JP6679413B2 - 気相成長装置用部品の洗浄装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 303
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 152
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 107
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
Claims (4)
- 下方のみに開口部を有する洗浄炉本体と、該洗浄炉本体の下方に昇降可能に設けられた洗浄炉蓋部材と、該洗浄炉蓋部材の中央部を貫通して設けられた洗浄ガス供給経路及び洗浄排ガス排出経路と、前記洗浄炉蓋部材の上に着脱可能に載置される洗浄容器とを備え、該洗浄容器は、前記洗浄炉蓋部材の上に設けられた洗浄容器支持体に着脱可能に載置される円盤状の底板と、該底板の内周部に載置される小径リング状の内周側支持部材と、底板の外周部に積層される大径リング状の外周側支持部材と、内周側支持部材と外周側支持部材との間に設けられる部品支持具と、最上段に位置する外周側支持部材上に載置される洗浄容器天板とを備え、前記内周側支持部材の内周側下部及び内周側上部には、上下に隣接する内周側支持部材同士を位置決めする内周側凹凸係合部が設けられ、前記外周側支持部材の外周側下部及び外周側上部には、上下に隣接する外周側支持部材同士を位置決めする外周側凹凸係合部が設けられ、前記内周側支持部材の外周側及び前記外周側支持部材の内周側には、内周側支持部材と外周側支持部材との間、あるいは、内周側支持部材又は外周側支持部材と前記部品支持具との間で気相成長装置用部品を載置するための部品載置部を設け、前記内周側支持部材の内周側に、前記底板の中央部に設けられた開口を介して前記洗浄ガス供給経路に連通する洗浄ガス流路を設け、内周側支持部材の外周側の底板の内周部に、前記洗浄排ガス排出経路に連通する排気孔を設けるとともに、最上段に位置する内周側支持部材と洗浄容器天板との間、及び、前記部品載置部の上面と前記気相成長装置用部品の下面との間に、ガス流路をそれぞれ形成したことを特徴とする気相成長装置用部品の洗浄装置。
- 下方のみに開口部を有する洗浄炉本体と、該洗浄炉本体の下方に昇降可能に設けられた洗浄炉蓋部材と、該洗浄炉蓋部材の中央部を貫通して設けられた洗浄ガス供給経路及び洗浄排ガス排出経路と、前記洗浄炉蓋部材の上に着脱可能に載置される洗浄容器とを備え、該洗浄容器は、前記洗浄炉蓋部材の上に設けられた洗浄容器支持体に着脱可能に載置される円盤状の底板と、該底板の内周部に載置される小径リング状の内周側支持部材と、底板の外周部に積層される大径リング状の外周側支持部材と、内周側支持部材と外周側支持部材との間に設けられる部品支持具と、最上段に位置する外周側支持部材上に載置される洗浄容器天板とを備え、前記内周側支持部材の内周側下部及び内周側上部には、上下に隣接する内周側支持部材同士を位置決めする内周側凹凸係合部が設けられ、前記外周側支持部材の外周側下部及び外周側上部には、上下に隣接する外周側支持部材同士を位置決めする外周側凹凸係合部が設けられ、前記内周側支持部材の外周側及び前記外周側支持部材の内周側には、内周側支持部材と外周側支持部材との間、あるいは、内周側支持部材又は外周側支持部材と前記部品支持具との間で気相成長装置用部品を載置するための部品載置部を設け、前記内周側支持部材の内周側に、前記底板の中央部に設けられた開口を介して前記洗浄ガス供給経路に連通する洗浄ガス流路を設け、内周側支持部材に、前記洗浄ガス流路と内周側支持部材の外周側とを流通させる洗浄ガス流路を設けるとともに、外周側支持部材に、該外周側支持部材の内周側と洗浄容器外部側とを流通させる洗浄排ガス流路を設け、前記洗浄排ガス排出経路は、洗浄容器外部側のガスを吸引して排出可能に設けられていることを特徴とする気相成長装置用部品の洗浄装置。
- 前記洗浄炉蓋部材を、前記洗浄炉本体の開口部を閉塞する上昇位置と、前記洗浄容器を洗浄炉本体の開口部より下方に位置させた下降位置とに昇降させる洗浄炉蓋部材昇降手段を備えていることを特徴とする請求項1又は2記載の気相成長装置用部品の洗浄装置。
- 前記下降位置に下降した洗浄炉蓋部材の上に載置された前記洗浄容器を洗浄炉蓋部材から移載して洗浄炉蓋部材の側方位置に搬送する洗浄容器搬送手段を備えていることを特徴とする請求項3記載の気相成長装置用部品の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016102219A JP6679413B2 (ja) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 気相成長装置用部品の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016102219A JP6679413B2 (ja) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 気相成長装置用部品の洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017209596A JP2017209596A (ja) | 2017-11-30 |
JP6679413B2 true JP6679413B2 (ja) | 2020-04-15 |
Family
ID=60475009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016102219A Active JP6679413B2 (ja) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 気相成長装置用部品の洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6679413B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7316189B2 (ja) * | 2019-10-25 | 2023-07-27 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置用部品の洗浄装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0474422U (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-30 | ||
JP2001185489A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | クリ−ニング方法 |
JP4123824B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2008-07-23 | 株式会社大林組 | ウエハポッドの清浄化システム、ウエハポッド |
JP4541232B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム及び処理方法 |
US8404135B2 (en) * | 2008-08-26 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Plasma cleaning for process chamber component refurbishment |
JP5277054B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2013-08-28 | 大陽日酸株式会社 | 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置 |
JP2011228404A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Sharp Corp | 洗浄装置、洗浄方法、太陽電池製造システムおよび太陽電池の製造方法 |
KR20150048914A (ko) * | 2011-05-19 | 2015-05-07 | 후루카와 기카이 긴조쿠 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치 |
JP2013251348A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板保持装置及び基板処理装置 |
JP6050688B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2016-12-21 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
-
2016
- 2016-05-23 JP JP2016102219A patent/JP6679413B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017209596A (ja) | 2017-11-30 |
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A977 | Report on retrieval |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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