layer.

《正孔注入層》
本発明に係る正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。 <Hole injection layer>
The hole injection layer (also referred to as “anode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the anode and the light emitting layer for lowering the driving voltage and improving the light emission brightness. It is described in detail in Chapter 2, “Electrode Materials” (Pages 123 to 166), Volume 2, “Forefront of Industrialization” (published on Nov. 30, 1998, NTS Co., Ltd.).
In the present invention, the hole injection layer may be provided as necessary and may be present between the anode and the light emitting layer or between the anode and the hole transport layer as described above.
The hole injection layer is described in detail in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like, and examples of materials used for the hole injection layer include: Examples include the materials used for the hole transport layer described above.
Among them, a phthalocyanine derivative typified by copper phthalocyanine, a hexaazatriphenylene derivative as described in JP 2003-515432 A, JP 2006-135145 A, a metal oxide typified by vanadium oxide, or an amorphous carbon. Conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, orthometallated complexes represented by tris(2-phenylpyridine)iridium complex, triarylamine derivatives and the like are preferable.
The above-mentioned materials used for the hole injection layer may be used alone or in combination of two or more.

《添加物》
前述した本発明における有機層は、さらに他の添加物が含まれていてもよい。
添加物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Ｐｄ、Ｃａ、Ｎａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
添加物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量％に対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。 "Additive"
The organic layer in the present invention described above may further contain other additives.
Examples of the additives include halogen elements such as bromine, iodine and chlorine and halogenated compounds, alkali metals and alkaline earth metals such as Pd, Ca and Na, compounds and complexes of transition metals, salts and the like.
The content of the additive can be arbitrarily determined, but it is preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and further preferably 50 ppm or less based on the total mass% of the layer to be contained. ..
However, it is not within this range depending on the purpose of improving the transportability of electrons and holes and the purpose of making energy transfer of excitons advantageous.

《有機層の形成方法》
本発明に係る有機層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）の形成方法について説明する。
本発明に係る有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。 <Method of forming organic layer>
A method for forming the organic layer (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, etc.) according to the present invention will be described.
The method for forming the organic layer according to the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a vacuum deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
As the wet method, there are spin coating method, casting method, ink jet method, printing method, die coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, curtain coating method, LB method (Langmuir-Blodgett method) and the like. From the viewpoint of easy production of a uniform thin film and high productivity, a roll-to-roll method having high suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, and a spray coating method is preferable.

本発明に用いられる有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。 As a liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material used in the present invention, for example, methyl ethyl ketone, ketones such as cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
As the dispersion method, it is possible to disperse by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shearing force dispersion or media dispersion.

さらに、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０−６〜１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層（膜）厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 Further, a different film forming method may be applied for each layer. When a vapor deposition method is adopted for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used and the like, but generally, the boat heating temperature is 50 to 450° C., the vacuum degree is 10 −6 to 10 −2 Pa, the vapor deposition rate is 0.01 to 50 nm/sec, substrate temperature −50 to 300° C., layer (film) thickness 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm are appropriately selected.
In forming the organic layer according to the present invention, it is preferable to consistently form from the hole injection layer to the cathode by vacuuming once, but it is also possible to take out in the middle and apply a different film forming method. In that case, it is preferable to carry out the work in a dry inert gas atmosphere.

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．５ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。 "anode"
As the anode in the organic EL element, a material having a high work function (4 eV or more, preferably 4.5 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode substance is preferably used. Specific examples of such an electrode substance include a conductive transparent material such as a metal such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, a material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form an amorphous transparent conductive film may be used.

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、又はパターン精度を余り必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。   The anode may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering of these electrode substances, and a pattern of a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required so much (about 100 μm or more). Alternatively, a pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material.

又は、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。 Alternatively, when a coatable substance such as an organic conductive compound is used, a wet film forming method such as a printing method or a coating method can be used. When the emitted light is taken out from this anode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω/□ or less.
Although the thickness of the anode depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。 "cathode"
As the cathode, a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used as an electrode material. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium/copper mixture, magnesium/silver mixture, magnesium/aluminum mixture, magnesium/indium mixture, aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ). 3 ) Mixtures, indium, lithium/aluminum mixtures, aluminum, rare earth metals and the like. Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than that of the electron injecting metal, for example, a magnesium/silver mixture, from the viewpoint of electron injecting property and durability against oxidation and the like. A magnesium/aluminum mixture, a magnesium/indium mixture, an aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium/aluminum mixture, aluminum and the like are suitable.

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω/□ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.
Since the emitted light is transmitted, if either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent, the emission brightness is improved, which is convenient.
In addition, a transparent or semitransparent cathode can be produced by producing the above-mentioned metal in a thickness of 1 to 20 nm on the cathode and then producing the conductive transparent material mentioned in the description of the anode thereon. By applying, it is possible to fabricate a device in which both the anode and the cathode are transparent.

［支持基板］
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう。）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。 [Supporting substrate]
The supporting substrate (hereinafter, also referred to as a substrate, a substrate, a substrate, a support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the kind of glass, plastic, etc., and is transparent. Or it may be opaque. When extracting light from the supporting substrate side, the supporting substrate is preferably transparent. Examples of transparent support substrates that are preferably used include glass, quartz, and transparent resin films. A particularly preferable support substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。また、発光した光を封止部材より透過する場合は、透明樹脂以外の材料も選択可能であり、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、金、ニッケル、チタン、ステンレス、スズ等の金属が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を混合したり、多層化したりして用いてもよい。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose esters such as cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), Polyphenylene sulfide, Polysulfones, Polyetherimide, Polyetherketone imide, Polyamide, Fluorine resin, Nylon, Polymethylmethacrylate, Acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Apel (Trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and the like. Further, when the emitted light is transmitted through the sealing member, materials other than transparent resin can be selected, for example, metal such as copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, gold, nickel, titanium, stainless steel, tin, etc. Is mentioned. One of these may be used alone, or two or more of them may be mixed or multilayered.

素子基板の厚さは、特に制限されないものの、成形加工性、取扱性等を考慮すると、５０μｍ〜５００μｍが好ましい。なお、素子基板の厚さは、マイクロメータを使用して測定可能である。   Although the thickness of the element substrate is not particularly limited, it is preferably 50 μm to 500 μm in consideration of moldability, handleability and the like. The thickness of the element substrate can be measured using a micrometer.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／ｍ２・２４ｈ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｏｌ／ｍ２・ｓ・Ｐａ以下、水蒸気透過度が、１×１０−５ｇ／ｍ２・２４ｈ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both of them may be formed, and the water vapor permeability (25±0.5° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90±2)% RH) is preferably a barrier film having a relative humidity of 0.01 g/m 2 ·24 h or less, and further, oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987. Is preferably 1×10 −3 mol/m 2 ·s·Pa or less and a water vapor permeability of 1×10 −5 g/m 2 ·24 h or less, which is a high barrier film.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of moisture or oxygen, which causes deterioration of the element, but, for example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and a layer made of an organic material. The order of laminating the inorganic layer and the organic layer is not particularly limited, but it is preferable to alternately laminate the both layers a plurality of times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method. The plasma CVD method, the laser CVD method, the thermal CVD method, the coating method and the like can be used, but the method by the atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温（２５℃）における外部取り出し量子効率は、１％以上であることが好ましく、５％以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。 Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films and opaque resin substrates, and ceramic substrates.
The external extraction quantum efficiency of light emission of the organic EL device of the present invention at room temperature (25° C.) is preferably 1% or more, and more preferably 5% or more.
Here, the external extraction quantum efficiency (%)=the number of photons emitted outside the organic EL element/the number of electrons flown into the organic EL element×100.
Further, a hue improving filter such as a color filter or the like may be used together, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors by using a phosphor may be used together.

［封止］
本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。 [Sealing]
As a sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention, for example, a method of adhering a sealing member, an electrode, and a supporting substrate with an adhesive can be mentioned. The sealing member only needs to be arranged so as to cover the display region of the organic EL element, and may have a concave plate shape or a flat plate shape. Moreover, the transparency and the electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。   Specific examples thereof include glass plates, polymer plates/films, metal plates/films, and the like. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium/strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium and tantalum.

本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｏｌ／ｍ２・ｓ・Ｐａ以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％）が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。 In the present invention, a polymer film or a metal film can be preferably used because the organic EL device can be made thin. Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability of 1×10 −3 mol/m 2 ·s·Pa or less measured by a method according to JIS K 7126-1987, and a method according to JIS K 7129-1992. Moreover, it is preferable that the water vapor permeability (25±0.5° C., relative humidity 90±2%) is 1×10 −3 g/m 2 ·24 h or less.
Sandblasting, chemical etching or the like is used to process the sealing member into a concave shape.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 Specific examples of the adhesive include photocurable and thermosetting adhesives having a reactive vinyl group of acrylic acid-based oligomer and methacrylic acid-based oligomer, and moisture-curable adhesives such as 2-cyanoacrylic acid ester. be able to. In addition, epoxy and other heat and chemical curing types (mixing of two liquids) can be used. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Further, a cation-curing type UV-curing type epoxy resin adhesive can be mentioned.
Since the organic EL element may be deteriorated by heat treatment, it is preferable that the adhesive can be cured from room temperature to 80°C. A desiccant may be dispersed in the adhesive. The adhesive may be applied to the sealing portion using a commercially available dispenser or may be printed by screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。 Further, it is also preferable that the electrode and the organic layer are covered on the outer side of the electrode on the side opposite to the supporting substrate with the organic layer sandwiched therebetween, and an inorganic or organic material layer is formed in contact with the supporting substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing the intrusion of water or oxygen, which causes deterioration of the element, such as silicon oxide, silicon dioxide, and silicon nitride. it can.
Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of an organic material. The method for forming these films is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, and atmospheric pressure plasma heavy. A legal method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 In the gap between the sealing member and the display region of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon or an inert liquid such as fluorocarbon or silicon oil may be injected in the vapor phase and the liquid phase. preferable. A vacuum can also be used. Also, a hygroscopic compound can be enclosed inside.
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide), sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg, calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchloric acids (eg, perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, etc.) and the like, and anhydrous salts are preferably used for sulfates, metal halides and perchloric acids.

［保護膜、保護板］
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜又は前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜又は保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。 [Protective film, protective plate]
A protective film or a protective plate may be provided outside the encapsulating film or the encapsulating film on the side facing the support substrate with the organic layer sandwiched therebetween in order to enhance the mechanical strength of the device. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, its mechanical strength is not necessarily high, so that it is preferable to provide such a protective film or protective plate. As the material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate/film, metal plate/film, etc. as those used for the above-mentioned encapsulation can be used, but the polymer film is lightweight and thin. Is preferably used.

［光取り出し向上技術］
有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率１．６〜２．１程度の範囲内）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。 [Light extraction improvement technology]
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than air (refractive index within a range of about 1.6 to 2.1), and emits 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said that it can only be taken out. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ equal to or greater than the critical angle causes total reflection and cannot be extracted to the outside of the device. This is because the light undergoes total internal reflection between them, and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the lateral direction of the element.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）などが挙げられる。   As a method for improving the efficiency of extracting light, for example, a method of forming irregularities on the surface of a transparent substrate to prevent total internal reflection at the interface between the transparent substrate and the air (for example, US Pat. No. 4,774,435), is used. A method of improving efficiency by providing light condensing property (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflecting surface on a side surface of an element (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), substrate And a light-emitting body by introducing a flat layer having an intermediate refractive index to form an antireflection film (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691), a low refractive index between the substrate and the light-emitting body than the substrate. (For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any of the substrate, the transparent electrode layer, and the light emitting layer (including the substrate and the outside) ( JP-A No. 11-283751) and the like.

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、又は基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、さらに、高輝度又は耐久性に優れた素子を得ることができる。 In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. A method of forming a diffraction grating between any of the electrode layers and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be preferably used.
In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element which is further excellent in high brightness or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。またさらに１．３５以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。 When a medium with a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness that is longer than the wavelength of light, the light emitted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. Become.
Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and fluoropolymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally within the range of about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
Moreover, it is desirable that the thickness of the low-refractive-index medium be at least twice the wavelength in the medium. This is because when the thickness of the low-refractive-index medium becomes about the wavelength of light and the electromagnetic wave exuded by evanescent enters into the substrate, the effect of the low-refractive-index layer diminishes.

全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   The method of introducing a diffraction grating into the interface that causes total internal reflection or into any one of the media is characterized by a high effect of improving the light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by means of so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. The light that cannot go out due to total reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating into any of the layers or into the medium (in the transparent substrate or transparent electrode). , Trying to get the light out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。 The diffraction grating to be introduced preferably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because the light emitted from the light emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating that has a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only the light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and the light extraction efficiency is improved.
The position where the diffraction grating is introduced may be in any layer or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably near the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably in the range of about 1/2 to 3 times the wavelength of the light in the medium. The array of diffraction gratings is preferably a two-dimensional array such as a square lattice shape, a triangular lattice shape, or a honeycomb lattice shape.

［集光シート］
本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板（基板）の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、又は、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０〜１００μｍの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、有機ＥＬ素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）などを用いることができる。 [Condensing sheet]
The organic EL device of the present invention is processed in such a manner that a structure on a microlens array is provided on the light extraction side of a supporting substrate (substrate) or is combined with a so-called light condensing sheet so that the organic EL device has a specific direction, for example, a device. By condensing light in the front direction with respect to the light emitting surface, it is possible to increase the brightness in a specific direction.
As an example of the microlens array, square pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably in the range of 10 to 100 μm. If it is smaller than this, the effect of diffraction occurs and it is colored, and if it is too large, the thickness becomes thick, which is not preferable.
As the light-condensing sheet, it is possible to use, for example, one that has been put to practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, a Δ-shaped stripe having a vertical angle of 90° and a pitch of 50 μm may be formed on the base material, or the vertical angle may be rounded or the pitch may be changed randomly. It may have a different shape or another shape.
Further, a light diffusing plate/film may be used together with the light collecting sheet in order to control the light emission angle from the organic EL element. For example, a diffusion film (light up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

［用途］
本発明の有機ＥＬ素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。
発光装置として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。 [Use]
The organic EL element of the present invention can be used as an electronic device such as a display device, a display, and various light emitting devices.
Examples of light-emitting devices include lighting devices (home lighting, interior lighting), clocks and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources. Examples thereof include a light source of a sensor, but are not limited thereto. In particular, it can be effectively used as a backlight of a liquid crystal display device and a light source for illumination.
In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. When patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method may be used. You can

＜表示装置＞
本発明の有機ＥＬ素子を具備する表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。 <Display device>
A display device including the organic EL element of the present invention may be monochromatic or polychromatic. Here, a multicolor display device will be described.

多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法又は印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法及び印刷法である。 In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only when the light emitting layer is formed, and the film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like.
When patterning only the light emitting layer, the method is not limited, but vapor deposition method, ink jet method, spin coating method and printing method are preferable.

表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。   The configuration of the organic EL element included in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as needed.

また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。   The method for manufacturing the organic EL element is as shown in the above-described one aspect of manufacturing the organic EL element of the present invention.

このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   When a direct current voltage is applied to the thus obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the anode having a positive polarity and the cathode having a negative polarity. Further, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the − state. The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ又は各種発光光源として用いることができる。表示デバイス又はディスプレイにおいて、青、赤及び緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。   The multicolor display device can be used as a display device, a display, or various light emitting light sources. In a display device or display, full-color display can be performed by using three types of organic EL elements that emit blue, red, and green light.

表示デバイス又はディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示及び自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちら
でもよい。 Examples of the display device or display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a teletext display, and an information display in a car. In particular, it may be used as a display device for reproducing a still image or a moving image, and a driving system for use as a display device for reproducing a moving image may be either a simple matrix (passive matrix) system or an active matrix system.

発光装置としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。   Light-emitting devices include home lighting, interior lighting, backlights for watches and liquid crystals, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. However, the present invention is not limited thereto.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図４は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。 Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a display device including an organic EL element. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone, which displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ、表示部Ａと制御部Ｂとを電気的に接続する配線部Ｃ等を有する。
制御部Ｂは表示部Ａと配線部Ｃを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。 The display 1 has a display section A having a plurality of pixels, a control section B that performs image scanning of the display section A based on image information, a wiring section C that electrically connects the display section A and the control section B, and the like.
The control unit B is electrically connected to the display unit A via the wiring unit C, sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line by the scanning signal. Emits light sequentially according to the image data signal to perform image scanning and display image information on the display unit A.

図５はアクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部Ｃと複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図５においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。 FIG. 5 is a schematic view of a display device of the active matrix system.
The display section A has a wiring section C including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.
FIG. 5 shows a case where the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。 The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are shown in the drawings). Not).
When the scan signal is applied from the scan line 5, the pixel 3 receives the image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, pixels in the green region, and pixels in the blue region in parallel on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。図６は画素の回路を示した概略図である。
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサー１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色及び青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。 Next, the light emitting process of the pixel will be described. FIG. 6 is a schematic diagram showing a pixel circuit.
The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a drive transistor 12, a capacitor 13 and the like. Full-color display can be performed by using red, green, and blue light-emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels and arranging them in parallel on the same substrate.

図６において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。   In FIG. 6, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6. Then, when a scanning signal is applied to the gate of the switching transistor 11 from the control unit B via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is transferred to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサー１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the driving of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10. The drive transistor 12 is connected from the power supply line 7 to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Electric current is supplied.

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサー１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。 When the scanning signal is transferred to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, since the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal even if the switching transistor 11 is turned off, the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. The organic EL element 10 continues to emit light. When a scanning signal is applied next by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
That is, the light emission of the organic EL element 10 is such that the switching transistor 11 and the drive transistor 12 which are active elements are provided for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3 emits light. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。 Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations according to a multivalued image data signal having a plurality of gradation potentials, or may be ON or OFF of a predetermined light emission amount according to a binary image data signal. Good. Further, the potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scan signal is applied, or may be discharged immediately before the next scan signal is applied.
The present invention is not limited to the above-mentioned active matrix system, but may be a passive matrix system light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図７は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図７において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られた。 FIG. 7 is a schematic diagram of a display device of a passive matrix system. In FIG. 7, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice pattern so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
In the passive matrix method, the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.
By using the organic EL element of the present invention, a display device having improved luminous efficiency was obtained.

＜照明装置＞
本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置に用いることもできる。
本発明の有機ＥＬ素子は、共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。 <Lighting device>
The organic EL element of the present invention can also be used in a lighting device.
The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. Examples of the purpose of using the organic EL element having such a resonator structure include a light source for an optical storage medium, a light source for an electrophotographic copying machine, a light source for an optical communication processor, a light source for an optical sensor, and the like. Not limited. Moreover, you may use for the said application by making a laser oscillation.

また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような１種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。   Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or as an exposure light source, or may be a projection device of a type that projects an image, or a type that directly visually recognizes a still image or a moving image. It may be used as a display device (display).

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能で
ある。 When used as a display device for reproducing moving images, either a passive matrix system or an active matrix system may be used as a driving system. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more kinds of the organic EL elements of the present invention having different emission colors.

また、本発明に用いられる蛍光発光性化合物は、照明装置として、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。例えば、複数の発光材料を用いる場合、複数の発光色を同時に発光させて、混色することで白色発光を得ることができる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色及び青色の３原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。   Further, the fluorescent compound used in the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. For example, when a plurality of light emitting materials are used, white light emission can be obtained by simultaneously emitting a plurality of light emitting colors and mixing the colors. As a combination of a plurality of emission colors, one containing three emission maximum wavelengths of three primary colors of red, green and blue may be used, or two combinations of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange may be used. It may contain a maximum emission wavelength.

また、本発明の有機ＥＬ素子の形成方法は、発光層、正孔輸送層又は電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよい。他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法及び印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が白色発光である。 In addition, in the method for forming an organic EL device of the present invention, a mask is provided only when the light emitting layer, the hole transporting layer, the electron transporting layer, or the like is formed, and it is only necessary to simply arrange the masks such that they are separately coated. Since the other layers are common, patterning such as a mask is unnecessary, and for example, an electrode film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like, and the productivity is improved.
According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the element itself emits white light.

［本発明の照明装置の一態様］
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図８及び図９に示すような照明装置を形成することができる。 [One Embodiment of Lighting Device of the Present Invention]
An aspect of the lighting device of the present invention, which is equipped with the organic EL element of the present invention, will be described.
The non-emission surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate, and an epoxy photocurable adhesive (Lux manufactured by Toagosei Co., Ltd. is used as a sealing material around the periphery. Track LC0629B) is applied, and this is stacked on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, and UV light is irradiated from the glass substrate side to cure and seal the illumination, as shown in FIGS. 8 and 9. A device can be formed.

図８は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子（照明装置内の有機ＥＬ素子１０１）はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。   FIG. 8 shows a schematic view of a lighting device. The organic EL element of the present invention (organic EL element 101 in the lighting device) is covered with a glass cover 102 (note that the sealing work with the glass cover is performed by lighting). The organic EL element 101 in the apparatus was placed in a glove box (under an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) under a nitrogen atmosphere without contacting the atmosphere.

図９は、照明装置の断面図を示し、１０５は陰極、１０６は有機層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した照明装置が得られた。 FIG. 9 shows a cross-sectional view of the lighting device, in which 105 is a cathode, 106 is an organic layer, and 107 is a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and is provided with a water catching agent 109.
By using the organic EL element of the present invention, a lighting device having improved luminous efficiency was obtained.

＜発光性薄膜＞
本発明に係るπ共役系化合物は、発光性薄膜、表示装置及び照明装置に用いることもできる。
ここで、本発明の発光性薄膜について説明する。 <Light emitting thin film>
The π-conjugated compound according to the present invention can also be used in a light emitting thin film, a display device and a lighting device.
Here, the luminescent thin film of the present invention will be described.

本発明の発光性薄膜は、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
本発明の発光性薄膜の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。 The luminescent thin film of the present invention can be produced in the same manner as the method for forming the organic layer.
The method for forming the luminescent thin film of the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a vacuum vapor deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
As the wet method, there are spin coating method, casting method, ink jet method, printing method, die coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, curtain coating method, LB method (Langmuir-Blodgett method) and the like. From the viewpoint of easy production of a uniform thin film and high productivity, a roll-to-roll method having high suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, and a spray coating method is preferable.

本発明に用いられるπ共役系化合物を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。   Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the π-conjugated compound used in the present invention include, for example, ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene and xylene. , Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.

また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
さらに、層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度を５０〜４５０℃の範囲内、真空度を１０−６〜１０−２Ｐａの範囲内、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒の範囲内、基板温度−５０〜３００℃の範囲内、層厚０．１ｎｍ〜５μｍの範囲内、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
また、成膜にスピンコート法を採用する場合、スピンコーターを１００〜１０００ｒｐｍの範囲内、１０〜１２０秒の範囲内で、乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 As the dispersion method, it is possible to disperse by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shearing force dispersion or media dispersion.
Further, a different film forming method may be applied for each layer. When the vapor deposition method is adopted for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used and the like, but generally, the boat heating temperature is in the range of 50 to 450° C., and the vacuum degree is in the range of 10 −6 to 10 −2 Pa. Among them, the vapor deposition rate is 0.01 to 50 nm/sec, the substrate temperature is −50 to 300° C., the layer thickness is 0.1 nm to 5 μm, and preferably 5 to 200 nm. desirable.
When the spin coating method is used for film formation, it is preferable to perform the spin coater in a dry inert gas atmosphere within a range of 100 to 1000 rpm and within a range of 10 to 120 seconds.

また、本発明の発光性薄膜を表示装置及び照明装置に用いることもできる。
これにより、発光効率が改善された表示装置及び照明装置が得られる。 Further, the light-emitting thin film of the present invention can be used for a display device and a lighting device.
As a result, a display device and a lighting device with improved luminous efficiency can be obtained.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量％」を表す。
また、各実施例における化合物の体積％は、作製する層厚を水晶発振子マイクロバランス法により測定し、質量を算出することで、比重から求めた。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In the examples, "parts" or "%" is used, but unless otherwise specified, "parts by mass" or "mass%" is shown.
Further, the volume% of the compound in each example was determined from the specific gravity by measuring the layer thickness to be prepared by the crystal oscillator microbalance method and calculating the mass.

本実施例において使用される化合物は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。   The compounds used in this example are those having the following chemical structural formulas.

［実施例１］
＜π共役系化合物の合成方法＞
（化合物Ｄ−１の合成） [Example 1]
<Synthesis method of π-conjugated compound>
(Synthesis of Compound D-1)

ジベンゾアゼピン（中間体１）（５.００ｇ、２５.６ ｍｍｏｌ）、１、４−ジブロモベンゼン（中間体２）（７．２５ｇ、３０．７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（５７５ｍｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、キサントホス（２．９６ｇ、５．１２ｍｍｏｌ）および炭酸セシウム（１６．７ｇ、５１．２ｍｍｏｌ）をキシレン１００ｍＬに溶解させ、窒素雰囲気化で１６時間、１４０℃に加熱した。室温まで冷却後、反応液を酢酸エチルで薄めセライトを通した。この溶液をエバポレーターで溜去したのち、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル２０％、ヘプタン８０％）で精製し、中間体３を白色固体として得た（７．４４ｇ、収率８３％）。   Dibenzazepine (intermediate 1) (5.00 g, 25.6 mmol), 1,4-dibromobenzene (intermediate 2) (7.25 g, 30.7 mmol), palladium acetate (575 mg, 2.56 mmol), xantphos (2.96 g, 5.12 mmol) and cesium carbonate (16.7 g, 51.2 mmol) were dissolved in 100 mL of xylene and heated to 140° C. for 16 hours in a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the reaction solution was diluted with ethyl acetate and passed through Celite. After the solution was distilled off with an evaporator, the residue was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate 20%, heptane 80%) to obtain Intermediate 3 as a white solid (7.44 g, yield 83%).

中間体３（７．４４ｇ、２１.２ ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（５．９２ｇ、３０．７ｍｍｏｌ）および酢酸カリウム（４．１６ｇ、４２．４ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド２００ｍＬに溶解させ、窒素雰囲気化で４時間、８０℃に加熱した。室温まで冷却後、反応液に酢酸エチル２００ｍＬと水２００ｍＬを加え分液した。得られた有機層をエバポレーターで溜去し、酢酸エチルとヘプタンの混合溶媒から再結晶を行い、中間体４を白色固体として得た（５．４９ｇ、収率６５％）。   Intermediate 3 (7.44 g, 21.2 mmol), bis(pinacolato)diboron (5.92 g, 30.7 mmol) and potassium acetate (4.16 g, 42.4 mmol) were dissolved in 200 mL of dimethyl sulfoxide, and nitrogen atmosphere was added. It was heated to 80° C. for 4 hours. After cooling to room temperature, 200 mL of ethyl acetate and 200 mL of water were added to the reaction solution to separate it. The obtained organic layer was evaporated with an evaporator and recrystallized from a mixed solvent of ethyl acetate and heptane to obtain Intermediate 4 as a white solid (5.49 g, yield 65%).

中間体４（２．００ｇ、５．０３ ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（中間体５）（１．３５ｇ、５．０４ ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１１３ｍｇ、０．５０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２，６−ジメトキシビフェニル（４１０ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）およびリン酸カリウム（２．１４ｇ、１０．１ｍｍｏｌ）をトルエン（８０ｍＬ）水（１０ｍＬ）1，４−ジオキサン（１０ｍＬ）の混合溶液中に溶解させ、窒素雰囲気化で１６時間、１００℃に加熱した。室温まで冷却後、反応液を酢酸エチルで薄めセライトを通した。この溶液をエバポレーターで溜去したのち、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル２０％、ヘプタン８０％）で精製し、Ｄ−１を白色固体として得た（２．０２ｇ、収率８０％）。   Intermediate 4 (2.00 g, 5.03 mmol), 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (Intermediate 5) (1.35 g, 5.04 mmol), palladium acetate ( 113 mg, 0.50 mmol), 2-dicyclohexylphosphino-2,6-dimethoxybiphenyl (410 mg, 1.00 mmol) and potassium phosphate (2.14 g, 10.1 mmol) in toluene (80 mL) water (10 mL) 1, It was dissolved in a mixed solution of 4-dioxane (10 mL) and heated to 100° C. for 16 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the reaction solution was diluted with ethyl acetate and passed through Celite. After distilling off this solution with an evaporator, the residue was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate 20%, heptane 80%) to obtain D-1 as a white solid (2.02 g, yield 80%).

（その他の化合物の合成）
前述と同様にして、化合物Ｄ−２、Ｄ−３、Ｄ−４、Ｄ−７、Ｄ−１０、Ｄ−１２、Ｄ−１４，Ｄ−１６、Ｄ−２６、Ｄ−２７、Ｄ−３０、Ｄ−３２及びＤ−３３を合成した。 (Synthesis of other compounds)
Compounds D-2, D-3, D-4, D-7, D-10, D-12, D-14, D-16, D-26, D-27, D-30 in the same manner as described above. , D-32 and D-33 were synthesized.

≪ΔＥｓｔ≫
合成したπ共役系化合物と比較化合物のΔＥｓｔを、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製のＧａｕｓｓｉａｎ０９（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｃ．０１，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，２０１０．）を用いて算出した。関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６−３１Ｇ（ｄ）を用いた構造最適化計算から、さらに、時間依存密度汎関数法（Ｔｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ）による励起状態計算を実施してＳ１、Ｔ１のエネルギー（それぞれＥ（Ｓ１）、Ｅ（Ｔ１））を求めてΔＥｓｔ＝｜Ｅ（Ｓ１）−Ｅ（Ｔ１）｜を導き出した。得られた結果を表１に示す。 ≪ΔEst≫
ΔEst of the synthesized π-conjugated compound and the comparative compound was calculated using Gaussian09 (Revision C.01, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.) manufactured by Gaussian in the United States. From the structure optimization calculation using B3LYP as the function and 6-31G(d) as the basis function, the excited state calculation by the time-dependent density functional method (Time-Dependent DFT) is further performed to calculate S 1 and T 1 energy (respectively E (S 1), E ( T 1)) of seeking ΔEst = | E (S 1) -E (T 1) | were derived. The results obtained are shown in Table 1.

表１から明らかなように、平面性の低い電子供与性基と共に電子吸引性基を有するπ共役系化合物は、いずれもΔＥｓｔが０．５０ｅＶ未満であった。また、電子供与性基と共に電子吸引性基を有している比較化合物１のΔＥｓｔは０．５０ｅＶ以下であるが、電子吸引性基を有していない比較化合物２と比較化合物３のΔＥｓｔは、いずれも非常に高かった。
また、ＥＤＧ以外の構造が同じ化合物Ｄ−４とＤ−７を比較すると、一般式（１Ａ）で表されるＥＤＧを有する化合物Ｄ−７よりも、一般式（２Ａ）で表されるＥＤＧを有する化合物Ｄ−４の方が、よりΔＥｓｔが低かった。 As is clear from Table 1, each of the π-conjugated compounds having an electron-withdrawing group having a low planarity and an electron-withdrawing group had ΔEst of less than 0.50 eV. Further, although ΔEst of Comparative Compound 1 having an electron-withdrawing group and an electron-withdrawing group is 0.50 eV or less, ΔEst of Comparative Compound 2 and Comparative Compound 3 having no electron-withdrawing group is: Both were very expensive.
Further, when comparing compounds D-4 and D-7 having the same structure other than EDG, the EDG represented by the general formula (2A) is better than the compound D-7 having the EDG represented by the general formula (1A). The compound D-4 had a lower ΔEst.

［実施例２］
（有機ＥＬ素子２−１の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで成膜した後、パターニングを行い、陽極であるＩＴＯ透明電極を形成した。このＩＴＯ透明電極が設けられた透明基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥した後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。得られた透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。 [Example 2]
(Production of Organic EL Element 2-1)
An ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 150 nm was formed on a glass substrate having a size of 50 mm×50 mm×a thickness of 0.7 mm, followed by patterning to form an ITO transparent electrode as an anode. The transparent substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol and dried with dry nitrogen gas, and then UV ozone cleaning was performed for 5 minutes. The obtained transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition device.

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。   Each of the resistance heating boats for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for device production. The resistance heating boat was made of molybdenum or tungsten.

真空蒸着装置内を真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、厚み１５ｎｍの正孔注入層を形成した。 After decompressing the inside of the vacuum vapor deposition apparatus to a vacuum degree of 1×10 −4 Pa, the resistance heating boat containing HI-1 was energized and heated, and vapor deposition was performed on the ITO transparent electrode at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec. A hole injection layer having a thickness of 15 nm was formed.

次いで、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚み３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。   Then, α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) is vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole-transporting layer having a thickness of 30 nm. did.

次いで、ホスト化合物となる比較化合物１と、発光性化合物となるＧＤ−１とが入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で正孔輸送層上に共蒸着し、厚み４０ｎｍの発光層を形成した。   Next, a resistance heating boat containing Comparative Compound 1 as a host compound and GD-1 as a light emitting compound is energized and heated to generate holes at vapor deposition rates of 0.1 nm/sec and 0.010 nm/sec, respectively. Co-evaporation was performed on the transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 40 nm.

次いで、ＨＢ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚み５ｎｍの第一電子輸送層を形成した。   Next, HB-1 was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a 5 nm-thick first electron transport layer.

さらに、その上に、ＥＴ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚み４５ｎｍの第二電子輸送層を形成した。   Furthermore, ET-1 was vapor-deposited thereon at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a second electron transport layer having a thickness of 45 nm.

その後、フッ化リチウムを厚み０．５ｎｍになるよう蒸着した後、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。   After that, lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 0.5 nm, and then 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, to fabricate an organic EL element 2-1.

（有機ＥＬ素子２−２〜２−１６の作製）
ホスト化合物を表２に示したように変更した以外は、有機ＥＬ素子２−１と同様にして発光層を形成し、有機ＥＬ素子２−２〜２−１６を作製した。 (Production of Organic EL Elements 2-2 to 2-16)
Except that the host compound was changed as shown in Table 2, a light emitting layer was formed in the same manner as in the organic EL device 2-1, and organic EL devices 2-2 to 2-16 were produced.

得られた有機ＥＬ素子を、室温（約２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下で発光させた。そして、発光開始直後の有機ＥＬ素子の発光輝度を、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて測定した。
得られた発光輝度を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子２−１の発光輝度に対する相対発光輝度を求め、発光効率とした。
相対発光輝度＝（各有機ＥＬ素子の発光輝度／有機ＥＬ素子２-１の発光輝度）×１００
得られた結果を表２に示す。 The obtained organic EL device was caused to emit light under a constant current condition of 2.5 mA/cm 2 at room temperature (about 25° C.). Then, the emission brightness of the organic EL element immediately after the start of emission was measured using a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta).
The obtained light emission luminance was applied to the following formula to obtain the relative light emission luminance with respect to the light emission luminance of the organic EL element 2-1 and defined as the light emission efficiency.
Relative emission brightness=(emission brightness of each organic EL element/emission brightness of organic EL element 2-1)×100
The obtained results are shown in Table 2.

表２に示した結果より、本発明に係るπ共役系化合物をホスト化合物として用いた有機ＥＬ素子では、平面性の高い電子供与性基と、電子吸引性基とを有している比較化合物１をホスト化合物として用いた有機ＥＬ素子に比べて、発光効率に優れることが認められた。また、電子吸引性基を有しておらず、電子供与性基は平面性の高い構造である比較化合物２と、平面性の低い電子供与性基を有するが、電子吸引性基を有していない比較化合物３については、それらをホスト化合物として用いた有機ＥＬ素子の発光効率が非常に低かった。   From the results shown in Table 2, in the organic EL device using the π-conjugated compound according to the present invention as a host compound, Comparative Compound 1 having an electron-donating group having high planarity and an electron-withdrawing group was used. It was confirmed that the luminous efficiency was superior to that of the organic EL device using as a host compound. In addition, the compound does not have an electron-withdrawing group, and the electron-donating group has Comparative Compound 2 having a highly planar structure and the electron-donating group having low planarity, but has an electron-withdrawing group. Regarding Comparative Compound 3 which does not have any of them, the luminous efficiency of the organic EL device using them as the host compound was very low.

［実施例３］
（有機ＥＬ素子３−１の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで成膜し、パターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。 [Example 3]
(Production of Organic EL Element 3-1)
ITO (indium tin oxide) having a thickness of 150 nm was formed as an anode on a glass substrate having a size of 50 mm×50 mm and a thickness of 0.7 mm and patterned. After that, the transparent substrate with the ITO transparent electrode is ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes, and then the transparent substrate is placed on a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. Fixed
Each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for producing each element. The vapor deposition crucible was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.

真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。
次いで、ホスト化合物としてｍＣＰ、ドーパントとして比較化合物１が、それぞれ９０％、１０％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３５ｎｍの発光層を形成した。 After reducing the degree of vacuum to 1×10 −4 Pa, the crucible for vapor deposition containing α-NPD was energized and heated, and vapor-deposited on the ITO transparent electrode at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec. A hole injecting and transporting layer was formed.
Next, mCP as a host compound and Comparative Compound 1 as a dopant were co-evaporated at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec so that the volume percentage was 90% and 10%, respectively, to form a light emitting layer having a layer thickness of 35 nm.

その後、電子輸送材料として、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化リチウムを膜厚０．５ｎｍで形成した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子３−１を作製した。 After that, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) was deposited as an electron transport material at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming lithium fluoride with a film thickness of 0.5 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-light-emission surface side of the above device was covered with a can glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and electrode lead-out wiring was installed to fabricate an organic EL device 3-1.

（有機ＥＬ素子３−２〜３−１６の作製）
ドーパントを表３に示すように変えた以外は、有機ＥＬ素子３−１と同様の方法で有機ＥＬ素子３−２から３−１６を作製した。 (Production of Organic EL Elements 3-2 to 3-16)
Organic EL elements 3-2 to 3-16 were produced in the same manner as in the organic EL element 3-1, except that the dopant was changed as shown in Table 3.

（評価）
有機ＥＬ素子３−１から３−１６について、下記の評価を行った。 (Evaluation)
The following evaluations were performed on the organic EL devices 3-1 to 3-16.

（外部量子収率（発光輝度）の評価）
上記作製した各有機ＥＬ素子を、室温（約２５℃）で、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度を、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて測定した。
次いで、比較例の有機ＥＬ素子３−１の発光輝度を１００とした相対発光輝度を求め、これを発光効率（外部量子収率）の尺度とした。数値が大きいほど、発光効率に優れていることを表す。得られた結果を表３に示す。 (Evaluation of external quantum yield (luminance))
Each of the organic EL devices produced above was allowed to emit light at room temperature (about 25° C.) under a constant current condition of 2.5 mA/cm 2 , and the emission brightness immediately after the start of emission was measured by a spectral radiance meter CS-2000 (Konica Minolta). (Manufactured by the company).
Next, relative light emission luminance was calculated with the light emission luminance of the organic EL element 3-1 of the comparative example being 100, and this was used as a measure of light emission efficiency (external quantum yield). The larger the value, the better the luminous efficiency. The results obtained are shown in Table 3.

（結果）
表３に示した結果より、本発明に係るπ共役系化合物をドーパントとして用いた有機ＥＬ素子では、平面性の高い電子供与性基と、電子吸引性基とを有している比較化合物１をドーパントとして用いた有機ＥＬ素子に比べて、外部量子収率に優れることが認められた。また、電子吸引性基を有しておらず、電子供与性基は平面性の高い構造である比較化合物２と、平面性の低い電子供与性基を有するが、電子吸引性基を有していない比較化合物３については、それらをドーパントとして用いた有機ＥＬ素子の外部量子収率が非常に低かった。 (result)
From the results shown in Table 3, in the organic EL device using the π-conjugated compound according to the present invention as a dopant, Comparative Compound 1 having an electron-donating group having high planarity and an electron-withdrawing group was used. It was confirmed that the external quantum yield was superior to that of the organic EL device used as the dopant. In addition, the compound does not have an electron-withdrawing group, and the electron-donating group has Comparative Compound 2 having a highly planar structure and the electron-donating group having low planarity, but has an electron-withdrawing group. Regarding the non-Comparative Compound 3, the external quantum yield of the organic EL device using them as a dopant was very low.

［実施例４］
（有機ＥＬ素子４−１の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。 [Example 4]
(Production of Organic EL Element 4-1)
After patterning a substrate (NA45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) in which ITO (Indium Tin Oxide) was formed to a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm×100 mm×1.1 mm as an anode, this ITO transparent electrode was provided as a transparent support. The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用いて３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。   On this transparent support substrate, poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate (PEDOT/PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al 4083) was diluted to 70% with pure water to obtain 3000 rpm, After forming a thin film by a spin coating method under the condition of 30 seconds, it was dried at 200° C. for 1 hour to provide a hole injection layer having a layer thickness of 20 nm. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition device, and each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition device was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for device production. The vapor deposition crucible was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.

真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。ホスト化合物（Ｂ）としてｍＣＰ、ドーパント（Ａ）としてＴＢＰｅが、それぞれ９４％、６％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。
その後、ＴＰＢｉ（１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化ナトリウムを膜厚１ｎｍで形成した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子４−１を作製した。 After reducing the vacuum degree to 1×10 −4 Pa, α-NPD was vapor-deposited on the hole injection layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole transport layer having a layer thickness of 40 nm. MCP as the host compound (B) and TBPe as the dopant (A) were co-deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec so as to be 94% and 6% by volume, respectively, to form a light emitting layer having a layer thickness of 30 nm. ..
Then, TPBi (1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene) was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.
Further, after forming sodium fluoride with a film thickness of 1 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-emission surface side of the above device was covered with a can glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and electrode lead-out wiring was installed to fabricate an organic EL device 4-1.

（有機ＥＬ素子４−２の作製）
ホスト化合物（Ｂ）としてｍＣＰ、アシストドーパント（Ｃ）として比較化合物３を、それぞれの比率が８５％、１５％の体積％となるように発光層を形成した以外は有機ＥＬ素子４−１と同様にして、有機ＥＬ素子４−２を作製した。 (Production of Organic EL Element 4-2)
Same as the organic EL device 4-1, except that mCP was used as the host compound (B), Comparative Compound 3 was used as the assist dopant (C), and the light emitting layer was formed so that the respective ratios were 85% and 15% by volume, respectively. Then, the organic EL element 4-2 was produced.

（有機ＥＬ素子４−３の作製）
ホスト化合物（Ｂ）としてｍＣＰ、ドーパント（Ａ）としてＴＢＰｅ、アシストドーパント（Ｃ）として比較化合物４を、それぞれの比率が７９％、６％、１５％の体積％となるように発光層を形成した以外は有機ＥＬ素子４−１と同様にして、有機ＥＬ素子４−３を作製した。 (Production of Organic EL Element 4-3)
The host compound (B) was mCP, the dopant (A) was TBPe, and the assist dopant (C) was comparative compound 4, and the light emitting layer was formed so that the respective ratios were 79%, 6%, and 15% by volume, respectively. An organic EL element 4-3 was produced in the same manner as the organic EL element 4-1 except for the above.

（有機ＥＬ素子４−４〜４−７の作製）
発光層のホスト化合物（Ｂ）、ドーパント（Ａ）、及びアシストドーパント（Ｃ）とその比率を表４に示すように変えた以外は、有機ＥＬ素子４−３と同様の方法で有機ＥＬ素子４−４から４−７を作製した。 (Production of Organic EL Elements 4-4 to 4-7)
The organic EL device 4 was manufactured in the same manner as the organic EL device 4-3 except that the host compound (B), the dopant (A), and the assist dopant (C) in the light emitting layer and the ratio thereof were changed as shown in Table 4. -4 to 4-7 were prepared.

（評価）
有機ＥＬ素子４−１から４−７について、下記の評価を行った。 (Evaluation)
The following evaluations were performed on the organic EL devices 4-1 to 4-7.

（発光効率の測定）
有機ＥＬ素子駆動時の各サンプルの発光効率は下記測定を行うことにより評価した。
各サンプルに対し、室温（約２５℃）で、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて、各サンプルの発光輝度を測定し、発光輝度３０００ｃｄ／ｍ２における初発光効率を求めた。
発光効率の評価値は、下記式により算出した。
発光効率（相対値）＝（各素子の発光輝度３０００ｃｄ／ｍ２における発光効率／有機ＥＬ素子４−１の発光輝度３０００ｃｄ／ｍ２における発光効率）×１００
得られた結果を表４に示す。なお、表４では、発光効率の相対値は大きいほど低電力で素子が駆動することを示している。 (Measurement of luminous efficiency)
The luminous efficiency of each sample when the organic EL device was driven was evaluated by performing the following measurement.
With respect to each sample, at room temperature (about 25° C.), the emission brightness of each sample was measured using a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.), and the initial emission efficiency at an emission brightness of 3000 cd/m 2 was measured. I asked.
The evaluation value of the luminous efficiency was calculated by the following formula.
Luminous efficiency (relative value)=(luminous efficiency of each element at a luminous luminance of 3000 cd/m 2 /luminous efficiency of the organic EL element 4-1 at a luminous luminance of 3000 cd/m 2 )×100
The results obtained are shown in Table 4. Note that Table 4 shows that the larger the relative value of the luminous efficiency, the lower the power consumption of driving the element.

（駆動時の電圧）
有機ＥＬ素子駆動時の各サンプルの駆動電圧は、下記測定を行うことにより評価した。
・初期駆動電圧の測定
各サンプルに対し、室温（約２５℃）で、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて、各サンプルの発光輝度を測定し、発光輝度１０００ｃｄ／ｍ２における初期駆動電圧を求めた。 (Voltage during driving)
The driving voltage of each sample when driving the organic EL element was evaluated by performing the following measurement.
-Measurement of initial drive voltage For each sample, the emission brightness of each sample was measured at room temperature (about 25°C) using a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.), and the emission brightness was 1000 cd/m. The initial drive voltage in 2 was determined.

（駆動時の電圧上昇）
駆動電圧の電圧値は、下記式により算出した
電圧値＝（各素子の発光輝度１０００ｃｄ／ｍ２における初期駆動電圧／有機ＥＬ素子４−１の発光輝度１０００ｃｄ／ｍ２における初期駆動電圧）×１００
得られた結果を表４に示す。なお、表４では、電圧の相対値は小さいほど、素子の導電性が良く、低電圧で素子が駆動することを示している。 (Voltage increase during driving)
The voltage value of the driving voltage, (initial driving voltage of the light emitting luminance 1000 cd / m 2 initial drive voltage / organic EL element 4-1 in the light emitting luminance 1000 cd / m 2 for each device) × 100 voltage value = calculated by the following formula
The results obtained are shown in Table 4. Note that Table 4 shows that the smaller the relative value of the voltage is, the better the conductivity of the element is, and the element is driven at a lower voltage.

（結果）
表４に示した結果より、アシストドーパントに本発明に係るπ共役系化合物を併用した有機ＥＬ素子４−４〜４−７は、π共役系化合物を併用しない有機ＥＬ素子４−１に対して発光効率が高いことが明らかである。これは、本発明に係るπ共役系化合物が、他の蛍光化合物の発光を補助している効果と考えられる。すなわち、発光物質よりエネルギー準位の高い本発明に係るπ共役系化合物が発光素子中で励起された時、そのエネルギーを発光物質が効率よく受け取ることにより、本発明に係るπ共役系化合物自体が発光するのと遜色ない発光効率が得られるものと考えられる。また、平面性の低い電子供与性基を有するが、電子吸引性基を有していない比較化合物３を併称した有機ＥＬ素子４−３は、発光化合物（ＴＢＰｅ）を使用しない有機ＥＬ素子４−２よりも発光効率は高かったものの、π共役系化合物を併用しない有機ＥＬ素子４−１に対して発光効率が低下した。 (result)
From the results shown in Table 4, the organic EL elements 4-4 to 4-7 in which the π-conjugated compound according to the present invention is used as the assist dopant are different from the organic EL element 4-1 in which the π-conjugated compound is not used. It is clear that the luminous efficiency is high. This is considered to be the effect that the π-conjugated compound according to the present invention assists the emission of other fluorescent compounds. That is, when the π-conjugated compound according to the present invention, which has a higher energy level than the luminescent substance, is excited in the light-emitting device, the luminescent substance efficiently receives the energy of the π-conjugated compound itself. It is considered that luminous efficiency comparable to that of emitting light can be obtained. Further, the organic EL element 4-3 having the electron-donating group having low planarity but also the comparative compound 3 having no electron-withdrawing group is the organic EL element 4 not using the light emitting compound (TBPe). Although the luminous efficiency was higher than that of -2, the luminous efficiency was lower than that of the organic EL element 4-1 which did not use the π-conjugated compound together.

本発明によれば、高い蛍光量子収率を有し、発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられるπ共役系化合物、当該π共役系化合物を含有する発光性薄膜、当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence device having a high fluorescence quantum yield and excellent emission efficiency. Further, it is possible to provide a π-conjugated compound used for the organic electroluminescence element, a light emitting thin film containing the π-conjugated compound, a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence element.

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサー
１０１ 照明装置内の有機ＥＬ素子
１０２ ガラスカバー
１０５ 陰極
１０６ 有機層
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
Ｃ 配線部 1 Display 3 Pixel 5 Scanning Line 6 Data Line 7 Power Supply Line 10 Organic EL Element 11 Switching Transistor 12 Driving Transistor 13 Capacitor 101 Organic EL Element in Lighting Device 102 Glass Cover 105 Cathode 106 Organic Layer 107 Glass Substrate with Transparent Electrode 108 Nitrogen Gas 109 Water catching agent A Display section B Control section C Wiring section

Claims (11)

陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極に挟持された少なくとも一つの有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層の少なくとも一つが、下記一般式（１）で表される構造を有し、且つ最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔＥｓｔが０．５０ｅＶ以下であるπ共役系化合物を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（１）において、
ＥＤＧは下記一般式（１Ａ）：
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、カルバゾール基およびフェニルカルバゾール基を除く電子供与性の置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である）、
で表される構造であり、
Ｌは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、
ＥＷＧは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる電子吸引性基を表し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３は、各々独立に、１〜３の整数である。） An anode, a cathode, an organic electroluminescent element having at least one organic layer sandwiched between the anode and the cathode,
At least one of the organic layers has a structure represented by the following general formula (1), and the absolute value ΔEst of the difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level is 0.50 eV. An organic electroluminescence device comprising the following π-conjugated compound.
(In the general formula (1),
EDG is represented by the following general formula (1A):
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent an electron-donating substituent other than a carbazole group and a phenylcarbazole group ,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3),
Is a structure represented by
L represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group,
EWG is a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted Represents an electron-withdrawing group selected from the group consisting of an electron-withdrawing heterocycle,
n1, n2, and n3 are each independently an integer of 1 to 3. ) 前記π共役系化合物において、ＥＤＧが一般式（２Ａ）で表される構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（一般式（２Ａ）において、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、カルバゾール基およびフェニルカルバゾール基を除く電子供与性の置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である。） The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein in the π-conjugated compound, EDG has a structure represented by the general formula (2A).
(In the general formula (2A),
R 1 and R 2 each independently represent an electron-donating substituent other than a carbazole group and a phenylcarbazole group ,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3. ) 前記電子供与性の置換基が、置換または無置換のフェニル基、カルバゾリル基、ジフェニルアミノ基、及びｔｅｒｔ−ブチル基からなる群より選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The electron donating substituent is a substituted or unsubstituted phenyl group, and wherein the carbazolyl group is one selected from the group consisting of diphenylamino group, and tert- butyl group, claim 1 or 2 The organic electroluminescence device described in 1. 前記有機層は、発光層を含み、
前記発光層は、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物を含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic layer includes a light emitting layer,
The said electroluminescent layer contains the (pi) conjugated system compound represented by the said General formula (1), The organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記発光層は、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と、蛍光発光性材料及びリン光発光性材料の少なくとも一方とを含むことを特徴とする、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic layer according to claim 4 , wherein the light emitting layer contains a π-conjugated compound represented by the general formula (1) and at least one of a fluorescent material and a phosphorescent material. Electroluminescent device. 前記発光層が、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と、蛍光発光性材料及びリン光発光性材料の少なくとも一方と、ホスト化合物とを含むことを特徴とする、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The light emitting layer is characterized by containing a π-conjugated compound represented by the general formula (1), at least one of the fluorescent material and phosphorescent material, a host compound, according to claim 4 The organic electroluminescent device according to item 1. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1 . 請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする、照明装置。 An illuminating device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1 . 請求項８に記載の照明装置、及び表示手段として、液晶素子を具備することを特徴とする表示装置。 A display device comprising a lighting device according to claim 8 and a liquid crystal element as a display means. 下記一般式（１）で表される構造を有し、且つ最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差の絶対値ΔＥｓｔが０．５０ｅＶ以下であることを特徴とする、π共役系化合物。
（前記一般式（１）において、
ＥＤＧは下記一般式（１Ａ）：
（前記一般式（１Ａ）において、
ＸとＹは、各々独立に、ＣＲ２、ＳｉＲ２、または酸素原子を表し、
Ｒは、水素原子または置換基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、カルバゾール基およびフェニルカルバゾール基を除く電子供与性の置換基を表し、
ｎ４及びｎ５は、各々独立に、１〜３の整数である）、
で表される構造であり、
Ｌは、単結合、または置換もしくは無置換のアリーレン基を表し、
ＥＷＧは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環からなる群より選ばれる電子吸引性基を表し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３は、各々独立に、１〜３の整数である。） It has a structure represented by the following general formula (1), and has an absolute value ΔEst of a difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level of 0.50 eV or less. , Π-conjugated compound.
(In the general formula (1),
EDG is represented by the following general formula (1A):
(In the general formula (1A),
X and Y each independently represent CR 2 , SiR 2 , or an oxygen atom,
R represents a hydrogen atom or a substituent,
R 1 and R 2 each independently represent an electron-donating substituent other than a carbazole group and a phenylcarbazole group ,
n4 and n5 are each independently an integer of 1 to 3),
Is a structure represented by
L represents a single bond or a substituted or unsubstituted arylene group,
EWG is a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, and an optionally substituted Represents an electron-withdrawing group selected from the group consisting of an electron-withdrawing heterocycle,
n1, n2, and n3 are each independently an integer of 1 to 3. ) 請求項１０のπ共役系化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。
A luminescent thin film comprising the π-conjugated compound according to claim 10 .
JP2015178618A 2015-09-10 2015-09-10 Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film Active JP6701649B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015178618A JP6701649B2 (en) 2015-09-10 2015-09-10 Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015178618A JP6701649B2 (en) 2015-09-10 2015-09-10 Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017054972A JP2017054972A (en) 2017-03-16
JP6701649B2 true JP6701649B2 (en) 2020-05-27

Family

ID=58321002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015178618A Active JP6701649B2 (en) 2015-09-10 2015-09-10 Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6701649B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110015994A (en) * 2019-04-29 2019-07-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Thermal activation delayed fluorescence material and preparation method thereof, display device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007092185A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Toray Ind Inc Polyacrylonitrile polymer for carbon fiber precursor fiber
JP5414595B2 (en) * 2010-03-26 2014-02-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド Organic electroluminescent device and charge transport material
TW201638086A (en) * 2011-03-25 2016-11-01 出光興產股份有限公司 Organic electroluminescence device
KR102189887B1 (en) * 2012-09-12 2020-12-11 에스에프씨 주식회사 Heterocyclic com pounds and organic light-emitting diode including the same
WO2014122895A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-14 保土谷化学工業株式会社 Compound having diazatriphenylene ring structure, and organic electroluminescent element
KR102127368B1 (en) * 2013-02-15 2020-06-30 에스에프씨주식회사 Novel organic compounds for organic light-emitting diode and organic light-emitting diode including the same
KR102215780B1 (en) * 2013-02-15 2021-02-17 에스에프씨주식회사 Novel organic compounds for organic light-emitting diode and organic light-emitting diode including the same
TWI615389B (en) * 2013-03-01 2018-02-21 九州有機光材股份有限公司 Compound, light-emitting material and organic light-emitting device
KR20140111214A (en) * 2013-03-08 2014-09-18 에스에프씨 주식회사 An electroluminescent compound and an electroluminescent device comprising the same
EP2980877B1 (en) * 2013-03-29 2017-11-29 Kyulux, Inc. Organic electroluminescent element
TWI645014B (en) * 2013-07-16 2018-12-21 國立大學法人九州大學 Compound, light-emitting material and oragnic electroluminescence device
JP6627508B2 (en) * 2013-08-14 2020-01-08 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescent element, lighting device, display device, and fluorescent compound
KR102167041B1 (en) * 2013-08-14 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising same
WO2015029354A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 保土谷化学工業株式会社 Compound having triphenylene ring structure and organic electroluminescent element
US20170244049A1 (en) * 2014-05-14 2017-08-24 President And Fellows Of Harvard College Organic light-emitting diode materials
KR101694487B1 (en) * 2014-10-24 2017-01-11 (주)위델소재 Quinoxaline derivative compound, pyridopyrazine derivative compound and organic electroluminescent devices using the sames
EP3247765B1 (en) * 2015-01-20 2018-11-07 cynora GmbH Azoles for use in optoelectronic components

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017054972A (en) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6627508B2 (en) Organic electroluminescent element, lighting device, display device, and fluorescent compound
JP6314974B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, LIGHT EMITTING THIN FILM AND COMPOSITION AND LIGHT EMITTING METHOD
JP6705148B2 (en) π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device
KR102137347B1 (en) Organic electroluminescent device, light-emitting thin film, display unit, and illumination unit
JP6657895B2 (en) Organic electroluminescence element, display device and lighting device
WO2016017741A1 (en) Organic electroluminescence element, display device, illumination device, fluorescent light-emitting compound, and light-emitting thin film
JP6128119B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
WO2016017514A1 (en) Organic electroluminescent element, light-emitting thin film, display device, and lighting device
JP6085985B2 (en) ORGANIC METAL COMPLEX, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE
JP6673203B2 (en) Organic electroluminescence device
JPWO2017170812A1 (en) Luminescent thin film and organic electroluminescence device
WO2018008721A1 (en) Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
JP6264001B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT-EMITTING THIN FILM, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP6686748B2 (en) Organic electroluminescence device, display device, lighting device, π-conjugated compound
JP6942127B2 (en) Organic electroluminescence elements, display devices, lighting devices
WO2016143508A1 (en) Organic electroluminescent element and organic electroluminescent element material
JPWO2018207776A1 (en) Organic electroluminescence device, display device, lighting device
WO2015029964A1 (en) Organic electroluminescence element, light-emitting material, light-emitting thin film, display device, and lighting device
JP2016092320A (en) Organic electroluminescent element and lighting device
JP6593114B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND Aromatic Heterocyclic Derivative
JP6641947B2 (en) Organic electroluminescent element, display device, lighting device, and aromatic heterocyclic derivative
JP6641948B2 (en) Organic electroluminescent element, display device, lighting device, and aromatic heterocyclic derivative
JP6648434B2 (en) Organic electroluminescence element, lighting device, and π-conjugated compound
JP6717150B2 (en) Organic electronic device and electronic device
JP6669170B2 (en) Organic electroluminescence device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180810

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190708

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190822

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191001

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20191011

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20191122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200407

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200420

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6701649

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250