JP6687455B2 - 研削装置 - Google Patents
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Landscapes
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Description
20 保持手段
21 保持テーブル
22 回転手段
30 研削送り手段
40 研削手段
45 研削ホイール
46 研削砥石
50 非接触測定手段
51 投光部
55 受光部
56 算出手段
57 判断手段
60 制御手段
70 半導体ウエーハ
72 電極
73 電極の上端面
75 樹脂層
76 樹脂層の上面
77 半導体ウエーハの上面
R1 第1の反射光
R2 第2の反射光
R3 第3の反射光
W 板状ワーク
Claims (1)
- 半導体ウエーハの上面に立設する柱状の電極を樹脂で覆い樹脂層を形成する板状ワークの該樹脂層の上面を研削砥石で研削する研削装置であって、
板状ワークを保持する保持テーブルを回転させる回転手段を有する保持手段と、該保持手段に保持された板状ワークの該樹脂層を研削する研削砥石を回転可能に装着する研削手段と、該研削手段と該保持手段とを相対的に接近および離間する研削送り方向に研削送りする研削送り手段と、該研削砥石で研削する該樹脂の厚みを非接触で測定する非接触測定手段と、を備え、
該非接触測定手段は、
回転する該保持手段が保持する板状ワークの上方から測定光を投光する投光部と、
該測定光が板状ワークで反射した反射光を受光する受光部と、
該樹脂層を該研削砥石で研削中に該受光部が受光する該樹脂の上面で反射した第1の反射光と該電極の上端面で反射した第2の反射光と半導体ウエーハの上面で反射した第3の反射光との光路長差から、半導体ウエーハ上の樹脂の厚みt1と、該電極の上端上の樹脂の厚みt2と、該電極の上端上の樹脂の厚みt2がゼロのときの半導体ウエーハ上の樹脂の目標厚みt3と、を含む複数の厚みデータを算出する算出手段と、
該算出手段が算出した該半導体ウエーハ上の樹脂の厚みt1及び該電極の上端上の樹脂の厚みt2のうち小さい厚みデータを該電極の上端上の樹脂の厚みt2と判断する判断手段と、を備え、
該非接触測定手段によって該半導体ウエーハ上の樹脂の厚みt1を測定しながら該研削砥石で該樹脂を研削していき、さらに、該算出手段によって該電極の上端上の樹脂の厚みt2がゼロになるとしたときの半導体ウエーハ上の樹脂の目標厚みt3を算出し、該算出の後は該電極の上端上の樹脂の厚みt2を算出することなく該半導体ウエーハ上の樹脂の厚みt1が該目標厚みt3になるまで該研削手段で該樹脂を研削する研削装置。
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