JP6689576B2 - 原盤の製造方法、原盤、及び光学体 - Google Patents

原盤の製造方法、原盤、及び光学体 Download PDF

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Description

本発明は、原盤の製造方法、原盤、及び光学体に関する。
一般的に、テレビなどの表示装置、およびカメラレンズなどの光学素子では、表面反射を減少させ、かつ透過光を増加させるために、光の入射面に反射防止処理が施されている。このような反射防止処理としては、例えば、凹凸の平均周期が可視光波長以下であるミクロ凹凸構造（例えば、モスアイ構造など）を表面に形成した光学体を光の入射面に積層させることが提案されている。
このようなミクロ凹凸構造を有する表面では、入射光に対する屈折率の変化が緩やかになるため、反射の原因となる急激な屈折率の変化が発生しない。したがって、このようなミクロ凹凸構造を光の入射面の表面に形成することにより、広い波長帯域にわたって入射光の反射を防止することができる。
ナノメートルサイズの大きさのミクロ凹凸構造を形成する方法として、例えば、特許文献１には、ナノメートルサイズの島状微粒子を保護マスクに用いてドライエッチングを行う方法が開示されている。また、特許文献２および３には、アルミニウム膜の陽極酸化を用いて、該アルミニウム膜にマイクロメートル未満の複数の凹部を有するミクロ凹凸構造を形成する方法が開示されている。さらに、特許文献４には、電子ビームリソグラフィによって、凹凸の平均周期が所定の波長以下であるミクロ凹凸構造を形成する方法が開示されている。
また、特許文献１および２には、このようなミクロ凹凸構造が形成された構造体を樹脂等に押圧することによって、ミクロ凹凸構造が転写された転写物を形成可能であることも開示されている。
なお、ミクロ凹凸構造が形成された構造体を型として該ミクロ凹凸構造が転写された転写物を形成する方法としては、例えば、下記の特許文献５に開示された技術も知られている。具体的には、特許文献５には、外周面に微細パターンが形成されたロール状モールドをフィルム等に回転させながら押圧することにより、大面積のフィルムに対して微細パターンを転写可能であることが開示されている。
また、近年、光学体にはさらに高い光学特性が求められている。このような観点から、特許文献２〜４では、光学体に上記反射防止機能の他、防眩機能（アンチグレア機能）を付与している。具体的には、特許文献２では、表面に粗大な結晶粒子が分布したアルミニウム膜を用意し、このアルミニウム膜に対して陽極酸化及びエッチングを繰り返し行う。これにより、アルミニウム膜の粗面上にミクロ凹凸構造が重畳されたアルミニウム膜が作製される。また、特許文献３、４では、基板の表面を機械的または科学的な方法で粗面化し、この粗面にミクロ凹凸構造を重畳させる。これらの技術によれば、基板上に形成された粗面によって防眩機能が実現され、粗面に重畳されたミクロ凹凸構造によって反射防止機能が実現される。
特開２０１２−１０００号公報 特許第４９１６５９７号 特開２００９−２８８３３７号公報 特開２００９−１２８５４１号公報 特開２０１４−４３０６８号公報
ところで、防眩機能の評価指標としてヘイズ値が知られている。ヘイズ値は、光学体の濁度（曇度）を表す指標である。ヘイズ値が高いほど光学体の光散乱性が高くなるので、防眩機能が高い。そして、光学体の製造技術には、所望のヘイズ値を有する光学体を安定して製造できることが求められている。しかし、特許文献２〜４に開示された技術によって作製される光学体は、個体ごとにヘイズ値のばらつきが非常に大きいという問題があった。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、所望のヘイズ値を有する光学体をより安定して作製することが可能な、新規かつ改良された原盤の製造方法、原盤、及び光学体を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、
凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下である第１のミクロ凹凸構造を、少なくとも基材を含む基材本体の表面に形成する第１のステップと、
前記第１のミクロ凹凸構造上に無機レジスト層を形成する第２のステップと、
有機レジスト材及び前記有機レジスト材中に分散したフィラー粒子を含む有機レジスト層を前記無機レジスト層上に形成する第３のステップと、
前記有機レジスト層及び前記無機レジスト層をエッチングすることで、凹凸の平均周期が８３０ｎｍより大きいマクロ凹凸構造と、凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下である第２のミクロ凹凸構造とを前記基材の表面に重畳して形成する第４のステップと、を含み、
前記フィラー粒子の平均粒径は８３０ｎｍよりも大きく、
前記フィラー粒子のエッチングレートは、前記有機レジスト材のエッチングレートと異なる、原盤の製造方法が提供される。
ここで、フィラー粒子のエッチングレートは、有機レジスト材のエッチングレートよりも高くても良い。
また、フィラー粒子の平均粒径は２〜１５μｍであってもよい。
また、第４のステップでは、有機レジスト層および無機レジスト層をドライエッチングによりエッチングし、有機レジスト層をドライエッチングする際に使用されるエッチングガスは、無機レジスト層をドライエッチングする際に使用されるエッチングガスと異なってもよい。
また、有機レジスト層をドライエッチングする際に使用されるエッチングガスは、第１のエッチングガスと第２のエッチングガスとを含み、有機レジスト材の第１のエッチングガスに対するエッチングレートは、無機レジスト層の第１のエッチングガスに対するエッチングレートよりも高く、有機レジスト材の第２のエッチングガスに対するエッチングレートは、無機レジスト層の第２のエッチングガスに対するエッチングレートよりも低くてもよい。
また、ドライエッチングに使用されるエッチングガスは、炭素原子、フッ素原子、酸素原子および水素原子からなる群から選択される１種以上の原子を含んでいてもよい。
また、第１のステップは、基材の表面に基材レジスト層を形成することで、基材本体を作製するステップと、基材レジスト層に第１のミクロ凹凸構造を形成するステップと、を含み、基材レジスト層のエッチングレートは、無機レジスト層のエッチングレートと異なってもよい。
また、基材本体は、基材で構成され、第１のステップは、基材の表面に基材レジスト層を形成するステップと、第１のミクロ凹凸構造と同じ配列パターンを有する第３のミクロ凹凸構造を基材レジスト層に形成するステップと、基材レジスト層をエッチングすることで、基材の表面に第１のミクロ凹凸構造を形成するステップと、を含んでもよい。
また、第２のステップは、第１のミクロ凹凸構造上に第１の無機レジスト層を形成するステップと、第１の無機レジスト層上に第２の無機レジスト層を形成するステップと、を含んでもよい。
本発明の他の観点によれば、
基材と、
前記基材の表面に形成され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍより大きいマクロ凹凸構造と、
前記マクロ凹凸構造に重畳され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下であるミクロ凹凸構造と、を有し、
前記マクロ凹凸構造と前記ミクロ凹凸構造との重畳構造の算術平均粗さＲａと、前記マクロ凹凸構造の平均周期Ｒｓｍとの比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上である、原盤が提供される。
前記比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上、０．０５以下であってもよい。
本発明の他の観点によれば、
光学体の表面に形成され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍより大きいマクロ凹凸構造と、
前記マクロ凹凸構造に重畳され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下であるミクロ凹凸構造と、を有し、
前記マクロ凹凸構造と前記ミクロ凹凸構造との重畳構造の算術平均粗さＲａと、前記マクロ凹凸構造の平均周期Ｒｓｍとの比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上である、光学体が提供される。
前記比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上、０．０５以下であってもよい。
本発明の上記観点によれば、フィラー粒子の平均粒径及び濃度を調整することで、原盤に形成されるマクロ凹凸構造の平均周期を調整することができる。さらに、有機レジスト材のエッチングレートと無機レジスト層のエッチングレートとの比等を調整することで、原盤に形成される第２のミクロ凹凸構造の算術平均粗さを調整することができる。したがって、所望の算術平均粗さ及び平均周期を有する光学体を安定して作製することができる。そして、詳細は後述するが、光学体の算術平均粗さ及び平均周期と光学体のヘイズ値との間には相関がある。したがって、所望のヘイズ値を有する光学体をより安定して作製することができる。
以上説明したように本発明によれば、所望のヘイズ値を有する光学体をより安定して作製することができる。
本実施形態に係る原盤の外観例を示す斜視図である。 原盤の表面形状を模式的に示す断面図である。 原盤の表面形状を模式的に示す平面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の第１の変形例を説明するための断面図である。 原盤の製造方法の第２の変形例を説明するための断面図である。 本実施形態に使用可能な露光装置の構成例を示すブロック図である。 本実施形態に係る原盤を使用した転写装置の一例を示す模式図である。 光学体の表面形状を模式的に示す断面図である。 Ｒａ／Ｒｓｍとヘイズ値との相関を示すグラフである。 実施例２で作製された原盤のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。（ａ）の倍率は５００倍、（ｂ）の倍率は５０００倍、（ｃ）の倍率は２００００倍である。 拡散反射スペクトルを測定する光学系を示す模式図である。 拡散反射スペクトルを示すグラフである。
＜１．原盤について＞
［１．１．原盤の構造］
まず、図１〜図３を参照して、本実施形態に係る原盤１の構成について説明する。図１は原盤１の外観例を示す斜視図であり、図２は原盤１の表面形状を模式的に示す断面図であり、図３は原盤の表面形状を模式的に示す平面図である。なお、図２は、原盤１の中心軸を通り、かつ中心軸に平行な平面で原盤１を切断することで得られる断面図である。図３の左右方向は原盤１の円周方向に一致し、上下方向は原盤１の軸方向に一致する。図１に示すように、原盤１は、例えば、ナノインプリント法で使用される原盤であり、円筒形状となっている。原盤１は円柱形状であっても、他の形状（例えば平板状）であってもよい。ただし、原盤１が円柱または円筒形状である場合、ロールツーロール方式によって原盤１の凹凸構造を樹脂基材等にシームレスで転写することができる。これにより、原盤１の凹凸構造が転写された光学体４（図１５参照）を高い生産効率で作製することができる。このような観点からは、原盤１の形状は、円筒形状または円柱形状であることが好ましい。なお、本実施形態に係る原盤１により凹凸構造が転写された光学体４は、例えば、反射防止フィルム等として使用される。なお、図１では、後述するマクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３のうち、ミクロ凹凸構造１３のみ示した。実際は、基材１１の表面には、マクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３が重畳して形成されている。
図２に示すように、本実施形態に係る原盤１は、基材１１と、基材１１の表面に形成されたマクロ凹凸構造１２と、マクロ凹凸構造１２に重畳されたミクロ凹凸構造１３（第２のミクロ凹凸構造）と、を備える。
基材１１は、例えば、ガラス体であり、具体的には、石英ガラスで形成される。ただし、基材１１は、ＳｉＯ２純度が高いものであれば、特に限定されず、溶融石英ガラスまたは合成石英ガラス等で形成されてもよい。基材１１の形状は円筒形状であるが、円柱形状、他の形状であってもよい。ただし、上述のように、基材１１は円筒形状または円柱形状であることが好ましい。
マクロ凹凸構造１２は、基材１１上に形成される凹凸構造であり、図２に示したように、基材１１の膜厚方向に凸である凸部１２１と、基材１１の膜厚方向に凹である凹部１２２とを有する。マクロ凹凸構造１２の凹凸の平均周期は、可視光波長よりも大きく（例えば、８３０ｎｍ超）、好ましくは、１μｍ以上１００μｍ以下である。したがって、マクロ凹凸構造１２は、いわゆるアンチグレア構造となっている。ここで、マクロ凹凸構造１２の平均周期（＝Ｒｓｍ）は、互いに隣り合う凸部１２１間及び凹部１２２間の距離Ｐ１の算術平均値である。なお、平均周期の算出方法は例えば以下の通りである。すなわち、隣り合う凸部１２１の組み合わせ、及び隣り合う凹部１２２の組み合わせを複数個ピックアップし、これらの距離Ｐ１を測定する。そして、測定値を算術平均することで、平均周期を算出すればよい。
ミクロ凹凸構造１３は、マクロ凹凸構造１２に重畳された凹凸構造である。ミクロ凹凸構造１３は、図２に示したように、基材１１の膜厚方向に凹である凹部１３２と、相隣接する凹部１３２、１３２の間に位置する凸部１３１とを有する。なお、図２では、複数の凸部１３１が互いに間隔を開けて配置されているが、図３に示すように、凸部１３１同士は隣接していてもよい。また、同図に示すように、ミクロ凹凸構造１３は、基材１１上に周期的に配置されても良い。図３の例では、凸部１３１及び凹部１３２が千鳥状に配列されている。具体的には、原盤１の表面には、円周方向に伸びる複数のトラック（例えばトラックＴ１〜Ｔ３）が軸方向に等間隔で配置され、凸部１３１及び凹部１３２は各トラックに等間隔に配置される。また、隣接するトラック間の凸部１３１同士は凸部１３１の半個分だけ円周方向にずれて配置されている。
ミクロ凹凸構造１３の凹凸の平均周期は、可視光波長以下（例えば、８３０ｎｍ以下）であり、好ましくは、１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下である。したがって、ミクロ凹凸構造１３は、いわゆるモスアイ構造となっている。ここで、平均周期が１００ｎｍ未満である場合、ミクロ凹凸構造１３の形成が困難になる可能性があるため好ましくない。また、平均周期が３５０ｎｍを超える場合、原盤１の凹凸構造が転写された光学体４において、可視光の回折現象が生じる可能性があるため好ましくない。
ミクロ凹凸構造１３の平均周期は、互いに隣り合う凸部１３１間及び凹部１３２間の距離Ｐ２（図２参照）の算術平均値である。なお、平均周期の算出方法は例えば以下の通りである。すなわち、隣り合う凹部１３２の組み合わせ、及び隣り合う凸部１３１の組み合わせるを複数個ピックアップし、これらの距離Ｐ２を測定する。ここで、距離Ｐ２は、図３に示すように、トラックピッチＰＴと、ドットピッチＰＤとに区分される。トラックピッチＰＴは、隣接するトラック間に配置される凸部１３１間（または凹部１３２間）の距離Ｐ２であり、ドットピッチＰＤは、同一トラック上に配置される凸部１３１間（または凹部１３２間）の距離Ｐ２である。そして、測定値を算術平均することで、平均周期を算出すればよい。なお、本実施形態における各種凹凸構造の平均周期は、上記と同様の方法により測定される。
なお、ミクロ凹凸構造１３の２次元配列は図３の例に限られないことはもちろんである。例えば、凸部１３１及び凹部１３２が配列される複数列のトラックは、直線状であってもよく、曲線状であってもよい。また、凸部１３１及び凹部１３２は、千鳥状ではなく、例えば凸部１３１及び凹部１３２が矩形の頂点に位置するように配列されてもよい。この場合、凸部１３１及び凹部１３２は、矩形格子状に配列される。また、ミクロ凹凸構造１３はランダムに配置されていてもよい。この場合であっても、ミクロ凹凸構造１３の平均周期は可視光波長以下となっている必要がある。
上述したように、本実施形態に係る原盤１は、マクロ凹凸構造１２とミクロ凹凸構造１３とが基材１１の表面に重畳された構造を有する。したがって、原盤１の凹凸構造が転写された光学体４は、マクロ凹凸構造４１とミクロ凹凸構造４２とが重畳された表面形状を有する（図１５参照）。これにより、光学体４は、マクロ凹凸構造１２による防眩機能と、ミクロ凹凸構造１３による反射防止機能とを併せ持つことができる。
［１．２．原盤の製造方法］
次に、図４〜図１０を参照して、原盤の製造方法の一例について説明する。
（第１のステップ）
まず、図４に示すように、例えば、基材１１上に、基材レジスト層１５を形成（成膜）する。これにより、基材本体を作製する。すなわち、本例では、基材本体は、基材１１と、基材レジスト層１５とで構成される。そして、基材レジスト層１５に第１のミクロ凹凸構造であるミクロ凹凸構造１５Ｂを形成する。ここで、基材レジスト層１５を構成するレジスト材は特に制限されず、有機レジスト材及び無機レジスト材のいずれであってもよい。有機レジスト材としては、例えば、ノボラック系レジスト、または化学増幅型レジストなどが挙げられる。また、無機レジスト材としては、例えば、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物等が挙げられる。ただし、熱反応リソグラフィを行うためには、基材レジスト層１５は、金属酸化物を含む熱反応型レジストで形成されることが好ましい。
有機レジスト材を使用する場合、基材レジスト層１５は、スピンコーティング、スリットコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはスクリーン印刷等を用いることで基材１１上に形成されてもよい。また、基材レジスト層１５に無機レジスト材を使用する場合、基材レジスト層１５は、スパッタ法を用いることで形成されてもよい。
次に、図５に示すように、露光装置２００（図１３参照）により基材レジスト層１５の一部を露光することで、基材レジスト層１５に潜像１５Ａが形成される。具体的には、露光装置２００は、レーザ光２０を変調し、レーザ光２０を基材レジスト層１５に対して照射する。これにより、レーザ光２０が照射された基材レジスト層１５の一部が変性するため、基材レジスト層１５にミクロ凹凸構造１３に対応する潜像１５Ａを形成することができる。潜像１５Ａは、可視光波長以下の平均周期で基材レジスト層１５に形成される。
続いて、図６に示すように、潜像１５Ａが形成された基材レジスト層１５上に現像液を滴下することで、基材レジスト層１５を現像する。これにより、基材レジスト層１５にミクロ凹凸構造１５Ｂ（第１のミクロ凹凸構造）が形成される。なお、基材レジスト層１５がポジ型レジストである場合、レーザ光２０により露光された露光部（すなわち、潜像１５Ａが形成された部分）は、未露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増加するため、現像処理により除去される。この場合、露光部が凹部、未露光部が凸部となるミクロ凹凸構造１５Ｂが形成される。一方、基材レジスト層１５がネガ型レジストである場合、レーザ光２０により露光された露光部は、未露光部と比較して現像液に対する溶解速度が低下するため、現像処理により未露光部が除去される。この場合、露光部が凸部、未露光部が凹部となるミクロ凹凸構造１５Ｂが形成される。
（第２のステップ）
次に、図７に示すように、ミクロ凹凸構造１５Ｂを包埋するように、ミクロ凹凸構造１５Ｂ上に（すなわち基材レジスト層１５上に）無機レジスト層１７を形成（成膜）する。無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材としては、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、Ｗ、Ｍｏ、ＷまたはＭｏなどの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物などが挙げられる。無機レジスト層１７は、スパッタ法あるいはＣＶＤ法（化学蒸着法）等によってミクロ凹凸構造１５Ｂ上に形成される。このように、本実施形態では、基材レジスト層１５のミクロ凹凸構造１５Ｂを残した状態で無機レジスト層１７を形成する。この理由は以下の通りである。
すなわち、本発明者は、基材１１にミクロ凹凸構造１４（図１２参照）を形成してから本第２ステップ以降の処理を行ったところ、基材１１にミクロ凹凸構造１３が形成されないか、形成されてもそのアスペクト比がミクロ凹凸構造１５Ｂのアスペクト比と大きく異なる場合があることを見出した。この傾向は、アスペクト比の高い（例えば１以上）ミクロ凹凸構造１３を形成しようとする場合に特に顕著であった。なお、ミクロ凹凸構造のアスペクト比は、凸部間または凹部間の距離（例えば図２に示す距離Ｐ２）を凸部の高さまたは凹部の深さで除算した値である。
その一方、基材レジスト層１５のミクロ凹凸構造１５Ｂを残した状態で第２のステップ以降の処理を行ったところ、所望のアスペクト比を有するミクロ凹凸構造１３を基材１１に安定して形成することができた。このため、本実施形態では、基材レジスト層１５のミクロ凹凸構造１５Ｂを残した状態で無機レジスト層１７を形成する。なお、基材１１にミクロ凹凸構造１４を形成した後に無機レジスト層１７を形成する場合であっても、後述する第２の変形例によれば、所望のアスペクト比を有するミクロ凹凸構造１３を形成することができる。第２の変形例については後述する。
ここで、無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材は、無機レジスト層１７のエッチングレートが基材レジスト層１５のエッチングレートと異なるように選択される。後述するように、無機レジスト層１７と基材レジスト層１５とは同時にエッチングされるため、仮に両者のエッチングレートが同じとなる場合、両者は均等にエッチングされてしまう。この場合、基材１１の表面にミクロ凹凸構造１３を形成することができない。例えば、基材レジスト層１５が酸化タングステン等の金属酸化物で構成される場合、無機レジスト層１７は、ＳｉＯ２、Ｓｉなどで構成されればよい。
無機レジスト層１７の厚さは特に制限されないが、例えば５００〜１５００ｎｍであってもよい。なお、本発明者は、無機レジスト層１７を省略してミクロ凹凸構造１５Ｂ上に後述する有機レジスト層１９を形成することを試みた。しかし、この場合、有機レジスト層１９等をエッチングしても、基材１１にミクロ凹凸構造１３が形成されなかった。この原因は明確には特定できないが、有機レジスト材１９１が基材レジスト層１５及び基材１１に何らかの悪影響を及ぼしているものと思われる。一方、無機レジスト層１７をミクロ凹凸構造１５Ｂと有機レジスト層１９との間に介在させた場合（本実施形態の場合）には、基材１１にミクロ凹凸構造１３を形成することができた。
（第３のステップ）
続いて、図８に示すように、無機レジスト層１７上に有機レジスト層１９を形成する。ここで、有機レジスト層１９は、有機レジスト材１９１と、有機レジスト材１９１中に分散したフィラー粒子１９２とを含む。有機レジスト層１９は、例えば、スピンコーティング、スリットコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはスクリーン印刷等を用いることで無機レジスト層１７上に形成される。これらのうち、スプレーコーティング法は、薄厚の有機レジスト層１９を均一かつ連続的に形成できることから、特に好ましい。スプレーコーティング法に使用されるスプレーコータは、一般的なスプレーコータであれば、どのようなスプレーコータであってもよい。例えば、ニードルタイプのスプレーコータを用いて行ってもよい。
有機レジスト材１９１は特に制限されず、例えば、ノボラック系レジスト、または化学増幅型レジストなどが挙げられる。フィラー粒子１９２は、エッチングレートが有機レジスト材１９１のエッチングレートと異なる材料で構成される。すなわち、本実施形態では、フィラー粒子１９２のエッチングレートと有機レジスト材１９１のエッチングレートとの違いを利用して、有機レジスト層１９の表面にマクロ凹凸構造１９Ａを形成する。ここで、有機レジスト材１９１及びフィラー粒子１９２のエッチングレートは、詳細には、後述するマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートである。
ここで、フィラー粒子１９２のエッチングレートは、有機レジスト材１９１のエッチングレートよりも高いことが好ましい。なお、以下の説明では、フィラー粒子１９２のエッチングレートが有機レジスト材１９１のエッチングレートよりも高いことを前提として本実施形態の内容を説明する。もちろん、上述したように、フィラー粒子１９２のエッチングレートは、有機レジスト材１９１のエッチングレートと異なっていればよい。フィラー粒子１９２の材料として選択可能な材料としては、例えば、各種アクリル樹脂、カーボン粒子、及び中空シリカ等が挙げられる。
また、フィラー粒子１９２の平均粒径は可視光波長よりも大きい。なお、フィラー粒子１９２の平均粒径は、例えばフィラー粒子１９２の球相当径（直径）を算術平均した値であり、例えば、レーザ回折式粒度分布測定装置、顕微鏡、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等によって測定可能である。
フィラー粒子１９２のエッチングレート及び平均粒径を上記のように設定することで、以下の効果が得られる。すなわち、後述するように、有機レジスト層１９は、エッチングガス（マクロ凹凸構造形成用ガス）によりエッチングされる。ここで、フィラー粒子１９２は、有機レジスト材１９１よりも高いエッチングレートでエッチングされる。したがって、有機レジスト層１９のエッチングを進めていくと、有機レジスト層１９の表面には、図９に示すように、フィラー粒子１９２とフィラー粒子１９２の下方に配置される有機レジスト材１９１との界面形状に略一致する凹凸構造が形成される。その後、有機レジスト層１９は、この凹凸構造を維持したままエッチングされる。
ここで、フィラー粒子１９２の平均粒径は可視光波長より大きいので、凹凸構造の平均周期も可視光波長より大きい。したがって、凹凸構造は、マクロ凹凸構造１９Ａとなる。すなわち、フィラー粒子１９２のエッチングレート及び平均粒径を上記のように設定することで、有機レジスト層１９にマクロ凹凸構造１９Ａを形成することができる。
さらに、マクロ凹凸構造１９Ａの平均周期は、フィラー粒子１９２の平均粒径及び有機レジスト層１９内での濃度を調整することで、所望の値に調整することができる。例えば、フィラー粒子１９２の平均粒径を大きくすることで、平均周期を大きくすることができる。また、フィラー粒子１９２の濃度を高くすることで、平均周期を小さくすることができる。また、マクロ凹凸構造１９Ａの算術平均粗さは、有機レジスト材１９１のエッチングレートとフィラー粒子１９２のエッチングレートとの比を調整することで、所望の値に調整することができる。すなわち、これらのエッチングレートが近いほど算術平均粗さは小さく（すなわちマクロ凹凸構造１９Ａが平坦に近く）なり、これらのエッチングレートが離れているほど算術平均粗さは大きくなる。
フィラー粒子１９２の平均粒径は、可視光波長より大きな範囲であれば特に制限されないが、２〜１５μｍであることが好ましく、６〜１０μｍであることがより好ましい。フィラー粒子１９２の平均粒径をこのような範囲内の値とすることで、光学体４の防眩機能をより高くすることができ、光学体４のぎらつきを抑えることができるからである。
また、フィラー粒子１９２の平均粒径が２μｍ未満となる場合、マクロ凹凸構造１２を基材１１の表面に形成できない可能性がある。フィラー粒子１９２の平均粒径が１５μｍを超えると、有機レジスト層１９の層厚が非常に大きくなってしまう。すなわち、有機レジスト層１９は、少なくともフィラー粒子１９２の１／３以上である必要がある。したがって、フィラー粒子１９２の平均粒径が１５μｍを超えると、有機レジスト層１９の層厚も非常に大きくなってしまう。そして、このように有機レジスト層１９が厚くなると、エッチングに大きな時間と手間が掛かってしまう。また、フィラー粒子１９２の平均粒径が１５μｍを超えると、フィラー粒子１９２が自重により有機レジスト層１９内で沈降してしまう可能性もある。フィラー粒子１９２が沈降してしまうと、実質的に、有機レジスト層１９が有機レジスト材１９１からなる上層と、フィラー粒子１９２からなる下層とに分離してしまう。この場合、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比による算術平均粗さの調整が非常に難しくなってしまう。詳細は後述するが、本実施形態では、有機レジスト材１９１のエッチングレートと、無機レジスト層１７のエッチングレートとの比（言い換えれば両者の差）を利用して、無機レジスト層１７のマクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さを調整する。例えば、有機レジスト材１９１のエッチングレートが低く、無機レジスト層１７のエッチングレートが高い場合、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さが大きくなる。しかし、上述したように、フィラー粒子１９２が沈降してしまうと、無機レジスト層１７上にはほとんど有機レジスト材１９１が存在しなくなってしまう。したがって、両者のエッチングレートの差を利用することがほとんどできなくなってしまう。この結果、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さの調整が非常に難しくなってしまう。
また、フィラー粒子１９２の含有量は、上記効果が実現される範囲内であれば特に制限されないが、少なくとも無機レジスト層１７の表面全域にフィラー粒子１９２が分布する程度の濃度であることが好ましい。フィラー粒子１９２の含有量は、具体的には、有機レジスト材１９２の固形分質量に対して２倍以内の質量に抑えられていることが好ましい。フィラー粒子１９２の含有量をこれより多くすると、有機レジスト層１９を無機レジスト層１７上に均質に形成することが難しくなり、ひいては、フィラー粒子１９２が無機レジスト層１７から脱落する可能性が高まる。
有機レジスト層１９の厚さはフィラー粒子１９２の平均粒径の１／３以上であれば特に制限されないが、例えば２倍を超えるとエッチング時にフィラー粒子１９２がなかなか析出されずプロセス時間が長くなる可能性がある。このため、有機レジスト層１９の厚さはフィラー粒子１９２の平均粒径の２倍以下であることが好ましい。
（第４のステップ）
第４のステップでは、有機レジスト層１９、無機レジスト層１７、基材レジスト層１５、及び基材１１を順次エッチングする。ここで、本実施形態のエッチングは、垂直異方性を有するドライエッチングであることが好ましく、例えば、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）であることが好ましい。これにより、各レジスト層に形成されたマクロ凹凸構造、ミクロ凹凸構造が他のレジスト層に転写されるからである。例えばウェットエッチング等の等方性を有するエッチングにより有機レジスト層１９をエッチングした場合、基材１１にミクロ凹凸構造１３が形成されない可能性がある。
また、エッチングガスは、炭素原子、フッ素原子、酸素原子および水素原子からなる群から選択されるいずれか１種以上の原子を含むことが好ましい。例えば、エッチングガスは、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ８、およびＣ３Ｆ８などのフッ化炭素ガスであってもよく、フッ化炭素ガスにＯ２ガス、Ｈ２ガス、またはＡｒガス等の添加ガスを添加したものであってもよい。エッチングガスの具体的な組成は、エッチング対象のレジストによって適宜選択されればよい。詳細は後述する。
第４のプロセスは、有機レジスト層１９に形成されたマクロ凹凸構造１９Ａを無機レジスト層１７に転写する第１のエッチングと、基材１１上にマクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３を重畳して形成する第２のエッチングとに区分される。
（第１のエッチング）
第１のエッチングでは、まず、有機レジスト層１９をエッチングする。第１のエッチングで使用されるエッチングガス（以下、「マクロ凹凸構造形成用ガス」とも称する）は、第１のエッチングガスと、第２のエッチングガスとを含む。ここで、有機レジスト材１９１の第１のエッチングガスに対するエッチングレートは、無機レジスト層１７の第１のエッチングガスに対するエッチングレートよりも高い。また、有機レジスト材１９１の第２のエッチングガスに対するエッチングレートは、無機レジスト層１７の第２のエッチングガスに対するエッチングレートよりも低い。第１のエッチングガスは、例えばＯ２ガスであり、第２のエッチングガスは、例えばフッ化炭素ガスである。
有機レジスト層１９をエッチングすることで、図９に示すように、有機レジスト層１９の表面にマクロ凹凸構造１９Ａが形成される。マクロ凹凸構造１９Ａの形状は、マクロ凹凸構造形成用ガスがフィラー粒子１９２をエッチングする毎に変動する。して、マクロ凹凸構造１９Ａの形状は、全てのフィラー粒子１９２がエッチングされた際に一定となる。その後、有機レジスト層１９は、マクロ凹凸構造１９Ａの形状を保持したままエッチングされる。
マクロ凹凸構造形成用ガスが無機レジスト層１７に到達した後も、第１のエッチングを継続して行う。ここで、エッチングは垂直異方性を有するドライエッチングにより行われるので、図１０に示すように、マクロ凹凸構造１９Ａは、無機レジスト層１７に転写される。すなわち、無機レジスト層１７の表面には、マクロ凹凸構造１７Ａが形成される。マクロ凹凸構造１９Ａが全て無機レジスト層１７に転写された際に、第１のエッチングを終了する。
ここで、マクロ凹凸構造形成用ガスは、上述した特性を有する第１のエッチングガス及び第２のエッチングガスの混合ガスとなっている。このため、有機レジスト材１９１のマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートと、無機レジスト層１７のマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートとは異なる。即ち、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比が異なる。ここで、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比は、有機レジスト材１９１のマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートを、無機レジスト層１７のマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートで除算した値である。したがって、マクロ凹凸構造１７Ａの形状は、マクロ凹凸構造１９Ａと完全には一致しない。具体的には、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さは、マクロ凹凸構造１９Ａの算術平均粗さと異なっている。
そして、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さは、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比を調整することで調整可能である。マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比を調整する方法としては、例えば、第１のエッチングガスと第２のエッチングガスとの混合比を調整することが挙げられる。例えば、第１のエッチングガスの混合比を増加させた場合、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比が増大する（すなわち、無機レジスト層１７のエッチングレートが減少し、有機レジスト材１９１のエッチングレートが増大する）。このため、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さは減少する。即ち、マクロ凹凸構造１７Ａが浅くなる。一方、第２のエッチングガスの混合比を増加させた場合、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比が減少する（すなわち、無機レジスト層１７のエッチングレートが増大し、有機レジスト材１９１のエッチングレートが減少する）。このため、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さは増大する。即ち、マクロ凹凸構造１７Ａが深くなる。
このように、本実施形態によれば、第１のエッチングガスと第２のエッチングガスとの混合比を調整することで、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比を調整することができ、ひいては、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さを調整することができる。なお、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比は、有機レジスト材１９１と無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材との組み合わせを調整することによっても調整可能である。そして、マクロ凹凸構造１７Ａの平均周期は、マクロ凹凸構造１９Ａの平均周期と略一致する。このように、本実施形態では、フィラー粒子１９２の平均粒径及び濃度を調整することでマクロ凹凸構造１７Ａの平均周期を調整することができ、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比を調整することでマクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さを調整することができる。したがって、所望の平均周期及び算術平均粗さを有するマクロ凹凸構造１７Ａを形成することができる。
なお、第１のエッチングは、第２のエッチングを行う前に繰り返し行われてもよい。第１のエッチングを繰り返して行うことで、マクロ凹凸構造１７Ａの平均周期を大きく、算術平均粗さを小さくすることができる。
（第２のエッチング）
第２のエッチングでは、まず、無機レジスト層１７をエッチングする。第２のエッチングで使用されるエッチングガス（以下、「重畳構造形成用ガス」とも称する）は、無機レジスト層１７、基材レジスト層１５、及び基材１１をエッチングできるものであれば特に制限されない。例えば、重畳構造形成用ガスは、基材１１が石英ガラスである場合、１または２種類以上のフッ化炭素ガスの混合ガスであってもよい。フッ化炭素ガスとしては、例えば、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ８、およびＣ３Ｆ８などが挙げられる。重畳構造形成用ガスは、これらのフッ化炭素ガスにＨ２ガス、またはＡｒガス等の添加ガスを添加したものであってもよい。なお、重畳構造形成用ガスには、Ｏ２ガスをさらに含めても良いが、Ｏ２ガスは他のガスに比べて等方性が大きいので、Ｏ２ガスの濃度はなるべく低いことが好ましい。なお、第１のエッチングでは、マクロ凹凸構造形成用ガスにＯ２ガスを含める。しかし、第１のエッチングでは、無機レジスト層１７にマクロ凹凸構造１７Ａという比較的大きな凹凸を形成するだけなので、マクロ凹凸構造形成用ガスが多少の等方性を有していても特に問題はない。
無機レジスト層１７は、マクロ凹凸構造１７Ａの形状を保持したままエッチングされる。第２のエッチングが進行すると、重畳構造形成用ガスは、基材レジスト層１５に到達する。その後、重畳構造形成用ガスによって、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凹部に存在する無機レジスト層１７と基材レジスト層１５（すなわち、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凸部）とをエッチングする。さらにエッチングが進行すると、重畳構造形成用ガスは、基材１１に到達する。
ここで、基材レジスト層１５のエッチングレートが無機レジスト層１７のエッチングレートよりも高い場合、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凸部は、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凹部に存在する無機レジスト層１７よりも先に消失する。したがって、この場合、基材１１は、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凸部が存在していた部分からエッチングされる。第２のエッチングが進行すると、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凹部に存在する無機レジスト層１７も完全に消失する。その後は、基材１１の表面全体がエッチングされる。これにより、ミクロ凹凸構造１５Ｂの反転形状を有するミクロ凹凸構造１３が基材１１の表面に形成される。
一方、基材レジスト層１５のエッチングレートが無機レジスト層１７のエッチングレートよりも低い場合、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凹部に存在する無機レジスト層１７は、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凸部よりも先に消失する。したがって、この場合、基材１１は、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凹部が存在していた部分からエッチングされる。第２のエッチングが進行すると、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凸部も完全に消失する。その後は、基材１１の表面全体がエッチングされる。これにより、ミクロ凹凸構造１５Ｂと同じ配列パターン（凹凸の配列パターン）を有するミクロ凹凸構造１３が基材１１の表面に形成される。
基材１１の表面にミクロ凹凸構造１３が形成される一方で、無機レジスト層１７のマクロ凹凸構造１７Ａも基材１１に転写される。マクロ凹凸構造１７Ａが全て基材１１に転写された際に、第２のエッチングを終了する。以上の工程により、基材１１の表面にマクロ凹凸構造１２とミクロ凹凸構造１３とが重畳して形成される。すなわち、原盤１が作製される。
ここで、無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材と基材１１の材料とが一致する場合、マクロ凹凸構造１２の形状は、マクロ凹凸構造１７Ａと略一致する。しかし、無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材と基材１１の材料とが異なる場合、無機レジスト層１７の重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートと、基材１１の重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートとは異なる。即ち、重畳構造形成用ガスの選択比が異なる。ここで、重畳構造形成用ガスの選択比は、無機レジスト層１７の重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートを、基材１１の重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートで除算した値である。したがって、マクロ凹凸構造１２の形状は、マクロ凹凸構造１７Ａと完全には一致しない。具体的には、マクロ凹凸構造１２の算術平均粗さは、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さと異なっている。
そして、マクロ凹凸構造１２の算術平均粗さは、重畳構造形成用ガスの選択比を変更することで調整可能である。重畳構造形成用ガスの選択比を変更する方法としては、例えば、無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材と基材１１の材料との組み合わせを変更することが挙げられる。
そして、重畳構造形成用ガスの選択比が増大した場合、無機レジスト層１７のエッチングレートが増大し、基材１１のエッチングレートが減少するので、マクロ凹凸構造１２の算術平均粗さは減少する。即ち、マクロ凹凸構造１２が浅くなる。一方、重畳構造形成用ガスの選択比が減少した場合、無機レジスト層１７のエッチングレートが減少し、基材１１のエッチングレートが増大するので、マクロ凹凸構造１２の算術平均粗さは増大する。すなわち、マクロ凹凸構造１２が深くなる。
このように、本実施形態によれば、無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材と基材１１の材料との組み合わせを変更することで、重畳構造形成用ガスの選択比を調整することができ、ひいては、マクロ凹凸構造１２の算術平均粗さを調整することができる。このため、例えば無機レジスト層１７に形成されたマクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さが所望の値と異なる場合には、さらに重畳構造形成用ガスの選択比を調整することで、マクロ凹凸構造１２の算術平均粗さを所望の値にすることができる。なお、マクロ凹凸構造１２の平均周期は、マクロ凹凸構造１７Ａの平均周期と略一致する。
したがって、本実施形態によれば、フィラー粒子１９２の平均粒径及び濃度を調整することでマクロ凹凸構造１２の平均周期を調整することができ、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比及び重畳構造形成用ガスの選択比を調整することでマクロ凹凸構造１２の算術平均粗さを調整することができる。したがって、所望の平均周期及び算術平均粗さを有するマクロ凹凸構造１２を形成することができる。
［１．２．１．原盤の製造方法の第１の変形例］
次に、図１１を参照して、原盤の製造方法の第１の変形例について説明する。図１１に示すように、第１の変形例では、無機レジスト層１７を２層構造とする。すなわち、第１の変形例では、無機レジスト層１７は、ミクロ凹凸構造１５Ｂ上に形成される第１の無機レジスト層１７１と、第１の無機レジスト層１７１上に形成される第２の無機レジスト層１７２とで構成される。各無機レジスト層１７１、１７２は、上述した第２のステップと同様の方法によって形成される。
第１の無機レジスト層１７１及び第２の無機レジスト層１７２を構成する無機レジスト材としては、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、Ｗ、Ｍｏ、ＷまたはＭｏなどの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物などが挙げられる。ここで、第１の無機レジスト層１７１及び第２の無機レジスト層１７２は、互いに異なる（詳細には、エッチングレートが異なる）無機レジスト材で構成される。さらに、第２の無機レジスト層１７２のエッチングレートは、基材レジスト層１５のエッチングレートと異なる。他の工程は全て上述した工程と同じである。
第１の変形例では、以下の効果が得られる。すなわち、上述したように、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さは、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比によって調整できる。そして、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比は、有機レジスト材と無機レジスト層１７を構成する無機レジスト材との組み合わせによっても調整できる。したがって、無機レジスト層１７と基材レジスト層１５とが同じ無機レジスト材で構成される場合に、マクロ凹凸構造１７Ａの算術平均粗さが所望の値となる場合がある。しかし、無機レジスト層１７を単一層とし、かつ、基材レジスト層１５と同じ無機レジスト材で形成すると、ミクロ凹凸構造１３が形成できなくなる。
その一方、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比は、有機レジスト材と、無機レジスト層１７のうち、有機レジスト層１９に接する部分の無機レジスト材との組み合わせによって決まる。
したがって、第１の変形例では、有機レジスト層１９に接する部分、すなわち第２の無機レジスト層１７２を基材レジスト層１５と同じ無機レジスト材で形成し、第１の無機レジスト層１７１を基材レジスト層１５と異なる無機レジスト材で形成することができる。すなわち、第１の変形例によれば、第２の無機レジスト層１７２の材料選択性を増大させることができる。
なお、第１の無機レジスト層１７１と第２の無機レジスト層１７２との層厚比は特に制限されないが、第１の無機レジスト層１７１と第２の向きレジスト層１７２とのエッチングレートに応じて設定されればよい。例えば、エッチングレートが早い層の層厚はエッチングレートが遅い層とのエッチングレート比に比例して設定されればよい。
［１．２．２．原盤の製造方法の第２の変形例］
次に、図４〜図６、図１２を参照して、原盤の製造方法の第２の変形例を説明する。第２の変形例では、第１のステップ及び第２のステップが異なる。
第１のステップでは、図４〜図６に示すように、基材１１上に基材レジスト層１５を形成し、この基材レジスト層１５にミクロ凹凸構造１５Ｂ（第３のミクロ凹凸構造）を形成する。そして、この基材レジスト層１５及び基材１１を上述した第２のエッチングと同様の方法によりエッチングする。これにより、図１２に示すミクロ凹凸構造１４（第１のミクロ凹凸構造）を基材１１の表面に形成する。したがって、第２の変形例では、基材１１が基材本体を構成する。ミクロ凹凸構造１４は、ミクロ凹凸構造１５Ｂと同じ配列パターン（凹凸の配列パターン）を有する。
第２のステップでは、第１の変形例と同様に、ミクロ凹凸構造１４上に２層構造の無機レジスト層１７を形成する。ここで、第１の無機レジスト層１７１は、基材１１にミクロ凹凸構造１３を形成するためのレジスト層であり、ＤＬＣで構成される。第２の無機レジスト層１７２は、第１の変形例と同様の無機レジスト材（ただしＤＬＣは除く）で構成される。その後は上述した処理と同様の処理が行われる。
＜２．露光装置の構成＞
次に、図１３に基づいて、露光装置２００の構成について説明する。露光装置２００は、基材レジスト層１５を露光する装置である。露光装置２００は、レーザ光源２０１と、第１ミラー２０３と、フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ：ＰＤ）２０５と、偏向光学系と、制御機構２３０と、第２ミラー２１３と、移動光学テーブル２２０と、スピンドルモータ２２５と、ターンテーブル２２７とを備える。また、基材１１は、ターンテーブル２２７上に載置され、回転することができるようになっている。
レーザ光源２０１は、レーザ光２０を発する光源であり、例えば、固体レーザまたは半導体レーザなどである。レーザ光源２０１が発するレーザ光２０の波長は、特に限定されないが、例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色光帯域の波長であってもよい。また、レーザ光２０のスポット径（レジスト層に照射されるスポットの直径）は、ミクロ凹凸構造１５Ｂの凹部の開口面の直径より小さければよく、例えば２００ｎｍ程度であればよい。レーザ光源２０１から発せられるレーザ光２０は制御機構２３０によって制御される。
レーザ光源２０１から出射されたレーザ光２０は、平行ビームのまま直進し、第１ミラー２０３で反射され、偏向光学系に導かれる。
第１ミラー２０３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第１ミラー２０３を透過した偏光成分は、フォトダイオード２０５によって受光され、光電変換される。また、フォトダイオード２０５によって光電変換された受光信号は、レーザ光源２０１に入力され、レーザ光源２０１は、入力された受光信号に基づいてレーザ光２０の位相変調を行う。
また、偏向光学系は、集光レンズ２０７と、電気光学偏向素子（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｏｐｔｉｃ Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＥＯＤ）２０９と、コリメータレンズ２１１とを備える。
偏向光学系において、レーザ光２０は、集光レンズ２０７によって、電気光学偏向素子２０９に集光される。電気光学偏向素子２０９は、レーザ光２０の照射位置を制御することが可能な素子である。露光装置２００は、電気光学偏向素子２０９により、移動光学テーブル２２０上に導かれるレーザ光２０の照射位置を変化させることも可能である。レーザ光２０は、電気光学偏向素子２０９によって照射位置を調整された後、コリメータレンズ２１１によって、再度、平行ビーム化される。偏向光学系から出射されたレーザ光２０は、第２ミラー２１３によって反射され、移動光学テーブル２２０上に水平かつ平行に導かれる。
移動光学テーブル２２０は、ビームエキスパンダ（Ｂｅａｍ ｅｘｐａｄｅｒ：ＢＥＸ）２２１と、対物レンズ２２３とを備える。移動光学テーブル２２０に導かれたレーザ光２０は、ビームエキスパンダ２２１により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ２２３を介して、基材１１上に形成された基材レジスト層１５に照射される。また、移動光学テーブル２２０は、基材１１が１回転する毎に矢印Ｒ方向（送りピッチ方向）に１送りピッチ（トラックピッチ）だけ移動する。ターンテーブル２２７上には、基材１１が設置される。スピンドルモータ２２５はターンテーブル２２７を回転させることで、基材１１を回転させる。
また、制御機構２３０は、フォーマッタ２３１と、ドライバ２３３とを備え、レーザ光２０の照射を制御する。フォーマッタ２３１は、レーザ光２０の照射を制御する変調信号を生成し、ドライバ２３３は、フォーマッタ２３１が生成した変調信号に基づいて、レーザ光源２０１を制御する。これにより、基材１１へのレーザ光２０の照射が制御される。
フォーマッタ２３１は、基材レジスト層１５に描画する任意のパターンが描かれた入力画像に基づいて、基材レジスト層１５にレーザ光２０を照射するための制御信号を生成する。具体的には、まず、フォーマッタ２３１は、基材レジスト層１５に描画する任意のパターンが描かれた入力画像を取得する。入力画像は、軸方向に基材レジスト層１５の外周面を切り開いて一平面に伸ばした、基材レジスト層１５の外周面の展開図に相当する画像である。次に、フォーマッタ２３１は、入力画像を所定の大きさの小領域に分割し（例えば、格子状に分割し）、小領域の各々に描画パターンが含まれるか否かを判断する。続いて、フォーマッタ２３１は、描画パターンが含まれると判断した各小領域にレーザ光２０を照射するよう制御する制御信号に生成する。さらに、ドライバ２３３は、フォーマッタ２３１が生成した制御信号に基づいてレーザ光源２０１の出力を制御する。これにより、基材レジスト層１５へのレーザ光２０の照射が制御される。
＜３．原盤を用いた光学体の製造方法について＞
次に、図１４を参照して、原盤１を用いた光学体４の製造方法の一例について説明する。光学体４は、原盤１を用いたロールツーロール方式の転写装置３００によって製造可能である。図１４に示す転写装置３００では、光硬化性樹脂を用いて光学体４を作製する。
転写装置３００は、原盤１と、基材供給ロール３０１と、巻取りロール３０２と、ガイドロール３０３、３０４と、ニップロール３０５と、剥離ロール３０６と、塗布装置３０７と、光源３０９とを備える。
基材供給ロール３０１は、長尺な基材フィルム３がロール状に巻かれたロールであり、巻取りロール３０２は、光学体４を巻き取るロールである。また、ガイドロール３０３、３０４は、基材フィルム３を搬送するロールである。ニップロール３０５は、未硬化樹脂層３１０が積層された基材フィルム３、すなわち被転写フィルム３ａを原盤１に密着させるロールである。剥離ロール３０６は、硬化樹脂層３１０ａが積層された基材フィルム３、すなわち光学体４を原盤１から剥離するロールである。
塗布装置３０７は、コーターなどの塗布手段を備え、未硬化の光硬化性樹脂組成物を基材フィルム３に塗布し、未硬化樹脂層３１０を形成する。塗布装置３０７は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーター、またはダイコーターなどであってもよい。また、光源３０９は、光硬化性樹脂組成物を硬化可能な波長の光を発する光源であり、例えば、紫外線ランプなどであってもよい。
なお、光硬化性樹脂組成物は、所定の波長の光が照射されることにより流動性が低下し、硬化する樹脂である。具体的には、光硬化性樹脂組成物は、アクリル樹脂などの紫外線硬化樹脂であってもよい。また、光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、開始剤、フィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電防止剤、または増感色素などを含んでもよい。
転写装置３００では、まず、基材供給ロール３０１からガイドロール３０３を介して、基材フィルム３が連続的に送出される。なお、送出の途中で基材供給ロール３０１を別ロットの基材供給ロール３０１に変更してもよい。送出された基材フィルム３に対して、塗布装置３０７により未硬化の光硬化性樹脂組成物が塗布され、基材フィルム３に未硬化樹脂層３１０が積層される。これにより、被転写フィルム３ａが作製される。被転写フィルム３ａは、ニップロール３０５により、原盤１と密着させられる。光源３０９は、原盤１に密着した未硬化樹脂層３１０に光を照射することで、未硬化樹脂層３１０を硬化する。これにより、原盤１の外周面に形成されたマクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３の配列パターンが未硬化樹脂層３１０に転写される。すなわち、マクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３の反転パターンが形成された硬化樹脂層３１０ａが形成される。ここで、光源３０９は、ミクロ凹凸構造４２の凹部４２２（図１５参照）に対して斜めに光を照射してもよい。この場合、凹部４２２の一部だけが硬化される。続いて、硬化樹脂層３１０ａが積層された基材フィルム３、すなわち光学体４は、剥離ロール３０６により原盤１から剥離される。ついで、光学体４は、ガイドロール３０４を介して、巻取りロール３０２によって巻き取られる。
このように、転写装置３００では、被転写フィルム３ａをロールツーロールで搬送する一方で、原盤１の周面形状を被転写フィルム３ａに転写する。これにより、光学体４が作製される。
なお、光学体４を熱可塑性樹脂で作製する場合、塗布装置３０７及び光源３０９は不要となる。また、基材フィルム３を熱可塑性樹脂フィルムとし、原盤１よりも上流側に加熱装置を配置する。この加熱装置によって基材フィルム３を加熱して柔らかくし、その後、基材フィルム３を原盤１に押し付ける。これにより、原盤１の周面に形成されたマクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３の配列パターンが基材フィルム３に転写される。なお、基材フィルム３を熱可塑性樹脂以外の樹脂で構成されたフィルムとし、基材フィルム３と熱可塑性樹脂フィルムとを積層してもよい。この場合、積層フィルムは、加熱装置で加熱された後、原盤１に押し付けられる。
したがって、転写装置３００は、原盤１に形成されたマクロ凹凸構造１２及びミクロ凹凸構造１３の配列パターンが転写された転写物、すなわち光学体４を連続的に作製することができる。ここで、原盤１の周面に形成されたマクロ凹凸構造１２は、所望の平均周期及び算術平均粗さを有する。したがって、光学体４に形成されたマクロ凹凸構造４１（図１５参照）は、所望の平均周期及び算術平均粗さを有する。
＜４．光学体の構造＞
［４．１．光学体の全体構成］
図１５に、上記の製造方法によって作製された光学体４の構成を示す。光学体４は、例えばフィルム形状であり、その表面に形成されたマクロ凹凸構造４１と、マクロ凹凸構造４１上に重畳されたミクロ凹凸構造４２とを備える。
マクロ凹凸構造４１は、凸部４１１及び凹部４１２を有する。マクロ凹凸構造４１の形状は、原盤１のマクロ凹凸構造１２の反転形状となっている。ミクロ凹凸構造４２は、凸部４２１及び凹部４２２を有する。ミクロ凹凸構造４２の形状は、原盤１のミクロ凹凸構造１３の反転形状となっている。さらに、本実施形態による光学体４は、マクロ凹凸構造４１によって高い防眩機能を実現し、ミクロ凹凸構造１３によって高い反射防止機能を実現することができる。したがって、光学体４の防眩機能を向上するために、光学体４に別途の散乱体を混入させる必要がない。したがって、本実施形態によれば、高い防眩機能及び反射防止機能を有する光学体４を低コストかつ安定して作製することができる。
［４．２．光学体の平均周期、算術平均粗さ］
光学体４の算術平均粗さは、マクロ凹凸構造４１とミクロ凹凸構造４２との重畳構造の算術平均粗さとなる。ここで、本実施形態では、マクロ凹凸構造４１の算術平均粗さは、原盤１のマクロ凹凸構造１２の算術平均粗さに略一致する。さらに、本実施形態では、原盤１を作製するに際し、ミクロ凹凸構造１３の配列パターンを一定としたまま、マクロ凹凸構造１２の形状だけを任意に変えることができる。したがって、本実施形態では、ミクロ凹凸構造４２の配列パターンが一定で、重畳構造の算術平均粗さが異なる様々な光学体４を作製することができる。以下、「光学体４の算術平均粗さ」は、特に断りのない限り、「光学体４の重畳構造の算術平均粗さ」を意味するものとする。一方、光学体４の平均周期は、マクロ凹凸構造４１の平均周期となる。
＜５．光学体の平均周期及び算術平均粗さとヘイズ値との関係＞
上述したように、本実施形態によれば、光学体４の平均周期及び算術平均粗さを所望の値とすることができる。そして、本発明者は、光学体４の平均周期及び算術平均粗さについて詳細に検討したところ、これらと光学体４のヘイズ値との間に密接な相関があることを見出した。光学体４の平均周期及び算術平均粗さと光学体４のヘイズ値との相関の一例を図１６に示す。図１６の横軸は光学体４の算術平均粗さ（＝Ｒａ）を平均周期（＝Ｒｓｍ）で除算した値（＝Ｒａ／Ｒｓｍ）を示す。縦軸は、光学体４のヘイズ値（％）を示す。
点Ａは、Ｒａ／Ｒｓｍとヘイズ値との相関を示す。なお、点Ａが示す相関は後述する実施例によって得られたものである。図１６から明らかなとおり、Ｒａ／Ｒｓｍが増加するにしたがって、ヘイズ値も増加することが明らかとなった。また、Ｒａ／Ｒｓｍの単位増加量当りのヘイズ値の増加量は、Ｒａ／Ｒｓｍが小さいほど大きくなることもわかった。したがって、本実施形態によれば、所望のヘイズ値を有する光学体４を安定して作製することができる。特に、従来では、高いヘイズ値の光学体を安定して作製することができなかった。すなわち、従来の技術であっても、光学体を研磨することで、高ヘイズ値の光学体を作製することはできる。ただし、品質のバラ付きが激しく、実用に耐えるものではなかった。本実施形態では、高ヘイズ値の光学体を安定して作製することができる。
＜６．光学体の適用例について＞
本実施形態によって作製された光学体４は、様々な用途に適用可能である。例えば、光学体４は、表示装置や光学素子等の反射防止フィルム、アンチグレアフィルムとして使用することができる。光学体４は、これらの用途に限られず、反射防止及び防眩が要求される分野であれば適用可能である。
以下では、実施例および比較例を参照しながら、上記実施形態に係る原盤１、光学体４について、具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、上記実施形態に係る原盤１、光学体４の実施可能性および効果を示すための一条件例であり、本発明の原盤１、光学体４が以下の実施例に限定されるものではない。
［１．光学体の製造］
以下の工程により、光学体４を製造した。
（実施例１）
円筒形状の石英ガラスからなる基材１１を用意し、スパッタ法により基材１１の表面に酸化タングステンからなる基材レジスト層１５を形成した。基材レジスト層１５の層厚は５０ｎｍとした。ついで、図１３に示す露光装置２００から基材レジスト層にレーザ光を照射することで、基材レジスト層１５に千鳥状の配列パターンの潜像１５Ａを形成した。ここで、潜像１５Ａのピッチに関する露光装置２００の設定値は、ドットピッチ２３０ｎｍ、トラックピッチ１５３ｎｍとした。
続いて、基材レジスト層１５上にアルカリ現像液（東京応化工業社製ＮＭＤ３）を滴下することで、露光部（潜像１５Ａが形成された部分）を除去した。すなわち、現像処理を行った。これにより、基材レジスト層１５にミクロ凹凸構造１５Ｂを形成した。
ついで、ミクロ凹凸構造１５Ｂ上にスパッタ法によりＳｉＯ２からなる無機レジスト層１７を形成した。ここで、無機レジスト層１７は単層とし、層厚を１０００ｎｍとした。また、無機レジスト層１７の重畳構造形成用ガス（組成は後述する）に対するエッチングレートは、基材レジスト層１５の重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートと異なる。具体的には、基材レジスト層１５のエッチングレートと無機レジスト層１７のエッチングレートとの比は１／３であった。なお、両者のエッチングレートは、無機レジスト層１７の単一層と基材レジスト層１５の単一層とを後述する第２のエッチングの条件でエッチングすることで測定した。
ついで、有機レジスト材１９１としてＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製のＰ４２１０を用意し、フィラー粒子１９２としてアクリル粒子（根上工業社製 ＳＥ０１０Ｔ）を用意した。ここで、アクリル粒子の平均粒径を顕微鏡によって測定したところ、平均粒径は１０μｍであった。
そして、有機レジスト材１９１とフィラー粒子１９２とを７０：３０の重量比で混合することで、有機レジスト組成物を作製した。そして、この有機レジスト組成物と溶媒であるＰＧＭ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）とを１：２０の重量比で混合することで、スプレーコーティング用分散液を作製した。
ついで、スプレーコーティング用分散液を無機レジスト層１７に噴霧することで、層厚１０〜１５μｍの有機レジスト層１９を形成した。このように、有機レジスト層１９の層厚は、有機レジスト層１９の面内で様々な値をとるが、いずれの層厚も上記範囲内の値となる。すなわち、実施例１では、スプレーコーティング法により有機レジスト層１９を無機レジスト層１７上に形成した。なお、溶媒であるＰＧＭは噴霧中及び大気中放置にて揮発する。
ついで、反応性イオンエッチング装置を用いて、第１のエッチングを行った。第１のエッチングに使用されるマクロ凹凸構造形成用ガスは、ＣＦ４ガスとＯ２ガスとを２：２８の流量比（ｓｃｃｍ比）で混合したガスとした。また、反応性イオンエッチング装置の出力を２００Ｗとし、ガス圧を０．５Ｐａとした。
なお、有機レジスト層１９のエッチング中にエッチングを中断し、有機レジスト層１９の表面をＳＥＭおよび顕微鏡で観察したところ、有機レジスト層１９の表面にマクロ凹凸構造１９Ａが形成されていることを確認した。また、マクロ凹凸構造１９Ａの形状（特に凹部の深さ）から、有機レジスト材のマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートと、フィラー粒子１９２のマクロ凹凸構造形成用ガスに対するエッチングレートとの比を推定した。この結果、エッチングレートの比は１対２であった。
また、マクロ凹凸構造形成用ガスの選択比は、２５／１であった。なお、選択比は以下の方法で算出した。すなわち、有機レジスト材１９１の単一層とＳｉＯ２の単一層とを上記のエッチング条件でエッチングして両者のエッチングレートを測定した。そして、有機レジスト材１９１のエッチングレートを、無機レジスト層１７のエッチングレートで除算することで選択比を算出した。
そして、有機レジスト層１９が完全に消失した際（すなわち、有機レジスト層１９のマクロ凹凸構造１９Ａが全て無機レジスト層１７に転写された際）に、第１のエッチングを終了した。その後、無機レジスト層１７の表面をＳＥＭで観察したところ、無機レジスト層１７の表面にマクロ凹凸構造１７Ａが形成されていることを確認した。
ついで、反応性イオンエッチング装置を用いて、第２のエッチングを行った。第２のエッチングに使用される重畳構造形成用ガスは、ＣＨＦ３ガスとＣＦ４ガスとを２７：３の流量比（ｓｃｃｍ比）で混合したガスとした。また、反応性イオンエッチング装置の出力を２００Ｗとし、ガス圧を０．５Ｐａとし、エッチング時間を２時間とした。以上の工程により、実施例１に係る原盤１を作製した。
ここで、重畳構造形成用ガスの選択比は、１／３であった。なお、選択比は以下の方法で算出した。すなわち、基材１１とＳｉＯ２の単一層とを上記のエッチング条件でエッチングして両者のエッチングレートを測定した。そして、有機レジスト材１９１のエッチングレートを、無機レジスト層１７のエッチングレートで除算することで選択比を算出した。
ついで、図１４で示した転写装置３００を用いて、光学体４を作製した。なお、基材フィルム３はポリエチレンテレフタレートフィルムとし、光硬化性樹脂組成物はアクリル樹脂アクリレートとした。また、未硬化樹脂層３１０に１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで未硬化樹脂層３１０を硬化させた。以上の工程により、光学体４を作製した。そして、小坂研究所社製Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＥＴ２００を用いて、光学体４の算術平均粗さ及び平均周期を測定した。ここで、測定条件は、速度１００μｍ／ｓｅｃ 測定力１００μＮとした。この結果、算術平均粗さ（＝Ｒａ）は０．１５１μｍ、平均周期（＝Ｒｓｍ）は１０．３９μｍであった。したがって、Ｒａ／Ｒｓｍは０．０１４であった。また、光学体４のミクロ凹凸構造４２のドットピッチは２７０ｎｍ、トラックピッチは１５３ｎｍ、深さ（凸部４２１の高さ、凹部４２１の深さ）は５００〜６００ｎｍ程度であった。これらの値はＳＥＭ及び断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により確認した。
（実施例２）
第１のエッチングを２回行ってから第２のエッチングを行った他は、実施例１と同様の処理を行った。なお、２回目の第１のエッチングは、１回目の第１のエッチングと同じ条件で行われた。例えば、１回目の第１のエッチングと同じ噴霧条件（噴霧圧、噴霧時間等）でスプレーコーティング用分散液を無機レジスト層１７に噴霧した。光学体４の算術平均粗さ及び平均周期を実施例１と同様の方法によって測定したところ、算術平均粗さは０．１１２μｍ、平均周期は１１．８μｍであった。したがって、Ｒａ／Ｒｓｍは０．００９であった。また、第１のエッチングを繰り返して行うことで、光学体４の平均周期を大きく、算術平均粗さを小さくすることができることがわかった。したがって、第１のエッチングを繰り返して行うことで、マクロ凹凸構造１７Ａの平均周期を大きく、算術平均粗さを小さくすることができることになる。また、光学体４のミクロ凹凸構造４２のドットピッチ、トラックピッチ、深さは実施例１と同程度であった。これらの値はＳＥＭにより確認した。
（実施例３）
実施例３では、フィラー粒子１９２の平均粒径を６μｍとし、無機レジスト層１７を２層構造とし、マクロ凹凸構造形成用ガスの組成を変えた他は、実施例１と同様の処理を行った。具体的には、実施例３では、ミクロ凹凸構造１５Ｂ上にスパッタ法によりＳｉＯ２からなる第１の無機レジスト層１７１を形成した。第１の無機レジスト層１７１の層厚は２００ｎｍとした。ついで、第１の無機レジスト層１７１上にスパッタ法により酸化タングステンからなる第２の無機レジスト層１７２を形成した。第２の無機レジスト層１７２の層厚は５００ｎｍとした。したがって、実施例３は第１の変形例に対応する。
ついで、平均粒径６μｍのアクリル粒子（根上工業社製 ＳＥ００６Ｔ）を用いた他は、実施例１と同様の方法によりスプレーコーティング用分散液を作製した。ついで、スプレーコーティング分散液を実施例１と同様の方法により第２の無機レジスト層１７２上に噴霧することで、第２の無機レジスト層１７２上に有機レジスト層１９を形成した。
ついで、実施例１と同様の方法により第１のエッチング及び第２のエッチングを行った。ただし、マクロ凹凸構造形成用ガスは、ＣＦ４ガスとＯ２ガスとを５：２５の流量比（ｓｃｃｍ比）で混合したガスとした。光学体４に形成されたマクロ凹凸構造４１の算術平均粗さ及び平均周期を実施例１と同様の方法によって測定したところ、算術平均粗さは０．３１１μｍ、平均周期は６．６９μｍであった。したがって、Ｒａ／Ｒｓｍは０．０４６であった。また、光学体４のミクロ凹凸構造４２のドットピッチ、トラックピッチ、深さは実施例１と同程度であった。これらの値はＳＥＭにより確認した。
（実施例４）
実施例４では、以下の処理を行うことで光学体４を作製した。すなわち、まず、実施例１と同様の処理により、基材１１上にミクロ凹凸構造１５Ｂを形成した。ついで、反応性イオンエッチング装置を用いて、基材レジスト層１５及び基材１１をエッチングした。ここで、エッチングガスは、ＣＨＦ３ガスとＣＦ４ガスとを２７：３の流量比（ｓｃｃｍ比）で混合したガスとした。また、反応性イオンエッチング装置の出力を１５０Ｗとし、ガス圧を０．５Ｐａとし、エッチング時間を１時間とした。以上の工程により、基材１１にミクロ凹凸構造１４を形成した。
ついで、ミクロ凹凸構造１４上にＣＶＤ法によりＤＬＣからなる第１の無機レジスト層１７１を形成した。第１の無機レジスト層１７１の層厚は１５０ｎｍとした。ついで、第１の無機レジスト層１７１上にスパッタ法により酸化タングステンからなる第２の無機レジスト層１７２を形成した。第２の無機レジスト層１７２の層厚は８００ｎｍとした。ここで、ＤＬＣの重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートと、基材１１の重畳構造形成用ガスに対するエッチングレートとの比は１／３であった。なお、これらのエッチングレートは上述した方法と同様の方法により測定された値である。
ついで、実施例１と同様の方法により第２の無機レジスト層１７２上に有機レジスト層１９を形成した。その後、実施例１と同様の処理を行うことで、光学体４を作製した。光学体４の算術平均粗さ及び平均周期を実施例１と同様の方法によって測定したところ、算術平均粗さは０．１２〜０．１５μｍ、平均周期は１１〜１５μｍであった。なお、実施例４では、光学体４の測定位置によって算術平均粗さ及び平均周期の値に若干のバラ付きがあった。また、光学体４のミクロ凹凸構造４２のドットピッチ、トラックピッチ、深さは実施例１と同程度であった。これらの値はＳＥＭにより確認した。
［２．光学体の評価結果］
（光学体の算術平均粗さ及び平均周期とヘイズ値との関係）
上記各実施例で作製された光学体４のヘイズ値を、村上色彩技術研究所製のヘイズメータＨＭ−１５０を用いて測定した。そして、Ｒａ／Ｒｓｍとヘイズ値との組み合わせを示す点を横軸がＲａ／Ｒｓｍ、縦軸がヘイズ値（％）となるｘｙ平面にプロットした。この結果を図１６に示す。図１６の点Ａは、Ｒａ／Ｒｓｍとヘイズ値との相関を示す。
図１６から明らかなとおり、Ｒａ／Ｒｓｍが増加するにしたがって、ヘイズ値も増加することが明らかとなった。また、Ｒａ／Ｒｓｍの単位増加量当りのヘイズ値の増加量は、Ｒａ／Ｒｓｍが小さいほど大きくなることもわかった。
（電子顕微鏡による光学体の観察結果）
まず、実施例２で作製した光学体４の平面構造をＳＥＭで観察した。その結果を図１７（ａ）〜（ｃ）に示す。図１７（ａ）の倍率は５００倍、（ｂ）の倍率は５０００倍、（ｃ）の倍率は５００００倍である。図１７（ａ）によれば、基材１１上にマクロ凹凸構造１２が形成されていることがわかる。なお、図１７（ａ）中に分布している略円形状の構造体がマクロ凹凸構造１２である。また、図１７（ｂ）には極めて微細であるがマクロ凹凸構造１２と同一面にミクロ凹凸構造１３が形成されていることが確認できた。図１７（ｃ）ではミクロ凹凸構造１３がマクロ凹凸構造１２と同一面に形成されていることがより明確に確認できた。
（光学体の反射防止機能の評価）
各実施例で作製された光学体４の反射防止機能を評価するために、光学体４の拡散反射分光スペクトルを測定した。まず、図１８に基づいて、拡散反射分光スペクトルの測定に使用される光学系を説明する。拡散分光スペクトルの測定では、光源７１からの光７２Ａは、球面ミラー７３にて反射された後、積分球７５内に備えられた試料７７に照射される。試料７７からの反射光７２Ｂは、積分球７５内で多重反射して均質化した後、検出される。拡散反射分光スペクトルの測定は、具体的には、日本分光社製の分光光度計Ｖ５５０、および絶対反射率測定器ＡＲＶ４７４Ｓを用いて行った。拡散反射分光スペクトルを図１９に示す。なお、実施例４では、実施例１、２と同程度のスペクトルが得られた。図１９から明らかな通り、実施例１〜４に係る光学体は、可視光帯域の全域にわたって拡散反射率が低く、拡散反射を十分に防止可能であることがわかる。このように、本実施例では、ヘイズ値が２０％程度あるいはそれ以上という高い値になっても、拡散反射率２％以下にすることができる。
また、実施例３は、ヘイズ値が他の実施例に比べて可視光帯域の全域で拡散反射率が小さい。実施例３のマクロ凹凸構造１２は他の実施例１、２のマクロ凹凸構造１２に比べて各凹凸の高低差が大きい（算術平均粗さＲａが大きい）ので、ミクロ凹凸構造１３を形成する際に、部分的にエッチングの状態が異なる。したがって、ミクロ凹凸構造１３がマクロ凹凸構造１２の形状に応じて部分的に異なる形状を有することになる。このため、実施例３では、より広い波長の範囲で反射を抑制することができると推定される。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１ 原盤
４ 光学体
４１ マクロ凹凸構造
４１１ 凸部
４１２ 凹部
４２ ミクロ凹凸構造
４２１ 凸部
４２２ 凹部
１１ 基材
１２ マクロ凹凸構造
１２１ 凸部
１２２ 凹部
１３ ミクロ凹凸構造
１３１ 凸部
１３２ 凹部
１４ ミクロ凹凸構造
１５ 基材レジスト層
１５Ｂ ミクロ凹凸構造
１７ 無機レジスト層
１７１ 第１の無機レジスト層
１７２ 第２の無機レジスト層
１９ 有機レジスト層
１９１ 有機レジスト材
１９２ フィラー粒子

Claims (13)

  1. 凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下である第１のミクロ凹凸構造を、少なくとも基材を含む基材本体の表面に形成する第１のステップと、
    前記第１のミクロ凹凸構造上に無機レジスト層を形成する第２のステップと、
    有機レジスト材及び前記有機レジスト材中に分散したフィラー粒子を含む有機レジスト層を前記無機レジスト層上に形成する第３のステップと、
    前記有機レジスト層及び前記無機レジスト層をエッチングすることで、凹凸の平均周期が８３０ｎｍより大きいマクロ凹凸構造と、凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下である第２のミクロ凹凸構造とを前記基材の表面に重畳して形成する第４のステップと、を含み、
    前記フィラー粒子の平均粒径は８３０ｎｍよりも大きく、
    前記フィラー粒子のエッチングレートは、前記有機レジスト材のエッチングレートと異なる、原盤の製造方法。
  2. 前記フィラー粒子のエッチングレートは、前記有機レジスト材のエッチングレートより高い、請求項１記載の原盤の製造方法。
  3. 前記フィラー粒子の平均粒径は２〜１５μｍである、請求項１または２に記載の原盤の製造方法。
  4. 前記第４のステップでは、前記有機レジスト層および前記無機レジスト層をドライエッチングによりエッチングし、
    前記有機レジスト層をドライエッチングする際に使用されるエッチングガスは、前記無機レジスト層をドライエッチングする際に使用されるエッチングガスと異なる、請求項１〜３の何れか１項に記載の原盤の製造方法。
  5. 前記有機レジスト層をドライエッチングする際に使用されるエッチングガスは、第１のエッチングガスと第２のエッチングガスとを含み、
    前記有機レジスト材の前記第１のエッチングガスに対するエッチングレートは、前記無機レジスト層の前記第１のエッチングガスに対するエッチングレートよりも高く、
    前記有機レジスト材の前記第２のエッチングガスに対するエッチングレートは、前記無機レジスト層の前記第２のエッチングガスに対するエッチングレートよりも低い、請求項４記載の原盤の製造方法。
  6. 前記ドライエッチングに使用されるエッチングガスは、炭素原子、フッ素原子、酸素原子および水素原子からなる群から選択される１種以上の原子を含む、請求項４または５に記載の原盤の製造方法。
  7. 前記第１のステップは、
    前記基材の表面に基材レジスト層を形成することで、前記基材本体を作製するステップと、
    前記基材レジスト層に前記第１のミクロ凹凸構造を形成するステップと、を含み、
    前記基材レジスト層のエッチングレートは、前記無機レジスト層のエッチングレートと異なる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の原盤の製造方法。
  8. 前記基材本体は、前記基材で構成され、
    前記第１のステップは、
    前記基材の表面に基材レジスト層を形成するステップと、
    前記第１のミクロ凹凸構造と同じ配列パターンを有する第３のミクロ凹凸構造を前記基材レジスト層に形成するステップと、
    前記基材レジスト層をエッチングすることで、前記基材の表面に前記第１のミクロ凹凸構造を形成するステップと、を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の原盤の製造方法。
  9. 前記第２のステップは、前記第１のミクロ凹凸構造上に第１の無機レジスト層を形成するステップと、
    前記第１の無機レジスト層上に第２の無機レジスト層を形成するステップと、を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の原盤の製造方法。
  10. 基材と、
    前記基材の表面に形成され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍより大きいマクロ凹凸構造と、
    前記マクロ凹凸構造に重畳され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下であるミクロ凹凸構造と、を有し、
    前記マクロ凹凸構造と前記ミクロ凹凸構造との重畳構造の算術平均粗さＲａと、前記マクロ凹凸構造の平均周期Ｒｓｍとの比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上である、原盤。
  11. 前記比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上、０．０５以下である、請求項１０に記載の原盤。
  12. 光学体の表面に形成され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍより大きいマクロ凹凸構造と、
    前記マクロ凹凸構造に重畳され、凹凸の平均周期が８３０ｎｍ以下であるミクロ凹凸構造と、を有し、
    前記マクロ凹凸構造と前記ミクロ凹凸構造との重畳構造の算術平均粗さＲａと、前記マクロ凹凸構造の平均周期Ｒｓｍとの比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上である、光学体。
  13. 前記比Ｒａ／Ｒｓｍが０．０１以上、０．０５以下である、請求項１２に記載の光学体。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6871705B2 (ja) * 2016-09-29 2021-05-12 デクセリアルズ株式会社 光学体、光学体の製造方法、および発光装置
JP7057126B2 (ja) * 2017-12-26 2022-04-19 デクセリアルズ株式会社 原盤、転写物及び原盤の製造方法
CN112639541B (zh) * 2018-09-25 2023-07-14 日本电气硝子株式会社 透明物品
JP7495341B2 (ja) * 2020-12-21 2024-06-04 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4916597B1 (ja) 1970-12-23 1974-04-23
GB1392580A (en) 1972-04-10 1975-04-30 Standard Packaging Corp Controlled atmosphere package
JPS60262151A (ja) * 1984-06-11 1985-12-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 三層レジスト用中間層材料及びその利用方法
JPH05121311A (ja) * 1991-10-30 1993-05-18 Fujitsu Ltd レジストパターンの形成方法
DE19708776C1 (de) * 1997-03-04 1998-06-18 Fraunhofer Ges Forschung Entspiegelungsschicht sowie Verfahren zur Herstellung derselben
WO2005116695A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-absorbing member
JP4986138B2 (ja) 2006-11-15 2012-07-25 独立行政法人産業技術総合研究所 反射防止構造を有する光学素子用成形型の製造方法
JP5380803B2 (ja) * 2007-08-03 2014-01-08 王子ホールディングス株式会社 非平面上単粒子膜の製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体。
JP2009128543A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp 反射防止構造体の製造方法
JP2009128539A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp 反射防止構造体の製造方法
JP2009128541A (ja) 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp 反射防止構造体の製造方法
JP5254664B2 (ja) 2008-05-27 2013-08-07 株式会社Ｄｎｐファインケミカル 反射防止膜及びその製造方法
CN102016650B (zh) * 2008-05-27 2014-10-15 夏普株式会社 防反射膜和显示装置
RU2012121914A (ru) 2009-10-28 2013-12-10 Шарп Кабусики Кайся Форма, способ изготовления формы и антиотражательная пленка
JP2012018424A (ja) * 2011-10-18 2012-01-26 Sony Corp 光学体、壁材、建具、および日射遮蔽装置
US20150026952A1 (en) * 2012-03-09 2015-01-29 Danmarks Tekniske Universitet Method for manufacturing a tool part for an injection molding process, a hot embossing process, a nano-imprint process, or an extrusion process
JP6067284B2 (ja) 2012-08-28 2017-01-25 旭化成株式会社 ロール状モールドの製造方法
DE112013005487B4 (de) * 2012-11-16 2022-07-07 Nalux Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Form für eine Antireflexionsstruktur und einer Form für ein optisches Gitter
FR3005992B1 (fr) * 2013-05-24 2015-05-22 Snecma Dispositif de passage de servitudes pour une turbomachine
JP2015004993A (ja) * 2014-10-07 2015-01-08 デクセリアルズ株式会社 光学素子およびその製造方法、ならびに原盤の製造方法

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