JP6684182B2 - デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
実施形態1に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図1は、実施形態1に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。図2は、図1中のII−II線に沿う断面図である。図3は、図2に示されたデバイスウエーハのパッシベーション膜により被覆された分割予定ラインにアブレーション加工を施す状態を示す断面図である。
実施形態2に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図15は、実施形態2に係るデバイスウエーハの加工方法の保護部材形成工程後のデバイスウエーハの断面図である。図16は、実施形態2に係るデバイスウエーハの加工方法の封止工程後のデバイスウエーハの断面図である。図17は、実施形態2に係るデバイスウエーハの加工方法の分割工程を示すデバイスウエーハの要部の断面図である。図18は、実施形態2に係るデバイスウエーハの加工方法の加工後のデバイスウエーハの断面図である。図15から図18は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成されており、該分割予定ライン上の領域に該基板表面が露出し、裏面全面に金属膜が形成されたデバイスウエーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、
外周部にプラズマ耐性を有する保護部材が形成され、かつ該裏面側が保持されて、該表面側から該パッシベーション膜及び該保護部材をマスクにして該分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングされて、該金属膜に延び且つ外周面に露出しない溝が形成されたデバイスウエーハ表面に水を供給し該溝を水で満たす水供給工程と、
該水供給工程後に該デバイスウエーハの表面を封止部材で封止する封止工程と、
該封止工程を実施した後に該デバイスウエーハを冷却し該溝に満たされた水を凍結させ、凍結された水の体積増加による力により該金属膜を該分割予定ラインに沿って破断し個々のデバイスに分割する分割工程と、を備えるデバイスウエーハの加工方法。
各実施形態の変形例1に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図19は、各実施形態の変形例1に係るデバイスウエーハの加工方法の分割工程に用いられる冷却装置の側面図である。図19は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
各実施形態の変形例2に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図20は、各実施形態の変形例2に係るデバイスウエーハの加工方法の分割工程に用いられる冷却装置の側面図である。図20は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
各実施形態の変形例3に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図21は、各実施形態の変形例3に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの断面図である。図21は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
各実施形態の変形例4に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図22は、各実施形態の変形例4に係るデバイスウエーハの加工方法の溝形成工程で用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。図22は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
各実施形態の変形例5に係るデバイスウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図23は、各実施形態の変形例5に係るデバイスウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハの要部の断面図である。図23は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
12 封止部材
W,W−1 デバイスウエーハ
WS 表面
WR 裏面
L 分割予定ライン
LR レーザ光
D デバイス
S 基板
F 金属膜
R 溝
PF パッシベーション膜
PP 外周部
PS 外周面
WT 水
ST1 保護部材形成工程
ST2 溝形成工程
ST3 水供給工程
ST4 封止工程
ST5 分割工程
Claims (3)
- 表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成されており、該分割予定ライン上の領域に該基板表面が露出し、裏面全面に金属膜が形成されたデバイスウエーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、
該デバイスウエーハの外周部にプラズマ耐性を有する保護部材を形成する保護部材形成工程と、
該デバイスウエーハの裏面側を保持し、該デバイスウエーハの表面側から該パッシベーション膜及び該保護部材をマスクにして該分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングして、該金属膜に延び且つ該デバイスウエーハの外周面に露出しない溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程を実施した後、該デバイスウエーハ表面に水を供給し該溝を水で満たす水供給工程と、
該水供給工程後に該デバイスウエーハの表面を封止部材で封止する封止工程と、
該封止工程を実施した後に該デバイスウエーハを冷却し該溝に満たされた水を凍結させ、凍結された水の体積増加による力により該金属膜を該分割予定ラインに沿って破断し個々のデバイスに分割する分割工程と、を備えるデバイスウエーハの加工方法。 - 該分割工程では、該デバイスウエーハの裏面側が下方に向けて配置される請求項1に記載のデバイスウエーハの加工方法。
- 該封止部材は、剛性を有するプレートである請求項1又は2に記載のデバイスウエーハの加工方法。
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