JP6050688B2 - 気相成長装置 - Google Patents
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- 原料ガス導入部及びガス排出部を備えたチャンバー内に、サセプタで保持したサファイア基板を配置し、該基板を加熱するとともに、前記原料ガス導入部からガス排出部に向けてチャンバー内に原料ガスを導入し、チャンバー内で原料ガスを反応させて前記基板面にGaN薄膜を形成する気相成長装置において、前記基板のガス流れ方向上流側の前記サファイア基板に対向する側に配置される部材のガス接触面のみをガリウム化合物で形成した気相成長装置。
- 原料ガス導入部及びガス排出部を備えたチャンバー内に、サセプタで保持したサファイア基板を配置し、該基板を加熱するとともに、前記原料ガス導入部からガス排出部に向けてチャンバー内に原料ガスを導入し、チャンバー内で原料ガスを反応させて前記基板面にGaN薄膜を形成する気相成長装置において、
前記サセプタは円盤状であり、
該サセプタの上面には内周側に石英中央カバーが、該石英中央カバーの外周側に複数の収容部を周方向に等間隔で形成したサセプタカバーがそれぞれ着脱可能な状態で載置され、
前記収容部に、プレートリングを介して前記サファイア基板が保持されており、
前記原料ガス導入部から前記サファイア基板との間の原料ガスが接触する部材である前記石英中央カバー,前記サセプタカバー,前記プレートリング,前記チャンバーの天井板のうち、前記天井板のガス接触面のみをガリウム化合物で形成した気相成長装置。 - 前記ガリウム化合物がGaNである請求項1又は2記載の気相成長装置。
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