JP6678528B2 - インジウムターゲット部材及びその製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1及び2のような高純度のインジウムを材料とするターゲットでは、インジウムという原料の融点の低さからか、スパッタ中にエロージョン表面全域に200μmを超えるようなサイズの突起が多数成長する(図1に本発明で対象とする突起の二次電子像を示す)。そのため、スパッタを継続するとスパッタ表面には多数のミクロな凹凸が見られるようになるが、その凹凸のサイズや分布により、局所的に成膜速度が不安定となり、経時的な成膜レートの安定性が悪くなってしまう。このような問題は特許文献2に教示されているように、圧延を行うことにより改善は可能であるが、十分とは言えない。また、特許文献4に記載されているように、表面を粗化することにより安定までの時間は短くなるものの、成膜レートの安定性についての記述はなく、対応は十分ではない。特許文献3に記載のようにインジウムと銅の合計原子数に対して0.5〜7.5at%の銅を添加したインジウムターゲット組織を観察すると、デンドライト状又は針状の粗大なCu−In化合物が多数析出していることが分かった。そして、Cu−In化合物の不均一な析出が成膜レートを不安定化させる要因となっていることを見出した。このように、特許文献1〜4に記載のインジウムターゲットでは成膜レートが十分に安定でない。一方、特許文献5の教示に従ってインジウムの結晶粒径を微細化した場合には、成膜レートの安定性を高めることは可能である。しかしながら、特許文献5では、微細な結晶粒径を得るために溶射という特殊な方法を採用している。
本発明は、インジウムターゲット部材中に銅を添加し、微細なCu−In化合物粒子を分散させる点に特徴の一つがあり、当該特徴によりスパッタ中の突起発生を抑制する効果が期待できる。特許文献3においては銅を比較的多く添加することを教示しているが、多量添加はCu−In化合物粒子の粗大化による、スパッタ表面の不安定化につながるため好ましくない。本発明者の検討結果によれば、特許文献3に記載されているような高濃度のCuを添加すると、成膜レートが不安定になってしまうことが分かっており、品質安定性が低下してしまう。
一般的に、金属ターゲットにおいて、酸化物が含まれていると、スパッタ中にチャージアップが生じ、異常放電の原因となる。そのため、酸素濃度が少ないターゲットの方が、スパッタリング中安定となる。本発明に係るインジウムターゲット部材においては、酸素濃度を50質量ppm未満とすることができ、好ましくは30質量ppm以下とすることができ、より好ましくは20質量ppm以下とすることができ、更により好ましくは10質量ppm以下とすることができ、例えば1〜30質量ppmとすることができ、5〜20質量ppmとすることもできる。
また、インジウムターゲット部材はCIGS系薄膜太陽電池の光吸収層形成用のスパッタリングターゲットとして使用することができるため、微量のガリウムが入っていてもよい。具体的には、インジウムターゲット部材中のガリウム濃度はターゲット組織に影響を与えないように、5000質量ppm以下にすることが好ましく、2500質量ppm以下とすることがより好ましい。
インジウムターゲット部材中に析出するCu−In化合物粒子は微細であることが重要である。デンドライト状又は針状に成長して粗大化したCu−In化合物粒子は、分散状態が悪く、スパッタ中に生成する突起の粗大化抑制効果が小さく、また、スパッタ中の表面状態を不均一化する要因となり、成膜速度を不安定にするからである。Cu−In化合物粒子が微細であると、このような副作用はなく、突起抑制効果が効果的に発揮されるので、成膜レートが安定化する。また、インジウムターゲットでは、特許第5074628号公報(特許文献4)に記載されるように、スパッタ初期に成膜レートが徐々に低下し、安定するまでに使用するターゲットのロスが多くなる。この要因は、スパッタ中に表面の突起が成長し、全面が突起で埋め尽くされ、定常状態となるまでに長時間を要するためである。本発明ではスパッタ中に生成する突起サイズを小さく制御することが可能であるため、安定な表面が得られるまでのターゲットのロスが少なくて済み、ターゲットを効果的に膜生産に使うことができ、使用効率が向上する。また、成膜速度の安定化までの時間も短縮される。本発明に係るターゲット(実施例3)に対してスパッタした後のスパッタ面の二次電子像の例を図2に示す。
一方で、インジウム結晶粒のサイズは、インジウムターゲット部材の鋳造サイズ等により影響を受けるが、特許文献3に記載されているような10mm以下でなくても問題なく、それ以上であっても、Cu−In化合物粒子のサイズ次第で、同様の効果を確認できる。つまり、本発明によれば、インジウム結晶粒の大きさにかかわらず、成膜レートの安定性を高めることが可能である。従って、本発明に係るインジウムターゲット部材の一実施形態においては、インジウムの平均結晶粒径を10〜500000μmとすることができ、典型的には40〜200000μmとすることができる。ただし、成膜レート安定性は、インジウム結晶粒が微細化されていた方がわずかながら向上するため、インジウム結晶粒の平均結晶粒径は1000μm以下であることが好ましく、500μm以下であることがより好ましく、300μm以下であることが更により好ましく、100μm以下であることが更により好ましく、50μm以下であることが更により好ましい。本発明において、インジウムの平均結晶粒径は以下の手順で測定する。ターゲットのスパッタリングされる表面を弱酸で軽くエッチングして結晶粒界を見やすくした後、任意の結晶粒50個以上の粒径を計測し、その平均値を平均結晶粒径とする。各結晶粒の粒径は当該結晶を取り囲むことのできる最小円の直径と定義する。
ターゲット内部に存在する空隙、とりわけ孔径0.5mm以上の大きな空隙はスパッタ中に異常放電を発生させる原因となるために極力少なくすることが望ましい。本発明に係るインジウムターゲット部材は好ましい実施形態において、孔径0.5mm以上の空隙が存在しないようにすることができる。空隙を少なくするためには、溶解鋳造時の冷却方向を制御してインジウムターゲット部材を製造することが好ましく、溶解鋳造後に冷間圧延を組み合わせてインジウムターゲット部材を製造することがより好ましい。
次に、本発明に係るインジウムターゲット部材の製造方法の好適な例を順を追って説明する。まず、原料であるインジウム及び所定量の銅を鋳型に入れる。使用する原料インジウムや銅は、不純物が含まれていると、その原料によって作製される太陽電池の変換効率が低下してしまうという理由により高い純度を有していることが望ましく、例えば、99.9質量%以上、好ましくは99.99質量%以上の純度の原料を使用することができる。原料中の酸素濃度は50質量ppm未満とすることが望ましい。鋳型は、高温でもインジウムと反応しないという点から、カーボン製のものを使用することができる。原料を完全に融解させるという観点からは300℃以上に加熱することが好ましい。溶け残りを防ぐため、500℃以上とすることがさらに好ましい。また、原料が溶解するまでにCuやインジウムの表面酸化を防ぐため、不活性ガス雰囲気や減圧下で鋳造することが好ましい。その後、室温まで冷却して、インジウム合金インゴットを形成する。このあと、所定のターゲット形状の鋳型等を使用して、再度鋳造し直す際に急冷工程を設ける。
冷却方向の制御は、鋳型の一面(例えば鋳型の下面)に冷媒を設置することで一方向から冷却することにより実施することができる。インゴットが一方向凝固することで空隙の発生を抑制することが可能である。
その後、必要に応じて形状加工や表面切削してインジウムターゲット部材とすることができる。ターゲット部材の形状は特に制約はないが、例えば円筒形状の他、矩形や円盤形などの平板状とすることができる。
原料となるインジウム(純度4N)、銅(純度4N)及びガリウム(純度4N)を用意した。原料中の酸素濃度は不活性ガス融解法で測定したところ、何れも50質量ppm未満であった。これらの原料を銅濃度及びガリウム濃度が表1に記載の値となるように成分調整したインジウム、銅及び随意的なガリウムの混合物をカーボン製のるつぼに入れ、Ar雰囲気で、500℃、5時間加熱して溶解し、インジウム合金を作製した。このインジウム合金を、200℃で再溶解し、この溶体から、以下の手順でインゴットを作製した。
圧延しない場合は、得られた内径210mmのインゴットを直径226mm、厚さ5mmの銅製のバッキングプレートにボンディングし、旋盤によりターゲット部分を直径203.2mm×厚み5mmの円盤状に加工し、表1に記載の各インジウムターゲット部材を作製した。なお、ロウ材にはインジウムスズ合金(重量比1:1)を用いた。
円筒ターゲットの場合、外径133mm、長さ2000mmのSUS製の円筒形のバッキングチューブを、内径169mm、長さ2000mmの円筒形の内側面をもつSUS製の縦型の鋳型に同軸状に組込み、鋳型内部をN2置換した後、昇温し、インジウム合金を注入した。その後、N2を鋳型下部から注入し、10分間バブリングした後、溶湯表面の酸化物スラグを除去し、バッキングチューブ内に下方から冷却水を注入することによって、溶融状態から凝固状態に変化するまでの冷却速度を表1に記載の値でそれぞれ冷却して、インジウム合金−バッキングチューブ接合体を作製した。なお、冷却に掛かった時間は、下端が165℃になった時点をスタートとし、上端が145℃になった時点を終了とした。
250℃に溶融したインジウム(純度4N)をノズルに供給し、アルゴンガスでバッキングチューブに吹き付けることで円筒形状の溶射ターゲットを作製した。
(酸素濃度)
ターゲット部材中の酸素濃度は不活性ガス融解法で測定した。
(Cu−In化合物粒子)
Cu−In化合物粒子の最大粒子径、平均粒子径、及び個数密度は先述した方法に従って測定した。測定に使用した分析装置は日本電子株式会社製の型式JXA8500Fとした。
孔径0.5mm以上の空隙の有無を、先述した方法に従って、日本クラウトクレーマー株式会社製の電子走査式超音波探傷システムPA−101を使用して測定した。
次に、実施例1〜12、16、17及び比較例1〜5、8のインジウムターゲットを、スパッタ開始前のチャンバー内の到達真空度圧力を1×10-4Paとし、アルゴンガスを5sccmでフローさせ、スパッタ時の圧力を0.5Pa、スパッタパワー1.3W/cm2で、コーニング社製#1737ガラスを基板として、基板加熱を行わずに、10分間プレスパッタを実施した。その後、一旦チャンバーを開け、デプスゲージを使用して、エロージョン最深部の深さを測定した。基板を入れ替え、再度チャンバーを閉じ、上記条件で1分間プレスパッタした後、5分間の本成膜を行い、この5分間の成膜レートを算出した。その後、30分間プレスパッタした後、チャンバーを開放してエロージョン最深部の深さを測定、基板を入れ替えてチャンバーを閉じ、上記条件で1分間プレスパッタした後、5分間の本成膜を行い、この5分間の成膜レートを算出するというサイクルを繰り返し、エロージョン深さと成膜レートの関係をグラフ化した。
実施例13〜15および比較例6、7の円筒ターゲットもスパッタパワーを2kW/mとした以外は、上記と同条件にてスパッタを実施した。なお、本試験は、キヤノンアネルバ製スパッタ装置SPF−313Hを使用して実施した。
上記スパッタ試験において、成膜速度が安定化するまでのエロージョン深さを、先述した方法に基づいて算出した。結果を表3の「安定化までのエロージョン深さ」の列に示す。
(成膜レート変動率)
上記スパッタ試験において、エロージョン最深部の深さが1.0mmに到達した時点から2.0mmに到達した時点までに得られた成膜レートの測定値全てから算出した標準偏差σの3倍を変動率として記載した。結果を表3の「成膜レート変動率」の列に示す。
(成膜レート)
実施例1及び比較例6、7、8について、エロージョン最深部の深さが1.0mm時点における成膜レートを比較した。その結果、実施例1は1450Å/min、比較例6は987Å/min、比較例7は920Å/min、比較例8は660Å/minであった。これにより、溶射により作製されたターゲットは、成膜レートが低いことがわかった。また、Cu量が35000質量ppmと過剰であると、成膜レートが低いことがわかった。本発明に係るインジウム合金ターゲットは溶射ターゲットよりも成膜レートが高く、生産性が高いことが示唆される。また、過剰な銅の添加も、成膜レートが低くなることが確認された。
(表面粗度)
実施例3、比較例1及び比較例3について、スパッタした後のスパッタ面の二次電子像を図5に示す。本発明に係るインジウム合金ターゲットは、スパッタ後も表面粗度が小さく維持されていることがわかる。スパッタ前および安定化時点(成膜速度が安定化するまでのエロージョン深さ)におけるスパッタ面の算術平均粗さRaをJIS B0601(1994)に準拠してレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9700、測定倍率10倍)により測定した結果を表3に示す。
(Ga濃度の影響)
GaはIn中に固溶されるため、5000質量ppmまでは、混入していても、スパッタ特性に大きな影響は与えないことを実施例16及び17により確認した。
また、実施例9〜11の比較から、鋳造時の冷却速度を高めるに従い、微細なCu−In化合物粒子がターゲット部材のマトリクス中に高分散化すると共に、成膜レート変動率が改善することが分かる。
一方、比較例1では銅を添加しなかったことで、スパッタにより突起が大きく成長したために、成膜速度が安定化するまでのエロージョン深さが大きくなり、成膜レートの変動率が大きくなった。
比較例2では銅を添加したものの、その添加量が少なかったために、突起の成長を抑制する効果が不十分となり、実施例ほどの改善は得られなかった。
比較例3及び比較例4は銅の添加量は適切であるが、鋳造時の冷却速度が遅かったことで、Cu−In化合物粒子が大きく成長した。安定化までのエロージョン深さは短縮されたが、成膜レート変動率は実施例に比べて大きくなった。
比較例5、8は銅を添加したものの、その添加量が過剰であったために、Cu−In化合物粒子が大きくなった。安定化までのエロージョン深さは短縮されたが、成膜レート変動率は実施例に比べて大きくなった。
比較例7は原料中に銅を混ぜて溶射によって微細な結晶粒をもつターゲットを作製した例である。微細なCu−In化合物粒子の形成はあり、結晶粒が微細であるため、成膜レートの安定性は実施例に匹敵した。ただし、酸素を多く含むことから成膜レート自体が低かった。また、酸素による膜品質への影響が懸念される。
Claims (17)
- 銅濃度が50質量ppm以上2500質量ppm未満であり、酸素濃度が50質量ppm未満であり、残部インジウム及び不可避的不純物からなるインジウムターゲット部材であり、スパッタリングされる表面を観察したときのCu−In化合物粒子の平均粒子径が0.5〜8μmであるインジウムターゲット部材。
- 前記Cu−In化合物粒子の平均粒子径が0.8〜5μmである請求項1に記載のインジウムターゲット部材。
- 前記Cu−In化合物粒子の最大粒子径が15μm以下である請求項1又は2に記載のインジウムターゲット部材。
- 前記Cu−In化合物粒子の個数密度が0.02個/μm2以上である請求項1〜3の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 孔径0.5mm以上の空隙が1個/cm3以下である請求項1〜4の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 酸素濃度が30質量ppm以下である請求項1〜5の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 酸素濃度が10質量ppm以下である請求項1〜5の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 銅濃度が100質量ppm以上である請求項1〜7の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 更に、ガリウムを5000質量ppm以下含有する請求項1〜8に記載のインジウムターゲット部材。
- 円筒形状である請求項1〜9の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 平板状である請求項1〜9の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材。
- 銅濃度が50質量ppm以上2500質量ppm未満であり、酸素濃度が50質量ppm未満であり、残部インジウム及び不可避的不純物からなる組成をもつインジウム合金を加熱溶解した後、溶融状態から凝固状態に変化するまでの冷却速度を1.0×10-5℃/(min・cm3)以上として冷却する鋳造工程を含む請求項1〜11の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材の製造方法。
- 前記鋳造工程においては、一方向から冷却することを含む請求項12に記載のインジウムターゲット部材の製造方法。
- 前記加熱溶解は不活性ガス雰囲気下で、500℃以上に前記インジウム合金を加熱する条件で実施することを含む請求項12又は13に記載のインジウムターゲット部材の製造方法。
- 前記鋳造工程において、インジウム合金が凝固する前に、不活性ガスによるバブリングを行うことを含む請求項12〜14の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材の製造方法。
- 前記鋳造工程が、外側面が円筒形のバッキングチューブとその周囲に同軸状に間隔を設けて配置された内側面が円筒形の鋳型の間にインジウムの溶湯を流し込むことを伴い、バッキングチューブの内側にインジウム溶湯以下の温度である、液体及び気体のいずれかの冷媒を一方向から導入することにより冷却することを含む請求項12〜15の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材の製造方法。
- 請求項1〜11の何れか一項に記載のインジウムターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含むスパッタ膜の形成方法。
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